JP3422055B2 - 半導体装置の電極配線 - Google Patents
半導体装置の電極配線Info
- Publication number
- JP3422055B2 JP3422055B2 JP27830193A JP27830193A JP3422055B2 JP 3422055 B2 JP3422055 B2 JP 3422055B2 JP 27830193 A JP27830193 A JP 27830193A JP 27830193 A JP27830193 A JP 27830193A JP 3422055 B2 JP3422055 B2 JP 3422055B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- nitride
- semiconductor device
- aluminum alloy
- plane
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 28
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 43
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 39
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 50
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 21
- 229910018509 Al—N Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 6
- 229910018594 Si-Cu Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910008465 Si—Cu Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 5
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910018125 Al-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018520 Al—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017945 Cu—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016006 MoSi Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004339 Ti-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010978 Ti—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical group 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/482—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body
- H01L23/485—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of lead-in layers inseparably applied to the semiconductor body consisting of layered constructions comprising conductive layers and insulating layers, e.g. planar contacts
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関するも
ので、特に高集積化された高信頼度な半導体装置に有効
であり、微細化する際に配線内に生じる欠落（以下「Ａ
ｌボイド」）を低減し、かつ高いバリア性が得られる電
極配線に関するものである。
ので、特に高集積化された高信頼度な半導体装置に有効
であり、微細化する際に配線内に生じる欠落（以下「Ａ
ｌボイド」）を低減し、かつ高いバリア性が得られる電
極配線に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、素子の高集積化に伴い、微細化や
多層化が必須の技術となってきており、微細化するにつ
れてアルミニウム合金配線の線幅も細く設計され、その
線幅が２〜３μｍ以下になってくるとアルミニウム合金
配線内にアルミニウム（Ａｌ）ボイドが発生する。ま
た、多層化によっても種々の薄膜を重ねるために素子の
内部構造にストレスが加えられ前述したＡｌボイドが発
生する。このＡｌボイドが大きくなると、信頼性上非常
に大きな問題となってくる。例えば、アルミニウム合金
配線の断線、アルミニウム合金配線の断面積の減少によ
る配線抵抗の増大、発熱による素子破壊、動作スピード
の遅延、大電流を通電した時にエレクトロマイグレーシ
ョンが起こる、などである。
多層化が必須の技術となってきており、微細化するにつ
れてアルミニウム合金配線の線幅も細く設計され、その
線幅が２〜３μｍ以下になってくるとアルミニウム合金
配線内にアルミニウム（Ａｌ）ボイドが発生する。ま
た、多層化によっても種々の薄膜を重ねるために素子の
内部構造にストレスが加えられ前述したＡｌボイドが発
生する。このＡｌボイドが大きくなると、信頼性上非常
に大きな問題となってくる。例えば、アルミニウム合金
配線の断線、アルミニウム合金配線の断面積の減少によ
る配線抵抗の増大、発熱による素子破壊、動作スピード
の遅延、大電流を通電した時にエレクトロマイグレーシ
ョンが起こる、などである。
【０００３】一方、配線の熱処理工程にて配線の主成分
であるＡｌと基板の主成分であるＳｉが相互拡散し、接
合破壊やコンタクト抵抗の上昇などの不具合を発生させ
る問題がある。この問題を解決するためにＴｉ，Ｍｏ，
Ｗなどの高融点金属、Ｔｉ−Ｗ系などの金属間化合物、
ＴｉＳｉ2 ，ＭｏＳｉ2 などの高融点金属シリサイド、
ＴｉＮ，ＷＮなどの高融点金属の窒化物などのバリア層
をＳｉ基板とアルミニウム合金配線との間に設ける方法
等が広く利用されている。近年、さらにバリア性を向上
させるために、これらのバリア層を一度大気暴露などを
行い、意図的に酸化させるという方法もとられている。
であるＡｌと基板の主成分であるＳｉが相互拡散し、接
合破壊やコンタクト抵抗の上昇などの不具合を発生させ
る問題がある。この問題を解決するためにＴｉ，Ｍｏ，
Ｗなどの高融点金属、Ｔｉ−Ｗ系などの金属間化合物、
ＴｉＳｉ2 ，ＭｏＳｉ2 などの高融点金属シリサイド、
ＴｉＮ，ＷＮなどの高融点金属の窒化物などのバリア層
をＳｉ基板とアルミニウム合金配線との間に設ける方法
