JP3441372B2 - 白金食刻方法 - Google Patents
白金食刻方法Info
- Publication number
- JP3441372B2 JP3441372B2 JP19537098A JP19537098A JP3441372B2 JP 3441372 B2 JP3441372 B2 JP 3441372B2 JP 19537098 A JP19537098 A JP 19537098A JP 19537098 A JP19537098 A JP 19537098A JP 3441372 B2 JP3441372 B2 JP 3441372B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- platinum
- etching
- gas
- mask
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 162
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 title claims description 76
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims description 72
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 21
- 239000003292 glue Substances 0.000 claims description 15
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims description 14
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 6
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 2
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 53
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 48
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000012811 non-conductive material Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 240000007711 Peperomia pellucida Species 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910000789 Aluminium-silicon alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000283973 Oryctolagus cuniculus Species 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910003446 platinum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L28/40—Capacitors
- H01L28/60—Electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F4/00—Processes for removing metallic material from surfaces, not provided for in group C23F1/00 or C23F3/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
- H01L21/32136—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only using plasmas
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32139—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer using masks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高誘電膜の下部電
極の食刻に関し、特に白金で下部電極を形成しようとす
る際、白金に対する食刻選択性が優秀なマスク及び食刻
ガスを用いて高い信頼性で白金を食刻する方法に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】以下、添付図面に基づき従来の白金食刻
方法を説明する。図１ａ〜図２ｂは従来の白金食刻方法
を示す工程断面図である。 【０００３】まず、図１ａに示すように、シリコン絶縁
膜１上にチタン（Ｔｉ）及びチタン窒化物（ＴｉＮ）を
それぞれ厚さ１００Åになるよう順次に蒸着してグルー
層２を形成する。そして、グルー層２のチタン窒化物上
に、キャパシタの下部電極物質として用いられる白金
（Ｐｔ）層３を１０００〜１５００Åの厚さに蒸着す
る。 【０００４】図１ｂに示すように、ハードマスクとして
用いられるシリコン酸化膜４を白金層３上に４０００〜
