KR19990064315A

KR19990064315A - 자기 디스크 및 자기 기록 재생 장치

Info

Publication number: KR19990064315A
Application number: KR1019980702811A
Authority: KR
Inventors: 다까유끼 나까가와지; 미쯔요시 쇼지; 도모에 다까무라; 히로시 사사끼; 슈지 이마제끼; 유따까 이또
Original assignee: 가나이 쓰도무; 가부시끼가이샤 히다치 세이사꾸쇼
Priority date: 1995-10-18
Filing date: 1995-10-18
Publication date: 1999-07-26
Also published as: EP0856837B1; CN1492399A; US6296917B1; EP0856837A4; EP0856837A1; KR100318175B1; JP3409856B2; DE69532975T2; DE69532975D1; WO1997015049A1

Abstract

본 발명은 표면상에 형성된 데이터 영역과 CSS 영역을 덮는 윤활막을 갖는 자기 디스크에 관한 것이다. 상기 윤활막은 데이터 영역에서 낮은 점착성과 슬라이딩 마찰성을 보장하고, CSS 영역에서 CSS 내구성을 보장한다. 디스크 드라이브가 정상 상태에서 가동하고 있는 경우 및 돌발적인 이상으로 장치가 정지하여도 자기 디스크와 자기 헤드 사이에서의 윤활 문제를 피할 수 있기 때문에, 높은 신뢰성을 보장할 수 있다. 또한, 본 발명은 상기 디스크를 사용하는 자기 기록/재생 장치를 제공한다. 자기 디스크의 데이터 영역에 형성된 윤활막이 자기 디스크의 표면에 강하게 고정되기 때문에, 점착이 발생되기 어렵고, 또한 슬라이딩 마찰하에서도 내구성을 보장하기에 충분한 막 두께를 갖는다. CSS 영역의 윤활막은 자기 디스크 표면에 대하여 고정이 강한 윤활제와 고정이 약한 윤활제를 포함하고, CSS 내구성이 우수하다. 따라서, 높은 신뢰성의 자기 디스크 및 자기 기록/재생 장치를 얻을 수가 있다.

Description

자기 디스크 및 자기 기록 재생 장치

하드 타입의 자기 기록 재생 장치는 자기 디스크의 소경화(小徑化) 및 장치의 소형 경량화와 고기록 밀도화가 진행되고 있다. 자기 디스크의 고기록 밀도화에 따라 자기 디스크와 자기 헤드 사이의 거리 즉, 헤드 부상량이 저하되어 가까운 장래에 자기 헤드와 자기 디스크는 완전한 접촉 상태에서 기록 재생하게 되어 자기 헤드와 자기 디스크의 슬라이딩 조건은 한층 악화된다. 또한, 고기록 밀도화에는 헤드 부상량의 저하와 함께 부상을 안정시키기 위하여 자기 디스크 표면을 보다 평활화할 필요가 있다. 이 때문에 자기 디스크와 자기 헤드를 탑재한 헤드 슬라이더 사이에는 접촉 상태에서 슬라이딩 (이후, 접촉 슬라이딩이라 칭함)하는 시간이 증대하여 디스크 기동 중에 발생하는 동마찰력 또는 마모가 증대한다는 것과 디스크 표면의 평활화에 의해 헤드/디스크 사이에 발생하는 최대 정지 마찰력 (이후, 점착이라 칭함)이 증대한다. 접촉 슬라이딩으로 동마찰력 또는 마모가 증가하면 디스크 크래쉬 또는 헤드 마모가 간헐적으로 발생하여 기록 재생을 할 수 없게 된다. 또한, 강한 점착이 발생하면 디스크가 기동할 수 없게 되거나 헤드를 손상하는 등의 중대한 문제가 발생한다.

상기 문제를 해결하는 수단으로서 자기 디스크 정지 중에 헤드 슬라이더가 대기함과 동시에 디스크 기동시와 정지시에 콘택트 스타트 스톱하는 영역 (이후, CSS 영역이라 칭함)과 디스크 기동 중에 헤드가 기록 재생하는 영역 (이후, 데이터 영역이라 칭함)을 분리한 자기 디스크가 개발되어 있다. 일반적으로 CSS 영역은 자기 디스크의 내주부에 형성되어 있고, 점착을 방지하기 위하여 자기 디스크의 표면이 거칠게 되어 있다. 한편, 데이터 영역은 안정한 헤드 부상을 유지하기 위하여 자기 디스크의 표면이 부드럽게 되어 있다. 지금까지 CSS 영역과 데이터 영역을 분리한 자기 디스크에 대응한 윤활막 또는 윤활 기술이 몇가지 개시되어 있다. 예를 들면, 일본 특허 공개 제94-36277호 공보에는 CSS 영역과 슬라이더의 레일면에 높이가 5 nm의 돌기를 형성하여 점착을 방지하는 것이 개시되어 있다. 또한, 일본 특허 공개 제94-111292호 공보는 CSS 영역에는 액체의 윤활제를 도포하고, 데이터 영역에는 고체 윤활제를 사용하는 것을 개시하고 있다. 이러한 종래 기술은 데이터 영역과 CSS 영역을 형성한 자기 디스크에 대응한 윤활제에 대한 기술이며, 데이터 영역과 CSS 영역의 각 영역에서 요구되는 윤활막의 슬라이딩 조건을 어느 정도 실현할 수 있는 기술이다. CSS 영역과 데이터 영역에서의 헤드/디스크간의 슬라이딩 상태에서 각 영역에서 필요해지는 윤활막을 생각하면 CSS 영역에서는 자기 디스크 표면을 거칠게 하면 점착은 어느 정도 경감할 수 있지만 디스크 기동시와 정지시에 헤드와 디스크가 접촉 슬라이딩되므로 연속 슬라이딩 내구성이 우수한 윤활막도 필요해진다. 한편, 데이터 영역에서는 디스크의 면 조도가 작은 것이 필요하며, 또한 점착이 작은 윤활막이 필요하다. 이것은 헤드 슬라이더가 데이터 영역내에 있을 때에 장치에 이상이 발생하여 디스크가 급정지했을 경우, 면 조도가 작은 데이터 영역내에서 디스크와 접촉하여 강한 점착을 일으킬 가능성이 있기 때문이다. 즉, CSS 영역과 데이터 영역에 형성되는 윤활막에는 각각 다른 윤활 성능의 윤활막이 요구된다.

현재, 자기 디스크에 사용되고 있는 윤활제는 디스크 표면에 흡착하기 위한 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물이다. 이 윤활제로 구성되는 윤활막은 디스크 표면에 확고하게 흡착된 층과 흡착이 약하거나 흡착되어 있지 않은 층을 형성하고 있다. 예를 들면, 디스크를 퍼플루오로카본계 용제로 세정한 경우, 확고하게 흡착된 윤활층은 디스크 표면에서 탈리되어 있지 않은데 반하여, 흡착이 약한 윤활층은 용이하게 디스크 표면에서 탈리된다. CSS 영역에서 요구되는 연속 슬라이딩 내구성으로서는 윤활제의 일부가 슬라이딩시에 헤드 슬라이더의 슬라이딩면에 옮겨 붙어 안정한 마찰 상태를 형성할 필요가 있으므로 흡착이 약한 윤활제의 층이 중요한 역할을 하고 있다. 이 때문에 CSS 영역에 흡착이 약한 층이 없으면 충분한 신뢰성을 확보할 수 없다. 이에 대하여 데이터 영역에서 요구되는 저점착성에 관해서는 장치의 이상으로 디스크가 급정지하여 데이터 영역에서 접촉 상태가 되었을 때의 헤드/디스크 사이로의 윤활제의 응집과 탐색시의 헤드에 의한 과도한 윤활제의 긁어 모음을 방지할 필요가 있고, 디스크 표면을 이동하기 쉬운 흡착이 약한 층은 연속 슬라이딩 내구성과는 반대로 점착에 대하여 악영향을 미치게 된다. 이 때문에 데이터 영역에서는 흡착이 약한 층을 가능한 한 적게 할 필요가 있다. 종래의 흡착형 윤활제를 디스크 전면에 도포하고 데이터 영역만을 세정하여 흡착이 약한 층을 제거하면 필연적으로 데이터 영역의 윤활제의 막 두께가 얇아진다. 그러나, 현재는 CSS 영역에 비해 데이터 영역에서의 접촉 슬라이딩은 경미하지만, 앞으로도 헤드 부상량이 더욱 저하되는 자기 디스크 장치에서는 데이터 영역에서도 헤드와 디스크가 접촉 슬라이딩하는 기회가 증가하여 가까운 장래, 데이터 영역에서도 연속 슬라이딩 내구성이 요구될 가능성이 높다. 따라서, 데이터 영역의 윤활막은 단발적인 접촉 슬라이딩에도 견딜 수 있을 정도의 막 두께를 확보하여야 하기 때문에 막 두께를 얇게 할 수 없는 상황에 있다.

이와 같은 기술 과제에 대하여, 상기 종래 기술의 방법을 생각하면 CSS 영역에는 액체의 윤활제를 도포하고, 데이터 영역에는 고체 윤활제를 사용하는 것을 개시한 일본 특허 공개 제94-111292호 공보에서는 각 영역에서 요구되는 윤활막의 특성을 확보할 수 있는데, 윤활막의 형성 프로세스가 복잡해지는 불리한 점이 있다. 또한, 일본 특허 공개 제92-53027호 공보에서는 데이터 영역 윤활층의 막 두께를 CSS 영역 윤활층의 막 두께보다 얇게 하는 것을 개시하여 데이터 영역에서의 저점착성과 CSS 영역에서의 연속 슬라이딩 내구성을 확보하고 있다. 그러나, 데이터 영역에서도 연속 슬라이딩 내구성을 확보할 필요가 있어, 윤활막의 막 두께도 얇게 할 수 없기 때문에 상기한 일본 특허 공개 제92-53027호 공보에서도 충분하다고는 할 수 없다. 이와 같이 현재 CSS 영역과 데이터 영역을 형성한 디스크에 대하여 충분한 슬라이딩 신뢰성을 확보할 수 있는 유효한 방법이 없다.

본 발명의 목적은 상기 종래 기술의 문제점을 해결하여 CSS 영역과 데이터 영역을 형성한 디스크에 대하여 충분한 슬라이딩 신뢰성을 확보할 수 있는 유효한 방법을 제공함과 동시에 이 방법을 적용한 고성능의 자기 디스크와 자기 기록 재생 장치를 제공하는 데에 있다.

<발명의 개시>

상기 과제의 해결 수단으로서, 자기 디스크상의 데이터 영역에서는 저점착으로 만들기 위하여 흡착이 약한 윤활층을 가능한 한 적게 하며, 단발적으로 발생하는 자기 헤드와 자기 디스크와의 접촉 슬라이딩에도 견딜 수 있는 막 두께의 윤활막을 용이하게 형성하기 위하여 자기 디스크 표면에 확고하게 흡착하는 윤활제를 사용하거나 또는 윤활제 도포 후에 처리를 한다. 또한, CSS 영역에서는 충분한 연속 슬라이딩 내구성을 확보하는 것과, 윤활제가 헤드 슬라이더측으로 용이하게 옮겨 붙는 것을 가미하여 점착되기 어려운 흡착성 윤활제를 흡착이 약한 윤활층으로서 의도적으로 CSS 영역에 형성하는 방법을 고안하였다. 구체적으로는 이하에 나타내는 자기 디스크, 자기 디스크 제조 방법 및 자기 기록 재생 장치이다.

제1 수단은 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하의 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 하기 화학식 I 내지 III으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활막이 형성되며, 이 윤활막이 상기 보호막 표면에 확고하게 고정되는 윤활제와 약하게 고정되는 윤활제로 구성되며, 상기 CSS 영역에 형성되는 상기 윤활막의 고정이 약한 윤활제의 비율이 상기 CSS 영역의 윤활제 총량에 대하여 10 % 이상이며, 상기 데이터 영역에 형성되는 상기 윤활막의 고정이 약한 윤활제의 비율이 상기 데이터 영역의 윤활제 총량에 대하여 10 % 미만인 자기 디스크이다.

R1-X-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-X-R2

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-X-R3

F-(CF(CF₃)-CF₂-O)_n-CF(CF₃)-X-R4

식 중,

m 및 n은 정수이고,

R1, R2, R3 및 R4는 탄화수소쇄이며,

X는 2가의 결합기이다.

제2 수단은 제1 수단에서의 윤활막이 퍼플루오로카본계 용제로 세정 제거되지 않고, 상기 보호막 표면에 확고하게 고정되는 윤활제와 퍼플루오로카본계 용제로 세정 제거되는 고정이 약한 윤활제로 구성되는 자기 디스크이다.

제3 수단은 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 CSS 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정함으로써 상기 CSS 영역에 형성한 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막과 상기 데이터 영역에 형성한 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 구비한 자기 디스크이다.

제4 수단은 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅰ내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 자기 디스크 전면을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 이어서 상기 CSS 영역에 화학식 Ⅰ내지 Ⅲ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포함으로써 상기 CSS 영역에 형성한 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막과 상기 데이터 영역에 형성한 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 구비한 자기 디스크이다.

제5 수단은 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅰ내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역을 자외선 조사하고, 이어서 상기 자기 디스크 전면을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 이어서 상기 데이터 영역에 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포함으로써 상기 CSS 영역에 형성한 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막과 상기 데이터 영역에 형성한 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 구비한 자기 디스크이다.

제6 수단은 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 자기 디스크 전면을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 이어서 데이터 영역에 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포함으로써 상기 CSS 영역에 형성한 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막과 상기 데이터 영역에 형성한 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 구비한 자기 디스크이다.

제7 수단은 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막, 윤활막을 순서대로 적층한 자기 디스크의 제조 방법에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 형성하고, 이어서 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포하고, 이어서 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 CSS 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정함으로써, 상기 CSS 영역에 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막을 형성하고, 상기 데이터 영역에 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 형성하는 자기 디스크 제조 방법이다.

제8 수단은 제7 수단에 기재한 자기 디스크 제조 방법에 있어서, 상기 자기 디스크 전면을 퍼플루오로카본계 용제로 세정한 후, 상기 CSS 영역에 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여, 상기 CSS 영역에 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막을 형성하고, 상기 데이터 영역에 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 형성하는 자기 디스크 제조 방법이다.

제9 수단은 제7 수단에 기재한 자기 디스크 제조 방법에 있어서, 상기 자기 디스크 전면을 퍼플루오로카본계 용제로 세정한 후, 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여, 상기 CSS 영역에 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막을 형성하고, 상기 데이터 영역에 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 형성하는 자기 디스크 제조 방법이다.

제10 수단은 제7 수단에 기재된 자기 디스크 제조 방법에 있어서, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나 또는 자외선 조사한 후, 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 상기 자기 디스크 전면에 도포하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정한 후, 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여, 상기 CSS 영역에 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막을 형성하고, 상기 데이터 영역에 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 형성하는 자기 디스크 제조 방법이다.

제11 수단은 자기 헤드, 자기 헤드를 탑재한 자기 헤드 슬라이더, 및 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크를 구비한 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 자기 디스크가 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 상기 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활막이 형성되고, 이 윤활막이 상기 보호막 표면에 확고하게 고정되는 윤활제와 약하게 고정되는 윤활제로 구성되며, 상기 CSS 영역에 형성되는 상기 윤활막의 고정이 약한 윤활제의 비율이 상기 CSS 영역의 윤활제 총량에 대하여 10% 이상이며, 상기 데이터 영역에 형성되는 상기 윤활막의 고정이 약한 윤활제의 비율이 상기 데이터 영역의 윤활제 총량에 대하여 10% 미만이며, 상기 데이터 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.5 이하이고, 동마찰 계수가 1.0 이하이며, 상기 CSS 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.0 이하이고, 동마찰 계수가 0.5 이하인 자기 기록 재생 장치이다.

제12 수단은 자기 헤드, 자기 헤드를 탑재한 자기 헤드 슬라이더, 및 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크를 구비한 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 자기 디스크가 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 상기 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역을 자외선 조사하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하여 상기 CSS 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1.5 nm 이상이며, 상기 데이터 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1 nm 이상이고, 상기 데이터 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.5 이하이며, 동마찰 계수가 1.0 이하이며, 상기 CSS 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.0 이하이고, 동마찰 계수가 0.5 이하인 자기 기록 재생 장치이다.

제13 수단은 제12 수단에 기재한 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 자기 디스크가 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정한 후, 상기 CSS 영역에 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여 상기 CSS 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1.5 nm 이상이며, 상기 데이터 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1 nm 이상인 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생 장치이다.

제14 수단은 제12 수단에 기재한 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 자기 디스크가 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정한 후, 상기 자기 디스크 전면에 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여 상기 CSS 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1.5 nm 이상이며, 상기 데이터 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1 nm 이상인 자기 기록 재생 장치이다.

제15 수단은 자기 헤드, 자기 헤드를 탑재한 자기 헤드 슬라이더, 및 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크를 구비한 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 자기 디스크가 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 상기 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역을 자외선 조사하고, 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 상기 자기 디스크 전면에 도포하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정한 후, 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여 상기 CSS 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1.5 nm 이상이며, 상기 데이터 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1 nm 이상이고, 상기 데이터 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.5 이하이고, 동마찰 계수가 1.0 이하이며, 상기 CSS 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.0 이하이고, 동마찰 계수가 0.5 이하인 자기 기록 재생 장치이다.

제16 수단은 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅳ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 CSS 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정함으로써 상기 CSS 영역에 형성한 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막과 상기 데이터 영역에 형성한 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 구비한 것을 특징으로 하는 자기 디스크이다.

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

(C₂H₅O)₃Si-C₃H₆-NHCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

C₆H₅-O-C₆H₄-H₃N^{+ -}OCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-CH₂OH

HO-CH₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CH₂OH

HO-(CH₂CH₂-O)_p-CH₂CF₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-OCF₂CH₂(O-CH₂CH₂)_q-OH

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-COO^- ⁺NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

식 중, m, n, p 및 q는 정수이다.

제17 수단은 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 상기 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅳ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 자기 디스크 전면을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 상기 CSS 영역에 화학식 Ⅶ 내지 XIII의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여 상기 CSS 영역에 형성한 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막과 상기 데이터 영역에 형성한 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 구비한 자기 디스크이다.

제18 수단은 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 상기 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅳ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 상기 데이터 영역에 화학식 IV 내지 VI의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여 상기 CSS 영역에 형성한 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막과 상기 데이터 영역에 형성한 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 구비한 자기 디스크이다.

제19 수단은 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅳ 내지 Ⅵ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅶ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 상기 디스크 전면에 도포하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 이어서 화학식 Ⅳ 내지 Ⅵ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여 상기 CSS 영역에 형성한 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막과 상기 데이터 영역에 형성한 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 구비한 자기 디스크이다.

제20 수단은 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막, 윤활막을 순서대로 적층한 자기 디스크의 제조 방법에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 형성하고, 이어서 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅳ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하여, 상기 CSS 영역에 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막을 형성하고, 상기 데이터 영역에 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 형성하는 자기 디스크 제조 방법이다.

제21 수단은 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막, 윤활막을 순서대로 적층한 자기 디스크의 제조 방법에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 형성하고, 이어서 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅳ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 자기 디스크 전면을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 상기 CSS 영역에 상기 화학식 Ⅶ 내지 XIII의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여, 상기 CSS 영역에 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막을 형성하고, 상기 데이터 영역에 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 형성하는 자기 디스크 제조 방법이다.

제22 수단은 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막, 윤활막을 순서대로 적층한 자기 디스크의 제조 방법에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 형성하고, 이어서 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅳ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 자기 디스크 전면을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 상기 데이터 영역에 화학식 Ⅳ 내지 Ⅵ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여, 상기 CSS 영역에 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막을 형성하고, 상기 데이터 영역에 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 형성하는 자기 디스크 제조 방법이다.

제23 수단은 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막, 윤활막을 순서대로 적층한 자기 디스크의 제조 방법에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 형성하고, 이어서 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅳ 내지 Ⅵ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 적어도 하나 이상을 상기 자기 디스크 전면에 도포하고, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 자외선 조사한 후 화학식 Ⅶ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 상기 자기 디스크 전면에 도포하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 이어서 화학식 Ⅳ 내지 Ⅵ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여, 상기 CSS 영역에 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막을 형성하고, 상기 데이터 영역에 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 형성하는 자기 디스크 제조 방법이다.

제24 수단은 자기 헤드, 자기 헤드를 탑재한 자기 헤드 슬라이더, 및 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크를 구비한 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 자기 디스크가 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 상기 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 이어서 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅳ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역을 자외선 조사하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하여 상기 CSS 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1.5 nm 이상이고, 상기 데이터 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1 nm 이상이며, 상기 데이터 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.5 이하이고, 동마찰 계수가 1.0 이하이며, 상기 CSS 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.0 이하이고, 동마찰 계수가 0.5 이하인 자기 기록 재생 장치이다.

제25 수단은 자기 헤드, 자기 헤드를 탑재한 자기 헤드 슬라이더, 및 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크를 구비한 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 자기 디스크가 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 상기 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 이어서 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅳ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역을 자외선 조사하고, 이어서 상기 디스크 전면을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 상기 CSS 영역에 화학식 Ⅶ 내지 XIII의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여 상기 CSS 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1.5 nm 이상이고, 상기 데이터 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1 nm 이상이며, 상기 데이터 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.5 이하이고, 동마찰 계수가 1.0 이하이며, 상기 CSS 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.0 이하이고, 동마찰 계수가 0.5 이하인 자기 기록 재생 장치이다.

제26 수단은 자기 헤드, 자기 헤드를 탑재한 자기 헤드 슬라이더, 및 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크를 구비한 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 자기 디스크가 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 상기 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 이어서 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅳ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역을 자외선 조사하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정한 후, 화학식 Ⅳ 내지 Ⅵ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여 상기 CSS 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1.5 nm 이상이고, 상기 데이터 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1 nm 이상이며, 상기 데이터 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.5 이하이고, 동마찰 계수가 1.0 이하이며, 상기 CSS 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.0 이하이고, 동마찰 계수가 0.5 이하인 자기 기록 재생 장치이다.

제27 수단은 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막, 윤활막을 순서대로 적층한 자기 디스크의 제조 방법에 있어서, 상기 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 형성하고, 이어서 상기 보호막 표면에 화학식 Ⅳ 내지 Ⅵ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 적어도 하나 이상을 상기 자기 디스크 전면에 도포하고, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나 또는 자외선 조사한 후, 화학식 Ⅶ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 상기 자기 디스크 전면에 도포하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 이어서 화학식 Ⅳ 내지 Ⅵ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여 상기 CSS 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1.5 nm 이상이고, 상기 데이터 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1 nm 이상이며, 상기 데이터 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.5 이하이고, 동마찰 계수가 1.0 이하이며, 상기 CSS 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.0 이하이고, 동마찰 계수가 0.5 이하인 자기 기록 재생 장치이다.

제28 수단은 제1 수단에 있어서, 상기 자기 디스크의 직경이 88.9 mm 이하인 자기 디스크이다.

제29 수단은 제7 수단에 있어서, 상기 자기 디스크의 직경이 88.9 mm 이하인 자기 디스크이다.

제30 수단은 제11 수단에 있어서, 상기 자기 디스크의 직경이 88.9 mm 이하인 자기 디스크이다.

본 발명은 CSS 영역에는 고정이 강한 윤활제와 고정이 약한 윤활제로 구성되는 윤활제를 형성하여 연속 슬라이딩 내구성을 확보하고, 데이터 영역에는 주로 고정이 강한 윤활제로 구성되는 윤활층을 형성하여 점착을 경감할 수 있는 기술이다. 이 때, 고정이 약한 윤활제가 적은 데이터 영역의 윤활층은 근래의 부상량 저하에 의한 우발적인 데이터 영역에서의 접촉 슬라이딩에도 대응하기 때문에, 막 두께도 어느 정도 두껍게 할 필요가 있다. 이를 위하여 반응형 또는 고흡착성의 관능기를 갖는 윤활제를 선택하거나, 가열 또는 UV 처리로 고정이 강한 윤활제의 층을 두껍게 할 뿐만 아니라, 데이터 영역만을 재도포한다. 반대로 CSS 영역에서는 고정이 약한 윤활제가 적은 경우, 다시 CSS 영역에 윤활제를 도포한다. 이와 같은 구성의 윤활막을 형성함으로써 데이터 영역과 CSS 영역의 각 영역에서 요구되는 슬라이딩 성능을 만족할 수 있는 신뢰성이 높은 자기 디스크 및 자기 디스크 장치를 얻을 수가 있다.

본 발명은 자기 디스크 및 자기 기록 재생 장치에 관한 것이며, 특히 높은 기록 밀도를 갖는 자기 디스크 및 자기 기록 재생 장치에 관한 것이다.

도 1은 본 실시예 1에서 제작한 자기 디스크의 외관도 및 CSS 영역과 데이터 영역의 경계부 (3)의 단면도이다.

도 2는 CSS 시험과 점착 시험의 측정 장치의 개략도이다.

도 3은 본 발명에 따른 실시예의 자기 기록 재생 장치의 단면도이다.

<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>

이하, 본 발명의 실시예를 나타내지만, 본 발명은 이러한 실시예에 의해 한정되지 않는다.

<실시예 1>

표면을 경면 연마한 직경 8.89 mm (3.5 인치)의 알루미늄 합금제 기판상에 NiP 하부막 10 ㎛, Cr막 0.5 ㎛, Co-Cr-Pt 막 60 nm, 카본 보호막 20 nm을 순서대로 스팩터링으로 형성한 자기 디스크를 준비하였다. 이어서, 이 자기 디스크의 반경 15 mm 내지 20 mm의 영역에 직경 0.5 ㎛의 불소 수지 입자를 정전 도포하고, 자기 디스크 전면을 산소에 의해 10 nm 엣칭한 후, 불소 수지 입자를 물로 세정하여 제거하였다. 이에 따라, 반경 15 mm 내지 20 mm의 영역에 직경 0.5 ㎛의 원통상 돌기를 균일하게 형성하였다. 즉, 반경 15 mm 내지 20 mm의 영역에는 중심선 평균 조도로 Ra 15 nm의 CSS 영역이 형성되고, 그 이외의 영역은 중심선 평균 조도로 Ra 1.2 nm의 평활한 데이터 영역이 형성되어 있다. 이어서, 하기 화학식 Ⅳ로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 (Ⅳ)을 불소계 용제 (스미또모 3M사 제품, PF5052)에 0.01 wt%의 농도로 용해시킨 용액 (1)을 제조하였다. 이 용액 (1)을 침지법에 의해 자기 디스크에 도포하고, 충분히 건조시켰다. 침지 도포의 조건은 하기와 같다.

용액으로의 칩입 속도: 10 mm/s

용액중에서의 체류 시간: 180 s

용액에서의 끌어 올리기 속도: 2.5 mm/s

<화학식 Ⅳ>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

이어서, 도포한 자기 디스크를 100℃에서 2시간 동안 가열 처리하였다. 이에 따라, 이 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 (Ⅳ)은 보호막 표면과 화학적으로 반응하여 디스크 표면에 확고하게 고정된다. 그 후, 하기 화학식 ?로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 (?)을 불소계 용제 (스미또모 3M사 제품, PF5052)에 0.001 wt%의 농도로 용해시킨 용액 (2)을 상기 조건에서 침지법에 의해 자기 디스크에 도포하고, 충분히 건조시켰다.

이어서, 이 도포 디스크의 데이터 영역만을 상기 불소계 용제에 의해 세정하였다. 세정은 데이터 영역을 불소계 용제에 침지한 상태에서 디스크를 회전시키는 방법과 스피너를 이용하여 디스크를 회전시키면서 노즐에서 분출되는 불소계 용제를 데이터 영역에만 적용하는 방식이 있다. 본 실시예에서는 스피너를 이용하는 방식을 채용하였다. 스피너의 회전수는 1000 rpm이고, 노즐에서의 불소계 용제의 분출량은 50 ㎖/분이다.

이와 같이 하여 제작한 스팩터 자기 디스크는 CSS 영역에 디스크 표면과 화학적으로 반응한 윤활층, 즉 고정이 강한 윤활층과 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 (?)로 구성되는 고정이 약한 윤활층이 형성되어 있다. 또한, 데이터 영역에는 거의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 (Ⅳ)로 구성되는 고정이 강한 윤활층만이 형성되어 있다. 데이터 영역의 윤활층의 막 두께는 2.2 nm, CSS 영역의 윤활층의 막 두께는 2.7 nm이다. 도 1에 본 실시예에서 제작한 자기 디스크의 외관도 및 CSS 영역과 데이터 영역의 경계부 (3)의 단면도를 나타낸다.

상기의 스팩터 자기 디스크에 대하여 CSS (Contact-Start-Stop) 시험과 점착 시험을 하기의 실험 조건으로 실시하였다. 도 2에 측정 장치의 개요를 나타낸다.

측정하는 자기 디스크 (7)는 장치 하부의 모터와 직결된 스핀들 (8)에 부착하고, 디스크 누름 장치 (9)로 고정되어 있다. 헤드 슬라이더 (12)는 디스크의 회전 방향과 순방향으로 레일면이 접하는 인라인 타입 (AL₂O₃TiC 제품 20T)의 것이고, 로드셀 (10)에 접속되어 있는 아암 (13)에 고정되어 있다. 로드셀 (10)을 고정하고 있는 스테이지 (11)는 반경 방향으로 이동 가능하여 각 트랙에서의 평가가 가능하다. 모터를 회전시킴으로써 헤드 슬라이더 (12)와 자기 디스크 (7) 사이에서 발생하는 마찰력을 로드셀로 측정한다.

CSS 평가 실험에서 CSS 영역에서는 디스크 회전과 정지를 짧은 주기로 반복하여 행하고, CSS 휫수 100000회까지 실시하였다. 그 동안에 CSS 휫수 1회, 50회, 100회, 500회, 1000회, 5000회, 10000회, 그 후는 10000회마다 디스크를 정지시켜 헤드를 2초간 접촉시킨 후, 10 rpm에서 회전시켰을 때의 최대 동마찰력을 측정하였다. 또, 디스크가 크래쉬되는 CSS 회수도 측정하였다. 디스크의 크래쉬는 윤활막의 바탕인 카본 보호막이 완전히 마모되어 자성막이 노출된 상태이며, 크래쉬가 발생하면 육안으로 확인할 수 있는 슬라이딩 흔적이 발생하여 그때까지의 CSS 횟수를 측정하고 실험을 중지하였다. 또한 100000회 이하에서 디스크가 크래쉬되었을 경우의 최대 동마찰력은 디스크가 크래쉬된 CSS 횟수까지의 최대 동마찰 계수를 채용하였다. 디스크의 최대 회전수는 5400 rpm이고, 헤드의 누르기 하중은 3.0 g이다. 한편, 데이터 영역에서는 헤드는 통상 부상된 상태에 있으므로 헤드를 부상시킨 상태에서 20 시간 디스크를 가동시켰다. 단, 자기 디스크 장치의 우발적인 문제로 디스크가 정지된 경우를 상정하여 실험 개시부터 4시간, 8시간, 12시간, 16시간, 20시간 (측정 종료후)의 각 시점에서 디스크를 정지시키고, CSS 영역에서의 측정과 마찬가지로 헤드를 2초간 접촉시킨 후 10 rpm으로 회전시켰을 때의 최대 동마찰력을 측정하였다. 또한, 디스크 표면의 접동 흔적에 대해서도 관찰하고, 크래쉬의 경우는 그 시점에서 실험을 중지하였다.

점착의 측정은 헤드 슬라이더 디스크를 12시간 접촉시킨 후, 디스크를 저속으로 회전시키고, 회전 직후에 발생하는 최대 정지 마찰력을 측정하였다. 측정은 CSS 영역, 데이터 영역 모두 헤드의 누르기 하중 3.0 g, 디스크 회전수 1 rpm에서 수행하였다. 표 1에 상기의 평가 결과를 나타냈다.

	CSS 시험	점착 시험
	CSS 영역	데이터 영역	최대 동마찰력 (gf)
	최대 동마찰력(gf)	크래쉬까지 CSS 횟수	최대 동마찰력(gf)	슬라이딩 흔적 발생까지의 시간 (h)	CSS 영역	데이터 영역
실시예 1	1.86	>100000	2.16	>20	1.86	2.12
실시예 2	1.67	>100000	2.38	>20	1.95	2.36
실시예 3	1.49	>100000	2.01	>20	1.66	2.43
비교예 1	7.86	5000	3.12	>20	1.35	2.31
비교예 2	1.82	>100000	3.51	>20	1.86	27.6
비교예 3	1.62	>100000	12.6	8	1.92	2.28
비교예 4	1.51	>100000	2.95	>20	1.69	32.8

본 실시예를 같은 자기 디스크 표면에 본 실시예에서 사용한 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 (Ⅳ)만을 도포한 비교예 1과 비교하면, 본 실시예에서는 데이터 영역 및 CSS 영역 모두에 대한 CSS 시험과 점착 시험에서 양호한 결과가 얻어진 것에 반하여, 비교예 1에서는 데이터 영역에서의 점착이 낮기는 하지만, CSS 영역에서의 CSS 시험에서 디스크가 크래쉬되어 있다. 또한, 본 실시예와 마찬가지로 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 (Ⅳ)의 다음에 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 (?)을 도포하고, 데이터 영역을 세정하지 않은 비교예 2에서는, CSS 영역에서의 결과는 양호한데 반하여 데이터 영역에서 강한 점착이 발생되어 있었다.

<실시예 2>

실시예 1과 같은 스팩터 자기 디스크를 준비하였다. 이어서, 하기 화학식 Ⅵ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 (Ⅵ)을 실시예 1과 같은 불소계 용제에 0.005 wt% 용해한 용액을 제조하고, 실시예 1과 같은 조건에서 침지 도포한 후, 120℃에서 10분 동안 열처리한 후, 같은 불소계 용제로 자기 디스크 전면을 세정하였다. 이 경우, 윤활층의 막 두께는 0.75 nm이었다.

<화학식 Ⅵ>

이어서, 하기 화학식 Ⅷ에 나타내는 불소계 윤활제 (Ⅷ)를 상기 불소계 용제에 0.007 wt% 용해시킨 용액을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 도포하여 데이터 영역만 같은 불소계 용제로 세정하였다. 다시 상기 퍼플루오로폴리에테르계 화합물(Ⅵ)의 0.005 wt% 용액을 데이터 영역에 스피너를 사용하여 다시 도포하였다. 데이터 영역의 윤활층의 막 두께는 1.96 nm이고, CSS 영역의 윤활층의 막 두께는 1.84 nm이다.

<화학식 Ⅷ>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-CH₂OH

본 실시예에서 제작한 윤활막의 CSS 특성과 점착 특성을 실시예 1과 동일한 방법으로 측정하였다. 표 1에 결과를 나타냈다. 본 실시예에서 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 (Ⅵ)을 다시 도포하지 않은 실시예 3과 비교하여 본 실시예의 결과는 CSS 특성 및 점착 특성의 양면에서 우수한 데 반하여, 비교예 3에서는, CSS 영역에서는 본 실시예와 동등한데 반하여 데이터 영역에서 슬라이딩 흔적이 발생되어 있었다. 이것은 데이터 영역에서는 헤드가 부상되기는 하였지만, 부상량이 낮기 때문에 디스크 회전 중에도 헤드와 디스크가 접촉되어 있다고 생각되며, 비교예 3에서는 데이터 영역의 윤활층이 충분한 슬라이딩 내구성을 유지할 수 있을 정도의 막 두께가 아니라는 것이 원인이었다.

<실시예 3>

실시예 1과 같은 스팩터 자기 디스크를 준비하였다. 이어서, 하기 화학식 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 (XIII)을 실시예 1과 같은 불소계 용제에 0.005 wt%로 용해시킨 용액을 제조하고, 같은 조건에서 침지 도포한 후, 110 ℃에서 2시간 열처리한 후, 같은 불소계 용제로 전면을 세정하였다. 이 윤활층의 막 두께는 0.8 nm이었다.

<화학식 XIII>

이어서, 하기 화학식 Ⅶ로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 (Ⅶ)을 상기 불소계 용제에 0.007 wt% 용해시킨 용액을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 도포하여 데이터 영역만 110℃에서 2시간 열처리한 후, 같은 불소계 용제로 세정하였다. 데이터 영역의 막 두께는 1.85 nm이고, CSS 영역의 윤활층의 막 두께는 2.31 nm이었다.

<화학식 Ⅶ>

본 실시예에서 제작한 윤활막의 CSS 특성과 점착 특성을 실시예 1과 같은 방법으로 측정하였다. 표 1에 결과를 나타냈다. 본 실시예에서 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 (Ⅶ)을 도포한 후, 데이터 영역의 세정을 하지 않은 비교예 4와 비교하여 본 실시예의 결과는 CSS 영역 및 점착 특성의 양쪽에서 우수한데 반하여, 비교예 4의 CSS 영역은 본 실시예와 동등한 것이 데이터 영역에 강한 점착을 발생시켰다.

<실시예 4>

실시예 1에서 제작한 자기 디스크를 8.89 밀리미터(3.5 인치)용 자기 기록 재생 장치에 탑재하였다. 도 3에 장치의 개략도를 나타냈다. 이 자기 기록 재생 장치와 비교예 2에서 제작한 자기 디스크를 탑재한 동형의 8.89 밀리미터(3.5 인치)용 자기 기록 재생 장치 (비교예 5)를 가동 중에 전원을 일단 꺼 강제적으로 데이터 영역내에서 정지시키고 24시간 방치하였다. 그 후 재기동시킨 결과. 본 실시예의 자기 디스크 장치는 기동하여 기록 재생에 이상은 발견되지 않은 데 반하여 비교예 5의 자기 기록 재생 장치는 기동되지 않아 기록 재생이 불가능하였다. 비교예 5의 장치내의 디스크를 확인한 결과, 데이터 영역에서 헤드 슬라이더와 디스크 사이에서 강한 점착이 발생되었다는 것을 알 수 있었다.

<비교예 1>

실시예 1과 같은 스팩터 자기 디스크를 준비하였다. 이어서 실시예 1에서 사용한 하기 화학식 Ⅳ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 (Ⅳ)을 불소계 용제 (스미또모 3M사 제품, PF5052)에 0.01 wt% 농도로 용해시킨 용액 (1)을 제작하였다.

<화학식 Ⅳ>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

이 용액 (1)을 실시예 1과 같은 조건으로 침지법에 의해 자기 디스크에 도포하여 충분히 건조시킨 후, 100℃에서 2시간 가열 처리하였다. 이 경우의 윤활층의 막 두께는 1.3 nm이다. 이와 같이 하여 제작한 디스크에 대하여 실시예 1과 마찬가지로 CSS 시험과 점착 시험을 실시하였다. 표 1에 결과를 나타냈다.

<비교예 2>

실시예 1과 같은 스팩터 자기 디스크를 준비하였다. 이어서 실시예 1에서 사용한 하기 화학식 Ⅳ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 (Ⅳ)을 불소계 용제 (스미또모 3M사 제품, PF5052)에 0.01 wt% 농도로 용해시킨 용액 (1)을 제작하였다. 이 용액 (1)을 실시예 1과 같은 조건으로 침지법에 의해 자기 디스크에 도포하여 충분히 건조시킨 후, 100℃에서 2시간 가열 처리하였다. 이어서, 실시예 1에서 사용한 하기 화학식 ?의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 (?)을 불소계 용제 (스미또모 3M사 제품, PF5052)에 0.001 wt% 농도로 용해시킨 용액 (2)을 제작하였다. 이 용액 (2)을 실시예 1과 같은 조건으로 침지법에 의해 자기 디스크에 도포하였다. 데이터 영역과 CSS 영역 모두 윤활층의 막 두께는 2.7 nm이다. 이와 같이 하여 제작한 디스크에 대하여 실시예 1과 마찬가지로 CSS 시험과 점착 시험을 실시하였다. 표 1에 결과를 나타냈다.

<화학식 Ⅳ>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 XI>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-COO^- ⁺NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<비교예 3>

실시예 1과 같은 스팩터 자기 디스크를 준비하였다. 이어서 실시예 2에서 사용한 하기 화학식 Ⅵ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 (Ⅵ)을 실시예 1과 같은 불소계 용제에 0.005 wt%로 용해시킨 용액을 제조하고, 같은 조건으로 침지 도포하고, 110℃에서 2시간 열 처리한 후, 같은 불소계 용제로 전면을 세정하였다.

이어서 실시예 2에서 사용한 하기 화학식 Ⅷ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 (Ⅷ)을 상기 불소계 용제에 0.007 wt% 용해시킨 용액을 제조하고, 실시예 1과 마찬가지로 도포하여 데이터 영역만 같은 불소계 용제로 세정하였다. 데이터 영역의 윤활층의 막 두께는 0.75 nm이고, CSS 영역의 윤활층의 막 두께는 1.84 nm이었다. 이와 같이 하여 제작한 디스크에 대하여 실시예 1과 마찬가지로 CSS 시험과 점착 시험을 실시하였다. 표 1에 결과를 나타냈다.

<화학식 Ⅵ>

<화학식 Ⅷ>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-CH₂OH

<비교예 4>

실시예 1과 같은 스퍼터 자기 디스크를 준비하였다. 이어서 실시예 3에서 사용한 하기 화학식 XIII의 퍼플루오로폴리에테르 화합물 (XIII)을 실시예 1과 같은 불소계 용제에 0.005 wt%로 용해시킨 용액을 제조하고, 이 조건으로 침지 도포하고, 110 ℃에서 2시간 열 처리한 후, 같은 불소계 용제로 전면을 세정하였다.

이어서, 실시예 3에서 사용한 하기 화학식 Ⅶ의 퍼플루오로폴리에테르 화합물 (Ⅶ)을 상기 불소계 용제에 0.007 wt%로 용해시킨 용액을 제조하고, 실시예 3과 마찬가지로 디스크 전면에 도포하였다. 데이터 영역, CSS 영역 모두 윤활층의 막 두께는 2.31 nm이었다. 이와 같이 하여 제작한 디스크에 대하여 실시예 1과 마찬가지로 CSS 시험과 점착 시험을 실시하였다. 표 1에 결과를 나타냈다.

<화학식 XIII>

<화학식 Ⅶ>

<비교예 5>

비교예 2에서 제작한 자기 디스크를 실시예 1에서 제작한 자기 디스크를 3.5 인치용 자기 기록 재생 장치에 탑재하고, 가동 중에 전원을 일단 꺼 장치를 강제적으로 정지시키고 24시간 방치한 후, 재가동시켰다. 그 결과 상기와 같이 본 비교예의 자기 기록 재생 장치는 기동되지 않아 기록 재생이 불가능하였다. 이것은 데이터 영역에 흡착이 약한 윤활제가 많이 존재하기 때문에 헤드 슬라이더와 디스크 사이에 강한 점착이 발생했기 때문이다.

Claims

비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역 (Contact-Start-Stop)과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 하기 화학식 I 내지 III으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활막이 형성되며, 이 윤활막이 상기 보호막 표면에 확고하게 고정되는 윤활제와 약하게 고정되는 윤활제로 구성되며, 상기 CSS 영역에 형성되는 상기 윤활막의 고정이 약한 윤활제의 비율이 상기 CSS 영역의 윤활제 총량에 대하여 10% 이상이며, 상기 데이터 영역에 형성되는 상기 윤활막의 고정이 약한 윤활제의 비율이 상기 데이터 영역의 윤활제 총량에 대하여 10% 미만인 것을 특징으로 하는 자기 디스크.

<화학식 I>

R1-X-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-X-R2

<화학식 II>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-X-R3

<화학식 III>

F-(CF(CF₃)-CF₂-O)_n-CF(CF₃)-X-R4

식 중,

m 및 n은 정수이고,

R1, R2, R3 및 R4는 탄화수소쇄이며,

X는 2가의 결합기이다.
제1항에 있어서, 상기 윤활막이 퍼플루오로카본계 용제로 세정 제거되지 않고, 상기 보호막 표면에 확고하게 고정되는 윤활제와 퍼플루오로카본계 용제로 세정 제거되는 고정이 약한 윤활제로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 디스크.
비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 CSS 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정함으로써 상기 CSS 영역에 형성한 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막과 상기 데이터 영역에 형성한 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 구비한 것을 특징으로 하는 자기 디스크.

<화학식 I>

R1-X-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-X-R2

<화학식 II>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-X-R3

<화학식 III>

F-(CF(CF₃)-CF₂-O)_n-CF(CF₃)-X-R4

식 중,

m 및 n은 정수이고,

R1, R2, R3 및 R4는 탄화수소쇄이며,

X는 2가의 결합기이다.
비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅰ내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 자기 디스크 전면을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 이어서 상기 CSS 영역에 하기 화학식 Ⅰ내지 Ⅲ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포함으로써 상기 CSS 영역에 형성한 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막과 상기 데이터 영역에 형성한 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 구비한 것을 특징으로 하는 자기 디스크.

<화학식 I>

R1-X-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-X-R2

<화학식 II>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-X-R3

<화학식 III>

F-(CF(CF₃)-CF₂-O)_n-CF(CF₃)-X-R4

식 중,

m 및 n은 정수이고,

R1, R2, R3 및 R4는 탄화수소쇄이며,

X는 2가의 결합기이다.
비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅰ내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역을 자외선 조사하고, 이어서 상기 자기 디스크 전면을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 이어서 상기 데이터 영역에 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포함으로써 상기 CSS 영역에 형성한 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막과 상기 데이터 영역에 형성한 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 구비한 것을 특징으로 하는 자기 디스크.

<화학식 I>

R1-X-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-X-R2

<화학식 II>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-X-R3

<화학식 III>

F-(CF(CF₃)-CF₂-O)_n-CF(CF₃)-X-R4

식 중,

m 및 n은 정수이고,

R1, R2, R3 및 R4는 탄화수소쇄이며,

X는 2가의 결합기이다.
비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 자기 디스크 전면을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 이어서 데이터 영역에 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포함으로써 상기 CSS 영역에 형성한 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막과 상기 데이터 영역에 형성한 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 구비한 것을 특징으로 하는 자기 디스크.

<화학식 I>

R1-X-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-X-R2

<화학식 II>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-X-R3

<화학식 III>

F-(CF(CF₃)-CF₂-O)_n-CF(CF₃)-X-R4

식 중,

m 및 n은 정수이고,

R1, R2, R3 및 R4는 탄화수소쇄이며,

X는 2가의 결합기이다.
비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막, 윤활막을 순서대로 적층한 자기 디스크의 제조 방법에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 형성하고, 이어서 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포하고, 이어서 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 CSS 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정함으로써, 상기 CSS 영역에 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막을 형성하고, 상기 데이터 영역에 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 형성하는 것을 특징으로 하는 자기 디스크 제조 방법.

<화학식 I>

R1-X-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-X-R2

<화학식 II>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-X-R3

<화학식 III>

F-(CF(CF₃)-CF₂-O)_n-CF(CF₃)-X-R4

식 중,

m 및 n은 정수이고,

R1, R2, R3 및 R4는 탄화수소쇄이며,

X는 2가의 결합기이다.
제7항에 있어서, 상기 자기 디스크 전면을 퍼플루오로카본계 용제로 세정한 후, 상기 CSS 영역에 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여, 상기 CSS 영역에 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막을 형성하고, 상기 데이터 영역에 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 형성하는 것을 특징으로 하는 자기 디스크 제조 방법.
제7항에 있어서, 상기 자기 디스크 전면을 퍼플루오로카본계 용제로 세정한 후, 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여, 상기 CSS 영역에 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막을 형성하고, 상기 데이터 영역에 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 형성하는 것을 특징으로 하는 자기 디스크 제조 방법.
제7항에 있어서, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나 또는 자외선 조사한 후, 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 상기 자기 디스크 전면에 도포하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정한 후, 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여, 상기 CSS 영역에 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막을 형성하고, 상기 데이터 영역에 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 형성하는 것을 특징으로 하는 자기 디스크 제조 방법.
자기 헤드, 자기 헤드를 탑재한 자기 헤드 슬라이더, 및 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크를 구비한 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 자기 디스크가 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 상기 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활막이 형성되고, 이 윤활막이 상기 보호막 표면에 확고하게 고정되는 윤활제와 약하게 고정되는 윤활제로 구성되며, 상기 CSS 영역에 형성되는 상기 윤활막의 고정이 약한 윤활제의 비율이 상기 CSS 영역의 윤활제 총량에 대하여 10% 이상이며, 상기 데이터 영역에 형성되는 상기 윤활막의 고정이 약한 윤활제의 비율이 상기 데이터 영역의 윤활제 총량에 대하여 10% 미만이며, 상기 데이터 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.5 이하이고, 동마찰 계수가 1.0 이하이며, 상기 CSS 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.0 이하이고, 동마찰 계수가 0.5 이하인 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생 장치.

<화학식 I>

R1-X-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-X-R2

<화학식 II>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-X-R3

<화학식 III>

F-(CF(CF₃)-CF₂-O)_n-CF(CF₃)-X-R4

식 중,

m 및 n은 정수이고,

R1, R2, R3 및 R4는 탄화수소쇄이며,

X는 2가의 결합기이다.
자기 헤드, 자기 헤드를 탑재한 자기 헤드 슬라이더, 및 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크를 구비한 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 자기 디스크가 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 상기 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역을 자외선 조사하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하여 상기 CSS 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1.5 nm 이상이며, 상기 데이터 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1 nm 이상이고, 상기 데이터 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.5 이하이며, 동마찰 계수가 1.0 이하이며, 상기 CSS 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.0 이하이고, 동마찰 계수가 0.5 이하인 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생 장치.

<화학식 I>

R1-X-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-X-R2

<화학식 II>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-X-R3

<화학식 III>

F-(CF(CF₃)-CF₂-O)_n-CF(CF₃)-X-R4

식 중,

m 및 n은 정수이고,

R1, R2, R3 및 R4는 탄화수소쇄이며,

X는 2가의 결합기이다.
제12항에 있어서, 상기 자기 디스크가 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정한 후, 상기 CSS 영역에 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여 상기 CSS 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1.5 nm 이상이며, 상기 데이터 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1 nm 이상인 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생 장치.
제12항에 있어서, 상기 자기 디스크가 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정한 후, 상기 자기 디스크 전면에 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여 상기 CSS 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1.5 nm 이상이며, 상기 데이터 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1 nm 이상인 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생 장치.
자기 헤드, 자기 헤드를 탑재한 자기 헤드 슬라이더, 및 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크를 구비한 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 자기 디스크가 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 상기 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역을 자외선 조사하고, 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 상기 자기 디스크 전면에 도포하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정한 후, 화학식 Ⅰ 내지 Ⅲ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여 상기 CSS 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1.5 nm 이상이며, 상기 데이터 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1 nm 이상이고, 상기 데이터 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.5 이하이고, 동마찰 계수가 1.0 이하이며, 상기 CSS 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.0 이하이고, 동마찰 계수가 0.5 이하인 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생 장치.

<화학식 I>

R1-X-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-X-R2

<화학식 II>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-X-R3

<화학식 III>

F-(CF(CF₃)-CF₂-O)_n-CF(CF₃)-X-R4

식 중,

m 및 n은 정수이고,

R1, R2, R3 및 R4는 탄화수소쇄이며,

X는 2가의 결합기이다.
비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅳ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 CSS 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정함으로써 상기 CSS 영역에 형성한 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막과 상기 데이터 영역에 형성한 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 구비한 것을 특징으로 하는 자기 디스크.

<화학식 Ⅳ>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅴ>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅵ>

(C₂H₅O)₃Si-C₃H₆-NHCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅶ>

C₆H₅-O-C₆H₄-H₃N^{+ -}OCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 Ⅷ>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-CH₂OH

<화학식 Ⅸ>

HO-CH₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CH₂OH

<화학식 X>

HO-(CH₂CH₂-O)_p-CH₂CF₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-OCF₂CH₂(O-CH₂CH₂)_q-OH

<화학식 XI>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-COO^- ⁺NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XII>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XIII>

식 중, m, n, p 및 q는 정수이다.
비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 상기 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅳ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 자기 디스크 전면을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 상기 CSS 영역에 화학식 Ⅶ 내지 XIII의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여 상기 CSS 영역에 형성한 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막과 상기 데이터 영역에 형성한 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 구비한 것을 특징으로 하는 자기 디스크.

<화학식 Ⅳ>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅴ>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅵ>

(C₂H₅O)₃Si-C₃H₆-NHCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅶ>

C₆H₅-O-C₆H₄-H₃N^{+ -}OCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 Ⅷ>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-CH₂OH

<화학식 Ⅸ>

HO-CH₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CH₂OH

<화학식 X>

HO-(CH₂CH₂-O)_p-CH₂CF₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-OCF₂CH₂(O-CH₂CH₂)_q-OH

<화학식 XI>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-COO^- ⁺NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XII>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XIII>

식 중, m, n, p 및 q는 정수이다.
비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 상기 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅳ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 상기 데이터 영역에 하기 화학식 I 내지 III의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여 상기 CSS 영역에 형성한 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막과 상기 데이터 영역에 형성한 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 구비한 것을 특징으로 하는 자기 디스크.

<화학식 I>

R1-X-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-X-R2

<화학식 II>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-X-R3

<화학식 III>

F-(CF(CF₃)-CF₂-O)_n-CF(CF₃)-X-R4

<화학식 Ⅳ>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅴ>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅵ>

(C₂H₅O)₃Si-C₃H₆-NHCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅶ>

C₆H₅-O-C₆H₄-H₃N^{+ -}OCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 Ⅷ>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-CH₂OH

<화학식 Ⅸ>

HO-CH₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CH₂OH

<화학식 X>

HO-(CH₂CH₂-O)_p-CH₂CF₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-OCF₂CH₂(O-CH₂CH₂)_q-OH

<화학식 XI>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-COO^- ⁺NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XII>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XIII>

식 중,

m, n, p 및 q는 정수이고,

R1, R2, R3 및 R4는 탄화수소쇄이며,

X는 2가의 결합기이다.
비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅳ 내지 Ⅵ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅶ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 상기 디스크 전면에 도포하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 이어서 화학식 Ⅳ 내지 Ⅵ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여 상기 CSS 영역에 형성한 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막과 상기 데이터 영역에 형성한 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 구비한 것을 특징으로 하는 자기 디스크.

<화학식 Ⅳ>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅴ>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅵ>

(C₂H₅O)₃Si-C₃H₆-NHCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅶ>

C₆H₅-O-C₆H₄-H₃N^{+ -}OCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 Ⅷ>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-CH₂OH

<화학식 Ⅸ>

HO-CH₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CH₂OH

<화학식 X>

HO-(CH₂CH₂-O)_p-CH₂CF₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-OCF₂CH₂(O-CH₂CH₂)_q-OH

<화학식 XI>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-COO^- ⁺NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XII>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XIII>

식 중, m, n, p 및 q는 정수이다.
비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막, 윤활막을 순서대로 적층한 자기 디스크의 제조 방법에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 형성하고, 이어서 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅳ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하여, 상기 CSS 영역에 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막을 형성하고, 상기 데이터 영역에 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 형성하는 것을 특징으로 하는 자기 디스크 제조 방법.

<화학식 Ⅳ>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅴ>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅵ>

(C₂H₅O)₃Si-C₃H₆-NHCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅶ>

C₆H₅-O-C₆H₄-H₃N^{+ -}OCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 Ⅷ>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-CH₂OH

<화학식 Ⅸ>

HO-CH₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CH₂OH

<화학식 X>

HO-(CH₂CH₂-O)_p-CH₂CF₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-OCF₂CH₂(O-CH₂CH₂)_q-OH

<화학식 XI>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-COO^- ⁺NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XII>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XIII>

식 중, m, n, p 및 q는 정수이다.
비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막, 윤활막을 순서대로 적층한 자기 디스크의 제조 방법에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 형성하고, 이어서 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅳ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 자기 디스크 전면을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 상기 CSS 영역에 화학식 Ⅳ 내지 XIII의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여, 상기 CSS 영역에 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막을 형성하고, 상기 데이터 영역에 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 형성하는 것을 특징으로 하는 자기 디스크 제조 방법.

<화학식 Ⅳ>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅴ>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅵ>

(C₂H₅O)₃Si-C₃H₆-NHCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅶ>

C₆H₅-O-C₆H₄-H₃N^{+ -}OCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 Ⅷ>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-CH₂OH

<화학식 Ⅸ>

HO-CH₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CH₂OH

<화학식 X>

HO-(CH₂CH₂-O)_p-CH₂CF₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-OCF₂CH₂(O-CH₂CH₂)_q-OH

<화학식 XI>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-COO^- ⁺NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XII>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XIII>

식 중, m, n, p 및 q는 정수이다.
비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막, 윤활막을 순서대로 적층한 자기 디스크의 제조 방법에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 형성하고, 이어서 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅳ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 포함하는 윤활제를 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역에 자외선 조사하고, 이어서 상기 자기 디스크 전면을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 상기 데이터 영역에 화학식 Ⅳ 내지 Ⅵ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여, 상기 CSS 영역에 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막을 형성하고, 상기 데이터 영역에 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 형성하는 것을 특징으로 하는 자기 디스크 제조 방법.

<화학식 Ⅳ>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅴ>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅵ>

(C₂H₅O)₃Si-C₃H₆-NHCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅶ>

C₆H₅-O-C₆H₄-H₃N^{+ -}OCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 Ⅷ>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-CH₂OH

<화학식 Ⅸ>

HO-CH₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CH₂OH

<화학식 X>

HO-(CH₂CH₂-O)_p-CH₂CF₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-OCF₂CH₂(O-CH₂CH₂)_q-OH

<화학식 XI>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-COO^- ⁺NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XII>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XIII>

식 중, m, n, p 및 q는 정수이다.
비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막, 윤활막을 순서대로 적층한 자기 디스크의 제조 방법에 있어서, 이 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 형성하고, 이어서 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅳ 내지 Ⅵ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 적어도 하나 이상을 상기 자기 디스크 전면에 도포하고, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 자외선 조사한 후, 하기 화학식 Ⅶ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 상기 자기 디스크 전면에 도포하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 이어서 화학식 Ⅳ 내지 Ⅵ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여, 상기 CSS 영역에 막 두께 1.5 nm 이상의 윤활막을 형성하고, 상기 데이터 영역에 막 두께 1 nm 이상의 윤활막을 형성하는 것을 특징으로 하는 자기 디스크 제조 방법.

<화학식 Ⅳ>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅴ>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅵ>

(C₂H₅O)₃Si-C₃H₆-NHCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅶ>

C₆H₅-O-C₆H₄-H₃N^{+ -}OCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 Ⅷ>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-CH₂OH

<화학식 Ⅸ>

HO-CH₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CH₂OH

<화학식 X>

HO-(CH₂CH₂-O)_p-CH₂CF₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-OCF₂CH₂(O-CH₂CH₂)_q-OH

<화학식 XI>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-COO^- ⁺NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XII>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XIII>

식 중, m, n, p 및 q는 정수이다.
자기 헤드, 자기 헤드를 탑재한 자기 헤드 슬라이더, 및 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크를 구비한 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 자기 디스크가 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 상기 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 이어서 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅳ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역을 자외선 조사하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하여 상기 CSS 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1.5 nm 이상이고, 상기 데이터 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1 nm 이상이며, 상기 데이터 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.5 이하이고, 동마찰 계수가 1.0 이하이며, 상기 CSS 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.0 이하이고, 동마찰 계수가 0.5 이하인 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생 장치.

<화학식 Ⅳ>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅴ>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅵ>

(C₂H₅O)₃Si-C₃H₆-NHCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅶ>

C₆H₅-O-C₆H₄-H₃N^{+ -}OCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 Ⅷ>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-CH₂OH

<화학식 Ⅸ>

HO-CH₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CH₂OH

<화학식 X>

HO-(CH₂CH₂-O)_p-CH₂CF₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-OCF₂CH₂(O-CH₂CH₂)_q-OH

<화학식 XI>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-COO^- ⁺NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XII>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XIII>

식 중, m, n, p 및 q는 정수이다.
자기 헤드, 자기 헤드를 탑재한 자기 헤드 슬라이더, 및 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크를 구비한 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 자기 디스크가 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 상기 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 이어서 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅳ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역을 자외선 조사하고, 이어서 상기 디스크 전면을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 상기 CSS 영역에 화학식 Ⅶ 내지 XIII의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여 상기 CSS 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1.5 nm 이상이고, 상기 데이터 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1 nm 이상이며, 상기 데이터 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.5 이하이고, 동마찰 계수가 1.0 이하이며, 상기 CSS 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.0 이하이고, 동마찰 계수가 0.5 이하인 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생 장치.

<화학식 Ⅳ>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅴ>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅵ>

(C₂H₅O)₃Si-C₃H₆-NHCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅶ>

C₆H₅-O-C₆H₄-H₃N^{+ -}OCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 Ⅷ>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-CH₂OH

<화학식 Ⅸ>

HO-CH₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CH₂OH

<화학식 X>

HO-(CH₂CH₂-O)_p-CH₂CF₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-OCF₂CH₂(O-CH₂CH₂)_q-OH

<화학식 XI>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-COO^- ⁺NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XII>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XIII>

식 중, m, n, p 및 q는 정수이다.
자기 헤드, 자기 헤드를 탑재한 자기 헤드 슬라이더, 및 비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막을 순서대로 적층한 자기 디스크를 구비한 자기 기록 재생 장치에 있어서, 상기 자기 디스크가 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 상기 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 구비하고, 이어서 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅳ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 중 적어도 하나 이상을 상기 자기 디스크 전면에 도포한 후, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나, 또는 상기 자기 디스크 전면 또는 상기 데이터 영역을 자외선 조사하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정한 후, 화학식 Ⅳ 내지 Ⅵ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여 상기 CSS 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1.5 nm 이상이고, 상기 데이터 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1 nm 이상이며, 상기 데이터 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.5 이하이고, 동마찰 계수가 1.0 이하이며, 상기 CSS 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.0 이하이고, 동마찰 계수가 0.5 이하인 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생 장치.

<화학식 Ⅳ>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅴ>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅵ>

(C₂H₅O)₃Si-C₃H₆-NHCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅶ>

C₆H₅-O-C₆H₄-H₃N^{+ -}OCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 Ⅷ>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-CH₂OH

<화학식 Ⅸ>

HO-CH₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CH₂OH

<화학식 X>

HO-(CH₂CH₂-O)_p-CH₂CF₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-OCF₂CH₂(O-CH₂CH₂)_q-OH

<화학식 XI>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-COO^- ⁺NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XII>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XIII>

식 중, m, n, p 및 q는 정수이다.
비자성 기판상에 하부막, 자성막, 보호막, 윤활막을 순서대로 적층한 자기 디스크의 제조 방법에 있어서, 상기 자기 디스크의 회전 기동시와 회전 정지시에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 10 nm 이상인 CSS 영역과, 상기 자기 디스크의 회전 중에 자기 헤드 슬라이더가 위치하는 상기 보호막 표면의 조도가 Ra 3 nm 이하인 데이터 영역을 형성하고, 이어서 상기 보호막 표면에 하기 화학식 Ⅳ 내지 Ⅵ으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물 적어도 하나 이상을 상기 자기 디스크 전면에 도포하고, 상기 자기 디스크 전면을 80℃ 이상으로 가열하거나 또는 자외선 조사한 후, 하기 화학식 Ⅶ 내지 XIII으로 표시되는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 흡착성의 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 상기 자기 디스크 전면에 도포하고, 이어서 상기 데이터 영역을 퍼플루오로카본계 용제로 세정하고, 이어서 화학식 Ⅳ 내지 Ⅵ의 퍼플루오로폴리에테르계 화합물로부터 선택되는 상기 보호막 표면과 화학적으로 반응하는 관능기를 갖는 퍼플루오로폴리에테르계 화합물을 도포하여 상기 CSS 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1.5 nm 이상이고, 상기 데이터 영역에 형성한 윤활막의 막 두께가 1 nm 이상이며, 상기 데이터 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.5 이하이고, 동마찰 계수가 1.0 이하이며, 상기 CSS 영역에서 상기 자기 헤드 슬라이더와 자기 디스크 사이에서 발생하는 최대 정지 마찰 계수가 1.0 이하이고, 동마찰 계수가 0.5 이하인 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생 장치.

<화학식 Ⅳ>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅴ>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅵ>

(C₂H₅O)₃Si-C₃H₆-NHCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CONH-C₃H₆-Si(OC₂H₅)₃

<화학식 Ⅶ>

C₆H₅-O-C₆H₄-H₃N^{+ -}OCO-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 Ⅷ>

F(CF₂CF₂CF₂-O)_n-C₂F₄-CH₂OH

<화학식 Ⅸ>

HO-CH₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-CH₂OH

<화학식 X>

HO-(CH₂CH₂-O)_p-CH₂CF₂-(CF₂CF₂O)_m-(CF₂O)_n-OCF₂CH₂(O-CH₂CH₂)_q-OH

<화학식 XI>

F(CF₂CF₂CF₂O)_n-C₂F₄-COO^- ⁺NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XII>

F(CF(CF₃)-CF₂O)_n-CF(CF₃)-COO^{- +}NH₃-C₆H₄-O-C₆H₅

<화학식 XIII>

식 중, m, n, p 및 q는 정수이다.
제1항에 있어서, 상기 자기 디스크의 직경이 88.9 mm 이하인 것을 특징으로 하는 자기 디스크.
제7항에 있어서, 상기 자기 디스크의 직경이 88.9 mm 이하인 것을 특징으로 하는 자기 디스크 제조 방법.
제11항에 있어서, 상기 자기 디스크의 직경이 88.9 mm 이하인 것을 특징으로 하는 자기 기록 재생 장치.