等が広く利用されている。近年、さらにバリア性を向上
させるために、これらのバリア層を一度大気暴露などを
行い、意図的に酸化させるという方法もとられている。
【０００４】従来では、Ａｌボイドの発生を抑制するた
め、ＣｕをＡｌとＳｉの合金配線に混ぜることによって
Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配線を形成し、ＣｕをＡｌ原子の移動
の障害物として作用させていた。この金属配線として例
えば特開昭６３−１５２１４７号公報に開示された金属
配線がある。これはＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配線において、そ
の結晶面を主に（１１１）面に配向させると、Ａｌボイ
ドの発生をさらに抑制できるというものである。
め、ＣｕをＡｌとＳｉの合金配線に混ぜることによって
Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配線を形成し、ＣｕをＡｌ原子の移動
の障害物として作用させていた。この金属配線として例
えば特開昭６３−１５２１４７号公報に開示された金属
配線がある。これはＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配線において、そ
の結晶面を主に（１１１）面に配向させると、Ａｌボイ
ドの発生をさらに抑制できるというものである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このＡ
ｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配線の（１１１）面の配向性は下地の結
晶構造と密接な関係にあり、例えば高融点金属窒化膜で
あるＴｉＮ上にアルミニウム合金配線を被覆すると、結
晶面が主に（１１１）面に配向しているにもかかわらず
依然Ａｌボイドが発生していた。すなわち、ＡｌとＳｉ
の相互拡散を防止するためにバリア層を挿入すると、Ａ
ｌ合金を規則正しく（１１１）面に配向させて形成する
ことができず、その結果Ａｌボイドの発生が増加すると
いう問題があった。これは、ＴｉＮとＡｌの結晶の整合
が悪いためと考えられる。一方、酸化したＴｉＮ上のＡ
ｌの（１１１）配向は、酸化させていない場合に比べて
さらに低下するという問題があり、一般にはＡｌの（１
１１）配向を犠牲にしてバリア性を確保する方策がとら
れている。
ｌ−Ｓｉ−Ｃｕ配線の（１１１）面の配向性は下地の結
晶構造と密接な関係にあり、例えば高融点金属窒化膜で
あるＴｉＮ上にアルミニウム合金配線を被覆すると、結
晶面が主に（１１１）面に配向しているにもかかわらず
依然Ａｌボイドが発生していた。すなわち、ＡｌとＳｉ
の相互拡散を防止するためにバリア層を挿入すると、Ａ
ｌ合金を規則正しく（１１１）面に配向させて形成する
ことができず、その結果Ａｌボイドの発生が増加すると
いう問題があった。これは、ＴｉＮとＡｌの結晶の整合
が悪いためと考えられる。一方、酸化したＴｉＮ上のＡ
ｌの（１１１）配向は、酸化させていない場合に比べて
さらに低下するという問題があり、一般にはＡｌの（１
１１）配向を犠牲にしてバリア性を確保する方策がとら
れている。
【０００６】本発明は上記問題に鑑みたものであり、バ
リア層を用いたコンタクト部分におけるバリアの信頼性
を維持しつつ、Ａｌボイドの発生を低減させることを目
的としている。すなわち本発明は、バリア層上でのＡｌ
（１１１）面の配向性を向上させることにより、ボイド
の発生を抑制しようとするものである。
リア層を用いたコンタクト部分におけるバリアの信頼性
を維持しつつ、Ａｌボイドの発生を低減させることを目
的としている。すなわち本発明は、バリア層上でのＡｌ
（１１１）面の配向性を向上させることにより、ボイド
の発生を抑制しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に構成された本発明の半導体装置の電極配線は、結晶面
が主に（１１１）面に配向したＴｉＮから構成されバリ
ア層である高融点金属の第１窒化物と、この第１窒化物
上に形成され結晶面が主に（１１１）面に配向したアル
ミニウム合金配線を有する半導体装置の電極配線におい
て、前記第１窒化物と前記アルミニウム合金配線の中間
に、３元素以上から構成され、その結晶面が整合した結
晶を有する金属間化合物からなる第２窒化物を挿入した
ことを特徴としている。
に構成された本発明の半導体装置の電極配線は、結晶面
が主に（１１１）面に配向したＴｉＮから構成されバリ
ア層である高融点金属の第１窒化物と、この第１窒化物
上に形成され結晶面が主に（１１１）面に配向したアル
ミニウム合金配線を有する半導体装置の電極配線におい
て、前記第１窒化物と前記アルミニウム合金配線の中間
に、３元素以上から構成され、その結晶面が整合した結
晶を有する金属間化合物からなる第２窒化物を挿入した
ことを特徴としている。
【０００８】また上記半導体装置の電極配線において、
前記第２窒化物は、少なくともアルミニウムと前記第１
窒化物を構成している元素から構成されていることが好
ましい。また上記半導体装置の電極配線において、前記
第２窒化物の結晶構造は、その原子間距離が前記アルミ
ニウム合金および前記第１窒化物の各々の結晶構造にお
ける原子間距離の中間の値を有し、その原子間距離のず
れが前記アルミニウム合金および前記第１窒化物の各々
に対してそれぞれ５％以下であることが好ましい。
前記第２窒化物は、少なくともアルミニウムと前記第１
窒化物を構成している元素から構成されていることが好
ましい。また上記半導体装置の電極配線において、前記
第２窒化物の結晶構造は、その原子間距離が前記アルミ
ニウム合金および前記第１窒化物の各々の結晶構造にお
ける原子間距離の中間の値を有し、その原子間距離のず
れが前記アルミニウム合金および前記第１窒化物の各々
に対してそれぞれ５％以下であることが好ましい。
【０００９】
【作用】上記のように構成された本発明によれば、第１
窒化物とこの第１窒化物上に形成され結晶面が主に（１
１１）面に配向したアルミニウム合金配線の中間に、３
元素以上から構成される金属間化合物の第２窒化物を挿
入することにより、第１窒化物と第２窒化物が接合する
面の結晶構造，および第２窒化物とアルミニウム合金が
接合する面の結晶構造をそれぞれ類似構造にして結晶の
整合を良くする。
窒化物とこの第１窒化物上に形成され結晶面が主に（１
１１）面に配向したアルミニウム合金配線の中間に、３
元素以上から構成される金属間化合物の第２窒化物を挿
入することにより、第１窒化物と第２窒化物が接合する
面の結晶構造，および第２窒化物とアルミニウム合金が
接合する面の結晶構造をそれぞれ類似構造にして結晶の
整合を良くする。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、第１窒化物と第２窒化
物の結晶構造ならびに第２窒化物とアルミニウム合金の
結晶構造が共に類似となる第２窒化物を挿入し、接合す
る結晶の整合をとることにより、アルミニウム合金の
（１１１）面の配向性を向上させることができる。これ
によりアルミニウムボイドの発生を抑えることができ
る。
物の結晶構造ならびに第２窒化物とアルミニウム合金の
結晶構造が共に類似となる第２窒化物を挿入し、接合す
る結晶の整合をとることにより、アルミニウム合金の
（１１１）面の配向性を向上させることができる。これ
によりアルミニウムボイドの発生を抑えることができ
る。
【００１１】
【実施例】（第１実施例）以下、本発明における第１実
施例を図面に基づき詳細に説明する。図１は第１実施例
における半導体装置の断面図である。概略的にはシリコ
ン基板１０、シリコン基板上１０に部分的に形成された
層間絶縁膜１１、シリコン基板１０上の層間絶縁膜１１
のない部分に形成されたチタンシリサイド層１６、層間
絶縁膜１１上に形成されチタンシリサイド１６に接続さ
れたチタン層１２、チタン層１２及びチタンシリサイド
層１６上に形成された窒化チタン層１３、窒化チタン層
上に形成されたＴｉ2 ＡｌＮ等のＴｉ−Ａｌ−Ｎ層１
４、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ層１４上に形成された電極であるア
ルミニウム合金１５（Ａｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ）
から構成されている。
施例を図面に基づき詳細に説明する。図１は第１実施例
における半導体装置の断面図である。概略的にはシリコ
ン基板１０、シリコン基板上１０に部分的に形成された
層間絶縁膜１１、シリコン基板１０上の層間絶縁膜１１
のない部分に形成されたチタンシリサイド層１６、層間
絶縁膜１１上に形成されチタンシリサイド１６に接続さ
れたチタン層１２、チタン層１２及びチタンシリサイド
層１６上に形成された窒化チタン層１３、窒化チタン層
上に形成されたＴｉ2 ＡｌＮ等のＴｉ−Ａｌ−Ｎ層１
４、Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ層１４上に形成された電極であるア
ルミニウム合金１５（Ａｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ）
から構成されている。
【００１２】次に図１に示した半導体装置の製造方法を
図２を用いて説明する。この半導体装置において、図２
に示すようにシリコン基板１０上に蒸着あるいはＣＶＤ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法により例えばＰＳＧ（リンガラス）等の層間絶縁
膜１１を形成する。この層間絶縁膜１１を部分的に除去
してコンタクトホールを形成する。そして、スパッタリ
ング法により２０ｎｍの厚さのチタン層１２、反応性ス
パッタリング法により８０ｎｍの厚さの窒化チタン層１
３、さらにスパッタリング法により１００ｎｍの厚さの
Ａｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ等のアルミニウム合金１
５を連続的に成膜し、その一部がシリコン基板と電気接
続するようにする。その際、チタン層１２、窒化チタン
層１３、アルミニウム合金層１５は、途中大気暴露せず
に、連続的に成膜している。従って、各層の内部および
層の界面には、酸素はほとんど存在せず、約１ａｔ％以
下の濃度である。チタン層１２、窒化チタン層１３及び
Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜１５は成膜時の実効基板温度をある
値に設定して形成する。窒化チタン層１３はチタンをＮ
2 −Ａｒガス雰囲気のプラズマ中で反応させながら形成
させるため、組成比及び結晶構造は成膜条件、例えば実
効基板温度，成膜圧力，Ｎ2 −Ａｒガス比，ｒｆバイア
スによる自己バイアスの有無などにより微妙に異なり、
従ってアルミニウム合金１５の結晶面の（１１１）面の
配向性もその成膜条件により良くも悪くも成り得る。図
３はＡｌ（１１１）面に対するＸ線回折の結果である
が、成膜時の実効基板温度に対するＡｌ（１１１）面の
回折強度の変化を調べると、実効基板温度が２３０〜３
００℃の範囲でＡｌ（１１１）面の配向性は最も強くな
る。図４はアルミニウム合金の成膜温度に対するＸ線回
折強度を示したものであるが、上記の２３０〜３００℃
の範囲でＡｌ（１１１）面の配向性は最も強くなるとい
う関係を顕著に示している。なお、熱処理によりその配
向性はさらに上昇するがその理由は後述する。
図２を用いて説明する。この半導体装置において、図２
に示すようにシリコン基板１０上に蒸着あるいはＣＶＤ
（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏ
ｎ）法により例えばＰＳＧ（リンガラス）等の層間絶縁
膜１１を形成する。この層間絶縁膜１１を部分的に除去
してコンタクトホールを形成する。そして、スパッタリ
ング法により２０ｎｍの厚さのチタン層１２、反応性ス
パッタリング法により８０ｎｍの厚さの窒化チタン層１
３、さらにスパッタリング法により１００ｎｍの厚さの
Ａｌ−１％Ｓｉ−０．５％Ｃｕ等のアルミニウム合金１
５を連続的に成膜し、その一部がシリコン基板と電気接
続するようにする。その際、チタン層１２、窒化チタン
層１３、アルミニウム合金層１５は、途中大気暴露せず
に、連続的に成膜している。従って、各層の内部および
層の界面には、酸素はほとんど存在せず、約１ａｔ％以
下の濃度である。チタン層１２、窒化チタン層１３及び
Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜１５は成膜時の実効基板温度をある
値に設定して形成する。窒化チタン層１３はチタンをＮ
2 −Ａｒガス雰囲気のプラズマ中で反応させながら形成
させるため、組成比及び結晶構造は成膜条件、例えば実
効基板温度，成膜圧力，Ｎ2 −Ａｒガス比，ｒｆバイア
スによる自己バイアスの有無などにより微妙に異なり、
従ってアルミニウム合金１５の結晶面の（１１１）面の
配向性もその成膜条件により良くも悪くも成り得る。図
３はＡｌ（１１１）面に対するＸ線回折の結果である
が、成膜時の実効基板温度に対するＡｌ（１１１）面の
回折強度の変化を調べると、実効基板温度が２３０〜３
００℃の範囲でＡｌ（１１１）面の配向性は最も強くな
る。図４はアルミニウム合金の成膜温度に対するＸ線回
折強度を示したものであるが、上記の２３０〜３００℃
の範囲でＡｌ（１１１）面の配向性は最も強くなるとい
う関係を顕著に示している。なお、熱処理によりその配
向性はさらに上昇するがその理由は後述する。
【００１３】本実施例の半導体装置は、図２に示す半導
体装置を４５０℃で３０分以上熱処理することにより形
成する。チタンシリサイド層１６はチタン層１２がシリ
コン基板１０と接続する部分にて反応して形成されたも
