JP3264218B2

JP3264218B2 - 電子写真感光体

Info

Publication number: JP3264218B2
Application number: JP19023697A
Authority: JP
Inventors: 渉山田; 克己額田; 真宏岩崎
Original assignee: Fuji Xerox Co Ltd; Fujifilm Business Innovation Corp
Current assignee: Fujifilm Business Innovation Corp
Priority date: 1996-07-17
Filing date: 1997-07-15
Publication date: 2002-03-11
Anticipated expiration: 2017-07-15
Also published as: JPH1138656A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、新規な化合物を用
いた電子写真感光体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】電子写真感光体の電荷輸送層を形成する
材料としては、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）等の
ように、電荷輸送成分を主鎖に含む電荷輸送性ポリマー
と、トリアリールアミン等のような電荷輸送性の低分子
化合物をバインダーポリマー中に分散させた低分子分散
系のものとがよく知られている。このうち、低分子分散
系のものが、材料の多様性があり、高機能のものが得ら
れやすいことから、電子写真感光体では主流になってい
る。

【０００３】電子写真感光体に関しては、近年、有機感
光体の高性能化に伴い、これが高速の複写機やプリンタ
ーにも使用されるようになってきたが、有機感光体を高
速の複写機やプリンターに用いる場合、必ずしも現在の
性能では十分でなく、特にさらなる長寿命化が切望され
ている。この有機感光体の寿命を決定する重要な因子の
一つが表面層の磨耗である。現在の有機感光体では、電
荷発生層の上に電荷輸送層を積層したいわゆる積層型の
ものが主流となっており、電荷輸送層が表面層となる場
合が多い。そして、現在の主流である低分子分散系電荷
輸送層では、電気的な特性に関しては十分に満足できる
性能のものが得られつつあるが、低分子化合物がバイン
ダーポリマー中に分散されるため、バインダーポリマー
本来の機械的な性能が低下してしまい、磨耗に関しては
本質的に弱いという欠点があった。

【０００４】上記の欠点を改善するため、現在までに多
くの方法が試みられており、その一つとして、電荷輸送
材料のポリマー化についての研究が盛んにされている。
例えば、米国特許第４，８０６，４４３号明細書に
は、特定のジヒドロキシアリールアミンとビスクロロホ
ルメートとの重合によるポリカーボネートが開示されて
おり、米国特許第４，８０６，４４４号明細書には特
定のジヒドロキシアリールアミンとホスゲンとの重合に
よるポリカーボネートが開示されている。また、米国特
許第４，８０１，５１７号明細書にはビスヒドロキシア
ルキルアリールアミンとビスクロロホルメート又はホス
ゲンとの重合によるポリカーボネートが開示されてお
り、米国特許第４，９３７，１６５号明細書及び米国特
許第４，９５９，２８８号明細書には、特定のジヒドロ
キシアリールアミン若しくはビスヒドロキシアルキルア
リールアミンとビスクロロホルメートとの重合によるポ
リカーボネート、又は、特定のジヒドロキシアリールア
ミン若しくはビスヒドロキシアルキルアリールアミンと
ビスアシルハライドとの重合によるポリエステルが開示
されている。さらに、米国特許第５，０３４，２９６号
明細書には、特定のフルオレン骨格を有するアリールア
ミンのポリカーボネート又はポリエステルが開示され、
また、米国特許第４，９８３，４８２号明細書には、ポ
リウレタンが開示されている。さらにまた、特公昭５９
ー２８９０３号公報には、特定のビススチリルビスアリ
ールアミンを主鎖としたポリエステルが開示されてい
る。また、特開昭６１ー２０９５３号公報、特開平１ー
１３４４５６号公報、特開平１ー１３４４５７号公報、
特開平１ー１３４４６２号公報、特開平４ー１３３０６
５号公報及び特開平４ー１３３０６６号公報等には、ヒ
ドラゾンや、トリアリールアミン等の電荷輸送性の置換
基をペンダントとしたポリマー及びそれを用いた電子写
真感光体も提案されている。しかし、上記の高分子電荷
輸送材料は感度、残留電位等の点で十分でなく、電子写
真感光体としての耐久性も十分でない。

【０００５】また、低分子電荷輸送材をバインダーポリ
マー又はポリマー前駆体中に分散し、その後バインダー
ポリマー又はポリマー前駆体を反応硬化させる方法が提
案されている。例えば、特開昭５６−４８６３７号公報
及び特公昭５６−４２８６３号公報にはアクリル系ポリ
マーを用いる例が、特公平５−４７１０４号公報、特公
昭６０−２２３４７号公報及び特公平７−１２００５１
号公報にはシリコン系ポリマー又はポリマー前駆体を用
いる例がそれぞれ示されている。しかし、電子写真感光
体としての十分な特性を得るためには、低分子電荷輸送
材料の濃度を３０〜５０％と高くする必要があるため、
バインダーの硬化反応が十分に進まず、バインダーポリ
マー間から低分子電荷輸送材が抜け出し、磨耗してしま
うため、問題の解決には至っていない。

【０００６】また、電子写真感光体表面の潤滑性を高め
るために、特開昭５７−５０５０号公報、特開昭６１−
２１９０４９号公報及び特開昭６２−２０５３５７号公
報には、シリコーン含有ポリマーを添加する例が、特開
昭５０−２３２３１号公報、特開昭６１−１１６３６２
号公報、特開昭６１−２０４６３３号公報及び特開昭６
１−２７０７６８号公報には、フッソ含有ポリマーを添
加する例が、特開昭６３−６５４４９号公報には、シリ
コーンポリマー微粒子を添加する例が、特開平２−１４
４５５０号公報にはフッソポリマー微粒子を添加する例
がそれぞれ提案されているが、いずれも電荷輸送材料又
はバインダーポリマーとの相溶性が悪く、感光層中で層
分離を起こし、不透明な膜になり電気特性を悪化させて
しまう。

【０００７】また、感光層に強固な樹脂の微粒子を添加
するような方法が提案されている。例えば、特開昭６０
−１７７３４９号公報には、メラミン樹脂微粒子を添加
する例が示されているが、この方法も電荷輸送材又はバ
インダーポリマーとの相溶性が悪く、感光層中で層分離
を起こし、不透明な膜になり電気特性を悪化させてしま
う。

【０００８】また、電子写真感光体表面を保護するため
に、特開昭５６−３８０５５号公報及び特開昭６０−５
５３５５号公報にはイミド系のポリマーを、特開昭５９
−１８５３４７号公報及び特開昭６１−２１７０５２号
公報にはメラミン系のポリマーを、特開昭５９−４６６
５２号公報にはアクリル、メラミン系のポリマーを、
「ＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆＩＳ＆Ｔ’ｓＥｌ
ｅｖｅｎｔｈＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｇ
ｒｅｓｓｏｎＡｄｖａｎｃｅｓｉｎＮｏｎ−Ｉ
ｍｐａｃｔＰｒｉｎｔｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉ
ｅｓ」の５７〜５９頁及び特開平８−１５８８６号公報
にはゾルゲル法によるシロキサン系のポリマーを、さら
に、特開平７−３３３８８１号公報にはプラズマＣＶＤ
による無機質薄膜を表面保護層に用いた方法が提案され
ている。しかし、上記の表面保護層の多くは、残留電位
を上昇させる等の欠点がある。「Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
ｓｏｆＩＳ＆Ｔ’ｓＥｌｅｖｅｎｔｈＩｎｔｅｒ
ｎａｔｉｏｎａｌＣｏｎｇｒｅｓｓｏｎＡｄｖａ
ｎｃｅｓｉｎＮｏｎ−ＩｍｐａｃｔＰｒｉｎｔｉ
ｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ」の５７〜５９頁に記
載のゾルゲル法を用いた方法は、残留電位、強度等で有
利であることが示されているが、使用した化合物の具体
的な構造については全く示されていない。

【０００９】更に、同様なゾル−ゲル法を用いる方法と
して、上記のゾルゲル法の材料の一つに電荷輸送能を持
たせる方法が特開平３−１９１３５８号公報に提案され
ている。ここで開示されている化合物はウレタン結合を
用いるもののみであり、この化合物を用いると確かに電
荷輸送層としての強度は増すが、水素結合を形成しやす
く、大気中の水分を吸着しやすいヘテロ原子に直接結合
した水素原子有するため、放電生成物や湿気の影響を受
けやすく、多数回の繰り返し使用や高温高湿下での使用
において画像流れを起こしやすく長期に渡って安定な画
像を得ることは難しい。また、近年になりトリフェニル
アミン骨格に炭素−炭素の重合性２重結合を持つ電荷移
動性単量体を単独、若しくはバンダーポリマーに添加し
て、光又は熱によって重合させることにより強固な膜を
形成させる方法が特開平７−７２６４０号公報に提案さ
れているが、重合部位が一つしかないため、架橋密度が
上がらず、電子写真感光体としての十分な耐久性は得ら
れていない。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、溶解
性、成膜性、相溶性に優れた化合物を用い、強固な膜を
形成させ、機械的強度の向上した、高感度で環境安定性
に優れた電子写真感光体を提供することにある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記の課
題に対し鋭意検討した結果、複数の層で形成された電子
写真感光体において、前記複数の層の少なくとも１層が
特定のシラン化合物を含有することにより、溶解性、成
膜性に優れた電子写真感光体を提供することが可能であ
ることを見いだし、特にヘテロ原子に直接結合した水素
原子を持たないシラン化合物を用いた場合に大気中の水
分を吸着しにくいため、放電生成物や湿度の影響を受け
にくく環境安定性の優れた電子写真感光体を提供するこ
とが可能であることを見いだし、本発明を完成するに至
った。

【００１２】即ち、本発明は、複数の層で形成された電
子写真感光体において、前記複数の層の少なくとも１層
が下記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも１種
以上含有することを特徴とする。

【００１３】

【化６】

【００１４】式中、Ａｒ₁〜Ａｒ₄はそれぞれ独立に下
記（Ａ群）より選択される置換又は未置換のアリール基
を示し、Ａｒ₅は下記（Ｂ群）より選択される置換若し
くは未置換のアリール基又はアリーレン基を示す。Ｘ
は、−Ｙ−ＳｉＲ_1(3-a)（ＯＲ₂）_aで示される置換基
を示し、ここで、Ｒ₁は水素、アルキル基、置換又は未
置換のアリール基を示し、Ｒ₂は水素、アルキル基、ト
リアルキルシリル基を示し、ａは１〜３の整数を示し、
Ｙは−（Ｃ _x' Ｈ _2x'-2 ）−、−（Ｃ _x" Ｈ _2x"-4 ）−、置
換又は未置換のアリーレン基、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｏ−及
び−ＣＯＯ−を少なくとも１種以上含有する２価の基を
示す。ｋは０又は１を示す。Ｘはｋが０のとき、Ａ
ｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₅のいずれか１〜３個に結合し、ｋ
が１のとき、Ａｒ₁〜Ａｒ ₄のいずれか１〜４個に結合
する。