５０００Åの厚さに蒸着する。この後、シリコン酸化膜
４上に感光膜５を塗布した後、露光及び現像工程で感光
膜５を選択的にパターニングする。 【０００５】図２ａに示すように、パターニングされた
感光膜５をマスクとして用いて、シリコン酸化膜４を異
方性食刻する。図２ｂに示すように、食刻されたシリコ
ン酸化膜４をハードマスクとして用いて、ＭＥＲＩＥ(M
agnetron Enhanced Reactive Ion Etcher)タイプの装置
で低圧状態でＣｌ2 ／Ａｒ／Ｏ2 を適切に調合して白金
層３及びグルー層２を食刻する。この際、白金層３とシ
リコン酸化膜４との最適な食刻選択比は１．２：１であ
る。この後、シリコン酸化膜４をＨＦ溶液に浸けて湿式
食刻する。この際、シリコン酸化膜４を食刻した後に
も、白金層３及びグルー層２の両側面には白金層３及び
グルー層２の食刻時に発生した反応生成物６が残ってい
る。この反応生成物６の組成は、白金（Ｐｔ）が７０％
程度、Ｈ、Ｃ、Ｏが３０％程度となる。そして、この反
応生成物６は、シリコン酸化膜４が除去された後、白金
層３の上部両側面に残留しウサギ耳(rabbit ear)状をな
している。この反応生成物６はＨＣｌ溶液を用いて除去
される。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の白
金食刻方法には以下の問題点があった。 （１）白金とシリコン酸化膜との最適な食刻選択比が
１．２：１なので、素子が高集積化され、かつ白金層３
の厚さが大きくなるにつれてシリコン酸化膜４の厚さも
大きくなる。しかしながら、白金層３及びシリコン酸化
膜４の厚さが相に大きくなるのには限界があり、白金層
３を食刻するべくシリコン酸化膜４をパターニングする
際にパターン不良現象が発生し、このようなパターン不
良のシリコン酸化膜４をハードマスクとして用いること
によって白金層３の食刻信頼性が低下する。 【０００７】（２）白金層３とシリコン酸化膜４との接
触性( 密着性) が悪いため、感光膜５のパターニング時
にピーリング(peeling) 現象が生じる。このため、安定
した白金層３を形成し難い。 【０００８】（３）白金層３の上部両側面に、白金と反
応して形成された反応生成物６がウサギ耳形状をなして
形成されているため、後続工程を適切に進行し難くな
る。更に、このウサギ耳状の反応生成物６が完全に除去
されなかった場合、その反応生成物６を通じて、次後に
形成されるキャパシタへ漏洩電流が発生することがあ
る。 【０００９】本発明は上記の問題を解決するためになさ
れたものであり、その目的は、白金に対する食刻選択性
の高いマスク物質及び食刻ガスを用いて信頼性ある白金
食刻方法を提供することにある。 【００１０】 【００１１】 【００１２】 【００１３】 【００１４】 【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の請求項１に記載の白金食刻方法は、絶縁体
上にグルー層を形成する工程と、前記グルー層上に白金
層を形成する工程と、前記白金層上に前記白金に対する
高食刻選択性を有し、チタン、チタン窒化物又はアルミ
ニウム合金から選択されるマスク形成物質を形成する工
程と、前記マスク形成物質をパターニングする工程と、
前記パターニングされたマスク形成物質を用いて前記マ
スク形成物質と前記白金との食刻選択比が２以上となる
ように設定された食刻ガスを注入して前記白金層を食刻
する工程であって、前記マスク形成物質としてチタン又
はチタン窒化物を用いる際、食刻ガスとしてはＨＢｒ＋
Ｏ2ガス又はＣｌ2＋Ｏ2ガスを注入し、前記マスク形成
物質としてアルミニウム合金を用いる際、食刻ガスとし
てはフッ素ベースガスとしてのＣＦ 4 、Ｃ 2Ｆ6又はＣ3Ｆ
8ガスとＯ2ガスとを注入する前記食刻工程と、前記食刻
工程において前記特定のマスク形成物質及び前記特定の
食刻ガスを用いて、１３．５６ＭＨｚの高周波数供給器
から３００〜６００ｗ範囲のエネルギーを加え、４５０
ｋＨｚの低周波数供給器から０〜１００ｗ範囲のエネル
ギーを加えて白金層の食刻を進行する工程と、チタン窒
化物又はチタンからなるマスク形成物質を用いた場合に
はＨＢｒ＋Ｏ2ガス又はＣｌ2＋Ｏ2ガスを使用して白金
層を食刻する際に発生した反応生成物を除去し、アルミ
ニウム合金からなるマスク形成物質を用いた場合には前
記フッ素ベースガスを使用して前記反応生成物を除去す
る工程と、前記マスク形成物質を食刻するとともに、前
記白金層をマスクとして用いて前記グルー層を食刻する
工程とを備えることを要旨とする。 【００１５】 【００１６】 【００１７】 【００１８】 【発明の実施の形態】本発明は、白金に対する高食刻選
択性を有するマスクを選定し、そのマスクに適合する食
刻ガスを用いて白金（Ｐｔ）を食刻する方法を提供す
る。このように、白金との食刻選択性の高いマスクを選
定するべく、種々のマスク形成物質及び種々の食刻ガス
を用いて白金（Ｐｔ）を食刻する実験を施した。 【００１９】以下、種々の食刻ガスの注入時におけるマ
スクの白金との食刻選択性を図面に基づき説明する。図
３は白金との食刻選択性を示すグラフである。この際、
マスクには感光膜(photoresist:PR)、シリコン酸化膜
（ＳｉＯ2 ）、チタン窒化物（ＴｉＮ）、チタン（Ｔ
ｉ）、又はアルミニウム（Ａｌ）を用い、食刻ガスには
ＨＢｒ＋Ｏ2 ガス、Ａｒ＋Ｃｌ2 ガス、Ｃｌ2 ＋Ｏ2 ガ
