JP2001203207A - 半導体集積回路の製造方法、半導体集積回路 - Google Patents
半導体集積回路の製造方法、半導体集積回路Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ヴァイアホール上に凹溝を形成するためにデ
ュアルダマシン法により上部層間膜と有機膜を同時にプ
ラズマエッチングしても、ヴァイアホールの開口の周囲
にデポジションが残存しないようにする。 【解決手段】 エッチングガスによる有機膜１１８のエ
ッチングレートを上部層間膜１０２のエッチングレート
より高くし、上部層間膜１０２から有機膜１１８が突出
した状態でプラズマエッチングが進行しないようにし、
有機膜１１８の側面にデポジションが滞積しないように
する。
ュアルダマシン法により上部層間膜と有機膜を同時にプ
ラズマエッチングしても、ヴァイアホールの開口の周囲
にデポジションが残存しないようにする。 【解決手段】 エッチングガスによる有機膜１１８のエ
ッチングレートを上部層間膜１０２のエッチングレート
より高くし、上部層間膜１０２から有機膜１１８が突出
した状態でプラズマエッチングが進行しないようにし、
有機膜１１８の側面にデポジションが滞積しないように
する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、金属配線まで到達
するヴァイアホールと凹溝とを層間膜に同時に形成する
半導体集積回路の製造方法と、この製造方法により製造
された半導体集積回路と、に関する。
するヴァイアホールと凹溝とを層間膜に同時に形成する
半導体集積回路の製造方法と、この製造方法により製造
された半導体集積回路と、に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、半導体集積回路の高性能化や微細
化が要求されており、各種の製造方法や使用材料が研究
されている。従来、半導体集積回路の配線にはポリシリ
コンやアルミニウムが多用されてきたが、半導体集積回
路の高性能化や微細化を実現するためには更に低抵抗の
材料が必要である。
化が要求されており、各種の製造方法や使用材料が研究
されている。従来、半導体集積回路の配線にはポリシリ
コンやアルミニウムが多用されてきたが、半導体集積回
路の高性能化や微細化を実現するためには更に低抵抗の
材料が必要である。
【０００３】そこで、半導体集積回路の微細な配線を銅
で形成することが創案されたが、銅は物性的にエッチン
グによるパターニングが困難であり、耐食性も良好でな
い。そこで、層間膜の内部と表面とに銅からなる金属配
線を形成し、これらの金属配線を銅からなるコンタクト
で接続した半導体集積回路を製造する製造方法としてデ
ュアルダマシン法が開発された。
で形成することが創案されたが、銅は物性的にエッチン
グによるパターニングが困難であり、耐食性も良好でな
い。そこで、層間膜の内部と表面とに銅からなる金属配
線を形成し、これらの金属配線を銅からなるコンタクト
で接続した半導体集積回路を製造する製造方法としてデ
ュアルダマシン法が開発された。
【０００４】このデュアルダマシン法の製造方法の一従
来例を図２ないし図５を参照して以下に説明する。な
お、図２ないし図５は半導体集積回路の製造工程を順番
に示す縦断正面図である。
来例を図２ないし図５を参照して以下に説明する。な
お、図２ないし図５は半導体集積回路の製造工程を順番
に示す縦断正面図である。
【０００５】まず、ここで製造する半導体集積回路１０
０では、図５(ｃ)に示すように、ＳiＯ2からなる下部層
間膜１０１と上部層間膜１０２とが積層されており、下
部層間膜１０１の上部に銅からなる下部金属配線１０３
が埋め込まれている。上部層間膜１０２の上部にも銅か
らなる上部金属配線１０４が埋め込まれており、この上
部金属配線１０４と一体に形成された接続配線１０５が
下部金属配線１０３に接続されている。
０では、図５(ｃ)に示すように、ＳiＯ2からなる下部層
間膜１０１と上部層間膜１０２とが積層されており、下
部層間膜１０１の上部に銅からなる下部金属配線１０３
が埋め込まれている。上部層間膜１０２の上部にも銅か
らなる上部金属配線１０４が埋め込まれており、この上
部金属配線１０４と一体に形成された接続配線１０５が
下部金属配線１０３に接続されている。
【０００６】なお、下部／上部金属配線１０３，１０４
は、例えば、図面を貫通する前後方向に連通するパター
ンに形成されているが、接続配線１０５は、例えば、前
後幅が左右幅と同一の形状に形成されており、この前後
方向に連通しない接続配線１０５により前後方向に連通
する下部／上部金属配線１０３，１０４が一点で接続さ
れている。
は、例えば、図面を貫通する前後方向に連通するパター
ンに形成されているが、接続配線１０５は、例えば、前
後幅が左右幅と同一の形状に形成されており、この前後
方向に連通しない接続配線１０５により前後方向に連通
する下部／上部金属配線１０３，１０４が一点で接続さ
れている。
【０００７】上述のような構造の半導体集積回路１００
を製造する一般的な製造方法としては、図２(ａ)に示す
ように、シリコン基板１１０の表面にＳiＯ2からなる所
定膜厚の下部層間膜１０１を形成し、その表面にフォト
