JP3204381B2 - 半導体装置の自動配置配線方法 - Google Patents

半導体装置の自動配置配線方法

Info

Publication number
JP3204381B2
JP3204381B2 JP30163597A JP30163597A JP3204381B2 JP 3204381 B2 JP3204381 B2 JP 3204381B2 JP 30163597 A JP30163597 A JP 30163597A JP 30163597 A JP30163597 A JP 30163597A JP 3204381 B2 JP3204381 B2 JP 3204381B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
macro
virtual block
routing
wiring
automatic placement
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP30163597A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH11145289A (ja
Inventor
武男 楠美
Original Assignee
エヌイーシーマイクロシステム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by エヌイーシーマイクロシステム株式会社 filed Critical エヌイーシーマイクロシステム株式会社
Priority to JP30163597A priority Critical patent/JP3204381B2/ja
Priority to US09/175,273 priority patent/US6360354B1/en
Priority to KR1019980046961A priority patent/KR100280248B1/ko
Priority to CN98123745A priority patent/CN1104048C/zh
Publication of JPH11145289A publication Critical patent/JPH11145289A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP3204381B2 publication Critical patent/JP3204381B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H01L21/82Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices to produce devices, e.g. integrated circuits, each consisting of a plurality of components
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30Circuit design
    • G06F30/39Circuit design at the physical level