ス、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスをそれぞれ用いた。上記した各マ
スクに上記の食刻ガスをそれぞれ注入したときの白金と
の食刻選択性は次の通りである。 【００２０】まず、感光膜ＰＲをマスクとして用いた場
合には、ＨＢｒ＋Ｏ2 ガス、Ａｒ＋Ｃｌ2 ガス、Ｃｌ2
＋Ｏ2 ガス、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスによる白金（Ｐｔ）との
食刻選択比が１：１以下であった。そして、シリコン酸
化膜ＳｉＯ2 をマスクとして用いた場合には、ＨＢｒ＋
Ｏ2 ガス、Ｃｌ2 ＋Ｏ2 ガスのみで１．２：１の食刻選
択比を有し、他のガスでは１：１以下の食刻選択比を示
した。ＴｉＮをマスクとして用いた場合には、食刻ガス
としてＨＢｒ＋Ｏ2 ガスを使用したときに白金と３０：
１の食刻選択比を示し、Ｃｌ2 ＋Ｏ2 ガスを使用したと
きに１０：１の食刻選択比を示した。Ｔｉをマスクとし
て用いた場合には、ＨＢｒ＋Ｏ2 ガスを使用したときに
白金と５０：１の食刻選択比を示し、Ｃｌ2 ＋Ｏ2 ガス
を使用したときに２０：１の食刻選択比を示した。そし
て、アルミニウム（Ａｌ）をマスクとして用いた場合に
は、フッ素原子系のガス、例えばＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスを使
用したときに白金と５０：１の食刻選択比を示した。 【００２１】以下、上記の実験結果を参照して図面に基
づき本発明の白金食刻方法を説明する。図４ａ〜図６は
本発明の白金食刻方法を示す工程断面図である。 【００２２】本発明の白金食刻方法は、図４ａに示すよ
うに、シリコン絶縁膜２１上にチタンＴｉ及びチタン窒
化物ＴｉＮをそれぞれ１００Åずつ順次にスパッタリン
グで蒸着してグルー層２２を形成する。そして、グルー
層２２のチタン窒化物ＴｉＮ上に白金層２３を２５００
〜３０００Åの厚さになるようスパッタリングで蒸着す
る。そして、前記白金層２３上にチタン窒化物層２４を
６００Åの厚さを有するよう形成する。 【００２３】この際、チタン窒化物層２４でなく、チタ
ン層又はアルミニウム合金層（Ａｌ、Ａｌ／ＡｌＳｉ、
ＡｌＳｉＣｕ）を蒸着してもよい。更に、チタン窒化物
層２４、チタン層又はアルミニウム合金層上に、非伝導
性物質としてシリコン酸化膜ＳｉＯ2 、シリコン窒化膜
Ｓｉ2 Ｎ4 又は感光膜(photoresist) を更に蒸着しても
よい。 【００２４】図４ｂに示すように、チタン窒化物層２４
上に感光膜２５を７５００Åの厚さを有するよう塗布し
た後、０．４３μｍピッチ（０．２１スペース）を有す
るＫｒＦステッパ(stepper) を使用して感光膜３５を選
択的にパターニングする。 【００２５】図５ａに示すように、パターニングされた
感光膜２５をマスクとして用いてＣｌ2 ＋ＨＢｒガスを
注入してチタン窒化物層２４を食刻する。この後、感光
膜２５を除去する。そして、チタン窒化物層２４上に非
伝導性物質が更に蒸着されている場合には、パターニン
グされた感光膜をマスクとして用いて非伝導性物質を食
刻した後、食刻された非伝導性物質をマスクとして用い
てチタン窒化物層２４を食刻する。 【００２６】図５ｂに示すように、チタン窒化物層２４
をマスクとして用いたときは、２５ＨＢｒ＋２５Ｏ2 ガ
スを使用し、５ｍＴｏｒｒの圧力で高周波数供給器から
３００〜６００ｗ（１３．５６ＭＨｚ）範囲のエネルギ
ーを加え、低周波数供給器から０〜１００ｗ（４５０ｋ
Ｈｚ）範囲のエネルギーを加えて２００秒間白金層２３
を食刻する工程を進行する。 【００２７】又は、アルミニウム合金層をマスクに用い
たときは食刻ガスとしてフッ素ベースガスとしてのＣＦ
ｘ、ＣｙＦｘ、Ｃ2 Ｆ6 、又はＣ3 Ｆ8 ガスとＯ2 ガス
とを用いるが、例えば５０ＣＦ4 ＋５Ｏ2 ガスを用いる
際には５ｍＴｏｒｒの圧力で高周波数供給器から３００
〜６００ｗ（１３．５６ＭＨｚ）範囲のエネルギーを加
え、低周波数供給器から０〜１００ｗ（４５０ｋＨｚ）
範囲のエネルギーを加えて３００秒間白金層２３を食刻
する工程を進行する。 【００２８】以後、白金層２３を食刻するに際して反応
生成物が発生することがあるが、チタン系のマスクを用
いた場合にはＨＢｒ＋Ｏ2 ガス又はＣｌ2 ＋Ｏ2 ガスを
使用して除去し、アルミニウム合金層をマスクに用いた
場合にはフッ素原子系のガスを使用して反応生成物を除
去する。参考として、反応生成物の構成成分は、白金
（Ｐｔ）が７０％程度、Ｃ、Ｈ、Ｏが３０％程度であ
る。 【００２９】そして、図６に示すように、残留するチタ
ン窒化物（ＴｉＮ）層及びグルー層２２を食刻する。 【００３０】 【発明の効果】本発明の白金食刻方法は以下の効果があ
る。請求項１に記載の発明によれば、感光膜又はハード
マスクの厚さを大きくしなくても、白金と高選択性を有
するマスクを用いて白金を安定して食刻することができ
る。 【００３１】そして、白金との食刻選択性が優秀なマス
クを用いて、白金の側面に反応副産物が生成されること
を防止するため、以後に良質の誘電体膜を形成すること
ができる。 【００３２】更に、マスクと白金との接触性が良くなっ
て、マスクのパターニング時にピーリング現象が発生す
るのを回避できるため、工程の信頼性を高めることがで
きる。
極の食刻に関し、特に白金で下部電極を形成しようとす
る際、白金に対する食刻選択性が優秀なマスク及び食刻
ガスを用いて高い信頼性で白金を食刻する方法に関す
