JP2001035854A - 膜の形成方法および電極あるいは配線の形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】低コストに、所望の膜や電極あるいは配線を配
置することができる方法を提供する。 【解決手段】シリコン基板１の上において電極部３と絶
縁膜２が露出した状態から、シリコン基板１の上に金属
膜４を成膜し、さらに、金属膜４の上に、金属膜４と下
地との界面にかかる応力を調整するための応力調整膜５
を形成する。そして、粘着シート７を用いて電極部３の
上の金属膜４を残し絶縁膜２の上の金属膜４を剥離す
る。金属膜４を成膜した後においては、電極部３と金属
膜４との間の密着力、および絶縁膜２と金属膜４との間
の密着力が強く、電極部３から金属膜４を、また、絶縁
膜２から金属膜４を剥離することができない状態となっ
ているが、応力調整膜５により、絶縁膜２と金属膜４と
の間の密着力が剥離可能な範囲まで低下する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は膜の形成方法およ
び電極あるいは配線の形成方法に係り、詳しくは、例え
ば、基板上での所望の領域（例えば、バンプ形成領域）
に金属膜を配置する技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの金属電極形成方法とし
て、ホトリソグラフィーを用いたパターン形成方法がよ
く知られており、これにより、所望の領域に電極を形成
することができる。また、この他の手法として、フリッ
プチップ工程での、Ｃｕバンプ用のアンダーバンプメタ
ル膜（以下、ＵＢＭ膜という）の形成の際に、保護膜と
下地電極との密着性の差を利用して粘着シートによりＵ
ＢＭ膜を選択的に除去する手法も提案されている（特開
平１０−６４９１２号公報）。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところが、前述のホト
リソグラフィーを用いた金属電極の形成方法において
は、ホトリソおよびエッチング工程での設備やプロセス
コストが非常に高いという問題がある。また、ＵＢＭ膜
を選択的に粘着シートで除去する方法に関しては、更に
安定して剥離を行いたいという要求がある。

【０００４】そこで、この発明の目的は、低コストに、
所望の膜や電極あるいは配線を配置することができる方
法を提供することにある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の膜の形
成方法によれば、第１の材質およびそれとは異なる第２
の材質が露出された下地の表面上に膜を成膜する際に、
該膜の全応力が調整されて、膜と第１の材質との密着力
と、膜と第２の材質との密着力の差が制御される。つま
り、膜と第１の材質との密着力、および膜と第２の材質
との密着力が強く、第１の材質から膜を、また、第２の
材質から膜を剥離することができない状態に対し、膜の
全応力（total stress）を制御することにより、第１の
材質と膜との間の密着力が剥離可能な範囲まで低下す
る。なお、全応力とは、膜厚と内部応力との乗算値（全
応力＝膜厚×内部応力）である。

【０００６】そして、第１の材質上に位置する該膜が除
去されて、第２の材質上に位置する該膜が選択的に残さ
れる。その結果、従来のホトリソグラフィーを用いた方
法のようなホトリソおよびエッチング工程での設備やプ
ロセスコストが非常に高くなることが回避されるととも
に、従来のＵＢＭ膜を選択的に粘着シートで除去する方
法に比べ更に安定して剥離することができるようにな
る。このようにして、低コストに、所望の膜を配置する
ことができる。

【０００７】請求項１８に記載の電極あるいは配線の形
成方法によれば、その表面に金属あるいはシリコンと絶
縁膜とが露出されたシリコンウェハの表面上に金属膜
を、当該金属膜の全応力が金属あるいはシリコン上、絶
縁膜上においてともに増大するように成膜して、当該全
応力の増大により金属膜と絶縁膜との密着力を低下させ
る。このとき、金属あるいはシリコンと金属膜との間の
密着力、および絶縁膜と金属膜との間の密着力が強く、
金属あるいはシリコンから金属膜を、また、絶縁膜から
金属膜を剥離することができない状態に対し、金属膜の
全応力（total stress）を制御することにより、絶縁膜
と金属膜との間の密着力が剥離可能な範囲まで低下す
る。

【０００８】そして、この状態でシリコンウェハ上に粘
着シートを貼着し、そして当該粘着シートを剥がすこと
により絶縁膜上に位置する金属膜を粘着シートに被着さ
せてシリコンウェハ上から剥離し、金属あるいはシリコ
ン上に位置する金属膜をシリコンウェハ上に残存させ
る。

【０００９】その結果、従来のホトリソグラフィーを用
いた方法のようなホトリソおよびエッチング工程での設
備やプロセスコストが非常に高くなることが回避される
とともに、従来のＵＢＭ膜を選択的に粘着シートで除去
する方法に比べ更に安定して剥離することができるよう
になる。このようにして、剥離が容易で、かつ、低コス
トに、電極部または配線部の上に金属膜を配置すること
ができる。

【００１０】請求項２６に記載の電極あるいは配線の形
成方法によれば、基板の上において電極部または配線部
と絶縁膜が露出した状態から、当該基板の上に金属膜が
成膜される。このとき、電極部または配線部と金属膜と
の間の密着力、および絶縁膜と金属膜との間の密着力が
強く、電極部または配線部から金属膜を、また、絶縁膜
から金属膜を剥離することができない状態に対し、金属
膜の全応力（total stress）を制御することにより、絶
縁膜と金属膜との間の密着力が剥離可能な範囲まで低下
する。そして、電極部または配線部の上の金属膜を残し
絶縁膜の上の金属膜が剥離される。

【００１１】その結果、従来のホトリソグラフィーを用
いた方法のようなホトリソおよびエッチング工程での設
備やプロセスコストが非常に高くなることが回避される
とともに、従来のＵＢＭ膜を選択的に粘着シートで除去
する方法に比べ更に安定して剥離することができるよう
になる。このようにして、剥離が容易で、かつ、低コス
トに、電極部または配線部の上に金属膜を配置すること
ができる。

【００１２】また、請求項２７に記載の電極あるいは配
線の形成方法によれば、基板の上において電極部または
配線部と絶縁膜が露出した状態から、当該基板の上に金
属膜が成膜される。このとき、電極部または配線部と金
属膜との間の密着力、および絶縁膜と金属膜との間の密
着力が強く、電極部または配線部から金属膜を、また、
絶縁膜から金属膜を剥離することができない状態となっ
ている。

【００１３】さらに、金属膜の上に、当該金属膜と下地
との界面にかかる応力を調整するための応力調整膜が形
成され、この応力調整膜により、絶縁膜と金属膜との間
の密着力が剥離可能な範囲まで低下する。そして、電極
部または配線部の上の金属膜を残し絶縁膜の上の金属膜
が剥離される。

