JP2010029868A - 無鉛はんだペースト、それを用いた電子回路基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 無鉛はんだ材料による環境上の利点を維持しつつ、ヌレ不足・ツームストン・ボイド発生等のはんだ付け欠陥を生じることなく、より低温での作業環境を実現する。
【解決手段】 はんだペースト１０は、はんだ粉体をフラックス３に混合してなるものであって、前記はんだ粉体が、第１の合金（例えば、Sn-Bi系合金）を粉状にしてなる第１のベース合金粉体１と、第１のベース合金粉体とはその配合組成が異なる第２のベース合金粉体（例えば、Sn-Ag-Bi-In系合金）を紛状にしてなる第２のベース合金粉体２とを配合してなるものであり、このはんだ粉体が２点以上の融点を有する。
【選択図】 図１

Description

本発明は、主として電子回路基板のはんだ付けに用いられ、はんだ粉体をフラックスに混合してなる鉛を含まない無鉛はんだペースト、それを用いた電子回路基板及びその製造方法に関する。

近年、はんだ付け技術において、面実装部品の拡大．小型化による高密度化が進みより高機能のはんだ接合材料が望まれている。従来の代表的なはんだペーストとしては、Ｓｎ−Ｐｂ系共晶はんだ粉末とフラックスとを練り合わせペースト状にしたものがある。また、Ｓｎ−Ｐｂ−Ｂｉ系はんだ粉末とフラックスとを練り合わせペースト状にしたもの（融点コントロール品）等もあり、いずれも３５〜５０重量％ものＰｂ（鉛）を含有している。

ところが、上述したような従来のＳｎ−Ｐｂ系はんだでは、鉛（Ｐｂ）が含まれていることから、この鉛を含むはんだで接合された電子部品が廃棄され、酸性雨に晒された場合、条件によっては、はんだに含まれた鉛が溶出して周囲の環境を汚染する惧れがあるという問題があった。

これに対して、鉛を使用しないいわゆる無鉛はんだが提供されている。この無鉛はんだとしては、例えば、スズ（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）及び銅（Ｃｕ）とを含むＳｎ−Ａｇ-Ｃｕ系をベースとするものなどがある（例えば、特許文献１）。
特開２００５−５５７０号公報

しかしながら、上述した従来の無鉛はんだでは、Ｓｎ−Ａｇ-Ｃｕ系をベースとしているため、従来の有鉛はんだと比較して融点が高く、作業温度を２４０〜２５０℃で行わなければならず、部品への熱損傷が問題となっている。また、この無鉛はんだでは、そのヌレ性がＳｎ−Ｐｂ共晶はんだより劣るとともに、ツームストン・ボイドが発生する等のはんだ付け欠陥が問題となっている。

さらに、融点を低くして熱損傷を避け、電子部品にとって安全な温度で作業が可能な低融点組成であるＳｎ−Ｂｉ共晶はんだも提案されているが、これは機械的強度に劣り、信頼性に欠けるという問題がある。

そこで、本発明は、無鉛はんだ材料による環境上の利点を維持しつつ、ヌレ不足・ボイド発生等のはんだ付け欠陥を生じることなく、より低温での作業環境を実現できる無鉛はんだペースト、それを用いた電子回路基板及びその製造方法を提供することをその目的とする。

上記課題を解決するために、本発明は、はんだ粉体をフラックスに混合してなる無鉛はんだペーストであって、はんだ粉体が、第１の合金を粉状にしてなる第１ベース合金粉体と、第１ベース合金粉体とは配合組成が異なる第２の合金を粉状にしてなる第２ベース合金粉体とを混合してなるものであり、このはんだ粉体が２点以上の融点を有することを特徴とする。

上記発明では、第１ベース合金粉体を、Ｓｎ（スズ）とＢｉ（ビスマス）を基本構成としたＳｎ−Ｂｉの無鉛共晶組成粉末とし、第２ベース合金粉体を、Ｓｎを主成分とするＳｎ−Ａｇ（銀）−Ｂｉ（ビスマス）−Ｉｎ（インジューム）からなる無鉛はんだ組成粉末とすることができる。この場合において、かかるはんだ粉体は、その溶融後においてＡｇが０．０５〜２．４重量％、Ｉｎが０．２５〜１．５重量％となるように調整してあることが好ましい。

上記発明において、はんだ粉末における第１ベース合金粉体は、７０〜９５重量％であり、その残部である第２ベース合金粉体は、０．３〜３．５重量％のＡｇ及び０．５〜８．０重量％のＩｎを含有してなることが好ましい。

上記発明の無鉛はんだペーストを用いて、リフロー作業ピーク温度を２０５℃以下として、電子回路基板を製造することができ、また、上記発明のはんだペーストを用いて電子部品を接続することにより電子回路装置を構成することができる。

本発明によれば、はんだ粉体が溶融する際、配合組成が異なる第１及び第２のベース合金粉体のうち融点の低い一方のベース合金粉体の合金が先に溶融し、この溶融した合金が、他のベース合金粉体に接触することによって、他のベース合金粉体の融点を低下させる。本発明の無鉛はんだペーストではこのような作用を利用し、異なる配合組成のベース合金粉体を適宜配合することによって、２点以上の融点を有するように調節されている。

具体的には、Ｓｎ−Ｂｉ系（第１ベース合金粉体）粉末とＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系（第２ベース合金粉体）粉末を、Ｓｎ−Ｂｉ系７０〜９５重量％とし、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系５〜３０重量％の混合比率で混合することにより、混合はんだペースト中のＳｎ−Ｂｉ系はんだ粉末（第１ベース合金粉体）が共晶温度である１３８℃から溶融を開始する。それに伴い溶融温度２００〜２１０℃であるＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系はんだ粉末（第２ベース合金粉体）が溶融したＳｎ−Ｂｉ系合金に取り込まれる形で溶け出す。このとき、溶融金属は部分的に比率の違うＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ合金となり本来の液相温度より溶融温度が降下する。また、逆にＳｎ−Ｂｉ系合金（第１ベース合金粉体）から見ると徐々に上昇する。

通常であると融点より温度設定を高めに設定（融点プラス２０℃程度アップ）しなければ安定したはんだ付けは望めないが、本発明の無鉛はんだペーストを用いて電子部品をはんだ付けした電子回路基板では、リフローはんだ付け炉において、炉内雰囲気温度がＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ合金の溶融温度２００〜２１０℃に至らなくても、全ての無鉛はんだ粉末の液体化を完了させることができる。

したがってリフロー作業ピーク温度を従来より低い２０５°Ｃ以下に設定しても、溶融時間が長く、更に実際の融点より十分高い温度であるため、はんだには十分な加熱をすることができ、溶融したはんだの流動性が良くなり内部に閉じ込められたガスの脱気がスムーズに行われ、ボイドの少ない接合面を得ることができ、内部応力・歪が小さい。これは、実際の溶融温度の低さによることが大きい。また作業温度が従来よりも低いため、搭載部品を熱損傷から守ることができる。

なお、上記発明における溶融後の合金組成は、例えば、第１ベース合金粉体としてＳｎ−５８Ｂｉを７５重量％とし、第２ベース合金粉体としてＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｂｉ−５．０Ｉｎを２５重量％とする。この比率の場合、最終合金組成は、Ｂｉ４３．６重量％−Ａｇ０．７５重量％−Ｉｎ１．２５重量％とし、残りをＳｎとすることができる。

以下に、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。図１は、本実施形態に係る無鉛はんだペーストを模式的に示す説明図である。図１に示すように、本実施形態に係る無鉛はんだペースト１０は、はんだ粉体をフラックス３に混合してなるものであり、同図においては、このはんだペースト１０が、基板等の母材４上に転写成形等によって印刷された状態を示している。

そして特に、本実施形態において、上記はんだ粉体は、第１の合金を粉状にしてなる第１ベース合金粉体１と、第１ベース合金粉体１とは配合組成が異なる第２の合金を粉状にしてなる第２ベース合金粉体２とを混合してなり、２点以上の融点を有するものである。これらの第１、第２のベース合金粉体１、２は、例えば、粉末製造装置の中で溶融はんだを霧化することで球状の粉末を製造することが出来る。

また、上記フラックス３は、一般に接合部材の金属表面の酸化膜（高融点）と反応し,接合表面を清浄化してフラックス成分と接合部材の金属との反応を容易にすることで液状化金属塩（低融点）を生成させる。接合面が液状化しているために本発明のはんだとの溶融金属間反応が容易になる。フラックス３は、ロジン、活性剤、溶剤、チクソ剤などを成分として、加熱混溶しペースト化したものである。

そして、本実施形態では、第１ベース合金粉体１が、Ｓｎ（スズ）とＢｉ（ビスマス）を基本構成としたＳｎ−Ｂｉの共晶組成粉末であり、第２ベース合金粉体２が、Ｓｎを主成分とするＳｎ−Ａｇ（銀）−Ｂｉ（ビスマス）−Ｉｎ（インジューム）からなる無鉛はんだ組成粉末であり、これら第１、第２のベース合金粉体１、２を混合してなるはんだ粉体が、その溶融後においてＡｇ及びＩｎの含有量が所望の重量％となるように調整してある。

この第１、第２のベース合金粉体１，２の配合比は、本実施形態では、はんだ粉末における第１ベース合金粉体１が７０〜９５重量％となり、その残部である第２ベース合金粉体２が５〜３０重量％となるように調整されている。

図２（ａ）は、第１ベース合金粉体１（Ｓｎ−Ｂｉ系はんだ）において、Ｂｉの含有量と温度によるはんだの状態を示す２元状態図である。本同図において、範囲（イ）ではＳｎが固体の状態にあり、範囲（ロ）では半溶融の状態にある。範囲（ハ）ではＳｎ、Ｂｉともに固体の状態にあり、範囲（ホ）では共に液体の状態にある。また、（ニ）ではＢｉが半溶融の状態にある。

実施形態において、第１ベース合金粉体１は、図２（ａ）に示すように、共晶点（Ｅ）の温度は、１３８．５℃となっている。

詳述すると、同図において、Ｂｉの含有量が微量でＳｎが１００重量％に近い範囲（イ）では、はんだの融点は２３２．０℃となるが、Ｂｉの含有量が増加するにつれてその融点は低下する。一方、Ｂｉの含有量が１００重量％に近いときははんだの融点は２７１．４℃となるが、Ｂｉの含有量が減少するにつれて融点は低下する。これら双方のはんだの融点の最低温度が一致する温度Ｅは共晶温度と呼ばれる。

この共晶点Ｅにおいては、温度を上昇させた場合に半溶融の状態となることなく固体から液体へと状態を変化させることができ、作業性が良好となる。かかるＳｎ−Ｂｉ系はんだでは、Ｂｉの含有量が５７重量％前後にあるときに共晶点Ｅが生じ、その温度は１３８．５℃となる。一方、第２ベース合金粉体２については、例えばＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｂｉ−５．０Ｉｎの場合、融点が２００〜２１０℃前後である。

そして、本実施形態では、上述した第１ベース合金粉体１及び第２ベース合金粉体２の混合無鉛合金粉末を、リフロー炉中において第１ベース合金粉体１（Ｓｎ−Ｂｉ系）から第２ベース合金粉体２（Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系）の順で徐々に溶融させ、最終的には、所望のＳｎ−Ｂｉ−Ａｇ−Ｉｎの４元無鉛合金を得るものである。

図２（ｂ）は、本実施形態に係るＳｎ−Ｂｉ系粉末合金（第１ベース合金粉体１）にＡｇを添加したときの、Ａｇの添加量と、合金の延性との関係を示すものである。図２（ｂ）では、Ｓｎ−Ｂｉ系合金へのＡｇ添加量が０．８重量％のときの３元合金の伸び率は約４０％となり延性が向上されていることが判る。このＡｇの供給は第２ベース合金粉体２が溶融されることにより行われ、さらにこの第２ベース合金粉体２の溶融によりＩｎの供給も同様に行われる。第２ベース合金粉体２によるＡｇの添加は、最終的な合金の延性確保・組織の微細化を得ることができ、一方、Ｉｎの添加は、さらなる融点の降下とＳｎ拡散の抑制効果を得ることができる。これらの結果、第１ベース合金粉体１と第２ベース合金粉体２とが融合して得られる最終合金では、柔軟性確保・ウイスカーの抑制等の効果を得ることができる。

そして、上記無鉛はんだペーストを使用し電子部品を接続することにより、電子回路基板を構成することができる。図１０は、かかる電子回路装置５０ａ若しくは５０ｂの外観を示すものである。

すなわち、図８において、８１はプリント基板（プリント配線板）、８２はＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）パッケージＩＣ、８３はＢＧＡパッケージＩＣの電極であるＢＧＡボール、８４はＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇｅ）パッケージＩＣ、８５はＳＯＰパッケージＩＣのリード、８６はトランジスタ、８７はトランジスタ８６のリード、８８は抵抗などのチップ部品、８９はチップ部品８８のチップ電極、８０はプリント基板８１に電子部品を実装した電子回路基板（実装済基板）である。

はんだペースト１０をメタルマスクとスキージを用いてプリント基板８１のはんだ接合パッド上に印刷し、その上に接合するＢＧＡパッケージＩＣ８２、ＳＯＰパッケージＩＣ８４、トランジスタ８６、チップ部品８８などの表面実装用部品（ＳＭＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ Ｍｏｕｎｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅ）を装着（配置）し、大気中または、窒素雰囲気中のリフロー炉（加熱炉）において例えばリフロー作業ピーク温度２０５℃の条件下ではんだ付けを行うことにより、プリント基板８１のはんだ接合パッドとＢＧＡボール８２、リード８５、８７、チップ電極８９などの電子部品の接合部がはんだペーストの溶融によって接合する。これにより環境負荷の少ない電子回路基板８０を製造することができる。

以下に、本発明に係る無鉛はんだペーストの実施例について説明する。ここでは、第１ベース合金粉体をＳｎ−Ｂｉの共晶組成７０〜９５重量％とし、残部を第２の合金であるＳｎ−Ｂｉ−Ａｇ−Ｉｎ系無鉛はんだ粉末を５〜３０重量％の混合粉末を用い、溶融後の重量％比率が０．３〜２．０重量％のＡｇ及び０．５〜１．５重量％のＩｎを含有してなるように調整する。そして、このような第１ベース合金粉体及び第２ベース合金粉体の混合粉末であるはんだ粉末を、フラックスと練り合わせペースト状に混合し、次式の関係を満たすような組成となるように配合する。
図４は、Ｓｎ−Ｂｉ系のリフロー温度とはんだ溶融性(ＤＳＣ)を示すグラフ図及び観察写真である。また、図５〜７は、混合無鉛合金粉末混合比率によるリフロー温度とはんだ溶融性(ＤＳＣ)を示すグラフ図及び観察写真である。図８は、図５〜７のグラフ図のみを表したものである。図９は、本実施形態の無鉛はんだが溶融して得られる最終合金の断面拡大写真である。

図３は、本実施例の第１ベース合金粉体に用いているＳｎ−Ｂｉ系のリフロー温度と、はんだ溶融性（ＤＳＣ：Ｄｉｆｆｅｒｅｎｃｉａｌ Ｓａｃｎｎｉｎｇ Ｃａｌｏｒｉｍｅｔｏｒｙ）を示すグラフ図及び観察写真であるが、この図３からわかるように第１ベース合金粉体の融点は約１４０℃である。

そして、Ｓｎ−Ｂｉ系（第１ベース合金粉体）とＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系（第２ベース合金粉体）をそれぞれ７５重量％及び２５重量％で混合してなる本実施例のはんだペーストのリフロー温度とはんだ溶融性（ＤＳＣ）を示すグラフ図及び観察写真が図４であるが、図４のＤＳＣ曲線からわかるように、１４０°Ｃの第１融点と２１０°Ｃの第２融点の２つ融点を有している。

このようなペーストの初期状態が図５の写真５１である。これを徐々に加熱していくと、図５の写真５２でわかるように第１の融点である約１４０℃で第１ベース合金粉体が溶融を開始する。次に、写真５３のように徐々に第2ベース合金粉体が第１ベース溶融合金に取り込まれるかたちで溶融する。更に第２融点である２１０℃に達する前の１６０℃付近で完全に溶融する溶融挙動を確認できる。その後温度の上昇とともにヌレ拡がり、リフロー作業ピーク温度約２００°Ｃで写真５４のように良好なはんだ付けができる。

また、図６の最終合金の断面観察拡大写真で凝固したはんだの断面を観察すると、大きなボイドもなくＳｎとＢｉが緻密に分散し、微細さを保っていることがわかる。

また、本実施例のはんだペーストを用いてはんだ付けされた電子回路基板を熱疲労試験（−４０〜＋１１０°Ｃ／各１０分保持）にかけたときの拡大写真が図７である。

図７の初期状態を示す写真７１でわかるように、はんだヌレ性が良いためチップ左右が均等にはんだ付けされておりツームストーン発生も抑制できる。 更に５００サイクル後の写真７２、１０００サイクル後の写真７３からわかるように、熱疲労試験後もはんだ表面にはシワ等の発生もなく良好な状態を保っている。

このように、本実施例のはんだペーストは従来の無鉛はんだペーストに比べ、低融点で均質に溶融し、凝固後は緻密な組成を形成しツームストーンやボイドの少ない接合面を得ることができる等、優れた信頼性を有している。

次に、２つの合金粉体の配合比を変化させたときの溶融温度・接合特性・経済性について評価した結果を表１に示す。
表１からわかるように、第１ベース合金粉体が５０重量％（Ｉｎ ２．５重量％）のときは経済性が劣る。ここで、経済性について説明する。

Ｉｎはレアメタルでありコストの高い材料である。そのため、Ｉｎの含有量が大きい合金はＩｎの含有量が小さい合金よりも材料コストが高くなる。ここでいう経済性とはこの材料コストを称し、例えば、経済性がよいとは材料コストが安いことをいう。

そして、第１ベース合金粉体が７５〜９５重量％（Ｉｎ １．２５〜０．２５重量％）のときは接合特性（ツームストンやボイドが少なく、耐疲労や延性に優れる）や経済性がよく、第１ベース合金粉体が７５〜８２重量％（Ｉｎ １．２５〜０．９重量％）のときはボイド、延性が更に優れている。

また、第１ベース合金粉体が９５重量％（Ｉｎ ０．２５重量％）のときは、延性がやや劣るもののその他の項目では良好な結果が得られており、更に経済性に優れている。

しかし、第１ベース合金粉体が１００重量％のときは接合特性（ツームストン、ボイド、耐疲労、延性）で大きく劣っている。特に延性は図２（ｂ）でわかるようにＡｇの含有量の変化で変化するので、Ａｇを含まない１００％のときは延性が大きく劣ることがわかる。

次に、２つの合金粉体の配合比を変化させたときのＩｎの比率と溶融温度を表２に示す。
一般的にはんだリフローの作業温度は、接合特性をよくするために、はんだの溶融温度プラス４０°Ｃが望ましいとされている。一方部品の耐熱温度からみると、十分な部品の信頼性を確保するためにはリフローの作業温度を２０５°Ｃ以下に設定することが望ましい。

そこで表２をみると、第１ベース合金粉体が７０重量％（Ｉｎ １．５重量％）のときは溶融温度が１６５°Ｃであり、リフローの作業温度ははんだの溶融温度プラス４０°Ｃとしたときに２０５°Ｃでよいことがわかる。しかし第１ベース合金粉体が６５重量％（Ｉｎ １．７５重量％）のときは溶融温度が１７０°Ｃであるので、リフローの作業温度ははんだの溶融温度プラス４０°Ｃとしたときに２１０°Ｃとなってしまう。したがって、第１ベース合金粉体は７０重量％以上、Ｉｎは１．５重量％以下であることが望ましい。

また、図２（ｂ）から、延性を従来のＳｎ−Ｐｂ系はんだと同等にするためには、Ａｇの比率を０．０５〜２．４重量％とするのがよいことがわかる。

以上述べたことを総合すると、本発明の無鉛はんだペーストにおいて第１ベース合金粉体の配合比は７０〜９５重量％とすることが好ましい。また、溶融後におけるＩｎの比率を０．２５〜１．５重量％、Ａｇの比率を０．０５〜２．４重量％となるよう調整することが好ましい。

以上詳細に述べたように、本発明のはんだペーストは、はんだ粉体が溶融する際、配合組成が異なる第１及び第２のベース合金粉体のうち融点の低い一方のベース合金粉体の合金が先に溶融し、この溶融した合金が他のベース合金粉体に接触することによって、他のベース合金粉体の融点を低下させる作用を利用し、更にそれぞれの合金にＢｉ、Ａｇ、Ｉｎを適切に含有させることによって、無鉛はんだ材料による環境上の利点を維持しつつ、ヌレ不足、ツームストン、ボイド発生等のはんだ付け欠陥を生じることなく、より低温での作業環境を実現するものである。

実施形態に係る無鉛はんだペーストを模式的に示す図である。 （ａ）は、実施形態に係る無鉛はんだにおいて、Ｓｎ−Ｂｉ系（第１ベース合金粉体）の２元状態図であり、（ｂ）は、実施形態に係る無鉛はんだにおいて、Ｓｎ−Ｂｉ系にＡｇを添加した場合の添加量と延性の関係を示す特性図である。 実施例に係るＳｎ−Ｂｉ系のＤＳＣによる融点分析を示す観察写真及びグラフ図である。 実施例に係るＳｎ−Ｂｉ系（第１ベース合金粉体）とＳｎ−Ｂｉ−Ａｇ−Ｉｎ系（第２ベース合金粉体）の混合ペースト（配合比７５：２５）でのＤＳＣによる融点分析を示す観察写真及びグラフである。 実施例に係るＳｎ−Ｂｉ系（第1ベース合金粉体）とＳｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ系（第2ベース合金粉体）の混合ペースト(混合比 ７５：２５)による実際の部品はんだ付けの当該ペーストの溶融挙動を観察した写真である。 実施例に係る無鉛はんだにおける最終合金の断面観察拡大写真である。 実施例に係る無鉛はんだペーストの熱疲労試験（−４０〜＋１１０／各１０分保持）における初期状態、５００サイクル及び１０００サイクル終了後の表面観察の写真である。 実施形態で用いられる電子回路装置の斜視図である。

符号の説明

１０…はんだペースト
１１…第１のベース合金粉体粉末（Ｓｎ−Ｂｉ）
１２…第２のベース合金粉体粉末（Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｉｎ）
１３…フラックス
１４…母材
５１…１３０°Ｃのときのはんだペーストの写真
５２…１４１°Ｃのときのはんだペーストの写真
５３…１６０°Ｃのときのはんだペーストの写真
５４…２００°Ｃのときのはんだペーストの写真
７１…熱疲労試験の初期状態を示す写真
７２…熱疲労試験の５００サイクル後の写真
７３…熱疲労試験の１０００サイクル後の写真
８０…電子回路基板（実装済基板）
８１…プリント基板（プリント配線板）
８２…ＢＧＡパッケージＩＣ
８３…ＢＧＡボール
８４…ＳＯＰパッケージＩＣ
８５…リード
８６…トランジスタ
８７…リード
８８…チップ部品
８９…チップ電極

Claims (5)

1. はんだ粉体をフラックスに混合してなる無鉛はんだペーストであって、
   前記はんだ粉体が、第１の合金を粉状にしてなる第１ベース合金粉末と、該第１ベース合金粉体とは配合組成が異なる第２の合金を粉状にしてなる第２ベース合金粉体と、を混合してなり、
   前記はんだ粉体が２点以上の融点を有することを特徴とする無鉛はんだペースト。
2. 請求項１に記載の無鉛はんだペーストであって、
   前記第１ベース合金粉体が、Ｓｎ（スズ）とＢｉ（ビスマス）を基本構成とした、Ｓｎ−Ｂｉの共晶組成粉末であり、
   前記第２ベース合金粉体が、Ｓｎを主成分とするＳｎ−Ａｇ（銀）−Ｂｉ（ビスマス）−Ｉｎ（インジューム）からなる無鉛はんだ組成粉末であり、
   前記はんだ粉体が、その溶融後においてＡｇが０．０５〜２．４重量％、Ｉｎが０．２５〜１．５重量％となるように調整してあることを特徴とする無鉛はんだペースト。
3. 請求項２に記載の無鉛はんだペーストであって、
   前記はんだ粉末における前記第１ベース合金粉体が７０〜９５重量％であり、
   その残部である前記第２ベース合金粉体は、０．３〜３．５重量％のＡｇ及び０．５〜８．０重量％のＩｎを含有してなることを特徴とする無鉛はんだペースト。
4. 請求項１乃至３のいずれか一つの請求項に記載の無鉛はんだペーストを用い、リフロー作業ピーク温度を２０５℃以下とすることを特徴とする電子回路基板の製造方法。
5. 請求項１乃至３のいずれか一つの請求項に記載のはんだペーストを用いて電子部品を接続してなることを特徴とする電子回路基板。