JP3168400B2 - 半導体装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置および半導体装置の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の技術分野】本願は、半導体装置および半導体装
置の製造方法、特にワイヤボンディングを行うためのパ
ッド電極に係わる半導体装置および半導体装置の製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のパッド電極は、バリアメタル層の
上に直接アルミニウム層（一般的にはアルミニウムに適
量のシリコンを含有した材料からなる層）を形成するこ
とにより構成されていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構成では、ワイヤボンディングを行う際の熱や超音
波等のダメージにより、バリアメタル層とアルミニウム
層との間で剥離が生じ易いという問題点があった。
【０００４】本願に係る発明の目的は、パッド電極部に
おける剥離を防止することが可能な半導体装置および半
導体装置の製造方法を提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】バリアメタル層とアルミ
ニウム層との間にシリサイド層を設けることによりバリ
アメタル層とアルミニウム層との密着性を向上させた。
【０００６】
【発明の実施の形態】本願に係る半導体装置は、バリア
メタル層と、このバリアメタル層上のシリサイド層と、
このシリサイド層上のアルミニウム層とによりパッド電
極を構成したものである。
【０００７】本願に係る半導体装置の製造方法は、バリ
アメタル層、シリコン層およびアルミニウム層を順次形
成し、これらをパッド電極の形状にパターニングした後
アニールによりシリコン層をシリサイド化するものであ
る。
【０００８】
【実施例】以下、本願の実施例を図面を参照して説明す
る。図１は、ＩＣにおけるパッド電極およびその周辺を
製造工程順に示した説明図である。まず、シリコン基板
１１およびこのシリコン基板１１上の層間絶縁層１２上
に、スパッタリング法によりチタン（Ｔｉ）層１３（層
厚２０ｎｍ程度）、反応性スパッタリング法によりチタ
ンナイトライド（ＴｉＮ）を用いたバリアメタル層１４
（層厚５０〜８０ｎｍ程度）、スパッタリング法により
シリコン（Ｓｉ）層１５（層厚１０〜２０ｎｍ程度）お
よびスパッタリング法によりアルミニウム（Ａｌ）層１
６（層厚８００ｎｍ程度、ここではアルミニウムに適量
のシリコンを含有した材料からなる層）を、真空を破ら
ずに連続的に形成する（工程Ａ）。つぎに、通常のフォ
トリソグラフィ工程およびエッチング工程により、チタ
ン層１３、バリアメタル層１４、シリコン層１５および
アルミニウム層１６をパターニングする。この工程によ
り同時に回路部の配線も形成される（工程Ｂ）。このよ
うにして回路配線等のパターニング工程が終了した後、
窒素雰囲気中において４００〜５００度Ｃの温度で３０
分〜１時間程度のアニール処理を行う。このアニール処
理によりシリコン層１５がバリアメタル層１４の一部と
反応してシリサイド層１７が形成される。また、このア
ニール処理により隣り合った各層間の密着性が向上す
る。最後に、保護絶縁層１８を形成した後、パッド電極
に対応してこの保護絶縁層１８に開口部を形成する（工
程Ｃ）。
【０００９】このように、アニール処理によりバリアメ
タル層１４とアルミニウム層１６との間にシリサイド層
１７が形成されるため両層の密着性が向上するととも
に、このアニール処理によって各層間の密着性が向上す
るため、ワイヤボンディングを行う際の熱や超音波等の
ダメージによってパッド電極部で剥離が生じることを防
止することができる。また、パターニング工程（工程
Ｂ）の前にアニール工程（工程Ｃ）を行った場合、パタ
ーニング工程の際にエッチングが困難になるという問題
が生じるおそれがあるが、本実施例においては上記のよ
うにパターニング工程の後にアニール工程を行っている
ため、このような問題点を回避することができる。
【００１０】なお、アルミニウム層１６は、上記実施例
のようにアルミニウムを主成分とする材料を用いた層の
ほか、アルミニウムのみを用いた層でもよい。また、バ
リアメタル層１４には上記チタンナイトライド等、一般
的には高融点金属または高融点金属化合物を用いること
ができる。
【００１１】
【発明の効果】本願に係る半導体装置では、バリアメタ
ルを用いた第１電極層とアルミニウムを主成分とする材
料を用いた第３電極層との間にシリサイドを用いた第２
電極層が形成されているので、第１電極層と第３電極層
との密着性を向上させることができる。したがって、ワ
イヤボンディングを行う際の熱や超音波等のダメージに
よってパッド電極部で剥離が生じることを防止すること
ができる。
【００１２】本願に係る半導体装置の製造方法では、ア
ニール処理によりバリアメタルを用いた第１電極層とア
ルミニウムを主成分とする材料を用いた第３電極層との
間にシリサイド層が形成されるので、第１電極層と第３
電極層との密着性を向上させることができる。また、こ
のアニール処理によって各層間の密着性も向上するた
め、ワイヤボンディングを行う際の熱や超音波等のダメ
ージによってパッド電極部で剥離が生じることを防止す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本願の実施例を示した説明図。
【符号の説明】
１４ バリアメタル層（第１電極層、第１の層） １５ シリコン層（第２の層） １６ アルミニウム層（第３電極層、第３の層） １７ シリサイド層（第２電極層）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平６−314722（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−152946（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 301

Claims (2)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 バリアメタルを用いて形成された第１電
    極層と、上記第１電極層上にシリサイドを用いて形成さ
    れた第２電極層と、上記第２電極層上にアルミニウムを
    主成分とする材料を用いて形成された第３電極層とによ
    りパッド電極を構成したことを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 半導体基板の主面側にバリアメタルを用
    いて第１の層を形成する工程と、上記第１の層上にシリ
    コンを用いて第２の層を形成する工程と、上記第２の層
    上にアルミニウムを主成分とする材料を用いて第３の層
    を形成する工程と、上記第１、第２および第３の層をパ
    ッド電極の形状にパターニングする工程と、上記パター
    ニング工程の後アニールにより上記第２の層をシリサイ
    ド化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の
    製造方法。
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040124538A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-01 Rafael Reif Multi-layer integrated semiconductor structure
AU2003297542A1 (en) * 2002-12-31 2004-07-29 Massachusetts Institute Of Technology Method of forming a multi-layer semiconductor structure incorporating a processing handle member
US7064055B2 (en) * 2002-12-31 2006-06-20 Massachusetts Institute Of Technology Method of forming a multi-layer semiconductor structure having a seamless bonding interface
CN104786533A (zh) * 2015-03-24 2015-07-22 江苏松田浅井智能科技有限公司 双点冲床连杆推拉肘杆运动机构

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4332839A (en) * 1978-12-29 1982-06-01 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for making integrated semiconductor circuit structure with formation of Ti or Ta silicide
US4507852A (en) * 1983-09-12 1985-04-02 Rockwell International Corporation Method for making a reliable ohmic contact between two layers of integrated circuit metallizations
JPH07114214B2 (ja) * 1987-08-03 1995-12-06 三菱電機株式会社 半導体装置
US4962414A (en) * 1988-02-11 1990-10-09 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Method for forming a contact VIA
JPH0795539B2 (ja) * 1989-12-04 1995-10-11 日鉄セミコンダクター株式会社 集積回路およびその製法
JPH0456359A (ja) * 1990-06-26 1992-02-24 Kawasaki Steel Corp 半導体素子構造
JPH05206134A (ja) * 1991-11-12 1993-08-13 Nec Corp 半導体装置とその製造方法
KR960010056B1 (ko) * 1992-12-10 1996-07-25 삼성전자 주식회사 반도체장치 및 그 제조 방법
JP3422055B2 (ja) * 1993-11-08 2003-06-30 株式会社デンソー 半導体装置の電極配線
US5554564A (en) * 1994-08-01 1996-09-10 Texas Instruments Incorporated Pre-oxidizing high-dielectric-constant material electrodes

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