のである。一方、窒化チタン層１３とアルミニウム合金
１５の間のおいて、ＴｉとＡｌとＮが反応してＴｉ−Ａ
ｌ−Ｎ層１４が形成される。Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ層１４であ
るＴｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物は、ある成膜条件の範囲では
微量ながら熱処理することなく形成されるが、４５０℃
で熱処理すると明らかに多量に形成される。表１は成膜
条件とＴｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物の生成の関係をまとめた
ものである。
体装置を４５０℃で３０分以上熱処理することにより形
成する。チタンシリサイド層１６はチタン層１２がシリ
コン基板１０と接続する部分にて反応して形成されたも
のである。一方、窒化チタン層１３とアルミニウム合金
１５の間のおいて、ＴｉとＡｌとＮが反応してＴｉ−Ａ
ｌ−Ｎ層１４が形成される。Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ層１４であ
るＴｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物は、ある成膜条件の範囲では
微量ながら熱処理することなく形成されるが、４５０℃
で熱処理すると明らかに多量に形成される。表１は成膜
条件とＴｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物の生成の関係をまとめた
ものである。
【００１４】
【表１】
【００１５】Ｎｏ．６の条件にて最もＴｉ−Ａｌ−Ｎ系
化合物が形成されていることが分かる。そこでＮｏ．６
の条件で成膜したときの熱処理前と熱処理後においてＸ
線回折測定を行うと、Ａｌ（１１１）面の回折強度は熱
処理により図５に示す通り約１．１倍に増大する。また
図５を拡大すると、図６に示す通りＴｉＮ（１１１）面
の回折ピークとともにＴｉ2ＡｌＮ，Ｔｉ3ＡｌＮ，Ｔｉ
3Ａｌ2Ｎ2の化合物からの回折ピークも検出されている
ことが分かる。熱処理によるＡｌ（１１１）面の配向性
の向上は、Ａｌ結晶粒が成長することとともに、Ａｌ合
金／ＴｉＮ界面におけるＴｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物の生成
が関与している。Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物はＡｌおよび
ＴｉＮの成分を全て含むため、結晶構造すなわち原子の
並びがＡｌとＴｉＮの双方に極めて近く、また原子間距
離も非常に近い。図７〜９は、各々Ｔｉ 3 ＡｌＮ，Ａ
ｌ，ＴｉＮの結晶構造とこれらが接合する各（１１１）
面の原子の並びおよび原子間距離を示している。これら
３つの物質の原子の並びは等しく、またＴｉ3ＡｌＮの
原子間距離はＡｌおよびＴｉＮの中間の値をもち、Ａｌ
に対して約２％、ＴｉＮに対して約３％のずれである。
一般に、結晶整合するための結晶格子歪はおよそ５％以
下といわれており、ここでのＡｌ（１１１）面の配向性
の向上は、まさにＴｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物がＡｌおよび
ＴｉＮと結晶整合したことによって引き起こされたと考
えられる。図１０はＮｏ．６にて作製した半導体装置の
Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ層１４の透過電子顕微鏡写真であり、膜
を断面方向から観察したものである。Ａｌ合金とＴｉＮ
の間に厚さ約４ｎｍのＴｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物の層が確
認できる。図１１はその部分を拡大したものであり、規
則正しく並ぶ原子の面にて電子が回折現象を起こすこと
により発生する格子縞が観察される。規則正しく現れる
格子縞の領域は、結晶の存在を意味する。ＡｌとＴｉＮ
の結晶粒の間には、数原子オーダーの微結晶粒が多く形
成されているが、その中に正しく結晶面が整合したＴｉ
3ＡｌＮを明確に観察することができる。このような化
合物をＡｌ／ＴｉＮ界面に多量に形成させることにより
アルミニウム合金１５配線の（１１１）面の配向性を飛
躍的に向上することができる。
化合物が形成されていることが分かる。そこでＮｏ．６
の条件で成膜したときの熱処理前と熱処理後においてＸ
線回折測定を行うと、Ａｌ（１１１）面の回折強度は熱
処理により図５に示す通り約１．１倍に増大する。また
図５を拡大すると、図６に示す通りＴｉＮ（１１１）面
の回折ピークとともにＴｉ2ＡｌＮ，Ｔｉ3ＡｌＮ，Ｔｉ
3Ａｌ2Ｎ2の化合物からの回折ピークも検出されている
ことが分かる。熱処理によるＡｌ（１１１）面の配向性
の向上は、Ａｌ結晶粒が成長することとともに、Ａｌ合
金／ＴｉＮ界面におけるＴｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物の生成
が関与している。Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物はＡｌおよび
ＴｉＮの成分を全て含むため、結晶構造すなわち原子の
並びがＡｌとＴｉＮの双方に極めて近く、また原子間距
離も非常に近い。図７〜９は、各々Ｔｉ 3 ＡｌＮ，Ａ
ｌ，ＴｉＮの結晶構造とこれらが接合する各（１１１）
面の原子の並びおよび原子間距離を示している。これら
３つの物質の原子の並びは等しく、またＴｉ3ＡｌＮの
原子間距離はＡｌおよびＴｉＮの中間の値をもち、Ａｌ
に対して約２％、ＴｉＮに対して約３％のずれである。
一般に、結晶整合するための結晶格子歪はおよそ５％以
下といわれており、ここでのＡｌ（１１１）面の配向性
の向上は、まさにＴｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物がＡｌおよび
ＴｉＮと結晶整合したことによって引き起こされたと考
えられる。図１０はＮｏ．６にて作製した半導体装置の
Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ層１４の透過電子顕微鏡写真であり、膜
を断面方向から観察したものである。Ａｌ合金とＴｉＮ
の間に厚さ約４ｎｍのＴｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物の層が確
認できる。図１１はその部分を拡大したものであり、規
則正しく並ぶ原子の面にて電子が回折現象を起こすこと
により発生する格子縞が観察される。規則正しく現れる
格子縞の領域は、結晶の存在を意味する。ＡｌとＴｉＮ
の結晶粒の間には、数原子オーダーの微結晶粒が多く形
成されているが、その中に正しく結晶面が整合したＴｉ
3ＡｌＮを明確に観察することができる。このような化
合物をＡｌ／ＴｉＮ界面に多量に形成させることにより