【００１４】その結果、従来のホトリソグラフィーを用
いた方法のようなホトリソおよびエッチング工程での設
備やプロセスコストが非常に高くなることが回避される
とともに、従来のＵＢＭ膜を選択的に粘着シートで除去
する方法に比べ更に安定して剥離することができるよう
になる。このようにして、剥離が容易で、かつ、低コス
トに、電極部または配線部の上に金属膜を配置すること
ができる。

【００１５】

【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）以下、この
発明を具体化した第１の実施の形態を図面に従って説明
する。

【００１６】図１（ａ）〜（ｄ）には、本実施形態にお
ける半導体装置の製造工程を示す。本実施形態において
は、一般にパワー素子と呼ばれる半導体デバイスに具体
化している。その半導体デバイスの詳細については後ほ
ど説明する。

【００１７】まず、図１（ａ）に示すように、半導体基
板であるシリコン基板１を用意する。そして、ウェハ状
態のシリコン基板１に対し一般的な半導体デバイス製造
技術を用いてトランジスタ等の素子（図示略）を形成す
る。さらに、シリコン基板１の上にＣＶＤ法などにより
絶縁膜２を形成する。この絶縁膜２はＢＰＳＧ（Ｂoron
- Ｐhosphorus Ｓilicate Ｇlass）膜やＰＳＧ（Ｐhosp
horus Ｓilicate Ｇlass）膜などから成る。さらに、こ
の絶縁膜２に対しシリコン基板内部（バルク部分）と導
通を得るためにフォトリソグラフィー手法により開口部
２ａを形成する。引き続き、開口部２ａを含めた絶縁膜
２の上部に、スパッタリング法や蒸着法を用いてアルミ
薄膜３を形成する。その後、フォトリソグラフィー手法
により、このアルミ薄膜３の不要部分を除去する。この
ようにして残されたアルミ薄膜３はトランジスタ等の素
子の電極部となる。

【００１８】このようにして、シリコン基板１の上にお
いて、電極部（アルミ薄膜）３と絶縁膜２が露出した状
態となる。さらに、熱処理を行って、シリコン基板１と
アルミ薄膜３とを良好な導通が得られるようにする。な
お、シリコン基板１と電極部（アルミ薄膜）３との間
に、基板１とアルミ薄膜３の相互拡散によるアロイスパ
イクの発生を防止する目的で、バリアメタルと呼ばれる
金属を形成してもよい。

【００１９】引き続き、図１（ｂ）に示すように、ウェ
ハ状態のシリコン基板１の上に、更に金属膜４，５，６
を順に成膜する。この金属膜４，５，６を拡大したもの
を図２に示す。

【００２０】図２において、第１の層である金属膜４
は、アルミ薄膜３と良好な接合を形成するための膜であ
り、具体的には、チタン薄膜を用いている。なお、チタ
ン薄膜の代わりに、前述の目的を達成する他の金属膜、
例えば、バナジウム、クロム、コバルト、ジルコニウ
ム、アルミニウム、タンタル、タングステン、白金、ま
たは、これらの金属の窒化物やこれらの金属を主成分と
する合金などを用いてもよい。また、アルミ薄膜３上に
は、通常、酸化膜が形成されるため、一般的にアルミ薄
膜３上に他の金属膜を成膜する場合、前述の酸化膜を取
り除く工程が必要となる。しかし、本実施形態のように
第１層目の金属膜としてチタン薄膜を用いた場合、チタ
ンが前述の酸化膜を還元し、自らを酸化することで良好
な界面が形成され、そのため、酸化膜除去工程は不要と
することができる。

【００２１】図２において、第２の層である金属膜５
は、下地の金属膜４と基板１（絶縁膜２）との界面にか
かる応力を調整するための膜であり、具体的にはニッケ
ル薄膜を用いている。なお、ニッケル薄膜の代わりに、
前述の目的を達成する他の金属膜、例えば、銅、パラジ
ウム、または、これらの金属を主成分とする合金などを
用いてもよい。この金属膜５により、以降の工程におい
て絶縁膜２と金属膜４との間の密着力を剥離可能な範囲
まで低下させて金属膜４と絶縁膜２の剥離を容易に行わ
せることができるようになる。ここで、金属膜４と金属
膜（応力調整膜）５の積層膜は全応力（total stres
s）、つまり、膜厚と内部応力を乗算したもの（全応力
＝膜厚×内部応力）が１００Ｎ／ｍ以上である。

【００２２】図２において、第３の層である金属膜６
は、はんだ濡れ性の良好な膜であり、具体的には金（Ａ
ｕ）を用いている。なお、金（Ａｕ）の代わりに、前述
の目的を達成する他の金属膜、例えば、銅、銀、白金、
鉄、錫、ニッケル−バナジウム合金などを用いてもよ
い。また、金属膜６は、金属膜５にニッケルなど、はん
だ濡れ性の良い金属を用いた場合は省略することも可能
である。しかし、ニッケル表面が酸化するとはんだ濡れ
性が劣化するため、金属膜６を用いることが望ましい。

【００２３】上述の３つの金属膜４，５，６は、図３に
示したような、大気に暴露することなく、真空中で連続
成膜可能なスパッタリング装置により成膜する。つま
り、真空チャンバ１０にはその一端部にウェハ投入口１
１が、また、他端部にウェハ取り出し口１２が設けら
れ、さらに、同チャンバ１０には第１金属膜用ターゲッ
ト１３と第２金属膜用ターゲット１４と第３金属膜用タ
ーゲット１５が配置されている。そして、真空チャンバ
１０内においてウェハを搬送しつつ膜４，５，６を順に
成膜することができるようになっている。また、真空チ
ャンバ１０の近傍にはコントロールパネル１６が配置さ
れている。この図３の装置を使用することにより、金属
膜間に酸化膜を形成することなく成膜でき、そのため、
各金属膜間の密着性を高め、積層した膜４，５，６は１
つの金属膜のような振る舞いをすることとなる。

【００２４】なお、図３の形状の装置でなくても、真空
を破ること無く搬送することが可能であれば、異なるス
パッタリング装置または蒸着装置においても実現可能で
ある。

【００２５】そして、上述の金属膜４，５，６の成膜
後、図３のスパッタリング装置からウェハ状シリコン基
板１を取り出し、真空チャック等でウェハ状シリコン基
板１を固定し、図１（ｃ）に示すように、粘着シート
（粘着フィルム）７を金属膜６上に隙間が生じないよう
に貼り付ける。

【００２６】次に、粘着シート７を、図４に示すよう
に、ウェハ状基板１上から静かに剥ぎ取ると、図１
（ｄ）に示すように、金属膜４，５，６の不要部分が半
導体デバイスから除去される。つまり、図５に示すよう
に、絶縁膜２上の金属膜４，５，６は粘着シート７に付
着し、ウェハ状基板１上から除去されるが、アルミ薄膜
３上の金属膜４，５，６はウェハ状基板１に残存する。
このようにして、金属膜４，５，６の不要部分が基板１
側から（半導体デバイス）から簡単に取り除かれる。

