JP3164596B2 - ヒドロキシアリールアミン化合物とその製造法及びこれを用いた電子写真感光体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、電子写真感光体の電荷
輸送層における電荷移動物質、ＥＬ素子の材料、太陽電
池の材料等として好適に使用することができる新規な化
合物であるヒドロキシアリールアミン化合物とその好適
な製造方法に関する。本発明は、また、該ヒドロキシア
リールアミン化合物を電荷移動物質として用いた電子写
真感光体に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近の電子写真感光体は、感光層が少な
くとも、露光により電荷を発生させる電荷発生層（ＣＧ
Ｌ）と電荷を輸送する電荷輸送層（ＣＴＬ）とを有する
２層以上の積層型の有機電子写真感光体（ＯＰＣ）が主
流となってきている。この種の有機電子写真感光体にお
ける電荷輸送層には、ヒドラゾン、アリールアミン化合
物、スチルベン化合物［例えば、４，４′−（ジフェニ
ルアミノ）スチルベン等］、カルバゾール化合物等の電
荷移動物質（ＣＴＭ）をバインダー樹脂、とりわけポリ
カーボネート（ＰＣ）に分散溶解キャストしたものが使
用されている。これら従来の有機電子写真感光体の中で
も、電荷輸送層の電荷移動物質としてアリールアミン化
合物やカルバゾール化合物を用いたものは比較的優れた
電子写真特性を示すがその反面、電荷輸送層のバインダ
ー樹脂としてのポリカーボネートとの組み合わせによっ
ては、次の、等の問題点がある。

【０００３】すなわち、このように電荷輸送層のバイン
ダー樹脂としてポリカーボネート樹脂を用い、その電荷
輸送層の電荷移動物質として従来のアリールアミン化合
物やカルバゾール化合物を用いた場合には、電子写真
感光体の作製時において、電荷輸送層を塗布・形成する
際、用いるバインダー樹脂の組み合せによっては塗工液
が白化（ゲル化）して均質な電荷輸送層の形成が困難と
なったり、ソルベントクラックが発生しやすく、また、
一見均質に塗布・形成がなされたとしても、電荷輸送層
に結晶化が生じ易く、この結晶化した部分では光減衰が
起こりにくいため、電荷が残留電位となって残り、画質
上のディフェクトとなって出現するという問題があり、
更に、そのような従来の電荷移動物質を用いた電荷輸
送層は下地との密着性が悪く、作製時又は使用時に剥離
したりクラッキングを起こしやすく、また、表面硬度等
の機械的強度が不足のため、摩耗して製品の耐刷寿命が
短くなるという欠点がある。なお、ここで言う下地と
は、通常の場合電荷発生層（ＣＴＬ）を指すが、正耐電
型電子写真感光体のように導電体の上に電荷輸送層及び
電荷発生層を順次積層する場合には、導電体が下地とな
り、また、電子写真特性の向上を目的に導電体又は電荷
発生層と電荷輸送層の間にブロッキング層や中間層を設
ける場合には、それらが下地となる。

【０００４】このような問題は、ビスフェノールＡを原
料とするポリカーボネート等の汎用性が高く、耐刷性等
の機械的強度の改善が大いに期待できると思われるポリ
カーボネートをバインダー樹脂として用いた場合にもし
ばしば発生する。すなわち、上記の、等の問題がな
く、耐刷性等の向上を目的としたバインダー樹脂として
のポリカーボネート樹脂本来の機能を十分に発揮するこ
とができ、優れた電子写真特性を長時間安定に維持する
ことができる電荷移動物質の開発が強く望まれていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記の事情
を鑑みてなされたものである。本発明の目的は、前記問
題点を解決し、有機電子写真感光体の電荷輸送層の電荷
移動物質として好適に利用することができ、その電荷輸
送層のバインダー樹脂としてビスフェノールＡ系ポリカ
ーボネート等の汎用性の高いポリカーボネートはもとよ
り広範囲の種類のポリカーボネートを用いた場合にも、
該感光体の作製時に電荷輸送層形成用塗工液が白化（ゲ
ル化）したり、塗膜にソルベントクラックが発生するな
どの支障がなく、均質で電気的特性に優れ、かつ表面硬
度等の機械的強度に優れた電荷輸送層を容易に形成する
ことができ、したがって、電子写真特性に優れ、しかも
耐刷寿命が長く、損傷が生じ難いなど耐久性にも優れた
高品質の電子写真感光体を容易に実現することができる
新規な化合物であるヒドロキシアリールアミン化合物を
提供することにある。また、本発明の他の目的は、本発
明のヒドロキシアリールアミン化合物の製造方法として
好適に使用することができる実用上有利な製造方法を提
供することにある。更に、本発明の他の目的は、本発明
のヒドロキシアリールアミン化合物を少なくとも電荷輸
送層の電荷移動物質として用いることにより、前記問題
点が解決されており、長時間の使用にわたって優れた表
面硬度等の機械的強度（耐刷性等）及び優れた電子写真
特性（高感度、残留電位の防止等）を維持するなど実用
上の性能が著しく改善された電子写真感光体を提供する
ことにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記問題
点を解決すべく新規な電荷移動物質の開発に鋭意研究を
重ねた結果、特定の構造のアリールアミノ基を有し、ビ
スフェノール型の骨格構造を有する特定の構造のヒドロ
キシアリールアミン化合物が、有機電子写真感光体の電
荷輸送層の電荷移動物質として極めて有効であり、しか
も、このヒドロキシアリールアミン化合物を電荷輸送層
の電荷移動物質として用いると、その電荷輸送層のバイ
ンダー樹脂としてビスフェノールＡ系ポリカーボネート
をはじめあらゆる種類のポリカーボネートを用いた場合
にも、前記塗工液の白化（ゲル化）、ソルベントクラッ
クの発生、機械的強度等の不足等の問題がなく、電子写
真特性及び耐久性等に優れた電子写真感光体を容易に実
現することができることを見出した。

【０００７】また、この電荷移動物質として優れた性能
を有する前記ヒドロキシアリールアミン化合物すなわち
本発明の化合物の製造方法について種々検討を行った結
果、ビスフェノール型骨格の骨格フェニレン基の少なく
とも一方が１個のハロゲン置換基を有し、かつ該ビスフ
ェノール型骨格上の２個の水酸基がアルコキシ基に置き
換わった形の特定の構造の化合物であるアルコキシ芳香
族ハロゲン化物に、特定の構造のアリールアミン化合物
又はカルバゾール化合物を反応させることによって、直
接あるいは段階的反応を経由して間接的に、アルコキシ
アリールアミン化合物に誘導し、そのアルコキシ基をア
ルキルメルカプトアルカリ金属塩等の脱アルキル化剤と
の反応によってヒドロキシ体とするという特定の方法を
用いることにより、所望のヒドロキシアリールアミン化
合物を、効率よくしかも良質の化合物として容易に得る
ことができることを見出した。

【０００８】本発明者らは、主として以上の知見に基づ
いて、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明
は、一般式（Ｉ）

【化１５】 ｛式中、Ｒ¹ は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基
を示し、Ｘ¹ は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、
式（ＩＩ）で表される芳香族アミノ基又は式（ＩＩＩ）
で表される芳香族アミノ基

【化１６】 ［但し、Ｒ² は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基
であり、Ｙは水素原子、式（ＩＶ）で表される芳香族ア
ミノ基又は式（Ｖ）で表される芳香族アミノ基

【化１７】 （ここで、Ｒ³ は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル
基である。）である。］を示し、Ｘ² は前記式（ＩＩ）
で表される芳香族アミノ基又は前記式（ＩＩＩ）で表さ
れる芳香族アミノ基を示し、Ｘ¹ とＸ² は互いに同じで
もよく、相違していてもよく、Ｚは

【化１８】 ［但し、Ｒ⁵ 及 び Ｒ⁶ は 水 素 、 Ｃ Ｆ₃ 、 炭 素 数 １ 〜 ６ の ア
ル キ ル 基 又 は 炭 素 数 ６ 〜 １２のアリール基であり、互い
に同じであっても相違していてもよい。］、

【化１９】 ［但し、ｎは４〜１０の整数である。］、

【化２０】 ［但し、ｐは２〜１０の整数である。］、単結合、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−又は−ＳＯ₂−である。｝で表さ
れるヒドロキシアリールアミン化合物を提供するもので
ある。

【０００９】また、本発明は、上記の本発明のヒドロキ
シアリールアミン化合物の実用上有利な製造方法とし
て、一般式（ＶＩ）

【化２１】 ｛式中、Ｒ¹ は前記同様に水素原子又は炭素数１〜５の
アルキル基を示し、Ｒ⁴は炭素数１〜３のアルキル基を
示し、Ｘ ³ は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、ヨ
ウ素原子又は臭素原子を示し、Ｘ⁴はヨウ素原子又は臭
素原子を示し、Ｚは

【化２２】 ［但し、Ｒ ⁵ 及びＲ⁶ は 水 素 、 Ｃ Ｆ₃ 、 炭 素 数 １ 〜 ６ の ア
ル キ ル 基 又 は 炭 素 数 ６ 〜 １２のアリール基であり、互い
に同じであっても相違していてもよい。］、

【化２３】 ［但し、ｎは４〜１０の整数である。］、

【化２４】 ［但し、ｐは２〜１０の整数である。］、単結合、−Ｏ
−、−Ｓ−、−ＳＯ−又は−ＳＯ₂−である。｝ で表さ
れるアルコキシ芳香族ハロゲン化物に、式（ＶＩＩ）で
表されるジフェニルアミン化合物又は式（ＶＩＩＩ）で
表されるカルバゾール化合物

【化２５】 ［但し、Ｒ² 及びＹは、それぞれ、前記同様の意味を示
す。］を反応させて、直接あるいは間接的に一般式（Ｉ
Ｘ）

【化２６】 ［但し、Ｒ¹ 、Ｒ ⁴ 、Ｘ¹ 、Ｘ² 及びＺは、それぞれ、
前記同様の意味を示す。］で表されるアルコキシアリー
ルアミン化合物に誘導し、次いで、該アルコキシアリー
ルアミン化合物に脱アルキル化剤を反応させることを特
徴とするヒドロキシアリールアミン化合物の製造方法を
提供し、更に、本発明のヒドロキシアリールアミン化合
物の特に好適な利用例として、前記ヒドロキシアリール
アミン化合物を電荷移動物質として用いたことを特徴と
する電子写真感光体を併せて提供するものである。

【００１０】前記一般式（Ｉ）において、Ｒ¹ は水素原
子又は炭素数１〜５のアルキル基を示すが、このアルキ
ル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロ
ピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチ
ル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチ
ル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基などを挙げ
ることができる。これらの中でも、水素原子、メチル基
等のより低級のアルキル基が好ましく、特に水素原子が
好ましい。

【００１１】前記一般式（Ｉ）のＺにおいて、Ｒ⁵及び
Ｒ⁶の例としての炭素数１〜６のアルキル基としては、
Ｒ¹に関し例示した前記各種のアルキル基に加えてヘキ
シル基を挙げることができ、中でもメチル基が好まし
い。Ｒ⁵及びＲ⁶の例としての炭素数６〜１２のアリール
基としては、フェニル基が好ましい。また、Ｚの例であ
るシクロアルキリデン基としては、１，１−シクロヘキ
シリデン基が好ましい。また、Ｚの例であるポリメチレ
ン基としては、ジメチレン基が好ましい。特に好ましい
Ｚの例としては、ジフェニルメチレン基、ジメチルメチ
レン基、１−メチルメチレン基が挙げられる。

【００１２】前記一般式（Ｉ）において、Ｘ¹ は水素原
子、炭素数１〜５のアルキル基、式（ＩＩ）で表される
芳香族アミノ基又は式（ＩＩＩ）で表される芳香族アミ
ノ基であり、一方、Ｘ² は式（ＩＩ）で表される芳香族
アミノ基又は式（ＩＩＩ）で表される芳香族アミノ基で
ある。Ｘ¹ とＸ² は互いに同じであってもよいし、相違
していてもよい。すなわち、本発明のヒドロキシアリー
ルアミン化合物は、そのビスフェノール型骨格の少なく
とも一方のフェニレン基が式（ＩＩ）又は式（ＩＩＩ）
で表される芳香族アミノ基を置換基として有する。Ｘ¹
がアルキル基の場合、そのアルキル基としては、Ｒ¹ に
関し例示した前記各種のアルキル基を挙げることがで
き、中でも、立体障害の小さいものが好ましく、特にメ
チル基が好ましい。水素原子もＸ¹ として特に好ましい
もののひとつとして挙げることができる。

【００１３】前記式（ＩＩ）又は式（ＩＩＩ）で表され
る芳香族アミノ基において、Ｒ² は水素原子又は炭素数
１〜５のアルキル基を示すが、そのアルキル基として
は、Ｒ¹ に関し例示した前記各種のアルキル基を挙げる
ことができる。Ｒ² としては、水素原子、メチル基など
が好ましい。一方、Ｙは水素原子、前記式（ＩＶ）で表
される芳香族アミノ基又は前記式（Ｖ）で表される芳香
族アミノ基を示す。ここで、これらの芳香族アミノ基に
おけるＲ³ は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基を
示すが、該アルキル基としては、Ｒ¹ に関して例示した
前記各種のアルキル基を挙げることができる。Ｒ³ とし
ては、水素原子、メチル基などが好ましい。

【００１４】前記式（ＩＶ）で表される芳香族アミノ基
すなわちジアリールアミノ基において、Ｒ³ が結合して
いる一対のフェニル基は、各々独立に、未置換のフェニ
ル基又は前記アルキル基が置換しているアルキルフェニ
ル基とすることができる。これらの中でもフェニル基、
メチルフェニル基などが好ましく、特にフェニル基、ｐ
−メチルフェニル基などが好ましい。該芳香族アミノ基
（ＩＶ）の具体例としては、例えば、ジフェニルアミノ
基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、Ｎ−フェニ
ル−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミノ基、ビス（３−
メチルフェニル）アミノ基、ビス（４−エチルフェニ
ル）アミノ基、ビス（４−プロピルフェニル）アミノ
基、ビス（４−ブチルフェニル）アミノ基、ビス（４−
ペンチルフェニル）アミノ基などを挙げることができ
る。これらの中でも、特に、ジフェニルアミノ基、ビス
（４−メチルフェニル）アミノ基などが好ましい。前記
式（Ｖ）で表される芳香族アミノ基すなわちカルバゾー
ル型アミノ基中にはＲ³ が結合している一対の１，２−
フェニレン基があるが、それらのフェニレン基は、各々
独立に、未置換の１，２−フェニレン基又は前記アルキ
ル基が置換している１，２−フェニレン基すなわちアル
キル−１，２−フェニレン基とすることができる。これ
らの中でも、１，２−フェニレン基、メチル−１，２−
フェニレン基等のアルキル−１，２−フェニレン基など
が好ましく、特に、１，２−フェニレン基、４−メチル
−１，２−フェニレン基などが好ましい。該芳香族アミ
ノ基（Ｖ）としては、カルバゾール中のアミノ基（＞Ｎ
−Ｈ）から水素原子を引き抜いてなる残基（以下、９−
カルバゾリル基又は９−カルバゾリルと呼ぶことがあ
る。）及びカルバゾールに前記各種のアルキル基が１又
は２個置換してなる各種のアルキルカルバゾールのアミ
ノ基（＞Ｎ−Ｈ）から水素原子を引き抜いてなるそれぞ
れの残基（以下、アルキル−９−カルバゾリル基又はア
ルキル−９−カルバゾリルというように呼ぶことがあ
る。）がある。これら芳香族アミノ基（Ｖ）の典型的な
ものをいくつか例示すると、例えば、２−メチル−９−
カルバゾリル基、３−メチル−９−カルバゾリル基、４
−メチル−９−カルバゾリル基、３−エチル−９−カル
バゾリル基、３−プロピル−９−カルバゾリル基、３−
ブチル−９−カルバゾリル基、３−ペンチル−９−カル
バゾリル基、３，６−ジメチル−９−カルバゾリル基、
３，５−ジメチル−９−カルバゾリル基、４，５−ジメ
チル−９−カルバゾリル基、３，６−ジエチル−９−カ
ルバゾリル基、３，６−ジプロピル−９−カルバゾリル
基、３，６−ジブチル−９−カルバゾリル基、３，６−
ジペンチル−９−カルバゾリル基などを挙げることがで
きる。これらの中でも特に好ましい芳香族アミノ基
（Ｖ）の例として、例えば、次の式（Ｖａ）で示される
９−カルバゾリル基、式（Ｖｂ）で示される３，６−ジ
メチル−９−カルバゾリル基などを挙げることができ
る。

【００１５】

【化２７】

【００１６】したがって、前記式（ＩＩ）又は式（ＩＩ
Ｉ）中のＹの具体例としては、水素原子、前記例示の各
種の芳香族アミノ基（ＩＶ）及び（Ｖ）を挙げることが
できる。これらの中でも、特に、水素原子、ジフェニル
アミノ基、ビス（４−メチルフェニル）アミノ基、９−
カルバゾリル基［式（Ｖａ）］、３，６−ジメチル−９
−カルバゾリル基［式（Ｖｂ）］などが好ましい。

【００１７】前記式（ＩＩ）で表される芳香族アミノ基
において、Ｒ²及びＹが結合している一対のフェニル基
は、各々独立に、未置換のフェニル基、Ｒ² として例示
した前記アルキル基で置換されたアルキルフェニル基あ
るいはフェニル基又はそれらのアルキルフェニル基にＹ
として例示した前記芳香族アミノ基（ＩＶ）又は芳香族
アミノ基（Ｖ）が置換してなる各種のアミノフェニル基
とすることができる。なお、該アルキルフェニル基の具
体例としては、前記例示の各種のアルキルフェニル基を
挙げることができ、その好ましいもの及び特に好ましい
ものも前記同様である。

【００１８】前記Ｘ¹ 及びＸ² とすることができる前記
芳香族アミノ基（ＩＩ）の具体例としては、前記したよ
うにＲ² 及びＹ更にはＲ³ の選択及び組合せ等に応じた
各種のものがあるが、そのうちの典型的なものを例示す
ると例えば、ジフェニルアミノ基；ビス（４−メチルフ
ェニル）アミノ基、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−メチルフ
ェニル）アミノ基、ビス（３−メチルフェニル）アミノ
基、ビス（４−エチルフェニル）アミノ基、ビス（４−
プロピルフェニル）アミノ基、ビス（４−ブチルフェニ
ル）アミノ基、ビス（４−ペンチルフェニル）アミノ基
等の各種のアルキル置換ジフェニルアミノ基；ビス［４
−（ジフェニルアミノ）フェニル］アミノ基、ビス［３
−（ジフェニルアミノ）フェニル］アミノ基、ビス［４
−（ジフェニルアミノ）−３−メチルフェニル］アミノ
基、ビス｛４−［ビス（４−メチルフェニル）アミノ］
フェニル｝アミノ基、ビス｛４−［ビス（４−エチルフ
ェニル）アミノ］フェニル｝アミノ基、ビス｛４−［ビ
ス（４−プロピルフェニル）アミノ］フェニル｝アミノ
基、ビス｛４−［ビス（４−ブチルフェニル）アミノ］
フェニル｝アミノ基、ビス｛４−［Ｎ−（４−メチルフ
ェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］フェニル｝アミノ基、
Ｎ−［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］−Ｎ−フェ
ニルアミノ基、Ｎ−［４−（ジフェニルアミノ）フェニ
ル］−Ｎ−［４−メチルフェニル］アミノ基等の各種の
（ジフェニルアミノ基若しくはアルキル置換ジフェニル
アミノ基）置換ジフェニルアミノ基及び下記の式（ＩＩ
ａ） で表される基等の各種の、未置換又はアルキル置換
９−カルバゾリル基を有するジフェニルアミノ基などを
挙げることができる。

【００１９】

【化２８】

【００２０】一方、前記Ｘ¹ 及びＸ² とすることができ
る前記芳香族アミノ基（ＩＩＩ）の具体例としては、前
記したようにＲ² 及びＹ更にはＲ³ の選択及び組合せ等
に応じた各種のものがあるが、このうちＹが水素原子で
あるものの具体例としては、例えば、９−カルバゾリル
基、２−メチル−９−カルバゾリル基、３−メチル−９
−カルバゾリル基、４−メチル−９−カルバゾリル基、
３−エチル−９−カルバゾリル基、３−プロピル−９−
カルバゾリル基、３−ブチル−９−カルバゾリル基、３
−ペンチル−９−カルバゾリル基、３，６−ジメチル−
９−カルバゾリル基、３，５−ジメチル−９−カルバゾ
リル基、４，５−ジメチル−９−カルバゾリル基、３，
６−ジエチル−９−カルバゾリル基、３，６−ジプロピ
ル−９−カルバゾリル基、３，６−ジブチル−９−カル
バゾリル基、３，６−ジペンチル−９−カルバゾリル基
などを挙げることができる。また、Ｙが水素原子でない
ものの例としては、上記例示の各種のカルバゾリルフェ
ニル基のカルバゾール環に前記例示の各種の芳香族アミ
ノ基（ＩＶ）又は（Ｖ）が置換してなる各種の芳香族ア
ミノ基（ＩＩＩ）を挙げることができる。一方、前記芳
香族アミノ基（ＩＩＩ）を構造上の点から分類すると、
その典型的なものとして、例えば、下記の式（ＩＩＩ
ａ）［但し、式中のＷは、各々独立に、前記Ｒ² 及びＹ
から選ばれる基を表す。］で表されるカルバゾリル基等
の未置換又は各種の置換９−カルバゾリル基を挙げるこ
とができる。

【００２１】

【化２９】

【００２２】Ｘ¹ 及びＸ² として特に好ましい基を例示
すると、例えば、ジフェニルアミノ基、ビス（４−メチ
ルフェニル）アミノ基、ビス［４−（ジフェニルアミ
ノ）フェニル］アミノ基、ビス｛４−［ビス（４−メチ
ルフェニル）アミノ］フェニル｝アミノ基、Ｒ³ が水素
原子又はメチル基である式（ＩＩａ）で表される基、下
記の式（ＩＩＩａ−１）、式（ＩＩＩａ−２）又は式
（ＩＩＩａ−３）［但し、式中のＷ¹ は水素原子又はメ
チル基を表す。］で表される各種の基などを挙げること
ができ、また、Ｘ¹ として特に好ましい基としては、上
記のほかに更に水素原子及びメチル基などを挙げること
ができる。

【００２３】

【化３０】

【００２４】前記式（Ｉ）で表される化合物すなわち本
発明のヒドロキシアリールアミン化合物としては、前記
したようにＲ¹ 、Ｘ¹、Ｘ²及びＺの選択、組合せ等に応
じて種々の化合物がある。

【００２５】前記ヒドロキシアリールアミン化合物の中
でも、前記同様の点から特に好ましいものの具体例とし
ては、例えば、下記の式（Ｉ−１）〜式（Ｉ−１２）に
示されるそれぞれの化合物｛化合物（Ｉ−１）〜（Ｉ−
１２）｝、などを例示することができる。

【００２６】

【化３１】

【化３２】

【化３３】

【化３４】

【００２７】本発明のヒドロキシアリールアミン化合物
は、前記一般式（Ｉ）、より具体的には前記例示の構造
式から明らかなように、少なくとも、（ａ）アミノ基の
窒素原子等の電子系を介して広範囲の共役系が構成され
るような多数の芳香族環を有し、また、フェノール性の
２個のヒドロキシ基を有する、という特定の構造をもっ
ているので、分子間の電荷移動がより一層容易であり、
電荷移動物質として優れている。しかも、（ｂ）該ヒド
ロキシ基等作用により、例えば、ポリカーボネート等の
官能基を有するポリマーや化合物との相溶性にも優れる
などの種々の特徴を有している。更に、（ｃ）ジヒドロ
キシ化合物であるのでビスフェノール類と類似のモノマ
−としても利用可能であるなど合成化学分野において種
々の用途が期待できる。

【００２８】本発明のヒドロキシアリールアミン化合物
は、例えば上記の特徴や性質を利用することによって、
電子写真感光体の感光層特に電荷輸送層における電荷移
動物質、ＥＬ素子の材料、太陽電池の材料をはじめとす
る種々の用途に好適に利用することができる。特に、後
述のように、特に前記（ａ）、（ｂ）等の性質を具備し
た本発明のヒドロキシアリールアミン化合物を電子写真
感光体の電荷輸送層における電荷移動物質として用いる
場合、該電荷輸送層のバインダー樹脂として広範囲の種
類のポリカーボネートを好適に利用することができるな
どの利点がある。

【００２９】本発明のヒドロキシアリールアミン化合物
は、その一般的な製造方法としては特に制限はなく、ど
のような方法によって製造してもよいが、前記の本発明
の製造方法によって好適に製造することができる。以下
に、この本発明の方法について詳述する。

【００３０】本発明の方法においては、前記式（ＶＩ）
で表されるアルコキシ芳香族ハロゲン化物を原料として
使用する。このアルコキシ芳香族ハロゲン化物は、式
（Ｉ）のヒドロキシアリールアミン化合物の母体となる
化合物であり、式（Ｉ）中のヒドロキシ基をアルコキシ
基（Ｒ⁴ Ｏ−）に 置き換えた形の構造を有している。し
たがって、式（ＶＩ）中のＲ¹ については、前記した通
りである。Ｒ⁴ は、各々独立に、炭素数１〜３のアルキ
ル基であり、具体的には、メチル基、エチル基、ｎ−プ
ロピル及びイソプロピル基を挙げることができる。これ
らの中でも、特にメチル基など好ましい。

【００３１】Ｘ³ としては、通常、臭素原子、ヨウ素原
子が好ましい。 前記各種のヒドロキシアリールアミン化
合物を得るには、それぞれに対応する母体構造を有する
アルコキシ芳香族ハロゲン化物を用いればよい。このア
ルコキシ芳香族ハロゲン化物 のいくつかを例示すると、
例えば、（４−メトキシフェニル）（３−ヨード−４−
メトキシフェニル）メタン、（４−エトキシフェニル）
（３−ヨード−４−エトキシフェニル）メタン、（４−
プロポキシフェニル）（３−ヨード−４−プロポキシフ
ェニル）メタン、ビス（３−ヨード−４−メトキシフェ
ニル）メタン、ビス（３−ヨード−４−エトキシフェニ
ル）メタン、ビス（３−ヨード−４−プロポキシフェニ
ル）メタン、１−（４−メトキシフェニル）−１−（３
−ヨード−４−メトキシフェニル）エタン、１−（４−
エトキシフェニル）−１−（３−ヨード−４−エトキシ
フェニル）エタン、１−（４−プロポキシフェニル）−
１−（３−ヨード−４−プロポキシフェニル）エタン、
１，１−ビス（３−ヨード−４−メトキシフェニル）エ
タン、１，１−ビス（３−ヨード−４−エトキシフェニ
ル）エタン、１，１−ビス（３−ヨード−４−プロポキ
シフェニル）エタン、２−（４−メトキシフェニル）−
２−（３−ヨード−４−メトキシフェニル）プロパン、
２−（４−エトキシフェニル）−２−（３−ヨード−４
−エトキシフェニル）プロパン、２−（４−プロポキシ
フェニル）−２−（３−ヨード−４−プロポキシフェニ
ル）プロパン、２，２−ビス（３−ヨード−４−メトキ
シフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ヨード−４
−エトキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ヨ
ード−４−プロポキシフェニル）プロパン、１，１−ジ
フェニル−１−（４−メトキシフェニル）−１−（３−
ヨード−４−メトキシフェニル）メタン、１，１−ジフ
ェニル−１−（４−エトキシフェニル）−１−（３−ヨ
ード−４−エトキシフェニル）メタン、１，１−ジフェ
ニル−１−（４−プロポキシフェニル）−１−（３−ヨ
ード−４−プロポキシフェニル）メタン、１，１−ジフ
ェニル−１，１−ビス（３−ヨード−４−メトキシフェ
ニル）メタン、１，１−ジフェニル−１，１−ビス（３
−ヨード−４−エトキシフェニル）メタン、１，１−ジ
フェニル−１，１−ビス（３−ヨード−４−プロポキシ
フェニル）メタン、１−（４−メトキシフェニル）−１
−（３−ヨード−４−メトキシフェニル）シクロヘキサ
ン、１−（４−エトキシフェニル）−１−（３−ヨード
−４−エトキシフェニル）シクロヘキサン、１−（４−
プロポキシフェニル）−１−（３−ヨード−４−プロポ
キシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（３−ヨ
ード−４−メトキシフェニル）シクロヘキサン、１，１
−ビス（３−ヨード−４−エトキシフェニル）シクロヘ
キサン、１，１−ビス（３−ヨード−４−プロポキシフ
ェニル）シクロヘキサン等の各種のヨードフェニル系の
アルコキシ芳香族ハロゲン化物、上記ヨードフェニル系
のアルコキシ芳香族ハロゲン化物のヨウ素を臭素に置き
換えしたもの、これらのアルコキシ芳香族ハロゲン化物
中のフェニル基を炭素数１〜５のアルキル基、好ましく
はメチル基で置換したものなどを挙げることができる。
アルコキシ基については、メトキシ系のものが好まし
い。これらの中でも特に好ましいものの具体例として
は、例えば（４−メトキシフェニル）（３ーヨード−４
−メトキシフェニル）メタン、ビス（３−ヨード−４−
メトキシフェニル）メタン、１−（４−メトキシフェニ
ル）−１−（３−ヨード−４−メトキシフェニル）エタ
ン、１，１−ビス（３−ヨード−４−メトキシフェニ
ル）エタン、２−（４−メトキシフェニル）−２−（３
−ヨード−４−メトキシフェニル）プロパン、２，２−
ビス（３−ヨード−４−メトキシフェニル）プロパン、
１，１−ジフェニル−１−（４−メトキシフェニル）−
１−（３−ヨード−４−メトキシフェニル）メタン、
１，１−ジフェニル−１，１−ビス（３−ヨード−４−
メトキシフェニル）メタン、１−（４−メトキシフェニ
ル）−１−（３−ヨード−４−メトキシフェニル）シク
ロヘキサン、１，１−ビス（３−ヨード−４−メトキシ
フェニル）シクロヘキサンなどを例示することができ
る。なお、前記式（ＶＩ）で表される各種のアルコキシ
芳香族ハロゲン化物は、通常は１種単独で用いられる
が、必要に応じて、２種以上を混合物等として併用する
こともできる。

【００３２】本発明の方法においては、前記式（ＶＩ）
で表されるアルコキシ芳香族ハロゲン化物に、まず、式
（ＶＩＩ）で表されるジフェニルアミン化合物又は式
（ＶＩＩＩ）で表されるカルバゾール化合物を反応させ
ることによって、直接あるいは間接的に、前記式（Ｉ
Ｘ）で表されるアルコキシアリールアミン化合物を合成
する。この反応は、該アルコキシ芳香族ハロゲン化物中
のベンゼン環に結合しているハロゲン原子Ｘ ⁴、又はＸ³
及びＸ⁴（ヨウ素原子又は臭素原子）と該ジフェニルア
ミン化合物又はカルバゾール化合物中のアミノ基（＞Ｎ
Ｈ）の水素原子を脱離させる形で該ベンゼン環のハロゲ
ン原子（ Ｘ⁴、又はＸ³ 及 び Ｘ⁴）が結合していた炭素原
子と該アミノ基の窒素原子を結合せしめるカップリング
反応によって行われる。この反応は通常、下記の式
（Ｘ） Ａｒ₂ Ｎ−Ｈ ＋ Ｘ ⁴ −Ａｒ′ → Ａｒ₂ Ｎ−Ａｒ′ （Ｘ） ［ここで、Ａｒ及びＡｒ′はアリール基を表し、Ｘ ⁴
は、前記同様に、ヨウ素原子又は臭素原子、好ましくは
ヨウ素原子を表す。］で表される形式のウルマン反応に
よって好適に行うことができる。なお、このウルマン反
応は、通常、銅粉などの銅の存在下で加熱することによ
って容易に達成される。

【００３３】前記式（ＶＩＩ）のジフェニルアミン化合
物及び式（ＶＩＩＩ）のカルバゾール化合物はＲ² 及び
Ｙの選定によって各種の化合物がある。なお、Ｒ² 及び
Ｙについてはそれぞれ前記した通りである。前記ジフェ
ニルアミン化合物のうち、Ｙが水素原子であるものの具
体例としては、例えば、ジフェニルアミン及びビス（４
−メチルフェニル）アミン、Ｎ−フェニル−Ｎ−（４−
メチルフェニル）アミン、ビス（３−メチルフェニル）
アミン、ビス（４−エチルフェニル）アミン、ビス（４
−プロピルフェニル）アミン、ビス（４−ブチルフェニ
ル）アミン、ビス（４−ペンチルフェニル）アミン等の
各種のアルキル置換ジフェニルアミン化合物を挙げるこ
とができる。これらの中でも、構造上の点から見ると、
通常、下記の式（ＶＩＩａ）［但し、式中のＲ² は、各
々独立に、前記同様のもの、好ましくは水素原子又はメ
チル基を表す。］

【化３５】 で表されるジフェニルアミン化合物などが好ましく、特
に、ジフェニルアミン、ビス（４−メチルフェニル）ア
ミンなどが好ましい。

【００３４】また、前記ジフェニルアミン化合物（ＶＩ
Ｉ）のうち、Ｙが水素原子でないものとしては、例え
ば、上記に例示の各種のジフェニルアミン化合物の２個
のベンゼン環に前記Ｙとして例示した各種の芳香族アミ
ノ基（ＩＶ）及び（Ｖ）が置換してなる各種の化合物を
挙げることができ、具体的には例えば、ビス［４−（ジ
フェニルアミノ）フェニル］アミン、ビス［３−（ジフ
ェニルアミノ）フェニル］アミン、ビス［４−（ジフェ
ニルアミノ）−３−メチルフェニル］アミン、ビス［４
−（ビス（４−メチルフェニル）アミノ）フェニル］ア
ミン、ビス［４−（ビス（４−エチルフェニル）アミ
ノ）フェニル］アミン、ビス［４−（ビス（４−プロピ
ルフェニル）アミノ）フェニル］アミン、ビス［４−
（ビス（４−ブチルフェニル）アミノ）フェニル］アミ
ン、ビス［４−（Ｎ−（４−メチルフェニル）−Ｎ−フ
ェニルアミノ）フェニル］アミン、Ｎ−［４−（ジフェ
ニルアミノ）フェニル］−Ｎ−フェニルアミン、Ｎ−
［４−（ジフェニルアミノ）フェニル］−Ｎ−［４−メ
チルフェニル］アミン等の各種の（ジフェニルアミノ基
若しくはアルキル置換ジフェニルアミノ基）置換ジフェ
ニルアミン及び下記の式（ＶＩＩｂ）［但し、式中のＲ
² 及びＲ³ は、各々独立に、前記同様のもの、好ましく
は水素原子又はメチル基を表す。］

【００３５】

【化３６】 で表されるカルバゾリル基含有ジフェニルアミンなどを
挙げることができる。これらの中でも、特に好ましいも
のとして例えば、ビス［４−（ジフェニルアミノ）フェ
ニル］アミン、ビス［４−（ビス（４−メチルフェニ
ル）アミノ）フェニル］アミン、ビス［４−（９−カル
バゾリル）フェニル］アミン、ビス［４−（３，６−ジ
メチル−９−カルバゾリル）フェニル］アミンなどを挙
げることができる。

【００３６】一方、前式（ＶＩＩＩ）で表されるカルバ
ゾール化合物のうち、Ｙが水素原子であるものの具体例
としては、例えば、カルバゾール、２−メチルカルバゾ
ール、３−メチルカルバゾール、４−メチルカルバゾー
ル、３−エチルカルバゾール、３−プロピルカルバゾー
ル、３−ブチルカルバゾール、３−ペンチルカルバゾー
ル、３，６−ジメチルカルバゾール、３，５−ジメチル
カルバゾール、４，５−ジメチルカルバゾール、３，６
−ジエチルカルバゾール、３，６−ジプロピルカルバゾ
ール、３，６−ジブチルカルバゾール、３，６−ジペン
チルカルバゾールなどの各種のものを挙げることができ
る。これらの中でも、構造上の点から見ると、通常、下
記の式（ＶＩＩＩａ）［但し、式中のＲ² は、各々独立
に、前記同様のもの、好ましくは水素原子又はメチル基
を表す。］

【００３７】

【化３７】 で表されるカルバゾール化合物などが好ましく、特に、
カルバゾール、３，６−ジメチルカルバゾールなどが好
ましい。

【００３８】また、前記カルバゾール化合物（ＶＩＩ
Ｉ）のうち、Ｙが水素原子でないものとしては、例え
ば、上記に例示の各種のカルバゾール化合物のカルバゾ
ール環に前記Ｙとして例示した各種の芳香族アミノ基
（ＩＶ）及び（Ｖ）が置換してなる各種の化合物を挙げ
ることができ、具体的には例えば、下記の式（ＶＩＩＩ
ｂ）又は式（ＶＩＩＩｃ）［但し、式中のＲ³ は、各々
独立に、前記同様のもの、好ましくは水素原子又はメチ
ル基を表す。］

【化３８】 で表されるそれぞれの芳香族アミノ基含有カルバゾール
化合物などを挙げることができる。これらの中でも、特
に好ましいものとして例えば、３，６−ビス［９−カル
バゾリル］カルバゾール、３，６−ビス［３，６−ジメ
チル−９−カルバゾリル］カルバゾール、３，６−ビス
［ジフェニルアミノ］カルバゾール、３，６−ビス［ビ
ス（４−メチルフェニル）アミノ］カルバゾールなどを
挙げることができる。

【００３９】前記式（ＩＸ）で表される各種のアルコキ
シアリールアミン化合物は、その構造を考慮して、対応
する骨格構造を有する前記アルコキシ芳香族ハロゲン化
物に、対応する芳香族アミノ基を導入すべく前記各種の
ジフェニルアミン化合物及び前記各種のカルバゾール化
合物から選択される化合物（芳香族アミン）を、前記ウ
ルマン反応を利用して反応させることによって容易に得
ることができる。その際、前記アルコキシアリールアミ
ン化合物のＸ² 又はＸ² とＸ¹ 中の芳香族アミノ基の種
類によっては、前記芳香族アミンを段階的にウルマン反
応に供する間接的な方法を用いることもできる。

【００４０】例えば、アルコキシアリールアミン化合物
のうち、Ｙが水素原子であるグループのものは、Ｙが水
素原子である芳香族アミン（ジフェニルアミン化合物や
カルバゾール化合物）を前記アルコキシ芳香族ハロゲン
化物とのウルマン反応に供することによって直接得るこ
とができる（以下、これを直接法１と呼ぶ。）一方、Ｙ
が水素原子でないグループに属するアルコキシアリール
アミン化合物を得る場合には、次の直接法２又は間接法
（段階法）を採用することができる。

【００４１】すなわち、この直接法２では、Ｙが水素原
子でない対応する芳香族アミン（ジフェニルアミン化合
物やカルバゾール化合物）を前記アルコキシ芳香族ハロ
ゲン化物とのウルマン反応に供することによって、Ｙが
水素原子でないアルコキシアリールアミン化合物を直接
得る。一方、間接法では、まず、前記直接法１によっ
てＹが水素原子であるアルコキシアリールアミン化合物
を合成し、次いで、得られたアルコキシアリールアミ
ン化合物中の導入された芳香族アミノ基のフェニル基又
はカルバゾール化合物環をハロゲン化（ヨウ化又は臭素
化）してハロゲン化物とした後、該ハロゲン化物に、
Ｙが水素原子である芳香族アミン（ジフェニルアミン化
合物又はカルバゾール化合物）を前記同様のウルマン反
応によって反応させて、Ｙが水素原子でない所望のアル
コキシアリールアミン化合物を得る。なお、Ｙが水素原
子でないアルコキシアリールアミン化合物の合成におい
ては、一般的な原料事情等を考慮すると、通常は前記直
接法２よりも前記間接法のほうが好適に採用される。

【００４２】前記ウルマン反応は、常法に準じて行うこ
とができ、通常、銅粉等の銅の存在下で適当な温度に加
熱することによって好適に行うことができる。なお、こ
のウルマン反応は、通常、基質が固体のときに溶媒を用
い、基質が液体のときにはそれ自体を溶媒として用い
る。溶媒としては、例えば、ニトロベンゼン等の不活性
な溶媒が好適に使用される。また、反応系には、反応の
促進効果を向上するための反応促進剤など添加剤を添加
することができる。該反応促進剤としては、例えば、炭
酸カリウム、炭酸ナトリウム等の塩基性化合物が好適に
使用される。

【００４３】前記ウルマン反応における反応温度は、原
料の種類等によって異なるので一律に規定できないが、
通常、１００〜３００℃、好ましくは、１５０〜２５０
℃である。反応時間は、通常、０．５〜１０時間程度と
することができる。また、このウルマン反応に供する前
記アルコキシ芳香族ハロゲン化物あるいは前記ハロゲン
化物（前記間接法におけるの場合）と前記芳香族アミ
ン（ジフェニルアミン化合物又はカルバゾール化合物、
あるいは場合によりこれらの混合物）の割合は、ウルマ
ン反応の化学量論比を考慮して選定すればよく、一般に
は、前者のハロゲン原子（ヨウ素原子又は臭素原子、あ
るいは場合によりその合計）１モル量に対して後者を、
通常、１〜５０モル量、好ましくは、１〜１０モル量の
範囲に設定するのが好適である。一方、前記間接法の
の工程におけるハロゲン化反応は、例えば、前記アルコ
キシ芳香族ハロゲン化物の製造例で述べたハロゲン化方
法を適用して容易に行いうる。具体的には、例えば、前
記間接法でアルコキシアリールアミン化合物にヨウ素
又は臭素好ましくはヨウ素をビス［トリフルオロアセト
キシ］フェニルアイオダイド等の存在下、適当な溶媒
（例えば、四塩化炭素など）中で反応させる方法などが
好適に採用される。このハロゲン化反応における反応温
度は、通常、２０〜１００℃、好ましくは２０〜７０℃
の範囲に選定するのが適当である。反応時間は、通常、
０．５〜２４時間とすることができる。以上のようにし
て合成されたアルコキシアリールアミン化合物は、常法
に従って適宜溶媒等を除去するなど反応混合物から分離
され、所望の純度のものとして取得することができる。

【００４４】こうして得られたアルコキシアリールアミ
ン化合物は、以下に示すような脱アルキル化工程によっ
て、目的とするヒドロキシアリールアミン化合物を得
る。すなわち、本発明方法においては、前記のアミノ化
工程で得た各種のアルコキシアリールアミン化合物に脱
アルキル化剤を反応することによって、結果として、該
アルコキシアリールアミン化合物中の両方のアルコキシ
基（Ｒ⁴ Ｏ−）をヒドロキシ基に転化し、目的とする各
種のヒドロキシアリールアミン化合物を製造する。

【００４５】前記脱アルキル化剤としては、例えば、三
臭化ホウ素、三塩化ホウ素等のハロゲン化ホウ素、ナト
リウムチオエーテラート、カリウムチオエーテラート等
のアルカリ金属チオエーテラート（アルキルメルカプト
アルカリ金属塩など）、トリメチルシリルアイオダイド
等のアルキルシリルハライド、臭化水素と酢酸の混合液
など各種ものを挙げることができる。これらの中でも、
通常、三臭化ホウ素、ナトリウムチオエーテラートなど
が好適であり、中でも特に三臭化ホウ素などが好まし
い。

【００４６】なお、この脱アルキル化工程は、使用する
脱アルキル化剤の種類等を考慮してそれぞれに適した方
法及び条件によってなされるが、いずれの場合にも、公
知の方法に準じた方法に従って容易に行うことができ
る。例えば、脱アルキル化剤として、ナトリウムチオエ
ーテラート等のアルカリ金属チオエーテラートを用いる
場合には、一般にはまず、ヒドロキシアリールアミン化
合物のアルカリ金属塩（ビスフェノラート体）が得られ
る。このアルカリ金属塩を、例えば、塩酸等の適当な酸
で処理することによってジヒドロキシ体とし、必要に応
じて、過剰の酸を中和することによって目的とするヒド
ロキシアリールアミン化合物が得られる。一方、三臭化
ホウ素等を脱アルキル化剤として用いる場合には、前記
エーテル結合（Ｒ⁴ −Ｏ−）の加水分解による脱アルキ
ル化反応によって直接、目的とするヒドロキシアリール
アミン化合物を得ることができる。脱アルキル化剤とし
て三臭化ホウ素等のハロゲン化ホウ素が好適に採用され
る。

【００４７】ここで使用する三臭化ホウ素等のハロゲン
化ホウ素の割合は、反応に供する前記アルコキシアリー
ルアミン化合物１モル量当たり、通常、１〜５０モル
量、好ましくは、１〜５モル量の範囲に選定するのが好
適である。この脱アルキル化反応における反応温度は、
通常、−７０〜１００℃、好ましくは、−３０〜５０℃
との範囲に選定するのが適当である。反応時間は、通
常、１〜２４時間とすることができる。以上のように三
臭化ホウ素等のハロゲン化ホウ素を脱アルキル化剤とし
て用いることによって、目的とするヒドロキシアリール
アミン化合物を好適に生成することができる。生成した
ヒドロキシアリールアミン化合物は、反応混合物から常
法に従って分離され、所望の純度のものとして回収する
ことができる。

【００４８】一方、ナトリウムチオエーテラート等のア
ルカリ金属チオエーテラートを脱アルキル化剤として使
用する場合には、例えば、以下のようにして好適に行う
ことができる。ここで、該アルカリ金属チオエーテラー
トとしては、通常、次の式（ＸＩ） Ｒ−ＳＭ （ＸＩ） ［ただし、式中の、Ｒはアルキル基を表し、Ｍはアルカ
リ金属を表す。］で表されるアルキルメルカプトアルカ
リ金属塩が好適に使用することができる。なお、一般的
にはＲが例えばアリール基である上記以外のアルカリ金
属チオエーテラートも使用可能である。

【００４９】前記Ｒとしては、通常、炭素数が１〜１０
程度のものが好適である。このＲの具体例としては、例
えば、前記例示の各種の炭素数１〜５のアルキル基及び
ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシ
ル基等の直鎖状又は分岐状の脂肪族系アルキル基、シク
ロペンチル、シクロヘキシル基等の脂環式アルキル基、
シクロヘキシルメチル基等の置換アルキル基などを挙げ
ることができる。これらの中でも、前記例示の炭素数１
〜４のアルキル基が好ましく、特に、メチル基やエチル
基等が好ましい。

【００５０】前記Ｍとしてのアルカリ金属の具体例とし
ては、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム及
びセシウムを挙げることができる。これらの中でも、リ
チウム、ナトリウム及びカリウムが好ましく、特に、ナ
トリウム等が好ましい。

【００５１】前記アルキルメルカプトアルカリ金属塩の
具体例としては、前記Ｒ及びＭの種類及び組み合わせに
よって各種のものがあるが、このうち好ましいものとし
ては、メチルチオリチウム、エチルチオリチウム、プロ
ピルチオリチウム、イソプロピルチオリチウム、ブチル
チオリチウム、イソブチルチオリチウム、ｓｅｃ−ブチ
ルチオリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルチオリチウム、メチ
ルチオナトリウム、エチルチオナトリウム、プロピルチ
オナトリウム、イソプロピルチオナトリウム、ブチルチ
オナトリウム、イソブチルチオナトリウム、ｓｅｃ−ブ
チルチオナトリウム、ｔｅｒｔ−ブチルチオナトリウ
ム、メチルチオカリウム、エチルチオカリウム、プロピ
ルチオカリウム、イソプロピルチオカリウム、ブチルチ
オカリウム、イソブチルチオカリウム、ｓｅｃ−ブチル
チオカリウム及びｔｅｒｔ−ブチルチオカリウムを挙げ
ることができる。これらの中でも、例えば、メチルチオ
カリウム、エチルチオカリウム、メチルチオナトリウ
ム、エチルチオナトリウムなど好ましく、特に、エチル
チオナトリウムなどが好ましい。なお、これらのアルキ
ルメルカプトアルカリ金属塩等のアルカリ金属チオエー
テラートは、１種単独で使用してもよく、２種以上を混
合物等として併用してもよい。

【００５２】前記アルコキシアリールアミン化合物とア
ルカリ金属チオエーテラートの反応は、通常、適当な溶
媒中で行うことが好ましい。この溶媒としては、例え
ば、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ、ＨＭＰＡ等の比較的高沸点の極
性溶媒が好適に使用することができ、中でも特に、ＤＭ
Ｆ等が好ましい。なお、これらは、１種単独溶媒として
使用してもよく、２種以上の成分からなる混合溶媒等と
して併用してもよい。

【００５３】前記反応に供するアルキルメルカプトアル
カリ金属塩等のアルカリ金属チオエーテラートの使用量
は、反応に供するアルコキシアリールアミン化合物
（Ｘ）１モル量当たり、通常、２〜２０モル量、好まし
くは、３〜１０モル量の範囲に選定するのが適当であ
る。このアルキルメルカプトアルカリ金属塩等のアルカ
リ金属チオエーテラートによる脱アルキル化反応の反応
温度としては、通常、５０〜２５０℃、好ましくは１２
０〜１７０℃の範囲とするのが適当である。反応時間
は、通常、０．５〜１０時間、好ましくは２〜５時間で
ある。

【００５４】このようにアルコキシアリールアミン化合
物とアルキルメルカプトアルカリ金属塩等のアルカリ金
属チオエーテラートを反応させることにより、原料化合
物のアルコキシ基（すなわち、目的生成物中の水酸基）
が−ＯＭ（ただし、Ｍはアルカリ金属を表す。）の状態
に変化した化合物すなわち目的とするヒドロキシアリー
ルアミン化合物のアルカリ金属塩が得られる。

【００５５】このアルカリ金属塩を酸で処理することに
より、−ＯＭを−ＯＨに変えて目的とするヒドロキシア
リールアミン化合物を得る。この酸処理に使用する酸と
しては、前記−ＯＭを−ＯＨに変えることができるもの
であれば特に制限はなく、例えば、塩酸、硫酸等の無機
酸あるいスルホン酸等の有機酸あるいはそれらの混合物
などを挙げることができる。これらの中でも、通常は塩
酸が好ましい。前記酸処理は、通常、室温でも好適に行
うことができるが、必ずしも室温に限定されるものでは
なく、所望に応じて、適宜処理温度を選定することがで
きる。なお、前記酸処理の前に、前記脱アルキル化反応
を終了した後、反応液を室温等に冷却し、例えば、水酸
化ナトリウム（水溶液）等の塩基を添加して、ヒドロキ
シアリールアミン化合物のアルカリ金属塩を水溶液側に
抽出し、水層と溶媒層を層分離して、得られた水層に対
して前記酸処理を行う方法も好適に採用することができ
る。以上のようにして、目的生成物である本発明のヒド
ロキシアリールアミン化合物すなわち前記一般式（Ｉ）
で表される化合物を好適に生成することができるが、前
記酸処理において酸の種類、添加量によっては、該ヒド
ロキシアリールアミン化合物中のアミノ基と酸との塩若
しくは付加体が得られることがある。そのような場合に
は、適当な塩基（例えば、ＮａＯＨなど）を適量添加し
て過剰の酸を中和することによって目的とするヒドロキ
シアリールアミン化合物として回収することができる。
このようにして得られた本発明のヒドロキシアリールア
ミン化合物は、公知の分離精製法によって所望の純度の
ものとして取得することができる。

【００５６】なお、上記においては、三臭化ホウ素等の
ハロゲン化ホウ素を脱アルキル化剤とする場合及びアル
カリ金属チオエーテラート特にアルキルメルカプトナト
リウム等のアルカリ金属塩アルキルメルカプトアルカリ
金属塩を脱アルキル化剤とした場合について詳述した
が、本発明における前記脱アルキル化工程は、これらに
限定されるものではなく、他の各種の脱アルキル化剤を
用いる方法によって行うこともできる。以上のようにし
て、目的とする本発明のヒドロキシアリールアミン化合
物すなわち前記式（Ｉ）で表される各種の化合物を収率
よく、簡単な工程で、良質の化合物として製造すること
ができる。

【００５７】次に、本発明の電子写真感光体について説
明する。本発明の電子写真感光体は、前記一般式（Ｉ）
で表される化合物すなわち本発明のヒドロキシアリール
アミン化合物を電荷移動物質として用いることを特徴と
する。すなわち、本発明の電子写真感光体は、本発明の
ヒドロキシアリールアミン化合物を電荷移動物質として
利用する限り、公知の種々の形式の電子写真感光体はも
とより、どのようなものとしてもよいが、導電性基板上
に少なくとも１層の電荷発生層（ＣＧＬ）と少なくとも
１層の電荷輸送層（ＣＴＬ）を有する感光層設けた有機
電子写真感光体（ＯＰＣ）とするのが好ましい。

【００５８】本発明のヒドロキシアリールアミン化合物
は、電荷移動物質として使用する限り電子写真感光体の
どの部分にも使用してもよいが、通常、少なくとも１層
の電荷輸送層に電荷移動物質として使用される。なお、
電荷輸送層を２層以上有する更に多層型の電子写真感光
体の場合には、その１層又は２層以上の任意の電荷輸送
層に使用することができるが、特に指定のない限り、通
常は、その全ての電荷輸送層に使用することが望まし
い。本発明のヒドロキシアリールアミン化合物を電荷輸
送層の電荷移動物質として使用する際、公知のこの種の
有機電子写真感光体の場合と同様に、該電荷移動物質を
分散相溶（キャスト）する形で適当なバインダー樹脂と
共に使用される。なお、その際、本発明のヒドロキシア
リールアミン化合物は１種単独で使用してもよいし、２
種以上を併用してもよい。また、必要に応じて、ほかの
電荷移動物質を併用することもできる。

【００５９】本発明のヒドロキシアリールアミン化合物
とともに電荷輸送層に使用する前記バインダー樹脂とし
ては、従来この種のバインダー樹脂として提案されてい
るものなど各種のものが使用可能であるが、通常は、機
械的強度やバインダー樹脂としての基本特性に優れるな
どの点から、ポリカーボネートあるいはこれを主成分と
するバインダー樹脂が好適に使用される。このバインダ
ー樹脂に使用されるポリカーボネートとしては、公知の
ものなど各種のポリカーボネートを好適に使用すること
ができる。前記ポリカーボネートとしては、各種のビス
フェノール類のうちの１種又は２種以上と炭酸エステル
形成性化合物（例えば、ホスゲンやアルキルハロホルメ
ート、炭酸エステル等）との重縮合反応などによって製
造することができる各種のポリカーボネート単独重合体
及び共重合体を挙げることができる。このビスフェノー
ル類の代表例としては、例えば、ビス（４−ヒドロキシ
フェニル）メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）エタン、１，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）エタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）
プロパン、２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）オクタン、４，４−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）ヘプタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−１，１−ジフェニルメタン、１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、１，１−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルメタ
ン、ビス（４−ヒドロキシフェニル）エーテル、ビス
（４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）スルホン、１，１−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）シクロペンタン、１，１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、２，２−ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２
−（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−２−（４
−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、ビス
（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルフィド、
ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）スルホ
ン、ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）メタ
ン、１，１−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）シクロヘキサン、４，４′−ジヒドロキシビフェニ
ル、２，２−ビス（２−メチル−４−ヒドロキシフェニ
ル）プロパン、１，１−ビス（２−ブチル−４−ヒドロ
キシ−５−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２
−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェ
ニル）エタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−
４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロパン、１，
１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５
−メチルフェニル）ブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒ
ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）イ
ソブタン、１，１−ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−
ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ヘプタン、１，１−
ビス（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メ
チルフェニル）−１−フェニルメタン、１，１−ビス
（２−ｔｅｒｔ−アミル−４−ヒドロキシ−５−メチル
フェニル）ブタン、ビス（３−クロロ−４−ヒドロキシ
フェニル）メタン、ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒド
ロキシフェニル）メタン、２，２−ビス（３−クロロ−
４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビス（３
−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，
２−ビス（３−ブロモ−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン、２，２−ビス（３，５−ジフル
オロ−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２，２−ビ
ス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン、２，２−ビス（３−ブロモ−４
−ヒドロキシ−５−クロロフェニル）プロパン、２，２
−ビス（３，５−ジクロロ−４−ヒドロキシフェニル）
ブタン、２，２−ビス（３，５−ジブロモ−４−ヒドロ
キシフェニル）ブタン、１−フェニル−１，１−ビス
（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エタン、ビ
ス（３−フルオロ−４−ヒドロキシフェニル）エーテ
ル、３，３′−ジフルオロ−４，４′−ジヒドロキシビ
フェニル、１，１−ビス（３−シクロヘキシル−４−ヒ
ドロキシフェニル）シクロヘキサンの重合体及びこれら
の共重合体などを挙げることができる。 これらの重合
体及び共重合体は、上記の二価フェノールを用い、ビス
フェノールＡからポリカーボネートを製造する際に用い
られる公知の方法、例えば二価フェノールとホスゲンと
の直接反応、あるいは二価フェノールとビスアリールカ
ーボネートとのエステル交換反応などの方法により製造
することができる。

【００６０】このように本発明の電子写真感光体におい
ては、前記バインダー樹脂として極めて多様なビスフェ
ノール系ポリカーボネートを好適に使用ことができるこ
とに注目すべきである。このことは、バインダー樹脂に
分散相溶させる電荷移動物質として本発明のヒドロキシ
アリールアミン化合物を使用していることによる。すな
わち、従来のアリールアミン化合物、カルバゾール化合
物、あるいはスチルベン化合物［例えば、４−（ジフェ
ニルアミノ）スチルベン等］を電荷移動物質として使用
した場合には、ポリカーボネートの種類によっては前記
、等の問題（［従来の技術］の項を参照。）を十分
に解決することができないが、これに対して本発明のヒ
ドロキシアリールアミン化合物を電荷移動物質として使
用すると前記、等の問題を十分に解消することがで
きるのである。しかも、本発明の場合には、後記の実施
例及び比較例からも明らかなように、従来のアリールア
ミン化合物、カルバゾール化合物及びスチルベン化合物
には不適当であった汎用性が高く、かつ機械的強度、密
着性等のバインダー樹脂特性に優れたポリカーボネート
（例えば、ビスフェノールＡ系のポリカーボネート等）
をも前記の問題なしに好適に使用することができるので
ある。

【００６１】したがって、本発明の電子写真感光体の場
合には、電荷輸送層のバインダー樹脂として各種の所望
のポリカーボネートを用いても、その作製時における電
荷輸送層を塗布・形成する際にその塗工液の白化（ゲル
化）やソルベントクラックの発生等の問題がなく、ま
た、電荷輸送層の結晶化の問題がないので、これに起因
する電荷の残留（残留電位の問題）に基づく画質上のデ
ィフェクトの発生等の問題もない。しかも、使用目的や
条件等に応じて所望の優れたポリカーボネートをバイン
ダー樹脂として問題なく使用することができるので、電
荷輸送層と電荷発生層等との層間密着性（耐剥離性等の
耐久性）及び機械的強度（表面硬度、耐摩耗性等）等の
特性を長期間高いレベルで維持することができる耐刷寿
命、耐久性にも優れた電子写真感光体を容易に実現する
ことができる。

【００６２】更に、本発明の電子写真感光体は、前記し
たように優れた電気的特性を有するヒドロキシアリール
アミン化合物（本発明の化合物）を電子写真感光体とし
て用いているので、優れた電子写真特性（高感度及び高
画質等）を有しており、上記の耐久性等と併せてその高
い電子写真特性を長期間維持することができる。なお、
上記各種のビスフェノール系ポリカーボネートで代表さ
れるポリカーボネートは、その塩化メチレンを溶媒とす
る濃度０．５ｇ／ｄｌの溶液の温度２０℃における還元
粘度［η_sp／Ｃ］が、通常、０．５〜２．０ｄｌ／ｇ、
好ましくは０．４〜２．０ｄｌ／ｇ程度の範囲のものが
好適に使用することができる。この還元粘度［η_sp／
Ｃ］があまり小さすぎると電荷輸送層ひいては電子写真
感光体の強度や耐久性等の特性が十分に確保できないこ
とがあり、一方、あまり大きすぎると電荷移動物質の分
散性や電荷輸送層の製膜性に不都合を生じることがあ
る。これらのポリカーボネートは１種単独で使用しても
よいし、２種以上を併用してもよい。また、必要に応じ
て、ほかのバインダー樹脂成分やほかの成分を含有させ
ることもできる。

【００６３】本発明の電子写真感光体における電荷輸送
層には、前記電荷移動物質及び前記ポリカーボネート等
のバインダー樹脂のほかに、所望に応じて、更に、公知
のこの種の電子写真感光体の電荷輸送層に使用される添
加剤等の各種の添加成分を含有させることができる。そ
のような添加剤として、例えば、酸化防止剤、安定剤、
分散性向上剤、紫外線吸収剤、充填剤、粘度調整剤、接
着（密着）剤、電気的特性向上剤などを挙げることがで
きる。なお、本発明の電子写真感光体の電荷輸送層の形
成に際して使用する塗工液には、前記電荷移動物質、バ
インダー樹脂成分や前記ほかの添加剤等の各種の成分及
びこれを溶解又は分散させる適当な溶剤若しくは分散溶
剤のほかに、ゲル化防止剤等を適宜含有させることもで
きる。

【００６４】本発明の電子写真感光体の構成は、公知の
この種の電子写真感光体の構成と同様の構成とすること
ができるし、あるいは、必要に応じて、種々の変形を行
うことができる。また、本発明の電子写真感光体の作製
は、公知の方法等の各種の方法によって行うことができ
る。以下に、本発明の電子写真感光体の構成の代表的な
例である導電性基板上に電荷発生層及び電荷輸送層が順
次設けられている電子写真感光体並びにその作製法の好
適な例について説明する。

【００６５】本発明の電子写真感光体に用いられる導電
性基板材料としては、公知のものなど各種のものを使用
することができ、具体的には、例えば、アルミニウム、
真ちゅう、銅、ニッケル、鋼等の金属板若しくは金属シ
ート、ブラックシート上にアルミニウム、ニッケル、ク
ロム、パラジウム、グラファイト等の導電性物質を蒸
着、スパッタリング、塗布等によりコーティングするな
どして導電化処理を施したもの、あるいは、ガラス、プ
ラスチック板、布、紙等の基板に導電化処理を施したも
のなどを使用することができる。

【００６６】前記電荷発生層は少なくとも電荷発生材料
を有するものであり、この電荷発生層はその下地となる
基板上に電荷発生材料をバインダー樹脂を用いて結着し
てなる層を形成せしめることによって得られる。電荷発
生層の形成方法としては公知の方法等の各種の方法を使
用することができるが、通常、例えば、電荷発生材料を
バインダー樹脂とともに適当な溶剤により分散若しくは
溶解した塗工液を、所定の下地となる基板上に塗布し、
乾燥せしめる方法等を好適に使用することができる。

【００６７】電荷発生層における電荷発生材料としては
公知のものなど各種のものを使用することができ、具体
的には、例えば、非晶質セレン、三方晶セレン、セレン
−テルル等のセレンの合金、Ａｓ₂ Ｓｅ₃ 等のセレン化
物若しくはセレン含有組成物、酸化亜鉛、ＣｄＳ−Ｓｅ
等の周期表第ＩＩ族及び第ＩＶ族元素からなる無機材
料、酸化チタン等の酸化物系半導体、アモルファスシリ
コンなどのシリコン系材料等の各種の無機材料、金属若
しくは無金属フタロシアニン、アントラセン、ピレン、
ペリレン、ピリリウム塩、チアピリリウム塩、ポリビニ
ルカルバゾール、スクェアリウム顔料等の各種の有機材
料等を挙げることができる。なお、これらは１種単独で
用いてもよく、２種以上を混合するなどして、併用する
こともできる。

【００６８】前記電荷発生層におけるバインダー樹脂と
しては、特に制限はなく、公知のものなど各種のものを
使用でき、具体的には例えば、ポリスチレン、ポリ塩化
ビニル、ポリ酢酸ビニル、塩ビ−酢ビ共重合体、ポリビ
ニルアセタール、アルキッド樹脂、アクリル樹脂、ポリ
アクリロニトリル、ポリカーボネート、ポリアミド、ポ
リケトン、ポリアクリルアミド、ブチラール樹脂、ポリ
エステルなどの熱可塑性樹脂、ポリウレタン、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化性樹脂等を使用する
ことができる。なお、これらのバインダー樹脂は、１種
単独で使用してもよく、２種以上を混合物等として併用
してもよい。

【００６９】前記電荷輸送層は、通常、その下地の上に
電荷輸送材料をバインダー樹脂で結着してなる層が設け
られている。この電荷輸送層の形成方法としては、公知
の方法等各種の方式を使用することができるが、通常、
例えば、電荷輸送材料をバインダー樹脂とともに適当な
溶媒に分散若しくは溶解した塗工液を所定下地上に塗布
し、乾燥する方式などを好適に使用することができる。

【００７０】前記電荷輸送層における電荷輸送材料とし
ては、電荷移動物質である本発明のヒドロキシアリール
アミン化合物が用いられるが、本発明のヒドロキシアリ
ールアミン化合物に加えて、従来用いられている電荷移
動物質（電子輸送性物質や正孔輸送性物質）の１種又は
２種以上を本発明の目的を阻害しない範囲で併用するこ
ともできる。このように、前記電荷輸送層における電荷
輸送材料には、電荷移動物質として本発明のヒドロキシ
アリールアミン化合物が用いられるが、本発明のヒドロ
キシアリールアミン化合物と併用可能な電子輸送性物質
の具体的としては、例えば、クロロアニル、ブロモアニ
ル、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタ
ン、２，４，７−トリニトロ−９−フルオレノン、２，
４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン、２，
４，７−トリニトロ−９−ジシアノメチレンフルオレノ
ン、２，４，５，７−テトラニトロキサントン、２，
４，９−トリニトロチオキサントン等の電子吸引性物質
やこれらの電子吸引性物質を高分子化したもの等を挙げ
ることができ、これらは、１種単独で使用してもよく、
あるいは、２種以上を混合するなどして併用してもよ
い。

【００７１】一方、前記電荷輸送層における電荷輸送材
料として、本発明のヒドロキシアリールアミン化合物と
併用可能な前記正孔輸送性物質の具体的としては、例え
ば、ピレン、Ｎ−エチルカルバゾール、Ｎ−イソプロピ
ルカルバゾール、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルヒドラジノ
−３−メチリデン−９−エチルカルバゾール、Ｎ，Ｎ−
ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン−９−エチルカ
ルバゾール、Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３−メチ
リデン−１０−エチルフェノチアジン、Ｎ，Ｎ−ジフェ
ニルヒドラジノ−３−メチリデン−１０−エチルフェノ
キサジン、ｐ−ジエチルアミノベンズアルデヒド−Ｎ，
Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ジエチルアミノベンズ
アルデヒド−Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フェニルヒドラゾ
ン、ｐ−ピロリジノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェ
ニルヒドラゾン、１，３，３−トリメチルインドレニン
−ω−アルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、ｐ
−ジエチルアミノベンズアルデヒド−３−メチルベンズ
チアゾリノン−２−ヒドラゾン等のヒドラゾン類、２，
５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４
−オキサジアゾール、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニ
ル）ピラゾリン、１−［キノリル（２）］−３−（ｐ−
ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノ
フェニル）ピラゾリン、１−［レピジル（２）］−３−
（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチル
アミノフェニル）ピラゾリン、１−［６−メトキシ−ピ
リジル（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）
−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１
−［ピリジル（５）］−３−（ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、１−［ピリジル（２）］−３−（ｐ
−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミ
ノフェニル）ピラゾリン、１−［ピリジル（２）］−３
−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メチル−５−
（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−［ピ
リジル（２）］−３−（α−メチル−ｐ−ジエチルアミ
ノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピ
ラゾリン、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチルアミノス
チリル）−４−メチル−５−（ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（α−ベンジル
−ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチル
アミノフェニル）ピラゾリン、スピロピラゾリン等のピ
ラゾリン類、２−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−δ
−エチルアミノベンズオキサゾール、２−（ｐ−ジエチ
ルアミノフェニル）−４−（ｐ−ジメチルアミノフェニ
ル）−５−（２−クロロフェニル）オキサゾール等のオ
キサゾール系化合物、２−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）−６−ジエチルアミノベンゾチアゾール等のチアゾ
ール系化合物、ビス（４−ジエチルアミノ−２−メチル
フェニル）−フェニルメタン等のトリアリールメタン系
化合物、１，１−ビス（４−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ−
２−メチルフェニル）ヘプタン、１，１，２，２−テト
ラキス（４−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−２−メチルフェ
ニル）エタン等のポリアリールアミン類、Ｎ，Ｎ′−ジ
フェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（メチルフェニル）ベンジジ
ン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（エチルフ
ェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′
−ビス（プロピルフェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ′−ジ
フェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（ブチルフェニル）ベンジジ
ン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（イソプロ
ピルフェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−
Ｎ，Ｎ′−ビス（ｓｅｃ−ブチルフェニル）ベンジジ
ン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（ｔｅｒｔ
−ブチルフェニル）ベンジジン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル
−Ｎ，Ｎ′−ビス（クロロフェニル）ベンジジン等のベ
ンジジン系化合物、トリフェニルアミン、ポリビニルカ
ルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセ
ン、ポリビニルアクリジン、ポリ−９−ビニルフェニル
アントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、エチル
カルバゾール−ホルムアルデヒド樹脂などを挙げること
ができ、これらは、１種単独で使用してもよく、あるい
は、２種以上を混合するなどして併用してもよい。

【００７２】前記電荷発生層及び電荷輸送層の形成の際
に使用する前記溶媒の具体例としては、例えば、ベンゼ
ン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族系
溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノ
ン等のケトン、メタノール、エタノール、イソプロパノ
ール等のアルコール、酢酸エチル、エチルセロソルブ等
のエステル、四塩化炭素、四臭化炭素、クロロホルム、
ジクロロメタン、テトラクロロエタン等のハロゲン化炭
化水素、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテ
ル、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホ
キシド（ＤＭＳＯ）、ジエチルホルムアミドなどを挙げ
ることができる。これらの溶媒は、１種単独で使用して
もよいし、あるいは、２種以上を混合溶媒等として併用
してもよい。 各層の塗布は公知のものなど各種の塗装
装置を用いて行うことができ、具体的には、例えば、ア
プリケーター、スプレーコーター、バーコーター、ディ
ップコーター、ロールコーター、スピンコーター、ドク
タブレード等を用いて行うことができる。

【００７３】以上のようにして、本発明の電子写真感光
体を得ることができる。本発明の電子写真感光体は、少
なくともその電荷輸送層の電荷移動物質として本発明ヒ
ドロキシアリールアミン化合物という特定の化合物を用
いているので、電荷輸送層のバインダー樹脂として各種
のポリカーボネートを用いても、前記したように電荷輸
送層の塗布・形成の際にも塗工液の白化（ゲル化）やソ
ルベントクラックの発生等の問題がなく容易に作製する
ことができ、長期間にわたって優れた機械的強度（表面
硬度、耐摩耗性、耐剥離性、耐刷性等）及び優れた電子
写真特性（感度、残留電位の低減による画質上のディフ
ェクトの防止、画質特性等）を維持することができる実
用上著しく優れた高品質・高性能の電子写真感光体であ
り、広範囲の各種の電子写真感光体利用分野に有利に利
用することができる。

【００７４】

【実施例】次に、本発明を実施例及び比較例によって更
に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定
されるのもではなく、本発明の思想を逸脱しない範囲で
種々の変形及び応用が可能である。 実施例１ 式（Ｉ−７）で表されるヒドロキシアリールアミン化合
物［化合物（Ｉ−７）］の製造例 （１）ヨウ素化反応：次の式（Ａ）で表される化合物
（化合物Ａ）すなわちビスジフェニルビス（３−ヨード
−４−メトキシフェニル）メタンの合成

【化３９】 容積１リットルのフラスコに、 ジ フ ェ ニ ル ビ ス （ ４ − メ
ト キ シ フ ェ ニ ル ） メ タ ン（３０．９ｇ；０．０８１ｍｏ
ｌ）、ヨウ素（２０．５ｇ；０．０８１ｍｏｌ）、ビス
［トリフルオロアセトキシ］フェニルアイオダイド（３
５ｇ；０．０８１ｍｏｌ）及び四塩化炭素（４００ｍ
ｌ）を導入し、室温で２時間攪拌後、２．５時間加熱還
流させた。この反応混合物から溶媒を減圧蒸留によって
除去し、得られた固体をヘキサンで洗浄し、減圧下で乾
燥させた。こうして得られた固体生成物は、ＩＲ分析及
びＦＤマススペクル分析（フィールド脱着法によるマス
スペクトル分析）等によって、所望の化合物Ａであるこ
とが判明した。その収量は４７．７ｇ（収率９３％）で
あった。なお、この固体生成物の精製は熱トルエンによ
る再結晶法によって行った。 （２）ウルマン反応：次の式（Ｂ）で表されるアルコキ
シアリールアミン化合物（化合物Ｂ）すなわちジフェニ
ルビス［３−（９−カルバゾリル）−４−メトキシフェ
ニル］メタンの合成

【化４０】 窒素導入管、機械的攪拌機を有する反応器に、上記
（１）で得た化合物Ａ（２０ｇ；０．０３２ｍｏｌ）、
カルバゾール（１１．６ｇ；０．０７０ｍｏｌ）、銅粉
末（３ｇ）、炭酸カリウム（１０．９ｇ；０．０７９ｍ
ｏｌ）及びニトロベンゼン（１００ｍｌ）を導入し、窒
素気流下２２０℃で７時間攪拌した。反応後、反応液を
濾過し、固体成分を熱トルエンで洗浄した。濾液と洗液
を合わせた溶液を濃縮すると灰白色の固体が析出した。
この固体を濾過によって回収し、乾燥させた。こうして
得られた固体生成物は、ＩＲ分析及びＦＤマススペクル
分析等によって、所望の化合物Ｂであることが判明し
た。その収量は１５．９ｇ（収率７０％）であった。

【００７５】（３）脱アルキル化反応：式（Ｉ−７）で
表されるヒドロキシアリールアミン化合物［化合物（Ｉ
−７）すなわちジフェニルビス［３−（９−カルバゾリ
ル）−４−ヒドロキシフェニル］メタンの合成

【化４１】 窒素導入管を有する反応器に、上記（２）で得た化合物
Ｂ（５ｇ；０．００７５ｍｏｌ）及び塩化メチレン（３
０ｍｌ）を導入した後、反応器を氷冷し、その状態で、
三臭化ホウ素（１．７ｍｌ；０．０１８ｍｏｌ）を塩化
メチレン（３０ｍｌ）に溶解させた溶液を滴下添加し
た。添加後、反応液を室温で３時間攪拌した。その後、
反応器を再び氷冷し、その状態で１０ｍｌの水を滴下し
た。得られた塩化メチレン層を数回水洗した後、硫酸ナ
トリウムで脱水した。次いで、この硫酸ナトリウムを濾
過により除去し、得られた塩化メチレン溶液から塩化メ
チレンを留去することによって固体の粗生成物を得た。
この粗生成物を、トルエン及びヘキサンをそれぞれ良溶
媒及び貧溶媒とする再沈殿法により精製した。こうして
得られた固体生成物は、ＩＲ分析及びＦＤマススペクル
分析等によって、目的とするの化合物（Ｉ−７）である
ことが判明した。なお、その際、ＩＲチャートからはヒ
ドロキシ基に帰属される３５００ｃｍ^-1（ν_OH）の吸収
ピークの存在が、一方、ＦＤマススペクトルのチャート
からはｍ／ｅ＝６８２の分子イオンピークの存在が確認
された。この目的とする化合物（Ｉ−７）の収量は３．
８ｇ（収率７５％）であった。

【００７６】実施例２ 式（Ｉ−１）で表されるヒドロキシアリールアミン化合
物［化合物（Ｉ−１）］の製造例

【化４２】 実施例１の（１）のヨウ素化反応でジフェニルビス（４
−メトキシフェニル）メタンの代わりに２，２−ビス
（４−メトキシフェニル）プロパンを同モル量、（２）
のウルマン反応の段階で、カルバゾールの代わりにジフ
ェニルアミンを同モル量用いた以外は、実施例１の
（１）及び（２）の操作を同様に実施した。その結果、
アルコキシアリールアミン化合物である２，２−ビス
［３−（ジフェニルアミノ）−４−メトキシフェニル］
プロパン（化合物Ｃ）が得られた。次いで、該化合物Ｃ
を化合物Ｂの代わりに同モル量用いた以外は実施例１の
（３）の操作を同様にして実施した。その結果、この脱
アルキル化反応によって、目的とするヒドロキシアリー
ルアミン化合物である化合物（Ｉ−１）が得られた。こ
の化合物（Ｉ−１）の収率は、用いた化合物Ｃ基準で９
０％であった。なお、この化合物（Ｉ−１）のＩＲピー
クとしてヒドロキシ基に帰属される３５００ｃｍ^-1の吸
収が、一方、ＦＤ法マススペクトルのピークとして、ｍ
／ｅ＝５５８の分子イオンピークが確認された。

【００７７】実施例３ 式（Ｉ−６）で表されるヒドロキシアリールアミン化合
物［化合物（Ｉ−６）］の製造例

【００７８】（１）ヨウ素化反応：次の式（Ｄ）で表さ
れる化合物（化合物Ｄ）すなわち２，２−ビス［３−
（３，６−ジヨード−９−カルバゾリル）−４−メトキ
シフェニル］プロパンの合成

【化４３】

【００７９】ジフェニルビス（４−メトキシフェニル）
メタンの代わりに２，２−ビス（４−メトキシフェニ
ル）プロパンを用いて実施例１の（１）と同様の操作を
行ってヨウ素化物を得、このヨウ素化物とカルバゾール
とのウルマン反応を実施例１の（２）と同様にして行
い、２，２−ビス［３−（９−カルバゾリル）−４−メ
トキシフェニル］プロパンを得た。得られた２，２−ビ
ス［３−（９−カルバゾリル）−４−メトキシフェニ
ル］プロパンに対して２当量のヨウ素とビス［トリフル
オロアセトキシ］フェニルアイオダイドを反応させてヨ
ウ素化することにより、上記（Ｄ）で示される化合物Ｄ
を得た。収率は８２％であった。

【００８０】（２）ウルマン反応：次の式（Ｅ）で表さ
れるアルコキシアリールアミン化合物（化合物Ｅ）すな
わち２，２−ビス｛３−［３，６−ビス（ジフェニルア
ミノ）−９−カルバゾリル］−４−メトキシフェニル｝
プロパンの合成

【化４４】

【００８１】上記（１）で得た化合物Ｄとジフェニルア
ミンとのウルマン反応を行った以外は実施例１の（２）
の操作を同様にして実施した。その結果、上記の化合物
Ｅを収率８５％で得た。

【００８２】（３）脱アルキル化反応：式（Ｉ−６）で
表されるヒドロキシアリールアミン化合物［化合物（Ｉ
−６）すなわち２，２−ビス｛３−［３，６−ビス（ジ
フェニルアミノ）−９−カルバゾリル］−４−ヒドロキ
シフェニル｝プロパンの合成

【化４５】

【００８３】上記（２）で得た化合物Ｅを化合物Ｂの代
わりに同モル量用いた以外は実施例１の（３）の操作を
同様にして実施した。その結果、この脱アルキル化反応
によって、目的とするヒドロキシアリールアミン化合物
である化合物（Ｉ−６）が得られた。この化合物（Ｉ−
６）の収率は、用いた化合物Ｅ基準で８５％であった。
なお、この化合物（Ｉ−６）のＩＲピークとしてヒドロ
キシ基に帰属される３４８０ｃｍ^-1の吸収が、一方、Ｆ
Ｄ法マススペクトルのピークとして、ｍ／ｅ＝１２２６
の分子イオンピークが確認された。

【００８４】実施例４ 電荷移動物質として実施例１で得たヒドロキシアリール
アミン化合物（Ｉ−７）を濃度５重量％で含有し、か
つ、バインダー樹脂としての２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）プロパン系ポリカーボネートを濃度５重
量％で含有した塩化メチレン溶液を調製し、これを塗工
液とした。この塗工液は、１カ月間放置しても白濁、ゲ
ル化の発生等は見られなかった。

【００８５】アルミニウム製導電性基板上に、オキソチ
タニウムフタロシアニンを電荷発生材料として用いた厚
さ約０．５μｍの電荷発生層を設け、次いで、その電荷
発生層上に、上記の塗工液を浸漬塗工法により塗布し、
乾燥することによって電荷輸送層を形成せしめ、所望の
積層型電子写真感光体を作製した。その際の塗布時にお
ける電荷輸送層の結晶化等の問題は何等認められず、好
適に作製することができた。

【００８６】次に、この電子写真感光体の電子写真特性
を静電気帯電試験装置［ＥＰＡ−８１００；（株）川口
電機製作所製）を用いて次のようにして測定した。すな
わち、−６ｋＶのコロナ放電を行い、初期表面電位（Ｖ
₀）、光照射（１０Ｌｕｘ）後の残留電位（Ｖ_R）及び半
減露光量（Ｅ_1/2）を測定した。結果を表１に示す。ま
た、感光体表面（電荷輸送層）の摩耗特性を、スガ摩耗
試験機を用いて、以下の条件で調べた。その結果を表２
に示す。

【００８７】実施例５ 電荷移動物質として、実施例２で得たヒドロキシアリー
ルアミン化合物（Ｉ−１）を用い、バインダー樹脂材料
として４，４′−ジヒドロキシテトラフェニルメタン系
ポリカーボネートを用いた以外は実施例４と同様にして
塗工液を調製し、その塗工液を用いて実施例４と同様に
して所望の電子写真感光体を作製した。この場合も実施
例４の場合と同様に、塗工液の白化（ゲル化）の問題及
びその塗布時における電荷輸送層の結晶化等の問題は何
等認められず、電荷輸送層を好適に形成することができ
た。次に、この電子写真感光体の電子写真特性の測定及
び摩耗特性の評価を実施例４と同様にして行った。結果
は、それぞれ、表１及び表２に示す。

【００８８】実施例６ 電荷移動物質として、実施例３で得たヒドロキシアリー
ルアミン化合物（Ｉ−６）を用い、バインダー樹脂材料
として２，２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン系ポリカーボネートを用いた以外は実施
例４と同様にして塗工液を調製し、その塗工液を用いて
実施例４と同様にして所望の電子写真感光体を作製し
た。この場合も実施例４の場合と同様に、塗工液の白化
（ゲル化）の問題及びその塗布時における電荷輸送層の
結晶化等の問題は何等認められず、電荷輸送層を好適に
形成することができた。次に、この電子写真感光体の電
子写真特性の測定及び摩耗特性の評価を実施例４と同様
にして行った。結果は、それぞれ、表１及び表２に示
す。

【００８９】比較例１ 電荷移動物質として、Ｎ−フェニルカルバゾールを用い
た以外は実施例４と同様にして塗工液を調製し、その塗
工液を用いて実施例４と同様にして電子写真感光体を作
製した。この場合には、その塗工液は２日目に白濁し、
ゲルが発生した。また、塗布時に電荷輸送層の一部が結
晶化（白化）した。次に、この従来型の電子写真感光体
の電子写真特性の測定及び摩耗特性の評価を実施例４と
同様にして行った。結果は、それぞれ、表１及び表２に
示す。

【００９０】

【表１】 電子写真特性

【表２】 摩耗特性 ^*

【００９１】

【発明の効果】本発明によると、特定の構造を有する新
規な化合物であるヒドロキシアリールアミン化合物を提
供することができる。該ヒドロキシアリールアミン化合
物は、特に、有機電子写真感光体の電荷輸送層の電荷移
動物質として好適に利用することができ次のような種々
の利点及び特徴を有している。 （１）その電荷輸送層のバインダー樹脂としてビスフェ
ノールＡ系ポリカーボネート等の汎用性の高いポリカー
ボネートはもとより広範囲の種類のポリカーボネートを
好適に使用することができる。 （２）すなわち、上記のように種々のバインダー樹脂を
用いても、該感光体の作製時に電荷輸送層形成用塗工液
が白化（ゲル化）したり、塗膜にソルベントクラックが
発生するなどの支障がなく、均質で電気的特性に優れ、
かつ表面硬度等の機械的強度に優れた電荷輸送層を容易
に形成することができる。 （３）したがって、電子写真特性に優れ、しかも耐刷寿
命が長く、損傷が生じ難いなど耐久性にも優れた高品質
の電子写真感光体を容易に実現することができる。

【００９２】また、本発明によると、特定の構造の原料
及び特定の反応ルートを用いているので、上記本発明の
ヒドロキシアリールアミン化合物の製造方法として好適
に使用することができる実用上有利な製造方法を提供す
ることができる。更に、本発明によると、本発明のヒド
ロキシアリールアミン化合物を少なくとも電荷輸送層の
電荷移動物質として用いることにより、上記の（１）、
（２）、（３）等の利点及び特徴が発揮されて、長時間
に使用にわたって優れた表面硬度等の機械的強度（耐刷
性等）及び優れた電子写真特性（高感度、残留電位の防
止等）を維持するなど実用上の性能が著しく改善された
電子写真感光体を提供することができる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｄ 209/86 Ｃ０７Ｄ 209/86 209/88 209/88 Ｇ０３Ｇ 5/06 ３１５ Ｇ０３Ｇ 5/06 ３１５ ３２１ ３２１ (56)参考文献 特開 平３−1155（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−1149（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C07C 215/00 C07C 217/00 C07C 317/00 C07C 323/00 C07D 209/00 G03G 5/06 ＣＡ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 ｛式中、Ｒ¹ は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基
   を示し、Ｘ¹ は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、
   式（ＩＩ）で表される芳香族アミノ基又は式（ＩＩＩ）
   で表される芳香族アミノ基 【化２】 ［但し、Ｒ² は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基
   であり、Ｙは水素原子、式（ＩＶ）で表される芳香族ア
   ミノ基又は式（Ｖ）で表される芳香族アミノ基 【化３】 （ここで、Ｒ³ は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル
   基である。）である。］を示し、Ｘ² は前記式（ＩＩ）
   で表される芳香族アミノ基又は前記式（ＩＩＩ）で表さ
   れる芳香族アミノ基を示し、Ｘ¹ とＸ² は互いに同じで
   もよく、相違していてもよく、Ｚは 【化４】 ［但し、Ｒ⁵及びＲ⁶は水素、ＣＦ₃、炭素数１〜６のア
   ルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基であり、互い
   に同じであっても相違していてもよい。］、 【化５】 ［但し、ｎは４〜１０の整数である。］、 【化６】 ［但し、ｐは２〜１０の整数である。］、 単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−又は−ＳＯ₂−であ
   る。｝で表されるヒドロキシアリールアミン化合物。
2. 【請求項２】 Ｚが−ＣＲ⁵Ｒ⁶−であり、Ｒ⁵及びＲ⁶が
   炭素数１〜６のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリー
   ル基である請求項１記載のヒドロキシアリールアミン化
   合物。
3. 【請求項３】 Ｒ⁵及びＲ⁶がメチル基又はフェニル基で
   ある請求項２記載のヒドロキシアリールアミン化合物。
4. 【請求項４】 一般式（ＶＩ） 【化７】 ｛式中、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基
   を示しＲ⁴は炭素数１〜３のアルキル基を示し、Ｘ³は水
   素原子、炭素数１〜５のアルキル基、ヨウ素原子又は臭
   素原子を示し、Ｘ⁴はヨウ素原子又は臭素原子を示し、
   Ｚは 【化８】 ［但し、Ｒ⁵及びＲ⁶は水素、ＣＦ³、炭素数１〜６のア
   ルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基であり、互い
   に同じであっても相違していてもよい。］、 【化９】 ［但し、ｎは４〜１０の整数である。］、 【化１０】 ［但し、ｐは２〜１０の整数である。］、 単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−又は−ＳＯ₂−であ
   る。｝で表されるアルコキシ芳香族ハロゲン化物に、式
   （ＶＩＩ）で表されるジフェニルアミン化合物又は式
   （ＶＩＩＩ）で表されるカルバゾール化合物 【化１１】 ［但し、Ｒ² は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル基
   であり、Ｙは水素原子、式（ＩＶ）で表される芳香族ア
   ミノ基又は式（Ｖ）で表される芳香族アミノ基 【化１２】 （ここで、Ｒ³は水素原子又は炭素数１〜５のアルキル
   基である。）である。］を反応させて、直接あるいは間
   接的に一般式（ＩＸ） 【化１３】 ［但し、Ｒ¹ 、Ｒ⁴ はそれぞれ前記と同様の意味を示
   し、Ｘ¹は水素原子、炭素数１〜５のアルキル基、式
   （ＩＩ）で表される芳香族アミノ基又は式（ＩＩＩ）で
   表される芳香族アミノ基を示し、Ｘ² は式（ＩＩ）で表
   される芳香族アミノ基又は式（ＩＩＩ）で表される芳香
   族アミノ基を示す。］ 【化１４】 で表されるアルコキシアリールアミン化合物に誘導し、
   次いで、該アルコキシアリールアミン化合物に脱アルキ
   ル化剤を反応させることを特徴とする請求項１記載のヒ
   ドロキシアリールアミン化合物の製造法。
5. 【請求項５】 請求項１、２又は３に記載のヒドロキシ
   アリールアミン化合物を電荷移動物質として用いたこと
   を特徴とする電子写真感光体。