アルミニウム合金１５配線の（１１１）面の配向性を飛
躍的に向上することができる。
【００１６】前述したようにＴｉ−Ａｌ−Ｎ層１４であ
るＴｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物は、ＡｌとＴｉＮとの反応に
より形成することから、ＴｉＮの膜質に大きく影響をう
けるため、その成膜条件には制約がある。成膜時の実効
基板温度は２００〜３００℃の範囲に設定することが望
ましいが、Ａｌ合金配線の成膜中にＡｌ粒に不具合が生
じる可能性がある場合には、成膜時には１００〜１５０
℃まで温度を下げ、成膜完了後に２００〜３００℃で数
１０分熱処理しても良く、この場合にも先と同様の効果
が得られる。一方Ｎ2 −Ａｒガスの成膜圧力は、Ａｌの
配向性に大きく係わり、２〜７ｍＴｏｒｒが適当と考え
られるが、低圧ではＴｉＮの緻密性が低下するため前述
の反応が不十分となる可能性があることから５〜７ｍＴ
ｏｒｒの範囲が最適と考える。実験として成膜圧力を
３．３〜５．５ｍＴｏｒｒに上げると、Ａｌボイドの発
生は約３分の１に低減できることを確認した。
るＴｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物は、ＡｌとＴｉＮとの反応に
より形成することから、ＴｉＮの膜質に大きく影響をう
けるため、その成膜条件には制約がある。成膜時の実効
基板温度は２００〜３００℃の範囲に設定することが望
ましいが、Ａｌ合金配線の成膜中にＡｌ粒に不具合が生
じる可能性がある場合には、成膜時には１００〜１５０
℃まで温度を下げ、成膜完了後に２００〜３００℃で数
１０分熱処理しても良く、この場合にも先と同様の効果
が得られる。一方Ｎ2 −Ａｒガスの成膜圧力は、Ａｌの
配向性に大きく係わり、２〜７ｍＴｏｒｒが適当と考え
られるが、低圧ではＴｉＮの緻密性が低下するため前述
の反応が不十分となる可能性があることから５〜７ｍＴ
ｏｒｒの範囲が最適と考える。実験として成膜圧力を
３．３〜５．５ｍＴｏｒｒに上げると、Ａｌボイドの発
生は約３分の１に低減できることを確認した。
【００１７】最後に、前述のように形成した本実施例の
半導体装置が充分なバリア性を有するか否かの確認を、
オージェ電子分光装置による深さ方向組成分布を用いて
調べた。図１２に示す深さ方向組成プロファイルは、成
膜後の熱処理温度に関する構成元素の分布を表している
が、４５０℃，３０分後においてもＡｌおよびＳｉはバ
リア層であるＴｉＮを貫通して拡散しておらず、バリア
性は維持されている。しかし６００℃，３０分の熱処理
ではＡｌとＳｉはそれぞれ基板および表面にて検出され
ており、バリア性は失われる。したがって、Ａｌ合金／
ＴｉＮ界面にてＴｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物が形成されて
も、バリア性は充分維持されていることが分かる。また
熱処理の前後において、各層の内部および層界面で酸素
が全く検出されていないことも特徴の１つである。
半導体装置が充分なバリア性を有するか否かの確認を、
オージェ電子分光装置による深さ方向組成分布を用いて
調べた。図１２に示す深さ方向組成プロファイルは、成
膜後の熱処理温度に関する構成元素の分布を表している
が、４５０℃，３０分後においてもＡｌおよびＳｉはバ
リア層であるＴｉＮを貫通して拡散しておらず、バリア
性は維持されている。しかし６００℃，３０分の熱処理
ではＡｌとＳｉはそれぞれ基板および表面にて検出され
ており、バリア性は失われる。したがって、Ａｌ合金／
ＴｉＮ界面にてＴｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物が形成されて
も、バリア性は充分維持されていることが分かる。また
熱処理の前後において、各層の内部および層界面で酸素
が全く検出されていないことも特徴の１つである。
【００１８】以上のように本実施例では、第１窒化物で
あるＴｉＮ層１３とアルミニウム合金１５の間に第２窒
化物であるＴｉ−Ａｌ−Ｎ層１４を挿入して結晶構造を
類似構造にすることにより、アルミニウム合金の（１１
１）面の配向性を向上させることができる。これにより
ＴｉＮのバリア層としての信頼性を維持しつつ、アルミ
ニウムボイドの発生を抑えることができる。そしてこの
結果、アルミニウム合金配線の断線，アルミニウム合金
配線の断面積の減少による配線抵抗の増大，発熱による
素子破壊，動作スピードの遅延，大電流を通電した時に
起こるエレクトロマイグレーション等を防止することが
できる。
あるＴｉＮ層１３とアルミニウム合金１５の間に第２窒
化物であるＴｉ−Ａｌ−Ｎ層１４を挿入して結晶構造を
類似構造にすることにより、アルミニウム合金の（１１
１）面の配向性を向上させることができる。これにより
ＴｉＮのバリア層としての信頼性を維持しつつ、アルミ
ニウムボイドの発生を抑えることができる。そしてこの
結果、アルミニウム合金配線の断線，アルミニウム合金
配線の断面積の減少による配線抵抗の増大，発熱による
素子破壊，動作スピードの遅延，大電流を通電した時に
起こるエレクトロマイグレーション等を防止することが
できる。
【００１９】なお、本実施例においてはＴｉ−Ａｌ−Ｎ
層１４であるＴｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物を形成する方法と
して、アルミニウム合金１５と窒化チタン１３の接合面
を熱処理することによって形成したが、本発明において
はＴｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物の形成方法はどのようなもの
でも良く、例えば蒸着，ＣＶＤ，ＭＢＥ，スパッタリン
グ等によりＴｉ3 ＡｌＮ等を直接ＴｉＮ上に形成しても
良いし、また上記方法によりアルミニウムをＴｉＮに注
入しその後熱処理によってＴｉ3 ＡｌＮ等を形成しても
良い。また上記実施例では第１窒化物としてＴｉＮを用
いたが、窒素の化合物であれば任意にその成分を変更で
き、例えばＷ−Ｎ系化合物等を用いても良い。またアル
ミニウム合金はＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕに限られたものではな
く、例えばアルミニウム金属やＡｌ−Ｔｉ−Ｓｉ，Ａｌ
−Ｃｕ，Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｃｕ−Ｔｉ等
の他の合金を用いても良い。そしてバリア層は高融点金
属，高融点金属の窒化物，高融点金属シリサイド等で構
成されていても良い。また第２窒化物は一層で構成され
ている必要はなく多層で構成されていても良い。ここで
多層構造とは、積層内部での結晶性をさらに緩和させる
ため、結晶構造または原子間距離が僅かに異なる物質を
大きさの順に積層したものである。
層１４であるＴｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物を形成する方法と