【００１５】（Ａ群）

【化７】

【００１６】（Ｂ群）

【化８】

【００１７】ここで、Ｘは−Ｙ−ＳｉＲ _1(3-a) （Ｏ
Ｒ ₂ ） _a を示す。Ｒ ₁ は水素、炭素数１〜１０のアルキ
ル基、炭素数１〜４のアルキル基若しくは炭素数１〜４
のアルコキシ基で置換された置換又は未置換のアリール
基を示し、Ｒ ₂ は水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭
素数１〜４のアルキル基で置換されたトリアルキルシリ
ル基を示す。Ｙは−（Ｃ _x' Ｈ _2x'-2 ）−、−（Ｃ _x" Ｈ
_2x"-4 ）−、置換又は未置換のアリーレン基、−ＣＨ＝
Ｎ−、−Ｏ−及び−ＣＯＯ−を少なくとも１種以上含有
するもの、又は、−ＣＨ＝Ｎ−Ｙ’−、−ＣＨ＝ＣＨ−
Ｙ’−、−ＣＨ ₂ ＣＨ ₂ −Ｙ’−、で表されるものであ
り、ここでＹ’は−（Ｃ _x' Ｈ _2x'-2 ）−、−（Ｃ _x" Ｈ
_2x"-4 ）−、置換又は未置換のアリーレン基、−ＣＨ＝
Ｎ−、−Ｏ−及び−ＣＯＯ−を少なくとも１種以上含有
する２価の基を表す。但し、Ｙはヘテロ原子に直接結合
した水素原子を有する２価の基を含まない。また、ｘ’
及びｘ”はそれぞれ２から１５の整数である。

【００１８】また、Ａｒ、Ｚ、Ｚ’、Ｗはそれぞれ以下
に示す群より選択され、また、Ｒ ₄ は水素、炭素数１〜
４のアルキル基、炭素数１〜４のアルキル基若しくは炭
素数１〜４のアルコキシ基で置換された置換又は未置換
のフェニル基、炭素数７〜１０のアラルキル基から選択
される。さらに、Ｒ ₅ は水素、炭素数１〜４のアルキル
基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ハロゲン原子から選
択される。また、Ｒ ₆ は水素、炭素数１〜４のアルキル
基から選択される。ｍ及びｓはそれぞれ０又は１を示
し、ｔ及びａはそれぞれ１〜３の整数を示し、ｙ及びｚ
はそれぞれ１〜５の整数を示す。また、ｘ’及びｘ”は
それぞれ２〜１５の整数を示す。さらに、ｓ’は０〜３
の整数を示し、ｔ’は１又は２の整数を示し、ｑ及びｒ
はそれぞれ１〜１０の整数を示す。

【００１９】

【化９】

【００２０】また、本発明の電子写真感光体の別の態様
は、前記一般式（Ｉ）で表される化合物を少なくとも１
種以上含有する層に、さらに、フッ素含有シランカップ
リング剤等のフッ素含有化合物を含有することを特徴と
する。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳しく説明する。

【００２２】本発明のシラン化合物は前記一般式（Ｉ）
で表される。式中、Ａｒ₁〜Ａｒ₄はそれぞれ独立に置
換又は未置換のアリール基を示し、具体的には、以下の
ものが挙げられる。

【００２３】

【化１０】

【００２４】また、一般式（Ｉ）中、ｋは０又は１を示
し、Ａｒ₅は置換若しくは未置換のアリール基又はアリ
ーレン基を示し、具体的には、以下のものが挙げられ
る。

【００２５】

【化１１】

【００２６】ここで、Ｘは−Ｙ−ＳｉＲ_1(3-a)（Ｏ
Ｒ₂）_aを示す。Ｒ₁は水素、炭素数１〜１０のアルキ
ル基、炭素数１〜４のアルキル基若しくは炭素数１〜４
のアルコキシ基で置換された置換又は未置換のアリール
基を示し、Ｒ₂は水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭
素数１〜４のアルキル基で置換されたトリアルキルシリ
ル基を示す。Ｙは２価の基を示し、好ましくは、−（Ｃ
_x'Ｈ_2x'-2）−、−（Ｃ_x"Ｈ_2x"-4）−、置換又は未置
換のアリーレン基、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｏ−及び−ＣＯＯ
−を少なくとも１種以上含有するもの、又は、−ＣＨ＝
Ｎ−Ｙ’−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｙ’−、−ＣＨ₂ＣＨ₂−
Ｙ’−、で表されるものであり、ここでＹ’は−（Ｃ_x'
Ｈ_2x'-2）−、−（Ｃ_x"Ｈ_2x"-4）−、置換又は未置換
のアリーレン基、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｏ−及び−ＣＯＯ−
を少なくとも１種以上含有する２価の基を表す。但し、
Ｙはヘテロ原子に直接結合した水素原子を有する２価の
基、例えば、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨ−等を含まない。ま
た、ｘ’及びｘ”はそれぞれ２から１５の整数である。

【００２７】Ｙとして具体的には、以下のものが挙げら
れる。

【００２８】

【化１２】

【００２９】この中では、特に以下のものが好ましい。

【００３０】

【化１３】

【００３１】上記のＡｒ₁〜Ａｒ₅のうち１〜４個は、
Ｘ、即ち、−Ｙ−ＳｉＲ_1(3-a)（ＯＲ₂）_aで示される
置換基を有していることが必要であり、ここでｋが０の
とき、ＸはＡｒ₁、Ａｒ₂、Ａｒ₅のいずれか１〜３個
に結合し、ｋが１のときは、Ａｒ₁〜Ａｒ ₄のいずれか
１〜４個に結合する。

【００３２】また、Ａｒは以下の基から選択される。

【００３３】

【化１４】

【００３４】さらに、Ｚ’は以下のものから選択され
る。

【００３５】

【化１５】

【００３６】また、Ｚは以下のものから選択される。

【００３７】

【化１６】

【００３８】さらに、Ｗは以下の基から選択される。

【００３９】

【化１７】

【００４０】また、Ｒ₄は水素、炭素数１〜４のアルキ
ル基、炭素数１〜４のアルキル基若しくは炭素数１〜４
のアルコキシ基で置換された置換又は未置換のフェニル
基、炭素数７〜１０のアラルキル基から選択される。さ
らに、Ｒ₅は水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数
１〜４のアルコキシ基、ハロゲン原子から選択される。
また、Ｒ₆は水素、炭素数１〜４のアルキル基から選択
される。ｍ及びｓはそれぞれ０又は１を示し、ｔ及びａ
はそれぞれ１〜３の整数を示し、ｙ及びｚはそれぞれ１
〜５の整数を示す。また、ｘ’及びｘ”はそれぞれ２〜
１５の整数を示す。さらに、ｓ’は０〜３の整数を示
し、ｔ’は１又は２の整数を示し、ｑ及びｒはそれぞれ
１〜１０の整数を示す。

【００４１】また、Ａｒ₁〜Ａｒ₅のうち少なくとも１
つは２つ以上の共役した芳香族を有するものが光酸化に
対して安定であり好ましい。

【００４２】なお、Ａｒ₅は以下のものがより好まし
い。

【００４３】

【化１８】

【００４４】一般式（Ｉ）のシラン化合物の具体例を表
１〜１３に示す。下記表において、Ｘの付加位置はそれ
ぞれのＡｒ₁〜Ａｒ₅の欄に示し、そこに付加するＸの
具体例をＸの欄に示してある。

【００４５】

【表１】

【００４６】

【表２】

【００４７】

【表３】

【００４８】

【表４】

【００４９】

【表５】

【００５０】

【表６】

【００５１】

【表７】

【００５２】

【表８】

【００５３】

【表９】

【００５４】

【表１０】

【００５５】

【表１１】

【００５６】

【表１２】

【００５７】

【表１３】

【００５８】上記シラン化合物は、導電性基板上に電荷
発生層及び電荷輸送層が形成された電子写真感光体や、
導電性基板上に電荷発生層及び電荷輸送層が形成され、
さらに最表面に表面保護層が形成された電子写真感光体
への応用が可能である。例えば、上記一般式（Ｉ）で示
されたシラン化合物を電荷輸送材料として表面保護層に
含有する電子写真感光体を挙げることができる。また、
電荷輸送層及び表面保護層の少なくとも１層中に電荷輸
送材料として上記一般式（Ｉ）で示されるシラン化合物
を含み、且つ電荷発生層中に電荷発生材料としてフタロ
シアニン化合物結晶を含む電子写真感光体を好ましいも
のとしてあげることができる。さらに好ましいものとし
て、電荷輸送層中に電荷輸送材料としてヒドラゾン系化
合物やスチルベン系化合物等の公知の電荷輸送材料を含
み、電荷発生層中に電荷発生材料としてフタロシアニン
化合物結晶を含み、且つ表面保護層に上記一般式（Ｉ）
のシラン化合物を含む電子写真感光体を挙げることがで
きる。

【００５９】また、本発明に用いるフッ素含有化合物と
してはフッ素含有ポリマー、フッ素含有シラン化合物、
フッ素含有エーテルのような様々な物質を用いることが
できる。なかでも、フッ素含有エステルは表面潤滑性を
高めるとともに、塗布液の貯蔵安定性をも高めるために
好ましい。また、フッ素含有アミン、フッ素含有カルボ
ン酸等は一般式（Ｉ）で表される化合物どうし、あるい
は他のシラン化合物と化学結合を形成させる際の触媒と
なるため好ましい。また、フッ素含有アルコール、フッ
素含有オレフィン等は一般式（Ｉ）で表される化合物と
化学結合を形成しうるので更に好ましい。また、フッ素
含有シランカップリング剤は一般式（Ｉ）で表される化
合物とより強固な化学結合を形成しうるので特に好まし
い。

【００６０】以下に、それらのフッ素含有化合物の具体
例を挙げる。フッ素含有ポリマーとしては、ＰＴＦＥ
（４フッ化エチレン樹脂）、ＦＥＰ（４フッ化エチレン
−６フッ化エチレン共重合樹脂）、ＰＣＴＦＥ（３フッ
化塩化エチレン樹脂）、ＰＶＦ（フッ化ビニル樹脂）、
ＰＦＡ（４フッ化エチレン−パーフルオロアルキルビニ
ルエーテル共重合樹脂）、ＰＶｄＦ（フッ化ビニリデン
樹脂）、ＥＴＦＥ（４フッ化エチレン−エチレン共重合
樹脂）、ＥＣＴＦＥ（エチレン−３フッ化塩化エチレン
共重合樹脂）等を挙げることができる。

【００６１】フッ素含有シラン化合物としては、ビス
（ペンタフルオロフェニル）ジメチルシラン、ビス（ト
リデカフルオロ−１，１，２，２，−テトラヒドロオク
チル）テトラメチルジシロキサン、１，３−ビス（３，
３，３−トリフルオロプロピリ）テトラメチルジシラザ
ン、ジメチルジフルオロシラン、ジフェニルジフルオロ
シラン、メチルトリフルオロシラン、Ｎ−メチル−Ｎ−
トリメチルシリルトリフルオロアセトアミド等が挙げら
れる。

