JP3116768B2 - ビスマス層状化合物の製法 - Google Patents
ビスマス層状化合物の製法Info
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- JP3116768B2 JP3116768B2 JP07081442A JP8144295A JP3116768B2 JP 3116768 B2 JP3116768 B2 JP 3116768B2 JP 07081442 A JP07081442 A JP 07081442A JP 8144295 A JP8144295 A JP 8144295A JP 3116768 B2 JP3116768 B2 JP 3116768B2
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- bismuth
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば強誘電性メモリ
等の電子デバイスに用いて有用なビスマス層状化合物の
製法に係わる。
等の電子デバイスに用いて有用なビスマス層状化合物の
製法に係わる。
【０００２】
【従来の技術】ビスマス層状化合物は、１１０Ｋの臨界
温度を有するビスマス系高温超伝導酸化物、あるいは強
誘電性メモリ用材料等、産業上にも極めて重要な化合物
群をなしている。これらの化合物を強誘電性メモリ素子
等の電子デバイスへ応用する場合には、薄膜化プロセス
の開発が不可欠である。
温度を有するビスマス系高温超伝導酸化物、あるいは強
誘電性メモリ用材料等、産業上にも極めて重要な化合物
群をなしている。これらの化合物を強誘電性メモリ素子
等の電子デバイスへ応用する場合には、薄膜化プロセス
の開発が不可欠である。
【０００３】このビスマス層状化合物、例えばＢｉ2 Ｓ
ｒＴａ2 Ｏ9 を強誘電体材料として用いた強誘電性メモ
リは、従来の強誘電性メモリ材料であるＰＺＴ（ＰｂＺ
ｒＴｉ酸化物）系材料における短所である、書き換えの
繰り返しにより残留分極が減少する現象、いわゆるファ
ティーグ現象を示さないことから、最近注目されてきて
いる。
ｒＴａ2 Ｏ9 を強誘電体材料として用いた強誘電性メモ
リは、従来の強誘電性メモリ材料であるＰＺＴ（ＰｂＺ
ｒＴｉ酸化物）系材料における短所である、書き換えの
繰り返しにより残留分極が減少する現象、いわゆるファ
ティーグ現象を示さないことから、最近注目されてきて
いる。
【０００４】現在、このビスマス層状化合物の電子デバ
イスへの応用の試みが行われており、その中で、良好な
強誘電性を示すビスマス層状化合物の薄膜が、ＭＯＤ
（Metal Organic Deposition）法等スピンコートによる
方法により得られている。
イスへの応用の試みが行われており、その中で、良好な
強誘電性を示すビスマス層状化合物の薄膜が、ＭＯＤ
（Metal Organic Deposition）法等スピンコートによる
方法により得られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、実際の
半導体プロセスにおいてはクリーン（清浄）度の要請が
厳しく、上述のスピンコートによる成膜方法では、この
要請を満足させることができない。
半導体プロセスにおいてはクリーン（清浄）度の要請が
厳しく、上述のスピンコートによる成膜方法では、この
要請を満足させることができない。
【０００６】従って、新たな成膜プロセスの開発が必要
になるが、酸化物の薄膜に対しては、超高真空プロセス
（例えば分子線エピタキシー法やレーザアブレーショ
ン）では酸化反応が困難である。また、半導体プロセス
でよく用いられているＭＯＣＶＤ法（有機金属化学的気
相成長法）を適用するには、水素ガスをキャリアとして
用いることができないこと、良好なソース材料がないこ
と等の障害がある。
になるが、酸化物の薄膜に対しては、超高真空プロセス
（例えば分子線エピタキシー法やレーザアブレーショ