レジストを塗布してからパターニングしてレジストマス
ク(図示せず)を形成する。このレジストマスクの開口孔
から下部層間膜１０１をドライエッチングすることによ
り、同図(ｂ)に示すように、この下部層間膜１０１の表
面に所定深度まで凹部１１１を形成する。
を製造する一般的な製造方法としては、図２(ａ)に示す
ように、シリコン基板１１０の表面にＳiＯ2からなる所
定膜厚の下部層間膜１０１を形成し、その表面にフォト
レジストを塗布してからパターニングしてレジストマス
ク(図示せず)を形成する。このレジストマスクの開口孔
から下部層間膜１０１をドライエッチングすることによ
り、同図(ｂ)に示すように、この下部層間膜１０１の表
面に所定深度まで凹部１１１を形成する。
【０００８】この凹部１１１が完成したら、Ｏ2雰囲気
中でのプラズマ処理と有機剥離によりレジストマスクを
除去し、同図(ｃ)に示すように、これで露出した下部層
間膜１０１の表面に、タンタル膜１１２と銅膜１１３と
をスパッタリングで順番に成膜する。
中でのプラズマ処理と有機剥離によりレジストマスクを
除去し、同図(ｃ)に示すように、これで露出した下部層
間膜１０１の表面に、タンタル膜１１２と銅膜１１３と
をスパッタリングで順番に成膜する。
【０００９】つぎに、同図(ｄ)に示すように、この銅膜
１１３の表面に銅からなるメッキ膜１１４を形成して凹
部１１１を充填してから、同図(ｅ)に示すように、この
メッキ膜１１４をＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishi
ng)により下部層間膜１０１の表面まで平坦に研磨す
る。
１１３の表面に銅からなるメッキ膜１１４を形成して凹
部１１１を充填してから、同図(ｅ)に示すように、この
メッキ膜１１４をＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishi
ng)により下部層間膜１０１の表面まで平坦に研磨す
る。
【００１０】つぎに、図３(ａ)に示すように、この平坦
に研磨された表面にプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor De
position)法によりＳiＮからなるストッパ膜１１５を値
例えば、膜厚500(Å)まで成長させてから、やはりプラ
ズマＣＶＤ法によりＳiＯ2からなる上部層間膜１０２
を、例えば、膜厚12000(Å)まで成長させる。
に研磨された表面にプラズマＣＶＤ(Chemical Vapor De
position)法によりＳiＮからなるストッパ膜１１５を値
例えば、膜厚500(Å)まで成長させてから、やはりプラ
ズマＣＶＤ法によりＳiＯ2からなる上部層間膜１０２
を、例えば、膜厚12000(Å)まで成長させる。
【００１１】つぎに、下部金属配線１０３の上方が開口
したレジストマスク１１６を上部層間膜１０２の表面に
形成し、このレジストマスク１１６の開口部から上部層
間膜１０２をエッチングすることにより、同図(ｂ)に示
すように、上部層間膜１０２の表面からストッパ膜１１
５の表面で下部金属配線１０３に対向する位置までヴァ
イアホール１１７を形成する。
したレジストマスク１１６を上部層間膜１０２の表面に
形成し、このレジストマスク１１６の開口部から上部層
間膜１０２をエッチングすることにより、同図(ｂ)に示
すように、上部層間膜１０２の表面からストッパ膜１１
５の表面で下部金属配線１０３に対向する位置までヴァ
イアホール１１７を形成する。
【００１２】このヴァイアホール１１７が形成できたら
レジストマスク１１６を除去し、同図(ｃ)に示すよう
に、有機膜としてＡＲＣ(Anti Reflective Coating)膜
１１８を上部層間膜１０２の表面に膜厚2000(Å)まで成
膜するとともにヴァイアホール１１７の内部に充填す
る。
レジストマスク１１６を除去し、同図(ｃ)に示すよう
に、有機膜としてＡＲＣ(Anti Reflective Coating)膜
１１８を上部層間膜１０２の表面に膜厚2000(Å)まで成
膜するとともにヴァイアホール１１７の内部に充填す
る。
【００１３】このＡＲＣ膜１１８の表面にヴァイアホー
ル１１７より幅広に開口したレジストマスク１１９を、
例えば、膜厚8000(Å)に形成し、同図(ｄ)に示すよう
に、“Ｃ4Ｆ8”と“Ｏ2”とを混合したエッチングガス
と“Ａr”の不活性ガスとの“30(mToll)”程度の圧力の
雰囲気中で、レジストマスク１１９の開口からＡＲＣ膜
１１８をプラズマエッチングする。なお、“Ｃ4Ｆ8”と
“Ｏ2”と“Ａr”との混合比は、例えば、“20／10／20
0”などとされる。
ル１１７より幅広に開口したレジストマスク１１９を、
例えば、膜厚8000(Å)に形成し、同図(ｄ)に示すよう
に、“Ｃ4Ｆ8”と“Ｏ2”とを混合したエッチングガス
と“Ａr”の不活性ガスとの“30(mToll)”程度の圧力の
雰囲気中で、レジストマスク１１９の開口からＡＲＣ膜
１１８をプラズマエッチングする。なお、“Ｃ4Ｆ8”と
“Ｏ2”と“Ａr”との混合比は、例えば、“20／10／20
0”などとされる。
【００１４】このＡＲＣ膜１１８のプラズマエッチング
が完了したらエッチングガスを“Ｃ 4Ｆ8”に変更し、図
４(ａ)に示すように、レジストマスク１１９の開口から
上部層間膜１０２とＡＲＣ膜１１８とを同時にプラズマ
エッチングし、ストッパ膜１１５まで到達しない深度40
00(Å)の幅広の凹溝１２０を形成する。
が完了したらエッチングガスを“Ｃ 4Ｆ8”に変更し、図
４(ａ)に示すように、レジストマスク１１９の開口から
上部層間膜１０２とＡＲＣ膜１１８とを同時にプラズマ
エッチングし、ストッパ膜１１５まで到達しない深度40
00(Å)の幅広の凹溝１２０を形成する。
【００１５】このとき、“Ｃ4Ｆ8”のエッチングガスに
よる上部層間膜１０２とＡＲＣ膜１１８とのプラズマエ
ッチングのエッチングレートは約“4000(Å)／min”な
ので、エッチング時間を一分に規制することにより凹溝
１２０の深度を4000(Å)に調節する。
よる上部層間膜１０２とＡＲＣ膜１１８とのプラズマエ
ッチングのエッチングレートは約“4000(Å)／min”な
ので、エッチング時間を一分に規制することにより凹溝
１２０の深度を4000(Å)に調節する。
【００１６】つぎに、“Ｏ2”でのプラズマ処理とアミ
ン系の有機剥離液による剥離処理により、同図(ｂ)に示
すように、レジストマスク１１９とＡＲＣ膜１１８とを
除去することにより、ヴァイアホール１１７の底部にス
トッパ膜１１５を露出させる。なお、銅からなる下部金
属配線１０３は耐食性が低いが、上述のようにレジスト
マスク１１９とＡＲＣ膜１１８とを除去する時点ではス
トッパ膜１１５で雰囲気から遮断されているので腐食す
ることはない。
ン系の有機剥離液による剥離処理により、同図(ｂ)に示
すように、レジストマスク１１９とＡＲＣ膜１１８とを
除去することにより、ヴァイアホール１１７の底部にス
トッパ膜１１５を露出させる。なお、銅からなる下部金
属配線１０３は耐食性が低いが、上述のようにレジスト
マスク１１９とＡＲＣ膜１１８とを除去する時点ではス
トッパ膜１１５で雰囲気から遮断されているので腐食す
ることはない。
【００１７】同図(ｃ)に示すように、“ＣＨＦ3”と
“Ｏ2”とを混合したエッチングガスと“Ａr”の不活性
ガスとの雰囲気中で上部層間膜１０２をマスクとしてヴ
ァイアホール１１７の底部に位置するストッパ膜１１５
をプラズマエッチングし、ヴァイアホール１１７の底部
に下部金属配線１０３を露出させる。なお、“ＣＨ
Ｆ3”と“Ｏ2”と“Ａr”との混合比も、例えば、“20
／10／200”などとされる。
“Ｏ2”とを混合したエッチングガスと“Ａr”の不活性
ガスとの雰囲気中で上部層間膜１０２をマスクとしてヴ
ァイアホール１１７の底部に位置するストッパ膜１１５
をプラズマエッチングし、ヴァイアホール１１７の底部
に下部金属配線１０３を露出させる。なお、“ＣＨ
Ｆ3”と“Ｏ2”と“Ａr”との混合比も、例えば、“20
／10／200”などとされる。
【００１８】この状態で上部層間膜１０２と下部金属配
線１０３との露出している表面をアミン系の有機剥離液
により清浄化してから、図５(ａ)に示すように、この清
浄化された表面に窒化タンタル膜１２１と銅膜１２２と
をスパッタリングにより順番に成膜する。
線１０３との露出している表面をアミン系の有機剥離液
により清浄化してから、図５(ａ)に示すように、この清
浄化された表面に窒化タンタル膜１２１と銅膜１２２と
をスパッタリングにより順番に成膜する。
【００１９】これで上部層間膜１０２の表面から凹溝１
２０とヴァイアホール１１７との内面まで窒化タンタル
膜１２１と銅膜１２２とが成膜されるので、同図(ｂ)に
示すように、この銅膜１２２の表面に銅からなるメッキ
膜１２３を形成して凹溝１２０とヴァイアホール１１７
とを充填する。
２０とヴァイアホール１１７との内面まで窒化タンタル
膜１２１と銅膜１２２とが成膜されるので、同図(ｂ)に
示すように、この銅膜１２２の表面に銅からなるメッキ
膜１２３を形成して凹溝１２０とヴァイアホール１１７
とを充填する。
【００２０】そして、このメッキ膜１２３をＣＭＰによ
り上部層間膜１０２の表面まで平坦に研磨することによ
り、同図(ｃ)に示すように、凹溝１２０の内部に位置す
る上部金属配線１０４とヴァイアホール１１７の内部に
位置する接続配線１０５とが形成されるので、これで半
導体集積回路１００が完成することになる。
り上部層間膜１０２の表面まで平坦に研磨することによ
り、同図(ｃ)に示すように、凹溝１２０の内部に位置す
る上部金属配線１０４とヴァイアホール１１７の内部に
位置する接続配線１０５とが形成されるので、これで半
導体集積回路１００が完成することになる。
【００２１】なお、上述のように幅狭のヴァイアホール
１１７と幅広の凹溝１２０とを同時に形成する手法は、
一般的にデュアルダマシン法と呼称されている。また、
上述の層間膜１０１，１０２としては、ＳiＯ2の他に低
誘電率膜も利用することができ、この低誘電率膜として
は、水素含有シリコン酸化膜や有機含有シリコン酸化膜
などを利用することができる。
１１７と幅広の凹溝１２０とを同時に形成する手法は、
一般的にデュアルダマシン法と呼称されている。また、
上述の層間膜１０１，１０２としては、ＳiＯ2の他に低
誘電率膜も利用することができ、この低誘電率膜として
は、水素含有シリコン酸化膜や有機含有シリコン酸化膜
などを利用することができる。
【００２２】また、ＡＲＣ膜１１８としては、ポリイミ
ドやノボラックからなるベース樹脂にポリビニルフェノ
ールやポリメチルメタクリレートを添加したものなどを
利用することができ、レジストとしては、ノボラック樹
脂やポリイミド樹脂がなどを利用することができる。
ドやノボラックからなるベース樹脂にポリビニルフェノ
ールやポリメチルメタクリレートを添加したものなどを
利用することができ、レジストとしては、ノボラック樹
脂やポリイミド樹脂がなどを利用することができる。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】上述のような方法で半
導体集積回路１００を製造することにより、幅狭のヴァ
イアホール１１７上に幅広の凹溝１２０を形成できるの
で、下部層間膜１０１に埋め込まれた銅からなる下部金
属配線１０３と上部層間膜１０２に埋め込まれた銅から
なる上部金属配線１０４とがヴァイアホール１１７内の
接続配線１０５で接続された構造を形成することができ
る。
導体集積回路１００を製造することにより、幅狭のヴァ
イアホール１１７上に幅広の凹溝１２０を形成できるの
で、下部層間膜１０１に埋め込まれた銅からなる下部金
属配線１０３と上部層間膜１０２に埋め込まれた銅から
なる上部金属配線１０４とがヴァイアホール１１７内の
接続配線１０５で接続された構造を形成することができ
る。
【００２４】しかし、図４(ａ)に示すように、“Ｃ
4Ｆ8”のエッチングガスで上部層間膜１０２とＡＲＣ膜
１１８とを同時にプラズマエッチングするとき、実際に
はＡＲＣ膜１１８のエッチングレートが上部層間膜１０
２より低いため、プラズマエッチングは上部層間膜１０
２からＡＲＣ膜１１８が突出した状態で進行することに
なる。
4Ｆ8”のエッチングガスで上部層間膜１０２とＡＲＣ膜
１１８とを同時にプラズマエッチングするとき、実際に
はＡＲＣ膜１１８のエッチングレートが上部層間膜１０
２より低いため、プラズマエッチングは上部層間膜１０
２からＡＲＣ膜１１８が突出した状態で進行することに
なる。
【００２５】また、“Ｃ4Ｆ8”のエッチングガスは、プ
ラズマ中で分解されたものや反応生成物からフロロカー
ボン系のデポジションを発生しやすいので、上部層間膜
１０２からＡＲＣ膜１１８が突出した状態でプラズマエ
ッチングが進行すると、図６に示すように、上部層間膜
１０２から突出したＡＲＣ膜１１８の側面にデポジショ
ン１２４が滞積しやすい。
ラズマ中で分解されたものや反応生成物からフロロカー
ボン系のデポジションを発生しやすいので、上部層間膜
１０２からＡＲＣ膜１１８が突出した状態でプラズマエ
ッチングが進行すると、図６に示すように、上部層間膜
１０２から突出したＡＲＣ膜１１８の側面にデポジショ
ン１２４が滞積しやすい。
【００２６】このようにデポジション１２４が滞積する
と、これがマスクとなって下方のプラズマエッチングが
阻害される。このため、上部層間膜１０２とＡＲＣ膜１
１８との同時エッチングが完了してから、ヴァイアホー
ル１１７の内部のＡＲＣ膜１１８を除去すると、図７に
示すように、ヴァイアホール１１７の開口の周囲にデポ
ジション１２４が残存した不良が発生する。
と、これがマスクとなって下方のプラズマエッチングが
阻害される。このため、上部層間膜１０２とＡＲＣ膜１
１８との同時エッチングが完了してから、ヴァイアホー
ル１１７の内部のＡＲＣ膜１１８を除去すると、図７に
示すように、ヴァイアホール１１７の開口の周囲にデポ
ジション１２４が残存した不良が発生する。
【００２７】このようにヴァイアホール１１７の開口の
周囲にデポジション１２４が残存すると、上部金属配線
１０４を良好な形状に形成できないので断線などの不良
の原因となる。
周囲にデポジション１２４が残存すると、上部金属配線
１０４を良好な形状に形成できないので断線などの不良
の原因となる。
【００２８】本発明は上述のような課題に鑑みてなされ
たものであり、ヴァイアホール上に凹溝を形成するため
にデュアルダマシン法により上部層間膜と有機膜とを同
時にプラズマエッチングしても、ヴァイアホールの開口
の周囲にデポジションが残存しない半導体集積回路の製
造方法を提供することを目的とする。
たものであり、ヴァイアホール上に凹溝を形成するため
にデュアルダマシン法により上部層間膜と有機膜とを同
時にプラズマエッチングしても、ヴァイアホールの開口
の周囲にデポジションが残存しない半導体集積回路の製
造方法を提供することを目的とする。
【００２９】
【課題を解決するための手段】本発明の一の半導体集積
回路の製造方法では、レジストマスクの開口から有機膜
と上部層間膜とを同時にプラズマエッチングするとき、
エッチングガスによる有機膜のエッチングレートが上部
層間膜のエッチングレートより高い。従って、上部層間
膜から有機膜が突出した状態でプラズマエッチングが進
行することがないので、デポジションが発生して有機膜
の側面に滞積することがない。
回路の製造方法では、レジストマスクの開口から有機膜
と上部層間膜とを同時にプラズマエッチングするとき、
エッチングガスによる有機膜のエッチングレートが上部
層間膜のエッチングレートより高い。従って、上部層間
膜から有機膜が突出した状態でプラズマエッチングが進
行することがないので、デポジションが発生して有機膜
の側面に滞積することがない。
【００３０】なお、上述のようなエッチングレートの関
係では有機膜の部分が上部層間膜に凹部となる状態でプ
ラズマエッチングが進行するが、上部層間膜の側面には
物性的にデポジションは滞積しにくい。
係では有機膜の部分が上部層間膜に凹部となる状態でプ
ラズマエッチングが進行するが、上部層間膜の側面には
物性的にデポジションは滞積しにくい。
【００３１】本発明の他の半導体集積回路の製造方法で
は、エッチングガスがデポジションを略発生しない分子
構造からなる。従って、デュアルダマシン法により上部
層間膜と有機膜とを同時にプラズマエッチングするとき
に段差などの部分にデポジションが滞積することがな
い。
は、エッチングガスがデポジションを略発生しない分子
構造からなる。従って、デュアルダマシン法により上部
層間膜と有機膜とを同時にプラズマエッチングするとき
に段差などの部分にデポジションが滞積することがな
い。
【００３２】本発明の他の形態としては、エッチングガ
スは、弗素の原子数が炭素の原子数の三倍以上の分子構
造からなることも可能である。この場合、エッチングガ
スの分子構造に弗素が多数なので、物性的に有機膜のエ
ッチングレートが上部層間膜のエッチングレートより高
くなり、エッチングガスの分子構造に炭素が少数なの
で、デポジションが略発生しない。なお、このようなエ
ッチングガスは、例えば、“ＣＦ4”や“Ｃ2Ｆ6”から
なることが可能である。
スは、弗素の原子数が炭素の原子数の三倍以上の分子構
造からなることも可能である。この場合、エッチングガ
スの分子構造に弗素が多数なので、物性的に有機膜のエ
ッチングレートが上部層間膜のエッチングレートより高
くなり、エッチングガスの分子構造に炭素が少数なの
で、デポジションが略発生しない。なお、このようなエ
ッチングガスは、例えば、“ＣＦ4”や“Ｃ2Ｆ6”から
なることが可能である。
【００３３】本発明の他の形態としては、エッチングガ
スの圧力が“100(mToll)”以上であることも可能であ
り、“300〜400(mToll)”であることも可能である。こ
の場合、エッチングガスの圧力が高圧であるとイオン同
士が衝突する確率が増加するため、各種の方向のイオン
が発生してプラズマエッチングの方向性が等方的とな
り、微少に滞積するデポジションが逐次除去される。
スの圧力が“100(mToll)”以上であることも可能であ
り、“300〜400(mToll)”であることも可能である。こ
の場合、エッチングガスの圧力が高圧であるとイオン同
士が衝突する確率が増加するため、各種の方向のイオン
が発生してプラズマエッチングの方向性が等方的とな
り、微少に滞積するデポジションが逐次除去される。
【００３４】
【発明の実施の形態】本発明の実施の一形態を図１を参
照して以下に説明する。ただし、本実施の形態に関して
前述した一従来例と同一の部分は、同一の名称および符
号を使用して詳細な説明は省略する。なお、同図は本実
施の形態の半導体集積回路の製造方法の要部の工程を示
す縦断正面図である。
照して以下に説明する。ただし、本実施の形態に関して
前述した一従来例と同一の部分は、同一の名称および符
号を使用して詳細な説明は省略する。なお、同図は本実
施の形態の半導体集積回路の製造方法の要部の工程を示
す縦断正面図である。
【００３５】本実施の形態の半導体集積回路１００も、
完成した構造は一従来例の場合と同一である。この半導
体集積回路１００を製造する本実施の形態の方法でも、
一従来例の製造方法と同様に、下部金属配線１０３が埋
め込まれた下部層間膜１０１の表面にストッパ膜１１５
を介して上部層間膜１０２を積層し、この上部層間膜１
０２の表面からストッパ膜１１５の表面で下部金属配線
１０３に対向する位置までヴァイアホール１１７を形成
する。
完成した構造は一従来例の場合と同一である。この半導
体集積回路１００を製造する本実施の形態の方法でも、
一従来例の製造方法と同様に、下部金属配線１０３が埋
め込まれた下部層間膜１０１の表面にストッパ膜１１５
を介して上部層間膜１０２を積層し、この上部層間膜１
０２の表面からストッパ膜１１５の表面で下部金属配線
１０３に対向する位置までヴァイアホール１１７を形成
する。
【００３６】このヴァイアホール１１７と上部層間膜１
０２の表面とにＡＲＣ膜１１８を埋め込み、このＡＲＣ
膜１１８の表面にヴァイアホール１１７より幅広に開口
したレジストマスク１１９を形成し、同図(ａ)に示すよ
うに、このレジストマスク１１９の開口からＡＲＣ膜１
１８をプラズマエッチングする。
０２の表面とにＡＲＣ膜１１８を埋め込み、このＡＲＣ
膜１１８の表面にヴァイアホール１１７より幅広に開口
したレジストマスク１１９を形成し、同図(ａ)に示すよ
うに、このレジストマスク１１９の開口からＡＲＣ膜１
１８をプラズマエッチングする。
【００３７】このＡＲＣ膜１１８のプラズマエッチング
が完了したらエッチングガスを変更し、同図(ｂ)に示す
ように、レジストマスク１１９の開口からストッパ膜１
１５まで到達しない所定深度まで上部層間膜１０２とＡ
ＲＣ膜１１８とを同時にプラズマエッチングして幅広の
凹溝１２０を形成する。
が完了したらエッチングガスを変更し、同図(ｂ)に示す
ように、レジストマスク１１９の開口からストッパ膜１
１５まで到達しない所定深度まで上部層間膜１０２とＡ
ＲＣ膜１１８とを同時にプラズマエッチングして幅広の
凹溝１２０を形成する。
【００３８】このプラズマエッチングされた幅広の凹溝
１２０の底部に位置する幅狭のヴァイアホール１１７に
残存しているＡＲＣ膜１１８を除去し、同図(ｃ)に示す
ように、このＡＲＣ膜１１８を除去したヴァイアホール
１１７の底部に位置するストッパ膜１１５をエッチング
して下部金属配線１０３を露出させる。
１２０の底部に位置する幅狭のヴァイアホール１１７に
残存しているＡＲＣ膜１１８を除去し、同図(ｃ)に示す
ように、このＡＲＣ膜１１８を除去したヴァイアホール
１１７の底部に位置するストッパ膜１１５をエッチング
して下部金属配線１０３を露出させる。
【００３９】ただし、本実施の形態の製造方法では、一
従来例の製造方法とは相違して、上述のようにデュアル
ダマシン法により上部層間膜１０２とＡＲＣ膜１１８と
を同時にプラズマエッチングするとき、エッチングガス
として“ＣＦ4”を使用する。
従来例の製造方法とは相違して、上述のようにデュアル
ダマシン法により上部層間膜１０２とＡＲＣ膜１１８と
を同時にプラズマエッチングするとき、エッチングガス
として“ＣＦ4”を使用する。
【００４０】より詳細には、同図(ａ)に示すように、
“ＣＦ4”と“Ｏ2”とを混合したエッチングガスと“Ａ
r”の不活性ガスとの圧力“300〜400(mToll)”の雰囲気
中で、レジストマスク１１９の開口からＡＲＣ膜１１８
をプラズマエッチングし、このプラズマエッチングが完
了したらエッチングガスを“ＣＦ4”に変更し、同図
(ｂ)に示すように、レジストマスク１１９の開口から上
部層間膜１０２とＡＲＣ膜１１８とを同時にプラズマエ
ッチングする。
“ＣＦ4”と“Ｏ2”とを混合したエッチングガスと“Ａ
r”の不活性ガスとの圧力“300〜400(mToll)”の雰囲気
中で、レジストマスク１１９の開口からＡＲＣ膜１１８
をプラズマエッチングし、このプラズマエッチングが完
了したらエッチングガスを“ＣＦ4”に変更し、同図
(ｂ)に示すように、レジストマスク１１９の開口から上
部層間膜１０２とＡＲＣ膜１１８とを同時にプラズマエ
ッチングする。
【００４１】なお、ＡＲＣ膜１１８をプラズマエッチン
グするときの“ＣＦ4”と“Ｏ2”と“Ａr”との混合比
は、例えば、“100／10／500”などとされ、上部層間膜
１０２とＡＲＣ膜１１８とを同時にプラズマエッチング
するときの“ＣＦ4”と“Ａr”との混合比は、例えば、
“100／500”などとされる。
グするときの“ＣＦ4”と“Ｏ2”と“Ａr”との混合比
は、例えば、“100／10／500”などとされ、上部層間膜
１０２とＡＲＣ膜１１８とを同時にプラズマエッチング
するときの“ＣＦ4”と“Ａr”との混合比は、例えば、
“100／500”などとされる。
【００４２】本実施の形態の製造方法では、上述のよう
にデュアルダマシン法によりレジストマスク１１９の開
口からＡＲＣ膜１１８と上部層間膜１０２とを同時にプ
ラズマエッチングするとき、従来とは相違してエッチン
グガスとして“ＣＦ4”を使用する。
にデュアルダマシン法によりレジストマスク１１９の開
口からＡＲＣ膜１１８と上部層間膜１０２とを同時にプ
ラズマエッチングするとき、従来とは相違してエッチン
グガスとして“ＣＦ4”を使用する。
【００４３】この“ＣＦ4”のエッチングガスによるプ
ラズマエッチングでは、物性的にＡＲＣ膜１１８のエッ
チングレートが上部層間膜１０２のエッチングレートよ
り高いので、同図(ｂ)に示すように、上部層間膜１０２
からＡＲＣ膜１１８が突出した状態でプラズマエッチン
グが進行することがなく、物性的にデポジションが滞積
しやすいＡＲＣ膜１１８の側面が形成されない。
ラズマエッチングでは、物性的にＡＲＣ膜１１８のエッ
チングレートが上部層間膜１０２のエッチングレートよ
り高いので、同図(ｂ)に示すように、上部層間膜１０２
からＡＲＣ膜１１８が突出した状態でプラズマエッチン
グが進行することがなく、物性的にデポジションが滞積
しやすいＡＲＣ膜１１８の側面が形成されない。
【００４４】しかも、“ＣＦ4”からなるエッチングガ
スは、分子構造の弗素の原子数が炭素の原子数の三倍以
上であり、炭素が少数で弗素が多数なので、物性的にフ
ロロカーボン系のデポジションを発生しにくい。さら
に、本実施の形態の製造方法では、エッチングガスの圧
力を“300〜400(mToll)”もの高圧とするので分子のブ
ラウン運動が活発となってプラズマエッチングの方向性
が等方的となり、上方に順次滞積されるデポジションが
各種方向から逐次除去されることになる。
スは、分子構造の弗素の原子数が炭素の原子数の三倍以
上であり、炭素が少数で弗素が多数なので、物性的にフ
ロロカーボン系のデポジションを発生しにくい。さら
に、本実施の形態の製造方法では、エッチングガスの圧
力を“300〜400(mToll)”もの高圧とするので分子のブ
ラウン運動が活発となってプラズマエッチングの方向性
が等方的となり、上方に順次滞積されるデポジションが
各種方向から逐次除去されることになる。
【００４５】このため、本実施の形態の製造方法では、
デュアルダマシン法によりレジストマスク１１９の開口
からＡＲＣ膜１１８と上部層間膜１０２とを同時にプラ
ズマエッチングするとき、同図(ｃ)に示すように、ヴァ
イアホール１１７の開口の周囲にフロロカーボン系のデ
ポジションが滞積する不良が発生しない。
デュアルダマシン法によりレジストマスク１１９の開口
からＡＲＣ膜１１８と上部層間膜１０２とを同時にプラ
ズマエッチングするとき、同図(ｃ)に示すように、ヴァ
イアホール１１７の開口の周囲にフロロカーボン系のデ
ポジションが滞積する不良が発生しない。
【００４６】なお、本発明は上記形態に限定されるもの
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上記形態ではエッチングガスが“ＣＦ
4”からなることを例示したが、このエッチングガスが
“Ｃ2Ｆ6”からなることも可能である。また、エッチン
グガスの圧力が“300〜400(mToll)”であることを例示
したが、これは“100(mToll)”以上であれば良い。
ではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許
容する。例えば、上記形態ではエッチングガスが“ＣＦ
4”からなることを例示したが、このエッチングガスが
“Ｃ2Ｆ6”からなることも可能である。また、エッチン
グガスの圧力が“300〜400(mToll)”であることを例示
したが、これは“100(mToll)”以上であれば良い。
【００４７】また、上記形態では幅広の凹溝１２０の底
部に幅狭のヴァイアホール１１７が位置する構造で、こ
のヴァイアホール１１７の開口の周囲に発生するデポジ
ションを防止することを例示したが、前述のように凹溝
１２０は前後方向に連通する形状であり、ヴァイアホー
ル１１７は前後方向には連通しない形状である。
部に幅狭のヴァイアホール１１７が位置する構造で、こ
のヴァイアホール１１７の開口の周囲に発生するデポジ
ションを防止することを例示したが、前述のように凹溝
１２０は前後方向に連通する形状であり、ヴァイアホー
ル１１７は前後方向には連通しない形状である。
【００４８】このため、凹溝１２０とヴァイアホール１
１７とが同幅の場合や凹溝１２０よりヴァイアホール１
１７が幅広の場合でも、ヴァイアホール１１７の開口の
前後にはデポジションが発生する段差が存在するので、
本発明を適用することが可能である。
１７とが同幅の場合や凹溝１２０よりヴァイアホール１
１７が幅広の場合でも、ヴァイアホール１１７の開口の
前後にはデポジションが発生する段差が存在するので、
本発明を適用することが可能である。
【００４９】
【発明の効果】本発明の一の半導体集積回路の製造方法
では、レジストマスクの開口から有機膜と上部層間膜と
を同時にプラズマエッチングするとき、エッチングガス
による有機膜のエッチングレートが上部層間膜のエッチ
ングレートより高いことにより、上部層間膜から有機膜
が突出した状態でプラズマエッチングが進行することが
ないので、デポジションが発生して有機膜の側面に滞積
することがなく、ヴァイアホールの開口の周囲にデポジ
ションが残存する不良の発生を防止することができる。
では、レジストマスクの開口から有機膜と上部層間膜と
を同時にプラズマエッチングするとき、エッチングガス
による有機膜のエッチングレートが上部層間膜のエッチ
ングレートより高いことにより、上部層間膜から有機膜
が突出した状態でプラズマエッチングが進行することが
ないので、デポジションが発生して有機膜の側面に滞積
することがなく、ヴァイアホールの開口の周囲にデポジ
ションが残存する不良の発生を防止することができる。
【００５０】本発明の他の半導体集積回路の製造方法で
は、エッチングガスがデポジションを略発生しない分子
構造からなることにより、デュアルダマシン法により上
部層間膜と有機膜とを同時にプラズマエッチングすると
きに段差などの部分にデポジションが滞積することがな
いので、ヴァイアホールの開口の周囲にデポジションが
残存する不良の発生を防止することができる。
は、エッチングガスがデポジションを略発生しない分子
構造からなることにより、デュアルダマシン法により上
部層間膜と有機膜とを同時にプラズマエッチングすると
きに段差などの部分にデポジションが滞積することがな
いので、ヴァイアホールの開口の周囲にデポジションが
残存する不良の発生を防止することができる。
【００５１】また、本発明の他の形態としては、エッチ
ングガスは、弗素の原子数が炭素の原子数の三倍以上の
分子構造からなることにより、エッチングガスの分子構
造に弗素が多数なので、物性的に有機膜のエッチングレ
ートを上部層間膜のエッチングレートより高くすること
ができ、エッチングガスの分子構造に炭素が少数なの
で、デポジションの発生を防止することができる。
ングガスは、弗素の原子数が炭素の原子数の三倍以上の
分子構造からなることにより、エッチングガスの分子構
造に弗素が多数なので、物性的に有機膜のエッチングレ
ートを上部層間膜のエッチングレートより高くすること
ができ、エッチングガスの分子構造に炭素が少数なの
で、デポジションの発生を防止することができる。
【００５２】また、エッチングガスの圧力が高圧である
ことにより、プラズマエッチングの方向性を等方的とす
ることができるので、微少に滞積するデポジションが逐
次除去されることとなり、デポジションの滞積を防止す
ることができる。
ことにより、プラズマエッチングの方向性を等方的とす
ることができるので、微少に滞積するデポジションが逐
次除去されることとなり、デポジションの滞積を防止す
ることができる。
【図１】本発明の実施の一形態の半導体集積回路の製造
方法の要部の工程を示す縦断正面図である。
方法の要部の工程を示す縦断正面図である。
【図２】一従来例の製造方法の第一から第五の工程を示
す縦断正面図である。
す縦断正面図である。
【図３】第六から第九の工程を示す縦断正面図である。
【図４】第十から第十一の工程を示す縦断正面図であ
る。
る。
【図５】第十二から第十四の工程を示す縦断正面図であ
る。
る。
【図６】デポジションが発生した状態を示す縦断正面図
である。
である。
【図７】デポジションが残存した状態を示す縦断正面図
である。
である。
１００ 半導体集積回路 １１１ 凹部 １０３ 下部金属配線 １０１ 下部層間膜 １１５ ストッパ膜 １０２ 上部層間膜 １１７ ヴァイアホール １１８ 有機膜であるＡＲＣ膜 １１９ レジストマスク １２０ 凹溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5F004 AA16 CA02 DA00 DA01 DA02 DA23 DA26 DB03 DB23 DB26 DB28 EB01 EB03 FA08 5F033 HH11 HH32 KK11 KK21 MM02 PP15 PP27 PP28 QQ04 QQ09 QQ12 QQ15 QQ25 QQ35 QQ37 QQ48 RR04 RR06 SS15 WW05 XX21
Claims (7)
- 【請求項１】 凹部に金属配線が埋め込まれた下部層間
膜の表面にストッパ膜を介して上部層間膜を積層し、こ
の上部層間膜の表面から前記ストッパ膜の表面で前記金
属配線に対向する位置までヴァイアホールを形成し、こ
のヴァイアホールと前記上部層間膜の表面とに有機膜を
埋め込み、この有機膜の表面に前記ヴァイアホールに開
口が連通したレジストマスクを形成し、このレジストマ
スクの開口からエッチングガスと不活性ガスとの雰囲気
中で前記上部層間膜の表面に位置する前記有機膜をプラ
ズマエッチングし、このプラズマエッチングにより露出
した前記上部層間膜と前記ヴァイアホール内の前記有機
膜とを前記ストッパ膜まで到達しない所定深度までエッ
チングガスと不活性ガスとの雰囲気中で同時にプラズマ
エッチングし、このプラズマエッチングされた前記凹溝
の底部に位置するヴァイアホールに残存している前記有
機膜を除去し、この有機膜を除去した前記ヴァイアホー
ルの底部に位置する前記ストッパ膜をエッチングして前
記金属配線を露出させるようにした半導体集積回路の製
造方法であって、 前記レジストマスクの開口から前記有機膜と前記上部層
間膜とを同時にプラズマエッチングするとき、 前記エッチングガスによる前記有機膜のエッチングレー
トが前記上部層間膜のエッチングレートより高いことを
特徴とする製造方法。 - 【請求項２】 凹部に金属配線が埋め込まれた下部層間
膜の表面にストッパ膜を介して上部層間膜を積層し、こ
の上部層間膜の表面から前記ストッパ膜の表面で前記金
属配線に対向する位置までヴァイアホールを形成し、こ
のヴァイアホールと前記上部層間膜の表面とに有機膜を
埋め込み、この有機膜の表面に前記ヴァイアホールに開
口が連通したレジストマスクを形成し、このレジストマ
スクの開口からエッチングガスと不活性ガスとの雰囲気
中で前記上部層間膜の表面に位置する前記有機膜をプラ
ズマエッチングし、このプラズマエッチングにより露出
した前記上部層間膜と前記ヴァイアホール内の前記有機
膜とを前記ストッパ膜まで到達しない所定深度までエッ
チングガスと不活性ガスとの雰囲気中で同時にプラズマ
エッチングし、このプラズマエッチングされた前記凹溝
の底部に位置するヴァイアホールに残存している前記有
機膜を除去し、この有機膜を除去した前記ヴァイアホー
ルの底部に位置する前記ストッパ膜をエッチングして前
記金属配線を露出させるようにした半導体集積回路の製
造方法であって、 前記エッチングガスがデポジションを略発生しない分子
構造からなることを特徴とする製造方法。 - 【請求項３】 前記エッチングガスは、弗素の原子数が
炭素の原子数の三倍以上の分子構造からなる請求項１ま
たは２に記載の製造方法。 - 【請求項４】 前記エッチングガスが“ＣＦ4”からな
る請求項３に記載の製造方法。 - 【請求項５】 前記エッチングガスが“Ｃ2Ｆ6”からな
る請求項３に記載の製造方法。 - 【請求項６】 前記エッチングガスの圧力が“100(mTol
l)”以上である請求項１ないし５の何れか一項に記載の
製造方法。 - 【請求項７】 金属配線が埋め込まれている層間膜の表
面から所定深度まで凹溝が形成されており、この凹溝の
底部にヴァイアホールが形成されており、このヴァイア
ホールの底部に前記金属配線が露出している半導体集積
回路であって、 請求項１ないし６の何れか一項に記載の製造方法により
製造されている半導体集積回路。
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