JP3224731B2 - 高密度パターンを有する層を形成する方法 - Google Patents

高密度パターンを有する層を形成する方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は基板上に精密なピッチ
で絶縁性の部材、特に有機物部材のパターンを形成する
ための方法に関する。本願発明は特に配線パッド上に形
成される導電部材を画するための絶縁部材によるダム、
または、バンプ形成のための開口部等のパターンを高密
度で形成するための方法に関する。
【０００２】
【従来技術】プリント配線板や多ピンＢＧＡパッケージ
においては年々配線の高密度化の要請が高まっている。
これは、基板上に形成される導体のパターンの間隔が極
めて小さくなることを示している。例えば、５年ほど前
においては配線自体の幅は１５０μｍ程度であり、パッ
ド間のピッチは６５０μｍ程度であった。しかし、現在
では配線自体の幅、パッド間のピッチはそれぞれ７５μ
ｍ以下、２００μｍ以下となっており、一部のものにつ
いては前者は５０μｍ程度、後者は１２５μｍ程度とな
っている。このように、数年間の間に配線密度は３〜４
倍となっており、これに対応する技術が要求されるよう
になった。
【０００３】配線密度の高密度化に対応する技術の中核
となるものが配線層自身の形成に係わるものである。そ
して、これと同時に問題となるのが配線層のピッチを小
さくしたことに伴う、配線層周りの絶縁層の精密なパタ
ーンの形成方法の開発である。本願発明は絶縁層を極め
て精密なパターンで形成するための方法に関するもので
ある。
【０００４】本願発明が適用される絶縁層の代表例は有
機物層である。有機物層に一定のパターンを刻み込むた
めには従来から液状の紫外線硬化樹脂を基板上に塗布す
ることによって樹脂層を形成して、一定のパターンのマ
スクによって露光・現像し、不要な樹脂層を除去すると
いう手法が用いられてきた。この方法は最も生産性が高
く、また、ある程度までは高密度なパターンが形成でき
るので、現在でも非常に広く用いられている。
【０００５】しかし、上述したような狭ピッチとなって
くると現在の紫外線硬化樹脂では問題が生じる。なぜな
らば、産業上最もよく利用されている紫外線硬化樹脂の
一つである紫外線硬化レジスト（ここでは紫外線によっ
て反応し、硬化するレジストを具体例とし、ソルダーレ
ジストとも呼ばれる）の要求特性は高解像性の他にもい
ろいろあるためである。例えば、永久保護膜となるソル
ダーレジスト等は信頼性が高くなければならない。信頼
性とは極めて広い概念であるが、具体的には配線層間で
マイグレーション等の拡散現象が起きにくいこと、基板
との密着性が良好であること、などを総合的に指す。ま
た、この他にも実装性のよいこと、製造工程との適合性
（具体的にはポストフラックスはじきによるハンダボー
ルの発生がおきにくい、実装部品を固定する封止樹脂と
の密着性が良好である）等、多くの要求特性がある。高
解像性のみが要求特性であれば上述した狭ピッチ化には
対応できるかもしれない。しかし、上述したように紫外
線硬化レジストの要求特性は多様であり、単一の紫外線
硬化レジストでこれら全てを具備するものはない。紫外
線硬化レジストに対する要求特性の多様化に伴う問題は
レジストダムの形成に係わる問題に具体化して後述す
る。
【０００６】レジストダムとはレジスト等の絶縁性材料
によって形成された柱状の部分をいう。これは、基板上
に形成された導電パッドに隣接して形成され、導電パッ
ド上のハンダが隣接する導電パッドと接触することを防
止するためのダムの役割を果たすものである。つまり、
配線層間がハンダによってショートすることを防止する
ためのレジストで形成されたダムのことをいう。レジス
トダムの役割はいわゆるハンダブリッジの発生防止と言
い替えることもできる。ハンダブリッジの発生防止を絶
縁層のダムによって行うこと自体は例えば実開昭５７−
１６３７６４号公報に開示されるように周知である。こ
の実用新案出願においては導電部材の近傍に絶縁層から
なるダムを形成することによって、導電部材同士の短絡
を防止する構造が開示される。
【０００７】絶縁層を精密なピッチでパターニングする
技術はレジストダムを形成する際に必要である。図１に
レジストダムについての概観を示す。図１は配線層を上