る。 【０００２】 【従来の技術】以下、添付図面に基づき従来の白金食刻
方法を説明する。図１ａ〜図２ｂは従来の白金食刻方法
を示す工程断面図である。 【０００３】まず、図１ａに示すように、シリコン絶縁
膜１上にチタン（Ｔｉ）及びチタン窒化物（ＴｉＮ）を
それぞれ厚さ１００Åになるよう順次に蒸着してグルー
層２を形成する。そして、グルー層２のチタン窒化物上
に、キャパシタの下部電極物質として用いられる白金
（Ｐｔ）層３を１０００〜１５００Åの厚さに蒸着す
る。 【０００４】図１ｂに示すように、ハードマスクとして
用いられるシリコン酸化膜４を白金層３上に４０００〜
５０００Åの厚さに蒸着する。この後、シリコン酸化膜
４上に感光膜５を塗布した後、露光及び現像工程で感光
膜５を選択的にパターニングする。 【０００５】図２ａに示すように、パターニングされた
感光膜５をマスクとして用いて、シリコン酸化膜４を異
方性食刻する。図２ｂに示すように、食刻されたシリコ
ン酸化膜４をハードマスクとして用いて、ＭＥＲＩＥ(M
agnetron Enhanced Reactive Ion Etcher)タイプの装置
で低圧状態でＣｌ2 ／Ａｒ／Ｏ2 を適切に調合して白金
層３及びグルー層２を食刻する。この際、白金層３とシ
リコン酸化膜４との最適な食刻選択比は１．２：１であ
る。この後、シリコン酸化膜４をＨＦ溶液に浸けて湿式
食刻する。この際、シリコン酸化膜４を食刻した後に
も、白金層３及びグルー層２の両側面には白金層３及び
グルー層２の食刻時に発生した反応生成物６が残ってい
る。この反応生成物６の組成は、白金（Ｐｔ）が７０％
程度、Ｈ、Ｃ、Ｏが３０％程度となる。そして、この反
応生成物６は、シリコン酸化膜４が除去された後、白金
層３の上部両側面に残留しウサギ耳(rabbit ear)状をな
している。この反応生成物６はＨＣｌ溶液を用いて除去
される。 【０００６】 【発明が解決しようとする課題】上記のような従来の白
金食刻方法には以下の問題点があった。 （１）白金とシリコン酸化膜との最適な食刻選択比が
１．２：１なので、素子が高集積化され、かつ白金層３
の厚さが大きくなるにつれてシリコン酸化膜４の厚さも
大きくなる。しかしながら、白金層３及びシリコン酸化
膜４の厚さが相に大きくなるのには限界があり、白金層
３を食刻するべくシリコン酸化膜４をパターニングする
際にパターン不良現象が発生し、このようなパターン不
良のシリコン酸化膜４をハードマスクとして用いること
によって白金層３の食刻信頼性が低下する。 【０００７】（２）白金層３とシリコン酸化膜４との接
触性( 密着性) が悪いため、感光膜５のパターニング時
にピーリング(peeling) 現象が生じる。このため、安定
した白金層３を形成し難い。 【０００８】（３）白金層３の上部両側面に、白金と反
応して形成された反応生成物６がウサギ耳形状をなして
形成されているため、後続工程を適切に進行し難くな
る。更に、このウサギ耳状の反応生成物６が完全に除去
されなかった場合、その反応生成物６を通じて、次後に
形成されるキャパシタへ漏洩電流が発生することがあ
る。 【０００９】本発明は上記の問題を解決するためになさ
れたものであり、その目的は、白金に対する食刻選択性
の高いマスク物質及び食刻ガスを用いて信頼性ある白金
食刻方法を提供することにある。 【００１０】 【００１１】 【００１２】 【００１３】 【００１４】 【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の請求項１に記載の白金食刻方法は、絶縁体
上にグルー層を形成する工程と、前記グルー層上に白金
層を形成する工程と、前記白金層上に前記白金に対する
高食刻選択性を有し、チタン、チタン窒化物又はアルミ
ニウム合金から選択されるマスク形成物質を形成する工
程と、前記マスク形成物質をパターニングする工程と、
前記パターニングされたマスク形成物質を用いて前記マ
スク形成物質と前記白金との食刻選択比が２以上となる
ように設定された食刻ガスを注入して前記白金層を食刻
する工程であって、前記マスク形成物質としてチタン又
はチタン窒化物を用いる際、食刻ガスとしてはＨＢｒ＋
Ｏ2ガス又はＣｌ2＋Ｏ2ガスを注入し、前記マスク形成
物質としてアルミニウム合金を用いる際、食刻ガスとし
てはフッ素ベースガスとしてのＣＦ 4 、Ｃ 2Ｆ6又はＣ3Ｆ
8ガスとＯ2ガスとを注入する前記食刻工程と、前記食刻
工程において前記特定のマスク形成物質及び前記特定の
食刻ガスを用いて、１３．５６ＭＨｚの高周波数供給器
から３００〜６００ｗ範囲のエネルギーを加え、４５０
ｋＨｚの低周波数供給器から０〜１００ｗ範囲のエネル
ギーを加えて白金層の食刻を進行する工程と、チタン窒
化物又はチタンからなるマスク形成物質を用いた場合に
はＨＢｒ＋Ｏ2ガス又はＣｌ2＋Ｏ2ガスを使用して白金
層を食刻する際に発生した反応生成物を除去し、アルミ
ニウム合金からなるマスク形成物質を用いた場合には前
記フッ素ベースガスを使用して前記反応生成物を除去す
る工程と、前記マスク形成物質を食刻するとともに、前
記白金層をマスクとして用いて前記グルー層を食刻する
工程とを備えることを要旨とする。 【００１５】 【００１６】 【００１７】 【００１８】 【発明の実施の形態】本発明は、白金に対する高食刻選
択性を有するマスクを選定し、そのマスクに適合する食
刻ガスを用いて白金（Ｐｔ）を食刻する方法を提供す
る。このように、白金との食刻選択性の高いマスクを選