ン）では酸化反応が困難である。また、半導体プロセス
でよく用いられているＭＯＣＶＤ法（有機金属化学的気
相成長法）を適用するには、水素ガスをキャリアとして
用いることができないこと、良好なソース材料がないこ
と等の障害がある。
【０００７】このＭＯＣＶＤ法のソース材料の中で、特
にアルカリ土類金属については、前述のビスマス系高温
超伝導酸化物の原料であるため、これまでさかんに開発
が進められたが、現在最良と言われているＤＰＭ（DiPi
valoylMethanato ）錯体においても、アルカリ土類以外
の金属元素に対するＭＯＣＶＤのソース材料と比較し
て、堆積レートが極度に低いことから、ＣＶＤ（化学的
気相成長）法による成膜が困難になっている。
にアルカリ土類金属については、前述のビスマス系高温
超伝導酸化物の原料であるため、これまでさかんに開発
が進められたが、現在最良と言われているＤＰＭ（DiPi
valoylMethanato ）錯体においても、アルカリ土類以外
の金属元素に対するＭＯＣＶＤのソース材料と比較し
て、堆積レートが極度に低いことから、ＣＶＤ（化学的
気相成長）法による成膜が困難になっている。
【０００８】一方、強誘電性メモリ用材料として、従来
から提案されている前述のＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）
Ｏ3 ）に対しては、鉛ＰｂとチタンＴｉ、あるいは鉛と
ジルコニウムＺｒとを１分子中に１：１の比率で含有す
る物質（例えば（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＰｂＯＴｉ（Ｏ−ｉＰ
ｒ）3 やＰｂＺｒ（Ｏ−ｔＢｕ） 6 等）をソース原料と
して、ＣＶＤ法による成膜が試みられている（米国特許
第５３２６８９２Ａ号参照）。
から提案されている前述のＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）
Ｏ3 ）に対しては、鉛ＰｂとチタンＴｉ、あるいは鉛と
ジルコニウムＺｒとを１分子中に１：１の比率で含有す
る物質（例えば（Ｃ2 Ｈ5 ）3 ＰｂＯＴｉ（Ｏ−ｉＰ
ｒ）3 やＰｂＺｒ（Ｏ−ｔＢｕ） 6 等）をソース原料と
して、ＣＶＤ法による成膜が試みられている（米国特許
第５３２６８９２Ａ号参照）。
【０００９】しかしながら、多くの強誘電体材料におい
て、不可欠な成分であるＴａやＮｂにおいては、このよ
うな１分子中に２つのメタルを含有する化合物をＣＶＤ
ソースとして用いる例は報告されていない。
て、不可欠な成分であるＴａやＮｂにおいては、このよ
うな１分子中に２つのメタルを含有する化合物をＣＶＤ
ソースとして用いる例は報告されていない。
【００１０】上述した問題の解決のために、本発明にお
いては、書き換えによる劣化が少なく、清浄度の高い、
強誘電性メモリ材料として適したビスマス層状化合物の
製造方法を提供するものである。
いては、書き換えによる劣化が少なく、清浄度の高い、
強誘電性メモリ材料として適したビスマス層状化合物の
製造方法を提供するものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、単分子中にタ
ンタルＴａもしくはニオブＮｂとアルカリ土類金属とを
２：１の原子比率で含有するアルコキシド原料を用い
て、化学的気相成長法によりビスマス層状化合物を形成
するビスマス層状化合物の製法である。
ンタルＴａもしくはニオブＮｂとアルカリ土類金属とを
２：１の原子比率で含有するアルコキシド原料を用い
て、化学的気相成長法によりビスマス層状化合物を形成
するビスマス層状化合物の製法である。
【００１２】
【００１３】
【００１４】
【作用】上述の本発明製法によれば、単分子中にタンタ
ルＴａもしくはニオブＮｂと、アルカリ土類金属とを、
２：１の原子比率で含有するアルコキシド原料、いわゆ
るバイメタリックソースを導入した原料を用いて化学的
