JPH0456359A - 半導体素子構造 - Google Patents
半導体素子構造Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体素子構造に係り、特にＳＲＡＭ等のイ
ンバータの負荷抵抗とインター・コネクション膜を同時
に形成するのに好適な、半導体素子構造に関する。
ンバータの負荷抵抗とインター・コネクション膜を同時
に形成するのに好適な、半導体素子構造に関する。
第３図に従来からＳＲＡＭ等に使用されるインバータの
断面構成を示す。
断面構成を示す。
先ず、このインバータの構成について説明すると、半導
体基板上にフィールド酸化膜工が形成され、このフィー
ルド酸化膜１間にゲート酸化膜４を介してＮ゛゛結晶シ
リコンゲート５が設けられている。
体基板上にフィールド酸化膜工が形成され、このフィー
ルド酸化膜１間にゲート酸化膜４を介してＮ゛゛結晶シ
リコンゲート５が設けられている。
このゲート５の両側にはソース・ドレインとなる拡散層
２０が形成されており、この拡散層は低ドープの拡散層
３と高ドープの拡散層２とからなる所謂ＬＤＤ構造を構
成している。
２０が形成されており、この拡散層は低ドープの拡散層
３と高ドープの拡散層２とからなる所謂ＬＤＤ構造を構
成している。
Ｎ゛゛散層２Ａにはインター・コネクション膜である低
抵抗なＮ゛多多結晶シリコ成膜１１Ａコンタクトされ、
また、この多結晶シリコン膜１１Ａに連続して負荷抵抗
となる高抵抗なノンドープ多結晶シリコン膜１２が形成
されている。
抵抗なＮ゛多多結晶シリコ成膜１１Ａコンタクトされ、
また、この多結晶シリコン膜１１Ａに連続して負荷抵抗
となる高抵抗なノンドープ多結晶シリコン膜１２が形成
されている。
そして、このノンドープ多結晶シリコン膜１２に連続し
て低抵抗なＮ＋多多結晶シリコ成膜１１Ｂ形成されてい
る。
て低抵抗なＮ＋多多結晶シリコ成膜１１Ｂ形成されてい
る。
尚、１０はＡ／！−３ｔからなる配線であり、それぞれ
、拡散層２Ｂ、Ｎ”多結晶シリコン膜１１Ｂとコンタク
トしている。そして、９はＣＶＤで形成された酸化膜を
示す。
、拡散層２Ｂ、Ｎ”多結晶シリコン膜１１Ｂとコンタク
トしている。そして、９はＣＶＤで形成された酸化膜を
示す。
このように構成されたインバータにおいて、低抵抗なイ
ンター・コネクション膜と高抵抗な負荷抵抗は、高抵抗
な多結晶シリコン膜を形成した後、窒化シリコン１３を
マスクとして選択的に不純物を注入することによって同
時に形成することができる。
ンター・コネクション膜と高抵抗な負荷抵抗は、高抵抗
な多結晶シリコン膜を形成した後、窒化シリコン１３を
マスクとして選択的に不純物を注入することによって同
時に形成することができる。
その他に高抵抗膜を低抵抗化する方法として、例えば、
第３７回応用物理学関係連合講演会２９ａ−ＺＡ−１１
に記載されているように、／ｌ−３ｉ、Ｎ、−Ａｆの三
層構造にマスクを形成し、選択的にＴｉを注入して前記
窒化シリコン膜をＴｉＮのように導伝性にすることによ
りＡｆ間接続を可能にした従来例が存在する。
第３７回応用物理学関係連合講演会２９ａ−ＺＡ−１１
に記載されているように、／ｌ−３ｉ、Ｎ、−Ａｆの三
層構造にマスクを形成し、選択的にＴｉを注入して前記
窒化シリコン膜をＴｉＮのように導伝性にすることによ
りＡｆ間接続を可能にした従来例が存在する。
〔発明が解決しようとする課Ｂ］
しかしながら、第３図に示す従来例は、高抵抗な多結晶
シリコン膜に不純物をイオン注入することで低抵抗化し
ているが、Ｎ゛多結晶シリコン１１ＡとＮ゛拡散層２Ａ
とのコンタクト抵抗が大きいという問題があった。この
ため、インバータのスイッチング特性の高速性が得られ
ないという課題があった。この時、Ｎ°多結晶シリコン
ＩＩＡとＮ゛拡散Ｊｉ２Ａとのコンタクト孔を大きくし
て、コンタクト抵抗を下げる方法もあるが、勢い、コン
タクト孔を大きくすると、高集積化に支障をきたす等の
課題があった。
シリコン膜に不純物をイオン注入することで低抵抗化し
ているが、Ｎ゛多結晶シリコン１１ＡとＮ゛拡散層２Ａ
とのコンタクト抵抗が大きいという問題があった。この
ため、インバータのスイッチング特性の高速性が得られ
ないという課題があった。この時、Ｎ°多結晶シリコン
ＩＩＡとＮ゛拡散Ｊｉ２Ａとのコンタクト孔を大きくし
て、コンタクト抵抗を下げる方法もあるが、勢い、コン
タクト孔を大きくすると、高集積化に支障をきたす等の
課題があった。
また、第３７回応用物理学関係連合講演会２９ａ−ＺＡ
−１１に開示されている従来例は、Ｓｉ基板の高抵抗膜
とＡｊ２間の接続に係わるものであるが、高抵抗膜と拡
散層とのコンタクトについての配慮はなされていなかっ
た。
−１１に開示されている従来例は、Ｓｉ基板の高抵抗膜
とＡｊ２間の接続に係わるものであるが、高抵抗膜と拡
散層とのコンタクトについての配慮はなされていなかっ
た。
本発明は、拡散層とこれにコンタクトする抵抗膜の低抵
抗部とのコンタクト抵抗が十分に小さい半導体素子構造
を提供することを目的とするものである。
抗部とのコンタクト抵抗が十分に小さい半導体素子構造
を提供することを目的とするものである。
この目的を達成するために本発明は、不純物イオンが導
入された拡散層と、シリサイド構成元素が導入されるこ
とにより低抵抗化され、当該低抵抗部が前記拡散層と接
触する高抵抗膜と、を有し、前記拡散層と当該高抵抗膜
との界面にシリサイド膜が形成されてなる半導体素子構
造であることを特徴とするものである。
入された拡散層と、シリサイド構成元素が導入されるこ
とにより低抵抗化され、当該低抵抗部が前記拡散層と接
触する高抵抗膜と、を有し、前記拡散層と当該高抵抗膜
との界面にシリサイド膜が形成されてなる半導体素子構
造であることを特徴とするものである。
この発明に係わる半導体素子構造によれば、前記シリサ
イド膜は、拡散層と抵抗膜の低抵抗部との界面に存在し
、それ自身高い導伝性を示し両者を電気的に連結する作
用を存する。その結果、両者のコンクト抵抗を大幅に低
下することができる。
イド膜は、拡散層と抵抗膜の低抵抗部との界面に存在し
、それ自身高い導伝性を示し両者を電気的に連結する作
用を存する。その結果、両者のコンクト抵抗を大幅に低
下することができる。
次に本発明の一実施例について、図面に基づいて説明す
る。
る。
第１図は、半導体素子（インバータ）の製造工程を示す
断面図、第２図は第１図の等価回路図である。
断面図、第２図は第１図の等価回路図である。
第１図（１）の工程では、Ｓｉウェハにフィールド酸化
膜１を形成後、ゲート酸化膜４を介してＮ。
膜１を形成後、ゲート酸化膜４を介してＮ。
多結晶シリコンからなるゲート５を形成する。次いで、
Ｎ型不純物を低濃度でソース・ドレイン領域に注入し、
Ｎ−拡散層３を形成する。この後、ゲート５横にサイド
ウオールを形成するように酸化膜３０によりゲート５を
被覆する。
Ｎ型不純物を低濃度でソース・ドレイン領域に注入し、
Ｎ−拡散層３を形成する。この後、ゲート５横にサイド
ウオールを形成するように酸化膜３０によりゲート５を
被覆する。
次に、第１図（２）の工程では、高濃度に不純物を注入
してＮ°拡散層２を形成する。前記Ｎ−拡散層３とこの
Ｎ゛拡散層２とによりＬＤＤ構造のソス・ドレイン領域
を形成する。次いで、ウェハ表面に高抵抗膜として窒化
シリコン膜６をＣＶＤ法により形成し、これをパターニ
ングして必要部分以外を除去する。次いで、窒化シリコ
ン膜６上に、゛配線としてＡＡをスパッタリングし、バ
ターニングして配線層８を形成する。
してＮ°拡散層２を形成する。前記Ｎ−拡散層３とこの
Ｎ゛拡散層２とによりＬＤＤ構造のソス・ドレイン領域
を形成する。次いで、ウェハ表面に高抵抗膜として窒化
シリコン膜６をＣＶＤ法により形成し、これをパターニ
ングして必要部分以外を除去する。次いで、窒化シリコ
ン膜６上に、゛配線としてＡＡをスパッタリングし、バ
ターニングして配線層８を形成する。
次に、第１図（３）の工程では、第１図（２）の工程で
得たウェハ表面にＳＯＧ膜をスピンコードし、低抵抗化
する領域以外のＳＯＧ膜をエツチングし、ＳＯＧ膜１３
のマスクを形成する。次いで、ウェハ全面にシリサイド
を構成するイオンとしてＴｊをイオン注入する。この時
、ドーズ量１０ＥＩ ６〜ＩＯＥ１８ｃｍ−”の範囲内
、エネルギー４００ＫｅＶでＴｉをＳＯＧ膜１３のマス
ク以外の窒化シリコンＭ６にイオン注入し、低抵抗なＴ
ｊＮからなるインター・コネクション膜７Ａ及び低抵抗
膜７Ｂを得る。なお、Ｔｉは配線層８を貫通して窒化シ
リコン膜６に注入される。そして、ＳＯＧ膜１３がマス
クとなり、Ｔｉがイオン注入されなかった高抵抗領域が
負荷抵抗６０となる。
得たウェハ表面にＳＯＧ膜をスピンコードし、低抵抗化
する領域以外のＳＯＧ膜をエツチングし、ＳＯＧ膜１３
のマスクを形成する。次いで、ウェハ全面にシリサイド
を構成するイオンとしてＴｊをイオン注入する。この時
、ドーズ量１０ＥＩ ６〜ＩＯＥ１８ｃｍ−”の範囲内
、エネルギー４００ＫｅＶでＴｉをＳＯＧ膜１３のマス
ク以外の窒化シリコンＭ６にイオン注入し、低抵抗なＴ
ｊＮからなるインター・コネクション膜７Ａ及び低抵抗
膜７Ｂを得る。なお、Ｔｉは配線層８を貫通して窒化シ
リコン膜６に注入される。そして、ＳＯＧ膜１３がマス
クとなり、Ｔｉがイオン注入されなかった高抵抗領域が
負荷抵抗６０となる。
次いで、第１図（４）の工程では、ＳＯＧ膜１３を除去
後、第１図（３）で得たウェハを９５０°Ｃでランプア
ニールし、Ｔｉイオンの活性化、及びインター・コネク
ション膜７ＡとＮ°拡散層２Ａとの界面にシリサイド膜
（ＴｉＳｉ）１４の形成を行う。
後、第１図（３）で得たウェハを９５０°Ｃでランプア
ニールし、Ｔｉイオンの活性化、及びインター・コネク
ション膜７ＡとＮ°拡散層２Ａとの界面にシリサイド膜
（ＴｉＳｉ）１４の形成を行う。
その後、ウェハ上にＣＶＤ法によりＣＶＤ酸化膜９を形
成する。ここで、シリサイド膜は、注入されたＴｉが基
板のＳｉと結合して形成されたものであり、それ自身高
い導伝性を示し、インター・コネクション膜７Ａと拡散
層２Ａとを電気的に連結することにより、両者のコンタ
クト抵抗を大幅に低下する。
成する。ここで、シリサイド膜は、注入されたＴｉが基
板のＳｉと結合して形成されたものであり、それ自身高
い導伝性を示し、インター・コネクション膜７Ａと拡散
層２Ａとを電気的に連結することにより、両者のコンタ
クト抵抗を大幅に低下する。
このようにして、絶縁性の窒化シリコン膜６から低抵抗
なＴｉＮからなるインター・コネクション膜７Ａと高抵
抗の負荷抵抗６０を同時に作ることができ、かつ、拡散
層とインター・コネクション膜の界面にシリサイド膜（
ＴｉＳｉ）１４を形成することもできる。
なＴｉＮからなるインター・コネクション膜７Ａと高抵
抗の負荷抵抗６０を同時に作ることができ、かつ、拡散
層とインター・コネクション膜の界面にシリサイド膜（
ＴｉＳｉ）１４を形成することもできる。
第２図に示すように、入力電圧Ａが“°Ｌ°゛であると
、出力電圧Ｂは“Ｈ＋＋となる。また、入力電圧が“Ｈ
”であると、出力電圧は“Ｌ ＋＋となる。
、出力電圧Ｂは“Ｈ＋＋となる。また、入力電圧が“Ｈ
”であると、出力電圧は“Ｌ ＋＋となる。
スイッチングの際、インター・コネクション膜７Ａは十
分低抵抗化され、かつ、インター・コネクション膜とＭ
ＯＳ Ｆ ＥＴの拡散層２Ａとの接触界面には、シリサ
イドが形成されているからスイッチング特性の高速性を
著しく向上できる。そして、負荷抵抗６０は、窒化シリ
コンで形成されていることから十分高抵抗であり、かつ
、インター・コネクション膜と拡散層との間のコンタク
ト抵抗は十分紙いため、コンタクト孔を小さくでき、そ
の結果、素子の高集積化が可能となる。
分低抵抗化され、かつ、インター・コネクション膜とＭ
ＯＳ Ｆ ＥＴの拡散層２Ａとの接触界面には、シリサ
イドが形成されているからスイッチング特性の高速性を
著しく向上できる。そして、負荷抵抗６０は、窒化シリ
コンで形成されていることから十分高抵抗であり、かつ
、インター・コネクション膜と拡散層との間のコンタク
ト抵抗は十分紙いため、コンタクト孔を小さくでき、そ
の結果、素子の高集積化が可能となる。
前記シリサイドを構成する元素は化学的に活性であり、
５ｔｓＮｎと反応して、ＷＮ、ＴｉＮ等の低抵抗ナイト
ライド膜を形成すると共に、ＴｉＳｉ、ＷＳｉ等のシリ
サイド膜を拡散層とインター・コネクション膜との界面
に形成する。
５ｔｓＮｎと反応して、ＷＮ、ＴｉＮ等の低抵抗ナイト
ライド膜を形成すると共に、ＴｉＳｉ、ＷＳｉ等のシリ
サイド膜を拡散層とインター・コネクション膜との界面
に形成する。
なお、本実施例では、絶縁ゲート型半導体装置であるイ
ンバータについて説明したが、不純物が拡散され、低抵
抗化した多結晶シリコンを配線とし、下層配線と上層配
線の間に窒化シリコンの層間絶縁膜を有する多層配線構
造に本発明を適用することができる。即ち、下層配線と
上層配線との間を導電化する際、シリサイドを構成する
イオンを選択的に前記窒化シリコン膜に導入して低抵抗
化し、かつ、当該配線と低抵抗化した膜との界面にシリ
サイド膜を形成することにより、配線と低抵抗化した膜
とのコンタクト抵抗を大幅に下げることもできる。
ンバータについて説明したが、不純物が拡散され、低抵
抗化した多結晶シリコンを配線とし、下層配線と上層配
線の間に窒化シリコンの層間絶縁膜を有する多層配線構
造に本発明を適用することができる。即ち、下層配線と
上層配線との間を導電化する際、シリサイドを構成する
イオンを選択的に前記窒化シリコン膜に導入して低抵抗
化し、かつ、当該配線と低抵抗化した膜との界面にシリ
サイド膜を形成することにより、配線と低抵抗化した膜
とのコンタクト抵抗を大幅に下げることもできる。
なお、第１図（２）の工程で、配線としてＡ１を用いた
が、Ａｎ−Ｃｕ、Ａｎ−３ｉ、Ａｌ１−Ｔａ等の常伝導
体を用いても良い。
が、Ａｎ−Ｃｕ、Ａｎ−３ｉ、Ａｌ１−Ｔａ等の常伝導
体を用いても良い。
また、第１図（３）の工程では、シリサイドを構成する
イオンとしてＴｉを導入したがＷ等を使用しても良く、
２種以上導入しても良い。
イオンとしてＴｉを導入したがＷ等を使用しても良く、
２種以上導入しても良い。
以上説明したように本発明に係わる半導体素子構造によ
れば、不純物イオンが導入された拡散層と、シリサイド
構成元素が選択的に導入されることにより低抵抗化され
、当該低抵抗部が前記拡散層と接触する高抵抗膜と、を
有し、前記拡散層と当該高抵抗膜との境界にシリサイド
膜が形成されていることで、従来より前記拡散層と前記
高抵抗膜とのコンタクト抵抗を大幅に小さくすることが
できる。このため、素子の動作速度が高速となり、さら
に、高集積化を向上することもできる。
れば、不純物イオンが導入された拡散層と、シリサイド
構成元素が選択的に導入されることにより低抵抗化され
、当該低抵抗部が前記拡散層と接触する高抵抗膜と、を
有し、前記拡散層と当該高抵抗膜との境界にシリサイド
膜が形成されていることで、従来より前記拡散層と前記
高抵抗膜とのコンタクト抵抗を大幅に小さくすることが
できる。このため、素子の動作速度が高速となり、さら
に、高集積化を向上することもできる。
第１図は、本実施例に係る半導体素子の製造工程を示す
断面図、第２図は第１図の等価回路図、第３図は、従来
のインバータの断面図である。 図中、２はＮ゛拡散層、６は窒化シリコン膜、７Ａはイ
ンター・コネクション膜、６０は負荷抵抗を示す。 第２図 Ｇ 第３図
断面図、第２図は第１図の等価回路図、第３図は、従来
のインバータの断面図である。 図中、２はＮ゛拡散層、６は窒化シリコン膜、７Ａはイ
ンター・コネクション膜、６０は負荷抵抗を示す。 第２図 Ｇ 第３図
Claims (1)
- （１）不純物イオンが導入された拡散層と、シリサイド
構成元素が導入されることにより低抵抗化され、当該低
抵抗部が前記拡散層と接触する高抵抗膜と、を有し、前
記拡散層と当該高抵抗膜との界面にシリサイド膜が形成
されてなることを特徴とする半導体素子構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2168014A JPH0456359A (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 半導体素子構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2168014A JPH0456359A (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 半導体素子構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0456359A true JPH0456359A (ja) | 1992-02-24 |
Family
ID=15860208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2168014A Pending JPH0456359A (ja) | 1990-06-26 | 1990-06-26 | 半導体素子構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0456359A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0807967A2 (en) * | 1996-05-09 | 1997-11-19 | International Business Machines Corporation | Diffused titanium resistor and method for fabricating same |
| US5923087A (en) * | 1996-01-19 | 1999-07-13 | Nippon Precision Circuits Inc. | Semiconductor device comprising bonding pad of barrier metal, silicide and aluminum |
-
1990
- 1990-06-26 JP JP2168014A patent/JPH0456359A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5923087A (en) * | 1996-01-19 | 1999-07-13 | Nippon Precision Circuits Inc. | Semiconductor device comprising bonding pad of barrier metal, silicide and aluminum |
| EP0807967A2 (en) * | 1996-05-09 | 1997-11-19 | International Business Machines Corporation | Diffused titanium resistor and method for fabricating same |
| EP0807967A3 (en) * | 1996-05-09 | 1999-02-03 | International Business Machines Corporation | Diffused titanium resistor and method for fabricating same |
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