定するべく、種々のマスク形成物質及び種々の食刻ガス
を用いて白金（Ｐｔ）を食刻する実験を施した。 【００１９】以下、種々の食刻ガスの注入時におけるマ
スクの白金との食刻選択性を図面に基づき説明する。図
３は白金との食刻選択性を示すグラフである。この際、
マスクには感光膜(photoresist:PR)、シリコン酸化膜
（ＳｉＯ2 ）、チタン窒化物（ＴｉＮ）、チタン（Ｔ
ｉ）、又はアルミニウム（Ａｌ）を用い、食刻ガスには
ＨＢｒ＋Ｏ2 ガス、Ａｒ＋Ｃｌ2 ガス、Ｃｌ2 ＋Ｏ2 ガ
ス、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスをそれぞれ用いた。上記した各マ
スクに上記の食刻ガスをそれぞれ注入したときの白金と
の食刻選択性は次の通りである。 【００２０】まず、感光膜ＰＲをマスクとして用いた場
合には、ＨＢｒ＋Ｏ2 ガス、Ａｒ＋Ｃｌ2 ガス、Ｃｌ2
＋Ｏ2 ガス、ＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスによる白金（Ｐｔ）との
食刻選択比が１：１以下であった。そして、シリコン酸
化膜ＳｉＯ2 をマスクとして用いた場合には、ＨＢｒ＋
Ｏ2 ガス、Ｃｌ2 ＋Ｏ2 ガスのみで１．２：１の食刻選
択比を有し、他のガスでは１：１以下の食刻選択比を示
した。ＴｉＮをマスクとして用いた場合には、食刻ガス
としてＨＢｒ＋Ｏ2 ガスを使用したときに白金と３０：
１の食刻選択比を示し、Ｃｌ2 ＋Ｏ2 ガスを使用したと
きに１０：１の食刻選択比を示した。Ｔｉをマスクとし
て用いた場合には、ＨＢｒ＋Ｏ2 ガスを使用したときに
白金と５０：１の食刻選択比を示し、Ｃｌ2 ＋Ｏ2 ガス
を使用したときに２０：１の食刻選択比を示した。そし
て、アルミニウム（Ａｌ）をマスクとして用いた場合に
は、フッ素原子系のガス、例えばＣＦ4 ＋Ｏ2 ガスを使
用したときに白金と５０：１の食刻選択比を示した。 【００２１】以下、上記の実験結果を参照して図面に基
づき本発明の白金食刻方法を説明する。図４ａ〜図６は
本発明の白金食刻方法を示す工程断面図である。 【００２２】本発明の白金食刻方法は、図４ａに示すよ
うに、シリコン絶縁膜２１上にチタンＴｉ及びチタン窒
化物ＴｉＮをそれぞれ１００Åずつ順次にスパッタリン
グで蒸着してグルー層２２を形成する。そして、グルー
層２２のチタン窒化物ＴｉＮ上に白金層２３を２５００
〜３０００Åの厚さになるようスパッタリングで蒸着す
る。そして、前記白金層２３上にチタン窒化物層２４を
６００Åの厚さを有するよう形成する。 【００２３】この際、チタン窒化物層２４でなく、チタ
ン層又はアルミニウム合金層（Ａｌ、Ａｌ／ＡｌＳｉ、
ＡｌＳｉＣｕ）を蒸着してもよい。更に、チタン窒化物
層２４、チタン層又はアルミニウム合金層上に、非伝導
性物質としてシリコン酸化膜ＳｉＯ2 、シリコン窒化膜
Ｓｉ2 Ｎ4 又は感光膜(photoresist) を更に蒸着しても
よい。 【００２４】図４ｂに示すように、チタン窒化物層２４
上に感光膜２５を７５００Åの厚さを有するよう塗布し
た後、０．４３μｍピッチ（０．２１スペース）を有す
るＫｒＦステッパ(stepper) を使用して感光膜３５を選
択的にパターニングする。 【００２５】図５ａに示すように、パターニングされた
感光膜２５をマスクとして用いてＣｌ2 ＋ＨＢｒガスを
注入してチタン窒化物層２４を食刻する。この後、感光
膜２５を除去する。そして、チタン窒化物層２４上に非
伝導性物質が更に蒸着されている場合には、パターニン
グされた感光膜をマスクとして用いて非伝導性物質を食
刻した後、食刻された非伝導性物質をマスクとして用い
てチタン窒化物層２４を食刻する。 【００２６】図５ｂに示すように、チタン窒化物層２４
をマスクとして用いたときは、２５ＨＢｒ＋２５Ｏ2 ガ
スを使用し、５ｍＴｏｒｒの圧力で高周波数供給器から
３００〜６００ｗ（１３．５６ＭＨｚ）範囲のエネルギ
ーを加え、低周波数供給器から０〜１００ｗ（４５０ｋ
Ｈｚ）範囲のエネルギーを加えて２００秒間白金層２３
を食刻する工程を進行する。 【００２７】又は、アルミニウム合金層をマスクに用い
たときは食刻ガスとしてフッ素ベースガスとしてのＣＦ
ｘ、ＣｙＦｘ、Ｃ2 Ｆ6 、又はＣ3 Ｆ8 ガスとＯ2 ガス
とを用いるが、例えば５０ＣＦ4 ＋５Ｏ2 ガスを用いる
際には５ｍＴｏｒｒの圧力で高周波数供給器から３００
〜６００ｗ（１３．５６ＭＨｚ）範囲のエネルギーを加
え、低周波数供給器から０〜１００ｗ（４５０ｋＨｚ）
範囲のエネルギーを加えて３００秒間白金層２３を食刻
する工程を進行する。 【００２８】以後、白金層２３を食刻するに際して反応
生成物が発生することがあるが、チタン系のマスクを用
いた場合にはＨＢｒ＋Ｏ2 ガス又はＣｌ2 ＋Ｏ2 ガスを
使用して除去し、アルミニウム合金層をマスクに用いた
場合にはフッ素原子系のガスを使用して反応生成物を除
去する。参考として、反応生成物の構成成分は、白金
（Ｐｔ）が７０％程度、Ｃ、Ｈ、Ｏが３０％程度であ
る。 【００２９】そして、図６に示すように、残留するチタ
ン窒化物（ＴｉＮ）層及びグルー層２２を食刻する。 【００３０】 【発明の効果】本発明の白金食刻方法は以下の効果があ
る。請求項１に記載の発明によれば、感光膜又はハード
マスクの厚さを大きくしなくても、白金と高選択性を有
するマスクを用いて白金を安定して食刻することができ
る。 【００３１】そして、白金との食刻選択性が優秀なマス
クを用いて、白金の側面に反応副産物が生成されること
を防止するため、以後に良質の誘電体膜を形成すること
ができる。 【００３２】更に、マスクと白金との接触性が良くなっ
て、マスクのパターニング時にピーリング現象が発生す
るのを回避できるため、工程の信頼性を高めることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】ａ、ｂは従来の白金食刻方法を示す工程断面
図。 【図２】ａ、ｂは従来の白金食刻方法を示す工程断面
図。 【図３】マスク及び食刻ガスによる白金（Ｐｔ）との食
刻選択比を示す実験データ図。 【図４】ａ、ｂは本発明の白金食刻方法を示す工程断面
図。 【図５】ａ、ｂは本発明の白金食刻方法を示す工程断面
図。 【図６】本発明の白金食刻方法を示す工程断面図。 【符号の説明】 ２１…シリコン絶縁膜 ２２…グルー層 ２３…白金層 ２４…チタン窒化物層 ２５…感光膜
図。 【図２】ａ、ｂは従来の白金食刻方法を示す工程断面
図。 【図３】マスク及び食刻ガスによる白金（Ｐｔ）との食
刻選択比を示す実験データ図。 【図４】ａ、ｂは本発明の白金食刻方法を示す工程断面
図。 【図５】ａ、ｂは本発明の白金食刻方法を示す工程断面
図。 【図６】本発明の白金食刻方法を示す工程断面図。 【符号の説明】 ２１…シリコン絶縁膜 ２２…グルー層 ２３…白金層 ２４…チタン窒化物層 ２５…感光膜
フロントページの続き
(72)発明者 イ ズン シック
大韓民国 チュンチョンブク−ド チョ
ンズ−シ サンダン−ク ユルリャン−
ドン ソンワン アパートメント102−
805
(56)参考文献 特開 平９−266200（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−122534（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−79726（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−160620（ＪＰ，Ａ)
特開 平２−312231（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 白金食刻方法において、 絶縁体上にグルー層を形成する工程と、 前記グルー層上に白金層を形成する工程と、 前記白金層上に前記白金に対する高食刻選択性を有し、
チタン、チタン窒化物又はアルミニウム合金から選択さ
れるマスク形成物質を形成する工程と、 前記マスク形成物質をパターニングする工程と、 前記パターニングされたマスク形成物質を用いて前記マ
スク形成物質と前記白金との食刻選択比が２以上となる
ように設定された食刻ガスを注入して前記白金層を食刻
する工程であって、前記マスク形成物質としてチタン又
はチタン窒化物を用いる際、食刻ガスとしてはＨＢｒ＋
Ｏ2ガス又はＣｌ2＋Ｏ2ガスを注入し、 前記マスク形成物質としてアルミニウム合金を用いる
際、食刻ガスとしてはフッ素ベースガスとしてのＣ
Ｆ 4 、Ｃ 2Ｆ6又はＣ3Ｆ8ガスとＯ2ガスとを注入する前記
食刻工程と、前記食刻工程において前記特定のマスク形成物質及び前
記特定の食刻ガスを用いて、 １３．５６ＭＨｚの高周波
数供給器から３００〜６００ｗ範囲のエネルギーを加
え、４５０ｋＨｚの低周波数供給器から０〜１００ｗ範
囲のエネルギーを加えて白金層の食刻を進行する工程
と、 チタン窒化物又はチタンからなるマスク形成物質を用い
た場合にはＨＢｒ＋Ｏ2ガス又はＣｌ2＋Ｏ2ガスを使用
して白金層を食刻する際に発生した反応生成物を除去
し、アルミニウム合金からなるマスク形成物質を用いた
場合には前記フッ素ベースガスを使用して前記反応生成
物を除去する工程と、 前記マスク形成物質を食刻するとともに、前記白金層を
マスクとして用いて前記グルー層を食刻する工程とを備
えることを特徴とする白金食刻方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR60062/1997 | 1997-11-14 | ||
| KR1019970060062A KR100252889B1 (ko) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 백금식각방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11158663A JPH11158663A (ja) | 1999-06-15 |
| JP3441372B2 true JP3441372B2 (ja) | 2003-09-02 |
Family
ID=19524751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19537098A Expired - Fee Related JP3441372B2 (ja) | 1997-11-14 | 1998-07-10 | 白金食刻方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6077450A (ja) |
| JP (1) | JP3441372B2 (ja) |
| KR (1) | KR100252889B1 (ja) |
| DE (1) | DE19852256B4 (ja) |
