JP3346475B2 - 半導体集積回路の製造方法、半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路の製造方法、半導体集積回路Info
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Description
するヴァイアホールと凹溝とを層間膜に同時に形成する
半導体集積回路の製造方法と、この製造方法により製造
された半導体集積回路と、に関する。
化が要求されており、各種の製造方法や使用材料が研究
されている。従来、半導体集積回路の配線にはポリシリ
コンやアルミニウムが多用されてきたが、半導体集積回
路の高性能化や微細化を実現するためには更に低抵抗の
材料が必要である。
で形成することが創案されたが、銅は物性的にエッチン
グによるパターニングが困難であり、耐食性も良好でな
い。そこで、層間膜の内部と表面とに銅からなる金属配
線を形成し、これらの金属配線を銅からなるコンタクト
で接続した半導体集積回路を製造する製造方法としてデ
ュアルダマシン法が開発された。
来例を図2ないし図5を参照して以下に説明する。な
お、図2ないし図5は半導体集積回路の製造工程を順番
に示す縦断正面図である。
0では、図5(c)に示すように、SiO2からなる下部層
間膜101と上部層間膜102とが積層されており、下
部層間膜101の上部に銅からなる下部金属配線103
が埋め込まれている。上部層間膜102の上部にも銅か
らなる上部金属配線104が埋め込まれており、この上
部金属配線104と一体に形成された接続配線105が
下部金属配線103に接続されている。
は、例えば、図面を貫通する前後方向に連通するパター
ンに形成されているが、接続配線105は、例えば、前
後幅が左右幅と同一の形状に形成されており、この前後
方向に連通しない接続配線105により前後方向に連通
する下部/上部金属配線103,104が一点で接続さ
れている。
を製造する一般的な製造方法としては、図2(a)に示す
ように、シリコン基板110の表面にSiO2からなる所
定膜厚の下部層間膜101を形成し、その表面にフォト
レジストを塗布してからパターニングしてレジストマス
ク(図示せず)を形成する。このレジストマスクの開口孔
から下部層間膜101をドライエッチングすることによ
り、同図(b)に示すように、この下部層間膜101の表
面に所定深度まで凹部111を形成する。
中でのプラズマ処理と有機剥離によりレジストマスクを
除去し、同図(c)に示すように、これで露出した下部層
間膜101の表面に、タンタル膜112と銅膜113と
をスパッタリングで順番に成膜する。
113の表面に銅からなるメッキ膜114を形成して凹
部111を充填してから、同図(e)に示すように、この
メッキ膜114をCMP(Chemical Mechanical Polishi
ng)により下部層間膜101の表面まで平坦に研磨す
る。
に研磨された表面にプラズマCVD(Chemical Vapor De
position)法によりSiNからなるストッパ膜115を値
例えば、膜厚500(Å)まで成長させてから、やはりプラ
ズマCVD法によりSiO2からなる上部層間膜102
を、例えば、膜厚12000(Å)まで成長させる。
したレジストマスク116を上部層間膜102の表面に
形成し、このレジストマスク116の開口部から上部層
間膜102をエッチングすることにより、同図(b)に示
すように、上部層間膜102の表面からストッパ膜11
5の表面で下部金属配線103に対向する位置までヴァ
イアホール117を形成する。
レジストマスク116を除去し、同図(c)に示すよう
に、有機膜としてARC(Anti Reflective Coating)膜
118を上部層間膜102の表面に膜厚2000(Å)まで成
膜するとともにヴァイアホール117の内部に充填す
る。
ル117より幅広に開口したレジストマスク119を、
例えば、膜厚8000(Å)に形成し、同図(d)に示すよう
に、“C4F8”と“O2”とを混合したエッチングガス
と“Ar”の不活性ガスとの“30(mToll)”程度の圧力の
雰囲気中で、レジストマスク119の開口からARC膜
118をプラズマエッチングする。なお、“C4F8”と
“O2”と“Ar”との混合比は、例えば、“20/10/20
0”などとされる。
が完了したらエッチングガスを“C 4F8”に変更し、図
4(a)に示すように、レジストマスク119の開口から
上部層間膜102とARC膜118とを同時にプラズマ
エッチングし、ストッパ膜115まで到達しない深度40
00(Å)の幅広の凹溝120を形成する。
よる上部層間膜102とARC膜118とのプラズマエ
ッチングのエッチングレートは約“4000(Å)/min”な
ので、エッチング時間を一分に規制することにより凹溝
120の深度を4000(Å)に調節する。
ン系の有機剥離液による剥離処理により、同図(b)に示
すように、レジストマスク119とARC膜118とを
除去することにより、ヴァイアホール117の底部にス
トッパ膜115を露出させる。なお、銅からなる下部金
属配線103は耐食性が低いが、上述のようにレジスト
マスク119とARC膜118とを除去する時点ではス
トッパ膜115で雰囲気から遮断されているので腐食す
ることはない。
“O2”とを混合したエッチングガスと“Ar”の不活性
ガスとの雰囲気中で上部層間膜102をマスクとしてヴ
ァイアホール117の底部に位置するストッパ膜115
をプラズマエッチングし、ヴァイアホール117の底部
に下部金属配線103を露出させる。なお、“CH
F3”と“O2”と“Ar”との混合比も、例えば、“20
/10/200”などとされる。
線103との露出している表面をアミン系の有機剥離液
により清浄化してから、図5(a)に示すように、この清
浄化された表面に窒化タンタル膜121と銅膜122と
をスパッタリングにより順番に成膜する。
20とヴァイアホール117との内面まで窒化タンタル
膜121と銅膜122とが成膜されるので、同図(b)に
示すように、この銅膜122の表面に銅からなるメッキ
膜123を形成して凹溝120とヴァイアホール117
とを充填する。
り上部層間膜102の表面まで平坦に研磨することによ
り、同図(c)に示すように、凹溝120の内部に位置す
る上部金属配線104とヴァイアホール117の内部に
位置する接続配線105とが形成されるので、これで半
導体集積回路100が完成することになる。
117と幅広の凹溝120とを同時に形成する手法は、
一般的にデュアルダマシン法と呼称されている。また、
上述の層間膜101,102としては、SiO2の他に低
誘電率膜も利用することができ、この低誘電率膜として
は、水素含有シリコン酸化膜や有機含有シリコン酸化膜
などを利用することができる。
ドやノボラックからなるベース樹脂にポリビニルフェノ
ールやポリメチルメタクリレートを添加したものなどを
利用することができ、レジストとしては、ノボラック樹
脂やポリイミド樹脂などを利用することができる。
導体集積回路100を製造することにより、幅狭のヴァ
イアホール117上に幅広の凹溝120を形成できるの
で、下部層間膜101に埋め込まれた銅からなる下部金
属配線103と上部層間膜102に埋め込まれた銅から
なる上部金属配線104とがヴァイアホール117内の
接続配線105で接続された構造を形成することができ
る。
4F8”のエッチングガスで上部層間膜102とARC膜
118とを同時にプラズマエッチングするとき、実際に
はARC膜118のエッチングレートが上部層間膜10
2より低いため、プラズマエッチングは上部層間膜10
2からARC膜118が突出した状態で進行することに
なる。
ラズマ中で分解されたものや反応生成物からフロロカー
ボン系のデポジションを発生しやすいので、上部層間膜
102からARC膜118が突出した状態でプラズマエ
ッチングが進行すると、図6に示すように、上部層間膜
102から突出したARC膜118の側面にデポジショ
ン124が堆積しやすい。
と、これがマスクとなって下方のプラズマエッチングが
阻害される。このため、上部層間膜102とARC膜1
18との同時エッチングが完了してから、ヴァイアホー
ル117の内部のARC膜118を除去すると、図7に
示すように、ヴァイアホール117の開口の周囲にデポ
ジション124が残存した不良が発生する。
周囲にデポジション124が残存すると、上部金属配線
104を良好な形状に形成できないので断線などの不良
の原因となる。
たものであり、ヴァイアホール上に凹溝を形成するため
にデュアルダマシン法により上部層間膜と有機膜とを同
時にプラズマエッチングしても、ヴァイアホールの開口
の周囲にデポジションが残存しない半導体集積回路の製
造方法を提供することを目的とする。
の製造方法は、下部金属配線が埋め込まれた下部層間膜
上に上部層間膜を堆積する工程と、その後前記上部層間
膜の前記下部金属配線の位置に対向する位置にヴァイア
ホールを形成する工程と、その後前記ヴァイアホールを
充填するように全面に有機膜を成膜する工程と、その後
前記ヴァイアホールの位置に対応して前記ヴィアホール
より幅広に開口したレジストマスクを形成する工程と、
その後前記上部層間膜の表面が露出するまで前記有機膜
をエッチングする第1のエッチング工程と、その後前記
有機膜の方が前記上部層間膜よりエッチングレートが高
い雰囲気中で前記有機膜と前記上部層間膜とを途中まで
エッチングする第2のエッチング工程と、その後前記ヴ
ィアホールに残存している前記有機膜を除去する第3の
エッチング工程と、その後全面に金属膜を成膜する工程
と、を備えている。
照して以下に説明する。ただし、本実施の形態に関して
前述した一従来例と同一の部分は、同一の名称および符
号を使用して詳細な説明は省略する。なお、同図は本実
施の形態の半導体集積回路の製造方法の要部の工程を示
す縦断正面図である。
完成した構造は一従来例の場合と同一である。この半導
体集積回路100を製造する本実施の形態の方法でも、
一従来例の製造方法と同様に、下部金属配線103が埋
め込まれた下部層間膜101の表面にストッパ膜115
を介して上部層間膜102を積層し、この上部層間膜1
02の表面からストッパ膜115の表面で下部金属配線
103に対向する位置までヴァイアホール117を形成
する。
02の表面とにARC膜118を埋め込み、このARC
膜118の表面にヴァイアホール117より幅広に開口
したレジストマスク119を形成し、同図(a)に示すよ
うに、このレジストマスク119の開口からARC膜1
18をプラズマエッチングする。
が完了したらエッチングガスを変更し、同図(b)に示す
ように、レジストマスク119の開口からストッパ膜1
15まで到達しない所定深度まで上部層間膜102とA
RC膜118とを同時にプラズマエッチングして幅広の
凹溝120を形成する。
120の底部に位置する幅狭のヴァイアホール117に
残存しているARC膜118を除去し、同図(c)に示す
ように、このARC膜118を除去したヴァイアホール
117の底部に位置するストッパ膜115をエッチング
して下部金属配線103を露出させる。
従来例の製造方法とは相違して、上述のようにデュアル
ダマシン法により上部層間膜102とARC膜118と
を同時にプラズマエッチングするとき、エッチングガス
として“CF4”を使用する。
“CF4”と“O2”とを混合したエッチングガスと“A
r”の不活性ガスとの圧力“300〜400(mToll)”の雰囲気
中で、レジストマスク119の開口からARC膜118
をプラズマエッチングし、このプラズマエッチングが完
了したらエッチングガスを“CF4”に変更し、同図
(b)に示すように、レジストマスク119の開口から上
部層間膜102とARC膜118とを同時にプラズマエ
ッチングする。
グするときの“CF4”と“O2”と“Ar”との混合比
は、例えば、“100/10/500”などとされ、上部層間膜
102とARC膜118とを同時にプラズマエッチング
するときの“CF4”と“Ar”との混合比は、例えば、
“100/500”などとされる。
にデュアルダマシン法によりレジストマスク119の開
口からARC膜118と上部層間膜102とを同時にプ
ラズマエッチングするとき、従来とは相違してエッチン
グガスとして“CF4”を使用する。
ラズマエッチングでは、物性的にARC膜118のエッ
チングレートが上部層間膜102のエッチングレートよ
り高いので、同図(b)に示すように、上部層間膜102
からARC膜118が突出した状態でプラズマエッチン
グが進行することがなく、物性的にデポジションが堆積
しやすいARC膜118の側面が形成されない。
スは、分子構造の弗素の原子数が炭素の原子数の三倍以
上であり、炭素が少数で弗素が多数なので、物性的にフ
ロロカーボン系のデポジションを発生しにくい。さら
に、本実施の形態の製造方法では、エッチングガスの圧
力を“300〜400(mToll)”もの高圧とするので分子のブ
ラウン運動が活発となってプラズマエッチングの方向性
が等方的となり、上方に順次堆積されるデポジションが
各種方向から逐次除去されることになる。
デュアルダマシン法によりレジストマスク119の開口
からARC膜118と上部層間膜102とを同時にプラ
ズマエッチングするとき、同図(c)に示すように、ヴァ
イアホール117の開口の周囲にフロロカーボン系のデ
ポジションが堆積する不良が発生しない。
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上記形態ではエッチングガスが“CF
4”からなることを例示したが、このエッチングガスが
“C2F6”からなることも可能である。また、エッチン
グガスの圧力が“300〜400(mToll)”であることを例示
したが、これは“100(mToll)”以上であれば良い。
部に幅狭のヴァイアホール117が位置する構造で、こ
のヴァイアホール117の開口の周囲に発生するデポジ
ションを防止することを例示したが、前述のように凹溝
120は前後方向に連通する形状であり、ヴァイアホー
ル117は前後方向には連通しない形状である。
17とが同幅の場合や凹溝120よりヴァイアホール1
17が幅広の場合でも、ヴァイアホール117の開口の
前後にはデポジションが発生する段差が存在するので、
本発明を適用することが可能である。
では、レジストマスクの開口から有機膜と上部層間膜と
を同時にプラズマエッチングするとき、エッチングガス
による有機膜のエッチングレートが上部層間膜のエッチ
ングレートより高いことにより、上部層間膜から有機膜
が突出した状態でプラズマエッチングが進行することが
ないので、デポジションが発生して有機膜の側面に堆積
することがなく、ヴァイアホールの開口の周囲にデポジ
ションが残存する不良の発生を防止することができる。
方法の要部の工程を示す縦断正面図である。
す縦断正面図である。
る。
る。
である。
である。
Claims (5)
- 【請求項1】 下部金属配線が埋め込まれた下部層間膜
上に上部層間膜を堆積する工程と、 その後前記上部層間膜の前記下部金属配線の位置に対向
する位置にヴァイアホールを形成する工程と、 その後前記ヴァイアホールを充填するように全面に有機
膜を成膜する工程と、 その後前記ヴァイアホールの位置に対応して前記ヴィア
ホールにり幅広に開口したレジストマスクを形成する工
程と、 その後前記上部層間膜の表面が露出するまで前記有機膜
をエッチングする第1のエッチング工程と、 その後前記有機膜の方が前記上部層間膜よりエッチング
レートが高い雰囲気中で前記有機膜と前記上部層間膜と
を途中までエッチングする第2のエッチング工程と、 その後前記ヴィアホールに残存している前記有機膜を除
去する第3のエッチング工程と、 その後全面に金属膜を成膜する工程と、 を備えており、 前記有機膜はARC膜であり、 前記上部層間膜はシリコン酸化膜であり、 前記第1のエッチング工程は“CF 4 ”と“O 2 ”と不活
性ガスとの混合雰囲気で行い、 前記第2のエッチング工程は“CF 4 ”と不活性ガスと
の混合雰囲気で行う ことを特徴とする半導体集積回路の
製造方法。 - 【請求項2】 下部金属配線が埋め込まれた下部層間膜
上に上部層間膜を堆積する工程と、 その後前記上部層間膜の前記下部金属配線の位置に対向
する位置にヴァイアホールを形成する工程と、 その後前記ヴァイアホールを充填するように全面に有機
膜を成膜する工程と、 その後前記ヴァイアホールの位置に対応して前記ヴィア
ホールにり幅広に開口したレジストマスクを形成する工
程と、 その後前記上部層間膜の表面が露出するまで前記有機膜
をエッチングする第1のエッチング工程と、 その後前記有機膜の方が前記上部層間膜よりエッチング
レートが高い雰囲気中で前記有機膜と前記上部層間膜と
を途中までエッチングする第2のエッチング工程と、 その後前記ヴィアホールに残存している前記有機膜を除
去する第3のエッチング工程と、 その後全面に金属膜を成膜する工程と、 を備えており、 前記有機膜はARC膜であり、 前記上部層間膜はシリコン酸化膜であり、 前記第1のエッチング工程は“C 2 F 6 ”と“O 2 ”と不
活性ガスとの混合雰囲気で行い、 前記第2のエッチング工程は“C 2 F 6 ”と不活性ガスと
の混合雰囲気で行う ことを特徴とする半導体集積回路の
製造方法。 - 【請求項3】 前記下部層間膜上にストッパ膜を介して
前記上部層間膜を堆積させ、 前記上部層間膜に前記ヴィアホールを前記ストッパ膜の
表面まで形成し、 前記第3のエッチング工程で前記ヴィアホールに残存し
ている前記有機膜を除去して前記ストッパ膜を露出さ
せ、 前記ヴァイアホールの底部に位置する前記ストッパ膜を
エッチングしてから金属膜を成膜することを特徴とする
請求項1または2に記載の半導体集積回路の製造方法。 - 【請求項4】 前記雰囲気の圧力が“100(mToll)”以上
である請求項1ないし3の何れか一項に記載の半導体集
積回路の製造方法。 - 【請求項5】 下部金属配線が埋め込まれている層間膜
の表面から所定深度まで凹溝が形成されており、この凹
溝の底部にヴァイアホールが形成されており、このヴァ
イアホールの底部に前記下部金属配線が露出している半
導体集積回路であって、請求項1ないし4 の何れか一項に記載の製造方法により
製造されている半導体集積回路。
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