JP3594120B2 - 半導体装置の製造方法及びボンディング用加圧治具 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体チップを回路基板上に熱硬化性又は熱可塑性の樹脂シートを介在させて、フリップチップ実装する半導体装置の製造方法及びその製造方法に用いるボンディング用加圧治具に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年の携帯情報端末の小型化・軽量化による半導体装置パッケージの高密度化・小型化・薄型化に伴い、フリップチップ接続によるCSP(Chip Size Package)やMCM(Multi Chip Module)が必要とされている。フリップチップ実装方法について図4に基づいて説明する。回路基板21表面には電極22や配線28が形成されており、搭載される半導体チップ23には回路基板21と相対する面に電極24が形成されている。これらの電極22、24を位置合わせし、ボンディングツール25にて半導体チップ23を加熱・加圧することにより実装する。この際、電極同士を電気的に接続する方法として異方導電性フィルム26を介在させる方法がある。この異方導電性フィルムはその中に微細な導電性粒子を分散された熱硬化性又は熱可塑性の樹脂フィルムで、半導体チップと回路基板との間で加熱・加圧されることにより、軟化・流動化して半導体チップ下全体に押し広げられて固化される。この際、半導体チップと回路基板の電極22、24間には導電性粒子27が挟まれ電気的接続が得られる。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
この異方導電性シート26は実装前に回路基板1上に貼り付けられるのだが、この際、回路基板21とその上に形成された配線28との段差の部分に気泡を巻き込んでしまう。この気泡を排出する方法として、特開平9−219579号公報に開示されている技術等がある。これは、異方導電性樹脂26その硬化温度以下にて加熱し、気泡の流動性を上げることにより、気泡を半導体チップ23外に排出、その後、硬化温度にて加熱・加圧して電極部にはボイドを残さないというものである。しかし、これのみでは半導体チップ23の外周には大きなボイド29を含んだ樹脂層30が形成されてしまう。また、この流れ出す樹脂は上方へと盛り上がっていくため、回路基板1と十分に密着されておらず、その間隔より水分が浸入しやすくなる。よって、吸湿試験に投入するとそれらの部分に多量の水分を含むようになり、このままリフロー炉に流せば、吸湿した水分が気化し、ボイド内にて膨張するため、半導体チップ外周付近より半導体パッケージの剥離や損傷が起こりやすくなる。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、第1電極を有する半導体チップと該半導体チップと対向する面に前記第1極と対向する位置に第2電極を有する回路基板とを接着用の樹脂を介してフリップチップ方式にて、電気的に接続する半導体装置の製造方法において、前記半導体チップを加圧することによって前記半導体チップの外周より外側に流れ出た前記樹脂を加圧することを特徴とするものである。
【0005】
また、本発明の半導体装置は、前記半導体チップを加圧する際に用いる加圧治具と半導体チップとの間にシート状部材を挟んだ後に前記半導体チップ及び前記樹脂を加圧することが望ましい。
【0006】
また、本発明の半導体装置は、前記シート状部材の少なくとも前記樹脂と接触する面が前記樹脂が付着しないような材料から成ることが望ましい。
【0007】
また、前記樹脂は異方導電性樹脂であることが望ましい。
【0008】
また、本発明の半導体装置の製造方法において前記半導体チップ及び前記樹脂を加圧する際に用いるのボンディング用加圧治具は、前記半導体チップとの接触面に、開口部が該半導体チップの外形と略同一形状で、且つ、深さが接続後の前記回路基板の上面から前記半導体チップの上面までの高さよりも低く、且つ、加圧時に半導体チップと直接又は前記シート部材を介して嵌合する凹部を有することを特徴とするものである。
【0009】
また、本発明のボンディング用加圧治具は、本発明の半導体装置の製造方法において前記半導体チップ及び前記樹脂を加圧する際に用いるのボンディング用加圧治具であって、少なくとも前記樹脂との接触面が、該樹脂が付着しないような材質から成ることが望ましい。
【0010】
また、本発明のボンディング用加圧治具は、更に、開口部が半導体チップの外形と略同一形状で、且つ、高さが接続後の前記回路基板の上面から前記半導体チップの上面までの高さよりも低く、且つ、加圧時に半導体チップと直接又は前記シート部材を介して嵌合する枠部と、前記半導体チップと前記枠とを加圧する加圧部とから成ることを特徴とするものである。
【0011】
また、本発明のボンディング用加圧治具は、前記枠部が前記樹脂との接着力を有する材質から成る、又は、前記枠部が該樹脂が付着しないような材質から成ること場合がある。
【0012】
更に、前記樹脂が付着しないような材質としてフッ素系樹脂を用いることが望ましい。
【0013】
【発明の実施の形態】
以下、実施の形態に基づいて、本発明の半導体装置の製造方法及び、その製造方法に用いるボンディング用加圧治具について詳細に説明する。
【0014】
図1は本発明の第1の実施例の半導体装置の製造工程を示す断面図、図2は本発明の第1の実施例において、シート部材を用いた場合の製造工程の一部断面図、図3は本発明の第2の実施例の半導体装置の製造工程の一部断面図である。また、図1から図3において、1は回路基板、2は回路基板上に形成された電極、3は半導体チップ、4は半導体チップ上に形成された電極、5は加圧武となるボンディングツール、6は接着用の樹脂となる異方導電性フィルム、7は導電粒子、8は配線、9は気泡、10は半導体チップよりはみ出した樹脂、11は加圧治具となる、接触面をくり貫いて凹状の構造にしたボンディングツール、12は枠、13はシートである。
【0015】
本発明の、半導体装置の製造方法において半導体チップ及び半導体チップ外縁からはみ出した樹脂を加圧する際に用いるのボンディング用加圧治具11は、半導体チップ3との接触面に、開口部が半導体チップ3の外形と略同一形状で、且つ、深さが接続後の回路基板1の上面から半導体チップ3の上面までの高さよりも低く、且つ、加圧時に半導体チップ3と直接又はシート部材13を介して嵌合する凹部を有することを特徴とする。
【0016】
また、少なくともはみ出した樹脂10との接触面が、樹脂10が付着しないような材質から成ることが望ましい。具体的には、フッ素系樹脂のテフロン等が挙げられる。
【0017】
また、開口部が半導体チップ3の外形と略同一形状で、且つ、高さが接続後の回路基板1の上面から半導体チップ3の上面までの高さよりも低く、且つ、加圧時に半導体チップ3と直接又はシート部材13を介して嵌合する枠12と、前記半導体チップ3と枠12とを加圧する加圧部であるボンディングツール5とから成ることを特徴とする。
【0018】
また、枠12が樹脂10との接着力を有する材質から成ることによって、枠を取り除く工程を省くことができる。具体的には、半導体チップをモールドするモールド樹脂と同じ材料を用いる。
【0019】
また、枠12が樹脂10が付着しないような材質から成ることにより、取り扱いが容易になる。具体的には、フッ素系樹脂のテフロン等が挙げられる。
【0020】
以下、図1を用いて、第1の実施例の半導体装置の製造工程を説明する。
【0021】
図1(a)のように、まず、回路基板1上に半導体チップが搭載される位置に、その中に微細な導電性粒子を分散させた熱硬化性又は熱可塑性のフィルム状樹脂からなる異方導電性フィルム6を貼り付ける。一方、半導体チップ3の電極にはバンプ4予め形成する。バンプ形成は、例えば、直径20μmのAuワイヤを使用し、ボールボンディング法により形成する。形成後のバンプサイズは直径約80μm程度である。
【0022】
次に、半導体チップ3の電極4と回路基板1の電極2を位置合わせし、半導体チップ3を加熱・加圧してバンプ4を回路基板1の電極4と接触させる。バンプ4が押しつぶされ半導体チップが異方導電性フィルム6に接触すると、半導体チップ3に加えられた熱が伝わり、異方導電性フィルム6が軟化・流動化し、更に加圧により半導体チップ3の外に流されて行く。このとき、異方導電性フィルム6の貼り付け時に巻き込んだ空気も半導体チップ1の外に押し出されて行く。
【0023】
次に、このはみ出した樹脂10しつぶすために、図1(b)に示すようなボンディングツール11いる。このボンディングツール11は、接触面が半導体チップ3の外形もしくはそれよりやや大きいサイズをくり貫いた凹状の構造をとり、半導体チップ3の外にはみ出た樹脂10を加熱・加圧するものである。また、そのくり貫く深さをはみ出した樹脂10と半導体チップ3の両方に同時に加圧できるように調整することにより、最初のステップの接続においては、位置合わせと樹脂が完全には硬化しきらないような低い温度にて、仮の接合をしておき、次のステップで、ボンディングツール11にて加熱・加圧を行ない樹脂6を完全硬化させ、本接続することが可能となる。樹脂への段階的な加熱が可能になることから、樹脂の急激な加熱によるボイドの発生を防ぐことができる。
【0024】
また、ボンディングツール11の表面を異方導電性フィルムが付着しないような素材で、コーティングするか、或いは、図2に示すように、図1(a)の工程の後、凹状の構造となるボンディングツール11と半導体チップ3との間に同様の素材でできたシート13を介在させることにより、異方導電性フィルムの付着を防止し、付着によるトラブルやクリーニング作業を避けることが望ましい。この素材には、フッ素系樹脂のテフロンなどが挙げられる。
【0025】
次に、図3を用いて、本発明の第2の実施例について説明する。
【0026】
半導体チップ3を回路基板1に接続するまでは第1の実施例(図1(a))と同様である。次に、図3に示すように、半導体チップ3の外形もしくはそれよりやや大きいサイズを打ち抜いた枠12を位置合わせして、実装した半導体チップ3の側面よりはみ出た異方性導電樹脂10上に置く。それから、回路基板3と平行にした表面の平らなツール5にて加圧し、はみ出し樹脂10内のボイド9を押し潰し、同時にはみ出した樹脂10と回路基板1とを十分に密着させる。
【0027】
これにより様々な大きさの半導体チップを接続する際に、各々に合わせたツールを用意するのではなく、枠のみを用意すればよいため、コストが抑えられる。また、枠12の高さを接続後の回路基板の上面から半導体チップの上面までの高さよりも低くし、半導体チップ3とはみ出した樹脂10の両方を同時に加圧できるように調節することによって、第1の実施例同様、加熱を段階的にでき、ボイドの発生を抑えることができる。
【0028】
枠12に異方導電性樹脂との離型性の良い素材でコーティングするなり、枠12と実装後の半導体装置との間に同様の素材でできたシートを介在させることにより、取り扱いを容易にすることが可能となり、枠12の再利用が容易に可能となる。逆に、枠12の素材を異方導電性樹脂との接着力がある樹脂にすることにより、ボンディング後枠をそのまま密着させて、枠を取り除く工程を省くことができる。この素材には例えば半導体装置パッケージにおいて、モールドまで施す場合、そのモールド樹脂と同様の樹脂を用いるのが好ましい。
【0029】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、異方導電性フィルムなどの熱硬化性または熱可塑性の樹脂を介在させたフリップチップ実装において、半導体チップよりはみ出た樹脂に加熱・加圧を与えることにより、その中に形成されたボイドを押し潰し、更に、その樹脂と回路基板との密着性を向上させ、これにより、吸湿試験における水分の浸入を極力抑えることができ、半導体装置の耐湿信頼性及び耐リフロー性を向上させることができる。
【0030】
また、前記半導体チップを加圧する際に用いる加圧治具と半導体チップとの間にシート状部材を挟んだ後に前記半導体チップ及び前記樹脂を加圧することにより、より確実に半導体チップからはみ出した樹脂を加圧することができ、樹脂中のボイドを押しつぶすことができる。
また、シート状部材の少なくともはみ出した樹脂と接触する面が樹脂が付着しないような材料から成ることにより、樹脂の付着のトラブルやクリーニング作業を回避することができる。
【0031】
また、本発明の半導体装置の製造方法において前記半導体チップ及び前記樹脂を加圧する際に用いるボンディング用加圧治具が、半導体チップとの接触面に、開口部が該半導体チップの外形と略同一形状で、且つ、深さが接続後の前記回路基板の上面から前記半導体チップの上面までの高さよりも低く、且つ、加圧時に半導体チップと直接又は前記シート部材を介して嵌合する凹部を有することによって、又は、開口部が半導体チップの外形と略同一形状で、且つ、高さが接続後の前記回路基板の上面から前記半導体チップの上面までの高さよりも低く、且つ、加圧時に半導体チップと直接又は前記シート部材を介して嵌合する枠部と、前記半導体チップと前記枠とを加圧する加圧部とから成ることによって、その中に形成されたボイドを押し潰し、更に、その樹脂と回路基板との密着性を向上させ、これにより、吸湿試験における水分の浸入を極力抑えることができ、半導体装置の耐湿信頼性及び耐リフロー性を向上させることができる。
【0032】
本発明のボンディング用加圧治具は少なくとも前記樹脂との接触面が、該樹脂が付着しないような材質、例えば、フッ素系樹脂から成ることにより、取り扱いを容易にすることができる。
【0033】
また、枠部が樹脂との接着力を有する材質から成ることことにより、ボンディング後枠をそのまま密着させて、枠を取り除く工程を省くことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図2】本発明の第1の実施例において、シート部材を用いた場合の製造工程の一部断面図である。
【図3】本発明の第2の実施例の半導体装置の製造工程の一部断面図である。
【図4】従来の、フリップチップ実装工程の一部断面図である。
【符号の説明】
1 回路基板
2 回路基板上に形成された電極
3 半導体チップ
4 半導体チップ上に形成された電極
5 ボンディングツール
6 異方導電性フィルム
7 導電粒子
8 配線
9 気泡
10 半導体チップよりはみ出した樹脂
11 接触面をくり貫いて凹状の構造にしたボンディングツール
12 枠
13 シート
Claims (14)
- 第1の電極を有する半導体チップと該半導体チップと対向する面に前記第1の電極と対向する位置に第2の電極を有する回路基板とを接着用の樹脂を介してフリップチップ方式にて、電気的に接続する半導体装置の製造方法において、
前記半導体チップとの接触面に、開口部が該半導体チップの外形と略同一形状で、且つ、深さが接続後の前記回路基板の上面から前記半導体チップの上面までの高さよりも低く、且つ、加圧時に半導体チップと直接又は前記シート部材を介して嵌合する凹部を有するボンディング用加圧治具、を用いて、前記半導体チップを加圧することによって前記半導体チップの外周より外側に流れ出た前記樹脂を加圧し、前記樹脂の中に形成されたボイドを押し潰し、更に、前記樹脂と前記回路基板との密着性を向上させることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記半導体チップを加圧する際に用いる加圧治具と半導体チップとの間にシート状部材を挟んだ後に前記半導体チップ及び前記樹脂を加圧することを特徴とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記シート状部材の少なくとも前記樹脂と接触する面が前記樹脂が付着しないような材料から成ることを特徴とする、請求項2に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記樹脂は異方導電性樹脂であることを特徴とする、請求項1〜請求項3のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
- 前記樹脂が付着しないような材料としてフッ素系樹脂を用いることを特徴とする、請求項3に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記樹脂が硬化しきらない温度で前記半導体チップと前記回路基板との仮の接合をするステップと、
前記ボンディング用加圧治具にて加熱・加圧を行ない前記樹脂を完全硬化させるステップとを含むことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体装置の製造方法。 - 請求項1〜請求項6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において前記半導体チップ及び前記半導体チップを加圧することによって前記半導体チップの外周より外側に流れ出た前記樹脂を加圧し、前記樹脂の中に形成されたボイドを押し潰し、更に、前記樹脂と前記回路基板との密着性を向上させる際に用いるボンディング用加圧治具であって、前記半導体チップとの接触面に、開口部が該半導体チップの外形と略同一形状で、且つ、深さが接続後の前記回路基板の上面から前記半導体チップの上面までの高さよりも低く、且つ、加圧時に半導体チップと直接又は前記シート部材を介して嵌合する凹部を有することを特徴とするボンディング用加圧治具。
- 前記凹部の深さが、前記半導体チップの外周より外側に流れ出た前記樹脂と前記半導体チップとを同時に加圧できる深さであることを特徴とする請求項7に記載のボンディング用加圧治具。
- 少なくとも前記樹脂との接触面が、該樹脂が付着しないような材質から成ることを特徴とする、請求項7または8に記載のボンディング用加圧治具。
- 請求項1〜請求項6のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において前記半導体チップ及び前記半導体チップを加圧することによって前記半導体チップの外周より外側に流れ 出た前記樹脂を加圧し、前記樹脂の中に形成されたボイドを押し潰し、更に、前記樹脂と前記回路基板との密着性を向上させる際に用いるボンディング用加圧治具であって、開口部が半導体チップの外形と略同一形状で、且つ、高さが接続後の前記回路基板の上面から前記半導体チップの上面までの高さよりも低く、且つ、加圧時に半導体チップと直接又は前記シート部材を介して嵌合する枠部と、前記半導体チップと前記枠部とを加圧する加圧部とから成ることを特徴とするボンディング用加圧治具。
- 前記枠部の高さが、前記半導体チップの外周より外側に流れ出た前記樹脂と前記半導体チップとを同時に加圧できる高さであることを特徴とする請求項10に記載のボンディング用加圧治具。
- 前記枠部が前記樹脂との接着力を有する材質から成ることを特徴とする、請求項10または11に記載のボンディング用加圧治具。
- 前記枠部が該樹脂が付着しないような材質から成ることを特徴とする、請求項10または11に記載のボンディング用加圧治具。
- 前記樹脂が付着しないような材質としてフッ素系樹脂を用いることを特徴とする、請求項9または請求項13に記載のボンディング用加圧治具。
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