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の自動
配置配線方法に関し、特にマクロと呼ばれる機能ブロッ
クの自動配置配線方法に関する。
【0002】
【従来の技術】ゲートアレイ等の半導体装置内に配置さ
れ、機能セル及び複数の機能セルから成るプリミティの
組み合わせで設計されるマクロ(ハードマクロ)では、
近年のマクロの多機能化に伴って、その端子数が増加傾
向にあり、端子数がマクロサイズを支配する要因になっ
ている。マクロを含む半導体装置の配置及び配線は、コ
ンピュータを利用して行なわれる。
【0003】マクロを含む半導体装置の従来の自動配置
配線方法(従来例1)を図面を参照して説明する。図5
はこの従来例1の自動配置配線方法を示すフローチャー
ト、図6(a)及び(b)は夫々、この自動配置配線方
法でレイアウトが行われる半導体装置のマクロを含む部
分の平面図、及び、そのコーナー部(円内)の拡大平面
図である。また、図7は、その自動配置配線方法による
レイアウト結果を示す図6(b)と同じ部分の配置配線
を示す平面図である。
【0004】図5において、まず、ステップ20で、マ
クロの最適サイズをマクロの回路規模に基づいて設定
し、図6(a)に示すように自動レイアウトを行う領域
の境界12を決定する。次に、ステップ21で、マクロ
外部とのインタフェースとなるマクロ内の機能セル18
を、ステップ20で設定した自動レイアウト領域の内部
に境界12に隣接して配置する。ここで、マクロのイン
タフェースとなる機能セル18は、通常、マクロに対し
ての自動配線の配線性を考慮し、マクロの境界線12に
隣接して配置している。次いで、ステップ22で、この
インターフェイスとなる機能セルに関する条件を入れ
て、自動配置配線プログラムを利用してマクロの自動配
置配線を行う。
【0005】引き続き、ステップ23で、ステップ22
で作成したマクロの自動配置配線結果から、マクロのイ
ンタフェースとなる機能セル18の全ての端子とマクロ
の境界線12との間にマクロ外部からの配線を配置する
配線領域が確保されていることを確認する。ここで、機
能セル18の端子19とマクロの境界線12との間に必
要な配線領域が確保されていない場合には、ステップ2
2のマクロ自動配置配線を再度行うか、又は、ステップ
22で作成したマクロの自動配置配線結果を手作業等で
修正する。ステップ23での確認結果が良好ならば、ス
テップ24で、図7に示すような自動配置配線結果をレ
イアウトデータとして出力する。これによって、端子1
9はそのままマクロ外部の配線が接続されるマクロ端子
となる。
【0006】上記従来例1では、マクロ境界部での配線
領域が確保できない場合には、自動配置配線を再び繰り
返す必要が生じ、或いは、その修正作業が必要となり、
設計効率が損われる。その解決方法として、仮想ブロッ
クをマクロの端子部として利用する自動配置配線方法が
提案されている。この設計方法(従来例2)について図
面を参照して説明する。
【0007】図8は従来例2の自動配置配線方法を示す
フローチャート図である。図2(a)はこの自動配置配
線方法を行う対象回路の回路図、図9(a)及び(b)
並びに図10は、この自動配置配線方法によるレイアウ
トを示す平面図で、夫々、図6(a)及び(b)並びに
図7と同様にそのレイアウトを示している。
【0008】図8において、まずステップ25で、図2
(a)のマクロ外部の端子8とマクロのインターフェイ
スを構成する機能セル9との間に仮想ブロック10を挿
入する。その回路図を図2(b)に示す。
【0009】次に、ステップ26で、仮想ブロック32
の端子位置を設定する。次に、ステップ27で、マクロ
の最適サイズを、マクロの回路規模に基づいて設定し、
図9(a)に示す自動レイアウトを行う範囲となる境界
線12を決定する。次に、ステップ28で、図9(b)
に示す仮想ブロック32を、マクロの境界線12に隣接
して配置する。このとき、仮想ブロック32のサイズ
は、マクロ最小単位セル1つ分の大きさで定義し、仮想
ブロックの端子31は、この仮想ブロック32の領域内
に設定する。
【0010】次に、ステップ29で、ステップ28の条
件を入れて、自動配置配線プログラムを利用し、マクロ
の自動配置配線を行う。ステップ30で、ステップ29
で作成したマクロの自動配置配線結果を、図10に示す
マクロのレイアウトデータとして出力する。これによっ
て配線17に接続された端子31が、マクロのインタフ
ェースとなる端子となる。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】従来の自動配置配線方
法では、マクロのレイアウト面積が増大する欠点があ
る。つまり、従来例1の自動配置配線方法では、設計を
繰り返し行う欠点があるのみならず、マクロのインタフ
ェースとなる全ての機能セルをマクロの境界線に隣接し
て配置するので、多くの機能セルのためマクロの周囲長
が長くなり、結果としてマクロのサイズが大きくなり、
マクロの占有面積が増大するおそれがある。また、従来
例2の自動配置配線方法では、仮想ブロックの部分がマ
クロの1部として占有されてしまうため、やはり、占有
面積が増大する。
【0012】ここで、従来例1の自動配置配線方法で、
上記欠点を克服するために、マクロのインタフェースと
なる機能セルをマクロの境界線だけでなくその内側にも
配置する構成を採用する場合には、境界線から内側に行
くほど、マクロの配線が混雑し、マクロ外部からの配線
領域が確保できず設計の繰返し作業が増えるおそれがあ
る。
【0013】本発明の目的は、上記に鑑み、マクロを有
する半導体装置の自動配置配線方法において、設計の繰
返しを避けると共に、集積度が高いレイアウトを可能と
する半導体装置の自動配置配線方法を提供することにあ
る。
【0014】
【課題を解決するための手段】本発明の自動配置配線方
法は、マクロを含む半導体装置の回路情報に基づいて回
路の配置及び配線をコンピュータで行う半導体装置の自
動配置配線方法において、マクロの境界を設定するステ
ップと、前記境界に隣接し又は境界をまたいでマクロの
外部端子に対応する仮想ブロックを配置するステップ
と、前記仮想ブロックに隣接するマクロの内側領域又は
仮想ブロック内のマクロの内側領域にマクロ端子を配置
するステップと、前記マクロ端子を含むマクロの自動配
置配線を行ってマクロのレイアウトデータを求めるステ
ップと、前記レイアウトデータから前記仮想ブロックを
除いてマクロの配置配線データとするステップとを有す
ることを特徴とする。
【0015】本発明では、マクロの境界に隣接し、又
は、マクロの境界をまたいでマクロ内部の小さな領域に