して、アルミニウム合金１５と窒化チタン１３の接合面
を熱処理することによって形成したが、本発明において
はＴｉ−Ａｌ−Ｎ系化合物の形成方法はどのようなもの
でも良く、例えば蒸着，ＣＶＤ，ＭＢＥ，スパッタリン
グ等によりＴｉ3 ＡｌＮ等を直接ＴｉＮ上に形成しても
良いし、また上記方法によりアルミニウムをＴｉＮに注
入しその後熱処理によってＴｉ3 ＡｌＮ等を形成しても
良い。また上記実施例では第１窒化物としてＴｉＮを用
いたが、窒素の化合物であれば任意にその成分を変更で
き、例えばＷ−Ｎ系化合物等を用いても良い。またアル
ミニウム合金はＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕに限られたものではな
く、例えばアルミニウム金属やＡｌ−Ｔｉ−Ｓｉ，Ａｌ
−Ｃｕ，Ａｌ−Ｓｉ，Ａｌ−Ｔｉ，Ａｌ−Ｃｕ−Ｔｉ等
の他の合金を用いても良い。そしてバリア層は高融点金
属，高融点金属の窒化物，高融点金属シリサイド等で構
成されていても良い。また第２窒化物は一層で構成され
ている必要はなく多層で構成されていても良い。ここで
多層構造とは、積層内部での結晶性をさらに緩和させる
ため、結晶構造または原子間距離が僅かに異なる物質を
大きさの順に積層したものである。
【図１】本発明の第１実施例における半導体装置を示す
断面図である。
断面図である。
【図２】図１に示した半導体装置の製造方法を示す断面
図である。
図である。
【図３】図１に示した半導体装置のＡｌ（１１１）面の
Ｘ線回折図である。
Ｘ線回折図である。
【図４】図１に示した半導体装置のＡｌ（１１１）面の
成膜温度に対する回折強度の変化を示すＸ線回折図であ
る。
成膜温度に対する回折強度の変化を示すＸ線回折図であ
る。
【図５】図１に示した半導体装置のＡｌ（１１１）面の
Ｘ線回折図である。
Ｘ線回折図である。
【図６】図１に示した半導体装置のＸ線回折図である。
【図７】Ｔｉ3 ＡｌＮ（１１１）の結晶構造を示す図で
ある。
ある。
【図８】Ａｌ（１１１）の結晶構造を示す図である。
【図９】ＴｉＮ（１１１）の結晶構造を示す図である。
【図１０】図１に示した半導体装置のＴｉ−Ａｌ−Ｎ層
の透過電子顕微鏡写真である。
の透過電子顕微鏡写真である。
【図１１】図１１を拡大した透過電子顕微鏡写真であ
る。
る。
【図１２】図１に示した半導体装置のオージェ電子分光
装置による組成分布解析を示す図である。
装置による組成分布解析を示す図である。
１０ シリコン基板
１１ 層間絶縁膜
１２ チタン層
１３ 窒化チタン層
１４ Ｔｉ−Ａｌ−Ｎ層
１５ アルミニウム合金
１６ チタンシリサイド層
１７ コンタクトホール
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−286323（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−77933（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−346435（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−343401（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/28 - 21/288
H01L 21/3205 - 21/3213
H01L 21/768
Claims (5)
- 【請求項１】 結晶面が主に（１１１）面に配向したＴ
ｉＮから構成されバリア層である高融点金属の第１窒化
物と、この第１窒化物上に形成され結晶面が主に（１１
１）面に配向したアルミニウム合金配線を有する半導体
装置の電極配線において、 前記第１窒化物と前記アルミニウム合金配線の中間に、
３元素以上から構成され、その結晶面が整合した結晶を
有する金属間化合物からなる第２窒化物を挿入したこと
を特徴とする半導体装置の電極配線。 - 【請求項２】 前記第２窒化物は、少なくともアルミニ
ウムと前記第１窒化物を構成している元素から構成され
ていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の電
極配線。 - 【請求項３】 前記第２窒化物の結晶構造は、その原子
間距離が前記アルミニウム合金および前記第１窒化物の
各々の結晶構造における原子間距離の中間の値を有し、
その原子間距離のずれが前記アルミニウム合金および前
記第１窒化物の各々に対してそれぞれ５％以下であるこ
とを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の
電極配線。 - 【請求項４】 前記第２窒化物は、結晶面が主に（１１
１）面に配向したＴｉ3ＡｌＮを有し、４ｎｍの膜厚を
有して形成されていることを特徴とする請求項１乃至３
の何れかに記載の半導体装置の電極配線。 - 【請求項５】 前記第１窒化物，前記第２窒化物及び前
記アルミニウム合金配線の各層の内部及び層界面には、
酸素がほとんど存在していないことを特徴とする請求項
１乃至４の何れかに記載の半導体装置の電極配線。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27830193A JP3422055B2 (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | 半導体装置の電極配線 |
| US08/754,383 US5703403A (en) | 1993-11-08 | 1996-11-21 | Electrode for semiconductor device and method for producing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27830193A JP3422055B2 (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | 半導体装置の電極配線 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130742A JPH07130742A (ja) | 1995-05-19 |
| JP3422055B2 true JP3422055B2 (ja) | 2003-06-30 |
Family
ID=17595446
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27830193A Expired - Lifetime JP3422055B2 (ja) | 1993-11-08 | 1993-11-08 | 半導体装置の電極配線 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5703403A (ja) |
| JP (1) | JP3422055B2 (ja) |