【００６２】フッ素含有エーテルとしては、２，２，２
−トリフルオロエチルメチルエーテル、２，２，２−ト
リフルオロエチルジフルオロメチルエーテル、１，１，
２，２−テトラフルオロエチルメチルエーテル、２，
２，３，３，３−ペンタフルオロプロピルメチルエーテ
ル、２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロピルジフ
ルオロメチルエーテル、１，１，２，２−テトラフルオ
ロエチルエーテル、１，１，２，２−テトラフルオロエ
チル２，２，２−トリフルオロエチルエーテル、２，
２，３，３−テトラフルオロプロピルジフルオロメチル
エーテル、ヘキサフルオロイソプロピルメチルエーテ
ル、ヘキサフルオロイソプロピルジフルオロメチルエー
テル、１，１，２，３，３，３−ヘキサフルオロプロピ
ルメチルエーテル、２，２，３，３，３−ペンタフルオ
ロプロピル１，１，２，２−テトラフルオロエチルエー
テル、１，１，３，３，３−ペンタフルオロ−２−トリ
フルオロメチルプロピルメチルエーテル、１，１，２，
３，３，３−ヘキサフルオロプロピルエチルエーテル、
２，２，３，４，４，４−ヘキサフルオロブチルジフル
オロメチルエーテル等を挙げることができる。

【００６３】フッ素含有エステルとしては、メチルパー
フルオロプロピオネート、エチルパーフルオロプロピオ
ネート、メチルパーフルオロブチレート、エチル−５−
ヒドロキシオクタフルオロヘプタン酸、エチルパーフル
オロオクタン酸、メチルパーフルオロオクタノエート、
エチルパーフルオロオクタノエート等を挙げることがで
きる。

【００６４】フッ素含有アミンとしては１，１−ジヒド
ロ−ヘプタフルオロブチルアミン、１，１−ジヒドロ−
ペンタデカフルオロブチルアミン等を挙げることができ
る。

【００６５】フッ素含有カルボン酸としてはトリフルオ
ロ酢酸、パーフルオロプロパン酸、パーフルオロブタン
酸、パーフルオロペンタン酸、パーフルオロヘキサン
酸、パーフルオロヘプタン酸、パーフルオロオクタン
酸、パーフルオロノナン酸、パーフルオロデカン酸、パ
ーフルオロウンデカン酸、パーフルオロウンデカン酸、
等を挙げることができる。

【００６６】フッ素含有アルコールとしては２，２，２
−トリフルオロエタノール、２−フルオロエタノール、
２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパノール、
１，１，３−トリヒドロテトラフルオロペンタノール、
２−ヒドロ−ヘキサフルオロ−２−プロパノール、１，
１，３−トリヒドロヘキサフルオロブタノール、１，
１，５−トリヒドロテトラフルオロペンタノール、２，
２−ビス（トリフルオロメチル）プロパノール、２−
（パーフルオロブチル）エタノール、２−パーフルオロ
プロポキシ−２，３，３，３−テトラフルオロプロパノ
ール、３−パーフルオロブチル−２−ヨードプロパノー
ル、２−（パーフルオロ−３−メチルブチル）エタノー
ル、１，１，７−トリヒドロドデカフルオロヘプタノー
ル、６−（パーフルオロエチル）ヘキサノール、１，１
−ジヒドロヘプタフルオロブタノール、２−（パーフル
オロヘキシル）エタノール、３−（パーフルオロヘキシ
ル）プロパノール、３−パーフルオロヘキシル−２−ヨ
ードプロパノール、６−（パーフルオロ−１−メチルエ
チル）ヘキサノール、２−（パーフルオロ−５−メチル
ヘキシル）エタノール、１，１，９トリヒドロヘキサデ
カフルオロノナノール、６−（パーフルオロブチル）ヘ
キサノール、２−（パーフルオロオクチル）エタノー
ル、３−（パーフルオロ−５−メチルヘキシル）−２−
ヨードプロパノール、３−（パーフルオロオクチル）プ
ロパノール、３−パーフルオロオクチル−２−ヨードプ
ロパノール、６−（パーフルオロ−３−メチルブチル）
ヘキサノール、２−（パーフルオロ−７−メチルオクチ
ル）エタノール、６−（パーフルオロヘキシル）ヘキサ
ノール、２−（パーフルオロデシル）エタノール、３−
（パーフルオロ−７−メチルオクチル）−２−ヨードプ
ロパノール、６−（パーフルオロ−５−メチルヘキシ
ル）ヘキサノール、２−（パーフルオロ−９−メチルデ
シル）エタノール、６−（パーフルオロオクチル）ヘキ
サノール、６−（パーフルオロ−７−メチルデシル）エ
タノール等を挙げることができる。

【００６７】フッ素含有オレフィンとしては１−メトキ
シ−（パーフルオロ−２−メチル−１−プロペン）、パ
ーフルオロブチルエチレン、パーフルオロヘキシルエチ
レン、１，４−ジビニルオクタフルオロブタン、パーフ
ルオロオクチルエチレン、１，６−ジビニルドデカエフ
ルオロヘキサン、パーフルオロデシルエチレン、１，８
−ジビニルヘキサデカエフルオロオクタン、パーフルオ
ロデシルエチレン等を挙げることができる。

【００６８】フッ素含有シランカップリング材として
は、３，３，４，４，５，５，６，６，６−ノナフルオ
ロヘキシルメチルジクロロシラン、３，３，４，４，
５，５，６，６，６−ノナフルオロヘキシルトリクロロ
シラン、ペンタフルオロプロピルトリクロロシラン、ペ
ンタフルオロプロピルトリメトキシシラン、（トリデカ
フルオロ−１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）ジ
メチルクロロシラン、（トリデカフルオロ−１，１，
２，２−テトラヒドロオクチル）メチルジクロロシラ
ン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラヒド
ロオクチル）トリクロロシラン、（トリデカフルオロ−
１，１，２，２−テトラヒドロオクチル）トリメトキシ
シラン、（トリデカフルオロ−１，１，２，２−テトラ
ヒドロオクチル）トリエトキシシラン、（３，３，３−
トリフルオロプロピル）ジメチルクロロシラン、（３，
３，３−トリフルオロプロピル）メチルジクロロシラ
ン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリクロロ
シラン、（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメ
トキシシラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，
２，−テトラヒドロデシル）ジメチルクロロシラン、
（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２，−テトラヒド
ロデシル）トリクロロシラン、（ヘプタデカフルオロ−
１，１，２，２，−テトラヒドロデシル）トリエトキシ
シラン、（ヘプタデカフルオロ−１，１，２，２，−テ
トラヒドロデシル）トリメトキシシラン、（３−ヘプタ
フルオロイソプロポキシ）プロピルトリクロロシラン、
（３−ヘプタフルオロイソプロポキシ）プロピルトリエ
トキシシラン、トリエトキシフルオロシラン、３−トリ
フルオロアセトキシプロピルトリメトキシシラン等が挙
げられる。

【００６９】電子写真感光体において本発明の上記一般
式（Ｉ）で示される化合物および、さらに、フッ素含有
化合物を用いることにより、強固かつ低表面エネルギー
の表面層を持つ耐久性の優れた電子写真感光体を作成す
ることが可能である。電荷発生材料や電荷輸送材料とし
ては公知のいかなる材料も用いることができる。中でも
電荷発生材料としてフタロシアニン化合物結晶を含み、
感光層中に、一般式（Ｉ）で表される化合物を単独ある
いはヒドラゾン系化合物やスチルベン系化合物等の公知
の電荷輸送材料と混合したものとフッ素含有化合物を含
む電子写真感光体が感度、安定性の点から好ましい。更
に、電荷発生材料として、フタロシアニン化合物結晶を
含み、感光層中に電荷輸送材料として、ヒドラゾン系化
合物やスチルベン系化合物等の公知の電荷輸送材料を用
いてポリカーボネートやポリエステルなどの公知のバイ
ンダーと共に電荷輸送層を形成し、更にこの電荷輸送層
上に一般式（Ｉ）で表される化合物とフッ素含有化合物
とを含有する保護層を形成した電子写真感光体を挙げる
ことができる。

【００７０】本発明における上記電子写真感光体におい
て、一般式（Ｉ）で示される化合物およびフッ素含有化
合物と組み合せて使用されるフタロシアニン結晶として
は、特開平５ー９８１８１号公報に開示されているハロ
ゲン化ガリウムフタロシアニン結晶、特開平５ー１４０
４７２号公報及び特開平５ー１４０４７３号公報に開示
されているハロゲン化スズフタロシアニン結晶、特開平
５ー２６３００７号公報及び特開平５ー２７９５９１号
公報に開示されているヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶、特開平４−１８９８７３号公報及び特開平５ー
４３８１３号公報に開示されているオキシチタニウムフ
タロシアニン水和物結晶を用いることができ、それによ
り、特に高感度で、繰り返し安定性の優れた電子写真感
光体を得ることができる。

【００７１】次に、電子写真感光体について説明する。
電子写真感光体は単層構成、電荷発生層と電荷輸送層と
からなる積層構成、更に、これらの上に表面保護層を設
けた構成などいかなる構成でもよい。一般式（Ｉ）で示
される化合物とフッソ含有化合物はこれらのいかなる層
に含まれていてもよいが、最表面層に含まれる場合が最
も効果的である。

【００７２】これらの電荷発生層と電荷輸送層等が形成
される基材となる導電性支持体としては、アルミニウ
ム、ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の金属類、およ
びアルミニウム、チタニウム、ニッケル、クロム、ステ
ンレス鋼、金、バナジウム、酸化錫、酸化インジウム、
ＩＴＯ等の薄膜を設けたプラスチックフィルム等、ある
いは導電性付与剤を塗布、または、含浸させた紙、およ
びプラスチックフィルム等があげられる。これらの導電
性支持体は、ドラム状、シート状、プレート状等、適宜
の形状のものとして使用されるが、これらに限定される
ものではない。さらに必要に応じて導電性支持体の表面
は、画質に影響のない範囲で各種の処理を行うことがで
きる。例えば、表面の酸化処理や薬品処理、及び、着色
処理等または、砂目立てなどの乱反射処理等を行うこと
ができる。また、導電性支持体と電荷発生層の間にさら
に下引層を設けてもよい。この下引層は積層構造からな
る感光層の帯電時において、導電性支持体から感光層へ
の電荷の注入を阻止するとともに、感光層を導電性支持
体に対して一体的に接着保持せしめる接着層としての作
用、あるいは場合によっては導電性支持体の光の反射防
止作用等を示す。

【００７３】この下引層に用いるバインダーポリマー
は、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリル
樹脂、メタクリル樹脂、ポリアミド樹脂、塩化ビニル樹
脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、塩化ビニ
リデン樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、塩化ビニル−
酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコール樹脂、水溶
性ポリエステル樹脂、ニトロセルロース、カゼイン、ゼ
ラチン、ポリグルタミン酸、澱粉、スターチアセテー
ト、アミノ澱粉、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミ
ド、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート
化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウ
ム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料を用い
ることができる。また、下引層の厚みは０．０１〜１０
μｍ、好ましくは０．０５〜２μｍが適当である。さら
に下引層を設ける際の塗布方法としては、ブレードコー
ティング法、ワイヤーバーコーティング法、スプレーコ
ーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティン
グ法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティ
ング法等の通常の方法を用いることができる。

【００７４】積層構成の場合、この下引き層のうえに電
荷発生層と電荷輸送層とが形成される。

【００７５】まず、電荷発生層について説明する。電荷
発生層は電荷発生材料が好適なバインダーポリマー（結
着樹脂）に分散されて形成されるが、電荷発生層に含ま
れる電荷発生材料としては、下記のフタロシアニン結
晶、ビスアゾ顔料、フタロシアニン顔料、スクアリリウ
ム顔料、ペリレン顔料、ジブロモアントアントロン等の
いかなる公知の電荷発生材料も使用することができる。
この中では、フタロシアニン結晶が好ましく用いられ
る。