気相成長法によりビスマス層状化合物を形成することに
より、アルカリ土類金属（以下Ａサイトとする）とＴ
ａ、Ｎｂ（以下Ｂサイトとする）とを組成の比を１：２
に保持したままで、ビスマス層状化合物の合成をするこ
とができる。
ルＴａもしくはニオブＮｂと、アルカリ土類金属とを、
２：１の原子比率で含有するアルコキシド原料、いわゆ
るバイメタリックソースを導入した原料を用いて化学的
気相成長法によりビスマス層状化合物を形成することに
より、アルカリ土類金属（以下Ａサイトとする）とＴ
ａ、Ｎｂ（以下Ｂサイトとする）とを組成の比を１：２
に保持したままで、ビスマス層状化合物の合成をするこ
とができる。
【００１５】
【実施例】本発明による、ＣＶＤ原料とこれを用いて製
造したビスマス層状化合物およびその製法は、まず単分
子中にタンタルＴａもしくはニオブＮｂと、アルカリ土
類金属とを２：１の原子比率で含有するアルコキシド原
料を作製し、これをソース材料として用いて、ＣＶＤ法
により成膜することにより、所望の組成の、例えば強誘
電性メモリ等の電子デバイスに用いて有用な薄膜等のビ
スマス層状化合物を得るものである。
造したビスマス層状化合物およびその製法は、まず単分
子中にタンタルＴａもしくはニオブＮｂと、アルカリ土
類金属とを２：１の原子比率で含有するアルコキシド原
料を作製し、これをソース材料として用いて、ＣＶＤ法
により成膜することにより、所望の組成の、例えば強誘
電性メモリ等の電子デバイスに用いて有用な薄膜等のビ
スマス層状化合物を得るものである。
【００１６】本発明の実施例の説明に先立ち、本発明の
概要について説明する。
概要について説明する。
【００１７】上述のＢサイトの金属であるタンタル、ニ
オブのアルコキシド化合物を用意し、これをアルコー
ル、好ましくは無水アルコール中に溶解させる。
オブのアルコキシド化合物を用意し、これをアルコー
ル、好ましくは無水アルコール中に溶解させる。
【００１８】Ａサイトのアルカリ土類元素の金属を、原
子組成で（Ｔａ，Ｎｂ）：（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）＝２：
１となるように秤量してこのアルコール溶液中に分散さ
せる。
子組成で（Ｔａ，Ｎｂ）：（Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ）＝２：
１となるように秤量してこのアルコール溶液中に分散さ
せる。
【００１９】このアルコール溶液を数日環流させること
により、目的の組成のバイメタリックのアルコキシド化
合物のアルコール溶液が生成する（S.Katayama et al.,
J.Mater.Chem.,p889-890(1992)およびO.Renoult et a
l.,J.Am.Ceram.Soc.,p3337-3340(1992) 参照）。
により、目的の組成のバイメタリックのアルコキシド化
合物のアルコール溶液が生成する（S.Katayama et al.,
J.Mater.Chem.,p889-890(1992)およびO.Renoult et a
l.,J.Am.Ceram.Soc.,p3337-3340(1992) 参照）。
【００２０】
【００２１】このバイメタリックのアルコキシド化合物
によるソース原料を、ビスマス源とともに所定の比率で
用いて、通常のＣＶＤ法を行うことにより、所望の組成
のビスマス層状化合物の薄膜を得ることができる。
によるソース原料を、ビスマス源とともに所定の比率で
用いて、通常のＣＶＤ法を行うことにより、所望の組成
のビスマス層状化合物の薄膜を得ることができる。
【００２２】続いて、本発明によるビスマス層状化合物
の製造方法の一具体例について説明する。この具体例
は、組成がＢｉ2 ＳｒＴａ2 Ｏ9 であるビスマス層状化
合物による薄膜を作製する場合の例である。
の製造方法の一具体例について説明する。この具体例
は、組成がＢｉ2 ＳｒＴａ2 Ｏ9 であるビスマス層状化
合物による薄膜を作製する場合の例である。
【００２３】タンタルのアルコキシド化合物として、例
えばＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 を選択し、これをアルコール
好ましくは無水エタノールに溶かし、０．５Ｍ／ｌ程度
の濃度の溶液を作製する。
えばＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 を選択し、これをアルコール
好ましくは無水エタノールに溶かし、０．５Ｍ／ｌ程度
の濃度の溶液を作製する。
【００２４】この溶液にＳｒの金属を、原子組成でＳ
ｒ：Ｔａ＝１：２となるように秤量して、溶液中に分散
させる。この溶液を数日環流させることにより、目的の
バイメタリックアルコキシドが合成される。
ｒ：Ｔａ＝１：２となるように秤量して、溶液中に分散
させる。この溶液を数日環流させることにより、目的の
バイメタリックアルコキシドが合成される。
【００２５】これらの作業は、好ましくは、乾燥した窒
素もしくはアルゴンガス気流中にて行う。このとき、次
式に化学反応を示すように水素ガスの発生を伴うので、
水素の除外に留意して製造を行う。
素もしくはアルゴンガス気流中にて行う。このとき、次
式に化学反応を示すように水素ガスの発生を伴うので、
水素の除外に留意して製造を行う。
【００２６】２Ｔａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 ＋Ｓｒ＋２Ｃ2 Ｈ
5 ＯＨ→ＳｒＴａ2 （ＯＣ2 Ｈ5）12＋Ｈ2 ↑
5 ＯＨ→ＳｒＴａ2 （ＯＣ2 Ｈ5）12＋Ｈ2 ↑
【００２７】
【００２８】こうして得られたバイメタリックソースＳ
ｒＴａ2 （ＯＣ2 Ｈ5 ）12とビスマス源を用いて、バイ
メタリックソースとビスマス源との比率が１：２となる
ように調整し、ＭＯＣＶＤ法により成膜を行う。成膜条
件は例えば、基板温度を４００〜７００℃、反応ガス圧
力を０．１〜５０torr、キャリアガスを酸素を５％以上
含む酸化性ガス雰囲気によって成膜を行う。尚、ソース
中に酸素を含む場合は、酸化性ガス雰囲気でなくてもよ
いことがある。また成膜した後に、成膜温度以上の温度
の酸化性雰囲気中にて、アニールを行ってもよい。
ｒＴａ2 （ＯＣ2 Ｈ5 ）12とビスマス源を用いて、バイ
メタリックソースとビスマス源との比率が１：２となる
ように調整し、ＭＯＣＶＤ法により成膜を行う。成膜条
件は例えば、基板温度を４００〜７００℃、反応ガス圧
力を０．１〜５０torr、キャリアガスを酸素を５％以上
含む酸化性ガス雰囲気によって成膜を行う。尚、ソース
中に酸素を含む場合は、酸化性ガス雰囲気でなくてもよ
いことがある。また成膜した後に、成膜温度以上の温度
の酸化性雰囲気中にて、アニールを行ってもよい。
【００２９】このようにして、Ｂｉ2 ＳｒＴａ2 Ｏ9 な
る組成のビスマス層状化合物の薄膜を形成することがで
きた。ＭＯＣＶＤ法により成膜することから、表面被覆
性のよい薄膜を形成できるほか、薄膜の清浄度を高め、
また生産性も高めることができる。
る組成のビスマス層状化合物の薄膜を形成することがで
きた。ＭＯＣＶＤ法により成膜することから、表面被覆
性のよい薄膜を形成できるほか、薄膜の清浄度を高め、
また生産性も高めることができる。
【００３０】上述のビスマス源としては、例えばＢｉＰ
ｈ3 （トリフェニルビスマス）、Ｂｉ（Ｏ−ｉＰ
ｒ）3 、Ｂｉ（Ｏ−ｔＣ4 Ｈ9 ）3 、Ｂｉ（Ｏ−ｔＣ5
Ｈ11）3 、Ｂｉ（Ｏ−Ｔｏｌ）3 等から選択して用いる
ことができる。
ｈ3 （トリフェニルビスマス）、Ｂｉ（Ｏ−ｉＰ
ｒ）3 、Ｂｉ（Ｏ−ｔＣ4 Ｈ9 ）3 、Ｂｉ（Ｏ−ｔＣ5
Ｈ11）3 、Ｂｉ（Ｏ−Ｔｏｌ）3 等から選択して用いる
ことができる。
【００３１】タンタルのアルコキシド化合物としては、
上述のＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 の他にも、次に挙げるもの
が工業的に生産されており、いずれも純度９９．９９９
％以上のものが入手可能である。例えば、Ｔａ（ＯＣＨ
3 ）5 ，Ｔａ（Ｏ−ｉＣ3 Ｈ7 ）5 ，Ｔａ（Ｏ−ｎＣ3
Ｈ7 ）5 ，Ｔａ（Ｏ−ｉＣ4 Ｈ9 ）5 ，Ｔａ（Ｏ−ｎＣ
4 Ｈ9 ）5 ，Ｔａ（Ｏ−ｓｅｃＣ4 Ｈ9 ）5 ，Ｔａ（Ｏ
−ｔＣ4 Ｈ9 ）5 等である。上述のＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）
5 の代わりにこれらの化合物を用いても、同様にしてビ
スマス層状化合物の成膜を行うことが出来る。
上述のＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）5 の他にも、次に挙げるもの
が工業的に生産されており、いずれも純度９９．９９９
％以上のものが入手可能である。例えば、Ｔａ（ＯＣＨ
3 ）5 ，Ｔａ（Ｏ−ｉＣ3 Ｈ7 ）5 ，Ｔａ（Ｏ−ｎＣ3
Ｈ7 ）5 ，Ｔａ（Ｏ−ｉＣ4 Ｈ9 ）5 ，Ｔａ（Ｏ−ｎＣ
4 Ｈ9 ）5 ，Ｔａ（Ｏ−ｓｅｃＣ4 Ｈ9 ）5 ，Ｔａ（Ｏ
−ｔＣ4 Ｈ9 ）5 等である。上述のＴａ（ＯＣ2 Ｈ5 ）
5 の代わりにこれらの化合物を用いても、同様にしてビ
スマス層状化合物の成膜を行うことが出来る。
【００３２】続いて、本発明によるビスマス層状化合物
の製造方法の他の具体例について説明する。
の製造方法の他の具体例について説明する。
【００３３】前述の強誘電性メモリ用材料に適したＢｉ
2 ＳｒＴａ2 Ｏ9 なる組成を有するビスマス層状化合物
は、ＳｒサイトおよびＴａサイトをそれぞれアルカリ土
類金属およびＮｂで置換することにより、キュリー点、
誘電体特性等が変化することが知られている（G.A.SMOL
ENSKII et al.,SOVIET PHIYSICS-SOLID STATE,p651-655
(1961)およびE.C.SUBBARAO,J.Phys.Chem.Solids Pergam
on Press,Vol.23,p665-676(1962)参照）。
2 ＳｒＴａ2 Ｏ9 なる組成を有するビスマス層状化合物
は、ＳｒサイトおよびＴａサイトをそれぞれアルカリ土
類金属およびＮｂで置換することにより、キュリー点、
誘電体特性等が変化することが知られている（G.A.SMOL
ENSKII et al.,SOVIET PHIYSICS-SOLID STATE,p651-655
(1961)およびE.C.SUBBARAO,J.Phys.Chem.Solids Pergam
on Press,Vol.23,p665-676(1962)参照）。
【００３４】そこで、先の実施例ではＢｉ2 ＳｒＴａ2
Ｏ9 なる組成を有するビスマス層状化合物を作製する例
であったが、本例はこのビスマス層状化合物のＳｒサイ
トおよびＴａサイトをそれぞれアルカリ土類金属および
Ｎｂで置換する場合、すなわちＢｉ2 （Ｓｒa Ｂａb Ｃ
ａc ）（Ｔａd Ｎｂe ）2 Ｏ9 （ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ｄ＋
ｅ＝１）なる組成のビスマス層状化合物による薄膜を作
製する場合の例である。
Ｏ9 なる組成を有するビスマス層状化合物を作製する例
であったが、本例はこのビスマス層状化合物のＳｒサイ
トおよびＴａサイトをそれぞれアルカリ土類金属および
Ｎｂで置換する場合、すなわちＢｉ2 （Ｓｒa Ｂａb Ｃ
ａc ）（Ｔａd Ｎｂe ）2 Ｏ9 （ａ＋ｂ＋ｃ＝１，ｄ＋
ｅ＝１）なる組成のビスマス層状化合物による薄膜を作
製する場合の例である。
【００３５】従って先の実施例では、ＳｒとＴａにより
バイメタリックソースを製造したが、本例では、Ｓｒと
Ｔａの他にもＣａ、Ｂａ他のアルカリ土類元素およびＮ
ｂによっても、バイメタリックソースを作製する。
バイメタリックソースを製造したが、本例では、Ｓｒと
Ｔａの他にもＣａ、Ｂａ他のアルカリ土類元素およびＮ