から見た図である。図１に示すように、配線層２は基板
上に形成されており、その上に全体的に絶縁層３が形成
される。配線層２の先端のパッド２ａの部分の直上では
絶縁層３中に窓４が設けられており、パッド２ａの一部
は露出している。この様子は図１中のａａ’断面を示す
図２（ａ）を参照することによって一層明らかになる。
図２（ａ）を参照すると、配線層２ａは基板１上に形成
され、レジストダム３ａが配線層２の間に形成される。
図１と比較すると、レジストダム３ａは絶縁層３の一部
として連続しており、窓４によって画された部分である
ことがわかる。実際、パッド２ａ上にはハンダ５が形成
されることになるが、レジストダム３ａがあるからハン
ダ５はそれぞれのパッド２ａ上のみに形成される。もし
レジストダム３ａがないときは、ハンダ５は隣りに形成
されたパッド２ａと接触し短絡を起こすことになる。こ
の現象をハンダブリッジという。
【０００８】レジストダムを形成するための従来技術に
よる方法を図３〜図６に開示する。図３に示すように、
基板１上にはパッド２ａが所定のパターンで多数形成さ
れている。基板は、例えばセラミック基板、ガラス繊維
基板、あるいは、有機樹脂基板のいずれでもよい。次
に、図４に示すように、この基板１とパッド２ａ上に紫
外線硬化型の液状レジスト３を塗布する。この紫外線硬
化型液状レジスト３は市販されているものである。次
に、図５に示すように、露光用のマスク７を用いて紫外
線光によって紫外線硬化型液状レジスト層３を露光す
る。このときマスク７の開口部（ハッチングを入れた部
分）はパッド２ａの直上に位置するようにする。その
後、図６に示すように紫外線硬化型液状レジスト層３を
現像により除去する。すると、所望の箇所にレジスト層
が残留し、レジストダム３ａを配線層２ａの間に形成す
ることができる。
【０００９】このレジストダムの技術を狭ピッチの配線
層に応用する発明も先行する出願に開示されている。例
えば、特開平２−２７２７９１号公報には、配線パッド
間が狭くなりレジストダムの形成ができない場合におい
て、パッドの隙間とこの隙間に連続するパッドの周辺の
少なくとも一部にソルダレジストを設けた構造が開示さ
れる。この出願は配線パッド間が狭くなるためにレジス
トダムの形成自体を他の手法で置き換えるものである。
また、特開平６−２５２５４０号公報には、ハンダブリ
ッジを防止するために、金属パッドに隣接して形成され
たレジストダムの高さをパッドとその上に形成されるハ
ンダとを合計した高さよりも高くする点が開示される。
これは、レジストダムの高さを高くすることによって配
線層が狭ピッチになった場合のハンダブリッジ防止に一
定の効果を呈するものと考えられる。しかし、狭ピッチ
となった配線層の極めて狭い間隙に有効に絶縁層のダム
を形成する手法についてはなんら開示しておらず、本質
的な解決とはなり得ない。
【００１０】配線層の狭ピッチ化が進むと、配線層間の
マイグレーションの問題も生じ易くなる。マイグレーシ
ョンとは配線層を構成する金属がイオンとなり絶縁層間
を拡散していき、ついには隣接する配線層に到達するこ
とによって短絡を生じる現象である。マイグレーション
は拡散現象であるから、配線層の間隔が小さくなるほど
問題は深刻になる。一般に、拡散現象は隣接する配線層
間（図１の２及び２’）で起こる。この機構は図１のｂ
ｂ’断面を示す図２（ｂ）を参照することにより明らか
である。ｂｂ’断面では配線層２及び２’は絶縁層３に
よって完全に被覆されている。そして、この絶縁層３を
介して配線層２と２’との間でマイグレーションが発生
する。特に、配線層の間隔ｗが狭ピッチ（１２５μｍ以
下）になっている現在、マイグレーションの問題が顕在
化してくる。この問題を防止するための一つの方法は絶
縁層３の材質を検討することである。対策として耐マイ
グレーション性の良い紫外線硬化レジストを選択するこ
ともできるが、このような紫外線硬化レジストは一般に
解像性が悪い。狭ピッチを形成するために高解像性を有
する紫外線硬化レジストを用いれば耐マイグレーション
性が劣る。このように、解像性と耐マイグレーション性
は相反する特性である。これは、紫外線硬化レジストの
解像性を高めるために添加する光開始剤、増感剤及びア
ミン系物質が、同時に樹脂中の遊離イオンの増大や製造
工程中で使用される薬品に含まれる塩素イオン、アルカ
リイオンの浸透性を高める結果、水分との相互作用によ
り拡散現象を活性化し、マイグレーション特性に悪影響
を及ぼすためである。このように一つの紫外線硬化レジ
ストに対して複数の相反する特性を満たすことが、現在
の紫外線硬化レジストにおいて克服されなければならな
い課題である。
【００１１】配線層の高密度化と耐マイグレーション特
性との関係についてもう少し掘り下げる。配線層の高密
度化の要請は特に製造工程において使用する光硬化型レ
ジストの高解像性という形で紫外線硬化レジストの要求
特性に転化される。一方、耐マイグレーション特性は仕
上がった製品における構成材料としての紫外線硬化レジ
ストに要求される特性である。そして、上述したよう
に、狭ピッチ化に対応して精密なパタニングが可能な紫
外線硬化レジストを用いると、マイグレーション特性が
劣るという問題点がある。従って、配線層の狭ピッチ化
が進む中、極めて狭い配線層の中間にレジストダムを形
成するという目的と、配線層間のマイグレーションを可
及的に防止するという目的は同一の絶縁層（紫外線硬化
レジスト）を用いては達成不可能ということになる。こ
れが、紫外線硬化レジストに対する要求特性の多様化に
伴う問題のレジストダムに係わる具体化の一場面であ
る。
【００１２】さらに、紫外線硬化型レジストの使用は微
細パターン形成においても難点がある。例えば、紫外線
硬化型レジストは液状であるから最初に基板上に塗布す
るのであるが、その後の露光工程・現像工程でブルーミ
ング、樹脂付着等の欠陥を生じることがある。この欠陥
の発生は特に精密パターンをパタニングするときには顕
著になる。なぜならば、精密パターンのパタニングに際
してはパターン寸法が小さいのでそれだけ露光不良や位
置合わせのずれが起こりやすいからである。しかし、こ
のような不良が発見されたときには紫外線硬化型レジス
トはすでに光反応してしまっているから、基板からの剥
離が困難である。基板から剥離できなければ結局その基
板についてはスクラップとする以外になく、製造歩留ま
りの低下を引き起こす。
【００１３】このように紫外線硬化型のレジストによっ
てレジストダムを形成するときは極めて精密なパターン
のレジストダムが形成できる反面、製造歩留まりが悪い
ことが考えられ、製品とした際にマイグレーション等の
品質上の問題を引き起こす可能性がある。
【００１４】一方、熱硬化性のレジストによってレジス
トダムを形成するということも不可能ではない。熱硬化
性のレジストは紫外線硬化型のレジストが有する問題点
であるマイグレーション特性の悪さや歩留まりの低下を
引き起こしにくい。しかし、熱硬化性の液状レジストは
解像性に問題があり、本願発明の目的とする精密パター
ンのレジストダム形成には向かない。
【００１５】
【発明の解決しようとする課題】本願発明は配線層の狭
ピッチ化に対応して、精密に絶縁層をパタニングするた
めの手法を提案することが目的である。本願発明は紫外
線硬化型レジストの高解像性を利用しつつ、その信頼性
の低さを補うための手法を提案することが目的である。
ここでいう信頼性の内容は具体的には耐マイグレーショ
ン特性、基板との接着性等である。本願発明はこれらの
手法を利用してレジストダムを形成するための方法を提
案することが目的である。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本願発明の本質は紫外線
硬化型の絶縁層は高解像性を有するから精密なパタニン
グが可能である点、及び、熱硬化型の絶縁層は耐マイグ
レーション性、接着性がよいからこれによってレジスト
ダムを形成することが好ましい点を利用するものであ
る。つまり、絶縁材料によって精密なパタニングを行
い、かつ、信頼性のよい絶縁層パターンを得るために、
精密なパタニングの段階では光硬化性の絶縁材料を用
い、その後、例えば熱硬化性レジストのような信頼性の
よい絶縁材料を製品中に残すことによってこれを達成す
る。これが達成できる背景には、相反する要求特性であ
る高解像性と耐マイグレーション特性が要求される場面
が異なるという事実がある。つまり、前者は製造工程に
おいて要求される特性であり、後者は仕上がり製品にお
いて要求される特性である。従って、それぞれの場面で
要求特性を具備する絶縁層を利用することにより、高解
像性と耐マイグレーション特性のような相反する要求特
性を調和させることが可能となるのである。
【００１７】具体的には、本発明の１つの態様は、基板
上に形成された配線層間にレジストダムを有する絶縁層
の形成方法であり、この方法は、前記配線層よりも厚い
微細パターン形成可能な感光性ドライフィルムを前記配
線層上に被覆するステップと、前記レジストダムの領域
を画定する微細な間隙パターンを前記配線層間に形成す
るように前記感光性ドライフィルムを露光・現像するス
テップと、形成された前記間隙パターンに、前記感光性
ドライフィルムよりも解像性が高くないがソルダレジス
トとして適した有機材料を、前記配線層の表面を超える
高さに塗布するステップと、前記感光性ドライフィルム
を除去するステップとを有する。また、本発明のもう１
つの態様は、基板上に形成された配線層上に開口を有す
る絶縁層の形成方法であり、この方法は、前記配線層よ
りも厚い微細パターン形成可能な感光性ドライフィルム
を前記配線層上に被覆するステップと、前記開口の領域
上に前記感光性ドライフィルムを残すように前記感光性
ドライフィルムを露光・現像するステップと、前記開口
の領域上に前記感光性ドライフィルムを残した状態で、
前記感光性ドライフィルムよりも解像性が高くないがソ
ルダレジストとして適した有機材料を、前記配線層の表
面を超える高さに前記基板上に塗布するステップと、前
記感光性ドライフィルムを除去するステップとを有す
る。
【００１８】これによれば、パターンの形成については
紫外線硬化型の樹脂を用いるので、極めて精密なパター
ン形成が可能となる。また、実際に製品として基板上に
残るのは信頼性の高い熱硬化性の樹脂であるから、耐マ
イグレーション特性・基板との密着性の両面において良
好な特性を得ることが可能となる。
【００１９】
【発明の実施の態様】本願発明に係わる発想をレジスト
ダムの形成に応用した発明の実施態様を図３及び図６〜
図１１を用いて説明する。
【００２０】まず、図３に示すように基板１上に配線層
２ａが形成されている点は従来技術と同様である。次に
図７に示すように紫外線硬化型の有機物フィルム３０を
基板１及び配線層２ａ上に被覆する。この点、紫外線硬
化型の液状レジストを用いる従来技術とは異なる。本願
発明において有機物フィルムを液状レジストの代わりに
用いる理由は、フィルムは現像後に剥離性が良好であ
り、後述する現像後の除去工程と整合性がよいので、作
業性、製造歩留まりの改善が期待できるためである。従
って、これらの要求特性を具備する液状レジストによる
ことも可能であるが、ここでは好適な実施例として有機
物フィルムによる方法を開示する。紫外線硬化型の有機
物フィルム３０は極めて高い解像性を有している。次
に、図８に示すように、この有機物フィルム３０をマス
ク７を用いて紫外線で露光する。この点は、従来技術に
おける図５と対応し、ほぼ同様の工程である。しかし、
従来技術ではマスク７の開口（ハッチングを入れた部
分）は配線層２ａの直上に位置するのに対し、本願発明
ではマスク７の開口は配線層２ａの直上に位置しない点
が異なる。次に、現像後フィルムの一部を除去すると、
図９に示すように、パッド２ａの近傍のみに有機物フィ
ルム３０ａが残留する。この工程においてフィルムの良
好な剥離性が必要になるのである。この結果、残留した
有機物フィルム３０ａの間には間隙３１が残るが、この
間隙中に図１０に示すように高信頼性の第二の有機物４
０を充填する。この有機物４０の充填は一般的には周知
の有機物の塗布方法による。液状の有機物４０を残留し
た有機物フィルム３０ａの間隙に充填する際には、図１
１に示すように多めに塗布し、その後、表面を研削する
ことによって図１０の構造を得ることもできる。図１０
のような状態のものから、第一の有機物フィルム３０を
溶解等によって除去すれば、図６に示すようなレジスト
ダム３ａが配線層２ａの間に形成される。本願発明にお
いては第一の有機物フィルム３０の除去を容易ならしめ
るためにフィルム状の有機物３０を用いたが、除去が容
易であれば液状の紫外線硬化型の有機物で十分である。
また、第二の有機物は典型的には熱硬化性の樹脂である
が、必ずしも熱硬化性は必須ではない。信頼性の高いレ
ジスト層であれば、十分である。本願発明に好適な熱硬
化性の有機物の例としては吸水性の低い変成エポキシ樹
脂等がある。
【００２１】このように、本願発明では精密に絶縁材料
をパタニングするためにのみ紫外線硬化型の有機物を用
いる。従って、得られるレジストダムの厚さｔ（図６参
照）は残留した有機物フィルム３０ａによって形成され
る間隙ｔ（図９参照）に等しい。そして、図９における
残留した有機物フィルム３０ａは紫外線硬化型の有機物
からなるので、極めて精密なパタニングが可能となる。
一方、最終的に残留する絶縁層は信頼性の高い熱硬化性
の有機物からなるので、耐マイグレーション特性や基板
との密着性等が極めて良好である。これらの作用によっ
て狭ピッチ、かつ、高信頼性のレジストダムが形成でき
る。
【００２２】
【実施例】本願発明の具体的な実施例について使用した
有機物の材質、溶剤の組成、温度条件等を詳細に開示す
る。まず、図３に示すように基板１上に配線層２ａが形
成されている。基板１としてはＳＬＣ(surface laminat
ed circuit)基板を用い、また、配線層２は通常銅であ
る。次に、図７に示すように紫外線硬化型の有機物フィ
ルム３０を基板１及び配線層２ａ上に被覆する。この有
機物フィルム３０の一例としてはポリメタクリル酸メチ
ルを主成分とした感光性のドライフィルムがある。次
に、図８に示すように、この有機物フィルム３０をマス
ク７を用いて紫外線で露光する。この点は、従来技術と
ほぼ同様の工程であるが、上述したように本願発明では
マスク７の開口（ハッチングを入れた部分）は配線層２
ａの直上に位置しないようにする点が新規である。この
露光の具体的な方法については周知の方法で行われる。
図９に示す現像は、例えば、有機物フィルムがアルカリ
現像タイプの場合は炭酸ナトリウム溶液等で行い、パッ
ド２ａの近傍のみに有機フィルム３０ａを残留させる。
また、有機物フィルム３０が有機溶剤現像タイプの場合
においては１．１．１トリクロロエタン等の有機溶剤が
使用される。次に、図１１に示すように、有機物フィル
ム３０ａによって形成された間隙にソルダレジスト４０
を十分に充填すべく、配線層２ａを完全に被覆するよう
にソルダレジスト４０を塗布する。このソルダレジスト
は例えば変成エポキシ樹脂を主成分とした熱硬化性樹脂
であり、塗布方法は一般的にはスクリーン印刷法など周
知の方法を用いる。この結果、有機物フィルム３１ａに
よって形成された間隙は完全に充填される。その後、ソ
ルダレジストをプリキュアして半硬化状態にする。この
プリキュアの温度は周知であり１００〜１７０℃であ
る。また、プリキュアに要する時間は５〜６０分程度で
ある。次に、図１０のような状態にすべく、ソルダレジ
スト４０の表面を研削する。この研削は一般的には目の
細かいグラインデイングペーパ等を用いる。このとき
に、ソルダレジスト４０によるレジストダムの損傷や有
機物フィルムの剥離３０が起きないように留意すること
が重要である。その後、有機物フィルム３０を剥離す
る。剥離は周知の溶液・溶剤（例えば、水酸化ナトリウ
ム、メチレンクロライド等）で行い、好ましくはスプレ
ー等の物理力を付与する。最後にソルダレジストのキュ
アを行う。キュア温度はプリキュア温度とほぼ同等また
は若干高めに設定する。なお、プリキュアで十分と判断
される場合はキュアは不要となる。
【００２３】本願発明を適用した結果、得ることができ
るレジストダム３ａと配線層２ａとの寸法の概略を図１
２に示す符号によって表現する。配線層２ａの幅ｌは１
００μｍ以下であり、本願発明が最も効果的に適用され
るのはｌ＜８０μｍである。また、レジストダム３ａの
幅ｔは６０μｍ以下であり、本願発明が最も効果的に適
用されるのはｔ＜４５μｍである。この結果、本願発明
が最も効果的に適用されるときの配線層間のピッチｗは
１６０μｍ程度以下となる。この程度のピッチで配線パ
ターンを形成する場合に、レジストダムの材質を信頼性
の高い熱硬化型レジスト等を用いる例は本願発明による
製造方法が現在知られた唯一のものである。
【００２４】本願発明の射程範囲は単にレジストダムの
製造に限定されず、極めて微細な開口部のパタニングの
形成にも適用できる。例えば、図１３にはプリント基板
の断面を示す。このプリント基板１の上面５０には配線
層２を始めとして絶縁層５１やメッキ層５２が形成され
ている。一方、基板１の下面６０にはパッド６１と絶縁
層６２が形成されており、パッド６１の直上では絶縁層
６２に開口部６５が設けられている。この開口部６５は
ハンダによるバンプ等を形成するためのものであり、近
年その狭ピッチ化が著しい。狭ピッチ化の一例としては
例えば開口部の幅ａ、ピッチｂとすると、それぞれ１０
０μｍ以下、１５０μｍ以下である。
【００２５】この開口部周辺６７を拡大した図を図１４
に示す。示されるように、基板１上に形成されたパッド
６１上に絶縁層６２の開口が設けられ、その開口に充填
されるようにバンプ６３を形成するのが開口の目的であ
る。開口は絶縁層６２で画されているが、この絶縁層も
製品中に残留するので耐マイグレーション特性等が良好
でなければならない。従って、この場合でも製造工程時
においては高解像性が要求され、製品になった後には高
信頼性が要求される点で、レジストダムと同様である。
【００２６】このような絶縁層６２のパタニングを行う
際にも本願発明の手法が有効である。信頼性をも兼ね備
えた（信頼性の分だけ、解像性が劣る）紫外線硬化型レ
ジストを用いると、このような微細なパタニングは困難
である。このような紫外線硬化型レジストを用いると例
えば図１５に示すような現象が生じる。つまり、パッド
６１上にレジストの残部６４や開口部に庇６５が生じ
る。これは、紫外線が露光時にパッド表面で反射した
り、紫外線の透過率が劣っていたりすることに起因す
る。この結果、形成されるバンプ６３は略球状ではな
く、球を二つつなげたような形状になりパッドとの接触
面積が小さくなる結果、接続信頼性が低下する。また、
製造工程において庇６５の存在により金メッキ等の処理
が困難になる。
【００２７】従って、バンプ、ＢＧＡ等のために狭ピッ
チのレジストパターンを形成するときも、露光・現像時
においては高解像性の絶縁層を用いてレジストパターン
を形成すべく所望の部分以外にパターンを形成し、その
後高信頼性の絶縁層によって所望の部分にレジストパタ
ーンを形成した後に、高解像性の絶縁層を除去するとい
う本願発明による必要がある。図１４を参照して述べる
と、まず第一のステップにおいては、パッド６１上のみ
に高解像性の絶縁層を形成する。これは具体的には、高
解像性の有機物フィルムを基板１上に被覆後、露光・現
像を行うことによって行う。この絶縁層は高解像性だか
ら、バンプと略同一の位置に形成することが可能であ
る。次に、高信頼性のソルダレジスト６２を形成する。
最後に、高解像性の有機物フィルムを溶解等の方法で除
去する。この方法は、レジストダムの形成において述べ
た方法と同一である。
【００２８】以上の説明においてはネガ型のレジストを
用いることを前提としたが、当業者であればポジ型のレ
ジストを用いても同様に本願発明を実施できることは自
明である。また、高解像性を有する光反応性のレジスト
を用いたが、高解像性を実現できる材料・プロセスであ
れば本願発明を実施できる。例えば、露光・現像工程の
代わりにイオンビーム、レーザビームによる走査によっ
て露光を行うことが考えられる。何らかの手段で高解像
性を実現することが可能であり、かつ、最終的に除去で
きる材料・プロセスであることのみが条件である。ま
た、製品に残留する材料として熱硬化性のソルダレジス
トを代表例に用いたが、製品になった場合に信頼性があ
るということが唯一の条件であり、熱硬化性の有機物に
限定されない。また、感光性がないということも条件に
はならない。例えば、セラミックペーストなどでも本願
発明の実施は可能であるし、用途によっては導電性の金
属ペーストの利用も考えられる。本明細書においては相
反する要求特性として解像性と耐マイグレーション特性
を用いたが、これに限定される必要はない。
【００２９】発明の本質は、相反する複数の要求特性が
ある層について存在する場合において、それらの要求特
性がその層を形成する上での異なった諸過程で要求され
る結果、それぞれの過程においては相反する要求特性が
存在しないときに、それぞれの過程で最も適切な材料・
プロセスを利用して要求特性を満足する層を形成する、
という点に集約される。
【００３０】
【発明の効果】本願発明によれば配線層の狭ピッチ化に
対応して、精密に絶縁層をパタニングすることができ
る。特に、本願発明は配線密度が極めて高くなった現状
