JP3423693B2 - 3つの異なる電位を有する出力信号を発生させるデコーダ素子およびこのデコーダ素子の作動方法 - Google Patents
3つの異なる電位を有する出力信号を発生させるデコーダ素子およびこのデコーダ素子の作動方法Info
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Description
【0001】本発明は、3つの異なる電位を有する出力
信号を発生させるデコーダ素子およびこのデコーダ素子
の作動方法に関する。
信号を発生させるデコーダ素子およびこのデコーダ素子
の作動方法に関する。
【0002】本発明の課題は、出力側において、デコー
ダ素子の入力信号に依存して3つの異なる電位をとるこ
とのできる出力信号を発生させるデコーダ素子を提供す
ることである。
ダ素子の入力信号に依存して3つの異なる電位をとるこ
とのできる出力信号を発生させるデコーダ素子を提供す
ることである。
【0003】この課題は、請求項1によるデコーダ素子
によって解決される。その第3の端子が互いに接続され
ているこの種の2つのデコーダ素子により、1つのデコ
ーダ回路を有利に実現することができる。
によって解決される。その第3の端子が互いに接続され
ているこの種の2つのデコーダ素子により、1つのデコ
ーダ回路を有利に実現することができる。
【0004】請求項5による作動方法により、有利には
出力信号の電位のうちの1つが発生される。
出力信号の電位のうちの1つが発生される。
【0005】続いて、本発明を図を参照してより詳細に
説明する。
説明する。
【0006】図1は、デコーダ素子の実施例を示す。
【0007】図2は、図1の2つのデコーダ素子を有す
るデコーダ回路の実施例を示す。
るデコーダ回路の実施例を示す。
【0008】図3は、デコーダ素子のうちの1つの出力
側における電位とその入力側の電位との依存関係を示
す。
側における電位とその入力側の電位との依存関係を示
す。
【0009】図1は、本発明によるデコーダ素子DEを
示している。第1の端子1と出力側WL0との間に、p
型のトランジスタT1とn型の第2のトランジスタT2
とから成る直列回路が配置されている。第2のトランジ
スタT2のゲートはアース(0V)に接続されている。
さらに第2の端子2とアースとの間に、p型の第3のト
ランジスタT3とn型の第4のトランジスタT4とから
成る直列回路が配置されている。第3のトランジスタT
3および第4のトランジスタT4のドレインは、出力側
WL0に接続されている。第3の端子3は、第3のトラ
ンジスタT3のゲートおよび第4のトランジスタT4の
ゲートに接続されている。さらに第3の端子3は、p型
の第5のトランジスタT5を介して、第1のトランジス
タT1のゲートに接続されている。第1のトランジスタ
T1のゲートも、n型の第6のトランジスタT6を介し
てアースに接続されている。第5のトランジスタT5の
ゲートと第6のトランジスタT6のゲートは、第2の端
子2に接続されている。図1のデコーダ素子DEの機能
は、以下の明細書で図3に基づいて説明する。
示している。第1の端子1と出力側WL0との間に、p
型のトランジスタT1とn型の第2のトランジスタT2
とから成る直列回路が配置されている。第2のトランジ
スタT2のゲートはアース(0V)に接続されている。
さらに第2の端子2とアースとの間に、p型の第3のト
ランジスタT3とn型の第4のトランジスタT4とから
成る直列回路が配置されている。第3のトランジスタT
3および第4のトランジスタT4のドレインは、出力側
WL0に接続されている。第3の端子3は、第3のトラ
ンジスタT3のゲートおよび第4のトランジスタT4の
ゲートに接続されている。さらに第3の端子3は、p型
の第5のトランジスタT5を介して、第1のトランジス
タT1のゲートに接続されている。第1のトランジスタ
T1のゲートも、n型の第6のトランジスタT6を介し
てアースに接続されている。第5のトランジスタT5の
ゲートと第6のトランジスタT6のゲートは、第2の端
子2に接続されている。図1のデコーダ素子DEの機能
は、以下の明細書で図3に基づいて説明する。
【0010】図3は、図1のデコーダ素子DEの出力側
WL0において、端子1,2,3における電位に依存し
て、3つの異なる電位、すなわち0V,−2V,4Vが
発生されるということを示している。出力側WL0で0
Vの電位を生じさせるために、第2の端子と第3の端子
には4Vが印加され、第1の端子1には−2Vまたは0
Vが印加される。すると第3のトランジスタT3は遮断
され、第4のトランジスタT4は導通する。これによ
り、出力側WL0は導通状態のトランジスタT4を介し
てアースに接続される。第2のトランジスタT2のゲー
トはアースに接続されているので、このトランジスタは
遮断される。第2の端子2での4Vは、第5のトランジ
スタT5も遮断し、第6のトランジスタT6を導通状態
に切り換える。これにより、第6のトランジスタT6を
介して、第1のトランジスタT1のゲートがアースされ
る。第1の端子1における電位は、第1のトランジスタ
T1のゲート電位より低いかまたは等しいので、このト
ランジスタも遮断される。
WL0において、端子1,2,3における電位に依存し
て、3つの異なる電位、すなわち0V,−2V,4Vが
発生されるということを示している。出力側WL0で0
Vの電位を生じさせるために、第2の端子と第3の端子
には4Vが印加され、第1の端子1には−2Vまたは0
Vが印加される。すると第3のトランジスタT3は遮断
され、第4のトランジスタT4は導通する。これによ
り、出力側WL0は導通状態のトランジスタT4を介し
てアースに接続される。第2のトランジスタT2のゲー
トはアースに接続されているので、このトランジスタは
遮断される。第2の端子2での4Vは、第5のトランジ
スタT5も遮断し、第6のトランジスタT6を導通状態
に切り換える。これにより、第6のトランジスタT6を
介して、第1のトランジスタT1のゲートがアースされ
る。第1の端子1における電位は、第1のトランジスタ
T1のゲート電位より低いかまたは等しいので、このト
ランジスタも遮断される。
【0011】出力側WL0で−2Vの電位を発生させる
ために、図1のデコーダ素子DEはまず出力状態に置か
れる。この出力状態において、第1の端子1には0V、
第2の端子2には−2V、そして第3の端子3には4V
が印加される。有利には、事前に既に第1の端子1には
0V、第2の端子2には4V、そして第3の端子3には
4Vが印加されている場合には、まず出力側WL0に0
Vの電位を発生させる(図3の表の第1行参照)。そし
て第2の端子2における電位が4Vから−2Vに変化す
るときには、まずは出力側WL0の電位は0Vに維持さ
れる。というのも、第3のトランジスタT3は今まで通
り遮断状態にあり、第4のトランジスタT4も今まで通
り導通状態にあるからである。第2の端子における−2
Vは、第6のトランジスタT6を遮断し、第5のトラン
ジスタT5によって第3の端子における4Vが第1のト
ランジスタT1のゲートに結合されるように作用する。
このため、第1のトランジスタT1は引き続き遮断状態
に留まる。
ために、図1のデコーダ素子DEはまず出力状態に置か
れる。この出力状態において、第1の端子1には0V、
第2の端子2には−2V、そして第3の端子3には4V
が印加される。有利には、事前に既に第1の端子1には
0V、第2の端子2には4V、そして第3の端子3には
4Vが印加されている場合には、まず出力側WL0に0
Vの電位を発生させる(図3の表の第1行参照)。そし
て第2の端子2における電位が4Vから−2Vに変化す
るときには、まずは出力側WL0の電位は0Vに維持さ
れる。というのも、第3のトランジスタT3は今まで通
り遮断状態にあり、第4のトランジスタT4も今まで通
り導通状態にあるからである。第2の端子における−2
Vは、第6のトランジスタT6を遮断し、第5のトラン
ジスタT5によって第3の端子における4Vが第1のト
ランジスタT1のゲートに結合されるように作用する。
このため、第1のトランジスタT1は引き続き遮断状態
に留まる。
【0012】第1の時点t1で、第3の端子3における
電位は、4Vから−2Vへの負の信号エッジを有する。
このため、第4のトランジスタT4が遮断され、出力側
WL0はアースから切り離される。第3のトランジスタ
T3はさらに遮断状態に留まる。というのも、そのゲー
ト‐ソース電圧が0Vだからである。第5のトランジス
タT5は、第3の端子3における電位の下降エッジの間
は、まだ導通状態に留まり、第1のトランジスタT1の
ゲート電位は、まず第3の端子3における電位とともに
低下する。第5のトランジスタT5は、そのゲート‐ソ
ース電圧が投入電圧より低くなってはじめて遮断され
る。目下の場合では、第5のトランジスタT5の投入電
圧は0.7Vである。そのため、第1のトランジスタT
1のゲート電位は、第3の端子3における電位の負のエ
ッジに従って、第5のトランジスタT5は遮断される前
に、−2V+0.7V=−1.3Vまで低下する。
電位は、4Vから−2Vへの負の信号エッジを有する。
このため、第4のトランジスタT4が遮断され、出力側
WL0はアースから切り離される。第3のトランジスタ
T3はさらに遮断状態に留まる。というのも、そのゲー
ト‐ソース電圧が0Vだからである。第5のトランジス
タT5は、第3の端子3における電位の下降エッジの間
は、まだ導通状態に留まり、第1のトランジスタT1の
ゲート電位は、まず第3の端子3における電位とともに
低下する。第5のトランジスタT5は、そのゲート‐ソ
ース電圧が投入電圧より低くなってはじめて遮断され
る。目下の場合では、第5のトランジスタT5の投入電
圧は0.7Vである。そのため、第1のトランジスタT
1のゲート電位は、第3の端子3における電位の負のエ
ッジに従って、第5のトランジスタT5は遮断される前
に、−2V+0.7V=−1.3Vまで低下する。
【0013】第1の時点t1より後の第2の時点t2に
おいて、第1の端子1における電位は、0Vから−2V
への負の信号エッジを有する。この時点で第5のトラン
ジスタT5だけでなく第6のトランジスタT6も遮断状
態にあるので、第1のトランジスタT1のゲート電位
は、ここにおいて生起するブートストラップ効果に基づ
いて、第1の端子1における電位とともに低下する。こ
のようにして、第1のトランジスタT1のゲート電位
は、第1の端子1における電位の負の信号エッジが終了
する時点までに、およそ−1.3V−2V=−3.3V
の値に到達する(図3では、下降エッジが無限の急峻度
で記入されているが、実際には、この下降するエッジは
有限の急峻度を有しており、そのため電位は緩慢に変化
する。)第1のトランジスタT1のゲートに、少なくと
もこのトランジスタの投入電圧分だけ第1の端子の電位
より低い電位が印加されるとすぐに、第1のトランジス
タT1が導通し、それによって、そのドレインとソース
における電位が一致する。そのため、出力側WL0にお
ける電位は、第1の端子1における電位の下降エッジと
同時に、同様に0Vから−2Vまでの下降エッジを有す
る。つまり、第2のトランジスタT2は、導通状態にあ
る第1のトランジスタT1のドレインにおける負の電位
を出力側WL0に接続する。というのも、第2のトラン
ジスタT2のゲートはアースに接続されているからであ
る。出力側WL0における下降エッジは、ほぼ第2の時
点t2で始まる。
おいて、第1の端子1における電位は、0Vから−2V
への負の信号エッジを有する。この時点で第5のトラン
ジスタT5だけでなく第6のトランジスタT6も遮断状
態にあるので、第1のトランジスタT1のゲート電位
は、ここにおいて生起するブートストラップ効果に基づ
いて、第1の端子1における電位とともに低下する。こ
のようにして、第1のトランジスタT1のゲート電位
は、第1の端子1における電位の負の信号エッジが終了
する時点までに、およそ−1.3V−2V=−3.3V
の値に到達する(図3では、下降エッジが無限の急峻度
で記入されているが、実際には、この下降するエッジは
有限の急峻度を有しており、そのため電位は緩慢に変化
する。)第1のトランジスタT1のゲートに、少なくと
もこのトランジスタの投入電圧分だけ第1の端子の電位
より低い電位が印加されるとすぐに、第1のトランジス
タT1が導通し、それによって、そのドレインとソース
における電位が一致する。そのため、出力側WL0にお
ける電位は、第1の端子1における電位の下降エッジと
同時に、同様に0Vから−2Vまでの下降エッジを有す
る。つまり、第2のトランジスタT2は、導通状態にあ
る第1のトランジスタT1のドレインにおける負の電位
を出力側WL0に接続する。というのも、第2のトラン
ジスタT2のゲートはアースに接続されているからであ
る。出力側WL0における下降エッジは、ほぼ第2の時
点t2で始まる。
【0014】最後に4Vの第3の電位を出力側WL0で
発生させるために、第1の端子1には−2Vまたは0V
が、第2の端子には4Vが、そして第3の端子3には−
2Vが印加される(図3の表の最後の行参照)。第2の
端子3における4Vにより、第5のトランジスタT5は
遮断され、第6のトランジスタT6は、第1のトランジ
スタT1のゲートをアースに接続する。これによって、
第1のトランジスタT1は確実に遮断される。第3の端
子3における−2Vは、第4のトランジスタT4を遮断
し、第3のトランジスタT3を導通させるように作用す
る。これによって、第2の端子2の4Vは出力側WL0
に印加される。
発生させるために、第1の端子1には−2Vまたは0V
が、第2の端子には4Vが、そして第3の端子3には−
2Vが印加される(図3の表の最後の行参照)。第2の
端子3における4Vにより、第5のトランジスタT5は
遮断され、第6のトランジスタT6は、第1のトランジ
スタT1のゲートをアースに接続する。これによって、
第1のトランジスタT1は確実に遮断される。第3の端
子3における−2Vは、第4のトランジスタT4を遮断
し、第3のトランジスタT3を導通させるように作用す
る。これによって、第2の端子2の4Vは出力側WL0
に印加される。
【0015】図2は、デコーダ装置を示している。この
デコーダ装置では、それぞれ2つのデコーダ回路DSが
示されており、これらデコーダ回路DSのそれぞれは、
図1に示されたようなデコーダ素子を2つ有している。
図2の各デコーダ回路DSの上側のデコーダ素子DEの
第1の端子1には、共通の第1の信号R0が供給され、
第2の端子2には、共通の第2の信号DRV0が供給さ
れる。デコーダ回路DSの下側のデコーダ素子DEの第
1の端子1には、共通の第1の信号R1が供給され、第
2の端子2には共通の第2の信号DRV1が供給され
る。各デコーダ回路DSの第3の端子3は互いに接続さ
れている。これら第3の端子3には、デコーダ回路DS
ごとに1つの別個の第3の信号DEC0,DEC1が供
給される。デコーダ回路DSの第1の信号R0,R1、
第2の信号DRV0,DRV1および第3の信号DEC
0,DEC1は、出力側WLiにおいて所望の出力電位
を発生させるために、図3に示された電位ないし電位経
過を示す。
デコーダ装置では、それぞれ2つのデコーダ回路DSが
示されており、これらデコーダ回路DSのそれぞれは、
図1に示されたようなデコーダ素子を2つ有している。
図2の各デコーダ回路DSの上側のデコーダ素子DEの
第1の端子1には、共通の第1の信号R0が供給され、
第2の端子2には、共通の第2の信号DRV0が供給さ
れる。デコーダ回路DSの下側のデコーダ素子DEの第
1の端子1には、共通の第1の信号R1が供給され、第
2の端子2には共通の第2の信号DRV1が供給され
る。各デコーダ回路DSの第3の端子3は互いに接続さ
れている。これら第3の端子3には、デコーダ回路DS
ごとに1つの別個の第3の信号DEC0,DEC1が供
給される。デコーダ回路DSの第1の信号R0,R1、
第2の信号DRV0,DRV1および第3の信号DEC
0,DEC1は、出力側WLiにおいて所望の出力電位
を発生させるために、図3に示された電位ないし電位経
過を示す。
【0016】明らかに、図2のデコーダ装置は、問題な
くさらなるデコーダ回路DSを補完することができる。
その際には、デコーダ回路ごとに1つの別個の第3の信
号DECiが必要なだけである。このようにして、任意
の個数の出力側WLiを有するデコーダ回路を得ること
ができる。上記デコーダ回路DSのうちの1つの第3の
出力側に恒常的に4Vが印加されると、このデコーダ回
路は非活動化され、これによって出力側WLiには定常
的に0Vが印加される。これに対して、デコーダ回路D
Sの第3の端子3における電位が、4Vから−2Vの負
のエッジを有すると、第1の端子1および第2の端子2
における電位経過の選択によって、出力側WLiのうち
どの出力側に−2Vを印加し、どの出力側に4Vを印加
すべきかを決定することができる。
くさらなるデコーダ回路DSを補完することができる。
その際には、デコーダ回路ごとに1つの別個の第3の信
号DECiが必要なだけである。このようにして、任意
の個数の出力側WLiを有するデコーダ回路を得ること
ができる。上記デコーダ回路DSのうちの1つの第3の
出力側に恒常的に4Vが印加されると、このデコーダ回
路は非活動化され、これによって出力側WLiには定常
的に0Vが印加される。これに対して、デコーダ回路D
Sの第3の端子3における電位が、4Vから−2Vの負
のエッジを有すると、第1の端子1および第2の端子2
における電位経過の選択によって、出力側WLiのうち
どの出力側に−2Vを印加し、どの出力側に4Vを印加
すべきかを決定することができる。
【0017】図2に示されているデコーダ装置は、例え
ば集積化されたメモリのワードラインデコーダの構成要
素として適している。ワードラインデコーダでは、デコ
ーダ素子DEの出力側WLiはぞれぞれワードラインに
接続されており、第1の信号R0,R1、第2の信号D
RV0,DRV1および第3の信号DEC0,DEC1
の電位は、メモリに供給されるワードラインアドレスに
依存して変化する。 [図面の簡単な説明]
ば集積化されたメモリのワードラインデコーダの構成要
素として適している。ワードラインデコーダでは、デコ
ーダ素子DEの出力側WLiはぞれぞれワードラインに
接続されており、第1の信号R0,R1、第2の信号D
RV0,DRV1および第3の信号DEC0,DEC1
の電位は、メモリに供給されるワードラインアドレスに
依存して変化する。 [図面の簡単な説明]
【図1】デコーダ素子の実施例を示す。
【図2】図1の2つのデコーダ素子を有するデコーダ回
路の実施例を示す。
路の実施例を示す。
【図3】デコーダ素子のうちの1つの出力側における電
位とその入力側の電位との依存関係を示す。
位とその入力側の電位との依存関係を示す。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 ゾルタン マンヨーキ
ドイツ連邦共和国 ミュンヘン テレー
ゼ−ギーゼ−アレー 53
(72)発明者 トーマス ベーム
ドイツ連邦共和国 ツォルネディング
ヘルツォーク−ハインリヒ−ヴェーク
5
(72)発明者 エルンスト ノイホールト
オーストリア国 グラーツ ドクトル
エンペルガーヴェーク 28
(72)発明者 ゲオルク ブラウン
ドイツ連邦共和国 ミュンヘン テレジ
ーエンヘーエ 6 ベー
(56)参考文献 特開 平10−135818(JP,A)
特開 平10−98370(JP,A)
特開 平9−261036(JP,A)
特開 平9−185889(JP,A)
特開 平7−183787(JP,A)
特開 平6−268493(JP,A)
(58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名)
H03M 7/00
G11C 8/00 311
H03K 19/20 101
Claims (5)
- 【請求項1】 3つの異なる電位(−2V,0V,4
V)を有する出力信号を出力側(WLi)で発生させる
デコーダ素子であって、 前記第2の電位(0V)は、前記第1の電位(−2V)
と前記第3の電位(4V)との間にある形式のものにお
いて、 第1の端子(1)を有し、該第1の端子(1)は、第1
の伝導形の第1のトランジスタ(T1)と第2の伝導形
の第2のトランジスタ(T2)とから成る直列回路を介
して、前記出力側(WLi)に接続されており、前記第
2のトランジスタ(T2)の制御端子は前記第2の電位
(0V)に接続されており、 第2の端子(2)を有し、該第2の端子(2)は、第1
の伝導形の第3のトランジスタ(T3)を介して、前記
出力側(WLi)に接続されており、 前記出力側(WLi)は、第2の伝導形の第4のトラン
ジスタ(T4)を介して、前記第2の電位(0V)に接
続されており、 第3の端子(3)を有し、該第3の端子(3)は、前記
第3(T3)および第4(T4)のトランジスタの制御
端子に接続されており、第1の伝導形の第5のトランジ
スタ(T5)を介して、前記第1のトランジスタ(T
1)の制御端子に接続されており、 第2の伝導形の第6のトランジスタ(T6)を有し、該
第6のトランジスタ(T6)を介して、前記第1のトラ
ンジスタ(T1)の制御端子は前記第2の電位(0V)
に接続されており、 前記第2の端子(2)は、前記第5(T5)および第6
(T6)のトランジスタの制御端子に接続されているこ
とを特徴とするデコーダ素子。 - 【請求項2】 前記第2の電位(0V)を有する出力信
号を発生させるために、前記第1の端子(1)に前記第
1(−2V)または第2(0V)の電位が印加され、前
記第2の端子(2)および第3の端子(3)には前記第
3の電位(4V)が印加される、請求項1記載のデコー
ダ素子。 - 【請求項3】 前記第3の電位(4V)を有する出力信
号を発生させるために、前記第1の端子(1)に前記第
1(−2V)または第2(0V)の電位が印加され、前
記第2の端子(2)には前記第3の電位(4V)が印加
され、第3の端子(3)には前記第1の電位(−2V)
が印加される、請求項1記載のデコーダ素子。 - 【請求項4】 請求項1または2に記載の2つのデコー
ダ素子(DE)を有し、 前記デコーダ素子の第3の端子(3)が互いに接続され
ていることを特徴とするデコーダ回路(DC)。 - 【請求項5】 請求項1に記載のデコーダ素子の作動方
法において、 前記第1の電位(−2V)を有する出力信号を発生させ
るために、まず前記第2の端子(2)に前記第1の電位
(−2V)を印加し、 続いて前記第3の端子(3)に、前記第3(4V)から
第1(−2V)の電位まで変化する電位を供給し、 そのあと、前記第1の端子(1)に、前記第2(0V)
から第1(−2V)の電位まで変化する電位を供給する
ことを特徴とする作動方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19844666A DE19844666C1 (de) | 1998-09-29 | 1998-09-29 | Decoderelement zur Erzeugung eines Ausgangssignals mit drei unterschiedlichen Potentialen und Betriebsverfahren für das Decoderelement |
DE19844666.7 | 1998-09-29 | ||
PCT/DE1999/002321 WO2000019436A1 (de) | 1998-09-29 | 1999-07-28 | Decoderelement zur erzeugung eines ausgangssignals mit drei unterschiedlichen potentialen und betriebsverfahren für das decoderelement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002526953A JP2002526953A (ja) | 2002-08-20 |
JP3423693B2 true JP3423693B2 (ja) | 2003-07-07 |
Family
ID=7882665
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000572851A Expired - Fee Related JP3423693B2 (ja) | 1998-09-29 | 1999-07-28 | 3つの異なる電位を有する出力信号を発生させるデコーダ素子およびこのデコーダ素子の作動方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6480055B2 (ja) |
EP (1) | EP1119858B1 (ja) |
JP (1) | JP3423693B2 (ja) |
KR (1) | KR100389208B1 (ja) |
DE (2) | DE19844666C1 (ja) |
TW (1) | TW441183B (ja) |
WO (1) | WO2000019436A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10047717A1 (de) | 2000-09-27 | 2002-04-18 | Basf Ag | Hydrophile, offenzellige, elastische Schaumstoffe auf Basis von Melamin/Formaldehyd-Harzen, ihre Herstellung und ihre Verwendung in Hygieneartikeln |
US20050163194A1 (en) * | 2004-01-28 | 2005-07-28 | Qualcomm Incorporated | Interference estimation in a wireless communication system |
US8085831B2 (en) * | 2004-05-17 | 2011-12-27 | Qualcomm Incorporated | Interference control via selective blanking/attenuation of interfering transmissions |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4961192A (en) * | 1988-07-29 | 1990-10-02 | International Business Machines Corporation | Data error detection and correction |
US5274278A (en) * | 1991-12-31 | 1993-12-28 | Intel Corporation | High-speed tri-level decoder with dual-voltage isolation |
US6172531B1 (en) * | 1999-02-16 | 2001-01-09 | International Business Machines Corporation | Low power wordline decoder circuit with minimized hold time |
-
1998
- 1998-09-29 DE DE19844666A patent/DE19844666C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-07-20 TW TW088112284A patent/TW441183B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-07-28 DE DE59904238T patent/DE59904238D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-28 WO PCT/DE1999/002321 patent/WO2000019436A1/de active IP Right Grant
- 1999-07-28 EP EP99950445A patent/EP1119858B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-07-28 JP JP2000572851A patent/JP3423693B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1999-07-28 KR KR10-2001-7003951A patent/KR100389208B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2001
- 2001-03-29 US US09/822,028 patent/US6480055B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW441183B (en) | 2001-06-16 |
US6480055B2 (en) | 2002-11-12 |
EP1119858B1 (de) | 2003-02-05 |
WO2000019436A1 (de) | 2000-04-06 |
US20020008564A1 (en) | 2002-01-24 |
DE19844666C1 (de) | 2000-03-30 |
EP1119858A1 (de) | 2001-08-01 |
JP2002526953A (ja) | 2002-08-20 |
DE59904238D1 (de) | 2003-03-13 |
KR100389208B1 (ko) | 2003-06-27 |
KR20010075422A (ko) | 2001-08-09 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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