JPH06188241A

JPH06188241A - 薄膜配線の製造方法、半導体装置及び薄膜配線製造装置

Info

Publication number: JPH06188241A
Application number: JP33881992A
Authority: JP
Inventors: Kenji Hinode; 憲治日野出; Natsuki Yokoyama; 夏樹横山; Yoshio Honma; 喜夫本間
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1992-12-18
Filing date: 1992-12-18
Publication date: 1994-07-08

Abstract

(57)【要約】【目的】低温で形成することができ、長寿命で信頼性の
高い微細なアルミニウム薄膜を含む薄膜配線の製造方法
を提供すること。【構成】単結晶シリコン基板１１１にアルミニウムを被
着させ、単結晶アルミニウム薄膜又は基板に平行な面は
一方位で面内では二つの方位のみが許される多結晶アル
ミニウム薄膜１１２を形成する。一方、シリコン基板１
１に設けられた半導体素子の上にシリコン酸化膜１５と
タングステンプラグ１６とを形成し、これらの表面に、
上記アルミニウム薄膜１１２を接着し、ついで単結晶シ
リコン基板１１１を除去し、アルミニウム薄膜１１２を
シリコン基板１１上に残す。アルミニウム薄膜１１２を
所望のパターンとするのは、上記プロセスの後でも、或
いは、予め単結晶シリコン基板１１１にアルミニウム薄
膜１１２を形成した時点で行ってもよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、アルミニウム薄膜を有
する薄膜配線の製造方法、その製造方法で製造された薄
膜配線及び半導体装置並びに薄膜配線製造装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体用アルミニウム配線の微細化を可
能にするには、ストレスマイグレーション及びエレクト
ロマイグレーションという二つの問題を解決する必要が
あり、このためにいろいろな方式が検討されている。代
表的なものに、比較的実現の容易な方法として積層化が
すでに試みられており、また実現は困難であるものの抜
本的な方法としてアルミニウム配線の単結晶化が提案さ
れている。

【０００３】前者については例えば、第２６回アニュア
ル・プロシーディングス・リライアビリテイ・フィジッ
クス（１９８８年）第１７３頁から１７８頁（26th Ann
ualProceeding Reliability Physics(1988)pp．173−17
8）に複数の導電体膜を積層した積層膜を、配線として
使用することが提案されており、積層膜によって構成さ
れた配線の性能についても示されている。

【０００４】また後者の単結晶アルミニウム配線につい
ては、配線単独で性能が非常に優れていることが、例え
ば、第２２回固体素子コンファレンスのエクステンデッ
ドアブストラクト（１９９０年）第２５１頁から２５４
頁（Extended Abstractsof the 26nd Conference on So
lid State Devices and Materials (1990) pp．251−25
4）に報告されている。この場合は単結晶配線を形成す
るためにシリコン基板上に直接アルミニウム薄膜をデポ
ジションしている。絶縁膜上に単結晶膜を形成するに
は、現状ではアルミニウムを溶融させる方法が知られて
いる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】上記後者の従来技術
は、半導体素子製造上、実用可能な温度で絶縁膜上に単
結晶配線を形成することができないという問題があっ
た。これはアルミニウムを溶融させると、たとえ短時間
であっても周囲にある物質との相互作用が無視できず、
絶縁膜自身との反応、アルミニウムに接続するよう既に
形成されている電極配線との反応拡散が起こるためであ
る。これにより接合破壊、配線抵抗増大等の劣化が発生
する。

【０００６】本発明の目的は、低温で形成することがで
き、長寿命で信頼性の高い微細なアルミニウム薄膜を含
む薄膜配線の製造方法、このような製造方法で製造され
た薄膜配線及びこれらの薄膜配線を有する半導体装置並
びにこのような薄膜配線を製造するに適した薄膜配線製
造装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の薄膜配線の製造方法は、アルミニウム以外
の材料からなる第１の単結晶基板にアルミニウムを被着
させ、単結晶アルミニウム薄膜又は基板に平行な面は一
方位で面内では二つの方位のみが許される多結晶アルミ
ニウム薄膜を形成し、第２の基板の上に設けられた所望
の層の表面に、単結晶アルミニウム薄膜又は多結晶アル
ミニウム薄膜を接着し、第１の単結晶基板を除去するよ
うにする。

【０００８】また、上記のように、第１の単結晶基板
に、単結晶アルミニウム薄膜又は多結晶アルミニウム薄
膜を形成した後、この上に高融点金属薄膜を積層して積
層膜とし、第２の基板の上に設けられた所望の層の表面
に、この積層膜を接着し、第１の単結晶基板を除去する
ようにする。いずれも上記の接着は、真空中で行うこ
と、さらに加圧、加熱して行うことが好ましい。加熱の
温度は、５００℃以下とすることが好ましい。

【０００９】また、本発明の薄膜配線は、単結晶基板
と、この基板上に設けられた、基板に平行な面は一方位
で面内では二つの方位のみが許される多結晶アルミニウ
ム薄膜とにより構成される。この多結晶アルミニウム薄
膜は、それに接して設けられた高融点金属薄膜との積層
膜としてもよい。さらに本発明の薄膜配線は、単結晶基
板と、この基板上に設けられた、単結晶アルミニウム薄
膜と高融点金属薄膜とからなる積層膜とにより構成され
る。

【００１０】さらにまた、本発明の半導体装置は、上記
の薄膜配線の製造方法によって得られた薄膜配線を有す
るもの、さらに、上記の薄膜配線を有するものである。

【００１１】なおまた、本発明の薄膜配線製造装置は、
単結晶アルミニウム薄膜又は基板に平行な面は一方位で
面内では二つの方位のみが許される多結晶アルミニウム
薄膜が形成された、アルミニウム以外の材料からなる第
１の単結晶基板を保持するための第１の保持手段と、こ
の第１の単結晶基板と接着されるための第２の基板を保
持するための第２の保持手段と、第１の単結晶基板と第
２の基板の相対的な位置を所望の位置に制御するための
制御手段と、第１の単結晶基板と第２の基板を接着させ
るための加圧手段と、この接着を真空中で行うための真
空容器とにより構成される。この装置は、第１の単結晶
基板と第２の基板の少なくとも一方を加熱するための加
熱手段をさらに有することが好ましい。

【００１２】本明細書において、アルミニウムとは純ア
ルミニウムと共に、シリコン、銅、チタン等を数％程度
以下含むアルミニウム合金、すなわち、半導体装置等で
配線に用いられているアルミニウム合金をも含めたもの
をいう。

【００１３】上記した基板に平行な面は一方位で面内で
は二つの方位のみが許される（以下、単に二つの方位の
みが許されるという）多結晶アルミニウムについて説明
する。なお、本明細書において、結晶面又は方位を表す
式として、表１に例示したようにマイナス記号を番号の
上に記載せずに前に記載することとする。

【００１４】

【表１】

【００１５】図８に示すように、基板面方位（１１１）
のシリコン基板５０上にアルミニウム膜５１を形成した
場合、アルミニウムの〈１１１〉方位はシリコンの〈１
１１〉方位に平行になる。このことはアルミニウムの
（１１１）面がシリコンの（１１１）面に平行になるこ
とと同義である。さらに、アルミニウムの〈１１０〉方
位はシリコンの〈１−１０〉方位に平行になる。従っ
て、アルミニウムの許された方位は一種類であり、アル
ミニウム膜５１は単結晶粒になる。

【００１６】ところが、図９に示すように、基板面方位
（００１）のシリコン基板６０上にアルミニウム膜６１
を形成した場合、アルミニウムの〈１１０〉方位はシリ
コンの〈００１〉方位に平行になる。このことはアルミ
ニウムの（１１０）面がシリコンの（００１）面に平行
になることと同義である。アルミニウムの〈００１〉方
位はシリコンの〈−１−１０〉方位又はこれと直角をな
す〈１−１０〉方位と平行になる。従って、アルミニウ
ムの許された方位としては二種類であり、アルミニウム
膜６１はこの二種類の方位を持った結晶粒で構成され
る。このような結晶粒も配線としては単結晶粒とほとん
ど同じ効果を示すものである。

【００１７】

【作用】本発明者の検討によれば、酸化膜等の無い表面
が露出したアルミニウム膜又はその積層膜はほとんどの
材料と良く接着することが分かった。張り合わせる面と
して十分平滑なものを用い、張り合わせた後、適切な温
度又は温度と圧力とを加えれば基板表面の全面にわたっ
て密着させることができる。その際の温度もアルミニウ
ムの融点よりは十分低い温度（最高で５００℃程度）で
処理することが可能である。

【００１８】

【実施例】〈実施例１〉図１から図４は、本発明の一実
施例を示すアルミニウム薄膜からなる薄膜配線の製造方
法である。以下に順次図を追って説明する。真空槽内に
保持したシリコン基板１１１にアルミニウム薄膜１１２
をスパッタ法で被着した（図１）。その際、フッ酸水溶
液で表面酸化膜を除去し、シリコンを露出させた基板を
即時真空中に導入して基板表面を十分清浄に保ち、基板
温度を２００〜５００℃程度に保持した場合には単結晶
化したアルミニウム又は２つの方位のみが許される多結
晶アルミニウムを形成することができた。シリコン基板
の面方位に依存してエピタキシャル成長するアルミニウ
ム結晶の方位も変わる。例えば、（１００）面を基板面
とするシリコン基板上には（１１０）配向の２つの方位
のみが許される多結晶アルミニウムが、（１１１）面を
基板面とするシリコン基板上には（１１１）配向の単結
晶アルミニウムが成長した。

【００１９】ここでは基板としてシリコン単結晶を用い
たが、ＭｇＯ等の単結晶大面積基板が得られ、アルミニ
ウムとの格子定数差がそれほど大きくない（数％程度以
内が良い）ものなら基板として用いることができる。上
記のシリコン単結晶とアルミニウム単結晶との格子定数
差は約５％である。またアルミニウム膜を形成する方法
としてスパッタ法だけでなく他の方法、例えば、抵抗加
熱又は電子線加熱による蒸着法、イオンビーム蒸着法、
ＣＶＤ（化学気相成長）法による膜形成でもなんら問題
は無い。アルミニウムは純アルミニウムに限る訳ではな
く、シリコン、銅、チタン等を数％程度以下含むアルミ
ニウム合金でも同様に単結晶化が可能である。

【００２０】一方、図２に示すように、別のシリコン基
板１１の表面にゲート酸化膜１３’を形成し、この上に
多結晶シリコンからなるゲート電極１３、シリコン酸化
膜、タングステン配線１４、シリコン酸化膜１５をそれ
ぞれ所定のパターンに形成し、シリコン酸化膜１５に孔
空けした後、タングステンプラグ１６を選択ＣＶＤ法で
孔内に埋め込むことにより、素子と電極配線層の一部を
形成する。この表面を機械研磨して平滑にし、清浄にす
る。

【００２１】前記アルミニウム薄膜１１２が形成された
シリコン基板１１１を高真空槽内に保持したまま、素子
が形成されたシリコン基板１１を同一の真空槽に挿入
し、両基板を接着する。高真空状態で４００℃に１０分
程度保持すると両基板表面（それぞれ薄膜、素子や配線
の上の面）の全面が接着した。二つの基板表面の平滑
度、清浄度が不十分な場合は、さらに高温（５００℃程
度）の熱処理や両基板が接着するように力を加えること
が好ましい。このようにすれば全面接着が容易になる。

【００２２】また、素子が形成された基板１１の表面
（素子や配線の上の面）にもアルミニウム膜又は高融点
金属膜（タングステン等）を薄く１００Å程度被着し、
真空槽内に保持した状態で両基板を合わせるようにする
と接着は更に容易であった。アルミニウム膜を被着した
場合、この膜厚が単結晶アルミニウム薄膜１１２の半分
程度以下であれば、接着後４００℃程度の熱処理を施し
た際、全体が単結晶化する。この接着処理を大気中で行
うと不十分な結果しか得られなかった。即ち、塑性変形
が起こり、単結晶が多結晶化するほど大きな応力を加え
る必要があったり、また接着しても上記の全層にわたる
単結晶化が得られなかったりした。

【００２３】二つの基板の全面を接着させた後、アルミ
ニウム薄膜１１２をエピタキシャル成長させるために用
いたシリコン基板１１１を除去する。今の場合、０．３
μｍの厚さのアルミニウム薄膜を成長させる基板として
２μｍ厚のシリコン基板を用いたので、ＣＦ₄を主成分
とするガスを用いたプラズマエッチングによりアルミニ
ウム薄膜１１２を全く劣化させずにシリコン基板１１１
を選択的に除去できた（図３）。シリコン基板１１１が
より厚い場合は、機械的研磨又はウエットエッチング等
によって予め基板を薄くしてからプラズマエッチングす
れば最終的にアルミニウム層を劣化させずに基板を除去
できる。

【００２４】エッチング除去というこの処理から考える
と単結晶シリコン基板１１１は薄いほど良い。しかし表
面にアルミニウム薄膜を形成したとき許容限度を越える
歪が発生しないためにはある程度の厚さが必要である。
アルミニウム薄膜の形成条件を基板温度２００℃以下と
するなど最適化して膜応力を最小にした場合は、アルミ
ニウム薄膜の２〜３倍程度の厚さでも十分保持できる。
１００ＭＰａ程度の比較的高い応力が発生する場合は２
０〜５０倍の厚さが必要であった。従って、シリコン基
板の厚さは、アルミニウム膜厚の数倍〜５０倍の範囲で
可能な限り薄くするのが望ましい。薄くすることは両基
板の接着性向上にも寄与する。

【００２５】さらに通常のホトエッチング工程により、
アルミニウム薄膜１１２を所定の配線パターン１１３に
加工し、シリコン酸化膜からなるパシベーション膜１１
４で覆って半導体装置を完成させた（図４）。確認のた
め配線の信頼度試験を行ったところ、通常加速条件（２
５０℃−７ＭＡ／ｃｍ²）では５０００時間通電しても
断線がなく、高信頼度であることが分かった。なお、図
１に示した、シリコン基板１１１にアルミニウム薄膜１
１２をスパッタ法で被着した状態の後に、ホトエッチン
グ工程により、アルミニウム薄膜１１２を所定の配線パ
ターン１１３に加工してから上記の残りの工程を行って
もほぼ同様の効果が得られた。

【００２６】〈実施例２〉図５から図７は、本発明の他
の実施例を示すアルミニウム積層膜からなる薄膜配線の
製造方法である。以下に順次図を追って説明する。真空
槽内に保持したシリコン基板１１１にアルミニウム薄膜
１１２をスパッタ法で被着した後、さらに高融点金属の
チタン層１１７をスパッタ法で重ねて被着し積層膜とし
た（図５）。その際、実施例１に示したように条件を選
べば、単結晶アルミニウム薄膜又は２つの方位のみが許
される多結晶アルミニウム薄膜を成長できる。チタン層
は単結晶ではないが結晶配向度の向上した膜が得られ
た。

【００２７】このシリコン基板１１１を高真空槽内に保
持したまま、実施例１と同様に、表面に素子と電極配線
層の一部が形成され、表面（素子や電極配線層の上の表
面）が平滑かつ清浄にされたシリコン基板１１を同一の
真空槽に挿入し、両基板を接着する（図６）。図５に示
したようにアルミニウム薄膜１１２とチタン層１１７と
の重ね膜にした場合は高真空状態で５００℃程度に１０
分程度保持すると両基板表面の全面が接着した。このチ
タン層は、素子側のシリコン基板１１の表面（素子や電
極配線層の上の表面）に形成しておいても良い。この場
合には４００℃に１０分程度保持すると両基板表面の全
面が接着した。

【００２８】二つの基板の全面を接着させた後、アルミ
ニウム薄膜１１２をエピタキシャル成長させるために用
いたシリコン基板１１１を実施例１と同様にして除去し
た。さらに通常のホトエッチング工程により、アルミニ
ウム薄膜とチタン膜との積層膜を所定の配線パターン１
１３、１７に加工し、パシベーション膜１１４で覆って
半導体装置を完成させた（図７）。

【００２９】確認のため配線の信頼度試験を行ったとこ
ろ通常加速条件（２５０℃−７ＭＡ／ｃｍ²）では５０
００時間通電しても断線がなく、高信頼度であることが
分かった。なお、上記実施例では高融点金属してＴｉを
用いたが、Ｔｉの他に、Ｗ、Ｍｏ、ＷＭｏ、ＴｉＷ、Ｔ
ｉＮ等の高融点金属や合金も同様に用いることができ
る。また、図５に示したように、シリコン基板１１１に
アルミニウム薄膜１１２をスパッタ法で被着し、さらに
チタン層１１７をスパッタ法で重ねて積層膜とした後、
ホトエッチング工程により、積層膜を所定の配線パター
ン１１３に加工してから上記の残りの工程を行ってもほ
ぼ同様の効果が得られた。

【００３０】〈実施例３〉上記薄膜配線を製造するに適
した薄膜配線製造装置の一実施例を図１０、図１１を用
いて説明する。図１０は薄膜配線製造装置の平面摸式図
である。第１のシリコン基板をウエハ装着チャンバ２０
１にセットし、チャンバ内を真空排気する。ゲートバル
ブ２０５を開けて搬送ロボット２０４により第１のシリ
コン基板２０２を取り出し、ゲートバルブ２０７を開け
て、エッチクリーニングチャンバ２０３に搬送し、表面
をクリーニングする。その後、ゲートバルブ２０８を開
けて圧着チャンバ２０６に接着すべき面を上向きにして
セットする。第２のシリコン基板を同様にエッチクリー
ニング処理し、圧着チャンバ２０６に搬送する。搬送ロ
ボット２０４は基板を保持する軸の根本に回転機構を持
ち、かつ静電チャック機構を持つので、上記搬送に際し
て第２のシリコン基板を下向きにして保持することがで
きる。

【００３１】図１１は圧着チャンバ２０６の断面摸式図
である。第１のシリコン基板２０２は加熱できる加熱ス
テージ２１５の上に保持されている。搬送ロボット２０
４から受け取った第２のシリコン基板２１３を下向きに
静電的に保持したステージ２１２は、並行移動及び面内
回転機構２１６により、２枚の基板の位置合わせをす
る。位置合わせは２枚の基板の間に入れたモニタ用カメ
ラ（図示せず）で行う。位置合わせが完了するとモニタ
用カメラは２枚の基板の間から引き下がり、圧接機構２
１１により２枚の基板を圧着する。加熱ステージ２１５
で４００℃から５００℃程度に加熱すると十分接着す
る。圧着チャンバ２０６は真空容器であり、クリーニン
グした基板表面を清浄に保ったまま接着処理ができる。
プロセスの手順はマイクロコンピュータにより制御され
る。

【００３２】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
単結晶アルミニウム又は２つの方位のみが許される多結
晶アルミニウムで形成された薄膜配線を製造することが
でき、半導体素子の信頼性向上を実現することができる
ので、集積密度の高い各種半導体装置が得られた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例１の薄膜配線の製造方法を説明
する断面摸式図。

【図２】本発明の実施例１の薄膜配線の製造方法を説明
する断面摸式図。

【図３】本発明の実施例１の薄膜配線の製造方法を説明
する断面摸式図。

【図４】本発明の実施例１の薄膜配線の製造方法を説明
する断面摸式図。

【図５】本発明の実施例２の薄膜配線の製造方法を説明
する断面摸式図。

【図６】本発明の実施例２の薄膜配線の製造方法を説明
する断面摸式図。

【図７】本発明の実施例２の薄膜配線の製造方法を説明
する断面摸式図。

【図８】アルミニウムの面方位を説明するための説明
図。

【図９】アルミニウムの面方位を説明するための説明
図。

【図１０】本発明の一実施例の薄膜配線製造装置の摸式
図。

【図１１】図１０に示した薄膜配線製造装置の部分摸式
図。

【符号の説明】

１１、５０、６０、１１１…シリコン基板１３…ゲート電極１３’…ゲート酸化膜１４…タングステン配線１５…シリコン酸化膜１６…タングステンプラグ５１、６１、１１２…アルミニウム薄膜１１３、１７…配線パターン１１４…シリコン酸化膜１１７…チタン層２０１…ウエハ装着チャンバ２０２…第１のシリコン基板２０３…エッチクリーニングチャンバ２０４…搬送ロボット２０５、２０７、２０８…ゲートバルブ２０６…圧着チャンバ２１１…圧接機構２１２…ステージ２１３…第２のシリコン基板２１５…加熱ステージ２１６…並行移動及び面内回転機構

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】アルミニウム以外の材料からなる第１の単
結晶基板にアルミニウムを被着させ、単結晶アルミニウ
ム薄膜又は基板に平行な面は一方位で面内では二つの方
位のみが許される多結晶アルミニウム薄膜を形成する第
１の工程、第２の基板の上に設けられた所望の層の表面
に、該単結晶アルミニウム薄膜又は該多結晶アルミニウ
ム薄膜を接着する第２の工程及び上記第１の単結晶基板
を除去する第３の工程を有すること特徴とする薄膜配線
の製造方法。
【請求項２】請求項１記載の薄膜配線の製造方法におい
て、上記第３の工程の後に、上記単結晶アルミニウム薄
膜又は上記多結晶アルミニウム薄膜を所望のパターンと
すること特徴とする薄膜配線の製造方法。
【請求項３】請求項１記載の薄膜配線の製造方法におい
て、上記第１の工程の後、第２の工程の前に、上記単結
晶アルミニウム薄膜又は上記多結晶アルミニウム薄膜を
所望のパターンとすること特徴とする薄膜配線の製造方
法。
【請求項４】請求項１から３のいずれか一に記載の薄膜
配線の製造方法において、上記第２の工程の接着は、真
空中で行うことを特徴とする薄膜配線の製造方法。
【請求項５】請求項４記載の薄膜配線の製造方法におい
て、上記第２の工程の接着は、加圧、加熱して行うこと
を特徴とする薄膜配線の製造方法。
【請求項６】請求項１から５のいずれか一に記載の薄膜
配線の製造方法において、上記第１の単結晶基板は、単
結晶シリコン基板であることを特徴とする薄膜配線の製
造方法。
【請求項７】請求項１から６のいずれか一に記載の薄膜
配線の製造方法において、上記単結晶アルミニウム薄膜
又は上記多結晶アルミニウム薄膜の膜厚は、上記第１の
単結晶基板の膜厚の５分の１から５０分の１の範囲であ
ることを特徴とする薄膜配線の製造方法。
【請求項８】アルミニウム以外の材料からなる第１の単
結晶基板にアルミニウムを被着させ、単結晶アルミニウ
ム薄膜又は基板に平行な面は一方位で面内では二つの方
位のみが許される多結晶アルミニウム薄膜を形成する第
１の工程、該単結晶アルミニウム薄膜又は多結晶アルミ
ニウム薄膜の上に高融点金属薄膜を積層し、積層膜を形
成する第２の工程、第２の基板の上に設けられた所望の
層の表面に、該積層膜を接着する第３の工程及び上記第
１の単結晶基板を除去する第４の工程を有すること特徴
とする薄膜配線の製造方法。
【請求項９】請求項８記載の薄膜配線の製造方法におい
て、上記第４の工程の後に、上記積層膜を所望のパター
ンとすること特徴とする薄膜配線の製造方法。
【請求項１０】請求項８記載の薄膜配線の製造方法にお
いて、上記第２の工程の後、第３の工程の前に、上記積
層膜を所望のパターンとすること特徴とする薄膜配線の
製造方法。
【請求項１１】請求項８から１０のいずれか一に記載の
薄膜配線の製造方法において、上記第３の工程の接着
は、真空中で行うことを特徴とする薄膜配線の製造方
法。
【請求項１２】請求項１１記載の薄膜配線の製造方法に
おいて、上記第３の工程の接着は、加圧、加熱して行う
ことを特徴とする薄膜配線の製造方法。
【請求項１３】請求項８から１２のいずれか一に記載の
薄膜配線の製造方法において、上記第１の単結晶基板
は、単結晶シリコン基板であることを特徴とする薄膜配
線の製造方法。
【請求項１４】請求項８から１３のいずれか一に記載の
薄膜配線の製造方法において、上記単結晶アルミニウム
薄膜又は上記多結晶アルミニウム薄膜の膜厚は、上記第
１の単結晶基板の膜厚の５分の１から５０分の１の範囲
であることを特徴とする薄膜配線の製造方法。
【請求項１５】単結晶基板及び該基板上に設けられた、
基板に平行な面は一方位で面内では二つの方位のみが許
される多結晶アルミニウム薄膜を有することを特徴とす
る薄膜配線。
【請求項１６】請求項１５記載の薄膜配線において、上
記多結晶アルミニウム薄膜は、それに接して設けられた
高融点金属薄膜と積層膜を構成することを特徴とする薄
膜配線。
【請求項１７】単結晶基板及び該基板上に設けられた、
単結晶アルミニウム薄膜と高融点金属薄膜とからなる積
層膜を有することを特徴とする薄膜配線。
【請求項１８】請求項１から１４のいずれか一に記載の
薄膜配線の製造方法によって得られた薄膜配線を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】請求項１５から１７のいずれか一に記載
の薄膜配線を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】単結晶アルミニウム薄膜又は基板に平行
な面は一方位で面内では二つの方位のみが許される多結
晶アルミニウム薄膜が形成された、アルミニウム以外の
材料からなる第１の単結晶基板を保持するための第１の
保持手段、該第１の単結晶基板と接着されるための第２
の基板を保持するための第２の保持手段、該第１の単結
晶基板と第２の基板の相対的な位置を所望の位置に制御
するための制御手段、該第１の単結晶基板と第２の基板
を接着させるための加圧手段及び該接着を真空中で行う
ための真空容器を有することを特徴とする薄膜配線製造
装置。
【請求項２１】請求項２０記載の薄膜配線製造装置にお
いて、上記第１の単結晶基板と第２の基板の少なくとも
一方を加熱するための加熱手段をさらに有することを特
徴とする薄膜配線製造装置。