において、精密なパターンのレジストダムを形成すると
きに有効である。また、本願発明は紫外線硬化型レジス
トの高解像性を利用しつつ、その信頼性の低さを補うた
めのに熱硬化性レジストによってレジストダム等の製品
に残る構造を構成できる。従って、高密度かつ高信頼性
の絶縁材料による構造を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】基板上に形成された配線パッドを上から見た図
である。
【図２】基板上に形成された配線パッドの断面図であ
る。
【図３】従来技術によるレジストダムの形成方法を示す
断面図である。
【図４】従来技術によるレジストダムの形成方法を示す
断面図である。
【図５】従来技術によるレジストダムの形成方法を示す
断面図である。
【図６】従来技術によるレジストダムの形成方法を示す
断面図である。
【図７】本願発明によるレジストダムの形成方法を示す
断面図である。
【図８】本願発明によるレジストダムの形成方法を示す
断面図である。
【図９】本願発明によるレジストダムの形成方法を示す
断面図である。
【図１０】本願発明によるレジストダムの形成方法を示
す断面図である。
【図１１】本願発明によるレジストダムの形成方法を示
す断面図である。
【図１２】本願発明により形成されたレジストダムの断
面図である。
【図１３】従来技術によるプリント基板の断面図であ
る。
【図１４】バンプ形成用の樹脂層の断面図である。
【図１５】良好でないバンプ形成用の樹脂層の断面図で
ある。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 配線層 ２ａ パッド ３ 絶縁層 ３ａ レジストダム ３０ 有機物フィルム ４０ ソルダレジスト
フロントページの続き (72)発明者 高木 敏昭 滋賀県野洲郡野洲町大字市三宅800番地 日本アイ・ビー・エム株式会社 野洲 事業所内 (56)参考文献 特開 平６−77633（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H05K 3/34 H05K 3/28

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】基板上に形成された配線層間にレジストダ
    ムを有する絶縁層の形成方法であって、 前記配線層よりも厚い微細パターン形成可能な感光性ド
    ライフィルムを前記配線層上に被覆するステップと、 前記レジストダムの領域を画定する微細な間隙パターン
    を前記配線層間に形成するように前記感光性ドライフィ
    ルムを露光・現像するステップと、 形成された前記間隙パターンに、前記感光性ドライフィ
    ルムよりも解像性が高くないがソルダレジストとして適
    した有機材料を、前記配線層の表面を超える高さに塗布
    するステップと、 前記感光性ドライフィルムを除去するステップとを有す
    る絶縁層の形成方法。
  2. 【請求項２】前記有機材料塗布ステップにおいて、前記
    有機材料が前記感光性ドライフィルムの表面上に乗るよ
    うに前記有機材料を厚く塗布し、 前記形成方法は、前記感光性ドライフィルムの表面が露
    出するまで前記有機材料を研削するステップを、前記有
    機材料塗布ステップと前記感光性ドライフィルム除去ス
    テップとの間に含む、請求項１に記載の形成方法。
  3. 【請求項３】基板上に形成された配線層上に開口を有す
    る絶縁層の形成方法であって、 前記配線層よりも厚い微細パターン形成可能な感光性ド
    ライフィルムを前記配線層上に被覆するステップと、 前記開口の領域上に前記感光性ドライフィルムを残すよ
    うに前記感光性ドライフィルムを露光・現像するステッ
    プと、 前記開口の領域上に前記感光性ドライフィルムを残した
    状態で、前記感光性ドライフィルムよりも解像性が高く
    ないがソルダレジストとして適した有機材料を、前記配
    線層の表面を超える高さに前記基板上に塗布するステッ
    プと、 前記感光性ドライフィルムを除去するステップとを有す
    る絶縁層の形成方法。
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