| TW (1) | TW388937B (ja) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100407983B1 (ko) * | 1997-12-29 | 2004-03-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 백금식각방법 |
| US6287975B1 (en) * | 1998-01-20 | 2001-09-11 | Tegal Corporation | Method for using a hard mask for critical dimension growth containment |
| DE19849542C2 (de) * | 1998-10-27 | 2002-07-11 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Herstellung eines Kondensators |
| US6420272B1 (en) * | 1999-12-14 | 2002-07-16 | Infineon Technologies A G | Method for removal of hard mask used to define noble metal electrode |
| US6261967B1 (en) * | 2000-02-09 | 2001-07-17 | Infineon Technologies North America Corp. | Easy to remove hard mask layer for semiconductor device fabrication |
| US6350699B1 (en) * | 2000-05-30 | 2002-02-26 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Method for anisotropic plasma etching using non-chlorofluorocarbon, fluorine-based chemistry |
| JP3993972B2 (ja) * | 2000-08-25 | 2007-10-17 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法と半導体装置 |
| KR100825130B1 (ko) * | 2001-07-06 | 2008-04-24 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 금속 에칭 공정 동안 플라즈마 에칭 챔버내에서 파티클을감소시키는 방법 |
| JP4865978B2 (ja) | 2002-02-28 | 2012-02-01 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| KR100978250B1 (ko) * | 2002-11-22 | 2010-08-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 패턴형성방법 및 이를 이용한 전기소자 제조방법 |
| JP4519512B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-08-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、除去方法 |
| US9117652B2 (en) | 2013-06-18 | 2015-08-25 | International Business Machines Corporation | Nanoporous structures by reactive ion etching |
| CN111945128A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-11-17 | 江苏能华微电子科技发展有限公司 | 一种提高铂与衬底黏附性的方法及其产品 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3460347B2 (ja) * | 1994-03-30 | 2003-10-27 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3122579B2 (ja) * | 1994-07-27 | 2001-01-09 | シャープ株式会社 | Ｐｔ膜のエッチング方法 |
| KR100413649B1 (ko) * | 1996-01-26 | 2004-04-28 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 반도체장치의제조방법 |
| JP3388089B2 (ja) * | 1996-04-25 | 2003-03-17 | シャープ株式会社 | 不揮発性半導体メモリ素子の製造方法 |
| DE19728473A1 (de) * | 1997-07-03 | 1999-01-07 | Siemens Ag | Strukturierungsverfahren |
-
1997
- 1997-11-14 KR KR1019970060062A patent/KR100252889B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-03-31 TW TW087104789A patent/TW388937B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-04-15 US US09/060,297 patent/US6077450A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-10 JP JP19537098A patent/JP3441372B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-11-12 DE DE19852256A patent/DE19852256B4/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19852256B4 (de) | 2010-06-24 |
| JPH11158663A (ja) | 1999-06-15 |
| DE19852256A1 (de) | 1999-05-20 |
| TW388937B (en) | 2000-05-01 |
| KR100252889B1 (ko) | 2000-04-15 |
| US6077450A (en) | 2000-06-20 |
| KR19990039837A (ko) | 1999-06-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3441372B2 (ja) | 白金食刻方法 | |
| JP4690512B2 (ja) | エッチングした垂直金属線上のポリマー沈積、エッチングした金属線の腐食およびエッチングした金属フィーチャの湿式洗浄時における腐食を減少させる方法 | |
| JPS59134833A (ja) | アルミニウムおよびアルミニウム合金をプラズマエツチングするための材料および方法 | |
| JPH06140396A (ja) | 半導体装置とその製法 | |
| EP1053566B1 (en) | Method and composition for dry photoresist stripping in semiconductor fabrication | |
| WO2003058700A1 (fr) | Procede de traitement au plasma | |
| TW541618B (en) | Manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2002198362A (ja) | Ｃｈ２ｆ２ガスを用いてコンタクトホールを形成する工程を含む半導体製造方法 | |
| JP3679420B2 (ja) | ゲート電極成形方法 | |
| JP3941629B2 (ja) | 金属配線のエッチング方法 | |
| JP2746494B2 (ja) | レジスト除去方法 | |
| US20090120901A1 (en) | Patterned electrodes with reduced residue | |
| JP3160972B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH07297281A (ja) | 接続孔の製造方法 | |
| KR100407983B1 (ko) | 백금식각방법 | |
| JP2000077386A (ja) | パターン形成方法 | |
| US20040018743A1 (en) | Method for removing photoresist after metal layer etching in a semiconductor device | |
| JPH06318573A (ja) | 高融点金属のエッチング方法 | |
| JPH05175159A (ja) | 半導体素子の製造方法 | |
| US7071101B1 (en) | Sacrificial TiN arc layer for increased pad etch throughput | |
| JP2002246393A (ja) | メタル配線形成方法 | |
| JPH04103123A (ja) | 配線形成方法 | |
| KR100875795B1 (ko) | 반도체 장치 형성 방법 | |
| JP2991388B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004342892A (ja) | ドライエッチング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080620 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090620 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100620 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110620 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120620 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130620 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |