JP3347512B2 - 低温接合用はんだ合金、これを用いた電子機器およびその製造方法 - Google Patents
低温接合用はんだ合金、これを用いた電子機器およびその製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、低温接合用はんだ合
金、これを用いた電子機器およびその製造方法に関す
る。本発明は、特に、電子機器産業における回路配線基
板アセンブリにおいて使用されるはんだ合金に関し、こ
のはんだ合金は構成元素としてＰｂを含まず、しかもそ
れを用いた時のはんだ付け温度が従来の６３Ｓｎ−３７
Ｐｂはんだの融点よりも低いものである。
金、これを用いた電子機器およびその製造方法に関す
る。本発明は、特に、電子機器産業における回路配線基
板アセンブリにおいて使用されるはんだ合金に関し、こ
のはんだ合金は構成元素としてＰｂを含まず、しかもそ
れを用いた時のはんだ付け温度が従来の６３Ｓｎ−３７
Ｐｂはんだの融点よりも低いものである。
【０００２】
【従来の技術】地球環境保全に対する国際的な意識の高
まりから、廃電子部品からのＰｂの溶出による水質汚染
がクローズアップされている。Ｐｂは、Ｓｎとの合金で
ある融点１８３℃の６３Ｓｎ−３７Ｐｂはんだとして、
電子機器の製造に広く用いられていることから、その代
替はんだ合金を開発することが急務となっている。ま
た、はんだ付け温度を低くすることは、吸湿した樹脂封
止ＬＳＩがはんだ接合時にパーケージクラックを生じる
のを防止することもできることから、電子機器の信頼性
の点でメリットがある。したがって、Ｐｂを構成元素に
含まない低温接合用はんだ合金を開発することは、極め
て有意義である。
まりから、廃電子部品からのＰｂの溶出による水質汚染
がクローズアップされている。Ｐｂは、Ｓｎとの合金で
ある融点１８３℃の６３Ｓｎ−３７Ｐｂはんだとして、
電子機器の製造に広く用いられていることから、その代
替はんだ合金を開発することが急務となっている。ま
た、はんだ付け温度を低くすることは、吸湿した樹脂封
止ＬＳＩがはんだ接合時にパーケージクラックを生じる
のを防止することもできることから、電子機器の信頼性
の点でメリットがある。したがって、Ｐｂを構成元素に
含まない低温接合用はんだ合金を開発することは、極め
て有意義である。
【０００３】Ｐｂを構成元素として含まない低融点合金
として、Ｓｎ，Ｉｎ，Ｂｉなどを構成元素とする６６Ｉ
ｎ−３４Ｂｉ（融点７２℃）、５２Ｉｎ−４８Ｓｎ（融
点１１７℃）、５７Ｂｉ−４３Ｓｎ（融点１３９℃）な
どが知られている。これらのうちで、６６Ｉｎ−３４Ｂ
ｉは、電子機器稼働時の内部温度が８０℃に達すること
を考慮するとはんだ合金としては実用に適さない。ま
た、５２Ｉｎ−４８Ｓｎは、Ｉｎが産出量に乏しく、高
価であることから、はんだ合金としての安定供給や価格
の点で問題が残る。５７Ｂｉ−４３Ｓｎは、融点、安定
供給性および価格の点では問題ないが、それ自体が硬く
て脆いという、望ましくない物性を有している。
として、Ｓｎ，Ｉｎ，Ｂｉなどを構成元素とする６６Ｉ
ｎ−３４Ｂｉ（融点７２℃）、５２Ｉｎ−４８Ｓｎ（融
点１１７℃）、５７Ｂｉ−４３Ｓｎ（融点１３９℃）な
どが知られている。これらのうちで、６６Ｉｎ−３４Ｂ
ｉは、電子機器稼働時の内部温度が８０℃に達すること
を考慮するとはんだ合金としては実用に適さない。ま
た、５２Ｉｎ−４８Ｓｎは、Ｉｎが産出量に乏しく、高
価であることから、はんだ合金としての安定供給や価格
の点で問題が残る。５７Ｂｉ−４３Ｓｎは、融点、安定
供給性および価格の点では問題ないが、それ自体が硬く
て脆いという、望ましくない物性を有している。
【０００４】電子機器におけるはんだ接合部は、単に電
子機器内でＬＳＩパッケージと回路配線基板とを電気的
に接合するだけではなく、ＬＳＩが発熱して熱膨張した
時に、はんだ自体が歪んで（弾塑性変形して）、ＬＳＩ
パッケージと回路配線基板との間の応力を緩和するとい
う役割をも担っている。したがって、はんだが十分な緩
和作用を発揮するには、負荷に応じて柔軟に弾塑性変形
するように、低いヤング率が求められる。もちろん、ヤ
ング率が低すぎると、はんだの引張強さも小さくなっ
て、接合強度が不足するようになる。したがって、通常
の電子機器で用いられている６３Ｓｎ−３７Ｐｂはんだ
のヤング率が４５０kg／mm2 程度であることから、６３
Ｓｎ−３７Ｐｂからの代替を行うには、低温接合用はん
だ合金のヤング率もこれと同等であることが求められ
る。
子機器内でＬＳＩパッケージと回路配線基板とを電気的
に接合するだけではなく、ＬＳＩが発熱して熱膨張した
時に、はんだ自体が歪んで（弾塑性変形して）、ＬＳＩ
パッケージと回路配線基板との間の応力を緩和するとい
う役割をも担っている。したがって、はんだが十分な緩
和作用を発揮するには、負荷に応じて柔軟に弾塑性変形
するように、低いヤング率が求められる。もちろん、ヤ
ング率が低すぎると、はんだの引張強さも小さくなっ
て、接合強度が不足するようになる。したがって、通常
の電子機器で用いられている６３Ｓｎ−３７Ｐｂはんだ
のヤング率が４５０kg／mm2 程度であることから、６３
Ｓｎ−３７Ｐｂからの代替を行うには、低温接合用はん
だ合金のヤング率もこれと同等であることが求められ
る。
【０００５】また、電子機器のＯＮ／ＯＦＦの繰り返し
による素子の熱膨張および収縮によりはんだが塑性変形
を繰り返すと、最悪の場合には、はんだ接合部に亀裂が
生じて断線することもある。したがって、はんだが塑性
変形の繰り返しに対して十分な耐久性を有するには、引
張試験時に大きく塑性変形して高い破断伸びを示すこと
が望まれる。６３Ｓｎ−３７Ｐｂはんだの破断伸びが３
０％程度であることから、低温接合用はんだ合金の破断
伸びは３０％以上であることが望ましい。
による素子の熱膨張および収縮によりはんだが塑性変形
を繰り返すと、最悪の場合には、はんだ接合部に亀裂が
生じて断線することもある。したがって、はんだが塑性
変形の繰り返しに対して十分な耐久性を有するには、引
張試験時に大きく塑性変形して高い破断伸びを示すこと
が望まれる。６３Ｓｎ−３７Ｐｂはんだの破断伸びが３
０％程度であることから、低温接合用はんだ合金の破断
伸びは３０％以上であることが望ましい。
【０００６】以上のことから、Ｐｂを構成元素に含まな
い低温接合用はんだ合金には、６３Ｓｎ−３７Ｐｂはん
だの代替用途として、４５０kg／mm2 程度のヤング率と
３０％以上の破断伸び値が要求される。
い低温接合用はんだ合金には、６３Ｓｎ−３７Ｐｂはん
だの代替用途として、４５０kg／mm2 程度のヤング率と
３０％以上の破断伸び値が要求される。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】５７Ｂｉ−４３Ｓｎの
引張試験時のヤング率および破断伸びはそれぞれ５００
kg／mm2 および２０％程度であり、６３Ｓｎ−３７Ｐｂ
よりもヤング率が大きく、破断伸びが小さい。したがっ
て、５７Ｂｉ−４３ＳｎのＬＳＩと回路配線基板との間
のミスマッチ緩和能力や繰り返し塑性変形時の耐久能力
は、６３Ｓｎ−３７Ｐｂよりも劣り、これを６３Ｓｎ−
３７Ｐｂに代替して用いた場合、電子機器の長期的信頼
性低下が懸念される。
引張試験時のヤング率および破断伸びはそれぞれ５００
kg／mm2 および２０％程度であり、６３Ｓｎ−３７Ｐｂ
よりもヤング率が大きく、破断伸びが小さい。したがっ
て、５７Ｂｉ−４３ＳｎのＬＳＩと回路配線基板との間
のミスマッチ緩和能力や繰り返し塑性変形時の耐久能力
は、６３Ｓｎ−３７Ｐｂよりも劣り、これを６３Ｓｎ−
３７Ｐｂに代替して用いた場合、電子機器の長期的信頼
性低下が懸念される。
【０００８】本発明は、Ｐｂを構成元素として含まず、
はんだ接合部のミスマッチ緩和能力や繰り返し塑性変形
時の耐久能力が６３Ｓｎ−３７Ｐｂはんだと同等以上で
あって、６３Ｓｎ−３７Ｐｂはんだの融点よりも低い温
度で接合可能なはんだ合金を提供することを目的とす
る。
はんだ接合部のミスマッチ緩和能力や繰り返し塑性変形
時の耐久能力が６３Ｓｎ−３７Ｐｂはんだと同等以上で
あって、６３Ｓｎ−３７Ｐｂはんだの融点よりも低い温
度で接合可能なはんだ合金を提供することを目的とす
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記課
題を解決するため、重量％表示で、 Ｓｎ ３７〜４６ Ａｇ ０．１以上１．０未満 Ｂｉ 残部 からなることを特徴とする低温接合用はんだ合金が提供
される。
題を解決するため、重量％表示で、 Ｓｎ ３７〜４６ Ａｇ ０．１以上１．０未満 Ｂｉ 残部 からなることを特徴とする低温接合用はんだ合金が提供
される。
【００１０】ＢｉとＳｎを主たる構成元素とするはんだ
合金において、Ａｇを０．１〜２．５重量％の範囲で添
加することによって、６３Ｓｎ−３７Ｐｂはんだと同等
のヤング率と破断伸びを有し、はんだ接合部の応力緩和
性や繰り返し塑性変形時の耐久性の高いはんだ合金を実
現することができる。驚くべきことに、本発明者らは、
Ｂｉ−Ｓｎ合金に第３元素としてＡｇを添加し、しかも
その添加量を２．５重量％以下にすることにより、融点
上昇を起こすことなくヤング率を所望のレベルまで低下
でき、破断伸びを著しく増加できることを見出したので
ある。この効果は、Ａｇを付加成分として用いた場合だ
けに限られた特異の効果であり、Ａｇに代えてＳｂ，Ｚ
ｎ，Ｃｕ等を添加した場合には、同様な効果は認められ
なかった（表２）。
合金において、Ａｇを０．１〜２．５重量％の範囲で添
加することによって、６３Ｓｎ−３７Ｐｂはんだと同等
のヤング率と破断伸びを有し、はんだ接合部の応力緩和
性や繰り返し塑性変形時の耐久性の高いはんだ合金を実
現することができる。驚くべきことに、本発明者らは、
Ｂｉ−Ｓｎ合金に第３元素としてＡｇを添加し、しかも
その添加量を２．５重量％以下にすることにより、融点
上昇を起こすことなくヤング率を所望のレベルまで低下
でき、破断伸びを著しく増加できることを見出したので
ある。この効果は、Ａｇを付加成分として用いた場合だ
けに限られた特異の効果であり、Ａｇに代えてＳｂ，Ｚ
ｎ，Ｃｕ等を添加した場合には、同様な効果は認められ
なかった（表２）。
【００１１】Ｓｎ−Ｐｂ合金やＩｎ−Ｓｎ合金に、第３
元素としてＡｇを添加することは、従来より知られてい
ることではあるが、この添加の目的は高ヤング率化およ
び高強度化を図ることであり、本発明がＡｇの添加によ
って達成しようとする課題とは全く異なっている。Ａｇ
添加によるはんだの高強度化を教示する文献として、R.
J. Klein Wassink著、「ソルダリング イン エレクト
ロニクス」に、６０Ｓｎ−４０Ｐｂはんだの２０℃での
剪断強さが２０Ｎ／mm2 であるのに対し、６２Ｓｎ−３
６Ｐｂ−２Ａｇのそれが２８Ｎ／mm2 と、Ａｇの添加に
よって剪断強さが１．４倍になることが報告されてい
る。
元素としてＡｇを添加することは、従来より知られてい
ることではあるが、この添加の目的は高ヤング率化およ
び高強度化を図ることであり、本発明がＡｇの添加によ
って達成しようとする課題とは全く異なっている。Ａｇ
添加によるはんだの高強度化を教示する文献として、R.
J. Klein Wassink著、「ソルダリング イン エレクト
ロニクス」に、６０Ｓｎ−４０Ｐｂはんだの２０℃での
剪断強さが２０Ｎ／mm2 であるのに対し、６２Ｓｎ−３
６Ｐｂ−２Ａｇのそれが２８Ｎ／mm2 と、Ａｇの添加に
よって剪断強さが１．４倍になることが報告されてい
る。
【００１２】以上からわかるように、Ａｇを第３元素と
してＢｉ−Ｓｎ合金に２．５重量％以下の量で添加する
ことにより、ヤング率を所望のレベルまで低下でき、破
断伸びを著しく増加できるということは、全く予想外の
ことである。Ａｇの添加によって破断伸びが増加する挙
動は、０．１重量％という微量添加時から観察され、１
重量％添加時に破断伸びが最大値を示し、２．５重量％
添加時までその効果が得られることが確認された（図
１）。Ａｇ添加量が２．５重量％を超えると、破断伸び
はＡｇ未添加のＢｉ−Ｓｎ合金よりも小さくなる。な
お、Ａｇ添加量が１重量％である点を境に破断伸びが減
少し始めるのは、Ａｇ量の増加によって、硬くて脆いＡ
ｇ−Ｓｎ相が生成するためであると考えられる。また、
Ａｇ添加Ｂｉ−Ｓｎ合金の内部金属組織においては、Ａ
ｇ添加によって組織が微細化するとともに、空隙も減少
することが確認された。
してＢｉ−Ｓｎ合金に２．５重量％以下の量で添加する
ことにより、ヤング率を所望のレベルまで低下でき、破
断伸びを著しく増加できるということは、全く予想外の
ことである。Ａｇの添加によって破断伸びが増加する挙
動は、０．１重量％という微量添加時から観察され、１
重量％添加時に破断伸びが最大値を示し、２．５重量％
添加時までその効果が得られることが確認された（図
１）。Ａｇ添加量が２．５重量％を超えると、破断伸び
はＡｇ未添加のＢｉ−Ｓｎ合金よりも小さくなる。な
お、Ａｇ添加量が１重量％である点を境に破断伸びが減
少し始めるのは、Ａｇ量の増加によって、硬くて脆いＡ
ｇ−Ｓｎ相が生成するためであると考えられる。また、
Ａｇ添加Ｂｉ−Ｓｎ合金の内部金属組織においては、Ａ
ｇ添加によって組織が微細化するとともに、空隙も減少
することが確認された。
【００１３】
【作用】Ｂｉ−Ｓｎ合金に第３元素としてＡｇを添加
し、しかもその添加量を２．５重量％以下に抑えること
で、融点上昇を起こすことなく、ヤング率を６３Ｓｎ−
３７Ｐｂはんだと同等のレベルまで低下させ、破断伸び
を６３Ｓｎ−３７Ｐｂはんだ以上に大きくすることがで
きた。
し、しかもその添加量を２．５重量％以下に抑えること
で、融点上昇を起こすことなく、ヤング率を６３Ｓｎ−
３７Ｐｂはんだと同等のレベルまで低下させ、破断伸び
を６３Ｓｎ−３７Ｐｂはんだ以上に大きくすることがで
きた。
【００１４】
【実施例】下記の表１に重量％表示で示すＢｉ−Ｓｎ−
Ａｇ合金を用いて引張試験片を作製し、引張試験を行っ
て、破断伸びとヤング率を求めた。得られた破断伸びを
図１および図２に示し、それらの融点とともにヤング率
を併せて表１に示す。また、これらのうち、実験番号２
〜７および９〜１１（本発明例）のはんだ合金を用いて
回路配線基板を組み立てたところ、パッケージクラック
の発生もなく、良好にはんだ接合を行うことができた。
Ａｇ合金を用いて引張試験片を作製し、引張試験を行っ
て、破断伸びとヤング率を求めた。得られた破断伸びを
図１および図２に示し、それらの融点とともにヤング率
を併せて表１に示す。また、これらのうち、実験番号２
〜７および９〜１１（本発明例）のはんだ合金を用いて
回路配線基板を組み立てたところ、パッケージクラック
の発生もなく、良好にはんだ接合を行うことができた。
【００１５】また、比較のため、第３元素としてＳｂ，
ＺｎおよびＣｕを用いた場合のヤング率および破断伸び
を表２に示す。
ＺｎおよびＣｕを用いた場合のヤング率および破断伸び
を表２に示す。
【００１６】
【表１】
【００１７】
【表２】
【００１８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
融点が６３Ｓｎ−３７Ｐｂはんだより低く、しかも６３
Ｓｎ−３７Ｐｂはんだを代替するに十分なヤング率、破
断伸びを有するはんだを作製できることから、従来より
も低い温度でのプリント板アセンブリが可能となり、Ｌ
ＳＩのプラスチックパッケージへのストレスを軽減で
き、製造する電子機器の信頼性を向上できる。また、こ
のはんだ合金は、はんだ成分中にＰｂを含んでいないた
め、人体や地球環境に対して安全である。
融点が６３Ｓｎ−３７Ｐｂはんだより低く、しかも６３
Ｓｎ−３７Ｐｂはんだを代替するに十分なヤング率、破
断伸びを有するはんだを作製できることから、従来より
も低い温度でのプリント板アセンブリが可能となり、Ｌ
ＳＩのプラスチックパッケージへのストレスを軽減で
き、製造する電子機器の信頼性を向上できる。また、こ
のはんだ合金は、はんだ成分中にＰｂを含んでいないた
め、人体や地球環境に対して安全である。
【図１】Ｂｉ−Ｓｎ−Ａｇ合金のＡｇ含有量と破断伸び
との関係を示すグラフ。
との関係を示すグラフ。
【図２】Ｂｉ−Ｓｎ−Ａｇ合金のＡｇおよびＳｎ含有量
と破断伸びとの関係を示すグラフ。
と破断伸びとの関係を示すグラフ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平８−264916（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−1179（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−88680（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−150493（ＪＰ，Ａ) 特開 昭53−117627（ＪＰ，Ａ) 国際公開94／27777（ＷＯ，Ａ１) 欧州特許出願公開711629（ＥＰ，Ａ １) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B23K 35/26 C22C 12/00 - 13/02
Claims (4)
- 【請求項１】 重量％表示で、 Ｓｎ ３７〜４６ Ａｇ ０．１以上１．０未満 Ｂｉ 残部 からなることを特徴とする低温接合用はんだ合金。
- 【請求項２】 請求項１記載の低温接合用はんだ合金を
用いて接合された部分を含む電子機器。 - 【請求項３】 請求項１記載の低温接合用はんだ合金を
用いて所定部分を接合することを含む電子機器の製造方
法。 - 【請求項４】 １８０℃以下の温度ではんだ接合が行わ
れる請求項３記載の方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05933495A JP3347512B2 (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 低温接合用はんだ合金、これを用いた電子機器およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05933495A JP3347512B2 (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 低温接合用はんだ合金、これを用いた電子機器およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08252688A JPH08252688A (ja) | 1996-10-01 |
| JP3347512B2 true JP3347512B2 (ja) | 2002-11-20 |
Family
ID=13110335
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05933495A Expired - Lifetime JP3347512B2 (ja) | 1995-03-17 | 1995-03-17 | 低温接合用はんだ合金、これを用いた電子機器およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3347512B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7604152B2 (en) | 2005-10-25 | 2009-10-20 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing a printed circuit board for electronic devices and an electronic device using the same |
| WO2021049437A1 (ja) | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 株式会社新菱 | Ｓｎ－Ｂｉ－Ｉｎ系低融点接合部材およびその製造方法、ならびに半導体電子回路およびその実装方法 |
| WO2022050185A1 (ja) | 2020-09-04 | 2022-03-10 | 株式会社新菱 | 低融点接合部材およびその製造方法ならびに半導体電子回路およびその実装方法 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5833921A (en) * | 1997-09-26 | 1998-11-10 | Ford Motor Company | Lead-free, low-temperature solder compositions |
| JP3580731B2 (ja) | 1999-06-11 | 2004-10-27 | 和美 松重 | 鉛フリー半田の半田付け方法、及び当該半田付け方法にて半田付けされた接合体 |
| JP4351107B2 (ja) * | 2004-04-05 | 2009-10-28 | パナソニック株式会社 | はんだ材料およびはんだ付け物品 |
| JP2006199833A (ja) * | 2005-01-20 | 2006-08-03 | Sekisui Chem Co Ltd | 異方性導電接着剤 |
| JP4975342B2 (ja) * | 2005-03-15 | 2012-07-11 | パナソニック株式会社 | 導電性接着剤 |
| JP2010029868A (ja) * | 2006-11-06 | 2010-02-12 | Victor Co Of Japan Ltd | 無鉛はんだペースト、それを用いた電子回路基板及びその製造方法 |
| JP2008183590A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2009111065A (ja) * | 2007-10-29 | 2009-05-21 | Opnext Japan Inc | 光半導体装置 |
| JP5389887B2 (ja) * | 2011-10-11 | 2014-01-15 | 株式会社白金 | 低融点無鉛ハンダ及びその製造方法 |
| US9402321B2 (en) | 2012-10-15 | 2016-07-26 | Senju Metal Industry Co., Ltd. | Soldering method using a low-temperature solder paste |
| JP6548537B2 (ja) * | 2015-09-10 | 2019-07-24 | 株式会社弘輝 | はんだ合金及びはんだ組成物 |
| JP2018122322A (ja) * | 2017-01-31 | 2018-08-09 | 株式会社タムラ製作所 | 鉛フリーはんだ合金、ソルダペースト、電子回路基板及び電子制御装置 |
| JP6619387B2 (ja) * | 2017-06-08 | 2019-12-11 | 株式会社タムラ製作所 | 鉛フリーはんだ合金 |
| WO2021043708A1 (en) | 2019-09-06 | 2021-03-11 | Henkel Ag & Co. Kgaa | Solder alloy and solder paste containing said alloy |
-
1995
- 1995-03-17 JP JP05933495A patent/JP3347512B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7604152B2 (en) | 2005-10-25 | 2009-10-20 | Fujitsu Limited | Method for manufacturing a printed circuit board for electronic devices and an electronic device using the same |
| WO2021049437A1 (ja) | 2019-09-11 | 2021-03-18 | 株式会社新菱 | Ｓｎ－Ｂｉ－Ｉｎ系低融点接合部材およびその製造方法、ならびに半導体電子回路およびその実装方法 |
| KR20220055494A (ko) | 2019-09-11 | 2022-05-03 | 가부시키가이샤 신료 | Sn-Bi-In계 저융점 접합 부재 및 그 제조 방법, 및 반도체 전자 회로 및 그 실장 방법 |
| WO2022050185A1 (ja) | 2020-09-04 | 2022-03-10 | 株式会社新菱 | 低融点接合部材およびその製造方法ならびに半導体電子回路およびその実装方法 |
| KR20230056047A (ko) | 2020-09-04 | 2023-04-26 | 가부시키가이샤 신료 | 저융점 접합 부재와 그 제조 방법 및 반도체 전자 회로와 그 실장 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH08252688A (ja) | 1996-10-01 |
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