延びる仮想ブロックを配置し、マクロ外部に配線を引き
出すための端子をマクロ内部に配置し、コンピュータを
利用してマクロの自動配置配線を行う。これにより、マ
クロ端子は、マクロ境界に隣接して配置されるので、他
の配線との干渉の有無を確認する必要がなく、設計の効
率化が可能である。また、仮想ブロックはマクロの自動
配置配線の完了後に除かれるので、半導体装置の集積度
を損うこともない。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照し、本発明の一
実施形態例に基づいて、本発明を更に詳細に詳細に説明
する。図1は本発明の第一の実施形態例の自動配置配線
方法を示すフローチャートである。また、図2(a)及
び(b)は夫々、この自動配置配線方法を行う対象回路
の回路図、これに仮想ブロックを挿入した回路図であ
る。更に、図3(a)及び(b)並びに図4は、本実施
形態例の自動配置配線で得られるレイアウト構成を示す
平面図であり、夫々、該レイアウトを図6(a)及び
(b)並びに図7と同様に示している。
【0017】図1のフローチャートを参照すると、まず
ステップ1では、図2(a)に示す対象回路に対して、
マクロとの信号取合いをするマクロの外部端子8と、マ
クロのインターフェイスとなる機能セル9との間に仮想
ブロック10を挿入する。その結果を図2(b)に示
す。次に、ステップ2で仮想ブロック10内に配置する
端子位置を、機能ブロック9側の仮想ブロック10に隣
接する位置となるように設定する。仮想ブロック10の
サイズは、マクロの最小単位セル1つ分の大きさで定義
し、仮想ブロックの端子14は、マクロの最小単位セル
1つ分の大きさを超えた領域に設定する。端子14の配
置に要する面積は、マクロの1つの単位セルの大きさ
の、例えば、1/10〜1/15である。
【0018】次に、ステップ3で、マクロの最適サイズ
を、マクロの回路規模に基づいて決定し、半導体装置内
の所定位置にマクロの境界12を設定し、自動レイアウ
トの領域を決定する。次に、ステップ4で、仮想ブロッ
ク10を、自動レイアウトする領域の境界線12の外側
に、マクロの境界線12に隣接する位置に配置する。こ
こで、端子14を含む仮想ブロックの一部を、境界線1
2を越えてマクロ領域内に延びるように設定する。ステ
ップ5で、ステップ4の条件を入力し、自動配置配線プ
ログラムを利用して、マクロの自動配置配線を行う。
【0019】ここで、仮想ブロック10の端子14の配
線層は、マクロが使用しない配線層を使用することで、
マクロの内部配線と短絡を生ずるおそれはない。さら
に、マクロから仮想ブロック10の端子14までの自動
配線時に、マクロの境界線12を越えて飛び出す配線の
回り込み33を防ぐために、仮想ブロック10内の端子
14の周囲を取り囲む範囲を配線禁止領域15として設
定する。この配線禁止領域の設定は、各テクノロジー毎
にライブラリ化することができ、マクロ設計のたびに行
う必要はない。
【0020】ステップ6では、ステップ5で作成したマ
クロの自動配置配線結果から、仮想ブロック10を削除
する。次いで、ステップ7で、ステップ6で作成したマ
クロの自動配置配線結果から、仮想ブロック10を削除
したデータを、図4に示すようなマクロのレイアウトデ
ータとして出力する。これによって、仮想ブロック10
を削除する前に定義されていた仮想ブロックの端子14
が存在した位置がマクロ端子16となり、このマクロ端
子16とマクロのインタフェースとの間は、マクロの配
線17によって接続される。従って、マクロ端子16か
ら外部に引き出される配線のための配線領域における干
渉を確認する必要はない。
【0021】従来例2では、マクロの領域内に、仮想ブ
ロックの領域を端子の数だけ設ける必要があったため、
例えば、規模が1KGATE程度、端子数が100のマ
クロの場合で、10%程度面積の増加があったが、本発
明では仮想ブロックは、実質的にマクロの外部に配置さ
れ且つマクロの自動配置配線後は削除されるので、マク
ロの面積が増加するおそれはない。
【0022】また、仮想ブロックをマクロの境界部に配
置するため、マクロのインタフェースとなる機能セルの
端子からマクロの境界までが自動レイアウトで配線され
ることとなり、マクロ外部からマクロ端子に至る配線と
マクロの内部配線との干渉の有無を確認する工程が不必
要になる。
【0023】以上、本発明をその好適な実施形態例に基
づいて説明したが、本発明の半導体装置の自動配置配線
方法は、上記実施形態例の構成にのみ限定されるもので
はなく、上記実施形態例の構成から種々の修正及び変更
を施したものも、本発明の範囲に含まれる。
【0024】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の自動配
置配線方法によると、マクロ外部とマクロ内部との配線
の干渉の有無を確認する工程が不要となり、且つ、マク
ロの占有面積の増加を伴うことがないので、本発明は、
集積度が高い半導体装置を効率良く設計できる自動配置
配線を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態例の自動配置配線方法を示
すフローチャート。
【図2】(a)及び(b)は夫々、図1の自動配置配線
方法の対象回路を示す模式的回路図、及び、その仮想ブ
ロック挿入後の回路図。
【図3】(a)及び(b)は夫々、図1の実施形態例に
よるマクロの境界の設定を示す平面図、及び、その境界
附近(円内)を示す拡大平面図。
【図4】図1の実施形態例の自動配置配線方法で得られ
るマクロの配置配線の平面図。
【図5】従来例1の自動配置配線方法を示すフローチャ
ート。
【図6】(a)及び(b)は夫々、従来例1の自動配置
配線方法による配置を図3(a)及び(b)と同様に示
す平面図。
【図7】従来例1の自動配置配線方法による結果を図4
と同様に示す平面図。
【図8】従来例2の自動配置配線方法を示すフローチャ
ート。
【図9】(a)及び(b)は夫々、従来例2の自動配置
配線方法による配置を図3(a)及び(b)と同様に示
す平面図。
【図10】従来例2の自動配置配線方法による結果を図
4と同様に示す平面図。
【符号の説明】
8 マクロ外部端子 9 マクロのインタフェースとなる機能セル 10 仮想ブロック 11 セルアレイ領域 12 機能セル境界線 14 仮想ブロックの端子 15 仮想ブロックの配線禁止領域 16 マクロ端子 17 マクロの内部配線 18 マクロのインタフェースとなる機能セル 19 マクロのインタフェースとなる機能セルの端子 31 仮想ブロックの端子 32 仮想ブロック 33 配線の回り込み