Families Citing this family (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100320364B1 (ko) * | 1993-03-23 | 2002-04-22 | 가와사키 마이크로 엘렉트로닉스 가부시키가이샤 | 금속배선및그의형성방법 |
| DE19515564B4 (de) | 1994-04-28 | 2008-07-03 | Denso Corp., Kariya | Elektrode für ein Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung derselben |
| JPH09115829A (ja) * | 1995-10-17 | 1997-05-02 | Nissan Motor Co Ltd | アルミニウム配線部を有する半導体装置およびその製造方法 |
| JP3168400B2 (ja) * | 1996-01-19 | 2001-05-21 | 日本プレシジョン・サーキッツ株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US6040613A (en) * | 1996-01-19 | 2000-03-21 | Micron Technology, Inc. | Antireflective coating and wiring line stack |
| US5700718A (en) * | 1996-02-05 | 1997-12-23 | Micron Technology, Inc. | Method for increased metal interconnect reliability in situ formation of titanium aluminide |
| US6239492B1 (en) * | 1996-05-08 | 2001-05-29 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor structure with a titanium aluminum nitride layer and method for fabricating same |
| US5760474A (en) * | 1996-07-09 | 1998-06-02 | Micron Technology, Inc. | Capacitor, integrated circuitry, diffusion barriers, and method for forming an electrically conductive diffusion barrier |
| GB2319532B (en) * | 1996-11-22 | 2001-01-31 | Trikon Equip Ltd | Method and apparatus for treating a semiconductor wafer |
| KR100414745B1 (ko) * | 1996-12-31 | 2004-03-30 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의금속배선형성방법 |
| JP3635875B2 (ja) * | 1997-06-25 | 2005-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜方法及び膜積層構造 |
| KR100385946B1 (ko) * | 1999-12-08 | 2003-06-02 | 삼성전자주식회사 | 원자층 증착법을 이용한 금속층 형성방법 및 그 금속층을장벽금속층, 커패시터의 상부전극, 또는 하부전극으로구비한 반도체 소자 |
| JPH11220025A (ja) * | 1998-02-03 | 1999-08-10 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6284316B1 (en) | 1998-02-25 | 2001-09-04 | Micron Technology, Inc. | Chemical vapor deposition of titanium |
| US6383915B1 (en) * | 1999-02-03 | 2002-05-07 | Applied Materials, Inc. | Tailoring of a wetting/barrier layer to reduce electromigration in an aluminum interconnect |
| JP2001060590A (ja) | 1999-08-20 | 2001-03-06 | Denso Corp | 半導体装置の電気配線及びその製造方法 |
| KR100455380B1 (ko) * | 2002-02-27 | 2004-11-06 | 삼성전자주식회사 | 다층 배선 구조를 구비한 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| JP5010121B2 (ja) * | 2005-08-17 | 2012-08-29 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2008147252A (ja) * | 2006-12-06 | 2008-06-26 | Renesas Technology Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| DE102007000015B4 (de) * | 2007-01-15 | 2016-08-11 | Denso Corporation | Metallelektrode-Keramik-Verbundkörper und Verfahren zur Herstellung desselben |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4141022A (en) * | 1977-09-12 | 1979-02-20 | Signetics Corporation | Refractory metal contacts for IGFETS |
| JPS5947741A (ja) * | 1982-09-13 | 1984-03-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0687464B2 (ja) * | 1986-12-17 | 1994-11-02 | 日本電装株式会社 | アルミニウム合金配線装置およびその製造方法 |
| JP2537413B2 (ja) * | 1989-03-14 | 1996-09-25 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| JPH033395A (ja) * | 1989-05-31 | 1991-01-09 | Taiyo Yuden Co Ltd | セラミック多層配線基板 |
| JPH03262127A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0442537A (ja) * | 1990-06-08 | 1992-02-13 | Fujitsu Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
-
1993
- 1993-11-08 JP JP27830193A patent/JP3422055B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-11-21 US US08/754,383 patent/US5703403A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07130742A (ja) | 1995-05-19 |
| US5703403A (en) | 1997-12-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3422055B2 (ja) | 半導体装置の電極配線 | |
| US5290731A (en) | Aluminum metallization method | |
| JP3435194B2 (ja) | 半導体装置の配線層形成方法及び半導体装置 | |
| JP2811131B2 (ja) | 半導体装置の配線接続構造およびその製造方法 | |
| EP0735586B1 (en) | Semi-conductor structures | |
| EP0843895B1 (en) | Method of manufacturing a metal interconnect structure for an integrated circuit with improved electromigration reliability | |
| US5700718A (en) | Method for increased metal interconnect reliability in situ formation of titanium aluminide | |
| EP0354717A2 (en) | Semi-conductor device and method of manufacturing such a device | |
| US5506449A (en) | Interconnection structure for semiconductor integrated circuit and manufacture of the same | |
| US20150333006A1 (en) | Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device | |
| JPH0653163A (ja) | 集積回路障壁構造体とその製法 | |
| US6066891A (en) | Electrode for semiconductor device including an alloy wiring layer for reducing defects in an aluminum layer and method for manufacturing the same | |
| US5763948A (en) | Semiconductor apparatus including a tin barrier layer having a (III) crystal lattice direction | |
| US6239492B1 (en) | Semiconductor structure with a titanium aluminum nitride layer and method for fabricating same | |
| JP3158598B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JP2600593B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| US6045892A (en) | Metal wiring structures for integrated circuits including seed layer | |
| US6051490A (en) | Method of forming wirings | |
| JP2757796B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP3128961B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP3346794B2 (ja) | 半導体装置及びその形成方法 | |
| JP3379278B2 (ja) | 電極配線およびその製造方法 | |
| JPH05102154A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3017810B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0695516B2 (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030325 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090425 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100425 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100425 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110425 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120425 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120425 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130425 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130425 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140425 Year of fee payment: 11 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |