JP4046305B2

JP4046305B2 - メモリディスクの製造方法

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Publication number: JP4046305B2
Application number: JP20973498A
Authority: JP
Inventors: 祥治笠松; 卓豊口; 尚之山本
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 1998-07-24
Filing date: 1998-07-24
Publication date: 2008-02-13
Anticipated expiration: 2018-07-24
Also published as: DE19912053A1; KR20000011245A; US6410103B1; JP2000048347A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスク装置や光ディスク装置等のメモリディスク装置に使用されるメモリディスクの製造方法に関し、さらに具体的には、所望の潤滑層を有するメモリディスクの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
パーソナル・コンピュータ，エンジニアリング・ワークステーション等のＯＡ機器の外部記憶装置として広く用いられている磁気ディスク駆動装置（以下、「ＨＤＤ」ともいう。）は、情報量の増大及び機器の小型化に伴い益々大容量化及び小型化されつつある。これらの要求から、ＨＤＤの主要構成部品の１つである磁気ディスクの高記録密度化は、１９９１年以前は１０年に約１０倍の割合で進行し、従来は２０００年頃に面記録密度が１０³Ｍｂ／ｉｎ²（１Ｇｂ／ｉｎ²）になると予測されていた。
【０００３】
しかし、最近の高密度化の動きは予想以上に速く、特に３．５インチ以下の小型ＨＤＤにおいては、新しいタイプの磁気ヘッド（ＭＲヘッド）及び新しいタイプの記録再生方式（ＰＲＭＬ方式）の採用と相まって飛躍的に向上し、１９９５年頃に１Ｇｂ／ｉｎ²での面記録密度が実現されている。
ＨＤＤの主要な構成要素の１つである磁気ディスク基板は、現在まで、アルミナを混合したγ酸化鉄を樹脂に分散して塗布，焼成，硬化する塗布型媒体、ＣｏＮｉＰ等の磁性薄膜をメッキにより被覆するメッキ型磁気ディスク及びγ酸化鉄薄膜をスパッタリングで成膜するフェライト媒体が主として実用化されてきた。
【０００４】
近年、５．２５インチ以下の中・小型磁気ディスクでは、ＣｏＮｉ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＰｔＣｒなどのＣｏ系金属磁性薄膜がスパッタリング法により成膜される金属スパッタ媒体が主流になっている。これは、磁気特性が容易に制御でき、小型化による線速度の低下を補える大きな残留磁気密度が得られるためである。一方、磁気ディスクに対応する磁気ヘッドとして従来から磁気誘導型ヘッドが広く使われているが、ディスク装置の小型化・大容量化を実現するため、一層高性能なヘッドとして磁気抵抗効果型ヘッド（Magneto-Resistive head）が開発され、実用化されている。このようなＭＲ素子は従来の磁気誘導型に比べ極めて高い磁場検出能力を持つため、同一条件で比較した場合、５〜１０倍の高い出力が得られ、記録密度向上が可能になっている。最近では、スピンバルブ膜を典型例とする、更に高感度な巨大磁気抵抗効果型ヘッド（Giant Magneto-Resistive head）の開発も進んでいる。
【０００５】
このように、磁気ディスク装置は、高密度化、小型化が著しく、これに伴い磁気ヘッドが磁気ディスクから浮上する浮上量は益々小さくなる傾向にある。このため、磁気ディスクの表面粗さを小さくして、動作中の磁気ディスクと磁気ヘッドの接触を防ぐ必要がある。
磁気ディスク装置には、一般に、ＣＳＳ（contact start-stop）方式が採用されることが多く、磁気ディスクの停止時にはディスク内周から数ｍｍのＣＳＳ領域で磁気ヘッド浮上面は磁気ディスク表面と接触している。そして、磁気ディスクが回転を開始すると、磁気ヘッドは磁気ディスクの回転に伴って生じる空気流の作用で浮上する。磁気ディスクを安定に低浮上させるために、フォトリソグラフィ技術を利用して複雑な形状のレールを持った磁気スライダが採用されている。
【０００６】
しかし、磁気ディスクの表面粗さを余り小さくすると、磁気ヘッドの接触面と磁気ディスク表面の実質的な接触面積が大きくなり、磁気ヘッドと磁気ディスク間で吸着を起こし、磁気ヘッドは浮上出来なくなることがある。表面粗さを小さくして、磁気ディスク表面の潤滑層の膜厚を１．０ｎｍ以上にした場合、磁気ヘッドと磁気ディスク間で吸着を起こしてしまう。この吸着現象を避けるため、潤滑層の膜厚は数Åと非常に薄く塗布されていた。
【０００７】
更に、磁気ヘッドと磁気ディスクの間の吸着現象の発生を防止するため、磁気ヘッド側のレール上に微小突起を形成して、磁気ヘッドの接触面と磁気ディスク表面の実質的な接触面積を減少することが提案されている。或いは、磁気ディスクのＣＳＳ領域（ディスク内周から数ｍｍの領域）に微小突起を形成して（ＺＯＮＥＴＥＸＴＵＲＥ技術ともいう。）、実質的な接触面積を減少することが提案されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このように磁気ヘッド側又は磁気ディスク側のいずれかに微小突起を形成すると、微小突起上に形成された微小な接触面の面圧（単位面積当たりの圧力）が必然的に大きくなるため、従来の非常に薄い潤滑層の膜厚では、膜切れを発生しやすくなる傾向にある。潤滑層の膜切れが発生すると、磁気ヘッドと磁気ディスク基板は凝着（固体間接触）し、摩擦の増加を招き、また、微小突起が摩耗してしまうことがあった。
【０００９】
そこで、本発明者は、磁気ヘッド側又は磁気ディスク基板側のいずれかに微小突起を形成した場合に、潤滑層の膜厚を比較的厚くするとともに、微小突起の耐摩耗性を向上することを検討した。しかし、従来の潤滑層に使用される潤滑剤を使用して、単に、潤滑層の膜厚を厚くしても、磁気ディスクの回転による遠心力のため、時間の経過と共に潤滑剤が半径方向外側に向けて流動して潤滑層の膜厚が減少する問題があった。
【００１０】
従って、本発明は、上記問題点に鑑みて、新規なメモリディスクの製造方法を提供することを目的とする。更に具体的に、本発明は、磨耗が少ないメモリディスクの製造方法を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、メモリディスクの製造方法において、潤滑層形成工程が、カーボン保護膜が形成されたディスク基板に対し、潤滑剤を塗布し、前記潤滑剤が前記ディスク基板に対して結合するように、吸着処理し、前記ディスク基板の潤滑層から、ディスク回転動作時に流動性のあるフリー層を除去する工程を有し、前記吸着処理は、前記ディスク基板のＣＳＳ領域のみ紫外線を照射し、前記ディスク基板のＣＳＳ領域とデータ領域の全面に対して紫外線を照射する、二段階照射によって行われることを特徴とするメモリディスクの製造方法が提供される。
【００１６】
なお、メモリディスクとしては、磁気ディスク、光ディスクなどがある。
以上のように、本発明では、流動性のないボンディング層のみからなる潤滑層をメモリディスク上に形成している。これによれば、書込み又は読出し用のヘッドを有するヘッドスライダがメモリディスク上の潤滑層を摺動する際に、潤滑層の膜厚減少が抑制され、潤滑層とヘッドスライダとの摩擦が低減し、潤滑層の耐磨耗性が向上する。
【００１７】
また、潤滑層のうち、ＣＳＳ領域をデータよりも厚く形成したので、ＣＳＳ領域では潤滑層とヘッドスライダとの摩擦力がより低くなり、しかも使用時間の累積によって潤滑層の膜厚が減少しにくくなり、摩擦低減効果が図れる。
【００１８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る磁気記録媒体，磁気記録媒体の製造方法及び磁気記録装置の各々の実施の形態について、添付の図面を参照しながら説明する。
なお、本発明の特徴点は、磁気記録媒体の塗布された潤滑剤及び潤滑層に関するものであるが、本発明を容易に理解するため、まず最初に、磁気記録媒体及びその製造方法に関して簡単に説明し、次ぎに、その製造方法の一工程であり且つ特徴点である潤滑剤及び潤滑層に関する事項について別項を設けて詳細に説明する。
［磁気ディスクの構成及び製造方法］
ここで、図１（Ａ）は、具体的には磁気ディスク１０の断面構造を示す図であり、図１（Ｂ）は、具体的には磁気ディスクの製造方法を示す図である。
【００１９】
図１（Ａ）及び（Ｂ）を参照すると、ステップＳ０１において、ハード・ディスク用ディスク基板として、アルミ合金基板１が形成される。このアルミ合金としては、好ましくは、強度及び耐食性が優れている、例えば、Ａｌ−Ｍｇ合金のＡＡ−５０８６をベースに種々改良された材料が使用される。
得られたアルミ合金の箔板は、ブランキング（型抜き）、熱処理、、面取り加工、砥石による研磨等の作業を経て、アルミ合金基板（「アルミ・サブストレート」とも称される。）に仕上げられる。このようにして、図１のＡｌ合金基板１が形成される。
【００２０】
ステップＳ０２において、Ａｌ合金基板１の上に、ＮｉＰメッキ層２が形成される。磁気ディスク基板としては、磁気ヘッドを低く浮上させるため平面度が良く、表面が平滑であることが必要である。その為には上述のアルミ・サブストレート自体の良好な平面度や面精度が前提となるが、ディスク起動時と停止時におけるヘッドとの接触に耐えるだけの充分な硬さ、及びディスク表面を高精度に仕上げるための研磨加工を可能にする表面硬度を持たせるため、柔らかいアルミ・サブストレート上に硬質メッキ層が必要となる。このために、ＮｉＰメッキ層２が設けられている。
【００２１】
また、このＮｉＰメッキ層２は記録情報の再生時にノイズが生じないよう、後述のスパッタ工程における加熱を経ても非磁性であることが要求される。従って、本来磁性であるＮｉに、無電界メッキ作業においてＰを含有させて非晶質・非磁性化させている。
ステップＳ０３において、ＮｉＰメッキされたアルミ合金基板は、両面研磨加工される。ＮｉＰメッキ・アルミ合金基板は、メッキ膜特有のノジュールなどの小突起を持ち面粗さが大きいため、両面同時バフ研磨でアルミナ等の砥粒を用い鏡面仕上げを行う。このようにして、図１のＮｉＰメッキ層２が形成される。
【００２２】
ステップＳ０４において、両面研磨されたＮｉＰメッキされたアルミ合金基板に対し、テクスチャ加工が行われる。このテクスチャ加工は、ディスク起動時と停止時におけるヘッドの吸着を防止するため、機械加工によって適度な粗さ（テクスチャ）を付与する工程である。磁気ディスクがヘッドと接触する際の摩擦力を減らし、適当な溝加工を行って両者の接触面積を小さくしている。
【００２３】
ステップＳ０５において、テクスチャ加工が施されたＮｉＰメッキ・アルミ合金基板は洗浄される。
洗浄工程を経た清浄なＮｉＰメッキ・アルミ合金基板は、対向ターゲット・スパッタリング装置を用いて、下地層（ステップＳ０６）、磁性層（ステップＳ０７）、カーボン保護膜（ステップＳ０８）の順にスパッタ膜が形成される。本実施形態では、例えば、静止対向式ターゲット・スパッタリング装置を用い、対向した２つのターゲットの中間に基板を１枚ずつ搬送して停止し、任意所定の膜厚に達するまでスパッタリング成膜する。成膜後、基板は別のターゲット上に移送して停止し、こうして３種類の材料を順次成膜する。以下、順に説明する。
【００２４】
ステップＳ０６において、ＮｉＰメッキ層２の上に、下地層４が形成される。下地層４は、磁性層５の磁気特性を発現させるため成膜され、Ｃｒ膜又はＣｒ系合金膜が用いられる。本実施形態では、下地層４は、例えば、Ｃｒ₉₀Ｍｏ₁₀膜（ａｔ％）が用いられる。このようにして、図１の下地層４が形成される。
ステップＳ０７において、下地層３の上に、磁性層４が形成される。磁性層４は、Ｃｏを主成分とし、保磁力などの磁気特性やノイズを制御するためＣｒやＰｔ等の添加物を加えたＣｏＰｔＣｒ系合金薄膜から成る。
【００２５】
磁性層４における磁気特性やノイズ制御特性に関しては、磁気異方性や結晶構造が反映するので、Ｃｏ，Ｐｔ，Ｃｒの組成及び下地層３の膜厚等の最適化によりノイズ特性の改善が図られている。このため、磁性層４の下層にはＣｒ系の下地層３を用い、また、アルミサブストレートにはステップＳ０４のテクスチャ加工が施されている。
【００２６】
本実施形態では、磁性層４は膜厚２５ｎｍのＣｏ₇₂Ｃｒ₁₉Ｐｔ₅Ｔａ₂Ｎｂ₂膜（ａｔ％）が用いられる。磁性層４としては、所望により、その他の材料、例えば、ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＣｒＴａ等の合金膜を用いることもできる。このようにして、図１の磁性層４が形成される。
ステップＳ０８において、磁性層４の上に、カーボン保護膜５が形成される。この工程で形成される保護膜５と次工程で形成される潤滑層６は、磁性層４を磁気ヘッド（或いは、磁気ヘッドのレール上の微小突起）との接触摺動による破壊から防御するために設けられている。
【００２７】
カーボン保護膜５には、硬度，ヤング率，内部応力，付着力等の機械的等特性が必要とされる。本実施形態では、図１（Ａ）のカーボン保護膜５は、例えば、膜厚約８ｎｍの炭素皮膜から成る。このようにして、図１のカーボン保護膜５が形成される。
ステップＳ０９において、カーボン保護膜５の上に、潤滑層１１が形成される。潤滑層形成は、摺動耐久性とを確保するためである。従って、潤滑層７には、摩擦係数，境界潤滑性，自己修復性，スティクション特性，スピンオフ特性，耐蒸発性，耐分解性等が重要な特性である。ここで、スティクション特性とは極めて平滑な面間に液体が存在すると、その表面張力によりその２面間に大きな力が働く現象をいい、スピンオフ特性とは、磁気ディスクの回転に伴う遠心力により潤滑剤が飛散する特性をいう。また、潤滑分子は保護膜表面に物理吸着又は化学吸着により付着し、且つ潤滑性を有する必要がある。
【００２８】
本発明の特徴点は、この潤滑層１１の構造及び塗布方法等にあるので、潤滑層に関しては別項を設けて詳細に説明する。
以上の製造工程を経て、ステップＳ１０において、図１（Ａ）に示すように仕上がった磁気ディスク１０に対して評価試験を行う。評価試験は、主として、グライドテスト及びサーティファイから成る。
【００２９】
グライドテストは、所定のグライド高さを保証するため、予め出力校正されたピエゾ素子を搭載したヘッドを保証すべき高さで浮上させ、ディスク保証領域においてヘッド・ディスク間の接触が全く無いことを確認する試験である。
サーティファイは、完成した磁気ディスクをディスク駆動装置に搭載し、実際に駆動して、記録再生特性、欠陥数等を検査し、要求仕様を満足しているか否かを確認する試験である。
［潤滑層の形成］
（第１の実施例）
図２は、第１の実施例に係る図１（Ｂ）に示す磁気ディスク製造工程における潤滑層形成工程（ステップＳ０９）を順番に説明する図である。
【００３０】
このディスク基板１０は、図１（Ｂ）の製造工程のステップＳ０８のカーボン保護膜が形成される工程まで、終了している。
図２（Ａ）に示すように、カーボン保護膜６が被覆された磁気ディスク基板１０に、フッ素系の潤滑剤を比較的厚い所定の膜厚まで、例えば膜厚１．０〜２．０ｎｍ程度となるように塗布する。潤滑剤、希釈溶剤、塗布方法、塗布条件は、潤滑層６が所定の膜厚が得られるならば、適宜変更してもよい。
【００３１】
本実施例では、このフッ素系の潤滑剤としては、例えば、アウジモント（AUSIMONT）社の製造に係る品番「FOMBLIN AM3001」を、例えば、３Ｍ社の製造に係る希釈溶剤品番「フロリナートＦＣ７７」で濃度０．１％に溶解させた潤滑剤溶液を使用している。塗布方法は、ディップ（浸漬）方式により行い、引き上げ速度６ｍｍ／秒、浸漬時間は３０秒とした。尚、塗布方法は、スピンコート方式等のその他の方法でもよい。或いは、アウジモント（AUSIMONT）社の製造に係る品番「FOMBLIN AM2001」を使用することもできる。表１は、「FOMBLIN AM3001」と「FOMBLIN AM2001」のメーカ・カタログ・データである。また、アウジモンド社の「ＦｏｍｂｌｉｎＺＤｏｌ」、ダイキン工業「Ｄｅｍｎｕｍ」等のフッ素系油潤滑剤を用いてもよい。
【００３２】
【表１】

【００３３】
次ぎに、図２（Ｂ）に示すように、潤滑剤溶液１１が塗布された磁気ディスク基板１０に対して、潤滑剤溶液をディスク基板に対して確実に付着するため吸着処理を行う。この基板に対する吸着処理は、紫外線照射，熱処理等の適当な方法であってよい。本実施例では、紫外線又は短波長紫外線１４の照射（UV CURE ）を行った。使用する紫外線の波長λは、例えば１８４ｎｍと２５３ｎｍの混合波長を使用し、照射時間は約５〜３０秒程度である。
【００３４】
このとき、潤滑層の拡大断面図に示すように潤滑層６は、磁気ディスク基板１０（具体的には、図１（Ａ）のカーボン保護膜６）の上に、ボンディング層（結合層）１１とこのボンディング層の上のフリー層（自由層）１２から成る二層構造で形成されている。
ここで、ボンディング層１１とは、潤滑層６の内、磁気ディスク基板１０を連続して回転したとき、潤滑層６に遠心力が加わっても、カーボン保護膜６に対してしっかりと結合して移動しない層部分をいう。フリー層１２とは、潤滑層６の内、このボンディング層１２の上の層部分であって、潤滑層のもつ流動性により半径方向外側に移動する層部分をいう。また、一般に、潤滑層の膜厚が薄いと、ボンディング率（＝ボンディング層膜厚／潤滑層膜厚）は高くなり、潤滑層の膜厚が厚くなるにつれ、ボンディング率は低くなる傾向にある。
【００３５】
磁気ディスク基板のボンディング層及びフリー層の詳細に関しては、例えば、庄司三良他「Ｘ線反射率法を用いた潤滑剤の吸着構造解析」：トライボロジスト第４３巻第３号（１９９８）を参照されたい。
次ぎに、図２（Ｃ）に示すように、潤滑層の吸着処理された磁気ディスク基板１０に対し、潤滑層中のフリー層１２の除去処理を行う。フリー層除去剤１５として、適当な溶剤を使用できる。処理条件等は、フリー層が十分除去できるように適宜変更できる。しかし、図２（Ａ）に関連して説明したディップ槽と同じタイプの容器を用意し、同じ希釈溶剤をフリー層除去剤１５として使用すると製造上便利である。従って、本実施例では、希釈溶剤品番「フロリナートＦＣ７７」を使用した。塗布方法はディップ方式により行い、浸漬時間は３０秒とした。このフリー層１２の除去処理によって、磁気ディス基板上には、実質的にボンディング層１１のみから成る所定膜厚の潤滑層を残すことが出来る。
【００３６】
（第２の実施例）
図３は、第２の実施例に係る図１（Ｂ）に示す磁気ディスク製造工程における潤滑層形成工程（ステップＳ０９）を順番に説明する図である。
ディスク基板１０は、図１（Ｂ）の製造工程のステップＳ０８のカーボン保護膜が形成される工程まで、終了している。
【００３７】
図３（Ａ）に示すように、カーボン保護膜が被覆された磁気ディスク基板１０に、フッ素系の潤滑剤を比較的厚い所定の膜厚まで、例えば膜厚２．０ｎｍとなるように塗布する。潤滑剤、希釈溶剤、塗布方法、塗布条件は、第１の実施例に関し、図２（Ａ）を用いて説明した潤滑剤の塗布と同じであってよい。
次ぎに、図３（Ｂ）に示すように、潤滑剤６が塗布された磁気ディスク基板１０に対して、潤滑層６の基板に対する吸着処理を行う。この基板に対する吸着処理は、実施例１と異なり、次の２段階によって行われる。
【００３８】
（１）潤滑剤６が塗布された磁気ディスク基板１０のＣＳＳ領域のみ、潤滑層の第１の吸着処理を行う。
本実施例では、潤滑剤６が塗布された磁気ディスク基板１０のデータ領域（ＣＳＳ領域以外の部分）を適当な遮蔽板１６で覆って、紫外線又は短波長紫外線１４の照射（UV CURE ）を行った。使用する紫外線は、図２（Ｂ）に関連して説明したものと同じであってよい。照射時間は数秒程度である。
【００３９】
（２）第１の吸着処理が成された磁気ディスク基板１０の全面（ＣＳＳ領域とデータ領域）に対して、潤滑層の第２の吸着処理を行う。
本実施例では、遮蔽板１６を取り去って、紫外線又は短波長紫外線１６の照射（UV CURE ）を行った。使用する紫外線１６は、図２（Ｂ）に関連して説明したものと同じであってよい。照射時間は約５〜３０秒程度である。
【００４０】
これら第１及び第２の基板に対する吸着処理を通して、磁気ディスク基板１０の潤滑層６では、ＣＳＳ領域に対しては第１及び第２の吸着処理が施され、データ領域に対しては第２の吸着処理のみが施される。しかし、所望により、潤滑層の第２の吸着処理を省略することもできる。
このとき、潤滑層の拡大断面図に示すように潤滑層６は、磁気ディスク基板１０（具体的には、図１（Ａ）のカーボン保護膜６）の上に、ボンディング層（結合層）１１とこのボンディング層の上のフリー層（自由層）１２から成る二層構造で形成されている。
【００４１】
次ぎに、図３（Ｃ）に示すように、潤滑層６の吸着処理された磁気ディスク基板１０に対し、潤滑層中のフリー層１２の除去処理を行う。このフリー層の除去処理は、第１の実施例の図２（Ｃ）に関連して説明したフリー層除去処理と同じであってよい。
このフリー層の除去処理後、磁気ディス基板上には実質的にボンディング層１２のみから成る潤滑層６が形成され、このボンディング層１２はＣＳＳ領域では所定膜厚を有し、一方、データ領域では相対的に薄い膜厚となっている。
【００４２】
第２の実施例に係る磁気ディスクでは、ＣＳＳ領域のみ選択的に潤滑層を比較的厚くすることが出来る。本来データ領域では潤滑層を比較的厚くする要請は無い。データ領域の潤滑層を厚くしても何等問題がないとする見解もある。その場合には、第１の実施例が好ましい。しかし、データ領域の潤滑層を厚くすると、FLYING STICTION （回転浮上中に何らかの原因で瞬間的に磁気ヘッドと磁気ディスクが摩擦する現象）の問題を指摘する見解もある。その場合には、この第２の実施例を採択することにより問題を回避できる。
［本実施例に係る磁気ディスク基板の評価結果］
（磁気ディスク基板の潤滑層の構成）
図４（Ａ）は、本実施例に係る磁気ディスク基板１０の潤滑層６が実質的にボンディング層１１のみから成ることを明らかにするための試験結果を示すグラフである。グラフの横軸は、磁気ディスク基板を通常の動作状態で回転したときの経過時間を示し、縦軸は、当初膜厚１．６ｎｍであった潤滑層６の膜厚減少量を単位ｎｍで示したものである。膜厚は、ＦＴ−ＩＲで測定している。
【００４３】
従来の磁気ディスク基板１０は、回転開始から約１１５時間経過後に０．０７５ｎｍの膜厚減少を招き、約２００時間経過後に０．１４ｎｍの膜厚減少を招いている。
これに対して、本実施例に係る磁気ディスク基板は、回転開始から約２００時間経過後で、膜厚減少は０．０２ｎｍ未満に止まっている。磁気ディスク基板の回転は、２００時間経過後も継続されるが、２００時間経過後のデータは、図４（Ｂ）を参照されたい。なお、回転時間２００時間までの潤滑層の膜厚減少のデータは、各サンプルについて差はなく、一点で表示されている。
【００４４】
図４（Ｂ）は、図４（Ａ）の経過時間を２５００時間まで延長したときの試験結果を示すグラフである。図４（Ａ）と同様に、グラフの横軸は、磁気ディスク基板を通常の動作状態で回転したときの経過時間を示し、縦軸は、当初、膜厚１．６ｎｍであった潤滑層の膜厚減少量を単位ｎｍで示したものである。
従来の磁気ディスクは、図４（Ａ）に示す試験結果から回転開始から約２００時間経過後に０．１４ｎｍの膜厚減少を招いていた。その後、回転開始から約５００時間経過後に０．３４ｎｍの膜厚減少を招き、約１０００時間経過後に０．５８ｎｍの膜厚減少を招き、約１２５０時間経過後に最大で０．６ｎｍの膜厚減少を招いている。当初膜厚が１．６ｎｍであるので、最終的には１．０ｎｍの膜厚となり、３８％の減少分である。
【００４５】
これに対し、本実施例に係る磁気ディスク基板のデータとしては、膜厚変動の小さい典型例の実施例Ａと膜厚変動の大きい典型例の実施例Ｂとを表示する。膜厚変動の大きい実施例Ｂは、回転開始から約５００時間経過後に０．１４ｎｍの程度の膜厚減少を招くが、その後は２０００時間経過後まで膜厚の実質的な変動はない。当初膜厚が１．６ｎｍであるので、最終的には１．４６ｎｍの膜厚となり、９％の減少分である。
【００４６】
膜厚変動の小さい実施例Ａは、回転開始から約１００時間経過後に０．０３ｎｍの程度の膜厚減少を招くが、その後は２０００時間経過後まで膜厚の実質的な変動はない。当初膜厚が１．６ｎｍであるので、最終的には１．５７ｎｍの膜厚となり、２％の減少分である。
図４（Ａ）及び（Ｂ）に示す試験結果から、本実施例の磁気ディスク基板の潤滑層６は、回転動作による潤滑層の膜厚減少分が極めて小さいことが判明した。従って、本実施例の磁気ディスク基板の潤滑層６は。フリー層１２がほとんど存在しなく、実質的にボンディング層１１から構成されていることが分かる。
【００４７】
具体的には、潤滑層の当初膜厚が１．６ｎｍの場合、従来の磁気ディスクの潤滑層はフリー層が３８％、ボンディング層が６２％であるのに対し、本実施例の磁気ディスクの潤滑層はフリー層が２〜９％とであり、ボンディング層が９１〜９８％であることが判明した。結局、本実施例によれば、実質的にボンディング層のみから成り、厳密に言っても９０％以上はボンディング層から形成される磁気ディスクの潤滑層が実現できる。
【００４８】
（潤滑層と摩擦力の関係）
図５は、本実施例に係る磁気ディスク基板の潤滑層の膜厚が減少しても摩擦力は実質的に増大しないことを明らかにするために実施された試験結果を示すグラフである。グラフの横軸は、磁気ディスク基板１０の潤滑層６の膜厚である。図４の結果より、従来の磁気ディスク基板では、潤滑層６はボンディング層１１とフリー層１２から成り、本実施例の磁気ディスク基板１０では、潤滑層６は実質的にボンディング層１１から成る。縦軸は摩擦力をグラム単位（g-force ）で表示している。
【００４９】
従来の磁気ディスク基板では、潤滑層（即ち、ボンディング層＋フリー層）の膜厚が、１．５ｎｍ以上厚いときは摩擦力は１．５ｇｆ程度であるが、膜厚が薄くなり、例えば１ｎｍ程度では摩擦力は８．０ｇｆ程度に上昇する。
これに対して、本実施例に係る磁気ディスク基板では、潤滑層（即ち、ボンディング層）の膜厚が１．５ｎｍ以上では、摩擦力は従来の磁気ディスク基板と大差ないが、万が一にも何らかの原因で膜厚が薄くなり、例えば１ｎｍ程度となっても摩擦力の上昇は３ｇｆ程度に止まる。また、この時の耐磨耗性も確認されている。
【００５０】
（平均粗さと潤滑層膜厚の関係）
図６は、図１で説明したステップＳ０４のテクスチャ加工によって表面が粗されたディスク基板の平均表面粗さＲａ，潤滑層の膜厚及び摩擦力の関係を示す図である。横軸は、潤滑層の膜厚ｔ_L／平均表面粗さＲａの比を表し、縦軸は摩擦力を表している。
【００５１】
パラメータはディスク基板の平均粗さＲａとし、Ｒａ＝２．０ｎｍ，０．８ｎｍ及び０．３ｎｍの場合をプロットしている。平均粗さＲａ＝２．０ｎｍの場合、潤滑層の膜厚ｔ_l／平均粗さＲａの比が１．０のとき摩擦力は１．７〔ｇｒ〕となり、ｔ_l／Ｒａの比が２．０のとき摩擦力は１．２〔ｇｒ〕となり、ｔ_l／Ｒａの比が３．０のとき摩擦力は０．７〔ｇｒ〕となる。
【００５２】
平均粗さＲａ＝０．８ｎｍの場合、ｔ_l／Ｒａの比が１．０のとき摩擦力は３．３〔ｇｒ〕となり、ｔ_l／Ｒａの比が２．０のとき摩擦力は２．１〔ｇｒ〕となり、ｔ_l／Ｒａの比が３．０のとき摩擦力は１．３〔ｇｒ〕となる。
平均粗さＲａ＝０．３ｎｍの場合、ｔ_l／Ｒａの比が３．０のとき摩擦力は７．０〔ｇｒ〕となり、ｔ_l／Ｒａの比が６．０のとき摩擦力は１．５〔ｇｒ〕となり、ｔ_l／Ｒａの比が９．０のとき摩擦力は０．３〔ｇｒ〕となる。
【００５３】
図６から、次のことが分かる。例えば、平均表面粗さＲａ＝２．０ｎｍ一定のとき、潤滑層の膜厚が薄くなると摩擦力は大きくなることが分かる。この傾向は、平均表面粗さＲａが小さくなるにつれ大きくなり、最も平均表面粗さが小さいＲａ＝０．３ｎｍでは膜厚の減少と共に急激に摩擦力が増大する。
従って、潤滑層の膜厚を比較的厚く、例えば１．５〜２．５ｎｍ程度形成することが好ましい。
【００５４】
表２は、これらの関係を具体的に表したものである。
【００５５】
【表２】

【００５６】
ここで、許容される摩擦力の上限は、磁気ディスク装置のその他の要因によって決定される。例えば、ここで、摩擦力の最大値を２．５〔ｇｆ〕と規定する。従って、表２の判定の欄に、摩擦力が２．５〔ｇｆ〕以上の場合を否（×）と印す。
一方、表面粗さＲａは、磁気ディスク装置の記録密度の高密度化による磁気ヘッドの浮上量が小さくなることから、磁気ディスク基板に望まれる仕様では、例えば１．０ｎｍ以下程度に抑えられることが好ましい。従って、表中の平均粗さＲａ＝２．０ｎｍのデータは除かれる。
【００５７】
結局、平均粗さＲａが１．０ｎｍ以下で、摩擦力が２．５〔ｇｆ〕以下のデータは、潤滑層の膜厚が１．５ｎｍ以上に限られる。これを、丸（○）で印す。
本実施例では、摩擦力が２．５〔ｇｆ〕以下で、平均表面粗さＲａが１．０ｎｍ以下の条件を満足するため、潤滑層の膜厚を１．５ｎｍ以上としている。この潤滑層の膜厚を採択すれば、比較的摩擦力の低い磁気ディスク基板を実現することができる。なお、潤滑層の膜厚の上限に関しては、表２で試験を行って確認している２．７ｎｍ以下とする。これ以上の膜厚の磁気ディスクについては、確認を行っていないので、膜厚が厚すぎることによる影響については今後の検討課題である。
【００５８】
潤滑層の１．５〜２．７ｎｍ程度の膜厚は、図２及び３で説明した製造方法により、また、図４の評価試験で確認したように、実質的にボンディング層のみで実現することが出来る。従って、連続的な回転動作を経ても潤滑層の膜厚の減少はない。更に、長期間に亘り比較的摩擦力の低い磁気ディスク基板が得ることが出来る。
［磁気ディスク駆動装置］
図１に示すような構成を有し、図２及び図３に示すような製造工程で製造された磁気ディスクを用いたＨＤＤ（磁気ディスク駆動装置）を簡単に説明する。
【００５９】
図７は、ＨＤＤの要部を示す図である。磁気記録媒体として、上述した磁気ディスク１０が搭載され、回転駆動される。この磁気ディスク１０の表面に対向し、約２０ｎｍ程度の浮上量でＭＲヘッド又はGMR ヘッド２０が配置され、記録・再生動作が行われる。ヘッド２０の位置決めは、通常のアクチュエータと電磁式微動アクチュエータを組み合わせた２段式アクチュエータ２１を採用している。更に、吸着フリー・スライダ２２を採用してスライダと磁気ディスク１０の吸着を防いでいる。
【００６０】
【発明の効果】
以上のように、本発明では、流動性のないボンディング層のみからなる潤滑層をメモリディスク上に形成している。これによれば、書込み又は読出し用のヘッドを有するヘッドスライダがメモリディスク上の潤滑層を摺動する際に、潤滑層の膜厚減少を抑制し、潤滑層とヘッドスライダとの摩擦を低減し、潤滑層の耐磨耗性を向上できる。
【００６１】
また、潤滑層のうち、ＣＳＳ領域をデータよりも厚く形成したので、ＣＳＳ領域では潤滑層とヘッドスライダとの摩擦力がより低くなり、しかも使用時間の累積によって潤滑層の膜厚が減少しにくくなり、摩擦低減効果が図れる。
したがって、本発明によれば、新規な磁気ディスクを提供することが出来る。
更に本発明によれば、新規な磁気ディスクの製造方法を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）は、磁気ディスク断面構造を示す図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ）の磁気ディスクの製造工程のフローを示す図である。。
【図２】図２は、第１の実施例に係る磁気ディスクの製造工程、特に潤滑層の製造工程を説明する図である。
【図３】図３は、第２の実施例に係る磁気ディスクの製造工程、特に潤滑層の製造工程を説明する図である。
【図４】図４は、磁気ディスク基板の回転時間と、潤滑層の膜厚減少量との関係を示すグラフである。
【図５】図５は、磁気ディスクの潤滑層の膜厚と摩擦力の関係を示すグラフである。
【図６】図６は、磁気ディスクの潤滑層の膜厚と、平均粗さと、摩擦力の関係を示すグラフである。
【図７】図７は、磁気ディスクを搭載した磁気ディスク駆動装置（ＨＤＤ）を示す図である。
【符号の説明】
１：Ａｌ合金基板、２：ＮｉＰメッキ層、３：下地層、４：磁性層、
５：カーボン保護膜、６：潤滑層、１０：磁気ディスク基板、１１：ボンディング層（結合層）、１２：フリー層、１３：潤滑剤溶液：１４：紫外線ランプ、１５：フリー層除去剤、１６：紫外線遮蔽板

Claims

メモリディスクの製造方法において、潤滑層形成工程が、カーボン保護膜が形成されたディスク基板に対し、潤滑剤を塗布し、前記潤滑剤が前記ディスク基板に対して結合するように、吸着処理し、前記ディスク基板の潤滑層から、ディスク回転動作時に流動性のあるフリー層を除去する工程を有し、
前記吸着処理は、前記ディスク基板のＣＳＳ領域のみ紫外線を照射し、前記ディスク基板のＣＳＳ領域とデータ領域の全面に対して紫外線を照射する、二段階照射によって行われることを特徴とするメモリディスクの製造方法。
前記吸着処理は、前記ディスク基板のデータ領域を遮蔽板で覆うことで、前記ディスク基板のＣＳＳ領域にのみ紫外線を照射することを特徴とする請求項１記載のメモリディスクの製造方法。