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マクロを含む半導体装置の回路情報に基
    づいて前記マクロ内部の回路の配置及び配線をコンピュ
    ータで行う半導体装置の自動配置配線方法において、 マクロの境界を設定するステップと、 前記境界に隣接し又は境界をまたいでマクロの外部端子
    に対応する仮想ブロックを配置するステップと、 前記仮想ブロックに隣接するマクロの内側領域又は仮想
    ブロック内のマクロの内側領域にマクロ端子を配置する
    ステップと、 前記マクロ端子を含むマクロの自動配置配線を行ってマ
    クロのレイアウトデータを求めるステップと、 前記レイアウトデータから前記仮想ブロックを削除して
    マクロの配置配線データとするステップとを有すること
    を特徴とする半導体装置の自動配置配線方法。
  2. 【請求項2】 前記回路情報に前記仮想ブロックを追加
    するステップを更に有する、請求項1に記載の半導体装
    置の自動配置配線方法。
  3. 【請求項3】 前記仮想ブロックはマクロを構成する機
    能セルの最小単位セルの大きさを有し、該仮想ブロック
    がマクロの配線禁止領域を定義する、請求項1又は2に
    記載の半導体装置の自動配置配線方法。
  4. 【請求項4】 前記境界と平行方向に並ぶ前記マクロ端
    子の両側及び境界側のマクロ端子の片側をマクロの配線
    禁止領域と定義する、請求項1又は2に記載の半導体装
    置の自動配置配線方法。
  5. 【請求項5】 前記マクロ端子を構成する配線層は、前
    記マクロの内部配線を構成する配線層とは異なる、請求
    項1乃至4のいずれか一に記載の半導体装置の自動配置
    配線方法。
JP30163597A 1997-11-04 1997-11-04 半導体装置の自動配置配線方法 Expired - Fee Related JP3204381B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30163597A JP3204381B2 (ja) 1997-11-04 1997-11-04 半導体装置の自動配置配線方法
US09/175,273 US6360354B1 (en) 1997-11-04 1998-10-20 Automatic arrangement of wiring patterns in semiconductor device
KR1019980046961A KR100280248B1 (ko) 1997-11-04 1998-11-03 반도체 장치내 배선패턴의 자동배치
CN98123745A CN1104048C (zh) 1997-11-04 1998-11-04 生成半导体装置的核的方法和生成该核的半导体装置的制造装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP30163597A JP3204381B2 (ja) 1997-11-04 1997-11-04 半導体装置の自動配置配線方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH11145289A JPH11145289A (ja) 1999-05-28
JP3204381B2 true JP3204381B2 (ja) 2001-09-04

Family

ID=17899325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP30163597A Expired - Fee Related JP3204381B2 (ja) 1997-11-04 1997-11-04 半導体装置の自動配置配線方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6360354B1 (ja)
JP (1) JP3204381B2 (ja)
KR (1) KR100280248B1 (ja)
CN (1) CN1104048C (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3270427B2 (ja) 1999-07-27 2002-04-02 エヌイーシーマイクロシステム株式会社 半導体装置の設計方法
CN1449017B (zh) * 2002-03-29 2010-10-06 清华大学 基于模块变形的集成电路宏模块布局方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59149032A (ja) 1983-02-16 1984-08-25 Nec Corp Lsi機能ブロツク
JPS6030151A (ja) 1983-07-28 1985-02-15 Nec Corp 集積回路の配線設計法
JPS63248144A (ja) 1987-04-03 1988-10-14 Toshiba Corp スタンダ−ドセル方式lsiのレイアウト方法
JP2601586B2 (ja) * 1991-10-15 1997-04-16 富士通株式会社 配置要素の配置配線方法
JPH05267454A (ja) 1992-03-18 1993-10-15 Fujitsu Ltd ハードマクロのパターンデータ生成方法
JPH0737981A (ja) 1993-07-23 1995-02-07 Mazda Motor Corp 集積回路の配線方法
US6006204A (en) * 1997-12-18 1999-12-21 International Business Machines Corporation Correlating transaction records via user-specified identifier creating uncleared transaction

Also Published As

Publication number Publication date
CN1216859A (zh) 1999-05-19
JPH11145289A (ja) 1999-05-28
KR19990044973A (ko) 1999-06-25
KR100280248B1 (ko) 2001-03-02
US6360354B1 (en) 2002-03-19
CN1104048C (zh) 2003-03-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4008629B2 (ja) 半導体装置、その設計方法、及びその設計プログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
EP0167365B1 (en) Standard cell lsis
JP4274814B2 (ja) 半導体集積回路の設計方法、設計装置、セルライブラリのデータ構造および自動レイアウトプログラム
JP3204381B2 (ja) 半導体装置の自動配置配線方法
US6477696B2 (en) Routing definition to optimize layout design of standard cells
US5952684A (en) Chip layout of semiconductor integrated circuit
JP2006155524A (ja) 半導体集積回路の検証方法、検証装置および検証プログラム
US6780745B2 (en) Semiconductor integrated circuit and method of manufacturing the same
EP0609047A2 (en) Process for fabricating an ASIC device having a gate-array function block
JP5650362B2 (ja) 半導体集積回路の設計方法
JP2910734B2 (ja) レイアウト方法
JPH10303306A (ja) 論理補償回路
JP3064925B2 (ja) レイアウト方法
JP4826055B2 (ja) 半導体集積回路装置製造方法、半導体集積回路装置製造装置、プログラム、半導体集積回路装置および半導体集積回路装置の自動配置指示方法
JP3148399B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP3611202B2 (ja) 非矩形lsiレイアウト方法
JP2580982B2 (ja) Lsi電源配線レイアウトシステム
JP3159160B2 (ja) 半導体集積回路およびそのレイアウト方法
JPH10270560A (ja) 半導体設計装置および半導体設計方法
JP2001210717A (ja) 大規模集積回路装置の自動配置配線方法
JPH08125025A (ja) マイコンコア及びそのレイアウト方法
JP3048046B2 (ja) 半導体集積回路の配線方法
JP2667274B2 (ja) スタンダードセルチップの開発支援装置
JP2002134621A (ja) マスクデータ合成方法、マスクデータ検証方法及び半導体集積装置
JP2005064343A (ja) 半導体集積回路のレイアウト設計方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080629

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090629

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 9

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 9

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100629

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110629

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120629

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130629

Year of fee payment: 12

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees