JP3282795B2 - 異方性導電膜を用いる配線接続方法 - Google Patents
異方性導電膜を用いる配線接続方法Info
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、異方性導電膜を用
いる配線接続方法に関する。
いる配線接続方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、異方性導電膜を用いて、たとえば
ＩＣパッケージやフレキシブル基板を配線基板に接続、
固定したり、ＩＣチップをフレキシブル基板に接続、固
定したりする実装方式が知られている。異方性導電膜を
用いてＩＣパッケージを配線基板に実装する従来例を図
１０に示す。
ＩＣパッケージやフレキシブル基板を配線基板に接続、
固定したり、ＩＣチップをフレキシブル基板に接続、固
定したりする実装方式が知られている。異方性導電膜を
用いてＩＣパッケージを配線基板に実装する従来例を図
１０に示す。
【０００３】１０１は配線基板、１０２は異方性導電
膜、１０３はＩＣパッケージであり、１０４は配線基板
１０１の表面に形成された導体からなる基板ランド、１
０５はＩＣパッケージの表面に形成されたバンプであ
る。接続は、予め異方性導電膜１０２が配設された配線
基板１０１上に、基板ランド１０４とバンプ１０５とを
位置合わせした状態で、ＩＣパッケージ１０３を載せ、
ＩＣパッケージ１０３の反配線基板側からヒートツール
１０６で加熱、押圧することにより、異方性導電膜１０
２の接着剤層１０２１を軟化し、導電粒子１０２２によ
り基板ランド１０４とバンプ１０５とを電気的に接続
し、接着剤層１０２１により配線基板１０１にＩＣパッ
ケージ１０３を接着、固定する。
膜、１０３はＩＣパッケージであり、１０４は配線基板
１０１の表面に形成された導体からなる基板ランド、１
０５はＩＣパッケージの表面に形成されたバンプであ
る。接続は、予め異方性導電膜１０２が配設された配線
基板１０１上に、基板ランド１０４とバンプ１０５とを
位置合わせした状態で、ＩＣパッケージ１０３を載せ、
ＩＣパッケージ１０３の反配線基板側からヒートツール
１０６で加熱、押圧することにより、異方性導電膜１０
２の接着剤層１０２１を軟化し、導電粒子１０２２によ
り基板ランド１０４とバンプ１０５とを電気的に接続
し、接着剤層１０２１により配線基板１０１にＩＣパッ
ケージ１０３を接着、固定する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の異方性導電膜を用いた実装方式は、ひねりや落
下衝撃などの外力が加わったときの接続信頼性が十分で
ないという問題があった。以下、本発明者は異方性導電
膜における上記接続信頼性低下の原因の解明を行ったと
ころ、以下に説明する現象が存在することを見出した。
た従来の異方性導電膜を用いた実装方式は、ひねりや落
下衝撃などの外力が加わったときの接続信頼性が十分で
ないという問題があった。以下、本発明者は異方性導電
膜における上記接続信頼性低下の原因の解明を行ったと
ころ、以下に説明する現象が存在することを見出した。
【０００５】図１０を例として具体的に説明すると、上
記実装に際して、平坦な異方性導電膜１０２のＩＣパッ
ケージ側の表面部分は、ヒートツール１０６からＩＣパ
ッケージ１０３を通じて加熱されるとともに、バンプ１
０５により押圧されて凹む。 しかし、上記加熱による
接着剤層１０２１の軟化と、バンプ１０５による接着剤
層１０２１の変形とは、ほとんど同時に開始されるた
め、異方性導電膜１０２が図１０に示すようにバンプ１
０５の周辺で湾曲してバンプ１０５の周辺に空気が残留
し、空気溜め１０７が形成されてしまう場合があった。
このような空気溜め１０７の空気は、その後のヒートツ
ール１０６からの受熱により大きく膨張してボイド１０
８として残ってしまう（図１１参照）。
記実装に際して、平坦な異方性導電膜１０２のＩＣパッ
ケージ側の表面部分は、ヒートツール１０６からＩＣパ
ッケージ１０３を通じて加熱されるとともに、バンプ１
０５により押圧されて凹む。 しかし、上記加熱による
接着剤層１０２１の軟化と、バンプ１０５による接着剤
層１０２１の変形とは、ほとんど同時に開始されるた
め、異方性導電膜１０２が図１０に示すようにバンプ１
０５の周辺で湾曲してバンプ１０５の周辺に空気が残留
し、空気溜め１０７が形成されてしまう場合があった。
このような空気溜め１０７の空気は、その後のヒートツ
ール１０６からの受熱により大きく膨張してボイド１０
８として残ってしまう（図１１参照）。
【０００６】しかし、バンプ１０５と導電粒子１０２２
との間の密着性を良好に確保するには、バンプ１０５の
主面と接着剤層１０２１との接着の程度（以下、主面接
着と呼称する）とともに、バンプ１０５の周辺部のＩＣ
パッケージ１０３の表面やバンプ１０５の側面と接着剤
層１０２１との接着（以下、側面接着と呼称する）とに
大きく影響される。
との間の密着性を良好に確保するには、バンプ１０５の
主面と接着剤層１０２１との接着の程度（以下、主面接
着と呼称する）とともに、バンプ１０５の周辺部のＩＣ
パッケージ１０３の表面やバンプ１０５の側面と接着剤
層１０２１との接着（以下、側面接着と呼称する）とに
大きく影響される。
【０００７】このため、上記ボイド１０８が大きく成長
した場合には、上記側面接着の強度が低下し、バンプ１
０５と導電粒子１０２２との密着性が低下し、接触抵抗
が増大してしまう。更に、はなはだしい場合には、落下
などの衝撃やねじれ、振動などが加わった場合に、ＩＣ
パッケージ１０３と異方性導電膜１０２との剥離または
配線基板１０１と異方性導電膜１０２との剥離が進行し
てしまう。
した場合には、上記側面接着の強度が低下し、バンプ１
０５と導電粒子１０２２との密着性が低下し、接触抵抗
が増大してしまう。更に、はなはだしい場合には、落下
などの衝撃やねじれ、振動などが加わった場合に、ＩＣ
パッケージ１０３と異方性導電膜１０２との剥離または
配線基板１０１と異方性導電膜１０２との剥離が進行し
てしまう。
【０００８】本発明は上記問題点に鑑みなされたもので
あり、優れた接続強度を発揮することができる異方性導
電膜を用いる配線接続方法を提供することをその解決す
べき課題としている。
あり、優れた接続強度を発揮することができる異方性導
電膜を用いる配線接続方法を提供することをその解決す
べき課題としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
になされた請求項１記載の異方性導電膜を用いる配線接
続方法では、接続部材を被接続部材に実装するのに異方
性導電膜を用い、この異方性導電膜により接続用導体と
接続部材の表面の接続用突起電極とを接続する。本構成
では特に、異方性導電膜と接続部材との接合以前に、予
め異方性導電膜の接続用突起電極接合部位に凹部を設
け、前記凹部の深さを前記接続用突起電極の高さ未満と
し、前記凹部の広さを前記接続用突起電極の広さ未満と
する。このようにすれば、優れた接続信頼性が得られ
る。
になされた請求項１記載の異方性導電膜を用いる配線接
続方法では、接続部材を被接続部材に実装するのに異方
性導電膜を用い、この異方性導電膜により接続用導体と
接続部材の表面の接続用突起電極とを接続する。本構成
では特に、異方性導電膜と接続部材との接合以前に、予
め異方性導電膜の接続用突起電極接合部位に凹部を設
け、前記凹部の深さを前記接続用突起電極の高さ未満と
し、前記凹部の広さを前記接続用突起電極の広さ未満と
する。このようにすれば、優れた接続信頼性が得られ
る。
【００１０】更に説明すると、本構成では、異方性導電
膜の表面には接続用突起電極接合部位に位置して予め凹
部の分だけ凹んでいるので、接続用突起電極を押し付け
た場合でも、異方性導電膜の凹み変形の量はその分だけ
減少することになる。その結果、図１０、図１１を例と
して説明すると、この凹み変形に対する異方性導電膜１
０２の抗力が減少するので空気溜め１０７が大幅に減少
し、さらにボイド１０８が大幅に減少する。これによ
り、上記側面接着の力が増大し、接続用突起電極である
バンプ１０５と導電粒子１０２２との密着性の増大、及
び、異方性導電膜１０２とＩＣパッケージ１０３との接
着性の増大を実現することができ、結局、本構成によれ
ば、構成部材間の熱膨張係数の不一致や衝撃などにより
生じる応力に耐えて異方性導電膜を用いる配線接続の信
頼性を従来より格段に向上することができる。
膜の表面には接続用突起電極接合部位に位置して予め凹
部の分だけ凹んでいるので、接続用突起電極を押し付け
た場合でも、異方性導電膜の凹み変形の量はその分だけ
減少することになる。その結果、図１０、図１１を例と
して説明すると、この凹み変形に対する異方性導電膜１
０２の抗力が減少するので空気溜め１０７が大幅に減少
し、さらにボイド１０８が大幅に減少する。これによ
り、上記側面接着の力が増大し、接続用突起電極である
バンプ１０５と導電粒子１０２２との密着性の増大、及
び、異方性導電膜１０２とＩＣパッケージ１０３との接
着性の増大を実現することができ、結局、本構成によれ
ば、構成部材間の熱膨張係数の不一致や衝撃などにより
生じる応力に耐えて異方性導電膜を用いる配線接続の信
頼性を従来より格段に向上することができる。
【００１１】また、このようにすれば、凹部の形成によ
り、接続用突起電極と異方性導電膜との上記主面接着の
程度が悪化したり、接続用突起電極と導電粒子との密着
性が悪化したりすることを防止することができる。
り、接続用突起電極と異方性導電膜との上記主面接着の
程度が悪化したり、接続用突起電極と導電粒子との密着
性が悪化したりすることを防止することができる。
【００１２】更に、このようにすれば、凹部の形成によ
り、接続用突起電極と異方性導電膜との上記主面接着の
程度が悪化したり、接続用突起電極と導電粒子との密着
性が悪化したりすることを防止することができる。
り、接続用突起電極と異方性導電膜との上記主面接着の
程度が悪化したり、接続用突起電極と導電粒子との密着
性が悪化したりすることを防止することができる。
【００１３】請求項２記載の構成によれば、接続部材を
被接続部材に実装するのに異方性導電膜を用い、この異
方性導電膜により接続用導体と接続部材の表面の接続用
突起電極とを接続する。本構成では特に、凹部を、平坦
な異方性導電膜を被接続部材上に配設した後、凹部形成
用の加熱ヘッドを異方性導電膜の表面に加熱、押圧して
形成することにより、異方性導電膜と接続部材との接合
以前に予め異方性導電膜の接続用突起電極接合部位に凹
部を設ける。このようにすれば、異方性導電膜の凹部と
被接続部材の接続用導体との位置合わせが不要となり、
加熱ヘッドの凸パターンの変更により自由に凹部パター
ンを変更することができる。
被接続部材に実装するのに異方性導電膜を用い、この異
方性導電膜により接続用導体と接続部材の表面の接続用
突起電極とを接続する。本構成では特に、凹部を、平坦
な異方性導電膜を被接続部材上に配設した後、凹部形成
用の加熱ヘッドを異方性導電膜の表面に加熱、押圧して
形成することにより、異方性導電膜と接続部材との接合
以前に予め異方性導電膜の接続用突起電極接合部位に凹
部を設ける。このようにすれば、異方性導電膜の凹部と
被接続部材の接続用導体との位置合わせが不要となり、
加熱ヘッドの凸パターンの変更により自由に凹部パター
ンを変更することができる。
【００１４】請求項３記載の構成によれば請求項２記載
の異方性導電膜を用いる配線接続方法において更に、凹
部形成用の加熱ヘッドは、接続部材接合用の加熱ヘッド
と一体化される。このようにすれば、被接続部材に対し
て凹部形成用の加熱ヘッドを位置合わせすれば、その
後、この凹部形成用の加熱ヘッドと接続部材接合用の加
熱ヘッドとの位置ずれ量だけこれら両ヘッドを一体に変
位させればよく、位置合わせ作業が簡素となる。
の異方性導電膜を用いる配線接続方法において更に、凹
部形成用の加熱ヘッドは、接続部材接合用の加熱ヘッド
と一体化される。このようにすれば、被接続部材に対し
て凹部形成用の加熱ヘッドを位置合わせすれば、その
後、この凹部形成用の加熱ヘッドと接続部材接合用の加
熱ヘッドとの位置ずれ量だけこれら両ヘッドを一体に変
位させればよく、位置合わせ作業が簡素となる。
【００１５】
【発明を実施するための態様】本発明の異方性導電膜を
用いる配線接続方法では以下の実施態様を有することが
できる。接続部材及び被接続部材としては、ＩＣパッケ
ージ、ＩＣチップ、配線基板、フレキシブル基板などを
採用することができ、接続用突起電極としてはバンプや
導体ボールなど、接続部材の主面から突出する導体を採
用することができ、接続用導体としては基板ランドや電
極パッドなど被接続部材からまったくあるいはそれほど
突出しない導体や、バンプや導体ボールなどのような接
続用突起電極などを採用することができる。
用いる配線接続方法では以下の実施態様を有することが
できる。接続部材及び被接続部材としては、ＩＣパッケ
ージ、ＩＣチップ、配線基板、フレキシブル基板などを
採用することができ、接続用突起電極としてはバンプや
導体ボールなど、接続部材の主面から突出する導体を採
用することができ、接続用導体としては基板ランドや電
極パッドなど被接続部材からまったくあるいはそれほど
突出しない導体や、バンプや導体ボールなどのような接
続用突起電極などを採用することができる。
【００１６】凹部の広さや深さは、接続用突起電極の広
さや高さ以下であることが好ましい。凹部の平面形状は
接続用突起電極の平面形状に略一致する形状が最適であ
るが、その他の形状とすることも可能である。異方性導
電膜に設ける凹部の数は、接続用突起電極の個数と一致
させてもよいが、異なる個数としてもよい。たとえば凹
部形成用の加熱ヘッドの凸部を所定パターンで多数形成
しておけば、このパターンに適合する複数の接続用突起
電極配置パターンをもつ接続部材全てに対して共通の凹
部形成用の加熱ヘッドを用いることができる。
さや高さ以下であることが好ましい。凹部の平面形状は
接続用突起電極の平面形状に略一致する形状が最適であ
るが、その他の形状とすることも可能である。異方性導
電膜に設ける凹部の数は、接続用突起電極の個数と一致
させてもよいが、異なる個数としてもよい。たとえば凹
部形成用の加熱ヘッドの凸部を所定パターンで多数形成
しておけば、このパターンに適合する複数の接続用突起
電極配置パターンをもつ接続部材全てに対して共通の凹
部形成用の加熱ヘッドを用いることができる。
【００１７】
【実施例１】以下、本発明の異方性導電膜を用いる配線
接続方法の一実施例を図１〜図６に示す工程図を参照し
て説明する。図１において、１は配線基板、２は異方性
導電膜、７は凹部形成用の加熱ヘッドをなすヒートツー
ルであり、異方性導電膜２は配線基板１上に配設され
る。配線基板１の表面にはそれぞれ導体からなる多数の
基板ランド４が所定のパターンで形成されている。異方
性導電膜２は加熱により軟化し、更なる加熱により硬化
する接着剤に多数の導電粒子を分散させたフィルムであ
り、ヒートツール７の下面には基板ランド４のパターン
に一致するパターンにて凸部７１が形成されている。２
１は接着剤層、２２は導電粒子である。
接続方法の一実施例を図１〜図６に示す工程図を参照し
て説明する。図１において、１は配線基板、２は異方性
導電膜、７は凹部形成用の加熱ヘッドをなすヒートツー
ルであり、異方性導電膜２は配線基板１上に配設され
る。配線基板１の表面にはそれぞれ導体からなる多数の
基板ランド４が所定のパターンで形成されている。異方
性導電膜２は加熱により軟化し、更なる加熱により硬化
する接着剤に多数の導電粒子を分散させたフィルムであ
り、ヒートツール７の下面には基板ランド４のパターン
に一致するパターンにて凸部７１が形成されている。２
１は接着剤層、２２は導電粒子である。
【００１８】次に、図２に示すように異方性導電膜２の
上面にヒートツール７を降下させて加熱、押圧すること
により、図３に示すようにヒートツール７の凸部７１に
一致する凹部２０が異方性導電膜２の上面に転写され
る。なお、ヒートツール７の凸部７１は基板ランド４の
直上に位置合わせされ、これにより凹部２０は基板ラン
ド４の直上に形成される。また、この時、異方性導電膜
２を軟化させて異方性導電膜２を配線基板１に接着させ
ることも可能である。
上面にヒートツール７を降下させて加熱、押圧すること
により、図３に示すようにヒートツール７の凸部７１に
一致する凹部２０が異方性導電膜２の上面に転写され
る。なお、ヒートツール７の凸部７１は基板ランド４の
直上に位置合わせされ、これにより凹部２０は基板ラン
ド４の直上に形成される。また、この時、異方性導電膜
２を軟化させて異方性導電膜２を配線基板１に接着させ
ることも可能である。
【００１９】次に、図４に示すように、樹脂モールドタ
イプのＩＣパッケージ３を異方性導電膜２上に移送し、
ＩＣパッケージ３の下面に設けられたバンプ５を、異方
性導電膜２の凹部２０の直上に位置合わせし、その後、
図５に示すように、接続部材接合用の加熱ヘッドをなす
ヒートツール６を降下させて、ＩＣパッケージ３を通じ
て異方性導電膜２を加熱しつつ、ＩＣパッケージ３を異
方性導電膜２に押し付ける。すると、所定時間後、異方
性導電膜２が軟化し、バンプ５は凹部２０に嵌まり込
み、その結果、異方性導電膜２がバンプ５により過度の
変形応力を受けることなく、導電粒子２２は基板ランド
４とバンプ５とを電気的に接続する。その後、更なる加
熱を所定時間行うことにより、異方性導電膜２が硬化さ
れ、図６に示すようにＩＣパッケージ３は配線基板１に
実装される。図７に異方性導電膜２に、凹部２０の配置
パターンの一例を示す。
イプのＩＣパッケージ３を異方性導電膜２上に移送し、
ＩＣパッケージ３の下面に設けられたバンプ５を、異方
性導電膜２の凹部２０の直上に位置合わせし、その後、
図５に示すように、接続部材接合用の加熱ヘッドをなす
ヒートツール６を降下させて、ＩＣパッケージ３を通じ
て異方性導電膜２を加熱しつつ、ＩＣパッケージ３を異
方性導電膜２に押し付ける。すると、所定時間後、異方
性導電膜２が軟化し、バンプ５は凹部２０に嵌まり込
み、その結果、異方性導電膜２がバンプ５により過度の
変形応力を受けることなく、導電粒子２２は基板ランド
４とバンプ５とを電気的に接続する。その後、更なる加
熱を所定時間行うことにより、異方性導電膜２が硬化さ
れ、図６に示すようにＩＣパッケージ３は配線基板１に
実装される。図７に異方性導電膜２に、凹部２０の配置
パターンの一例を示す。
【００２０】なお、この実施例において、ヒートツール
６、７は一体に形成されており、単一の駆動手段で駆動
されるので、位置合わせや工程が従来よりそれほど複雑
となることはない。
６、７は一体に形成されており、単一の駆動手段で駆動
されるので、位置合わせや工程が従来よりそれほど複雑
となることはない。
【００２１】
【実施例２】本発明の異方性導電膜を用いる配線接続方
法の他の実施例を図４〜図６を参照して説明する。この
実施例は、実施例１において、図１〜図３の凹部形成工
程を省略し、更に、図４において、凹部２０が予め形成
された異方性導電膜２０を用いるものである。
法の他の実施例を図４〜図６を参照して説明する。この
実施例は、実施例１において、図１〜図３の凹部形成工
程を省略し、更に、図４において、凹部２０が予め形成
された異方性導電膜２０を用いるものである。
【００２２】ただし、この実施例では、予め形成された
凹部２０と基板ランド４とを位置合わせする必要があ
る。 （変形態様１）実施例２において用いた異方性導電膜
２、すなわち予め凹部２０を備えた異方性導電膜２は、
実施例１のようなヒートツールを用いて作成できる他、
図８に示す二層膜貼り合わせにより作成することもでき
る。
凹部２０と基板ランド４とを位置合わせする必要があ
る。 （変形態様１）実施例２において用いた異方性導電膜
２、すなわち予め凹部２０を備えた異方性導電膜２は、
実施例１のようなヒートツールを用いて作成できる他、
図８に示す二層膜貼り合わせにより作成することもでき
る。
【００２３】更に説明すれば、この態様における異方性
導電膜２は、予め所定パターンの貫通穴２５をもつ上膜
２６と、平坦な下膜２７とを貼り合わせて作製される。
ただし、上膜２６は接着剤層からなり、下膜２７は導電
粒子を含む接着剤層からなる。上膜２６は導電粒子を含
んでもよく、含まなくてもよい。 （変形態様２）実施例１、２では、異方性導電膜２には
バンプ５に合わせて凹部２０を設けたが、更に基板ラン
ド４に合わせて凹部２９を設けてもよい。
導電膜２は、予め所定パターンの貫通穴２５をもつ上膜
２６と、平坦な下膜２７とを貼り合わせて作製される。
ただし、上膜２６は接着剤層からなり、下膜２７は導電
粒子を含む接着剤層からなる。上膜２６は導電粒子を含
んでもよく、含まなくてもよい。 （変形態様２）実施例１、２では、異方性導電膜２には
バンプ５に合わせて凹部２０を設けたが、更に基板ラン
ド４に合わせて凹部２９を設けてもよい。
【００２４】なお、これら凹部２０、２９は、バンプ
５、基板ランド４の高さより浅く、バンプ５、基板ラン
ド４の平面形状より僅かに小さい形状とすることが好ま
しい。また、バンプ５は、例えばはんだバンプ、Ａｕバ
ンプ、Ａｇバンプ、ワイヤバンプとされ、基板ランド４
は例えばＮｉーＡｕめっきで形成されるが、それらの製
造方法は周知であるので説明を省略する。
５、基板ランド４の高さより浅く、バンプ５、基板ラン
ド４の平面形状より僅かに小さい形状とすることが好ま
しい。また、バンプ５は、例えばはんだバンプ、Ａｕバ
ンプ、Ａｇバンプ、ワイヤバンプとされ、基板ランド４
は例えばＮｉーＡｕめっきで形成されるが、それらの製
造方法は周知であるので説明を省略する。
【図１】実施例１の異方性導電膜を用いる配線接続方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図２】実施例１の異方性導電膜を用いる配線接続方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図３】実施例１の異方性導電膜を用いる配線接続方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図４】実施例１の異方性導電膜を用いる配線接続方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図５】実施例１の異方性導電膜を用いる配線接続方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図６】実施例１の異方性導電膜を用いる配線接続方法
を示す工程図である。
を示す工程図である。
【図７】実施例１の異方性導電膜２における凹部２０の
配置パターンの一例を示す部分斜視図である。
配置パターンの一例を示す部分斜視図である。
【図８】実施例２の変形態様を示す工程図である。
【図９】実施例１、２の変形態様を示す模式断面図であ
る。
る。
【図１０】従来の異方性導電膜を用いる配線接続方法を
示す模式断面図である。
示す模式断面図である。
【図１１】従来の異方性導電膜を用いる配線接続方法を
示す模式断面図である。
示す模式断面図である。
１は配線基板（被接続部材）、２は異方性導電膜、３は
ＩＣパッケージ（接続部材）、４は基板ランド（接続用
導体）、５はバンプ（接続用突起電極）、７はヒートツ
ール（加熱ヘッド）、２１は接着剤層、２２は導電粒子
である。
ＩＣパッケージ（接続部材）、４は基板ランド（接続用
導体）、５はバンプ（接続用突起電極）、７はヒートツ
ール（加熱ヘッド）、２１は接着剤層、２２は導電粒子
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 近藤 宏司 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式 会社デンソー内 (56)参考文献 特開 平９−283566（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60
Claims (3)
- 【請求項１】表面に接続用突起電極を有する接続部材、
表面に接続用導体を有する被接続部材、及び、異方性導
電膜を準備し、前記異方性導電膜を前記接続部材及び被
接続部材の間に介設し、押圧、加熱して前記異方性導電
膜により前記接続用導体を前記接続用突起電極に接続す
る異方性導電膜を用いる配線接続方法において、 前記異方性導電膜と前記接続部材との接合以前に予め前
記異方性導電膜の前記接続用突起電極接合部位に凹部を
設け、前記凹部の深さを前記接続用突起電極の高さ未満
とし、前記凹部の広さを前記接続用突起電極の広さ未満
とすることを特徴とする異方性導電膜を用いる配線接続
方法。 - 【請求項２】表面に接続用突起電極を有する接続部材、
表面に接続用導体を有する被接続部材、及び、異方性導
電膜を準備し、前記異方性導電膜を前記接続部材及び被
接続部材の間に介設し、押圧、加熱して前記異方性導電
膜により前記接続用導体を前記接続用突起電極に接続す
る異方性導電膜を用いる配線接続方法において、 平坦な前記異方性導電膜を前記被接続部材上に配設した
後、表面に凸部を有する凹部形成用の加熱ヘッドを前記
異方性導電膜の接続部材側の表面に押し付けて凹部を形
成し、その後、接合用の加熱ヘッドを前記接続部材の反
異方性導電膜側の表面に押し付けて前記接続部材を前記
異方性導電膜を通じて前記被接続部材に接着し、前記接
続用突起電極を前記異方性導電膜を通じて前記接続用導
体に接続することにより、前記異方性導電膜と前記接続
部材との接合以前に予め前記異方性導電膜の前記接続用
突起電極接合部位に前記凹部を設けることを特徴とする
異方性導電膜を用いる配線接続方法。 - 【請求項３】請求項２記載の異方性導電膜を用いる配線
接続方法において、 前記両ヘッドは、ヘッド駆動手段により一体に移動され
ることを特徴とする異方性導電膜を用いる配線接続方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8392598A JP3282795B2 (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 異方性導電膜を用いる配線接続方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8392598A JP3282795B2 (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 異方性導電膜を用いる配線接続方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284030A JPH11284030A (ja) | 1999-10-15 |
| JP3282795B2 true JP3282795B2 (ja) | 2002-05-20 |
Family
ID=13816186
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8392598A Expired - Lifetime JP3282795B2 (ja) | 1998-03-30 | 1998-03-30 | 異方性導電膜を用いる配線接続方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3282795B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW487896B (en) | 2000-02-24 | 2002-05-21 | Seiko Epson Corp | Mounting structure for semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus |
-
1998
- 1998-03-30 JP JP8392598A patent/JP3282795B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11284030A (ja) | 1999-10-15 |
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