【００２７】図４では、粘着シート７は、ウェハ状のシ
リコン基板１と同一形状にカットされているが、これ
は、ウェハ状基板１の搬送や一時保管を容易にするため
である。搬送や一時保管をする必要が無いときは、粘着
シート７の形状は、ウェハ状基板１と同一形状である必
要は無く、ウェハ状基板１より大きなサイズであって、
かつ、円形でも、四角形でも問題は無い。特に、一時保
管をする必要が無い場合には、ウェハ状基板１より大き
なサイズである方が引き剥がし易く、むしろ好ましい。

【００２８】引き剥がしの原理は、以下の通りである。
本実施形態の第１の金属膜４であるチタンはアルミニウ
ムだけでなく絶縁膜２とも良好な接合を形成する。この
ため、通常、絶縁膜２とチタン薄膜４の間を剥がすこと
は困難である。しかし、図２に示すように、チタン薄膜
４の上部にニッケル薄膜５を成膜すると、剛性率および
成膜時の熱膨張率の差から、ニッケル薄膜５の内部に大
きな膜応力（引張応力）が発生する（詳しくは、チタン
は熱膨張率がアルミやシリコンに近く、ニッケルは熱膨
張率がチタンに比べ大きく、また、ニッケル成膜時に１
５０℃から室温に下がるときにおいて引張応力が残留す
る）。このとき、チタン薄膜４の膜厚を５００ｎｍ以下
とし、上述のようにチタン薄膜４とニッケル薄膜５との
間に酸化膜を形成することなく成膜すると、応力の影響
はチタン薄膜４と絶縁膜２の界面まで及び、チタン薄膜
４と絶縁膜２との間の密着力が剥離可能な範囲まで低下
する。

【００２９】このように、下地材料の付着性（密着力）
の差と、金属電極薄膜（４，５，６）の内部応力を用い
ることにより、所望の電極材料を安定して絶縁膜２上の
み剥離することができる。尚、チタン薄膜４は、特開平
１０−６４９１２号公報に示されるＣｕのように熱処理
によりシリコン酸化物からは剥離しない金属である。即
ち、このような金属膜をシリコン酸化物等から剥離する
方法として、他の膜の応力を利用するのである。

【００３０】図６に示したように、電極材料として多用
されるチタン薄膜はシリコン酸化物（ＳｉＯ₂ ）との密
着性が高いため、粘着テープによる剥離試験を行っても
剥離は発生しない。しかしながら、その上に１００Ｎ／
ｍの全応力を付与すべくニッケル薄膜を積層してＮｉ／
Ｔｉ／ＳｉＯ₂ 構造とすることにより粘着テープでの剥
離が可能となる。その原理は、図７に示した有限要素法
の計算結果から明確である（Ｉ．Ｋondo：Ｊ．Ｖac. Ｓ
ci. Ｔechnol. Ａ１２（１），１６９，１９９４）。図
７のＡで示す領域が最も応力の高い部分である。つま
り、スパッタＮｉ膜には引張応力が存在し、その応力に
よってチタン薄膜と下地（図７ではシリコン基板）界面
に高い引張応力が発生するので、Ｔｉ／Ｓｉ界面での剥
離が可能になる。

【００３１】なお、図７ではチタン薄膜の下地材料はシ
リコン基板であるが、これは、後記する第２の実施形態
に対応するものであり、第２の実施形態ではシリコン基
板の上にチタン薄膜／ニッケル薄膜を配置している。

【００３２】図８に、チタン薄膜を用いた場合におけ
る、全応力を変えたときの粘着テープでの剥離率の測定
結果を示す。つまり、チタン薄膜４と絶縁膜（Ｓｉ
Ｏ₂ ）２との間の付着力、および、チタン薄膜４とアル
ミ薄膜３との間の付着力を、それぞれ測定した結果を示
す。なお、ここでのアルミ薄膜は、前処理無し、即ち、
表面のアルミ酸化膜は除去していない。図８から、シリ
コン酸化膜上では１００Ｎ／ｍで剥離を生じさせること
ができることが分かる。これに対し、前処理無しのアル
ミ薄膜の表面では、３８０Ｎ／ｍでも剥離は発生しない
ことが分かる。従って、例えば、３００Ｎ／ｍの全応力
を用いれば、成膜後において粘着テープを用いた剥離を
行えば、前処理無しのアルミ薄膜の表面に選択的にチタ
ン薄膜を残すことができる。

【００３３】このように、金属膜４と絶縁膜２間の付着
力は、金属膜４とアルミ薄膜３間の付着力より小さく、
全応力が１００Ｎ／ｍ以上で金属膜４を粘着シート７を
用いて引き剥がすと、絶縁膜２上からは剥がれるが、ア
ルミ薄膜３上には残存することとなる。

【００３４】ここで、膜４と膜５の積層膜の全応力は、
主にニッケル膜５の膜厚により制御可能である。全応力
値は高い方が絶縁膜２上で剥離する上で有利となる。し
かし、１５００Ｎ／ｍ以上の応力となると、ウェハが反
り、場合によっては（ウェハ厚が薄い場合など）、ウェ
ハを破損するおそれがあるため、製造上では１００Ｎ／
ｍ以上、１５００Ｎ／ｍ以下の範囲内で制御することが
好ましい。このように、全応力を１５００Ｎ／ｍ以下に
抑えることにより、成膜後のウェハのそりや破損などの
不具合を未然に防止することができる。

【００３５】また、図４を用いて説明した粘着シート７
により金属膜４，５，６を剥ぎ取る方法として、図９，
１０，１１に示すようにすると、剥ぎ取りをより容易に
行うことができる。

【００３６】つまり、図９のように、素子形成領域（半
導体デバイスの形成領域）２０の周囲を金属膜の剥ぎ取
り領域２１とする。この場合、剥ぎ取り領域２１が、素
子形成領域２０の間およびウェハ状基板１の外周部とな
り、かつ、連続している。これにより、粘着シート７の
剥ぎ取りの際に、ウェハ状基板１の最外周から剥離が始
まり、以後、剥離が連続する。このように、剥離が断続
することが無いため、バリの発生や剥ぎ取りムラを防止
することができる。また、一旦、剥ぎ取りが開始される
と、素子形成領域２０における連続していない剥ぎ取り
部分も周りからの剥離時の力の作用を受けて、容易に剥
離される。

【００３７】また、図９のようにすることが困難な場合
には、図１０のように、スクライブ部分に直線的に延び
る剥ぎ取り領域２２を設け、Ｚ方向から剥ぎ取りを行
う。すると、剥離の起点を明確にすることができ、剥離
を容易に行うことができる。また、スクライブラインに
直交する方向（図中のＸあるいはＹ方向）から剥ぎ取り
を行うようにすることもできる。

【００３８】この場合、図１１に示すように、剥ぎ取り
領域２２に沿って粘着シート７に切れ目２３を入れる。
つまり、粘着シート７を切れ目２３により半円部７ａと
半円部７ｂに区画する。そして、切れ目２３から、剥ぎ
取りを開始すると、更に剥ぎ取りが容易となる。

【００３９】図１（ｄ）に示すように、粘着シート７を
用いて金属膜４，５，６の不要部分を半導体デバイスか
ら除去した後において、図１２に示すようにする。図１
２（ａ）において、Ｎ^- 型シリコン基板３０の裏面側に
はＮ⁺ 型領域３１が形成され、Ｎ^- 型シリコン基板３０
の表層部にはＮ型領域３２とＰ型領域３３が形成されて
いる。さらに、Ｎ^- 型シリコン基板３０の上にはゲート
酸化膜３４を介してゲート電極３５が形成されている。
このようにして、トランジスタセルを構成している。な
お、ゲート酸化膜３４とゲート電極３５は絶縁膜２に覆
われている。Ｎ ^- 型シリコン基板３０の上面側にはアル
ミ薄膜３ａが配置され、アルミ薄膜３ａがＮ型領域３２
とＰ型領域３３に接しており、ソース電極となってい
る。また、Ｎ^- 型シリコン基板３０の上面側には、配線
としてのアルミ薄膜３ｂが配置されている。さらに、Ｎ
^- 型シリコン基板３０の裏面側がドレインとなる。この
ように、図１に示したアルミ薄膜３は機能からアルミ電
極３ａとアルミ配線３ｂに分けられる。

【００４０】また、上記に記述した、拡散領域はＮ型、
Ｐ型は逆でも素子としての機能に問題がなければかまわ
ない。また、図には示さないが、Ｎ⁺ 型領域３１をＰ⁺
型領域にすることでＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar
Transistor ）を作成することも可能である。

【００４１】そして、図１２（ｂ）に示すように、基板
の裏面にドレイン電極３６を形成するとともに、基板の
上面に保護膜３７を形成し、フォトリソグラフィー法に
より電極部分３８を開口する。さらに、図１２（ｃ）に
示すように、アルミ電極３ａ上の金属膜４，５，６に、
はんだ３９を形成する。

【００４２】このように、本実施の形態は下記の特徴を
有する。 （イ）膜の形成方法として、図１（ｂ）に示すように、
第１の材質（絶縁物）２およびそれとは異なる第２の材
質（金属）３が露出された下地の表面上に膜（金属）４
を成膜し、図１（ｄ）に示すように、第１の材質２上に
位置する該膜４を除去して第２の材質３上に位置する該
膜４を選択的に残すようにした膜の形成方法において、
図１（ｂ）に示すように、膜４を成膜する際に該膜４の
全応力を調整して、膜４と第１の材質２との密着力と、
膜４と第２の材質３との密着力の差を制御するようにし
た。

【００４３】つまり、膜４と第１の材質２との密着力、
および膜４と第２の材質３との密着力が強く、第１の材
質２から膜４を、また、第２の材質３から膜４を剥離す
ることができない状態に対し、膜４の全応力（total st
ress）を制御することにより、第１の材質２と膜４との
間の密着力が剥離可能な範囲まで低下する。その結果、
従来のホトリソグラフィーを用いた方法のようなホトリ
ソおよびエッチング工程での設備やプロセスコストが非
常に高くなることが回避されるとともに、従来のＵＢＭ
膜を選択的に粘着シートで除去する方法に比べ更に安定
して剥離することができるようになる。このようにし
て、低コストに、所望の膜を配置することができる。

【００４４】より詳しくは、膜４の成膜後に図１（ｃ）
に示すように粘着シート７を貼着し、当該粘着シート７
を剥がすことにより、第１の材質２上に位置する膜４は
粘着シート７に被着させて下地表面から除去し、第２の
材質３上に位置する膜４は粘着シート７の粘着力に抗し
て下地表面に残存させる。また、膜４の上に積層する膜
５により膜４の全応力を調整することが可能である。さ
らに、膜４として、第１，第２の材質２，３に直接接触
し、還元性を有する膜を用いると好ましい。 （ロ）電極の形成方法として、図１（ｂ）に示すよう
に、その表面に金属３と絶縁膜２とが露出されたシリコ
ンウェハ１の表面上に金属膜４を、当該金属膜４の全応
力が金属３上、絶縁膜２上においてともに増大するよう
に成膜して、当該全応力の増大により金属膜４と絶縁膜
２との密着力を低下させる。このとき、金属３と金属膜
４との間の密着力、および絶縁膜２と金属膜４との間の
密着力が強く、金属３から金属膜４を、また、絶縁膜２
から金属膜４を剥離することができない状態に対し、金
属膜４の全応力（total stress）を制御することによ
り、絶縁膜２と金属膜３との間の密着力が剥離可能な範
囲まで低下する。この状態で図１（ｃ）に示すように、
シリコンウェハ１上に粘着シート７を貼着し、そして図
５に示すように、当該粘着シート７を剥がすことにより
絶縁膜２上に位置する金属膜４を粘着シート７に被着さ
せてシリコンウェハ１上から剥離し、金属３上に位置す
る金属膜４をシリコンウェハ１上に残存させる。その結
果、従来のホトリソグラフィーを用いた方法のようなホ
トリソおよびエッチング工程での設備やプロセスコスト
が非常に高くなることが回避されるとともに、従来のＵ
ＢＭ膜を選択的に粘着シートで除去する方法に比べ更に
安定して剥離することができるようになる。このように
して、剥離が容易で、かつ、低コストに、電極部の上に
金属膜を配置することができる。 （ハ）電極の形成方法として、図１（ａ）に示すよう
に、シリコン基板１の上において電極部３と絶縁膜２が
露出した状態から、図１（ｂ）に示すように、シリコン
基板１の上に金属膜４を成膜し、さらに、金属膜４の上
に、当該金属膜４と下地との界面にかかる応力を調整す
るための応力調整膜５を形成して、図１（ｃ），（ｄ）
に示すように、電極部３の上の金属膜４を残し絶縁膜２
の上の金属膜４を剥離するようにした。よって、金属膜
４を成膜した後においては、電極部３と金属膜４との間
の密着力、および絶縁膜２と金属膜４との間の密着力が
強く、電極部３から金属膜４を、また、絶縁膜２から金
属膜４を剥離することができない状態となっているが、
応力調整膜５により、絶縁膜２と金属膜４との間の密着
力が剥離可能な範囲まで低下する。詳しくは、金属膜４
には引張応力（あるいは圧縮応力）が存在し、その応力
にて金属膜４と下地の界面に高い応力が発生して界面で
の剥離が可能になる。その結果、従来のホトリソグラフ
ィーを用いた方法のようなホトリソおよびエッチング工
程での設備やプロセスコストが非常に高くなることが回
避されるとともに、従来のＵＢＭ膜を選択的に粘着シー
トで除去する方法に比べ更に安定して剥離することがで
きるようになる。

【００４５】このようにして、剥離が容易で、かつ、低
コストに、電極部３の上に金属膜４，５，６が配置され
た構造の半導体装置、即ち、図１２の縦型パワートラン
ジスタを製造することができる。 （ニ）応力調整膜（金属膜）５をニッケル薄膜としたの
で、実用上好ましい。 （ホ）金属膜４と金属膜５の積層膜は全応力が１００Ｎ
／ｍ以上となるようにしたので、実用上好ましい。 （ヘ）電極部３はアルミ薄膜（広くは、アルミニウムを
主成分とする薄膜）であるので、実用上好ましい。 （ト）図１２（ａ）に示すように、絶縁膜２の上の金属
膜４を剥離した後において、図１２（ｂ）に示すよう
に、シリコン基板１の上に保護膜３７を堆積するととも
に、当該保護膜３７での電極部３ａを露出させ、図１２
（ｃ）に示すように、露出させた電極部３ａ上に、はん
だ付けを行うものとしたので、実用上好ましい。 （チ）この場合において、図１２（ａ）に示すように、
応力調整膜５の上に、はんだ濡れ性の良好な金属膜６を
形成したので、実用上好ましい。 （リ）図１（ｃ），（ｄ）に示すように、絶縁膜２の上
の金属膜４を剥離する工程は、粘着シート７を用いて行
うので、実用上好ましい。

【００４６】なお、電極部３ａの代わりに配線部に適用
してもよい。つまり、図１２では、トランジスタセル上
において、はんだ３９を配置したが、これ以外の場所で
もよい。図１３は、トランジスタセル以外のアルミ配線
３ｂの上にはんだ４０を配置した例である。これを利用
した場合、パワー素子以外でも、例えばフリップチップ
実装を行う素子のバンプ用ＵＢＭとして利用可能であ
る。

【００４７】また、絶縁膜２の上の金属膜４を剥離した
後において、応力調整膜５を除去するようにしてもよ
い。また、金属膜４に例えば白金を用いた場合、金属膜
５および金属膜６は不要となる場合がある。これは、白
金はそれ自身高い真応力（intrinsic stress）を持ち、
かつ、金属膜よりも絶縁膜との密着性が低い。図１４に
示したデータは、白金単体の膜厚に対する白金とアルミ
の剥離率、および白金とＳｉ酸化膜の剥離率の関係であ
る。図１４から、Ｐｔ膜厚が約２２０ｎｍ以上であれば
Ｓｉ酸化膜上で剥離を生じさせることができることが分
かる（酸化シリコン／アルミ／白金系においてＰｔ膜厚
を２２０ｎｍ以上とすることにより、酸化シリコン上の
みに剥離を発生させることができる）。即ち、金属膜５
が無くても、絶縁膜上を選択的に剥離可能である。特
に、白金は、はんだ付け可能な金属であるため、金属膜
５，６は不要である。このように、電極部（または配線
部）と絶縁膜が露出した状態から、基板の上に、金属膜
を成膜する際に、この金属膜の全応力（total stress）
を制御し、その後、電極部（または配線部）の上の金属
膜を残し絶縁膜の上の金属膜を剥離するようにしても、
金属膜の全応力の制御にて、やはり、絶縁膜と金属膜と
の間の密着力が剥離可能な範囲まで低下でき、剥離が容
易で、かつ、低コストに、電極部（または配線部）の上
に金属膜を配置することができる。 （第２の実施の形態）次に、第２の実施の形態を、第１
の実施の形態との相違点を中心に説明する。

【００４８】図１５には、本実施形態におけるダイオー
ドの製造工程を示す。第１の実施形態では電極部（また
は配線部）を構成する金属膜３はアルミ薄膜であり、そ
の上に金属膜４を形成する例を示したが、本実施形態に
おいては半導体基板であるシリコン基板５０での不純物
拡散領域５１の上に金属膜４を配置している。つまり、
第１の材質２は絶縁物であり、第２の材質５１はシリコ
ンであり、膜４は金属であり、絶縁物２は、シリコン基
板５０上に形成されてその開口部５２内にシリコン５１
を露出させ、下地を構成している。

【００４９】図１５（ａ）に示すように、Ｐ型シリコン
基板５０に一般的な半導体デバイス製造技術を用いてＮ
型不純物拡散領域５１を形成する。これにより、ＰＮ接
合を有するダイオードが構成される。そして、第１の実
施形態に示したものと同様の絶縁膜２を形成し、フォト
リソグラフィー法により開口部５２を形成する。さら
に、フッ酸等により開口部５２に形成される自然酸化膜
を除去する。

【００５０】その後、図１５（ｂ）に示すように、アル
ミ薄膜を成膜しないで、金属膜４，５，６を順に成膜す
る（図２参照）。また、シリコン基板５０の裏面に電極
５３を形成する。

【００５１】続いて、図１５（ｃ）に示すように、粘着
シート７を貼り付ける。そして、図４，５に示した方法
と同様な方法で粘着シート７をウェハ状基板５０より引
き剥がす。すると、図１５（ｄ）に示すように、絶縁膜
２の開口部５２のみに金属膜４，５，６を残すことがで
きる。そして、図１５（ｅ）に示すように、金属膜４，
５，６の部分の全面にはんだ付けを行い、はんだ５４を
実装する。

【００５２】さらに、図８を用いて説明を加える。図８
には、チタン薄膜と絶縁膜（ＳｉＯ ₂ ）との間の付着
力、および、チタン薄膜とシリコン基板との間の付着力
を、それぞれ測定した結果も示すが、シリコン酸化膜上
では１００Ｎ／ｍで剥離を生じさせることができ、これ
に対し、シリコン基板の表面では、３８０Ｎ／ｍでも剥
離は発生しないことが分かる。従って、チタン薄膜と絶
縁膜間の付着力は、チタン薄膜とシリコン基板間の付着
力より小さく、全応力が１００Ｎ／ｍ以上でチタン薄膜
を粘着シート７を用いて引き剥がすと、絶縁膜上からは
剥がれるが、シリコン基板上には残存することとなる。 （第３の実施の形態）次に、第３の実施の形態を、第２
の実施の形態との相違点を中心に説明する。

【００５３】図１６には、本実施形態における半導体装
置の製造工程を示す。図１６は、図１５（ｄ）に示す部
位ではなく、その周辺でのシリコン基板１に複数の素子
を形成した回路（ＬＳＩ等）の部分を示す。

【００５４】本実施形態では、第１の材質２は酸化シリ
コンであり、第２の材質６０は窒化シリコンであり、膜
４は金属である。まず、図１６（ａ）に示すように、シ
リコン基板１上に絶縁膜であるシリコン酸化膜２を熱酸
化またはＣＶＤ法等より形成する。図には示していない
が、トランジスタ等の素子形成の後、絶縁膜であるシリ
コン窒化膜６０を形成し、シリコン窒化膜６０における
不要部分を除去し、その上に金属膜４，５，６を順に成
膜する。この金属膜４，５，６は図２に示すと同様な多
層構造である。この時、下層のチタン薄膜４がシリコン
窒化膜６０と密着性が良いことから、ニッケル薄膜５の
膜厚を第１，第２の実施形態に比較して薄くすることが
できる。そして、図４，５に示す方法により金属膜４，
５，６を剥がすと、チタン薄膜４とシリコン酸化膜２と
は密着が良くないため、図１６（ｂ）に示すように、金
属膜４，５，６はシリコン窒化膜６０上のみに残存す
る。当然、ＬＳＩ上にはシリコンと導通を得る部分も存
在するためその部分の構造は図１５（ｄ）と同等の構造
となる。

【００５５】なお、図１６を用いて説明した技術を応用
して図１７に示すように、絶縁基板（ガラス基板等）７
０を用いることもできる。絶縁基板７０の上にシリコン
薄膜等の半導体薄膜７１が形成され、この半導体薄膜７
１に素子（薄膜トランジスタなど）が配置され、さら
に、半導体薄膜７１の上の所定領域にシリコン窒化膜６
０が配置され、その上にのみ金属膜４，５，６を残存さ
せている。このように、半導体基板上以外でも使用が可
能である。 （第４の実施の形態）次に、第４の実施の形態を、第１
の実施の形態との相違点を中心に説明する。

【００５６】図１８（ａ）に示すように、金属膜４，
５，６の内部応力が極めて高い場合においては、図１８
（ｂ）に示すように、金属膜４と絶縁膜２の付着性が極
めて低くなるため、絶縁膜２上の金属膜４，５，６は自
然剥離し、ウェハ状基板１から浮き上がる。そこで、ピ
ンセット等により、その浮き上がった部分をつまみ、引
き剥がす。このように、粘着シートを使用しなくても、
金属膜３の上にのみ金属膜４，５，６を配置することが
できる。特に、金属膜４，５，６の下に、ＡｕやＰｔな
ど極めて酸化しにくい金属膜を配置する場合には、その
効果は顕著となる。

【００５７】このように、金属膜４，５，６の内部応力
が極めて高い場合、粘着シートを用いなくても、自発的
な剥離を利用して金属膜４，５，６を配置することがで
きる。しかし、この場合でも、粘着シートを用いた方
が、より容易で、確実に電極や配線をパターニングでき
る。 （第５の実施の形態）次に、第５の実施の形態を、第４
の実施の形態との相違点を中心に説明する。

【００５８】図１９には、本実施形態における半導体装
置の製造工程を示す。本実施形態においては、第４の実
施形態で自然剥離により剥離した金属膜８０を他の基板
８２上に配置している。つまり、本実施形態では、自然
剥離した金属膜８０を、粘着シート８１を用いて第２の
基板８２に配置する工程を含んでいる。即ち、粘着シー
ト８１に被着された膜８０を基板８２上に移設する工程
を含んでいる。

【００５９】図１９（ａ）に示すように、自然剥離した
金属膜８０を、粘着力の弱い粘着シート８１に貼り付け
る。また、ウェハ状の第２の基板８２に対し、先の粘着
力の弱い粘着シート８１よりも粘着力の強い粘着剤８３
を塗布する。このとき、導電性の材料であると望まし
い。さらに、図１９（ｂ）に示すように、粘着剤８３の
上部に先の粘着シート８１に張り付いた金属膜８０を貼
り付ける。次に、図１９（ｃ）に示すように、粘着シー
ト８１を剥がす。すると、金属膜８０が基板８２側に配
置される。

【００６０】このようにして、剥離した金属膜８０を他
素子の電極や配線として利用することができる。このと
き、膜８０が基板８２上に粘着剤８３を用いて固定され
る。あるいは、図２０（ａ）に示すように、自然剥離し
た金属膜９０を粘着シート９１に貼り付ける。そして、
図２０（ｂ）に示すように、ウェハ状の第２の基板９２
に、粘着シート９１に張り付いた金属膜９０を貼り付け
る。さらに、図２０（ｃ）に示すように、熱処理して、
化合物層（シリサイド）９３を形成する。そして、図２
０（ｄ）に示すように、粘着シート９１を剥がすと、金
属膜９０を第２の基板９２に配置できる。このように、
膜９０と基板９２との間の界面に両者の化合物９３を形
成して、膜９０を基板９２上に固定することができる。 （第６の実施の形態）次に、第６の実施の形態を、第５
の実施の形態との相違点を中心に説明する。

【００６１】図２１には、本実施形態における半導体装
置の製造工程を示す。本実施形態においては、第４の実
施形態で自然剥離した金属膜のパターン１００を、粘着
シート１０１を用いて第２の基板１０２に転写してい
る。

【００６２】詳しくは、図２１（ａ）に示すように、自
然剥離した金属膜のパターン１００を粘着シート（透
明）１０１に貼り付ける。一方、ウェハ状の第２の基板
１０２に、金属膜１０３を形成するとともに、その上に
フォトレジストなどの感光樹脂材料１０４を塗布する。
そして、図２１（ｂ）に示すように、基板１０２の上に
先の粘着シート１０１を貼り付ける。さらに、光を照射
（露光）する。次に、図２１（ｃ）に示すように、粘着
シート１０１を剥がすとともに、感光部分のレジスト１
０４を剥離する。そして、図２１（ｄ）に示すように、
残ったレジスト１０４をマスクとして所定領域の金属膜
１０３をエッチング除去する。さらに、図２１（ｅ）に
示すように、レジスト１０４を除去する。

【００６３】このようにして、剥離パターンをマスクと
して使用することができる。即ち、粘着シート１０１に
被着された膜１００によるパターン形状を用いて、基板
１０２上に配置された感光性樹脂１０４を露光し、該感
光性樹脂１０４にパターン形状を転写する。

【００６４】あるいは、図２１（ａ）に示すように、自
然剥離した金属膜のパターン１００を粘着シート１０１
に貼り付けるとともに、ウェハ状基板１０２に金属膜１
０３と粘着材料１０４を塗布し、図２１（ｂ）に示すよ
うに、その上部に先の粘着シート１０１を貼り付ける。
そして、図２１（ｅ）に示すように、粘着シート１０１
ごとエッチングして金属膜のパターン１００を転写す
る。

【００６５】なお、これまでの説明においては半導体基
板（ウェハ）上に電極や配線のパターンを形成する場合
について述べてきたが、配線用基板上に電極や配線のパ
ターンを形成する場合に適用してもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】 第１の実施の形態における半導体装置の製造
工程を示す図。

【図２】 要部の拡大図。

【図３】 成膜装置を説明するための斜視図。

【図４】 粘着シートの剥がし工程を説明するための斜
視図。

【図５】 粘着シートの剥がし工程を説明するための断
面図。

【図６】 テープ試験での剥離測定結果を示す図。

【図７】 有限要素法による応力測定結果を示す図。

【図８】 テープ試験での剥離測定結果を示す図。

【図９】 別例の剥き取り領域を示す図。

【図１０】 別例の剥き取り領域を示す図。

【図１１】 別例の粘着シートを説明するための図。

【図１２】 第１の実施の形態における半導体装置の製
造工程を示す図。

【図１３】 第１の実施の形態における半導体装置を示
す図。

【図１４】 テープ試験での剥離測定結果を示す図。

【図１５】 第２の実施の形態における半導体装置の製
造工程を示す図。

【図１６】 第３の実施の形態における半導体装置の製
造工程を示す図。

【図１７】 半導体装置を示す図。

【図１８】 第４の実施の形態における半導体装置の製
造工程を示す図。

【図１９】 第５の実施の形態における半導体装置の製
造工程を示す図。

【図２０】 半導体装置の製造工程を示す図。

【図２１】 第６の実施の形態における半導体装置の製
造工程を示す図。

【符号の説明】

１…シリコン基板、２…絶縁膜、３…アルミ薄膜、４…
金属膜、５…応力調整膜、６…金属膜、７…粘着シー
ト、３７…保護膜、３９…はんだ、５０…Ｐ型シリコン
基板、５１…Ｎ型不純物拡散領域、８０…金属膜、８１
…粘着シート、８２…第２の基板、９０…金属膜、９１
…粘着シート、９２…第２の基板、１００…金属膜のパ
ターン、１０１…粘着シート、１０２…第２の基板。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 永墓 修一 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 宮嶋 健 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内

Claims (41)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の材質（２）およびそれとは異なる
   第２の材質（３，５１，６０）が露出された下地の表面
   上に膜（４）を成膜し、前記第１の材質（２）上に位置
   する該膜（４）を除去して前記第２の材質（３，５１，
   ６０）上に位置する該膜（４）を選択的に残すようにし
   た膜の形成方法において、 前記膜（４）を成膜する際に該膜（４）の全応力を調整
   して、前記膜（４）と前記第１の材質（２）との密着力
   と、前記膜（４）と前記第２の材質（３，５１，６０）
   との密着力の差を制御するようにしたことを特徴とする
   膜の形成方法。
2. 【請求項２】 前記第１の材質（２）は絶縁物であり、
   前記第２の材質（３）は金属であり、前記膜（４）は金
   属であることを特徴とする請求項１に記載の膜の形成方
   法。
3. 【請求項３】 前記第１の材質（２）は絶縁物であり、
   前記第２の材質（５１）はシリコンであり、前記膜
   （４）は金属であることを特徴とする請求項１に記載の
   膜の形成方法。
4. 【請求項４】 前記絶縁物（２）は、シリコン基板（５
   ０）上に形成されてその開口部（５２）内に前記シリコ
   ン（５１）を露出させ、前記下地を構成することを特徴
   とする請求項３に記載の膜の形成方法。
5. 【請求項５】 前記第１の材質（２）は酸化シリコンで
   あり、前記第２の材質（６０）は窒化シリコンであり、
   前記膜（４）は金属であることを特徴とする請求項１に
   記載の膜の形成方法。
6. 【請求項６】 前記膜（４）の成膜後に粘着シート
   （７）を貼着し、当該粘着シート（７）を剥がすことに
   より、前記第１の材質（２）上に位置する前記膜（４）
   は前記粘着シート（７）に被着させて前記下地表面から
   除去し、前記第２の材質（３）上に位置する前記膜
   （４）は前記粘着シート（７）の粘着力に抗して前記下
   地表面に残存させるようにすることを特徴とする請求項
   １〜５のいずれか１項に記載の膜の形成方法。
7. 【請求項７】 前記粘着シート（８１）に被着された前
   記膜（８０）を基板（８２）上に移設することを特徴と
   する請求項６に記載の膜の形成方法。
8. 【請求項８】 前記膜（８０）を前記基板（８２）上に
   粘着剤（８３）を用いて固定することを特徴とする請求
   項７に記載の膜の形成方法。
9. 【請求項９】 前記膜（９０）と前記基板（９２）との
   間の界面に両者の化合物（９３）を形成して、前記膜
   （９０）を前記基板（９２）上に固定することを特徴と
   する請求項７に記載の膜の形成方法。
10. 【請求項１０】 前記粘着シート（１０１）に被着され
    た前記膜（１００）によるパターン形状を用いて、基板
    （１０２）上に配置された感光性樹脂（１０４）を露光
    し、該感光性樹脂（１０４）に前記パターン形状を転写
    することを特徴とする請求項６に記載の膜の形成方法。
11. 【請求項１１】 前記膜（４）の上に積層する膜（５）
    の膜厚により前記膜（４）の全応力を調整することを特
    徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の膜の形
    成方法。
12. 【請求項１２】 前記膜（４）と応力調整膜（５）の積
    層膜は全応力が１００Ｎ／ｍ以上であることを特徴とす
    る請求項１１に記載の膜の形成方法。
13. 【請求項１３】 前記膜（４）と応力調整膜（５）の積
    層膜は全応力が１５００Ｎ／ｍ以下であることを特徴と
    する請求項１２に記載の膜の形成方法。
14. 【請求項１４】 前記第１の材質（２）は酸化シリコン
    であり、前記第２の材質（３）はアルミであり、前記膜
    （４）は膜厚が２２０ｎｍ以上の白金膜であることを特
    徴とする請求項１に記載の膜の形成方法。
15. 【請求項１５】 前記膜（５）はニッケル膜を含むこと
    を特徴とする請求項１１に記載の膜の形成方法。
16. 【請求項１６】 前記膜（４）は前記第１，第２の材質
    （２，３）に直接接触し、還元性を有することを特徴と
    する請求項１〜１５のいずれか１項に記載の膜の形成方
    法。
17. 【請求項１７】 前記還元性を有する膜（４）としてチ
    タン膜を用いることを特徴とする請求項１６に記載の膜
    の形成方法。
18. 【請求項１８】 その表面に金属（３）あるいはシリコ
    ン（５１）と絶縁膜（２）とが露出されたシリコンウェ
    ハ（１，５０）の前記表面上に金属膜（４）を、当該金
    属膜（４）の全応力が前記金属（３）あるいはシリコン
    （５１）上、前記絶縁膜（２）上においてともに増大す
    るように成膜して、当該全応力の増大により前記金属膜
    （４）と前記絶縁膜（２）との密着力を低下させ、 この状態で前記シリコンウェハ（１，５０）上に粘着シ
    ート（７）を貼着し、 そして当該粘着シート（７）を剥がすことにより前記絶
    縁膜（２）上に位置する前記金属膜（４）を前記粘着シ
    ート（７）に被着させて前記シリコンウェハ（１，５
    ０）上から剥離し、前記金属（３）あるいはシリコン
    （５１）上に位置する前記金属膜（４）を前記シリコン
    ウェハ（１，５０）上に残存させるようにしたことを特
    徴とする電極あるいは配線の形成方法。
19. 【請求項１９】 前記金属膜（４）の上に積層する金属
    膜（５）の膜厚により前記金属膜（４）の全応力を調整
    することを特徴とする請求項１８に記載の電極あるいは
    配線の形成方法。
20. 【請求項２０】 前記金属膜（４）と応力調整膜（５）
    の積層膜は全応力が１００Ｎ／ｍ以上であることを特徴
    とする請求項１９に記載の電極あるいは配線の形成方
    法。
21. 【請求項２１】 前記金属膜（４）と応力調整膜（５）
    の積層膜は全応力が１５００Ｎ／ｍ以下であることを特
    徴とする請求項２０に記載の電極あるいは配線の形成方
    法。
22. 【請求項２２】 前記絶縁膜（２）は酸化シリコン膜で
    あり、前記金属（３）はアルミであり、前記金属膜
    （４）は膜厚が２２０ｎｍ以上の白金膜であることを特
    徴とする請求項１８に記載の電極あるいは配線の形成方
    法。
23. 【請求項２３】 前記金属膜（４）はニッケル膜を含む
    ことを特徴とする請求項１８〜２１のいずれか１項に記
    載の電極あるいは配線の形成方法。
24. 【請求項２４】 前記金属膜（４）は前記金属（３）あ
    るいはシリコン（５１）、絶縁膜（２）に直接接触し、
    還元性を有することを特徴とする請求項１８〜２３のい
    ずれか１項に記載の電極あるいは配線の形成方法。
25. 【請求項２５】 前記還元性を有する金属膜（４）とし
    てチタン膜を用いることを特徴とする請求項２４に記載
    の電極あるいは配線の形成方法。
26. 【請求項２６】 基板（１）の上において電極部（３）
    または配線部と絶縁膜（２）が露出した状態から、当該
    基板（１）の上に、金属膜（４）を成膜する際に、当該
    金属膜（４）の全応力を制御し、その後、前記電極部
    （３）または配線部の上の金属膜（４）を残し前記絶縁
    膜（２）の上の金属膜（４）を剥離するようにしたこと
    を特徴とする電極あるいは配線の形成方法。
27. 【請求項２７】 基板（１，５０）の上において電極部
    （３，５１，６０）または配線部と絶縁膜（２）が露出
    した状態から、当該基板（１，５０）の上に金属膜
    （４）を成膜する工程と、 前記金属膜（４）の上に、当該金属膜（４）と下地との
    界面にかかる応力を調整するための応力調整膜（５）を
    形成して、前記電極部（３，５１，６０）または配線部
    の上の金属膜（４）を残し前記絶縁膜（２）の上の金属
    膜（４）を剥離する工程と、を備えたことを特徴とする
    電極あるいは配線の形成方法。
28. 【請求項２８】 前記応力調整膜（５）は金属膜である
    請求項２７に記載の電極あるいは配線の形成方法。
29. 【請求項２９】 前記応力調整用膜（５）はニッケル薄
    膜である請求項２８に記載の電極あるいは配線の形成方
    法。
30. 【請求項３０】 前記金属膜（４）と応力調整膜（５）
    の積層膜は全応力が１００Ｎ／ｍ以上であることを特徴
    とする請求項２７に記載の電極あるいは配線の形成方
    法。
31. 【請求項３１】 前記金属膜（４）と応力調整膜（５）
    の積層膜は全応力が１５００Ｎ／ｍ以下であることを特
    徴とする請求項３０に記載の電極あるいは配線の形成方
    法。
32. 【請求項３２】 前記電極部または配線部は、金属膜ま
    たは半導体基板（５０）での不純物拡散領域（５１）で
    ある請求項２７に記載の電極あるいは配線の形成方法。
33. 【請求項３３】 前記電極部または配線部を構成する金
    属膜（３）はアルミニウムを主成分とする薄膜である請
    求項３２に記載の電極あるいは配線の形成方法。
34. 【請求項３４】 前記絶縁膜（２）の上の金属膜（４）
    を剥離した後において、基板（１）の上に保護膜（３
    ７）を堆積するとともに、当該保護膜（３７）での前記
    電極部（３ａ）または配線部を露出させる工程を含むこ
    とを特徴とする請求項２７に記載の電極あるいは配線の
    形成方法。
35. 【請求項３５】 前記露出させた電極部（３ａ）または
    配線部上に、はんだ付けを行う工程を含むことを特徴と
    する請求項３４に記載の電極あるいは配線の形成方法。
36. 【請求項３６】 前記応力調整膜（５）の上に、はんだ
    濡れ性の良好な金属膜（６）を形成する工程を含むこと
    を特徴とする請求項３５に記載の電極あるいは配線の形
    成方法。
37. 【請求項３７】 前記絶縁膜（２）の上の金属膜（４）
    を剥離する工程は、粘着シート（７）を用いて行うもの
    であることを特徴とする請求項２７に記載の電極あるい
    は配線の形成方法。
38. 【請求項３８】 前記絶縁膜（２）の上の金属膜（４）
    を剥離する工程は、自然剥離により行うものであること
    を特徴とする請求項２７に記載の電極あるいは配線の形
    成方法。
39. 【請求項３９】 前記自然剥離した金属膜（８０）を、
    粘着シート（８１）を用いて第２の基板（８２）に配置
    する工程を含むことを特徴とする請求項３８に記載の電
    極あるいは配線の形成方法。
40. 【請求項４０】 前記自然剥離した金属膜（８０）のパ
    ターンを、粘着シート（８１）を用いて第２の基板（８
    ２）に転写する工程を含むことを特徴とする請求項３８
    に記載の電極あるいは配線の形成方法。
41. 【請求項４１】 前記絶縁膜（２）の上の金属膜（４）
    を剥離した後において、前記応力調整膜（５）を除去す
    る工程を含むことを特徴とする請求項２７に記載の電極
    あるいは配線の形成方法。