JP3409856B2 - 磁気ディスク並びに磁気記録再生装置 - Google Patents

磁気ディスク並びに磁気記録再生装置

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JP3409856B2 JP51567697A JP51567697A JP3409856B2 JP 3409856 B2 JP3409856 B2 JP 3409856B2 JP 51567697 A JP51567697 A JP 51567697A JP 51567697 A JP51567697 A JP 51567697A JP 3409856 B2 JP3409856 B2 JP 3409856B2
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孝行 中川路
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友恵 高村
佐々木　　洋
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Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、磁気ディスク並びに磁気記録再生装置に係
り、特に高い記録密度を有する磁気ディスク並びに磁気
記録再生装置に関する。
背景技術 ハードタイプの磁気記録再生装置は、磁気ディスクの
小径化並びに装置の小型軽量化と高記録密度化が進んで
いる。磁気ディスクの高記録密度化に伴い磁気ディスク
と磁気ヘッドの間の距離すなわちヘッド浮上量が低下し
ており、近い将来磁気ヘッドと磁気ディスクとは、完全
な接触状態（コンタクト）で記録再生することになり、
磁気ヘッドと磁気ディスクとの摺動条件は一層苛酷にな
る。また、高記録密度化にはヘッド浮上量の低下ととも
に浮上を安定させるために磁気ディスク表面をより平滑
化する必要がある。このため、磁気ディスクと磁気ヘッ
ドを搭載したヘッドスライダーとの間では、接触状態で
摺動（以後、接触摺動と略称する。）する時間が増大
し、ディスク起動中に発生する動摩擦力や摩擦が増すこ
とと、ディスク表面の平滑化によってヘッド／ディスク
間に発生する最大静止摩擦力（以後、粘着と略称す
る。）が増大する。接触摺動で動摩擦力や摩耗が増す
と、ディスククラッシュやヘッド摩耗が断続的に発生
し、記録再生ができなくなる。また、強い粘着が発生す
るとディスクが起動できなくなったり、ヘッドを損傷す
る等の重大な問題が発生する。
上記問題を解決する手段として磁気ディスク停止中に
ヘッドスライダーが待機すると共にディスク起動時と停
止時にコンタクト・スタート・ストップする領域（以
後、CSS領域と略称する。）とディスク起動中にヘッド
が記録再生する領域（以後、データ領域と略称）とを分
離した磁気ディスクが開発されている。一般にCSS領域
は、磁気ディスクの内周部に形成されており、粘着を防
ぐために磁気ディスクの表面を粗くしている。一方、デ
ータ領域は、安定したヘッド浮上を維持するために磁気
ディスクの表面を滑らかにしている。これまで、CSS領
域とデータ領域を分けた磁気ディスクに対応した潤滑膜
や潤滑技術が幾つか開示されている。例えば特開平６−
36277号公報にはCSS領域とスライダーのレール面に高さ
が約5nmの突起を形成し、粘着を防止することを開示し
ている。また、特開平６−111292号公報はCSS領域には
液体の潤滑剤を塗布し、データ領域には個体潤滑剤を使
用することを開示している。これらの従来技術は、デー
タ領域とCSS領域とを形成した磁気ディスクに対応した
潤滑膜についての技術であり、データ領域とCSS領域の
各領域で要求される潤滑膜の摺動特性をある程度実現で
きる技術である。CSS領域とデータ領域でのヘッド／デ
ィスク間の摺動状態から各領域で必要となる潤滑膜を考
えると、CSS領域では、磁気ディスク表面を粗くすれば
粘着はある程度軽減できるものの、ディスク起動時と停
止時にヘッドとディスクが接触摺動することから連続摺
動耐久性に優れた潤滑膜も必要となる。一方、データ領
域では、ディスクの面粗さが小さいことが必要でありし
かも粘着が小さな潤滑膜が必要である。これは、ヘッド
スライダーがデータ領域内にある時に、装置に異常が発
生してディスクが急停止した場合、面粗さが小さいデー
タ領域内でディスクと接触して強い粘着を起こす可能性
があるためである。すなわち、CSS領域とデータ領域に
形成される潤滑膜には、それぞれ異なる潤滑性能の潤滑
膜が要求される。
現在、磁気ディスクに使用されている潤滑剤は、ディ
スク表面に吸着するための官能基を有するパーフロロポ
リエーテル系化合物である。この潤滑剤により構成され
る潤滑膜は、ディスク表面に強固に吸着した層と吸着の
弱いあるいは吸着していない層を形成している。例え
ば、ディスクをパーフロロカーボン系溶剤で洗浄した場
合、強固に吸着した潤滑層は、ディスク表面から脱離し
ないのに対し、吸着の弱い潤滑層は、容易にディスク表
面から脱離する。CSS領域で要求される連続摺動耐久性
としては、潤滑剤の一部が摺動時にヘッドスライダーの
摺動面に移着して安定な摩擦状態を形成する必要がある
ので、吸着の弱い潤滑剤の層が重要な役割を果たしてい
る。このため、CSS領域に吸着の弱い層がなければ十分
な信頼性を確保できない。これに対し、データ領域で要
求される低粘着性に関しては、装置の異常でディスクが
急停止してデータ領域で接触状態になった際のヘッド／
ディスク間への潤滑剤の凝集とシーク時のヘッドによる
過度の潤滑剤のかき集めを防止する必要があり、ディス
ク表面を移動しやすい吸着の弱い層は、連続摺動耐久性
とは逆に粘着に対し悪影響を及ぼすことになる。このた
め、データ領域では、吸着の弱い層をなるべく少なくす
る必要がある。従来の吸着型潤滑剤をディスク全面に塗
布してデータ領域だけを洗浄して吸着の弱い層を取り除
くと、必然的にデータ領域の潤滑膜の膜厚が薄くなる。
しかしながら、現在はCSS領域に比べてデータ領域での
接触摺動は軽微であるものの、今後もヘッド浮上量が更
に低下する磁気ディスク装置では、データ領域でもヘッ
ドとディスクとが接触摺動する機会が増加し、近い将
来、データ領域でも連続摺動耐久性が要求される可能性
が強い。従って、データ領域の潤滑膜は、単発的な接触
摺動にも耐え得る程度の膜厚を確保しなければならず、
膜厚を薄くできない状況にある。
この様な技術課題に対し、前記従来技術の手法を考え
ると、CSS領域には液体の潤滑剤を塗布し、データ領域
には固体潤滑剤を使用することを開示した特開平６−11
1292号公報では各領域で要求される潤滑膜の特性を確保
できるが、潤滑膜の形成プロセスが複雑になる不利な点
がある。また特開平４−53027号公報では、データ領域
の潤滑層の膜厚をCSS領域の潤滑層の膜厚より薄くする
ことを開示しデータ領域での低粘着性とCSS領域での連
続摺動耐久性を確保している。しかしながら、データ領
域でも連続摺動耐久性を確保する必要があり、潤滑膜の
膜厚も薄くできないため、上記の特開平４−53027号公
報でも十分とは言えない。この様に現在のところCSS領
域とデータ領域を形成したディスクに対し、十分な摺動
信頼性を確保できる有効な手法がない。
本発明の目的は上記従来技術の問題点を解決し、CSS
領域とデータ領域を形成したディスクに対し、十分な摺
動信頼性を確保できる有効な手法を提供すると共にこの
種方を適用した高性能な磁気ディスクと磁気記録再生装
置を提供することにある。
発明の開示 前記課題の解決手段として、磁気ディスク上のデータ
領域では、低粘着とするために吸着の弱い潤滑層をなる
べく少なくし、且つ単発的に発生する磁気ヘッドと磁気
ディスクとの接触摺動にも耐え得る膜厚の潤滑膜を容易
に形成するために、磁気ディスク表面に強固に吸着する
潤滑剤を使用するか又は潤滑剤塗布後に処理を施す。ま
た、CSS領域では、十分な連続摺動耐久性を確保するこ
とと、潤滑剤がヘッドスライダー側へ容易に移着するこ
ととを加味し、粘着しにくい吸着性潤滑剤を吸着の弱い
潤滑層として意図的にCSS領域に形成する手法を考案し
た。具体的には以下に示す磁気ディスク，磁気ディスク
製造方法、並びに磁気記録再生装置である。
第１の手段は、非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護
膜を順に積層した磁気ディスクにおいて、該磁気ディス
クの回転起動時と回転停止時に磁気ヘッドスライダーが
位置する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCSS
領域と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスライ
ダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下のデ
ータ領域とを備え、前記保護膜表面に下記一般式（Ｉ）
〜（III） R1−Ｘ−（CF2CF2O）ｍ−（CF2O）ｎ−Ｘ−R2 …（Ｉ） Ｆ（CF2CF2CF2−Ｏ）ｎ−C2F4−Ｘ−R3 …（II） Ｆ−（CF（CF3）−CF2−Ｏ）ｎ−CF（CF3）−Ｘ−R4 …（III） （但し、m,nは整数、R1,R2,R3,R4は炭化水素鎖、Ｘは２
価の結合基）で表されるパーフロロポリエーテル系化合
物の少なくとも一つ以上を含む潤滑膜が形成され、該潤
滑膜が前記保護膜表面に強固に固定される潤滑剤と弱く
固定される潤滑剤とから構成され、前記CSS領域に形成
される前記潤滑膜の固定の弱い潤滑剤の割合が、前記CS
S領域の潤滑剤総量に対して10％以上であり、前記デー
タ領域に形成される前記潤滑膜の固定の弱い潤滑剤の割
合が前記データ領域の潤滑剤総量に対して10％未満であ
る磁気ディスクである。
第２の手段は、第１の手段における潤滑膜が、パーフ
ロロカーボン系溶剤で洗浄除去されずに前記保護膜表面
に強固に固定される潤滑剤とパーフロロカーボン系溶剤
で洗浄除去される固定の弱い潤滑剤とから構成される磁
気ディスクである。
第３の手段は、非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護
膜を順に積層した磁気ディスクにおいて、該磁気ディス
クの回転起動時と回転停止時に磁気ヘッドスライダーが
位置する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCSS
領域と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスライ
ダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下のデ
ータ領域とを備え、前記保護膜表面に下記一般式（Ｉ）
〜（III）で表されるパーフロロポリエーテル系化合物
の少なくとも一つ以上を含む潤滑剤を前記磁気ディスク
全面に塗布後、前記磁気ディスク全面を80℃以上に加熱
あるいは、全面もしくは前記データ領域に紫外線照射
し、次いで前記CSS領域をパーフロロカーボン系溶剤で
洗浄することにより、前記CSS領域に形成した1.5nm以上
の膜厚の潤滑膜と前記データ領域に形成した1nm以上の
膜厚の潤滑膜とを備えた磁気ディスクである。
第４の手段は、非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護
膜を順に積層した磁気ディスクにおいて、該磁気ディス
クの回転起動時と回転停止時に磁気ヘッドスライダーが
位置する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCSS
領域と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスライ
ダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下のデ
ータ領域とを備え、前記保護膜表面に前記一般式（Ｉ）
〜（III）で表されるパーフロロポリエーテル系化合物
の少なくとも一つ以上を含む潤滑剤を前記磁気ディスク
全面に塗布後、前記磁気ディスク全面を80℃以上に加熱
あるいは、全面もしくは前記データ領域に紫外線照射
し、次いで前記磁気ディスク全面をパーフロロカーボン
系溶剤で洗浄し、次に前記CSS領域に上記一般式（Ｉ）
〜（III）のパーフロロポリエーテル系化合物から選択
される吸着性の官能基を有するパーフロロポリエーテル
系化合物を塗布することにより、前記CSS領域に形成し
た1.5nm以上の膜厚の潤滑膜と前記データ領域に形成し
た1nm以上の膜厚の潤滑膜とを備えた磁気ディスクであ
る。
第５の手段は、非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護
膜を順に積層した磁気ディスクにおいて、該磁気ディス
クの回転起動時と回転停止時に磁気ヘッドスライダーが
位置する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCSS
領域と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスライ
ダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下のデ
ータ領域とを備え、前記保護膜表面に前記一般式（Ｉ）
〜（III）で表されるパーフロロポリエーテル系化合物
の少なくとも一つ以上を含む潤滑剤を前記磁気ディスク
全面に塗布後、前記磁気ディスク全面を80℃以上に加熱
あるいは、前記磁気ディスク全面もしくは前記データ領
域を紫外線照射し、次いで前記磁気ディスク全面をパー
フロロカーボン系溶剤で洗浄し、次に前記データ領域に
前記一般式（Ｉ）〜（III）のパーフロロポリエーテル
系化合物内から選択される前記保護膜表面と化学的に反
応する官能基を有するパーフロロポリエーテル系化合物
を塗布することにより、前記CSS領域に形成した1.5nm以
上の膜厚の潤滑膜と前記データ領域に形成した1nm以上
の膜厚の潤滑膜とを備えた磁気ディスクである。
第６の手段は、非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護
膜を順に積層した磁気ディスクにおいて、該磁気ディス
クの回転起動時と回転停止時に磁気ヘッドスライダーが
位置する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCSS
領域と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスライ
ダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下のデ
ータ領域とを備え、前記保護膜表面に前記一般式（Ｉ）
〜（III）で表される前記保護膜表面と化学的に反応す
る官能基を有するパーフロロポリエーテル系化合物の少
なくとも一つ以上を含む潤滑剤を前記磁気ディスク全面
に塗布後、前記磁気ディスク全面を80℃以上に加熱ある
いは、全面もしくは前記データ領域に紫外線照射し、次
いで前記磁気ディスク全面をパーフロロカーボン系溶剤
で洗浄し、次に前記データ領域に前記一般式（Ｉ）〜
（III）のパーフロロポリエーテル系化合物から選択さ
れる前記保護膜表面と化学的に反応する官能基を有する
パーフロロポリエーテル系化合物を塗布することによ
り、前記CSS領域を形成した1.5nm以上の膜厚の潤滑膜と
前記データ領域に形成した1nm以上の膜厚の潤滑膜とを
備えた磁気ディスクである。
第７の手段は、非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護
膜，潤滑膜を順に積層した磁気ディスクの製造方法にお
いて、該磁気ディスクの回転起動時と回転停止時に磁気
ヘッドスライダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa
10nm以上であるCSS領域と、前記磁気ディスクの回転中
に磁気ヘッドスライダーが位置する前記保護膜表面の粗
さがRa3nm以下のデータ領域とを形成し、次に前記保護
膜表面に前記一般式（Ｉ）〜（III）で表されるパーフ
ロロポリエーテル系化合物の少なくとも一つ以上を含む
潤滑剤を前記磁気ディスク全面に塗布後、次いで前記磁
気ディスク全面を80℃以上に加熱あるいは、前記磁気デ
ィスク全面もしくは前記データ領域に紫外線照射し、次
いで前記CSS領域をパーフロロカーボン系溶剤で洗浄す
ることにより、前記CSS領域に1.5nm以上の膜厚の潤滑膜
を形成し、前記データ領域に1nm以上の膜厚の潤滑膜を
形成する磁気ディスク製造方法である。
第８の手段は、第７の手段に記載の磁気ディスク製造
方法において、前記磁気ディスク全面をパーフロロカー
ボン系溶剤で洗浄した後、前記CSS領域に前記一般式
（Ｉ）〜（III）のパーフロロポリエーテル系化合物か
ら選択される吸着性の官能基を有するパーフロロポリエ
ーテル系化合物を塗布し、前記CSS領域に1.5nm以上の膜
厚の潤滑膜を形成し、前記データ領域に1nm以上の膜厚
の潤滑膜を形成する磁気ディスク製造方法である。
第９の手段は、第７の手段に記載の磁気ディスク製造
方法において、前記磁気ディスク全面をパーフロロカー
ボン系溶剤で洗浄した後、前記一般式（Ｉ）〜（III）
のパーフロロポリエーテル系化合物から選択される前記
保護膜表面と化学的に反応する官能基を有するパーフロ
ロポリエーテル系化合物を塗布し、前記CSS領域に1.5nm
以上の膜厚の潤滑膜を形成し、前記データ領域に1nm以
上の膜厚の潤滑膜を形成する磁気ディスク製造方法であ
る。
第10の手段は、第７の手段に記載の磁気ディスク製造
方法において、前記磁気ディスク全面を80℃以上に加熱
あるいは、紫外線照射した後、前記一般式（Ｉ）〜（II
I）のパーフロロポリエーテル系化合物から選択される
吸着性の官能基を有するパーフロロポリエーテル系化合
物を前記磁気ディスク全面に塗布し、次に前記データ領
域をパーフロロカーボン系溶剤で洗浄した後、前記一般
式（Ｉ）〜（III）のパーフロロポリエーテル系化合物
から選択される化学的に反応する官能基を有するパーフ
ロロポリエーテル系化合物を塗布し、前記CSS領域に1.5
nm以上の膜厚の潤滑膜を形成し、前記データ領域に1nm
以上の膜厚の潤滑膜を形成する磁気ディスク製造方法で
ある。
第11の手段は、磁気ヘッドと、磁気ヘッドを搭載した
磁気ヘッドスライダーと、非磁性基板上に下地膜，磁性
膜，保護膜を順に積層した磁気ディスクとを備えた磁気
記録再生装置において、該磁気ディスクが磁気ディスク
の回転起動時と回転停止時に前記磁気ヘッドスライダー
が位置する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCS
S領域と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスラ
イダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下の
データ領域とを備え、前記保護膜表面に前記一般式
（Ｉ）〜（III）で表されるパーフロロポリエーテル系
化合物の少なくとも一つ以上を含む潤滑膜が形成され、
該潤滑膜が前記保護膜表面に強固に固定される潤滑剤と
弱く固定される潤滑剤とから構成され、前記CSS領域に
形成される前記潤滑膜の固定の弱い潤滑剤の割合が、前
記CSS領域の潤滑剤総量に対して10％以上であり、前記
データ領域に形成される前記潤滑膜の固定の弱い潤滑剤
の割合が前記データ領域の潤滑剤総量に対して10％未満
であり、前記データ領域で前記磁気ヘッドスライダーと
磁気ディスク間で発生する最大静止摩擦係数が1.5以
下，動摩擦係数が1.0以下であり前記CSS領域で前記磁気
ヘッドスライダーと磁気ディスク間で発生する最大静止
摩擦係数が1.0以下，動摩擦係数が0.5以下である磁気記
録再生装置である。
第12の手段は、磁気ヘッドと、磁気ヘッドを搭載した
磁気ヘッドスライダーと、非磁性基板上に下地膜，磁性
膜，保護膜を順に積層した磁気ディスクとを備えた磁気
記録再生装置において、該磁気ディスクが磁気ディスク
の回転起動時と回転停止時に前記磁気ヘッドスライダー
が位置する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCS
S領域と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスラ
イダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下の
データ領域とを備え、前記保護膜表面に前記一般式
（Ｉ）〜（III）で表されるパーフロロポリエーテル系
化合物の少なくとも一つ以上を前記磁気ディスク全面に
塗布後、前記磁気ディスク全面を80℃以上で加熱あるい
は、前記磁気ディスク全面もしくは前記データ領域を紫
外線照射し、次に前記データ領域をパーフロロカーボン
系溶剤で洗浄し、前記CSS領域に形成した潤滑膜が1.5nm
以上の膜厚であり前記データ領域に形成した潤滑膜が1n
m以上の膜厚であり、前記データ領域で前記磁気ヘッド
スライダーと磁気ディスク間で発生する最大静止摩擦係
数が1.5以下，動摩擦係数が1.0以下であり前記CSS領域
で前記磁気ヘッドスライダーと磁気ディスク間で発生す
る最大静止摩擦係数が1.0以下，動摩擦係数が0.5以下で
ある磁気記録再生装置である。
第13の手段は、第12の手段に記載の磁気記録再生装置
において、前記磁気ディスクが、前記データ領域をパー
フロロカーボン系溶剤で洗浄後、前記CSS領域に前記一
般式（Ｉ）〜（III）で表されるパーフロロポリエーテ
ル系化合物から選択される吸着性の官能基を有するパー
フロロポリエーテル系化合物を塗布し、前記CSS領域に
形成した潤滑膜が1.5nm以上の膜厚であり前記データ領
域に形成した潤滑膜が1nm以上の膜厚であることを特徴
とする磁気記録再生装置である。
第14の手段は、第12の手段に記載の磁気記録再生装置
において、前記磁気ディスクが、前記データ領域をパー
フロロカーボン系溶剤で洗浄後、前記磁気ディスク全面
に前記一般式（Ｉ）〜（III）で表されるパーフロロポ
リエーテル系化合物から選択される該保護膜表面と化学
的に反応する官能基を有するパーフロロポリエーテル系
化合物を塗布し、前記CSS領域に形成した潤滑膜が15nm
以上の膜厚であり前記データ領域に形成した潤滑膜が1n
m以上の膜厚である磁気記録再生装置である。
第15の手段は、磁気ヘッドと、磁気ヘッドを搭載した
磁気ヘッドスライダーと、非磁性基板上に下地膜，磁性
膜，保護膜を順に積層した磁気ディスクとを備えた磁気
記録再生装置において、該磁気ディスクが磁気ディスク
の回転起動時と回転停止時に前記磁気ヘッドスライダー
が位置する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCS
S領域と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスラ
イダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下の
データ領域とを備え、前記保護膜表面に前記一般式
（Ｉ）〜（III）で表されるパーフロロポリエーテル系
化合物の少なくとも一つ以上を前記磁気ディスク全面に
塗布後、前記磁気ディスク全面を80℃以上で加熱あるい
は、前記磁気ディスク全面もしくは前記データ領域を紫
外線照射し、前記一般式（Ｉ）〜（III）で表されるパ
ーフロロポリエーテル系化合物から選択される吸着性の
官能基を有するパーフロロポリエーテル系化合物を前記
磁気ディスク全面に塗布し、次に前記データ領域をパー
フロロカーボン系溶剤で洗浄した後、前記一般式（Ｉ）
〜（III）で表されるパーフロロポリエーテル系化合物
から選択される化学的に反応する官能基を有するパーフ
ロロポリエーテル系化合物を塗布し、前記CSS領域に形
成した潤滑膜が1.5nm以上の膜厚であり前記データ領域
に形成した潤滑膜が1nmの膜厚であり、前記データ領域
で前記磁気ヘッドスライダーと磁気ディスク間で発生す
る最大静止摩擦係数が1.5以下，動摩擦係数が1.0以下で
あり前記CSS領域で前記磁気ヘッドスライダーと磁気デ
ィスク間で発生する最大静止摩擦係数が1.0以下，動摩
擦係数が0.5以下である磁気記録再生装置である。
第16の手段は、非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護
膜を順に積層した磁気ディスクにおいて、該磁気ディス
クの回転起動時と回転停止時に磁気ヘッドスライダーが
位置する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCSS
領域と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスライ
ダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下のデ
ータ領域とを備え、前記保護膜表面に前記一般式（IV）
〜（XIII） Ｆ（CF2CF2CF2O）ｎ−C2F4−CONH−C3H6 −Si（OC2H5）３ …（IV） Ｆ（CF（CF3）−CF2O）ｎ−CF（CF3）−CONH−C3H6 −Si（OC3H5）３ …（Ｖ） （C2H5O）3Si−C3H6−NHCO−（CF2CF2O）ｍ −（CF2O）ｎ−CONH−C3H6−Si（OC2H5）３ …（VI） C6H5−Ｏ−C6H4−H3N+ -OCO−（CF2CF2O）ｍ −（CF2O）ｎ−COO- +NH3−C6H4−Ｏ−C6H5 …（VII） Ｆ（CF2CF2CF2−Ｏ）ｎ−C2F4−CH2OH …（VIII） HO−CH2−（CF2CF2O）ｍ−（CF2O）ｎ−CH2OH …（IX） HO−（CH2CH2−Ｏ）ｐ−CH2CF2−（CF2CF2O）ｍ −（CF2O）ｎ−OCF2CH2（Ｃ−CH2CH2）ｑ−OH …（Ｘ） Ｆ（CF2CF2CF2O）ｎ−C2F4−COO- +NH3−C6H4−Ｏ −C6H5 …（XI） Ｆ（CF（CF3）−CF2O）ｎ−CF（CF3）−COO- +NH3 −C6H4−Ｏ−C6H5 …（XII） （但し、m,n,p,qは整数）で表されるパーフロロポリエ
ーテル系化合物の少なくとも一つ以上を含む潤滑剤を前
記磁気ディスク全面に塗布後、前記磁気ディスク全面を
80℃以上に加熱あるいは、前記磁気ディスク全面もしく
は前記データ領域に紫外線照射し、次いで前記CSS領域
をパーフロロカーボン系溶剤で洗浄することにより、前
記CSS領域に形成した1.5nm以上の膜厚の潤滑膜と前記デ
ータ領域に形成した1nm以上の膜厚の潤滑膜とを備えた
ことを特徴とする磁気ディスクである。
第17の手段は、非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護
膜を順に積層した磁気ディスクにおいて、該磁気ディス
クの回転起動時と回転停止時に磁気ヘッドスライダーが
位置する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCSS
領域と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスライ
ダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下のデ
ータ領域とを備え、前記保護膜表面に前記一般式（IV）
〜（XIII）で表されるパーフロロポリエーテル系化合物
の少なくとも一つ以上を含む潤滑剤を前記磁気ディスク
全面に塗布後、前記磁気ディスク全面を80℃以上に加熱
あるいは、前記磁気ディスク全面もしくは前記データ領
域に紫外線照射し、次いで前記磁気ディスク全面をパー
フロロカーボン系溶剤で洗浄し、前記CSS領域に前記一
般式（VII）〜（XIII）のパーフロロポリエーテル系化
合物から選択される吸着性の官能基を有するパーフロロ
ポリエーテル系化合物を塗布し、前記CSS領域に形成し
た1.5nm以上の膜厚の潤滑膜と前記データ領域に形成し
た1nm以上の膜厚の潤滑膜とを備えた磁気ディスクであ
る。
第18の手段は、非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護
膜を順に積層した磁気ディスクにおいて、該磁気ディス
クの回転起動時と回転停止時に磁気ヘッドスライダーが
位置する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCSS
領域と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスライ
ダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下のデ
ータ領域とを備え、前記保護膜表面に前記一般式（IV）
〜（XIII）で表されるパーフロロポリエーテル系化合物
の少なくとも一つ以上を含む潤滑剤を前記磁気ディスク
全面に塗布後、前記磁気ディスク全面を80℃以上に加熱
あるいは、前記磁気ディスク全面もしくは前記データ領
域に紫外線照射し、次いで前記データ領域をパーフロロ
カーボン系溶剤で洗浄し、前記データ領域に前記一般式
（IV）〜（VI）のパーフロロポリエーテル系化合物から
選択される該保護膜表面と化学的に反応する官能基を有
するパーフロロポリエーテル系化合物を塗布し、前記CS
S領域に形成した1.5nm以上の膜厚の潤滑膜と前記データ
領域に形成した1nm以上の膜厚の潤滑膜とを備えた磁気
ディスクである。
第19の手段は、非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護
膜を順に積層した磁気ディスクにおいて、該磁気ディス
クの回転起動時と回転停止時に磁気ヘッドスライダーが
位置する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCSS
領域と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスライ
ダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下のデ
ータ領域とを備え、前記保護膜表面に前記一般式（IV）
〜（VI）で表されるパーフロロポリエーテル系化合物の
少なくとも一つ以上を含む潤滑剤を前記磁気ディスク全
面に塗布後、前記磁気ディスク全面を80℃以上に加熱あ
るいは、前記磁気ディスク全面もしくは前記データ領域
に紫外線照射し、次いで前記保護膜表面に前記一般式
（VII）〜（XIII）で表されるパーフロロポリエーテル
系化合物から選択される吸着性の官能基を有するパーフ
ロロポリエーテル系化合物を前記磁気ディスク全面に塗
布し、次に前記データ領域をパーフロロカーボン系溶剤
で洗浄し、次に前記一般式（IV）〜（VI）のパーフロロ
ポリエーテル系化合物から選択される該保護膜表面と化
学的に反応する官能基を有するパーフロロポリエーテル
系化合物を塗布し、前記CSS領域に形成した1.5nm以上の
膜厚の潤滑膜と前記データ領域に形成した1nm以上の膜
厚の潤滑膜とを備えた磁気ディスクである。
第20の手段は、非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護
膜，潤滑膜を順に積層した磁気ディスクの製造方法にお
いて、該磁気ディスクの回転起動時と回転停止時に磁気
ヘッドスライダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa
10nm以上であるCSS領域と、前記磁気ディスクの回転中
に磁気ヘッドスライダーが位置する前記保護膜表面の粗
さがRa3nm以下のデータ領域とを形成し、次に前記保護
膜表面に前記一般式（IV）〜（XIII）で表されるパーフ
ロロポリエーテル系化合物の少なくとも一つ以上を含む
潤滑剤を前記磁気ディスク全面に塗布後、前記磁気ディ
スク全面を80℃以上に加熱あるいは、前記磁気ディスク
全面もしくは前記データ領域に紫外線照射し、次いで前
記データ領域をパーフロロカーボン系溶剤で洗浄し、前
記CSS領域に1.5nm以上の膜厚の潤滑膜を形成し、前記デ
ータ領域に1nm以上の膜厚の潤滑膜を形成する磁気ディ
スク製造方法である。
第21の手段は、非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護
膜，潤滑膜を順に積層した磁気ディスクの製造方法にお
いて、該磁気ディスクの回転起動時と回転停止時に磁気
ヘッドスライダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa
10nm以上であるCSS領域と、前記磁気ディスクの回転中
に磁気ヘッドスライダーが位置する前記保護膜表面の粗
さがRa3nm以下のデータ領域とを形成し、次に前記保護
膜表面に前記一般式（IV）〜（XIII）で表されるパーフ
ロロポリエーテル系化合物の少なくとも一つ以上を含む
潤滑剤を前記磁気ディスク全面に塗布後、前記磁気ディ
スク全面を80℃以上に加熱あるいは、前記磁気ディスク
全面もしくは前記データ領域に紫外線照射し、次いで前
記磁気ディスク全面をパーフロロカーボン系溶剤で洗浄
し、前記CSS領域に一般式（VII）〜（XIII）のパーフロ
ロポリエーテル系化合物から選択される吸着性の官能基
を有するパーフロロポリエーテル系化合物を塗布し、前
記CSS領域に1.5nm以上の膜厚の潤滑膜を形成し、前記デ
ータ領域に1nm以上の膜厚の潤滑膜を形成する磁気ディ
スク製造方法である。
第22の手段は、非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護
膜，潤滑膜を順に積層した磁気ディスクの製造方法にお
いて、該磁気ディスクの回転起動時と回転停止時に磁気
ヘッドスライダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa
10nm以上であるCSS領域と、前記磁気ディスクの回転中
に磁気ヘッドスライダーが位置する前記保護膜表面の粗
さがRa3nm以下のデータ領域とを形成し、次に前記保護
膜表面に前記一般式（IV）〜（XIII）で表されるパーフ
ロロポリエーテル系化合物の少なくとも一つ以上を含む
潤滑剤を前記磁気ディスク全面に塗布後、前記磁気ディ
スク全面を80℃以上に加熱あるいは、前記磁気ディスク
全面もしくは前記データ領域に紫外線照射し、次いで前
記磁気ディスク全面をパーフロロカーボン系溶剤で洗浄
し、前記データ領域に一般式（IV）〜（VI）のパーフロ
ロポリエーテル系化合物から選択される前記保護膜表面
と化学的に反応する官能基を有するパーフロロポリエー
テル系化合物を塗布し、前記CSS領域に1.5nm以上の膜厚
の潤滑膜を形成し、前記データ領域に1nm以上の膜厚の
潤滑膜を形成する磁気ディスク製造方法である。
第23の手段は、非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護
膜，潤滑膜を順に積層した磁気ディスクの製造方法にお
いて、該磁気ディスクの回転起動時と回転停止時に磁気
ヘッドスライダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa
10nm以上であるCSS領域と、前記磁気ディスクの回転中
に磁気ヘッドスライダーが位置する前記保護膜表面の粗
さがRa3nm以下のデータ領域とを形成し、次に前記保護
膜表面に前記一般式（IV）〜（VI）で表されるパーフロ
ロポリエーテル系化合物から選択される前記保護膜表面
と化学的に反応する官能基を有するパーフロロポリエー
テル系化合物を少なくとも一つ以上を前記磁気ディスク
全面に塗布し、前記磁気ディスク全面を80℃以上で加熱
あるいは、紫外線照射した後、前記一般式（VII）〜（X
III）で表されるパーフロロポリエーテル系化合物から
選択される吸着性の官能基を有するパーフロロポリエー
テル系化合物を前記磁気ディスク全面に塗布し、次に前
記データ領域をパーフロロカーボン系溶剤で洗浄し、次
に前記一般式（VI）〜（VI）のパーフロロポリエーテル
系化合物から選択される前記保護膜表面と化学的に反応
する官能基を有するパーフロロポリエーテル系化合物を
塗布し、前記CSS領域に1.5nm以上の膜厚の潤滑膜を形成
し、前記データ領域に1nm以上の膜厚の潤滑膜を形成す
る磁気ディスク製造方法である。
第24の手段は、磁気ヘッドと、磁気ヘッドを搭載した
磁気ヘッドスライダーと、非磁性基板上に下地膜，磁性
膜，保護膜を順に積層した磁気ディスクとを備えた磁気
記録再生装置において、該磁気ディスクが磁気ディスク
の回転起動時と回転停止時に前記磁気ヘッドスライダー
が位置する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCS
S領域と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスラ
イダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下の
データ領域とを備え、次に前記保護膜表面に前記一般式
（IV）〜（XIII）で表されるパーフロロポリエーテル系
化合物の少なくとも一つ以上を前記磁気ディスク全面に
塗布後、前記磁気ディスク全面を80℃以上で加熱あるい
は、前記磁気ディスク全面もしくは前記データ領域に紫
外線照射し、次に前記データ領域をパーフロロカーボン
系溶剤で洗浄し、前記CSS領域に形成した潤滑膜が1.5nm
以上の膜厚であり前記データ領域に形成した潤滑膜が1n
m以上の膜厚であり、前記データ領域で前記磁気ヘッド
スライダーと磁気ディスク間で発生する最大静止摩擦係
数が1.5以下，動摩擦係数が1.0以下であり前記CSS領域
で前記磁気ヘッドスライダーと磁気ディスク間で発生す
る最大静止摩擦係数が1.0以下，動摩擦係数が0.5以下で
ある磁気記録再生装置である。
第25の手段は、磁気ヘッドと、磁気ヘッドを搭載した
磁気ヘッドスライダーと、非磁性基板上に下地膜，磁性
膜，保護膜を順に積層した磁気ディスクとを備えた磁気
記録再生装置において、該磁気ディスクが磁気ディスク
の回転起動時と回転停止時に前記磁気ヘッドスライダー
が位置する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCS
S領域と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスラ
イダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下の
データ領域とを備え、次に前記保護膜表面に前記一般式
（IV）〜（XIII）で表されるパーフロロポリエーテル系
化合物の少なくとも一つ以上を前記磁気ディスク全面に
塗布後、前記磁気ディスク全面を80℃以上で加熱あるい
は、前記磁気ディスク全面もしくは前記データ領域に紫
外線照射し、次に前記データ領域全面をパーフロロカー
ボン系溶剤で洗浄し、前記CSS領域に前記一般式（VII）
〜（XIII）のパーフロロポリエーテル系化合物から選択
される吸着性の官能基を有するパーフロロポリエーテル
系化合物を塗布し、前記CSS領域に形成した潤滑膜が1.5
nm以上の膜厚であり前記データ領域に形成した潤滑膜が
1nm以上の膜厚であり、前記データ領域で前記磁気ヘッ
ドスライダーと磁気ディスク間で発生する最大静止摩擦
係数が1.5以下，動摩擦係数が1.0以下であり前記CSS領
域で前記磁気ヘッドスライダーと磁気ディスク間で発生
する最大静止摩擦係数が1.0以下，動摩擦係数が0.5以下
である磁気記録再生装置である。
第26の手段は、磁気ヘッドと、磁気ヘッドを搭載した
磁気ヘッドスライダーと、非磁性基板上に下地膜，磁性
膜，保護膜を順に積層した磁気ディスクとを備えた磁気
記録再生装置において、該磁気ディスクが磁気ディスク
の回転起動時と回転停止時に前記磁気ヘッドスライダー
が位置する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCS
S領域と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスラ
イダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下の
データ領域とを備え、次に前記保護膜表面に前記一般式
（IV）〜（XIII）で表されるパーフロロポリエーテル系
化合物の少なくとも一つ以上を前記磁気ディスク全面に
塗布後、前記磁気ディスク全面を80℃以上で加熱あるい
は、前記磁気ディスク全面もしくは前記データ領域を紫
外線照射し、次に前記データ領域をパーフロロカーボン
系溶剤で洗浄した後、前記一般式（IV）〜（VI）のパー
フロロポリエーテル系化合物から選択される前記保護膜
表面と化学的に反応する官能基を有するパーフロロポリ
エーテル系化合物を塗布し、前記CSS領域に形成した潤
滑膜が1.5nm以上の膜厚であり前記データ領域に形成し
た潤滑膜が1nm以上の膜厚であり、前記データ領域で前
記磁気ヘッドスライダーと磁気ディスク間で発生する最
大静止摩擦係数が1.5以下，動摩擦係数が1.0以下であり
前記CSS領域で前記磁気ヘッドスライダーと磁気ディス
ク間で発生する最大静止摩擦係数が1.0以下，動摩擦係
数が0.5以下である磁気記録再生装置である。
第27の手段は、非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護
膜，潤滑膜を順に積層した磁気ディスクの製造方法にお
いて、該磁気ディスクの回転起動時と回転停止時に磁気
ヘッドスライダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa
10nm以上であるCSS領域と、前記磁気ディスクの回転中
に磁気ヘッドスライダーが位置する前記保護膜表面の粗
さがRa3nm以下のデータ領域とを形成し、次に前記保護
膜表面に前記一般式（IV）〜（VI）で表されるパーフロ
ロポリエーテル系化合物から選択される前記保護膜表面
と化学的に反応する官能基を有するパーフロロポリエー
テル系化合物を少なくとも一つ以上を前記磁気ディスク
全面に塗布し、前記磁気ディスク全面を80℃以上で加熱
あるいは、紫外線照射した後、前記一般式（VII）〜（X
III）で表されるパーフロロポリエーテル系化合物から
選択される吸着性の官能基を有するパーフロロポリエー
テル系化合物を前記磁気ディスクに塗布し、次に前記デ
ータ領域をパーフロロカーボン系溶剤で洗浄し、次に前
記一般式（IV）〜（VI）のパーフロロポリエーテル系化
合物から選択される前記保護膜表面と化学的に反応する
官能基を有するパーフロロポリエーテル系化合物を塗布
し、前記CSS領域に形成した潤滑膜が1.5nm以上の膜厚で
あり前記データ領域に形成した潤滑膜が1nm以上の膜厚
であり、前記データ領域で前記磁気ヘッドスライダーと
磁気ディスク間で発生する最大静止摩擦係数が1.5以
下，動摩擦係数が1.0以下であり前記CSS領域で前記磁気
ヘッドスライダーと磁気ディスク間で発生する最大静止
摩擦係数が1.0以下，動摩擦係数が0.5以下である磁気記
録再生装置である。
第28の手段は、第１の手段において該磁気ディスクの
直径が88.9mm以下である磁気ディスクである。
第29の手段は、第７の手段において該磁気ディスクの
直径が88.9mm以下である磁気ディスクである。
第30の手段は、第11の手段において該磁気ディスクの
直径が88.9mm以下である磁気ディスクである。
本発明は、CSS領域には固定の強い潤滑剤と固定の弱
い潤滑剤とで構成される潤滑層を形成して連続摺動耐久
性を確保し、データ領域には主に固定の強い潤滑剤で構
成される潤滑層を形成して粘着を軽減できる技術であ
る。この際、固定の弱い潤滑剤が少ないデータ領域の潤
滑層は、近年の浮上量低下による偶発的なデータ領域で
の接触摺動にも対応するため、膜厚もある程度厚くする
必要がある。このため、反応型や高吸着性の官能基を有
する潤滑剤を選択したり加熱やUV処理で固定の強い潤滑
剤の層を厚くするだけでなく、データ領域のみ再塗布す
る。逆にCSS領域では、固定の弱い潤滑剤が少ない場
合、再度CSS領域に潤滑剤を塗布する。この様な構成の
潤滑膜を形成することによりデータ領域とCSS領域の各
領域で要求される摺動性能を満足できる信頼性の高い磁
気ディスク並びに磁気ディスク装置を得ることができ
る。
図面の簡単な説明 第１図は本実施例１で作製した磁気ディスクの外観図
並びにCSS領域とデータゾーンの境界部３の断面図であ
る。
第２図はCSS領域と粘着試験の測定装置の概略図であ
る。
第３図は本発明実施例の磁気記録再生装置の断面図で
ある。
発明を実施するための最良の形態 以下本発明の実施例を示すが、本発明はこれらの実施
例によって限定されない。
〔実施例１〕 表面を鏡面研磨した直径3.5インチのアルミ合金製基
板の上にNiP下地膜10μm,Cr膜0.5μm,Co−Cr−Pt膜60n
m,カーボン保護膜20nmを順にスパッタリングで形成した
磁気ディスクを準備した。次に、この磁気ディスクの半
径15mmから20mmの領域に直径0.5μｍのフッ素樹脂粒子
を静電塗布し、磁気ディスク全面を酸素によって10nmエ
ッチングした後、フッ素樹脂粒子を水洗除去した。これ
により半径15mmから20mmの領域に直径0.5μｍの円筒状
突起を均一に形成した。すなわち、半径15mmから20mmの
領域には中心線平均粗さでRa15nmのCSS領域が形成さ
れ、それ以外の領域は、中心線平均粗さでRa1.2nmの平
滑なデータ領域が形成されている。次に、下記一般式
（IV）で示される Ｆ（CF2CF2CF2O）ｎ−C2F4−CONH−C3H6 −Si（OC2H5）３ …（IV） パーフロロポリエーテル系化合物（IV）をフッ素系溶剤
（住友3M社製,PF5052）に0.01wt％の濃度で溶解させた
溶液（１）を作製した。この溶液（１）をディップ法に
より磁気ディスクに塗布し、十分乾燥させた。ディップ
塗布の条件は、以下の通りである。
溶液への浸入速度:10mm/s 溶液中での滞留時間:180s 溶液からの引き上げ速度:2.5mm/s 次に塗布した磁気ディスクを100℃で2h加熱処理し
た。これによって、このパーフロロポリエーテル系化合
物（IV）は、保護膜表面と化学的に反応してディスク表
面に強固に固定される。その後、下記一般式（XI）で示
される Ｆ（CF2CF2CF2O）ｎ−C2F4−COO- +NH3−C6H4−Ｏ −C6H5 …（XI） パーフロロポリエーテル系化合物（XI）をフッ素系溶剤
（住友3M社製,PF5052）に0.001wt％の濃度で溶解させた
溶液（２）を上記の条件でディップ法により磁気ディス
クに塗布し、十分乾燥させた。
次に、この塗布ディスクのデータ領域のみを上記フッ
素系溶剤により洗浄した。洗浄はデータ領域をフッ素系
溶剤に浸漬した状態でディスクを回転させる方法とスピ
ンナーを利用してディスクを回転させながらノズルから
噴出されるフッ素系溶剤をデータ領域にのみ当てる方式
がある。本実施例では、スピンナーを利用する方式を採
用した。スピンナーの回転数は、1000rpmでノズルから
のフッ素系溶剤の噴出量は50ml/minである。
このようにして作製したスパッタ磁気ディスクは、CS
S領域にディスク表面と化学的に反応した潤滑層、すな
わち固定の強い潤滑層とパーフロロポリエーテル系化合
物（XI）で構成される固定の弱い潤滑層とが形成されて
いる。さらに、データ領域には殆どがパーフロロポリエ
ーテル系化合物（IV）で構成される固定の強い潤滑層の
みが形成されている。データ領域の潤滑層の膜厚は2.2n
m,CSS領域の潤滑層の膜厚は2.7nmである。第１図に本実
施例で作製した磁気ディスクの外観図並びにCSS領域と
データ領域の境界部３の断面図を示す。
前記のスパッタ磁気ディスクについてCSS（Contact−
Start−Stop）試験と粘着試験を下記の実験条件で実施
した。第２図に測定装置の概要を示す。
測定する磁気ディスク７は、装置下部のモーターと直
結のスピンドル８に取り付け、ディスク押さえ９で固定
している。ヘッドスライダー12は、ディスクの回転方向
と順方向にレール面が接するインラインタイプ（Al2O3T
iC製20T）のものであり、ロードセル10に接続されてい
るアーム13に固定されている。ロードセル10を固定して
いるステージ11は、半径方向に移動可能であり、各トッ
ラクでの評価が可能である。モーターを回転させること
によりヘッドスライダー12と磁気ディスク７間で発生す
る摩擦力をロードセルで測定する。
CSS評価実験において、CSS領域では、ディスクの回転
と停止を短い周期で繰り返して行い、CSS回数10万回ま
で実施した。この間、CSS回数１回,50回,100回,500回,1
000回,5000回,10000回その後は、10000回毎にディスク
を停止させ、ヘッドを２秒間接触させた後10rpmで回転
させた時の最大動摩擦力を測定した。また、ディスクが
クラッシュするCSS回数も測定した。ディスクのクラッ
シュは、潤滑膜の下地であるカーボン保護膜が完全に摩
耗し、磁性膜が露出した状態であり、クラッシュが発生
すると目視で確認できる摺動痕が発生し、そこまでのCS
S回数を測定し、実験を中止した。なお、10万回以下で
ディスクがクラッシュした場合の最大動摩擦力は、ディ
スクがクラッシュしたCSS回数までの最大動摩擦係数を
採用した。ディスクの最大回転数は5400rpmで、ヘッド
の押し付け荷重は3.0gである。一方、データ領域では、
ヘッドは通常浮上した状態にあるので、ヘッドを浮上さ
せる状態で20時間ディスクを稼働させた。ただし、磁気
ディスク装置の偶発的なトラブルでディスクが停止した
場合を想定し、実験開始から４時間,8時間,12時間,16時
間,20時間（測定終了時）の各時点でディスクを停止さ
せ、CSS領域での測定と同様、ヘッドを２秒間接触させ
た後10rpmで回転させた時の最大動摩擦力を測定した。
また、ディスク表面の摺動痕についても観察し、クラッ
シュの場合は、その時点で実験を中止した。
粘着の測定は、ヘッド・スライダーとディスクを12時
間接触させた後、ディスクを低速で回転させ、回転直後
に発生する最大静止摩擦力を測定した。測定は、CSS領
域，データ領域ともヘッドの押し付け荷重3.0g,ディス
ク回転数1rpmで行った。第１表に上記の評価結果を示
す。
本実施例を、同じ磁気ディスク表面に本実施例で使用
したパーフロロポリエーテル系化合物（IV）だけを塗布
した比較例１と比較すると、本実施例では、データ領
域,CSS領域ともCSS試験，粘着試験で良好な結果が得ら
れているのに対し、比較例１ではデータ領域での粘着は
低いものの、CSS領域でのCSS試験でディスクがクラッシ
ュしている。また、本実施例と同様にパーフロロポリエ
ーテル系化合物（IV）の次にパーフロロポリエーテル系
化合物（XI）を塗布して、データ領域の洗浄を行わない
比較例２では、CSS領域での結果は良好であるのに対
し、データ領域で強い粘着が発生している。
〔実施例２〕 実施例１と同じスパッタ磁気ディスクを準備した。次
に下記一般式（VI）に示すパーフロロポリエーテル化合
物（VI）を実施例１と同じフッ素系溶剤に0.005wt％溶
解した溶液を作製し、実施例１と同条件でディップ塗布
後120℃で10分間熱処理した後、同じフッ素系溶剤にて
磁気ディスク全面を洗浄した。この場合の潤滑層の膜厚
は0.75nmである。
（C2H5O）3Si−C3H6−NHCO−（CF2CF2O）ｍ −（CF2O）ｎ−CONH−C3H6−Si（OC2H5）３ …（VI） 次に下記一般式（VIII）に示すフッ素系潤滑剤（VII
I）を前記フッ素系溶剤に0.007wt％溶解させた溶液を作
製し、 Ｆ（CF2CF2CF2−Ｏ）ｎ−C2F4−CH2OH …（VIII） 実施例１と同様に塗布し、データ領域のみ同フッ素系溶
剤にて洗浄した。さらに上記のパーフロロポリエーテル
化合物（VI）の0.005wt％溶液をデータ領域にスピンナ
ーを使用し再度塗布した。データー領域の潤滑層の膜厚
は1.96nmで、CSS領域の潤滑層の膜厚は、1.84nmであ
る。
本実施例で作製した潤滑膜のCSS特性と粘着特性を実
施例１と同様の手法で測定した。第１表に結果を示す。
本実施例においてパーフロロポリエーテル化合物（VI）
を再度塗布しなかった比較例３と比較して本実施例の結
果は、CSS特性並びに粘着特性の両方において優れてい
るのに対し、比較例３ではCSSゾーンでは本実施例と同
等であるのに対し、データ領域で摺動痕が発生してい
る。これはデータゾーンではヘッドは浮上しているもの
の、浮上量が低いためにディスク回転中にもヘッドとデ
ィスクが接触していると考えられ、比較例３ではデータ
領域の潤滑層が十分な摺動耐久性を維持できるほどの膜
厚でないことが原因である。
〔実施例３〕 実施例１と同じスパッタ磁気ディスクを準備した。次
に下記構造式（XIII）に示すパーフロロポリエーテル化
合物（XIII）を実施例１と同じフッ素系溶剤に0.005wt
％で溶解させた溶液を作製し、同条件でディップ塗布後
110℃で２時間熱処理した後、同じフッ素系溶剤にて全
面を洗浄した。この潤滑層の膜厚は0.8nmである。
次に下記構造式（VII）に示すパーフロロポリエーテ
ル化合物（VII）を前記フッ素系溶剤に0.007wt％溶解さ
せた溶液を作製し、 C6H5−Ｏ−C6H4−H3N+ -OCO−（CF2CF2O）ｍ −（CF2O）ｎ−COO- +NH3−C6H4−Ｏ−C6H5 …（VII） 実施例１と同様に塗布し、データ領域のみ110℃で２時
間熱処理した後、同フッ素系溶剤にて洗浄した。データ
領域の膜厚は、1.85nm、CSS領域の潤滑層の膜厚は、2.3
1nmである。本実施例で作製した潤滑膜のCSS特性と粘着
特性を実施例１と同様の手法で測定した。第１表に結果
を示す。本実施例においてパーフロロポリエーテル化合
物（VII）を塗布した後、データ領域の洗浄をしなかっ
た比較例４と比較して本実施例の結果は、CSS特性並び
に粘着特性の両方において優れているのに対し、比較例
４のCSS領域は本実施例と同等であるのが、データ領域
に強い粘着を生じた。
〔実施例４〕 実施例１で作製した磁気ディスクを3.5インチ用磁気
記録再生装置に搭載した。第３図に装置の概略図を示
す。この磁気記録再生装置と比較例２で作製した磁気デ
ィスクを搭載した同型の3.5インチ用磁気記録再生装置
（比較例５）を稼働中に電源を一旦切って強制的にデー
タ領域で停止させ、24時間放置した。その後再起動させ
た結果、本実施例の磁気ディスク装置は起動して記録再
生に異常は認められなかったのに対し、比較例５の磁気
記録再生装置は起動できず、記録再生が不能となった。
比較例５の装置内のディスクを確認した結果、データ領
域でヘッドスライダーとディスク間で強い粘着が発生し
ていることが判った。
〔比較例１〕 実施例１と同じスパッタ磁気ディスクを準備した。次
に、実施例１で使用した下記一般式（IV） Ｆ（CF2CF2CF2O）ｎ−C2F4−CONH−C3H6 −Si（OC2H5）３ …（IV） のパーフロロポリエーテル系化合物（IV）をフッ素系溶
剤（住友3M社製,PF5052）に0.01wt％の濃度で溶解させ
た溶液（１）を作製した。この溶液（１）を実施例１と
同条件でディップ法により磁気ディスクに塗布し、十分
乾燥させた後、100℃で2h加熱処理した。この場合の潤
滑層の膜厚は、1.3nmある。このようにして作製したデ
ィスクについて、実施例１と同様にCSS試験と粘着試験
を実施した。第１表に結果を示す。
〔比較例２〕 実施例１と同じスパッタ磁気ディスクを準備した。次
に、実施例１で使用した下記一般式（IV） Ｆ（CF2CF2CF2O）ｎ−C2F4−CONH−C3H6 −Si（OC2H5）３ …（IV） のパーフロロポリエーテル系化合物（IV）をフッ素系溶
剤（住友3M社製,PF5052）に0.01wt％の濃度で溶解させ
た溶液（１）を作製した。この溶液（１）を実施例１と
同条件でディップ法により磁気ディスクに塗布し、十分
乾燥させた後、100℃で2h加熱処理した。次に実施例１
で使用した下記構造式（XI） Ｆ（CF2CF2CF2O）ｎ−C2F4−COO- +NH3−C6H4−Ｏ −C6H5 …（XI） のパーフロロポリエーテル系化合物（XI）をフッ素系溶
剤（住友3M社製,PF5052）に0.001wt％の濃度で溶解させ
た溶液（２）を作製した。この溶液（２）を実施例１と
同条件でディップ法により磁気ディスクに塗布した。デ
ータ領域とCSS領域との潤滑層の膜厚は、2.7nmである。
このようにして作製したディスクについて、実施例１と
同様にCSS試験と粘着試験を実施した。第１表に結果を
示す。
〔比較例３〕 実施例１と同じスパッタ磁気ディスクを準備した。次
に実施例２で使用した下記構造式（VI） （C2H5O）3Si−C3H6−NHCO−（CF2CF2O）ｍ −（CF2O）ｎ−CONH−C3H6−Si（OC2H5）３ …（VI） のパーフロロポリエーテル化合物（VI）を実施例１と同
じフッ素系溶剤に0.005wt％で溶解させた溶液を作製
し、同条件でディップ塗布後110℃で２時間熱処理した
後、同じフッ素系溶剤にて全面を洗浄した。
次に実施例２で使用した下記構造式（VIII） Ｆ（CF2CF2CF2−Ｏ）ｎ−C2F4−CH2OH …（VIII） のパーフロロポリエーテル化合物（VIII）を前記フッ素
系溶剤に0.007wt％溶解させた溶液を作製し、実施例１
と同様に塗布し、データ領域のみ同フッ素系溶剤にて洗
浄した。データ領域の潤滑層の膜厚は0.75nmで、CSS領
域の潤滑層の膜厚は1.84nmである。このようにして作製
したディスクについて、実施例１と同様にCSS試験と粘
着試験を実施した。第１表に結果を示す。
〔比較例４〕 実施例１と同じスパッタ磁気ディスクを準備した。次
に、実施例３で使用した下記構造式（XIII） のパーフロロポリエーテル化合物（XIII）を実施例１と
同じフッ素系溶剤に0.005wt％で溶解させた溶液を作製
し、同条件でディップ塗布後110℃で２時間熱処理した
後、同じフッ素系溶剤にて全面を洗浄した。
次に実施例３で使用した下記構造式（VII） C6H5−Ｏ−C6H4−H3N+ -OCO−（CF2CF2O）ｍ −（CF2O）ｎ−COO- +NH3−C6H4−Ｏ−C6H5 …（VII） のパーフロロポリエーテル化合物（VII）を前記フッ素
系溶剤に0.007wt％溶解させた溶液を作製し、実施例３
と同様にディスク全面に塗布した。データ領域,CSS領域
とも潤滑層の膜厚は、2.31nmである。このようにして作
製したディスクについて、実施例１と同様にCSS試験と
粘着試験を実施した。第１表に結果を示す。
〔比較例５〕 比較例２で作製した磁気ディスクを実施例１で作製し
た磁気ディスクを3.5インチ用磁気記録再生装置に搭載
し、稼働中に電源を一旦切って装置を強制的に停止さ
せ、24時間放置した後、再起動させた。その結果、前記
の通り本比較例の磁気記録再生装置は起動できず、記録
再生が不能となった。これは、データ領域に吸着の弱い
潤滑剤が多く存在するために、ヘッドスライダーとディ
スク間で強い粘着が発生したためである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 豊 茨城県高萩市大和町１−16−３ (56)参考文献 特開 平３−93037（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−311812（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−265017（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−18517（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−4857（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−105719（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−62148（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−76273（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/62 - 5/858

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護膜を
    順に積層した磁気ディスクにおいて、該磁気ディスクの
    回転起動時と回転停止時に磁気ヘッドスライダーが位置
    する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCSS領域
    と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスライダー
    が位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下のデータ
    領域とを備え、前記保護膜表面に下記一般式（Ｉ）〜
    （III） R1−Ｘ−（CF2CF2O）ｍ−（CF2O）ｎ−Ｘ−R2 …（Ｉ） Ｆ（CF2CF2CF2−Ｏ）ｎ−C2F4−Ｘ−R3 …（II） Ｆ−（CF（CF3）−CF2−Ｏ）ｎ−CF（CF3）−Ｘ−R4 …（III） （但し、m,nは整数、R1,R2,R3,R4は炭化水素鎖、Ｘは２
    価の結合基）で表されるパーフロロポリエーテル系化合
    物の少なくとも一つ以上を含む潤滑膜が形成され、該潤
    滑膜が前記保護膜表面に強固に固定される潤滑剤と弱く
    固定される潤滑剤とから構成され、前記CSS領域に形成
    される前記潤滑膜の固定の弱い潤滑剤の割合が、前記CS
    S領域の潤滑剤総量に対して10％以上であり、前記デー
    タ領域に形成される前記潤滑膜の固定の弱い潤滑剤の割
    合が前記データ領域の潤滑剤総量に対して10％未満であ
    ることを特徴とする磁気ディスク。
  2. 【請求項２】前記潤滑膜が、パーフロロカーボン系溶剤
    で洗浄除去されずに前記保護膜表面に強固に固定される
    潤滑剤とパーフロロカーボン系溶剤で洗浄除去される固
    定の弱い潤滑剤とから構成されることを特徴とする請求
    の範囲第１項に記載の磁気ディスク。
  3. 【請求項３】非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護膜を
    順に積層した磁気ディスクにおいて、該磁気ディスクの
    回転起動時と回転停止時に磁気ヘッドスライダーが位置
    する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCSS領域
    と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスライダー
    が位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下のデータ
    領域とを備え、前記保護膜表面に下記一般式（Ｉ）〜
    （III） R1−Ｘ−（CF2CF2O）ｍ−（CF2O）ｎ−Ｘ−R2 …（Ｉ） Ｆ（CF2CF2CF2−Ｏ）ｎ−C2F4−Ｘ−R3 …（II） Ｆ−（CF（CF3）−CF2−Ｏ）ｎ−CF（CF3）−Ｘ−R4 …（III） （但し、m,nは整数、R1,R2,R3,R4は炭化水素鎖、Ｘは２
    価の結合基）で表されるパーフロロポリエーテル系化合
    物の少なくとも一つ以上を含む潤滑膜を前記磁気ディス
    ク全面に塗布後、前記磁気ディスク全面を80℃以上に加
    熱あるいは、全面もしくは前記データ領域に紫外線照射
    し、次いで前記CSS領域をパーフロロカーボン系溶剤で
    洗浄することにより、前記CSS領域に形成した1.5nm以上
    の膜厚の潤滑膜と前記データ領域に形成した1nm以上の
    膜厚の潤滑膜とを備えたことを特徴とする磁気ディス
    ク。
  4. 【請求項４】非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護膜を
    順に積層した磁気ディスクにおいて、該磁気ディスクの
    回転起動時と回転停止時に磁気ヘッドスライダーが位置
    する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCSS領域
    と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスライダー
    が位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下のデータ
    領域とを備え、前記保護膜表面に下記一般式（Ｉ）〜
    （III） R1−Ｘ−（CF2CF2O）ｍ−（CF2O）ｎ−Ｘ−R2 …（Ｉ） Ｆ（CF2CF2CF2−Ｏ）ｎ−C2F4−Ｘ−R3 …（II） Ｆ−（CF（CF3）−CF2−Ｏ）ｎ−CF（CF3）−Ｘ−R4 …（III） （但し、m,nは整数、R1,R2,R3,R4は炭化水素鎖、Ｘは２
    価の結合基）で表されるパーフロロポリエーテル系化合
    物の少なくとも一つ以上を含む潤滑膜を前記磁気ディス
    ク全面に塗布後、前記磁気ディスク全面を80℃以上に加
    熱あるいは、全面もしくは前記データ領域に紫外線照射
    し、次いで前記磁気ディスク全面をパーフロロカーボン
    系溶剤で洗浄し、次に前記CSS領域に上記一般式（Ｉ）
    〜（III）のパーフロロポリエーテル系化合物から選択
    される吸着性の官能基を有するパーフロロポリエーテル
    系化合物を塗布することにより、前記CSS領域に形成し
    た1.5nm以上の膜厚の潤滑膜と前記データ領域に形成し
    た1nm以上の膜厚の潤滑膜とを備えたことを特徴とする
    磁気ディスク。
  5. 【請求項５】非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護膜を
    順に積層した磁気ディスクにおいて、該磁気ディスクの
    回転起動時と回転停止時に磁気ヘッドスライダーが位置
    する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCSS領域
    と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスライダー
    が位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下のデータ
    領域とを備え、前記保護膜表面に下記一般式（Ｉ）〜
    （III） R1−Ｘ−（CF2CF2O）ｍ−（CF2O）ｎ−Ｘ−R2 …（Ｉ） Ｆ（CF2CF2CF2−Ｏ）ｎ−C2F4−Ｘ−R3 …（II） Ｆ−（CF（CF3）−CF2−Ｏ）ｎ−CF（CF3）−Ｘ−R4 …（III） （但し、m,nは整数、R1,R2,R3,R4は炭化水素鎖、Ｘは２
    価の結合基）で表されるパーフロロポリエーテル系化合
    物の少なくとも一つ以上を含む潤滑膜を前記磁気ディス
    ク全面に塗布後、前記磁気ディスク全面を80℃以上に加
    熱あるいは、前記磁気ディスク全面もしくは前記データ
    領域を紫外線照射し、次いで前記磁気ディスク全面をパ
    ーフロロカーボン系溶剤で洗浄し、次に前記データ領域
    に上記一般式（Ｉ）〜（III）のパーフロロポリエーテ
    ル系化合物から選択される前記保護膜表面と化学的に反
    応する官能基を有するパーフロロポリエーテル系化合物
    を塗布することにより、前記CSS領域に形成した1.5nm以
    上の膜厚の潤滑膜と前記データ領域に形成した1nm以上
    の膜厚の潤滑膜とを備えたことを特徴とする磁気ディス
    ク。
  6. 【請求項６】非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護膜を
    順に積層した磁気ディスクにおいて、該磁気ディスクの
    回転起動時と回転停止時に磁気ヘッドスライダーが位置
    する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCSS領域
    と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスライダー
    が位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下のデータ
    領域とを備え、前記保護膜表面に下記一般式（Ｉ）〜
    （III） R1−Ｘ−（CF2CF2O）ｍ−（CF2O）ｎ−Ｘ−R2 …（Ｉ） Ｆ（CF2CF2CF2−Ｏ）ｎ−C2F4−Ｘ−R3 …（II） Ｆ−（CF（CF3）−CF2−Ｏ）ｎ−CF（CF3）−Ｘ−R4 …（III） （但し、m,nは整数、R1,R2,R3,R4は炭化水素鎖、Ｘは２
    価の結合基）で表される前記保護膜表面と化学的に反応
    する官能基を有するパーフロロポリエーテル系化合物の
    少なくとも一つ以上を含む潤滑膜を前記磁気ディスク全
    面に塗布後、前記磁気ディスク全面を80℃以上に加熱あ
    るいは、全面もしくは前記データ領域に紫外線照射し、
    次いで前記磁気ディスク全面をパーフロロカーボン系溶
    剤で洗浄し、次にデータ領域に上記一般式（Ｉ）〜（II
    I）のパーフロロポリエーテル系化合物から選択される
    前記保護膜表面と化学的に反応する官能基を有するパー
    フロロポリエーテル系化合物を塗布することにより、前
    記CSS領域に形成した1.5nm以上の膜厚の潤滑膜と前記デ
    ータ領域に形成した1nm以上の膜厚の潤滑膜とを備えた
    ことを特徴とする磁気ディスク。
  7. 【請求項７】非磁性基板上に下地膜，磁性膜，保護膜，
    潤滑膜を順に積層した磁気ディスクの製造方法におい
    て、該磁気ディスクの回転起動時と回転停止時に磁気ヘ
    ッドスライダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa10
    nm以上であるCSS領域と、前記磁気ディスクの回転中に
    磁気ヘッドスライダーが位置する前記保護膜表面の粗さ
    がRa3nm以下のデータ領域とを形成し、次に前記保護膜
    表面に下記一般式（Ｉ）〜（III） R1−Ｘ−（CF2CF2O）ｍ−（CF2O）ｎ−Ｘ−R2 …（Ｉ） Ｆ（CF2CF2CF2−Ｏ）ｎ−C2F4−Ｘ−R3 …（II） Ｆ−（CF（CF3）−CF2−Ｏ）ｎ−CF（CF3）−Ｘ−R4 …（III） （但し、m,nは整数、R1,R2,R3,R4は炭化水素鎖、Ｘは２
    価の結合基）で表されるパーフロロポリエーテル系化合
    物の少なくとも一つ以上を含む潤滑剤を前記磁気ディス
    ク全面に塗布し、次いで前記磁気ディスク全面を80℃以
    上に加熱あるいは、前記磁気ディスク全面もしくは前記
    データ領域に紫外線照射し、次いで前記CCS領域をパー
    フロロカーボン系溶剤で洗浄することにより、前記CSS
    領域に1.5nm以上の膜厚の潤滑膜を形成し、前記データ
    領域に1nm以上の膜厚の潤滑膜を形成することを特徴と
    する磁気ディスク製造方法。
  8. 【請求項８】請求の範囲第７項に記載の磁気ディスク製
    造方法において、前記磁気ディスク全面をパーフロロカ
    ーボン系溶剤で洗浄した後、前記CSS領域に前記一般式
    （Ｉ）〜（III）のパーフロロポリエーテル系化合物か
    ら選択される吸着性の官能基を有するパーフロロポリエ
    ーテル系化合物を塗布し、前記CSS領域に1.5nm以上の膜
    厚の潤滑膜を形成し、前記データ領域に1nm以上の膜厚
    の潤滑膜を形成することを特徴とする磁気ディスク製造
    方法。
  9. 【請求項９】請求の範囲第７項に記載の磁気ディスク製
    造方法において、前記磁気ディスク全面をパーフロロカ
    ーボン系溶剤で洗浄した後、前記一般式（Ｉ）〜（II
    I）のパーフロロポリエーテル系化合物から選択される
    前記保護膜表面と化学的に反応する官能基を有するパー
    フロロポリエーテル系化合物を塗布し、前記CSS領域に
    1.5nm以上の膜厚の潤滑膜を形成し、前記データ領域に1
    nm以上の膜厚の潤滑膜を形成することを特徴とする磁気
    ディスク製造方法。
  10. 【請求項１０】請求の範囲第７項に記載の磁気ディスク
    製造方法において、前記磁気ディスク全面を80℃以上に
    加熱あるいは、紫外線照射した後、前記一般式（Ｉ）〜
    （III）のパーフロロポリエーテル系化合物から選択さ
    れる吸着性の官能基を有するパーフロロポリエーテル系
    化合物を前記磁気ディスク全面に塗布し、次に前記デー
    タ領域をパーフロロカーボン系溶剤で洗浄した後、前記
    一般式（Ｉ）〜（III）のパーフロロポリエーテル系化
    合物から選択される化学的に反応する官能基を有するパ
    ーフロロポリエーテル系化合物を塗布し、前記CSS領域
    に1.5nm以上の膜厚の潤滑膜を形成し、前記データ領域
    に1nm以上の膜厚の潤滑膜を形成することを特徴とする
    磁気ディスク製造方法。
  11. 【請求項１１】磁気ヘッドと、磁気ヘッドを搭載した磁
    気ヘッドスライダーと、非磁性基板上に下地膜，磁性
    膜，保護膜を順に積層した磁気ディスクとを備えた磁気
    記録再生装置において、該磁気ディスクが磁気ディスク
    の回転起動時と回転停止時に前記磁気ヘッドスライダー
    が位置する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCS
    S領域と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスラ
    イダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下の
    データ領域とを備え、前記保護膜表面に下記一般式
    （Ｉ）〜（III） R1−Ｘ−（CF2CF2O）ｍ−（CF2O）ｎ−Ｘ−R2 …（Ｉ） Ｆ（CF2CF2CF2−Ｏ）ｎ−C2F4−Ｘ−R3 …（II） Ｆ−（CF（CF3）−CF2−Ｏ）ｎ−CF（CF3）−Ｘ−R4 …（III） （但し、m,nは整数、R1,R2,R3,R4は炭化水素鎖、Ｘは２
    価の結合基）で表されるパーフロロポリエーテル系化合
    物の少なくとも一つ以上を含む潤滑膜が形成され、該潤
    滑膜が前記保護膜表面に強固に固定される潤滑剤と弱く
    固定される潤滑剤とから構成され、前記CSS領域に形成
    される前記潤滑膜の固定の弱い潤滑剤の割合が、前記CS
    S領域の潤滑剤総量に対して10％以上であり、前記デー
    タ領域に形成される前記潤滑膜の固定の弱い潤滑剤の割
    合が前記データ領域の潤滑剤総量に対して10％未満であ
    り、前記データ領域で前記磁気ヘッドスライダーと磁気
    ディスク間で発生する最大静止摩擦係数が1.5以下，動
    摩擦係数が1.0以下であり前記CSS領域で前記磁気ヘッド
    スライダーと磁気ディスク間で発生する最大静止摩擦係
    数が1.0以下，動摩擦係数が0.5以下であることを特徴と
    する磁気記録再生装置。
  12. 【請求項１２】磁気ヘッドと、磁気ヘッドを搭載した磁
    気ヘッドスライダーと、非磁性基板上に下地膜，磁性
    膜，保護膜を順に積層した磁気ディスクとを備えた磁気
    記録再生装置において、該磁気ディスクが磁気ディスク
    の回転起動時と回転停止時に前記磁気ヘッドスライダー
    が位置する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCS
    S領域と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスラ
    イダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下の
    データ領域とを備え、前記保護膜表面に下記一般式
    （Ｉ）〜（III） R1−Ｘ−（CF2CF2O）ｍ−（CF2O）ｎ−Ｘ−R2 …（Ｉ） Ｆ（CF2CF2CF2−Ｏ）ｎ−C2F4−Ｘ−R3 …（II） Ｆ−（CF（CF3）−CF2−Ｏ）ｎ−CF（CF3）−Ｘ−R4 …（III） （但し、m,nは整数、R1,R2,R3,R4は炭化水素鎖、Ｘは２
    価の結合基）で表されるパーフロロポリエーテル系化合
    物の少なくとも一つ以上を前記磁気ディスク全面に塗布
    後、前記磁気ディスク全面を80℃以上で加熱あるいは、
    前記磁気ディスク全面もしくは前記データ領域を紫外線
    照射し、次に前記データ領域をパーフロロカーボン系溶
    剤で洗浄し、前記CSS領域に形成した潤滑膜が1.5nm以上
    の膜厚であり前記データ領域に形成した潤滑膜が1nm以
    上の膜厚であり、前記データ領域で前記磁気ヘッドスラ
    イダーと磁気ディスク間で発生する最大静止摩擦係数が
    1.5以下，動摩擦係数が1.0以下であり前記CSS領域で前
    記磁気ヘッドスライダーと磁気ディスク間で発生する最
    大静止摩擦係数が1.0以下，動摩擦係数が0.5以下である
    ことを特徴とする磁気記録再生装置。
  13. 【請求項１３】請求の範囲第12項に記載の磁気記録再生
    装置において、前記磁気ディスクが、前記データ領域を
    パーフロロカーボン系溶剤で洗浄後、前記CSS領域に前
    記一般式（Ｉ）〜（III）で表されるパーフロロポリエ
    ーテル系化合物から選択される吸着性の官能基を有する
    パーフロロポリエーテル系化合物を塗布し、前記CSS領
    域に形成した潤滑膜が1.5nm以上の膜厚であり前記デー
    タ領域に形成した潤滑膜が1nm以上の膜厚であることを
    特徴とする磁気記録再生装置。
  14. 【請求項１４】請求の範囲第12項に記載の磁気記録再生
    装置において、前記磁気ディスクが、前記データ領域を
    パーフロロカーボン系溶剤で洗浄後、前記磁気ディスク
    全面に前記前記一般式（Ｉ）〜（III）で表されるパー
    フロロポリエーテル系化合物から選択される該保護膜表
    面と化学的に反応する官能基を有するパーフロロポリエ
    ーテル系化合物を塗布し、前記CSS領域に形成した潤滑
    膜が1.5nm以上の膜厚であり前記データ領域に形成した
    潤滑膜が1nm以上の膜厚であることを特徴とする磁気記
    録再生装置。
  15. 【請求項１５】磁気ヘッドと、磁気ヘッドを搭載した磁
    気ヘッドスライダーと、非磁性基板上に下地膜，磁性
    膜，保護膜を順に積層した磁気ディスクとを備えた磁気
    記録再生装置において、該磁気ディスクが磁気ディスク
    の回転起動時と回転停止時に前記磁気ヘッドスライダー
    が位置する前記保護膜表面の粗さがRa10nm以上であるCS
    S領域と、前記磁気ディスクの回転中に磁気ヘッドスラ
    イダーが位置する前記保護膜表面の粗さがRa3nm以下の
    データ領域とを備え、前記保護膜表面に下記一般式
    （Ｉ）〜（III） R1−Ｘ−（CF2CF2O）ｍ−（CF2O）ｎ−Ｘ−R2 …（Ｉ） Ｆ（CF2CF2CF2−Ｏ）ｎ−C2F4−Ｘ−R3 …（II） Ｆ−（CF（CF3）−CF2−Ｏ）ｎ−CF（CF3）−Ｘ−R4 …（III） （但し、m,nは整数、R1,R2,R3,R4は炭化水素鎖、Ｘは２
    価の結合基）で表されるパーフロロポリエーテル系化合
    物の少なくとも一つ以上を前記磁気ディスク全面に塗布
    後、前記磁気ディスク全面を80℃以上で加熱あるいは、
    前記磁気ディスク全面もしくは前記データ領域を紫外線
    照射し、前記一般式（Ｉ）〜（III）で表されるパーフ
    ロロポリエーテル系化合物から選択される吸着性の官能
    基を有するパーフロロポリエーテル系化合物を前記磁気
    ディスク全面に塗布し、次に前記データ領域をパーフロ
    ロカーボン系溶剤で洗浄した後、前記一般式（Ｉ）〜
    （III）で表されるパーフロロポリエーテル系化合物か
    ら選択される化学的に反応する官能基を有するパーフロ
    ロポリエーテル系化合物を塗布し、前記CSS領域に形成
    した潤滑膜が1.5nm以上の膜厚であり前記データ領域に
    形成した潤滑膜が1nm以上の膜厚であり、前記データ領
    域で前記磁気ヘッドスライダーと磁気ディスク間で発生
    する最大静止摩擦係数が1.5以下，動摩擦係数が1.0以下
    であり前記CSS領域で前記磁気ヘッドスライダーと磁気
    ディスク間で発生する最大静止摩擦係数が1.0以下，動
    摩擦係数が0.5以下であることを特徴とする磁気記録再
    生装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4046305B2 (ja) 1998-07-24 2008-02-13 富士通株式会社 メモリディスクの製造方法
US6602570B1 (en) * 2000-02-14 2003-08-05 Seagate Technology Llc Zone bonded lubrication for hard disk recording media
US20060105203A1 (en) * 2004-11-15 2006-05-18 Seagate Technology Llc Head disc interface design
JP2007004921A (ja) * 2005-06-24 2007-01-11 Tdk Corp 磁気記録媒体、磁気記録再生装置及び磁気記録媒体の製造方法
US7352524B2 (en) * 2005-11-09 2008-04-01 Tdk Corporation Magnetic disk drive
JP4943972B2 (ja) * 2007-08-27 2012-05-30 昭和電工株式会社 記憶媒体、及び記憶装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2633230B2 (ja) 1985-09-26 1997-07-23 日本電気株式会社 磁気記憶体
JPS6318517A (ja) * 1986-07-09 1988-01-26 Hitachi Maxell Ltd 磁気記録媒体
EP0279843B1 (en) * 1986-08-28 1993-11-24 Unisys Corporation Surface lubricants for recording surface and method of reducing their depletion
JPH06102723B2 (ja) * 1988-04-19 1994-12-14 ダイキン工業株式会社 含フッ素ポリエーテル及び含フッ素潤滑剤
JPH07105035B2 (ja) * 1989-04-06 1995-11-13 松下電器産業株式会社 磁気記録媒体およびその製造方法
JPH0393037A (ja) * 1989-09-06 1991-04-18 Fujitsu Ltd 磁気ディスク及びその製造方法
US5049410A (en) * 1989-11-01 1991-09-17 International Business Machines Corporation Lubricant film for a thin-film disk
JPH07105039B2 (ja) * 1990-06-20 1995-11-13 住友軽金属工業株式会社 耐久性に優れた磁気ディスクの製造方法
JPH04311812A (ja) * 1991-03-19 1992-11-04 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 磁気記録媒体、薄膜磁気記録ディスク、及び潤滑システムの形成方法
JPH05217159A (ja) * 1992-02-05 1993-08-27 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 磁気ディスク
JPH06111292A (ja) * 1992-09-26 1994-04-22 Alps Electric Co Ltd 磁気ディスクおよび磁気記録装置
US5871621A (en) * 1994-09-27 1999-02-16 Komag, Incorporated Method of fabricating a textured magnetic storage disk

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