【００７６】電荷発生材料として好適に用いられるフタ
ロシアニン結晶には、特開平５ー９８１８１号公報に開
示されているハロゲン化ガリウムフタロシアニン結晶、
特開平５ー１４０４７２号公報及び特開平５ー１４０４
７３号公報に開示されているハロゲン化スズフタロシア
ニン結晶、特開平５ー２６３００７号公報及び特開平５
ー２７９５９１号公報に開示されているヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶、特開平４−１８９８７３号公
報及び特開平５ー４３８１３号公報に開示されているオ
キシチタニウムフタロシアニン水和物結晶があり、これ
により、特に高感度で、繰り返し安定性に優れた電子写
真感光体を得ることができる。

【００７７】本発明に使用可能なハロゲン化ガリウムフ
タロシアニン結晶として、クロロガリウムフタロシアニ
ン結晶を挙げることができ、クロロガリウムフタロシア
ニン結晶は、特開平５ー９８１８１号公報に開示されて
いるように、公知の方法で製造されるクロロガリウムフ
タロシアニン結晶を、自動乳鉢、遊星ミル、振動ミル、
ＣＦミル、ローラーミル、サンドミル、ニーダー等で機
械的に乾式粉砕するか、乾式粉砕後、溶剤と共にボール
ミル、乳鉢、サンドミル、ニーダー等を用いて湿式粉砕
処理を行うことによって製造することができる。上記の
処理において使用可能な溶剤には、トルエン及びクロロ
ベンゼン等のような芳香族類；ジメチルホルムアミド及
びＮ−メチルピロリドン等のようなアミド類；メタノー
ル、エタノール及びブタノール等のような脂肪族アルコ
ール類；エチレングリコール、グリセリン及びポリエチ
レングリコール等のような脂肪族多価アルコール類；ベ
ンジルアルコール及びフェネチルアルコール等のような
芳香族アルコール類；酢酸エステル及び酢酸ブチル等の
ようなエステル類；アセトン及びメチルエチルケトン等
のようなケトン類；ジメチルスルホキシド；ジエチルエ
ーテル及びテトラヒドロフラン等のようなエーテル類；
これらの混合物；水とこれら有機溶剤との混合物が挙げ
られる。溶剤は、クロロガリウムフタロシアニン結晶１
重量部に対して、１〜２００重量部、好ましくは１０〜
１００重量部の範囲で用いる。また、処理温度は、０°
Ｃ〜溶剤の沸点以下、好ましくは１０〜６０°Ｃであ
る。さらに、粉砕の際に食塩、ぼう硝等の磨砕助剤を用
いることもできる。磨砕助剤はクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の重量の０．５〜２０倍、好ましくは１〜１
０倍で用いることができる。

【００７８】本発明に使用可能なハロゲン化スズフタロ
シアニン結晶として、ジクロロスズフタロシアニン結晶
を挙げることができ、ジクロロスズフタロシアニン結晶
は、特開平５ー１４０４７２号公報及び特開平５ー１４
０４７３号公報に開示されているように、公知の方法で
製造されるジクロロスズフタロシアニン結晶を、前記の
クロロガリウムフタロシアニンと同様に粉砕し、溶剤処
理することにより得ることができる。

【００７９】本発明に使用可能なヒドロキシガリウムフ
タロシアニン結晶は、特開平５ー２６３００７号公報及
び特開平５ー２７９５９１号公報に開示されているよう
に、公知の方法で製造されたクロロガリウムフタロシア
ニン結晶に、酸若しくはアルカリ性溶液中での加水分解
又はアシッドペースティングを行って、ヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶を合成し、次いで直接溶剤処理
を行うか、又は、合成によって得られたヒドロキシガリ
ウムフタロシアニン結晶を溶剤と共にボールミル、乳
鉢、サンドミル、ニーダー等を用いて湿式粉砕処理を行
うか、溶剤を用いずに乾式粉砕処理を行った後に溶剤処
理することによって製造することができる。上記の処理
において使用可能な溶剤としては、前記のクロロガリウ
ムフタロシアニン結晶の製造における湿式粉砕処理で使
用可能な溶剤を使用することができる。溶剤は、ヒドロ
キシガリウムフタロシアニン結晶１重量部に対して、１
〜２００重量部、好ましくは１０〜１００重量部の範囲
で用いる。また、処理温度は、０〜１５０°Ｃ、好まし
くは室温〜１００°Ｃである。さらに、粉砕の際に食
塩、ぼう硝等の磨砕助剤を用いることもできる。磨砕助
剤はヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の重量の
０．５〜２０倍、好ましくは１〜１０倍で用いることが
できる。

【００８０】本発明に使用可能なオキシチタニウムフタ
ロシアニン結晶は、特開平４−１８９８７３号公報及び
特開平５ー４３８１３号公報に開示されているように、
公知の方法で製造されるオキシチタニウムフタロシアニ
ン結晶を、アシッドペースティングするか、又は、ボー
ルミル、乳鉢、サンドミル、ニーダー等を用いて無機塩
と共にソルトミリングを行って、Ｘ線回折スペクトルに
おいて２７．２°にピークを持つ、比較的結晶性の低い
オキシチタニウムフタロシアニン結晶とした後、直接溶
剤処理を行うか、又は、溶剤と共に、ボールミル、乳
鉢、サンドミル、ニーダー等を用いて湿式粉砕処理を行
うことによって製造することができる。アシッドペース
ティングに使用可能な酸としては、硫酸が好ましく、濃
度７０〜１００％、好ましくは９５〜１００％のものが
使用され、溶解温度は、−２０〜１００°Ｃ、好ましく
は０〜６０°Ｃである。使用される濃硫酸の量は、オキ
シチタニウムフタロシアニン結晶の重量の１〜１００
倍、好ましくは３〜５０倍である。アシッドペーティン
グで使用可能な溶剤としては、水、又は、水と有機溶剤
との混合溶剤が任意の量で用いられ、水と、メタノー
ル、エタノール等のアルコール系溶剤との混合物、又
は、水と、ベンゼン、トルエン等の芳香族系溶剤との混
合溶剤が特に好ましい。析出させる温度については特に
制限はないが、発熱を防ぐために、氷等で冷却すること
が好ましい。また、オキシチタニウムフタロシアニン結
晶と無機塩との混合比（重量比）は、１／０．１〜１／
２０、好ましくは１／０．５〜１／５である。上記の溶
剤処理において使用される溶剤としては、トルエン及び
クロロベンゼン等のような芳香族類；メタノール、エタ
ノール及びブタノール等のような脂肪族アルコール類；
ジクロロメタン、クロロホルム及びトリクロロエタン等
のようなハロゲン系炭化水素類；これらの混合物；水と
これら有機溶剤との混合物等が挙げられる。溶剤処理に
おける溶剤は、オキシチタニウムフタロシアニン結晶の
重量の１〜１００倍、好ましくは５〜５０倍の範囲で用
いる。また、処理温度は、室温〜１００°Ｃ、好ましく
は５０〜１００°Ｃである。さらに、粉砕の際に食塩、
ぼう硝等の磨砕助剤を用いることもできる。磨砕助剤は
オキシチタニウムフタロシアニン結晶の重量の０．５〜
２０倍、好ましくは１〜１０倍で用いることができる。

【００８１】電荷発生層に用いるバインダーポリマーと
しては、広範な絶縁性樹脂から選択することができる。
また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアン
トラセン、ポリビニルピレン、ポリシランなどの有機光
導電性ポリマーから選択することもできる。好ましいバ
インダーポリマーとしては、ポリビニルブチラール樹
脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノールＡとフタル酸
の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル
樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミ
ド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウ
レタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアル
コール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等の絶縁性樹脂
を挙げることができるが、これらに限定されるものでは
ない。これらのバインダーポリマーは単独で用いても、
２種以上混合して用いてもよい。

【００８２】また、電荷発生材料とバインダーポリマー
との配合比（重量比）は、１０：１〜１：１０の範囲が
好ましい。また、バインダーポリマー中に電荷発生材料
を分散させる方法としては、ボールミル分散法、アトラ
イター分散法、サンドミル分散法等の通常の方法を用い
ることができる。

【００８３】さらに、この分散の際、粒子サイズを、
０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、さらに好
ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。ま
た、これらの分散に用いる溶剤としては、メタノール、
エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベン
ジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソル
ブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラ
ヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、ク
ロルベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤を単独又は
２種以上混合して用いることができる。

【００８４】なお、電荷発生層は電荷輸送層上に形成し
てもよいし、また、下引層と電荷輸送層との間に形成し
てもよい。

【００８５】電荷輸送層は一般式（Ｉ）で示されるシラ
ン化合物を単独で用いてもよく、さらに、フッ素含有化
合物を併用してもよい。また、シラン化合物及び所望に
より併用されるフッ素含有化合物とともにこれらと相溶
可能な材料を用いてもよく、例えば、公知のバインダー
ポリマ中に分散させて用いてもよい。また、それを硬化
させて用いてもよい。また、一般式（Ｉ）で示されるシ
ラン化合物（／フッ素含有化合物）と、ヒドラゾン系電
荷輸送材料、トリアリールアミン系電荷輸送材料又はス
チルベン系電荷輸送材料と、電荷輸送性ポリマーとを混
合して用いてもよく、さらにそれを硬化させて用いても
よい。

【００８６】また、一般式（Ｉ）で示されるシラン化合
物の代わりに、ヒドラゾン系電荷輸送材料、トリアリー
ルアミン系電荷輸送材料又はスチルベン系電荷輸送材料
と、電荷輸送性ポリマーとを混合して用いてもよく、さ
らにそれを硬化させて用いてもよい。

【００８７】電荷輸送層に使用されるバインダーポリマ
ーとしては、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹
脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹
脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ
ビニルアセテート樹脂、スチレン−ブタジエン共重合
体、塩化ビニリデン−アクリロニトリル共重合体、塩化
ビニル−酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル
−無水マレイン酸共重合体、シリコン樹脂、シリコン−
アルキッド樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、
スチレン−アルキッド樹脂等の絶縁性樹脂、ポリ−Ｎ−
ビニルカルバゾール、ポリシラン等の導電性樹脂を用い
ることができるがこれらに限定されるものではない。こ
れらのバインダーポリマーのうち、相溶性、成膜性等の
点から、下記構造式（ＩＩ）〜（ＶＩ）で示されるポリ
カーボネート樹脂、又はそれらを共重合させたポリカー
ボネート樹脂がより好ましい。

【００８８】

【化１９】

【００８９】上記構造式中、ｎは重合度を表し、具体的
には５０〜３０００の整数を示す。一般式（Ｉ）で表さ
れるシラン化合物と他の電荷輸送材料を混合させて用い
る場合の配合比（重量比）は１００／１〜１／１０
０、好ましくは９０／１０〜１０／９０、さらに好まし
くは６０／４０〜４０／６０である。さらに、これらを
バインダーポリマーと混合させる場合には、一般式
（Ｉ）で表されるシラン化合物及び他の電荷輸送材料の
和と結着樹脂との配合比（重量比）は１００／１〜１／
１００、好ましくは８０／２０〜５０／５０である。

【００９０】また、電荷輸送材料やバインダーポリマー
以外にもシラン化合物やフッ素含有化合物と相溶可能な
添加剤を添加してもよい。

【００９１】硬化反応を行う場合には、無触媒で行って
も、適切な触媒を用いてもよい。硬化反応で用いられる
触媒としては以下のようなものが挙げられる。塩酸、硫
酸、蟻酸、酢酸、トリフルオロ酢酸、等の酸触媒、アン
モニア、トリエチルアミン等の塩基、ジブチル錫ジアセ
テート、ジブチル錫ジオクトエート、オクエ酸第一錫等
の有機錫化合物、テトラ−ｎ−ブチルチタネート、テト
ライソプロピルチタネート等の有機チタン化合物、有機
カルボン酸の鉄塩、マンガン塩、コバルト塩、亜鉛塩、
ジルコニウム塩等が挙げられる。

【００９２】更に、本発明に用いられる化合物の中で骨
格中に炭素−炭素不飽和結合を持つものの硬化反応につ
いては、触媒としてＨ₂ＰｔＣｌ₆・６Ｈ₂Ｏ、ＲｈＣ
ｌ（ＰＰｈ₃）₃、ＩｒＣｌ（ＣＯ）（ＰＰｈ₃）₂、
Ｃｏ₂（ＣＯ）₈、Ｐｔ（Ｃ₂Ｈ₄）（ＰＰｈ₃）₂、
［Ｐｔ（Ｃ₂Ｈ₄）Ｃｌ₂］₂等の公知のヒドロシリル
化触媒を単独、あるいは前記の触媒と混合して用いるこ
ともできる。また、硬化反応の際の温度、湿度は特に
制限はないが、室温〜１５０°Ｃ、４０〜１００％に設
定することが望ましい。

【００９３】この電荷輸送層を設ける際の塗布方法とし
ては、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティ
ング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング
法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング
法、カーテンコーティング法等の通常の方法を用いるこ
とができる。

【００９４】また、電荷輸送層の厚さは５〜５０μｍ、
好ましくは１０〜３０μｍである。また通常の電荷輸送
材料とバインダーからなる電荷輸送層上に更に保護層を
形成する場合には、本発明の一般式（Ｉ）で表される化
合物およびフッソ含有化合物を硬化させて用いることが
できる。この際の電荷輸送層としては電荷輸送材料とバ
インダーを重量比で１０／９０〜７０／３０、好ましく
は２０／８０〜６０／４０で形成する。また、保護層に
は必要に応じ、アルミニウム系カップリング材、シラン
系カップリング材、チタネート系カップリング材等のカ
ップリング材、あるいはコロイダルシリカなどの微粒子
あるいは前記の電荷輸送層や、電荷発生層に用いたよう
な一般的な結着樹脂、市販のハードコート材を混合して
もよい。本発明の一般式（Ｉ）で表される化合物および
フッソ含有化合物と他の材料を混合させて用いる際には
その比率は重量比で１００／１〜１／１００好ましく
は、９０／１０〜１０／９０更に好ましくは、７０／３
０〜２０／８０で用いられる。

【００９５】また、表面保護層で使用可能なカップリン
グ剤としてはアセトキシアルミニウムジイソプロピレー
ト、アセトエトキシアルミニウムジイソプロピレート、
アセトプロポキシアルミニウムジイソプロピレート等の
アルミニウム系カップリング材やチタンｎ−ブトキサイ
ド、チタンエトキサイド等のチタネート系カップリング
材やビニルトリクロロシラン、ビニルトリメトキシシラ
ン、ビニルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロ
ピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピ
ルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリ
エトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラ
ン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミ
ノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエ
チル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、テトラ
メトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、ジメチル
ジメトキシシラン等のシラン系カップリング材等の各種
カップリング材を用いることができる。また、市販のハ
ードコート材としては、ＫＰ−８５（信越シリコーン社
製）、ＣＲ−３９（信越シリコーン社製）、Ｘ−１２−
２２０８（信越シリコーン社製）、Ｘ−４０−９７４０
（信越シリコーン社製）、Ｘ−４１−１００７（信越シ
リコーン社製）、ＫＮＳ−５３００（信越シリコーン社
製）、Ｘ−４０−２２３９（信越シリコーン社製）、Ａ
Ｙ４２−４４０（東レダウコーニングシリコーン社
製）、ＡＹ４２−４４１（東レダウコーニングシリコー
ン社製）、ＡＹ４９−２０８（東レダウコーニングシリ
コーン社製）等のハードコート材を用いることができ
る。

【００９６】保護層の形成に使用する溶剤としては保護
層を形成する材料を溶解しかつ、下層の電荷輸送層を犯
さない溶剤が好ましく、例えばエタノール、ブタノール
シクロヘキサノール等のアルコール類、ジエチルエーテ
ル、ジブチルエーテル等のエーテル類、キシレン、ｐ−
シメン等の芳香族系溶剤、メチルセルソルブ、エチルセ
ルソルブ等のセルソルブ類が挙げられ、中でも特にジブ
チルエーテルが強固で均一な膜が得られるため好まし
い。

【００９７】保護層の硬化反応は前記電荷輸送層を硬化
する場合と同様に行うことができる。

【００９８】また、保護層の厚さは０．１〜１０μｍ、
好ましくは０．５〜７μｍ、更に好ましくは１〜５μｍ
で用いられる。この保護層を設ける際の塗布方法として
は、ブレードコーティング法、マイヤーバーコーティン
グ法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、
ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、
カーテンコーティング法等の通常の方法を用いることが
できる。

【００９９】電子写真感光体が単層構成の場合には、一
般式（Ｉ）で表される化合物、フッ素含有化合物および
電荷発生材を所望の比率で混合して用いる。必要により
前記の公知の電荷輸送材、公知のバインダー、カップリ
ング剤、酸化防止剤、硬化触媒等を混合し、用いること
ができるが、添加する材料も一般式（Ｉ）で表される化
合物およびフッ素化合物と結合可能な物が好ましく、特
に−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−結合を形成する物が強固な膜が得ら
れ、好ましい。

【０１００】一般式（Ｉ）で表される化合物：フッ素含
有化合物の比率は９９：１〜４０：６０で用いられ、好
ましくは９５：５〜５０：５０さらに好ましくは９０：
１０〜４０：６０で用いられる。更に他の材料を混合す
る場合には一般式（Ｉ）で表される化合物およびフッ素
含有化合物および電荷発生材料：他の材料の比率は９
９：１〜４０：６０で用いられ、好ましくは９５：５〜
４５：５５、さらに好ましくは９０：１０〜５０：５０
で用いられる。

【０１０１】膜の厚さは５〜５０μｍ、好ましくは１０
〜４０μｍが適当である。更に、この単層の電子写真感
光体の塗布方法としては、ブレードコーティング法、マ
イヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、
浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナ
イフコーティング法、カーテンコーティング法等の通常
の方法を用いることができる。塗布に使用する溶剤とし
ては、テトラヒドロフラン、クロロベンゼン、トルエ
ン、塩化メチレン、クロロホルム、シクロヘキサノン等
の通常の溶剤を単独あるいは２種以上混合して用いるこ
とができる。

【０１０２】更に、上記の層を加熱、調湿等の手段によ
り硬化させることも可能である。この際、用いるフッソ
含有化合物としてはフッソ含有シラン化合物、フッソ含
有アルコール、フッソ含有オレフィン等が好ましく、特
にフッソ含有シラン化合物が好ましい。また、バインダ
ーとしては化学反応により−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−結合を形成
できる物が特に好ましい。

【０１０３】

【実施例】以下、実施例によって本発明を詳細に説明す
る。

【０１０４】（合成例１） −シラン化合物（１）の合成− 窒素置換した二口フラスコに３−ヨードプロピルトリメ
トキシシラン２５ｇを入れ、トルエン２００ｍｌに溶解
させた。次いで、トリフェニルホスフィン２７ｇを加え
た。その後、撹拌しながら、７時間加熱還流した後析出
した結晶をトルエンでよく洗い減圧下溶媒を除去し、白
色結晶のホスホニウム塩３６．５グラムを得た。得られ
たホスホニウム塩の融点は１０２．０〜１０２．５°Ｃ
であった。

【０１０５】窒素置換した二口フラスコにホスホニウム
塩１５ｇを入れ、無水ジメチルホルムアミド３００ｍｌ
に溶解させた。次いで、反応系を−５°Ｃに冷却し、水
素化ナトリウム１．０５ｇを加え、１５分撹拌した。そ
の後、撹拌しながら、Ｎ−（４−ホルミルフェニル）−
Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−４−ア
ミン５．１ｇを加え、徐々に室温まで温度を上げ、２時
間撹拌した。反応終了後、メタノール１０ｍｌを加え、
さらに反応混合物を３リットルの氷水中に注ぎトルエン
で抽出し減圧下溶媒を除去した後、シリカゲルでカラム
精製（溶剤：トルエン）し、淡黄色の油状のシラン化合
物（１）６ｇを得た。得られたシラン化合物のＩＲ吸収
スペクトルを図１に示す。

【０１０６】（合成例２） −シラン化合物（１２）の合成− 窒素置換した二口フラスコに実施例１で合成したホスホ
ニウム塩１５．９ｇを入れ、無水ジメチルホルムアミド
３００ｍｌに溶解させた。次いで、反応系を−５°Ｃに
冷却し、水素化ナトリウム１．５ｇを加え、１５分撹拌
した。その後、撹拌しながら、３，３’−ジメチル−
Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−
ビス（３，４−ジメチルフェニル）−１，１’−ビフェ
ニル−４，４’−ジアミン６．０ｇを加え、徐々に室温
まで温度を上げ、２時間撹拌した。反応終了後、メタノ
ール３０ｍｌを加え、さらに反応混合物を３リットルの
氷水中に注ぎトルエンで抽出し減圧下溶媒を除去した
後、シリカゲルでカラム精製（溶剤：トルエン）し、淡
黄色の油状のシラン化合物（１２）６．９ｇを得た。得
られたシラン化合物のＩＲ吸収スペクトルを図２に示
す。

【０１０７】（合成例３） −シラン化合物（４）の合成− 窒素置換した二口フラスコにＮ−（４−ホルミルフェニ
ル）−Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−
４−アミン１０ｇを入れ、トルエン１００ｍｌに溶解さ
せた。次いで、モレキュラーシーブ４Ａ１ｇとパラトル
エンスルホン酸０．５ｇを加えた。その後撹拌しなが
ら、３−アミノプロピルトリメトキシシラン１３ｇを１
０分かけて滴下し、室温で５時間撹拌した後、２００ｍ
ｌの水に注ぎトルエンで抽出し、有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥させ減圧下溶媒を留去し、淡黄色の油状
のシラン化合物（４）１３．２ｇを得た。得られたシラ
ン化合物のＩＲ吸収スペクトルを図３に示す。

【０１０８】（合成例４） −シラン化合物（５）の合成− 窒素置換した二口フラスコにＮ−（４−ホルミルフェニ
ル）−Ｎ−（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル−
４−アミン１０ｇを入れ、トルエン１００ｍｌに溶解さ
せた。次いで、モレキュラーシーブ４Ａ１ｇとパラトル
エンスルホン酸０．５ｇを加えた。その後撹拌しなが
ら、３−アミノプロピルトリエトキシシラン１３ｇを１
０分かけて滴下し、室温で５時間撹拌した後、２００ｍ
ｌの水に注ぎトルエンで抽出し、有機層を無水硫酸マグ
ネシウムで乾燥させ減圧下溶媒を留去し、淡黄色の油状
のシラン化合物（５）１３ｇを得た。得られたシラン化
合物のＩＲ吸収スペクトルを図４に示す。

【０１０９】（合成例５） −シラン化合物（１５）の合成− 窒素置換した二口フラスコに３，３’−ジメチル−Ｎ，
Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス
（３，４−ジメチルフェニル）−１，１’−ビフェニル
−４，４’−ジアミン１０ｇを入れ、トルエン１００ｍ
ｌに溶解させた。次いで、モレキュラーシーブ４Ａ１ｇ
とパラトルエンスルホン酸１ｇを加えた。その後撹拌し
ながら、３−アミノプロピルトリメトキシシラン１２ｇ
を１０分かけて滴下し、室温で５時間撹拌した後、２０
０ｍｌの水に注ぎトルエンで抽出し、有機層を無水硫酸
マグネシウムで乾燥させ減圧下溶媒を留去し、淡黄色の
油状のシラン化合物（１５）１１ｇを得た。得られたシ
ラン化合物のＩＲ吸収スペクトルを図５に示す。

【０１１０】（合成例６） −シラン化合物（１６）の合成− 窒素置換した二口フラスコに３，３’−ジメチル−Ｎ，
Ｎ’−ビス（４−ホルミルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス
（３，４−ジメチルフェニル）−１，１’−ビフェニル
−４，４’−ジアミン１０ｇを入れ、トルエン１００ｍ
ｌに溶解させた。次いで、モレキュラーシーブ４Ａ１ｇ
とパラトルエンスルホン酸１ｇを加えた。その後撹拌し
ながら、３−アミノプロピルトリエトキシシラン１５ｇ
を１０分かけて滴下し、室温で５時間撹拌した後、２０
０ｍｌの水に注ぎトルエンで抽出し、有機層を無水硫酸
マグネシウムで乾燥させ減圧下溶媒を留去し、淡黄色の
油状のシラン化合物（１６）１２ｇを得た。得られたシ
ラン化合物のＩＲ吸収スペクトルを図６に示す。

【０１１１】（合成例７） −シラン化合物（６）の合成− ナス型フラスコに合成例１で製造したシラン化合物
（１）６ｇを入れ、テトラヒドロフラン２０ｍｌとエタ
ノール２０ｍｌとの混合物に溶解させた。次いで、５％
Ｐｄ−Ｃ０．１ｇを加え、乾燥水素で置換し、フラスコ
の口を乾燥水素供給源に接続した状態で、１５時間室温
で反応させた。反応終了後、Ｐｄ−Ｃをろ過し、減圧下
溶媒を除去した後、シリカゲルでカラム精製（溶剤：ト
ルエン）し、淡黄色の油状のシラン化合物（６）４．２
ｇを得た。得られたシラン化合物のＩＲ吸収スペクトル
を図７に示す。

【０１１２】（合成例８） −シラン化合物（１７）の合成− ナス型フラスコに合成例２で製造したシラン化合物（１
２）６．３ｇを入れ、テトラヒドロフラン２０ｍｌとエ
タノール２０ｍｌとの混合物に溶解させた。次いで、５
％Ｐｄ−Ｃ０．２ｇを加え、乾燥水素で置換し、フラス
コの口を乾燥水素供給源に接続した状態で、１５時間室
温で反応させた。反応終了後、Ｐｄ−Ｃをろ過し、減圧
下溶媒を除去した後、シリカゲルでカラム精製（溶剤：
ヘキサン／酢酸エチル＝１／１）し、淡黄色の油状のシ
ラン化合物（１７）５．９ｇを得た。得られたシラン化
合物のＩＲ吸収スペクトルを図８に示す。

【０１１３】（合成例９） −クロロガリウムフタロシアニン結晶の合成ー１，３−ジイミノイソインドリン３０重量部、３塩化ガ
リウム９．１重量部をキノリン２３０重量部中に入れ、
２００°Ｃにおいて３時間反応させた後、生成物（湿ケ
ーキ）をろ別し、アセトン、メタノールで洗浄し、次い
で、湿ケーキを乾燥した後、クロロガリウムフタロシア
ニン結晶２８重量部を得た。得られたクロロガリウムフ
タロシアニン結晶３重量部を、自動乳鉢（Ｌａｂ−Ｍｉ
ｌｌＵＴ−２１型、ヤマト科学社製）で３時間乾式粉
砕し、その０．５重量部を、ガラスビーズ（１ｍｍφ）
６０重量部と共に室温下、ベンジルアルコール２０重量
部中で２４時間ミリング処理した後、ガラスビーズをろ
別し、メタノール１０重量部で洗浄し、乾燥して、粉末
Ｘ線回折スペクトルで２θ±０．２°＝７．４°、１
６．６°、２５．５°及び２８．３°に強い回折ピーク
を持つクロロガリウムフタロシアニン結晶（ＣＧ−１）
を得た。

【０１１４】（合成例１０） −ジクロロスズフタロシアニン結晶の合成ーフタロニトリル５０ｇ及び無水塩化第２スズ２７ｇを、
１−クロルナフタレン３５０ｍｌ中に加え、１９５°Ｃ
において５時間反応させた後、生成物をろ別し、１−ク
ロルナフタレン、アセトン、メタノール、次いで水で洗
浄した後、減圧乾燥して、ジクロロスズフタロシアニン
結晶１８．３ｇを得た。得られたジクロロスズフタロシ
アニン結晶５ｇを、食塩１０ｇ、メノウボール（２０ｍ
ｍφ）５００ｇと共にメノウ製ポットに入れ、遊星型ボ
ールミル（Ｐ−５型、フリッチュ社製）にて４００ｒｐ
ｍで１０時間粉砕した後、十分に水洗し、乾燥した。そ
の０．５ｇを、テトラヒドロフラン１５ｇ、ガラスビー
ズ（１ｍｍφ）３０ｇと共に室温下２４時間ミリング処
理した後、ガラスビーズをろ別し、メタノールで洗浄
し、乾燥して、粉末Ｘ線回折スペクトルで２θ±０．２
°＝８．５°、１１．２°、１４．５°及び２７．２°
に強い回折ピークを有するジクロロスズフタロシアニン
結晶（ＣＧ−２）を得た。

【０１１５】（合成例１１） −ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶の合成− 合成例１０で得られたクロロガリウムフタロシアニン結
晶３重量部を濃硫酸６０重量部に０°Ｃにて溶解した
後、５°Ｃの蒸留水４５０重量部に上記溶液を滴下し、
結晶を再析出させた。蒸留水、希アンモニア水等で洗浄
した後、乾燥し、２．５重量部のヒドロキシガリウムフ
タロシアニン結晶を得た。この結晶を自動乳鉢にて５．
５時間粉砕した後、その０．５重量部をジメチルホルム
アミド１５重量部、直径１ｍｍのガラスビーズ３０重量
部と共に２４時間ミリングし、次いで、結晶を分離し、
メタノールで洗浄後乾燥し、粉末Ｘ線回折スペクトルで
２θ±０．２°＝７．５°、９．９°、１２．５°、１
６．３°、１８．６°、２５．１°及び２８．３°に強
い回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニ
ン結晶（ＣＧ−３）を得た。

【０１１６】（合成例１２） −オキシチタニウムフタロシアニン結晶の合成− １，３−ジイミノイソインドリン３０重量部、チタニウ
ムテトラブトキシド１７重量部を１−クロルナフタレン
２００重量部中に入れ、窒素気流下１９０°Ｃにおいて
５時間反応させた後、生成物をろ過し、アンモニア水、
水、アセトンで洗浄し、オキシチタニウムフタロシアニ
ン４０重量部を得た。得られたオキシチタニウムフタロ
シアニン結晶５重量部と塩化ナトリウム１０重量部を自
動乳鉢（Ｌａｂ−ＭＩＬＬＵＴ−２１型、ヤマト科学
社製）を用いて３時間粉砕した。その後、蒸留水で充分
に洗浄し、乾燥して４．８重量部のオキシチタニウムフ
タロシアニン結晶を得た。得られたオキシチタニウムフ
タロシアニン結晶は、粉末Ｘ線回折スペクトルで２θ±
０．２°＝２７．３°に明瞭なピークを示すものであっ
た。得られたオキシチタニウムフタロシアニン結晶２重
量部を蒸留水２０重量部、モノクロロベンゼン２重量部
の混合溶剤中で、５０°Ｃにおいて１時間撹拌した後、
ろ過し、メタノールで十分洗浄し、乾燥して、粉末Ｘ線
回折スペクトルで２θ±０．２°＝２７．３°に強い回
折ピークを有するオキシチタニウムフタロシアニン結晶
（ＣＧ−４）を得た。

【０１１７】（実施例１）（下引層の形成）ホーニング処理した３０ｍｍφのアルミニウム円筒基板
上にジルコニウム化合物（商品名：オルガチックスＺＣ
５４０、マツモト製薬社製）１００重量部、シラン化合
物（商品名：Ａ１１１０、日本ユンカー社製）１０重量
部、イソプロパノール４００重量部及びブタノール２０
０重量部からなる溶液を浸漬コーティング法で塗布し、
１５０°Ｃにおいて１０分間加熱乾燥し膜厚０．５μｍ
の下引層を形成した。（電荷発生層の形成）合成例９で作製したクロロガリウムフタロシアニン結晶
１０重量部を、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エ
スレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）１０重量部及び酢酸
ｎ−ブチル５００重量部と混合し、ガラスビーズと共に
ペイントシェーカーで１時間処理して分散した後、得ら
れた塗布液を上記下引層上に浸漬コーティング法で塗布
し、１００°Ｃにおいて１０分間加熱乾燥し、膜厚０．
１８μｍの電荷発生層を形成した。（電荷輸送層の形成）次に、Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ビフ
ェニル−４−アミン（ＣＴ−１）２重量部と、１，１’
−ジ−（ｐ−フェニレン）シクロヘキサンカーボネート
３重量部を、モノクロロベンゼン２０重量部に溶解し、
得られた塗布液を、電荷発生層が形成されたアルミニウ
ム円筒基板上に浸漬コーティング法で塗布し、１２０°
Ｃにおいて１時間加熱乾燥、膜厚１５μｍの電荷輸送層
を形成した。（表面保護層の形成）さらに、合成例１で作製したシラン化合物（１）１０重
量部、ハードコート剤（商品名：Ｘ−４０−２２３９、
信越シリコン社製）２０重量部、フェニルトリエトキシ
シラン３重量部及び酢酸１重量部を混合し、得られた塗
布液を、電荷輸送層が形成された上に浸漬コーティング
法で塗布し、１００°Ｃにおいて１時間加熱硬化させ、
膜厚３μｍの表面保護層を形成し、電子写真感光体を得
た。

【０１１８】このようにして得られた電子写真感光体に
ついて、レーザービームプリンター（商品名：ＸＰ−１
１、富士ゼッロクス社製）で高温高湿（３５°Ｃ、８０
％ＲＨ）の環境下、プリントテストを行い、１枚目と２
０００枚コピー後の画質を評価した。その結果を表９に
示す。

【０１１９】（実施例２〜９）電荷発生材料とシラン化合物との組合せを表９のように
変え、実施例１同様に電子写真感光体を作製し、評価し
た。結果を表９に示す。

【０１２０】（実施例１０〜１５）電荷輸送材料にＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス
−（ｍ−トリル）ベンジジン（ＣＴ−２）を用いた以外
は実施例１〜９と同様に電子写真感光体を作製
し、評価した。結果を表９に示す。

【０１２１】（実施例１６）実施例１〜１５と同様にアルミニウム円筒基板上に膜厚
０．５μｍの下引層を形成し、さらに電荷発生材料とし
て合成例１０で作製したクロロガリウムフタロシアニン
結晶を用いた膜厚０．１７μｍの電荷発生層を形成し
た。

【０１２２】次に電荷輸送材料として合成例１で作製し
たシラン化合物（１）１重量部とバインダーポリマーと
して構造式（ＩＩ）で表されるポリカーボネート樹脂１
重量部を、モロクロロベンゼン８重量部及び酢酸１重量
部に溶解し、得られた塗布液を、電荷発生層が形成され
た上に浸漬コーティング法で塗布し、１００℃において
１時間加熱乾燥、硬化し、膜厚１５μｍの電荷輸送層を
形成した。

【０１２３】このようにして得られた電子写真感光体を
実施例１〜１５と同様に評価した。その結果を表１０に
示す。

【０１２４】（実施例１７〜２７）バインダーポリマー及びシラン化合物を表１４のように
変えた以外は、実施例１６と同様に電子写真感光体を作
成し、評価した。結果を表１５に示す。

【０１２５】（比較例１）実施例１〜２７と同様にアルミニウム円筒基板上に膜厚
０．５μｍの下引層を形成し、さらに電荷輸送材料とし
て合成例１０で作製したクロロガリウムフタロシアニン
結晶を用いて膜厚０．１５μｍの電荷輸送層を形成し
た。

【０１２６】次に電荷輸送材料としてトリフェニルアミ
ン２重量部とバインダーポリマーとして構造式（ＩＩ）
で表されるポリカーボネート樹脂１重量部を、モロクロ
ロベンゼン８重量部に溶解し、得られた塗布液を、電荷
発生層が形成された上に浸漬コーティング法で塗布し、
１００℃において１時間加熱乾燥し、膜厚１６μｍの電
荷輸送層を形成した。

【０１２７】このようにして得られた電子写真感光体を
実施例１〜２７と同様に評価した。その結果を表１５に
示す。

【０１２８】

【表１４】

【０１２９】

【表１５】

【０１３０】（実施例２８〜４６）電荷発生材料とシラン化合物との組合せを表１６のよう
に変え、実施例２〜９と同様に電子写真感光体を作製
し、評価した。結果を表１６に示す。

【０１３１】（比較例２）実施例と同様にアルミニウム円筒基盤上に膜厚０．５μ
ｍの下引層を形成し、更に電荷輸送材料として合成例１
０で作成したクロロガリウムフタロシアニン結晶を用い
て膜厚０．１５μｍの電荷発生層を形成し、その上に
Ｎ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ビフェニル
−４−アミン（ＣＴ−１）を用いて膜厚１５μｍの電荷
輸送層を形成した。

【０１３２】以下の構造式で表されるシラン化合物（Ｃ
Ｔ−３）１０部と、ハードコート材（信越シリコン社
製、Ｘ−４０−２２３９）２０部、フェニルトリエトキ
シシラン３部、酢酸１部を混合させ、得られた塗布液
を、輸送層が形成された上に浸漬コーティング法で塗布
し、１００°Ｃにおいて１時間加熱硬化させ、膜厚２．
５μｍの表面保護層を形成し、電子写真感光体を得た。

【０１３３】

【化２０】

【０１３４】このようにして得られた電子写真感光体を
実施例と同様に評価した。その結果を表１６に示す。

【０１３５】（実施例４７〜６６）電荷発生材料とシラン化合物との組合せを表１７のよう
に変え、実施例１６〜２９と同様に電子写真感光体を作
製し、評価した。結果を表１７に示す。

【０１３６】（比較例３）電荷輸送層として比較例１で用いたシラン化合物（ＣＴ
−３）を用いた以外は、比較例２と同様に電子写真感光
体を作成し、評価を行った。その結果を表１７に示す。

【０１３７】

【表１６】

【０１３８】

【表１７】

【０１３９】表からわかるように、本実施例は、溶解
性、成膜性、相溶性に優れたシラン化合物を用いている
ため、強固な膜を有し、このため優れた機械的強度及び
繰り返し安定性を有し、且つ高感度であることがわか
る。

【０１４０】（実施例６７）＜下引層の作製＞ホーニング処理した３０ｍｍφのアルミニウム円筒基板
上にジルコニウム化合物（商品名：オルガチックスＺＣ
５４０、マツモト製薬社製）１００部およびシラン化合
物（商品名：Ａ１１１０、日本ユンカー社製）１０部と
ｉ−プロパノール４００部およびブタノール２００部
からなる溶液を浸漬コーティング法で塗布し、１５０°
Ｃにおいて１０分間加熱乾燥し膜厚０．５μｍの下引層
を形成した。

【０１４１】＜電荷発生層の作製＞合成例９で合成されたクロロガリウムフタロシアニン結
晶１０部を、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エス
レックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）１０部および酢酸ｎ−
ブチル５００部と混合し、ガラスビーズとともにペイン
トシェーカーで１時間処理して分散した後、得られた塗
布液を上記下引層上に浸漬コーティング法で塗布し、１
００°Ｃにおいて１０分間加熱乾燥し、膜厚０．１８μ
ｍの電荷発生層を形成した。

【０１４２】＜電荷輸送層の作製＞次にＮ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ビフェ
ニル−４−アミン（ＣＴＭ−１）２部と、１，１’−ジ
−（ｐ−フェニレン）シクロヘキサンカーボネート３部
を、モノクロロベンゼン２０部に溶解し、得られた塗布
液を、電荷発生層が形成されたアルミニウム円筒基板上
に浸漬コーティング法で塗布し、１２０°Ｃにおいて１
時間加熱乾燥を行い膜厚１５μｍの電荷輸送層を形成し
た。

【０１４３】＜表面保護層の作製＞更に化合物（１）１０部と、バインダー（信越シリコン
社製、Ｘ−４０−２２３９）２０部、フッ素含有化合物
であるＰＴＦＥ３部、１Ｎ−塩酸１部、ジブチルエーテ
ル３０部を１５分間撹拌混合させ、得られた塗布液を、
輸送層が形成された上に浸漬コーティング法で塗布し、
１２０°Ｃにおいて１時間加熱乾燥した後更に８０度
（湿度８０％）で１．５時間硬化させ、膜厚３μｍの表
面保護層を形成し、感光体を得た。

【０１４４】このようにして得られた電子写真用感光体
を実機（ＸＰ−１１；富士ゼロックス社製）に登載しＢ
４のＰＰＣ用紙で１万枚の耐久試験を行った。その結果
を表２２に示す。

【０１４５】（実施例６８〜１１６）一般式（Ｉ）で表される化合物、フッ素含有化合物、触
媒の組合せを表１８、１９の様に変え、実施例１と同様
に電子写真用感光体を作製し、評価した。結果を表２
０、２１、２２に示す。

【０１４６】（比較例４）上記各実施例の表面保護層を設けない電子写真用感光体
を作成し、同様な評価を行った。結果を表２２に示す。

【０１４７】（比較例５〜１３）電荷輸送材として一般式（Ｉ）で表される化合物の代わ
りにＮ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ビフェ
ニル−４−アミン（ＣＴＭ−１）を用い、上記実施例６
８〜１１６と同様にフッ素含有化合物、触媒の組合せを
表１９の様に変えて保護層を形成させたが、いずれも白
化等により良好な保護層は得られなかった。

【０１４８】（比較例１４）電荷輸送材として一般式（Ｉ）で表される化合物の代わ
りにＮ，Ｎ−ビス（３，４−ジメチルフェニル）ビフェ
ニル−４−アミン（ＣＴＭ−１）を用い、更にバインダ
ーとして前記の構造式（ＩＶ）で表されるポリカーボネ
ートを用い、フッ素含有化合物としてＦ（ＣＦ₂）₈Ｃ
Ｈ₂ＣＨ₂Ｓｉ（ＯＭｅ）₃を用い前記実施例６８〜１
１６と同様に保護層を形成させたが、相溶性が悪いた
め、白化してしまい良好な保護層は得られなかった。

【０１４９】

【表１８】

【０１５０】

【表１９】

【０１５１】

【表２０】

【０１５２】

【表２１】

【０１５３】

【表２２】

【０１５４】表１８〜２２の結果より明らかなように、
一般式（Ｉ）で表される化合物とフッ素含有化合物とを
含有した実施例の電子写真感光体はいずれも強固な膜が
形成され、耐久性、環境安定性が極めて優れており、且
つ高感度であることがわかる。一方、フッ素含有化合物
を含有しても、電荷輸送材として一般式（Ｉ）で表され
る化合物を含まないものは好適な保護層を形成しえない
ことがわかった。

【０１５５】（合成例１３） −化合物（１１２）の合成− 窒素置換した２００ｍｌの二口フラスコに下記構造式で
示されるカルボン酸（１）１０．１ｇと１，８−ジアザ
ビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセン４．６ｇをジ
メチルホルムアミド５０ｍｌに溶解させ、１００度に加
熱した。その後（（クロロメチル）フェニルエチル）ト
リメトキシシラン７．６ｇを加え１００度で４時間撹拌
した。その後、トルエン５００ｍｌを加え、５００ｍｌ
の蒸留水で二度洗浄し、有機層に無水硫酸ナトリウムを
加えて乾燥し、減圧下溶媒を除去した後、シリカゲルで
カラム精製（溶剤：トルエン／塩化メチレン）し、淡黄
色油状のシラン化合物（１１２）７．１ｇを得た。得ら
れたシラン化合物のＩＲ吸収スペクトルを図９に示す。

【０１５６】

【化２１】

【０１５７】（合成例１４） −化合物（１５０）の合成− 窒素置換した２００ｍｌのナス型フラスコに下記構造式
で示されるカルボン酸（２）１４．３ｇと１，８−ジア
ザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセン７．３ｇを
ジメチルホルムアミド５０ｍｌに溶解させ、１００度に
加熱した。その後（（クロロメチル）フェニルエチル）
トリメトキシシラン１２．４ｇを加え１００度で６時間
撹拌した。その後、トルエン５００ｍｌ及び蒸留水３０
０ｍｌを加え、析出した不溶分をセライトを通しろ別し
た。誘起層を５００ｍｌの蒸留水で二度洗浄し、無水硫
酸ナトリウムを加えて乾燥し、減圧下溶媒を除去した
後、シリカゲルでカラム精製（溶剤：トルエン／塩化メ
チレン）し、淡黄色油状のシラン化合物（１５０）１
２．１ｇを得た。得られたシラン化合物のＩＲ吸収スペ
クトルを図１０に示す。

【０１５８】

【化２２】

【０１５９】（合成例１５） −化合物（１１１）の合成− 窒素置換した３００ｍｌの二口フラスコに上記構造式で
示されるカルボン酸（１）５．０ｇとアリルアルコール
５．０ｇを取り、１００ｍｌのトルエンに溶解させた。
更に濃硫酸１ｍｌを滴下し１５時間撹拌した。その後、
２００ｍｌの蒸留水に注ぎ二度洗浄を行い、有機層に無
水硫酸ナトリウムを加えて乾燥し、減圧下溶媒を除去し
た後、シリカゲルでカラム精製（溶剤：トルエン）し、
更に再結晶法により精製し下記構造式で示されるビニル
基含有エステル（１）５．２ｇを得た（融点１０７〜１
０９°Ｃ、白色結晶）。得られた化合物のＩＲ吸収スペ
クトルを図１１に示す。

【０１６０】

【化２３】

【０１６１】窒素置換した２００ｍｌの二口フラスコに
ビニル基含有エステル（１）３ｇとトリメトキシシラン
３ｇを取り、撹拌しながらＨ₂ＰｔＣｌ₆６Ｈ₂Ｏ（１
％イソプロパノール溶液）を０．１ｍｌ滴下したとこ
ろ、反応の進行とともに原料が溶解した。そのまま３時
間撹拌した後トルエン５０ｍｌを加え蒸留水１００ｍｌ
に注ぎ洗浄をした。更に有機層に無水硫酸ナトリウムを
加えて乾燥し、減圧下溶媒を除去した後、シリカゲルで
カラム精製（溶剤：トルエン／酢酸エチル）し、淡黄色
油状のシラン化合物（１１１）７．１ｇを得た。得られ
たシラン化合物のＩＲ吸収スペクトルを図１２に示す。

【０１６２】（実施例１１７〜１２４）実施例２〜９と同様にシラン化合物（１１１）、（１５
０）についても、電荷輸送材料、電荷発生材料の組合せ
を下記表２３の様に変え、電子写真感光体を作成し評価
を行った。

【０１６３】

【表２３】

【０１６４】表からわかるように、本実施例は、溶解
性、成膜性、相溶性に優れたシラン化合物を用いている
ため、強固な膜を有し、このため優れた機械的強度及び
繰り返し安定性を有し、且つ高感度であることがわか
る。（実施例１２５〜１２８）実施例１６〜２９と同様にシラン化合物（１１１）、
（１５０）についても、バインダーの組合せを下記表２
４の様に変え、電子写真感光体を作成し評価を行った。

【０１６５】

【表２４】

【０１６６】表からわかるように、バインダーとの組み
合わせにおいても、強固な膜を有し、このため優れた機
械的強度及び繰り返し安定性を有し、且つ高感度な電子
写真感光体が得られることがわかる。

【０１６７】（実施例１２９〜１４４）一般式（Ｉ）で表される化合物、フッ素含有化合物、触
媒の組合せを表２５の様に変え、実施例１と同様に電子
写真用感光体を作製し、評価した。結果を表２６に示
す。

【０１６８】

【表２５】

【０１６９】

【表２６】

【０１７０】表２６の結果より明らかなように、一般式
（Ｉ）で表される化合物とフッ素含有化合物とを含有し
た実施例の電子写真感光体はいずれも強固な膜が形成さ
れ、耐久性、環境安定性が極めて優れており、且つ高感
度であることがわかる。即ち、フッ素含有化合物との組
み合わせにおいて、より効果の向上がみられることがわ
かった。

【０１７１】

【発明の効果】本発明は、溶解性、成膜性、相溶性に優
れた化合物を用いるので、強固な膜が形成され、機械的
強度が向上した高感度で環境安定性に優れた電子写真感
光体を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】合成例１で合成されたシラン化合物のＩＲ吸収
スペクトルである。

【図２】合成例２で合成されたシラン化合物のＩＲ吸収
スペクトルである。

【図３】合成例３で合成されたシラン化合物のＩＲ吸収
スペクトルである。

【図４】合成例４で合成されたシラン化合物のＩＲ吸収
スペクトルである。

【図５】合成例５で合成されたシラン化合物のＩＲ吸収
スペクトルである。

【図６】合成例６で合成されたシラン化合物のＩＲ吸収
スペクトルである。

【図７】合成例７で合成されたシラン化合物のＩＲ吸収
スペクトルである。

【図８】合成例８で合成されたシラン化合物のＩＲ吸収
スペクトルである。

【図９】合成例１３で合成されたシラン化合物のＩＲ吸
収スペクトルである。

【図１０】合成例１４で合成されたシラン化合物のＩＲ
吸収スペクトルである。

【図１１】合成例１５で合成された中間体であるビニル
基含有エステル化合物のＩＲ吸収スペクトルである。

【図１２】合成例１５で合成されたシラン化合物のＩＲ
吸収スペクトルである。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩＧ０３Ｇ 5/05 １０１Ｇ０３Ｇ 5/05 １０１１０４１０４Ｂ (56)参考文献特開平９−124665（ＪＰ，Ａ) 特開平９−190004（ＪＰ，Ａ) 特開昭58−7703（ＪＰ，Ａ) 特開昭55−95953（ＪＰ，Ａ) 特開平10−251277（ＪＰ，Ａ) 特開平10−95787（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03G 5/06 311

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】複数の層で形成された電子写真感光体に
おいて、前記複数の層の少なくとも１層が下記一般式
（Ｉ）で表される化合物を少なくとも１種以上含有する
ことを特徴とする電子写真感光体。【化１】式中、Ａｒ₁〜Ａｒ₄はそれぞれ独立に下記（Ａ群）よ
り選択される置換又は未置換のアリール基を示し、Ａｒ
₅は下記（Ｂ群）より選択される置換若しくは未置換の
アリール基又はアリーレン基を示す。Ｘは、−Ｙ−Ｓｉ
Ｒ_1(3-a)（ＯＲ₂）_aで示される置換基を示し、ここ
で、Ｒ₁は水素、アルキル基、置換又は未置換のアリー
ル基を示し、Ｒ₂は水素、アルキル基、トリアルキルシ
リル基を示し、ａは１〜３の整数を示し、Ｙは−（Ｃ _x'
Ｈ _2x'-2 ）−、−（Ｃ _x" Ｈ _2x"-4 ）−、置換又は未置換
のアリーレン基、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｏ−及び−ＣＯＯ−
を少なくとも１種以上含有する２価の基を示す。ｋは０
又は１を示す。Ｘはｋが０のとき、Ａｒ₁、Ａｒ₂、Ａ
ｒ₅のいずれか１〜３個に結合し、ｋが１のとき、Ａｒ
₁〜Ａｒ ₄のいずれか１〜４個に結合する。（Ａ群）【化２】（Ｂ群）【化３】ここで、Ｘは−Ｙ−ＳｉＲ _1(3-a) （ＯＲ ₂ ） _a を示す。
Ｒ ₁ は水素、炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜
４のアルキル基若しくは炭素数１〜４のアルコキシ基で
置換された置換又は未置換のアリール基を示し、Ｒ ₂ は
水素、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアル
キル基で置換されたトリアルキルシリル基を示す。Ｙは
−（Ｃ _x' Ｈ _2x'-2 ）−、−（Ｃ _x" Ｈ _2x"-4 ）−、置換又
は未置換のアリーレン基、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｏ−及び−
ＣＯＯ−を少なくとも１種以上含有するもの、又は、−
ＣＨ＝Ｎ−Ｙ’−、−ＣＨ＝ＣＨ−Ｙ’−、−ＣＨ ₂ Ｃ
Ｈ ₂ −Ｙ’−、で表されるものであり、ここでＹ’は−
（Ｃ _x' Ｈ _2x'-2 ）−、−（Ｃ _x" Ｈ _2x"-4 ）−、置換又は
未置換のアリーレン基、−ＣＨ＝Ｎ−、−Ｏ−及び−Ｃ
ＯＯ−を少なくとも１種以上含有する２価の基を表す。
但し、Ｙはヘテロ原子に直接結合した水素原子を有する
２価の基を含まない。また、ｘ’及びｘ”はそれぞれ２
から１５の整数である。また、Ａｒ、Ｚ、Ｚ’、Ｗはそ
れぞれ以下に示す群より選択され、また、Ｒ ₄ は水素、
炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルキル基
若しくは炭素数１〜４のアルコキシ基で置換された置換
又は未置換のフェニル基、炭素数７〜１０のアラルキル
基から選択される。さらに、Ｒ ₅ は水素、炭素数１〜４
のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、ハロゲン
原子から選択される。また、Ｒ ₆ は水素、炭素数１〜４
のアルキル基から選択される。ｍ及びｓはそれぞれ０又
は１を示し、ｔ及びａはそれぞれ１〜３の整数を示し、
ｙ及びｚはそれぞれ１〜５の整数を示す。また、ｘ’及
びｘ”はそれぞれ２〜１５の整数を示す。さらに、ｓ’
は０〜３の整数を示し、ｔ’は１又は２の整数を示し、
ｑ及びｒはそれぞれ１〜１０の整数を示す。【化４】
【請求項２】前記一般式（Ｉ）で表される化合物を少
なくとも１種以上含有する層が、さらに、フッ素含有化
合物の少なくとも１種以上含有することを特徴とする請
求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】前記一般式（Ｉ）において、Ｙが、下記
（Ｃ群）より選択される基を少なくとも１種以上含有す
ることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子写真感
光体。但し、ｘは１〜１５の整数、ｘ’及びｘ”はそれ
ぞれ２から１５の整数である。また、Ｒ ₅ 、ｔ及びｚは
それぞれ前記一般式（Ｉ）におけるものと同義である。（Ｃ群）【化５】
【請求項４】前記フッ素含有化合物がフッ素含有シラ
ンカップリング剤であることを特徴とする請求項２又は
３に記載の電子写真感光体。
【請求項５】前記一般式（Ｉ）で表される化合物を少
なくとも１種以上含有する層が、さらに、前記一般式
（Ｉ）で表される化合物と相溶可能な材料を少なくとも
１種以上含有することを特徴とする請求項１乃至４のい
ずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項６】前記一般式（Ｉ）で表される化合物と相
溶可能な材料が絶縁性のポリマーであることを特徴とす
る請求項５に記載の電子写真感光体。
【請求項７】前記一般式（Ｉ）で表される化合物を少
なくとも１種以上含有する層を構成する全ての材料が、
互いに相溶可能な材料であることを特徴とする請求項１
乃至４のいずれかに記載の電子写真感光体。
【請求項８】前記一般式（Ｉ）で表される化合物を少
なくとも１種以上含有する層を構成する全ての材料が、
−Ｏ−Ｓｉ−Ｏ−結合を形成し得る材料であることを特
徴とする請求項７に記載の電子写真感光体。
【請求項９】前記一般式（Ｉ）で表される化合物を硬
化させたことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１
項に記載の電子写真感光体。
【請求項１０】前記一般式（Ｉ）で表される化合物を
硬化させる手段として硬化触媒を用いることを特徴とす
る請求項９に記載の電子写真感光体。
【請求項１１】前記硬化触媒が酸性化合物であること
を特徴とする請求項１０に記載の電子写真感光体。
【請求項１２】前記一般式（Ｉ）で表される化合物を
含有する層が最表面に形成されたことを特徴とする請求
項１乃至１１のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１３】電荷発生材料としてハロゲン化ガリウ
ムフタロシアニン結晶、ハロゲン化スズフタロシアニン
結晶、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶及びオキ
シチタニルフタロシアニン結晶を少なくとも１種以上含
有する層をさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至
１２のいずれか１項に記載の電子写真感光体。