JP3432357B2 - デュアル・ラッチ型アクチュエータ装置及び直接アクセス記憶装置 - Google Patents

デュアル・ラッチ型アクチュエータ装置及び直接アクセス記憶装置

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JP3432357B2
JP3432357B2 JP13369196A JP13369196A JP3432357B2 JP 3432357 B2 JP3432357 B2 JP 3432357B2 JP 13369196 A JP13369196 A JP 13369196A JP 13369196 A JP13369196 A JP 13369196A JP 3432357 B2 JP3432357 B2 JP 3432357B2
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    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11BINFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/48Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
    • G11B5/54Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with provision for moving the head into or out of its operative position or across tracks

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  • Moving Of Heads (AREA)
  • Supporting Of Heads In Record-Carrier Devices (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はデータ記憶システム
に関し、特に、直接アクセス記憶装置に使用するデュア
ル・ラッチ型アクチュエータ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】データ記憶システム製造業では、直接ア
クセス記憶装置(以後、DASDと称す)を有する感受
性部品(sensitive component)の操作に与える強い外部
回転衝撃力の悪影響を最小にするために種々の方法が取
られている。通常のDASDはスピンドル・モータのハ
ブに同軸状に設けた1以上のデータ記憶ディスクを有す
る。スピンドル・モータは数千rpmの速度でディスク
を回転する。通常、デジタル情報は、回転中のデータ記
憶ディスクの表面上を通過させられる1個以上の磁気ト
ランスデューサ・ヘッド、あるいは読取/書込ヘッドに
よってデータ記憶ディスクに書き込まれ、かつ読み取ら
れる。
【0003】アクチュエータは通常、複数の外側へ伸び
るアクチュエータ・アームを有し、アクチュエータ・ア
ームはその上に設けた1個以上の磁気トランスデューサ
・ヘッドをデータ記憶ディスクの積み重ねた構造(スタ
ック)内に差し入れたり出したりできるようにしてあ
る。DASDの非活動時には、アクチュエータは、例え
ば待機(パーキング)傾斜装置のような単純なロック機
構あるいは係止機構を用いて所定の待機位置に保持され
る。この磁気トランスデューサ・ヘッドは通常、データ
記憶ディスクの外周より外側、あるいはディスク表面の
特定位置(ディスクのデータ記憶位置から離れた状態の
「着陸域」と呼ばれている)の上に待機させられる。
【0004】DASDその物、あるいはDASDが組み
込まれているコンピュータ・システムのどちらかの取り
扱いの誤りは、アクチュエータの待機位置からのずれの
原因となる。このような直接および間接的な取り扱いの
誤りは、DASDの感受性内部部品に重大な回転衝撃力
を与えることになる。回転可能に設けられたアクチュエ
ータは一般的に回転力に影響されやすく、DASDが非
常に強い回転衝撃力を受けると待機位置から逸脱してし
まう。制動を失ったアクチュエータの動きは、通常、デ
ータ記憶ディスクの記憶表面や磁気トランスデューサに
様々な永久的損傷を与えることになる。ディスクの損傷
を受けた範囲は、データの新たな記憶には一般的に使用
不能となる。また、損傷を受けた位置に記憶されていた
データも修復不能な損傷を受ける可能性がある。
【0005】DASDの非活動時の望ましい待機方向か
ら制動を失ったアクチュエータの回転による破滅的結果
を減少させるため、様々な方法と装置が開発されてき
た。一般的に、従来のラッチ機構は一定範囲の加速度内
の有害なアクチュエータの回転に対する対抗作用を行う
ように考えられている。例えば、一般的に用いられてい
る慣性ラッチ・アセンブリは、アクチュエータに対する
外因的な高レベルの加速の存在がある時に制動を失った
アクチュエータの回転に対して効果を有することが知ら
れている。また、一般的に用いられている磁気あるいは
電磁ラッチ・アセンブリは、アクチュエータに対する外
因的な低レベルの加速の存在があるときに制動を失った
アクチュエータの回転を制御するため効果を発揮するこ
とが知られている。
【0006】典型的な慣性ラッチ・アセンブリは、DA
SDに影響を与える外部回転衝撃力を放散させるまでア
クチュエータを待機方向にゆるやかにラッチするように
作られている。公知の慣性ラッチは、通常、アクチュエ
ータ近くのピボット軸を中心に回転するように設けられ
ており、重り部分とフック部分を有している。DASD
に加わる非常に強い回転衝撃力に応じて、慣性ラッチの
フック部分は通常、ピボット軸を中心に回動し、アクチ
ュエータ側のフックあるいはアクチュエータから突出し
た他の捕獲部材と係合する。通常、外部衝撃力が消散し
た後、慣性ラッチを初めの係合する前の方向へ戻すため
バイアス機構を用いている。
【0007】慣性ラッチ機構はアクチュエータに対する
外因的な高レベルの加速に対してのみ効果がある。アク
チュエータの高いレベルの加速は、係合されてない方向
に慣性ラッチ機構を維持するため必要なバイアス機構に
より作られた力を越すために必要である。それ故、低レ
ベルから中レベルのアクチュエータ加速は従来の慣性ラ
ッチ機構を設計する場合には一般的に取り組まれてな
い。
【0008】逆に、磁気あるいは電磁ラッチ機構はアク
チュエータへの外因的な低レベルの加速でのみ効果を発
揮する。従来技術の磁気タイプのラッチ装置によれば、
ある範囲の磁気結合力がラッチ装置とアクチュエータ間
で作られ、アクチュエータを係合位置あるいはラッチ方
向に抑制する。アクチュエータへの外因的な高レベルの
回転加速に対抗するために磁気タイプのラッチ装置を用
いることは、一般に実用的と考えられていない。こうし
た高レベルの回転加速の存在下にあるアクチュエータを
望み通りに抑制するため必要な磁気結合力強度は、通常
の操作を開始する前に磁気ラッチからアクチュエータを
解放するため過大な力を加える必要があり、また、アク
チュエータのボイス・コイル・モータの効果的な操作や
他のDASD操作に干渉してしまう可能性がある。ソレ
ノイドを用いる電磁ラッチ機構も、ラッチ装置をアクチ
ュエータから離すためにソレノイドにかなりの量の電流
を送る必要がある。これらのソレノイドは、低加速タイ
プ電磁ラッチに使用されるソレノイドよりかなり大き
く、既存の、また将来の小型形状のDASDの比較的コ
ンパクトな容器構造内で容認できない空間を占拠するこ
とになる。
【0009】一つの傾向として、ラップトップ型やノー
ト型の小型パーソナル・コンピュータに組み込むのに適
したサイズにDASDのシャーシやハウジングを小型化
するように、DASD製造業界で開発が進められてい
る。小型および超小型のDASDの外部ハウジング寸法
を特定する種々の工業規格が出現してきている。そうし
た工業規格の代表的なものは、PCMCIA(パーソナ
ル・コンピュータ・メモリ・カード工業協会)の規格で
あり、DASDハウジングの寸法とDASDおよび接続
したホスト・コンピュータ・システム間の通信制御とデ
ータ信号用のプロトコルの両方を特定している。近年、
PCMCIA装置仕様の4グループあるいは4タイプが
出現している。例えば、タイプIのPCMCIA DA
SDは、最大高さ寸法3.3mmを有するハウジング内
に完全に収納されなければならない。また、タイプIIの
PCMCIA装置ハウジングは、そのPCMCIA仕様
により最大高さ5.0mmを越えてはならない。タイプI
IIのPCMCIA装置のハウジングは最大高さが10.
5mmと特定され、タイプIVの装置は10.5mmを越
えた最大高さのハウジングを有するとされている。
【0010】DASDの継続的な小型化という工業的傾
向は、タイプIIのPCMCIA仕様に適合するシステム
の製造という結果に行き着くことは想像できる。このタ
イプIIのPCMCIA DASDは約54mm×86m
m×5mmのハウジング外部寸法を有し、約45mmの
直径で標準的なクレジット・カードと同じ幅のデータ記
憶ディスクを有する。タイプIIのPCMCIA DAS
Dのような極めて小型のDASD内で有効なアクチュエ
ータ・ラッチ・アセンブリを用いることは大変望ましい
ことである。しかし、こうした極めて小型のDASD内
で有効なラッチ機構を用いることによる困難は一般的に
知られている。例えば、タイプIIのPCMCIA仕様に
よる最大許容ハウジング寸法は、隣接する構成部品間の
間隔や公差が最小で、DASDハウジング内にかなりコ
ンパクトに詰め込んだ構造に必然的になってしまう。
【0011】小型形状のDASDの密集環境での従来技
術のラッチ機構の採用は数々の理由により一般的に問題
があると考えられる。従来の慣性ラッチ機構あるいは磁
気タイプのラッチ機構は、小型のDASDハウジング内
のかなりの空間を占める。より詳細には、従来の慣性ラ
ッチ機構あるいは磁気タイプのラッチ機構はアクチュエ
ータに対する外因的な加速レベルの比較的狭い範囲で効
果があり、アクチュエータおよびDASDの他の感受性
部品は上記した範囲外の有害な加速レベルにより損傷を
受けやすくなる。従来技術のアクチュエータのラッチ機
構のこれらの特性は、高い信頼性と携帯性に優れたDA
SDの開発および最適化において重大な限界を示してい
る。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、DA
SD製造業において、標準的DASDおよび小型化され
たDASDの内部感受性部品に対する潜在的な損傷を最
小にするため、アクチュエータに対する外因的な加速レ
ベルの広い範囲の存在下で制動を失ったアクチュエータ
の動きに対抗する効果的な防護を設けることにある。本
発明の他の目的は、非常に小型のDASDの密集構造内
に慣性磁気タイプのラッチ機構の優れた特性を組み合わ
せることにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明は回動可能に設けたアクチュエータに対する
外因的な低、中、高レベルの加速の存在下でアクチュエ
ータを待機方向に保持するための、直接アクセス記憶装
置に使用するデュアル・ラッチ型アクチュエータ装置を
提供する。デュアル・ラッチの1つである慣性ラッチ・
アセンブリは、アクチュエータに対する外因的な高めの
加速レベルに起因して待機方向から制動を失ったアクチ
ュエータの回転を防ぐために用いる。デュアル・ラッチ
の他の1つは、磁気ラッチ・アセンブリ、あるいは、電
磁ラッチ・アセンブリであり、上記慣性ラッチ・アセン
ブリに直列に用いて、アクチュエータに対する外因的な
低および中加速レベルの存在下で待機方向から制動を失
ったアクチュエータの回転および移動を防止する。この
新規なデュアル・ラッチ型アクチュエータ装置は標準的
な形状のDASD内に設置するのに従順に対応でき、特
に小型、および超小型形状のDASDに組み合わせるの
に最適である。
【0014】
【発明の実施の形態】添付図面、特に図1は、データ記
憶システム20のハウジング21のベース22からカバ
ー23を取り除いた状態を示す。さらに図2に示すよう
にデータ記憶システム20は、通常、同軸状に一列に互
いに間隔を取って重ね、比較的高速でスピンドル・モー
タ26を中心に回転する1枚以上の堅いデータ記憶ディ
スク24を有する。各ディスク24は通常、複数の間隔
をとった同心円状のトラック50を有し、各トラックは
一連のセクタ52に区分され、各セクタも個々の情報フ
ィールドに分割されるようにフォーマットされる。ある
いは、1枚以上のディスク24は螺旋トラック形状を有
するようにフォーマットすることも可能である。
【0015】アクチュエータ30は、通常、複数の交互
配置したアクチュエータ・アーム28を有しており、各
アームは情報をデータ記憶ディスク24に書込み、また
読み取るためのスライダ35のアセンブリに設けた1以
上のトランスデューサ25を有する。スライダ35は通
常、スピンドル・モータ26の回転速度が上昇するとデ
ィスク24の表面上をトランスデューサ25が浮上し、
ディスク24の高速回転により作られたエアー・ベアリ
ング(空気軸受)上でディスク24の上をトランスデュ
ーサ25が浮上飛行するように、空気力学的に浮上可能
構造として設計される。あるいは等尺の潤滑剤をディス
ク表面24上に設けて、スライダ35とディスク表面2
4間の静的摩擦および動的摩擦を減少させることもでき
る。
【0016】アクチュエータ30は通常、固定アクチュ
エータ軸32に設けられ、その軸上を回転してアクチュ
エータ・アーム28をデータ記憶ディスク24の積み重
ね内に入れたり、出したりする。アクチュエータ30の
コイル・フレーム34に設けたコイル・アセンブリ36
は、永久磁石構造体38の上部磁石アセンブリ40と下
部磁石アセンブリ42の間の間隙44内で回転し、アク
チュエータ・アーム28をデータ記憶ディスク24の表
面上を飛ぶようにする。スピンドル・モータ26は、電
源46により励起され、データ記憶ディスク24を回転
させるようにした多相、DCモータ、あるいはACモー
タを有する。
【0017】コイル・アセンブリ36と、永久磁石構造
体38の上部磁石アセンブリ40と下部磁石アセンブリ
42は、コントローラ58により作られた制御信号に応
じるアクチュエータ・ボイス・コイル・モータとして共
同で働く。アクチュエータ・ボイス・コイル・モータ
は、永久磁石構造体38により作られる磁界の存在下、
方向および強さを変える制御電流がコイル・アセンブリ
36を流れると、アクチュエータ・コイル・フレーム3
4にトルク力を作り出す。アクチュエータ・コイル・フ
レーム34に加わるこのトルク力は、コイル・アセンブ
リ36に流れる制御電流の極性による方向でアクチュエ
ータ・アーム28の対応する回転運動を生み出す。コン
トローラ58は、データ記憶ディスク24へのデータの
伝送およびデータ記憶ディスク24からのデータの伝送
を調整し、ディスク24へのデータの書込み、およびデ
ィスク24からのデータの読取りの際に、アクチュエー
タ・アーム28およびトランスデューサ25を上記トラ
ック50およびセクタ52位置に移動させるためにアク
チュエータ・ボイス・コイル・モータと共同作業をする
制御回路を有することが望ましい。データ記憶ディスク
24は、文字数字、音響、ビデオ、および他のタイプの
情報データ、あるいはそれらのデータの組み合わせを記
憶するようにフォーマットさせることもできる。
【0018】図3は、DASDハウジング21に加えら
れる弱い外部衝撃力、中程度の外部衝撃力、強い外部衝
撃力の存在で制動を失ったアクチュエータ30の待機方
向からの回転を防止する新規なデュアル・ラッチ型アク
チュエータ装置の一実施例を示している。この図3に示
した新規なデュアル・ラッチ型アクチュエータ装置は、
標準的なDASDおよび小型形状のDASDに設けるの
に適している。一実施例では、スライダ35とトランス
デューサ25をディスク24の表面からアンロードさ
せ、ディスク24の外周に近接した傾斜部49にロード
させるようにしてデュアル・ラッチ型アクチュエータ装
置をロード/アンロードDASD内に用いている。別の
実施例では、デュアル・ラッチ型アクチュエータ装置
を、データ記憶ディスク24の内周および外周にそれぞ
れ近接した内部着陸域47あるいは外部着陸域48のど
ちらか一方を有するDASDに用いる。この実施例によ
れば、スライダ35およびトランスデューサ25は、ア
クチュエータ30が待機方向に移動させられる時に内径
着陸域47あるいは外径着陸域48のどちらか一方のデ
ィスク24の表面と物理的に接触する。
【0019】ロード/アンロードDASDでは、アクチ
ュエータ30は出力低下処置の間にアクチュエータ・ア
ーム28が傾斜部49に係合してスライダ35とトラン
スデューサ25をディスク24の表面から浮上させ離す
ようにして、ディスク24の外周に向けて移動させられ
る。図3に示した待機構造では、アクチュエータ30は
永久磁石アセンブリ74とアクチュエータ・フレームの
表面との間で生まれた磁気結合力により意図しない動き
を抑止される。DASDハウジング21のベース22に
結合した永久磁石アセンブリ74と磁気的な相互作用を
おこなうように、アクチュエータ停止面78がアクチュ
エータ・フレーム34の片側に設けられるのが望まし
い。磁石アセンブリ・ストップ76は、アクチュエータ
30が係合方向あるいは待機方向にある時に永久磁石ア
センブリ74に当接するようにアクチュエータ・フレー
ム34に設けるのが望ましい。別の実施例では、磁石ア
センブリ・ストップ76はアクチュエータ停止面78に
当接するように永久磁石アセンブリ74に設けることも
可能である。磁石アセンブリ・ストップ76は、永久磁
石アセンブリ74に関連した名目上の磁界強度の制御を
増大させるために、永久磁石アセンブリ74とアクチュ
エータ停止面78の間に一定の隙間を形成する構造とす
るのが望ましい。
【0020】別の実施例では、待機方向にアクチュエー
タ30を磁気的に保持するに要する磁気結合力を作り出
すために、ボイス・コイル・モータとしてアクチュエー
タ・コイル・アセンブリ36と磁気的に協力して相互作
用をおこなう永久磁石構造38を用いるのが望ましい。
この実施例によれば、図3に示した永久磁石アセンブリ
74は上部磁気構造40と下部磁気構造42間に伸びる
強磁性体74を有するのが望ましい。磁束線は、上部磁
石アセンブリ40上の一方の極の永久磁石、磁性体7
4、下部磁石アセンブリ42上の反対極の永久磁石等を
介して磁束路が完成するように循環させることが望まし
い。アクチュエータ停止面78が強磁性体74に当接、
あるいは近接する時、この磁束線が通る比較的低い磁気
抵抗経路が作られ、これにより必要な磁気結合力が発生
する。
【0021】磁気ラッチ・アセンブリ72は外因するア
クチュエータに対する比較的低い加速レベルから中程度
の加速レベルの存在下でアクチュエータ30を所望の待
機方向に有効に抑制させることが、一般に知られてい
る。しかし、この磁気ラッチ・アセンブリ72はアクチ
ュエータに対する高めの外因性の加速レベルの存在下で
アクチュエータ30を待機方向に確実に抑制させること
ができない事も、一般に知られている。図3に示した新
規なデュアル・ラッチ型アクチュエータ装置は、アクチ
ュエータに対する様々な外因性の加速レベルの存在下で
アクチュエータ30の意図しない動きや回転を確実に抑
制するため、磁気ラッチ・アセンブリ72と直列にした
別の慣性ラッチ・アセンブリ60を用いることにより、
従来技術のアクチュエータラッチ機構が持っている欠点
の多くを改善する。このように、デュアル・ラッチ型ア
クチュエータ装置は、DASDハウジング21に作用す
る低、中、高レベルの衝撃力の存在でDASDアクチュ
エータ30の実質的に100%の抑制を確保する。
【0022】図3に示した慣性ラッチ・アセンブリ60
はピボット軸68に回転可能に設けた慣性ラッチ体62
を有するのが望ましい。慣性ラッチ体62は細長い抑制
部材64と慣性体66を有する。図3に示すように、抑
制部材64はアクチュエータ・フレーム34の片側に設
けた第一係合突起80に近接して設けられる。図3に示
すような非係合状態では、抑制部材64は慣性体66に
接続した附勢装置70により非係合方向に維持され、永
久磁石アセンブリ38の間隙44内でアクチュエータ・
フレーム34の障害とならない回転を可能とする。附勢
装置70は、抑制部材64が非係合状態に維持されてい
る時、停止部材99に対して慣性ラッチ体62を附勢す
るのが望ましい。DASDがかなり強い外部からの回転
衝撃力を受けると、抑制されていないアクチュエータ・
アーム28が待機傾斜部49あるいは着陸域48から離
れてしまい、磁気トランスデューサ・ヘッド25とスラ
イダ35をデータ記憶ディスク24のデータ記憶域に接
触させ、それを損傷する。
【0023】強い外部からの回転衝撃力により待機位置
から離れたアクチュエータ30の抑制されていない回転
は、非係合状態からアクチュエータ30の係合位置へ回
転する慣性ラッチ・アセンブリ60により防止される。
例えば、DASDハウジング21へ加わる強力な時計方
向の回転衝撃力は、永久磁石アセンブリ74とアクチュ
エータ停止面78間の磁気結合力にも拘わらず、アクチ
ュエータ30をその待機方向からはずす。待機からはず
されたアクチュエータ・アーム28とスライダ35/ト
ランスデューサ25アセンブリは、このシステムのハウ
ジング21に対して反時計方向でモータ・スピンドル2
6に向かって回転する傾向がある。このアクチュエータ
30とスライダ35/トランスデューサ25アセンブリ
の抑制を失った回転は、スライダ35/トランスデュー
サ25アセンブリとデータ記憶ディスク24の磁気感受
性のあるデータ記憶域との有害な接触を招く。
【0024】DASDハウジング21に加えられた強力
な時計方向の回転衝撃力に応じて、慣性ラッチ体62は
ピボット軸68を中心に反時計方向に回転する。抑制部
材64はアクチュエータ・コイル・フレーム34の片側
に設けた第一係合突起80に係合し、アクチュエータ3
0の待機位置から離れた非抑制回転を防止する。慣性体
66が反時計方向に回転する際に慣性体66により作ら
れた慣性が、附勢装置70によって得られる附勢力を越
えるので、抑制部材64をアクチュエータ・コイル・フ
レーム34の片側に設けた第一係合突起80に向けて回
転させる。第一係合突起80は抑制部材64に捕捉さ
れ、アクチュエータ30は待機位置から回転逸脱するの
を防止する。DASDハウジング21に加えられた強力
な時計方向の回転衝撃力が消えた後、附勢装置70によ
り作られ、慣性体66に加えられた附勢力は抑制部材6
4を第一係合突起80との係合からはずれるように回転
させ、慣性ラッチ体62を初めの非係合状態に戻す。附
勢装置70は慣性体66に接続したバネ、あるいはピボ
ット軸68上に設け、慣性ラッチ体62に接続したトー
ション・バネを有することが望ましい。
【0025】図3に示した実施例では、DASDハウジ
ング21に加えられた強力な反時計方向の回転衝撃力
は、抑制を失ったアクチュエータ30をDASDハウジ
ング21に対して時計方向に回転させることになる。デ
ィスク24のデータ記憶域から離れたアクチュエータ3
0の抑制のない時計方向の回転は、一般的に二次的関心
事である。アクチュエータ・コイル・フレーム34に設
けたアクチュエータ停止面78は、アクチュエータ・ア
ーム28およびトランスデューサ25/スライダ35ア
センブリのモータ・スピンドル26から離れた方向への
回転を防止する永久磁石アセンブリ74と当接するのが
望ましい。アクチュエータ停止面78と永久磁石アセン
ブリ74間の磁気結合力は、アクチュエータ・コイル・
フレーム34と永久磁石アセンブリ74間の残留性の跳
ね返り、あるいは沈静化の場合に待機方向にアクチュエ
ータ30を抑制することを確実にするのが望ましい。
【0026】新規なデュアル・ラッチ型アクチュエータ
装置の別の実施例を図4に示す。図4のデュアル・ラッ
チ型アクチュエータ装置は、図3について前述した説明
と同様の慣性ラッチ・アセンブリ60、および電磁ラッ
チ・アセンブリ82を有することが望ましい。この電磁
ラッチ・アセンブリ82は、アクチュエータに対する比
較的低および中程度の外因性の加速レベルの存在下でア
クチュエータを確実に抑制し、小型形状のDASDで使
用するのに適したかなり小形の物であることが望まし
い。
【0027】電磁ラッチ・アセンブリ82は、DASD
ハウジング21のベース22に設けたピボット軸94に
回転可能に設けた電磁ラッチ体83を有するのが望まし
い。電磁ラッチ体83は永久磁石92を支持するための
磁石サポート88と、アクチュエータ・コイル・フレー
ム34の片側に設けた第二係合突起84と係合接続する
ための抑制部材86を有する。さらに電磁ラッチ・アセ
ンブリ82はベース22に設けたラッチ・コイル90、
あるいはベース22に設けたフランジ・サポート、およ
びハウジング・ベース22に同様に設けた係合ボス96
と解放ボス98を有する。図4に示す係合形状にあると
き、磁石サポート88上にある永久磁石92と係合ボス
96間の磁気結合は、アクチュエータに対する比較的低
および中程度の外因性の加速レベルの存在下で抑制部材
86とアクチュエータ・コイル・フレーム34に設けた
第二係合突起84間の確実な結合を提供する。磁石サポ
ート88上の永久磁石92は、係合ボス96と磁気的に
相互作用を行うためのS極片と、解放ボス98と磁気的
に相互作用を行うためのN極片を有することが望まし
い。
【0028】係合ボス96と解放ボス98は、永久磁石
92のS極片とN極片による極辺磁界により磁気的に吸
引される適切な強磁性体で形成するのが望ましい。N極
片と解放ボス98間の磁気結合力は、S極片と係合ボス
96間の磁気結合力より小さいことが望ましい。この磁
気結合力の差を得るため、例えば、S極片とN極片、係
合ボス96と解放ボス98間のそれぞれの間隔を変化さ
せることが可能である。永久磁石92のS極片とN極片
の形状およびサイズを変更することも所望の磁気結合力
の差を提供できる。
【0029】電磁ラッチ体83は、永久磁石92のN極
と解放ボス98間の磁気結合力を磁石サポート88が解
放ボス98方向に回転するに十分なだけ増大させること
により、係合方向から非係合方向へ回転させられる。ラ
ッチ・コイル90を通じて適切な方向へ電流を流すこと
が、解放ボス98あるいは係合ボス96のどちらかの方
向へ磁石サポート88を回転させる手段を提供する。電
磁ラッチ体83を係合方向から非係合方向へ移動させる
ためコイル90に解放電流を流すことは、DASDのパ
ワー・アップ行程の間に行うのが望ましい。パワー・ダ
ウン行程の間は、ラッチ・コイル90に対し係合電流を
流すことはスピンドル・モータ26が出力低下するにつ
れスピンドル・モータ26内で発生した逆EMF(逆起
電力)により行われる。
【0030】アクチュエータに対する比較的低および中
程度の外因性の加速レベルの存在下で、永久磁石92と
係合ボス96間の磁気結合力は待機および係合方向にア
クチュエータ30を保持抑制するため十分であることが
望ましい。DASDハウジング21にかかる強力な外部
衝撃力の作用は、アクチュエータ・コイル・フレーム3
4に設けた第二係合突起84と電磁ラッチ・アセンブリ
82の抑制部材86との結合がはずれるのに十分な程度
である。しかし、抑制を失ったアクチュエータ30の有
害な回転は、図3に関連して前述した方法と同様にアク
チュエータを再度抑制することになる慣性ラッチ・アセ
ンブリの共同作用により排除される。
【0031】図5には、アクチュエータ・コイル・フレ
ーム34の片側に設けた慣性ラッチ・アセンブリとアク
チュエータ・コイル・フレーム34の他の側に設けた別
の実施例による電磁ラッチ・アセンブリを有するデュア
ル・ラッチ型アクチュエータ装置の別の実施例を示して
ある。図5に示した電磁ラッチ・アセンブリ100の実
施例は、アクチュエータに対する比較的低および中程度
の外因性の加速レベルの存在下での確実なアクチュエー
タ30の抑制を提供するものであり、小型形状のDAS
Dの使用に適した小形寸法のものが望ましい。
【0032】図5に示した電磁ラッチ・アセンブリ10
0は、DASDハウジング21のベース22に設けたピ
ボット軸108に回転可能に設けたラッチ体101を有
するのが望ましい。ラッチ体101は、抑制部材10
2、ラッチ・コイル・フレーム105、および回動可能
な磁石サポート104を有する。一対のコイル磁石11
6を、ラッチ・コイル・フレーム105上に設けたラッ
チ・コイル106の下部および上部の、下部磁石アセン
ブリ42および上部磁石アセンブリ40上にそれぞれ設
ける。一対の解放磁石110および係合磁石114を、
回動可能な磁石サポート104に設けた双安定磁石11
2に近接した永久磁石構造38の下部および上部磁石ア
センブリ42、40上に設ける。一対の解放磁石110
および係合磁石114間の間隔は回動可能な磁石サポー
ト104が回転できる範囲とすることが望ましい。
【0033】図5に示した実施例では、電磁ラッチ・ア
センブリ100がアクチュエータ30に対して係合状態
にあることを示している。係合磁石114と双安定磁石
112間で作られる磁気結合力は、アクチュエータに対
する比較的低および中程度の外因性の加速レベルの存在
下でアクチュエータ・コイル・フレーム34に設けた第
一係合突起80と抑制部材102との間の結合を確実に
するため十分な強度の附勢力を提供することが望まし
い。抑制部材102は、一対のコイル磁石116により
作られた磁界の存在下、ラッチ・コイル16に適切な方
向と強度で解放電流を供給することにより第一係合突起
80に対して係合状態から非係合状態へ回転する。ラッ
チ・コイル106と一対のコイル磁石116は、アクチ
ュエータ・コイル36アセンブリと永久磁石構造38に
関して前述したのと同様の方法で、小型のボイス・コイ
ル・モータとして共同で作動するのが望ましい。
【0034】ラッチ・コイル106にたいする適切な解
放電流を供給すると、回動可能な磁石サポート104が
解放磁石110に当接するまでラッチ体101は係合位
置から離れて回転する。双安定磁石112と解放磁石1
10間の磁気結合力はラッチ体101を非係合方向に抑
制し、よってアクチュエータ30の動きを遮るものがな
い操作が可能になる。DASDハウジング21に加わる
強力な時計方向の回転衝撃力の存在下、所望の待機位置
からアクチュエータ30の意図しない回転は、図3、図
4に関して前述したのと同じ方法で慣性ラッチ・アセン
ブリ60の作動により防止される。
【0035】図6には、アクチュエータに対する外因的
な低、中、高レベルの加速の存在下で新規なデュアル・
ラッチ型アクチュエータ装置の効果を示すグラフが示さ
れている。アクチュエータに対する比較的低および中レ
ベルの外因性の加速は、前述したように新規なデュアル
・ラッチ型アクチュエータ装置の操作によりアクチュエ
ータ32の磁気あるいは電磁気ラッチ作動により相殺さ
れる。図6にさらに示されるように、慣性によるラッチ
作動が与えられてアクチュエータに対する外因的な中間
から高レベルの加速の存在下で待機位置から離れたアク
チュエータ30の制動を失った回転を防止する。構成や
力学的要因の数に応じ、磁気あるいは電磁気ラッチ操作
が部分的に慣性ラッチ操作と共同で開始する加速レベル
の過渡的範囲が存在する。
【0036】磁気ラッチあるいは電磁ラッチ・アセンブ
リとアクチュエータ間の結合解除の遅れ、あるいは跳ね
返りは、慣性ラッチ・アセンブリと磁気ラッチあるいは
電磁ラッチ・アセンブリの非同期作動の原因となる可能
性がある。アクチュエータ・コイル・フレーム34から
の磁気ラッチ・アセンブリ/電磁気ラッチ・アセンブリ
のほぼ瞬間的な結合解除と慣性ラッチ・アセンブリの共
同作動は、2つの異なったラッチ・アセンブリ間の同期
的作動として認められる。慣性ラッチ・アセンブリおよ
び磁気/電磁気ラッチ・アセンブリの過渡的な非同期作
動の可能性を最小にするのが一般的に望ましい。これ
は、例えば、適切な磁気結合力を改良すること、慣性ラ
ッチ・アセンブリ60のサイズ、容量、附勢力を変更す
ること、図3から図5に示された実施例で説明したもの
とは別の位置にあるDASDハウジング21内の慣性ラ
ッチ・アセンブリと磁気/電磁気ラッチ・アセンブリを
位置決めすることにより達成される。
【0037】図3、図4で説明したように一実施例で
は、磁気ラッチ・アセンブリ72あるいは電磁気ラッチ
・アセンブリ82がアクチュエータ・コイル・フレーム
34との係合が解除される前に慣性ラッチ体62がアク
チュエータ・ラッチ・フレーム34の方に回転始める時
に、アクチュエータ・コイル・フレーム34上に設けた
第一係合突起80に摺動可能に係合するように慣性ラッ
チ体62が曲線の係合面65を有する。この第一係合突
起80は抑制部材64と結合するまで曲線係合面65に
沿って摺動するのが望ましい。
【0038】本発明の範囲あるいは精神から逸脱しない
限り、上記した望ましい実施例に種々の改良および追加
を加えることができるのは言うまでもない。例えば、こ
の新規なデュアル・ラッチ型アクチュエータ装置は、磁
気ディスクを使用するDASDにのみの使用に限定され
ず、外部からの回転衝撃力を受けるCD-ROMや光デ
ィスクのような他のデータ記憶媒体の保護をおこなうた
めの様々なタイプのシステムにも使用可能である。さら
に、この新規なデュアル・ラッチ型アクチュエータ装置
は様々な構造のDASDに採用可能であり、小型および
超小型のDASDでの使用に限定されない。また、慣性
ラッチ・アセンブリおよび磁気/電磁気ラッチ・アセン
ブリの構成や形状を変えることも本発明の範囲を逸脱す
るものではない。
【0039】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
【0040】(1)DASDのハウジングに回転可能に
設けたアクチュエータを抑制して、該アクチュエータと
該ハウジング内に設けたデータ記憶ディスク間の接触を
防止するように構成されたデュアル・ラッチ型アクチュ
エータ装置であって、(A)上記ハウジングに回転可能
に設けたラッチ体と;上記ハウジングに外部から加わる
衝撃力に応じて第一係合方向に上記アクチュエータを抑
制するための上記ラッチ体に接続した抑制部材と;上記
外部衝撃力のない時に上記アクチュエータに対する第一
非係合方向に上記抑制部材を附勢するための上記ラッチ
体に結合した附勢手段と;を含む、第一ラッチ・アセン
ブリと、(B)上記ハウジングに設けた磁石アセンブリ
と;外部衝撃力に応じて、第二係合方向に上記アクチュ
エータを抑制するため上記磁石アセンブリと磁気的相互
作用を行う上記アクチュエータに設けたアクチュエータ
停止面と;を含む、第二ラッチ・アセンブリとを有する
ことを特徴とする、デュアル・ラッチ型アクチュエータ
装置。 (2)上記第二ラッチ・アセンブリは、上記アクチュエ
ータが第二係合方向に抑制されている時、磁石アセンブ
リとアクチュエータ停止面間を一定の間隔にするための
磁石アセンブリ・ストップを更に有することを特徴とす
る、上記(1)に記載の装置。 (3)上記抑制部材は、該抑制部材と上記アクチュエー
タ間の結合の前に、上記抑制部材と上記アクチュエータ
間の摺動可能な係合を提供するための曲線係合面を有す
ることを特徴とする、上記(1)に記載の装置。 (4)上記第二ラッチ・アセンブリの磁石アセンブリ
は、ボイス・コイル・モータとして上記アクチュエータ
上に設けたコイル・アセンブリと共同で磁気的に相互作
用をするための永久磁石構造を有することを特徴とす
る、上記(1)に記載の装置。 (5)上記アクチュエータ停止面は、上記第二ラッチ・
アセンブリの上記磁石アセンブリと磁気的に相互作用を
する透磁性物質を有することを特徴とする、上記(1)
に記載の装置。 (6)上記データ記憶ディスクは、内径着陸域と外径着
陸域のどちらか一方を有し、上記アクチュエータは上記
データ記憶ディスクの少なくとも一部分上に伸びるアク
チュエータ・アームを有し、上記アクチュエータ・アー
ムの一部分は、アクチュエータが上記第一および第二係
合方向のどちらか一方に抑制される際に上記内径着陸域
と外径着陸域のどちらか一方に近接して抑制されること
を特徴とする、上記(1)に記載の装置。 (7)上記データ記憶ディスクの外周に近接した上記ハ
ウジング内にロード/アンロード傾斜部を設け、上記ア
クチュエータはデータ記憶ディスクの少なくとも一部上
に伸びるアクチュエータ・アームを有し、上記アクチュ
エータ・アームの一部はアクチュエータが上記第一およ
び第二係合方向のどちらか一方に抑制される際に上記ロ
ード/アンロード傾斜部に当接していることを特徴とす
る、上記(1)に記載の装置。 (8)ボイス・コイル・モータとして上記アクチュエー
タと共同で磁気的に相互作用をするため上記ハウジング
内に永久磁石構造を設け、上記アクチュエータは、デー
タ記憶ディスクの少なくとも一部上に伸びるアクチュエ
ータ・アームと;上記永久磁石構造に近接し、第一側面
と第二側面をそれぞれ有する後方部分と;を有し、上記
抑制部材に係合するため上記第一側面に抑制突起が設け
られ、上記アクチュエータ停止面は、上記第二ラッチ・
アセンブリの磁石アセンブリと磁気的に相互作用をする
ため上記第二側面に設けることを特徴とする、上記
(1)に記載の装置。 (9)DASDのハウジングに回転可能に設けたアクチ
ュエータを抑制して、該アクチュエータと該ハウジング
内に設けたデータ記憶ディスク間の接触を防止するよう
に構成されたデュアル・ラッチ型アクチュエータ装置で
あって、(A)上記ハウジングに回転可能に設けた第一
ラッチ体と;上記ハウジングに外部から加わる衝撃力に
応じて第一係合方向に上記アクチュエータを抑制するた
めの上記第一ラッチ体に結合した第一抑制部材と;上記
外部衝撃力のない時に上記アクチュエータに対する第一
非係合方向に上記第一抑制部材を附勢するための上記ラ
ッチ体に結合した附勢手段と;を含む、第一ラッチ・ア
センブリと、(B)上記ハウジングに回転可能に設けた
第二ラッチ体と;上記第二ラッチ体に設けた磁石アセン
ブリと;上記アクチュエータを第二係合方向に抑制する
ため上記第二ラッチ体に結合した第二抑制部材と;上記
第二係合方向と第二非係合方向間に上記第二抑制部材を
附勢するための磁気附勢力を提供するためのコイル手段
と;を含む、第二ラッチ・アセンブリとを有することを
特徴とする、デュアル・ラッチ型アクチュエータ装置。 (10)上記第二ラッチ・アセンブリは、上記ハウジン
グ内に設けた係合ボスと解放ボスをさらに有し、上記コ
イル手段は上記係合ボスおよび解放ボスとそれぞれ磁気
的に相互作用をして、上記第二係合方向と第二非係合方
向の間に上記第二抑制部材を附勢することを特徴とす
る、上記(9)に記載の装置。 (11)上記コイル手段は上記第二ラッチ体上に設ける
ことを特徴とする、上記(9)に記載の装置。 (12)上記コイル手段は、上記第二ラッチ体に設けた
上記磁石アセンブリに近接した上記ハウジングに設ける
ことを特徴とする、上記(9)に記載の装置。 (13)上記第一抑制部材は、該第一抑制部材と上記ア
クチュエータ間の結合の前に、上記第一抑制部材と上記
アクチュエータ間の摺動可能な係合を提供するための曲
線係合面を有することを特徴とする、上記(9)に記載
の装置。 (14)上記データ記憶ディスクは、内径着陸域と外径
着陸域のどちらか一方を有し、上記アクチュエータは上
記データ記憶ディスクの少なくとも一部分上に伸びるア
クチュエータ・アームを有し、上記アクチュエータ・ア
ームの一部分は、アクチュエータが上記第一および第二
係合方向のどちらか一方に抑制される際に上記内径着陸
域と外径着陸域のどちらか一方に近接して抑制されるこ
とを特徴とする、上記(9)に記載の装置。 (15)上記データ記憶ディスクの外周に近接した上記
ハウジング内にロード/アンロード傾斜部を設け、上記
アクチュエータはデータ記憶ディスクの少なくとも一部
上に伸びるアクチュエータ・アームを有し、上記アクチ
ュエータ・アームの一部はアクチュエータが上記第一お
よび第二係合方向のどちらか一方に抑制される際に上記
ロード/アンロード傾斜部に当接していることを特徴と
する、上記(9)に記載の装置。 (16)ボイス・コイル・モータとして上記アクチュエ
ータと共同で磁気的に相互作用をするため上記ハウジン
グ内に永久磁石構造を設け、上記アクチュエータは、デ
ータ記憶ディスクの少なくとも一部上に伸びるアクチュ
エータ・アームと;上記永久磁石構造に近接し、第一側
面と第二側面をそれぞれ有する後方部分とを有し、上記
第一抑制部材に係合するため上記第一側面に第一抑制突
起が設けられ、上記第二抑制部材に係合するため上記第
二側面に第二抑制突起が設けられることを特徴とする、
上記(9)に記載の装置。 (17)A.ハウジングと、B.データ記憶ディスク
と、C.上記ハウジングに設けられ、上記データ記憶デ
ィスクを回転するようにしたスピンドル・モータと、
D.上記ハウジングに回転可能に設けたアクチュエータ
と、E.上記アクチュエータに設けたトランスデューサ
・ヘッドと、F.(a)上記ハウジングに回転可能に設
けたラッチ体と;上記ハウジングに外部から加わる衝撃
力に応じて第一係合方向に上記アクチュエータを抑制す
るための上記ラッチ体に結合した抑制部材と;上記外部
衝撃力のない時に上記アクチュエータに対する第一非係
合方向に上記抑制部材を附勢するための上記ラッチ体に
結合した附勢手段と;を含む、第一ラッチ・アセンブリ
と、(b)上記ハウジングに設けた磁石アセンブリと;
上記外部衝撃力に応じて上記アクチュエータを第二係合
方向に抑制するため上記磁石アセンブリと磁気的に相互
作用をするための上記アクチュエータに設けたアクチュ
エータ停止面とを含む第二ラッチ・アセンブリと;を有
するデュアル・ラッチ型アクチュエータ装置とを備える
ことを特徴とする、データを記憶するための直接アクセ
ス記憶装置。 (18)上記第二ラッチ・アセンブリは、上記アクチュ
エータが第二係合方向に抑制されている時、磁石アセン
ブリとアクチュエータ停止面間を一定の間隔にするため
の磁石アセンブリ・ストップを更に有することを特徴と
する、上記(17)に記載の装置。 (19)ボイス・コイル・モータとして上記アクチュエ
ータ上に設けたコイル・アセンブリと共同で磁気的に相
互作用をするための永久磁石構造を更に有し、上記第二
ラッチ・アセンブリの磁石アセンブリはこの永久磁石構
造を有することを特徴とする、上記(17)に記載の装
置。 (20)上記データ記憶ディスクは、内径着陸域と外径
着陸域のどちらか一方を有し、上記アクチュエータは上
記データ記憶ディスクの少なくとも一部分上に伸びるア
クチュエータ・アームを有し、上記アクチュエータ・ア
ームの一部分は、アクチュエータが上記第一および第二
係合方向のどちらか一方に抑制される際に上記内径着陸
域と外径着陸域のどちらか一方に近接して抑制されるこ
とを特徴とする、上記(17)に記載の装置。 (21)上記データ記憶ディスクの外周に近接した上記
ハウジング内にロード/アンロード傾斜部を設け、上記
アクチュエータはデータ記憶ディスクの少なくとも一部
上に伸びるアクチュエータ・アームを有し、上記アクチ
ュエータ・アームの一部はアクチュエータが上記第一お
よび第二係合方向のどちらか一方に抑制される際に上記
ロード/アンロード傾斜部に当接していることを特徴と
する、上記(17)に記載の装置。 (22)A.ハウジングと、B.データ記憶ディスク
と、C.上記ハウジングに設けられ、上記データ記憶デ
ィスクを回転するようにしたスピンドル・モータと、
D.上記ハウジングに回転可能に設けたアクチュエータ
と、E.上記アクチュエータに設けたトランスデューサ
・ヘッドと、F.(a)上記ハウジングに回転可能に設
けた第一ラッチ体と;上記ハウジングに外部から加わる
衝撃力に応じて第一係合方向に上記アクチュエータを抑
制するための上記第一ラッチ体に結合した第一抑制部材
と;上記外部衝撃力のない時に上記アクチュエータに対
する第一非係合方向に上記第一抑制部材を附勢するため
の上記ラッチ体に結合した附勢手段と;を含む、第一ラ
ッチ・アセンブリと、(b)上記ハウジングに回転可能
に設けた第二ラッチ体と;上記第二ラッチ体に設けた磁
石アセンブリと;上記アクチュエータを第二係合方向に
抑制するための上記第二ラッチ体に結合した第二抑制部
材と;上記アクチュエータに対して上記係合方向と第二
非係合方向の間に上記第二抑制部材を附勢するために磁
気附勢力を提供するコイル手段を含む第二ラッチ・アセ
ンブリと;を有する、デュアル・ラッチ型アクチュエー
タ装置とを備えることを特徴とする、データを記憶する
ための直接アクセス記憶装置。 (23)上記第二ラッチ・アセンブリは、上記ハウジン
グ内に設けた係合ボスと解放ボスをさらに有し、上記コ
イル手段は上記係合ボスおよび解放ボスとそれぞれ磁気
的に相互作用をして、上記第二係合方向と第二非係合方
向の間に上記第二抑制部材を附勢することを特徴とす
る、上記(22)に記載の装置。 (24)上記コイル手段は上記第二ラッチ体上に設ける
ことを特徴とする、上記(22)に記載の装置。 (25)上記コイル手段は、上記第二ラッチ体に設けた
上記磁石アセンブリに近接した上記ハウジングに設ける
ことを特徴とする、上記(22)に記載の装置。 (26)上記ハウジングの外寸は、PCMCIA装置ハ
ウジング仕様に示されたハウジング寸法にほぼ適合して
いることを特徴とする上記(22)に記載の装置。 (27)上記データ記憶ディスクは、内径着陸域と外径
着陸域のどちらか一方を有し、上記アクチュエータは上
記データ記憶ディスクの少なくとも一部分上に伸びるア
クチュエータ・アームを有し、上記アクチュエータ・ア
ームの一部分は、アクチュエータが上記第一および第二
係合方向のどちらか一方に抑制される際に上記内径着陸
域と外径着陸域のどちらか一方に近接して抑制されるこ
とを特徴とする、上記(22)に記載の装置。 (28)上記データ記憶ディスクの外周に近接した上記
ハウジング内にロード/アンロード傾斜部を設け、上記
アクチュエータはデータ記憶ディスクの少なくとも一部
上に伸びるアクチュエータ・アームを有し、上記アクチ
ュエータ・アームの一部はアクチュエータが上記第一お
よび第二係合方向のどちらか一方に抑制される際に上記
ロード/アンロード傾斜部に当接していることを特徴と
する、上記(22)に記載の装置。
【0041】
【発明の効果】本発明によれば、慣性ラッチと磁気ラッ
チ機構の優れた特性を組み合わせて、アクチュエータに
対する外因的な低、中、高レベルの加速(衝撃力)によ
り制動を失ったアクチュエータの動きに対する効果的な
抑制を行うことができる。さらに、非常に小型のDAS
Dの密集構造内に無理なく収納でき、外因性の衝撃力に
よるアクチュエータの不安定な動きを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】直接アクセス記憶装置の上部ハウジング・カバ
ーを取り去った状態の上部斜視図である。
【図2】複数のデータ記憶ディスクを有する直接アクセ
ス記憶装置の側面図である。
【図3】慣性ラッチ・アセンブリと組み合わせた磁気ラ
ッチ・アセンブリを有する新規なデュアル・ラッチ型ア
クチュエータ装置を採用した直接アクセス記憶装置の平
面図である。
【図4】慣性ラッチ・アセンブリと組み合わせた電磁ラ
ッチの一実施例を有する新規なデュアル・ラッチ型アク
チュエータ装置を採用した直接アクセス記憶装置の平面
図である。
【図5】慣性ラッチ・アセンブリと組み合わせた電磁ラ
ッチの別の実施例を有する新規なデュアル・ラッチ型ア
クチュエータ装置を採用した小型形状の直接アクセス記
憶装置の平面図である。
【図6】アクチュエータに対する外因的な低、中、高レ
ベルの加速の存在下でアクチュエータが望ましい待機方
向から制動を失った動きをしないようにする新規なデュ
アル・ラッチ型アクチュエータ装置の効果を示すグラフ
を表わす図である。
【符号の説明】
20 データ記憶システム 21 ハウジング 22 ハウジング・ベース 23 ハウジング・カバー 24 データ記憶ディスク 25 トランスデューサ 26 スピンドル・モータ 28 アクチュエータ・アーム 30 アクチュエータ 34 コイル・フレーム 35 スライダ 38 永久磁石構造体 40 上部磁気構造 42 下部磁気構造 47 内径着陸域 48 外径着陸域 49 傾斜部 58 コントローラ 60 慣性ラッチ・アセンブリ 62 慣性ラッチ体 64 抑制部材 65 曲線の係合面 66 慣性体 68 ピボット軸 70 附勢装置 72 磁気ラッチ・アセンブリ 74 永久磁石アセンブリ(強磁性体) 76 磁石アセンブリ・ストップ 78 アクチュエータ停止面 80 第一係合突起 82 電磁ラッチ・アセンブリ 83 電磁ラッチ体 84 第二係合突起 86 抑制部材 88 磁石サポート 90 ラッチ・コイル 92 永久磁石 96 係合ボス 98 解放ボス 99 停止部材 100 電磁ラッチ・アセンブリ 101 ラッチ体 102 抑制部材 104 磁石サポート 105 ラッチ・コイル・フレーム 106 ラッチ・コイル 110 一対の解放磁石 112 双安定磁石 114 係合磁石 116 一対のコイル磁石
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平6−44714(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G11B 21/02 G11B 21/22 G11B 21/12

Claims (28)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】DASDのハウジングに回転可能に設けた
    アクチュエータを抑制して、該アクチュエータと該ハウ
    ジング内に設けたデータ記憶ディスク間の接触を防止す
    るように構成されたデュアル・ラッチ型アクチュエータ
    装置であって、 (A)上記ハウジングに回転可能に設けたラッチ体と;
    上記ハウジングに外部から加わる衝撃力に応じて第一係
    合方向に上記アクチュエータを抑制するための上記ラッ
    チ体に接続した抑制部材と;上記外部衝撃力のない時に
    上記アクチュエータに対する第一非係合方向に上記抑制
    部材を附勢するための上記ラッチ体に結合した附勢手段
    と;を含む、第一ラッチ・アセンブリと、 (B)上記ハウジングに設けた磁石アセンブリと;外部
    衝撃力に応じて、第二係合方向に上記アクチュエータを
    抑制するため上記磁石アセンブリと磁気的相互作用を行
    う上記アクチュエータに設けたアクチュエータ停止面
    と;を含む、第二ラッチ・アセンブリとを有することを
    特徴とする、デュアル・ラッチ型アクチュエータ装置。
  2. 【請求項2】上記第二ラッチ・アセンブリは、上記アク
    チュエータが第二係合方向に抑制されている時、磁石ア
    センブリとアクチュエータ停止面間を一定の間隔にする
    ための磁石アセンブリ・ストップを更に有することを特
    徴とする、請求項1に記載の装置。
  3. 【請求項3】上記抑制部材は、該抑制部材と上記アクチ
    ュエータ間の結合の前に、上記抑制部材と上記アクチュ
    エータ間の摺動可能な係合を提供するための曲線係合面
    を有することを特徴とする、請求項1に記載の装置。
  4. 【請求項4】上記第二ラッチ・アセンブリの磁石アセン
    ブリは、ボイス・コイル・モータとして上記アクチュエ
    ータ上に設けたコイル・アセンブリと共同で磁気的に相
    互作用をするための永久磁石構造を有することを特徴と
    する、請求項1に記載の装置。
  5. 【請求項5】上記アクチュエータ停止面は、上記第二ラ
    ッチ・アセンブリの上記磁石アセンブリと磁気的に相互
    作用をする透磁性物質を有することを特徴とする、請求
    項1に記載の装置。
  6. 【請求項6】上記データ記憶ディスクは、内径着陸域と
    外径着陸域のどちらか一方を有し、上記アクチュエータ
    は上記データ記憶ディスクの少なくとも一部分上に伸び
    るアクチュエータ・アームを有し、 上記アクチュエータ・アームの一部分は、アクチュエー
    タが上記第一および第二係合方向のどちらか一方に抑制
    される際に上記内径着陸域と外径着陸域のどちらか一方
    に近接して抑制されることを特徴とする、請求項1に記
    載の装置。
  7. 【請求項7】上記データ記憶ディスクの外周に近接した
    上記ハウジング内にロード/アンロード傾斜部を設け、
    上記アクチュエータはデータ記憶ディスクの少なくとも
    一部上に伸びるアクチュエータ・アームを有し、 上記アクチュエータ・アームの一部はアクチュエータが
    上記第一および第二係合方向のどちらか一方に抑制され
    る際に上記ロード/アンロード傾斜部に当接しているこ
    とを特徴とする、請求項1に記載の装置。
  8. 【請求項8】ボイス・コイル・モータとして上記アクチ
    ュエータと共同で磁気的に相互作用をするため上記ハウ
    ジング内に永久磁石構造を設け、 上記アクチュエータは、データ記憶ディスクの少なくと
    も一部上に伸びるアクチュエータ・アームと;上記永久
    磁石構造に近接し、第一側面と第二側面をそれぞれ有す
    る後方部分と;を有し、 上記抑制部材に係合するため上記第一側面に抑制突起が
    設けられ、 上記アクチュエータ停止面は、上記第二ラッチ・アセン
    ブリの磁石アセンブリと磁気的に相互作用をするため上
    記第二側面に設けることを特徴とする、請求項1に記載
    の装置。
  9. 【請求項9】DASDのハウジングに回転可能に設けた
    アクチュエータを抑制して、該アクチュエータと該ハウ
    ジング内に設けたデータ記憶ディスク間の接触を防止す
    るように構成されたデュアル・ラッチ型アクチュエータ
    装置であって、 (A)上記ハウジングに回転可能に設けた第一ラッチ体
    と;上記ハウジングに外部から加わる衝撃力に応じて第
    一係合方向に上記アクチュエータを抑制するための上記
    第一ラッチ体に結合した第一抑制部材と;上記外部衝撃
    力のない時に上記アクチュエータに対する第一非係合方
    向に上記第一抑制部材を附勢するための上記ラッチ体に
    結合した附勢手段と;を含む、第一ラッチ・アセンブリ
    と、 (B)上記ハウジングに回転可能に設けた第二ラッチ体
    と;上記第二ラッチ体に設けた磁石アセンブリと;上記
    アクチュエータを第二係合方向に抑制するため上記第二
    ラッチ体に結合した第二抑制部材と;上記第二係合方向
    と第二非係合方向間に上記第二抑制部材を附勢するため
    の磁気附勢力を提供するためのコイル手段と;を含む、
    第二ラッチ・アセンブリとを有することを特徴とする、
    デュアル・ラッチ型アクチュエータ装置。
  10. 【請求項10】上記第二ラッチ・アセンブリは、上記ハ
    ウジング内に設けた係合ボスと解放ボスをさらに有し、 上記コイル手段は上記係合ボスおよび解放ボスとそれぞ
    れ磁気的に相互作用をして、上記第二係合方向と第二非
    係合方向の間に上記第二抑制部材を附勢することを特徴
    とする、請求項9に記載の装置。
  11. 【請求項11】上記コイル手段は上記第二ラッチ体上に
    設けることを特徴とする、請求項9に記載の装置。
  12. 【請求項12】上記コイル手段は、上記第二ラッチ体に
    設けた上記磁石アセンブリに近接した上記ハウジングに
    設けることを特徴とする、請求項9に記載の装置。
  13. 【請求項13】上記第一抑制部材は、該第一抑制部材と
    上記アクチュエータ間の結合の前に、上記第一抑制部材
    と上記アクチュエータ間の摺動可能な係合を提供するた
    めの曲線係合面を有することを特徴とする、請求項9に
    記載の装置。
  14. 【請求項14】上記データ記憶ディスクは、内径着陸域
    と外径着陸域のどちらか一方を有し、上記アクチュエー
    タは上記データ記憶ディスクの少なくとも一部分上に伸
    びるアクチュエータ・アームを有し、 上記アクチュエータ・アームの一部分は、アクチュエー
    タが上記第一および第二係合方向のどちらか一方に抑制
    される際に上記内径着陸域と外径着陸域のどちらか一方
    に近接して抑制されることを特徴とする、請求項9に記
    載の装置。
  15. 【請求項15】上記データ記憶ディスクの外周に近接し
    た上記ハウジング内にロード/アンロード傾斜部を設
    け、上記アクチュエータはデータ記憶ディスクの少なく
    とも一部上に伸びるアクチュエータ・アームを有し、 上記アクチュエータ・アームの一部はアクチュエータが
    上記第一および第二係合方向のどちらか一方に抑制され
    る際に上記ロード/アンロード傾斜部に当接しているこ
    とを特徴とする、請求項9に記載の装置。
  16. 【請求項16】ボイス・コイル・モータとして上記アク
    チュエータと共同で磁気的に相互作用をするため上記ハ
    ウジング内に永久磁石構造を設け、 上記アクチュエータは、データ記憶ディスクの少なくと
    も一部上に伸びるアクチュエータ・アームと;上記永久
    磁石構造に近接し、第一側面と第二側面をそれぞれ有す
    る後方部分とを有し、 上記第一抑制部材に係合するため上記第一側面に第一抑
    制突起が設けられ、 上記第二抑制部材に係合するため上記第二側面に第二抑
    制突起が設けられることを特徴とする、請求項9に記載
    の装置。
  17. 【請求項17】A.ハウジングと、 B.データ記憶ディスクと、 C.上記ハウジングに設けられ、上記データ記憶ディス
    クを回転するようにしたスピンドル・モータと、 D.上記ハウジングに回転可能に設けたアクチュエータ
    と、 E.上記アクチュエータに設けたトランスデューサ・ヘ
    ッドと、 F.(a)上記ハウジングに回転可能に設けたラッチ体
    と;上記ハウジングに外部から加わる衝撃力に応じて第
    一係合方向に上記アクチュエータを抑制するための上記
    ラッチ体に結合した抑制部材と;上記外部衝撃力のない
    時に上記アクチュエータに対する第一非係合方向に上記
    抑制部材を附勢するための上記ラッチ体に結合した附勢
    手段と;を含む、第一ラッチ・アセンブリと、(b)上
    記ハウジングに設けた磁石アセンブリと;上記外部衝撃
    力に応じて上記アクチュエータを第二係合方向に抑制す
    るため上記磁石アセンブリと磁気的に相互作用をするた
    めの上記アクチュエータに設けたアクチュエータ停止面
    とを含む第二ラッチ・アセンブリと;を有するデュアル
    ・ラッチ型アクチュエータ装置とを備えることを特徴と
    する、データを記憶するための直接アクセス記憶装置。
  18. 【請求項18】上記第二ラッチ・アセンブリは、上記ア
    クチュエータが第二係合方向に抑制されている時、磁石
    アセンブリとアクチュエータ停止面間を一定の間隔にす
    るための磁石アセンブリ・ストップを更に有することを
    特徴とする、請求項17に記載の装置。
  19. 【請求項19】ボイス・コイル・モータとして上記アク
    チュエータ上に設けたコイル・アセンブリと共同で磁気
    的に相互作用をするための永久磁石構造を更に有し、上
    記第二ラッチ・アセンブリの磁石アセンブリはこの永久
    磁石構造を有することを特徴とする、請求項17に記載
    の装置。
  20. 【請求項20】上記データ記憶ディスクは、内径着陸域
    と外径着陸域のどちらか一方を有し、上記アクチュエー
    タは上記データ記憶ディスクの少なくとも一部分上に伸
    びるアクチュエータ・アームを有し、 上記アクチュエータ・アームの一部分は、アクチュエー
    タが上記第一および第二係合方向のどちらか一方に抑制
    される際に上記内径着陸域と外径着陸域のどちらか一方
    に近接して抑制されることを特徴とする、請求項17に
    記載の装置。
  21. 【請求項21】上記データ記憶ディスクの外周に近接し
    た上記ハウジング内にロード/アンロード傾斜部を設
    け、上記アクチュエータはデータ記憶ディスクの少なく
    とも一部上に伸びるアクチュエータ・アームを有し、 上記アクチュエータ・アームの一部はアクチュエータが
    上記第一および第二係合方向のどちらか一方に抑制され
    る際に上記ロード/アンロード傾斜部に当接しているこ
    とを特徴とする、請求項17に記載の装置。
  22. 【請求項22】A.ハウジングと、 B.データ記憶ディスクと、 C.上記ハウジングに設けられ、上記データ記憶ディス
    クを回転するようにしたスピンドル・モータと、 D.上記ハウジングに回転可能に設けたアクチュエータ
    と、 E.上記アクチュエータに設けたトランスデューサ・ヘ
    ッドと、 F.(a)上記ハウジングに回転可能に設けた第一ラッ
    チ体と;上記ハウジングに外部から加わる衝撃力に応じ
    て第一係合方向に上記アクチュエータを抑制するための
    上記第一ラッチ体に結合した第一抑制部材と;上記外部
    衝撃力のない時に上記アクチュエータに対する第一非係
    合方向に上記第一抑制部材を附勢するための上記ラッチ
    体に結合した附勢手段と;を含む、第一ラッチ・アセン
    ブリと、(b)上記ハウジングに回転可能に設けた第二
    ラッチ体と;上記第二ラッチ体に設けた磁石アセンブリ
    と;上記アクチュエータを第二係合方向に抑制するため
    の上記第二ラッチ体に結合した第二抑制部材と;上記ア
    クチュエータに対して上記係合方向と第二非係合方向の
    間に上記第二抑制部材を附勢するために磁気附勢力を提
    供するコイル手段を含む第二ラッチ・アセンブリと;を
    有する、デュアル・ラッチ型アクチュエータ装置とを備
    えることを特徴とする、データを記憶するための直接ア
    クセス記憶装置。
  23. 【請求項23】上記第二ラッチ・アセンブリは、上記ハ
    ウジング内に設けた係合ボスと解放ボスをさらに有し、 上記コイル手段は上記係合ボスおよび解放ボスとそれぞ
    れ磁気的に相互作用をして、上記第二係合方向と第二非
    係合方向の間に上記第二抑制部材を附勢することを特徴
    とする、請求項22に記載の装置。
  24. 【請求項24】上記コイル手段は上記第二ラッチ体上に
    設けることを特徴とする、請求項22に記載の装置。
  25. 【請求項25】上記コイル手段は、上記第二ラッチ体に
    設けた上記磁石アセンブリに近接した上記ハウジングに
    設けることを特徴とする、請求項22に記載の装置。
  26. 【請求項26】上記ハウジングの外は、PCMC
    IA装置仕様のタイプIIに適合していることを特徴とす
    る請求項22に記載の装置。
  27. 【請求項27】上記データ記憶ディスクは、内径着陸域
    と外径着陸域のどちらか一方を有し、上記アクチュエー
    タは上記データ記憶ディスクの少なくとも一部分上に伸
    びるアクチュエータ・アームを有し、 上記アクチュエータ・アームの一部分は、アクチュエー
    タが上記第一および第二係合方向のどちらか一方に抑制
    される際に上記内径着陸域と外径着陸域のどちらか一方
    に近接して抑制されることを特徴とする、請求項22に
    記載の装置。
  28. 【請求項28】上記データ記憶ディスクの外周に近接し
    た上記ハウジング内にロード/アンロード傾斜部を設
    け、上記アクチュエータはデータ記憶ディスクの少なく
    とも一部上に伸びるアクチュエータ・アームを有し、 上記アクチュエータ・アームの一部はアクチュエータが
    上記第一および第二係合方向のどちらか一方に抑制され
    る際に上記ロード/アンロード傾斜部に当接しているこ
    とを特徴とする、請求項22に記載の装置。
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