ｂによっても、バイメタリックソースを作製する。
【００３６】Ｎｂのアルコキシドも工業的に数種のもの
が生産されており、前述のＴａのアルコキシドと同様に
入手可能である（Ｎｂのアルコキシド化合物はD.C.Brad
leyet al.,J.Chem.Soc.,p4439-4442(1956) 等を参
照）。
が生産されており、前述のＴａのアルコキシドと同様に
入手可能である（Ｎｂのアルコキシド化合物はD.C.Brad
leyet al.,J.Chem.Soc.,p4439-4442(1956) 等を参
照）。
【００３７】Ｔａのアルコキシド例えばＴａ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）5 またはＮｂのアルコキシド例えばＮｂ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）5 と、Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ金属を用いて、先の実施例
と同様のプロセスを経て、例えば次に挙げるバイメタリ
ックソースを合成して得ることができる。ＳｒＴａ
2 （ＯＣ2 Ｈ5 ）12，ＳｒＮｂ2 （ＯＣ2 Ｈ5 ）12，Ｂ
ａＴａ2 （ＯＣ2 Ｈ5 ）12，ＢａＮｂ2 （ＯＣ2 Ｈ5 ）
12，ＣａＴａ2 （ＯＣ2 Ｈ5 ）12，ＣａＮｂ2 （ＯＣ2
Ｈ5 ）12等が合成可能である。
5 ）5 またはＮｂのアルコキシド例えばＮｂ（ＯＣ2 Ｈ
5 ）5 と、Ｓｒ，Ｂａ，Ｃａ金属を用いて、先の実施例
と同様のプロセスを経て、例えば次に挙げるバイメタリ
ックソースを合成して得ることができる。ＳｒＴａ
2 （ＯＣ2 Ｈ5 ）12，ＳｒＮｂ2 （ＯＣ2 Ｈ5 ）12，Ｂ
ａＴａ2 （ＯＣ2 Ｈ5 ）12，ＢａＮｂ2 （ＯＣ2 Ｈ5 ）
12，ＣａＴａ2 （ＯＣ2 Ｈ5 ）12，ＣａＮｂ2 （ＯＣ2
Ｈ5 ）12等が合成可能である。
【００３８】このバイメタリックソースの１種以上を、
ビスマス源と共にソース材料として用いて、成膜するビ
スマス層状化合物の組成に合わせて、材料の比率を調整
する。これを先の例と同様に、ＭＯＣＶＤ法により成膜
することにより、所望の組成のビスマス層状化合物の薄
膜を形成することができる。この場合も先の例と同様
に、表面被覆性のよい清浄度の高い薄膜を形成でき、ま
た生産性も高めることができる。
ビスマス源と共にソース材料として用いて、成膜するビ
スマス層状化合物の組成に合わせて、材料の比率を調整
する。これを先の例と同様に、ＭＯＣＶＤ法により成膜
することにより、所望の組成のビスマス層状化合物の薄
膜を形成することができる。この場合も先の例と同様
に、表面被覆性のよい清浄度の高い薄膜を形成でき、ま
た生産性も高めることができる。
【００３９】尚、上述の実施例は本発明の一例であり、
本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取
り得る。
本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取
り得る。
【００４０】尚、ビスマス源と、本発明によるバイメタ
リックソースとの比率は、所望のビスマス層状化合物の
組成に応じて選定されるものであり、バイメタリックソ
ースのＡ，Ｂ両サイトの金属の組成比が１：２に保持し
たまま、ビスマス組成を成膜条件に合わせて独立に制御
できるものである。
リックソースとの比率は、所望のビスマス層状化合物の
組成に応じて選定されるものであり、バイメタリックソ
ースのＡ，Ｂ両サイトの金属の組成比が１：２に保持し
たまま、ビスマス組成を成膜条件に合わせて独立に制御
できるものである。
【００４１】
【発明の効果】上述の本発明方法によれば、これまで成
膜が困難であったビスマス層状化合物の薄膜を確実に歩
留まりよく成膜することができる。
膜が困難であったビスマス層状化合物の薄膜を確実に歩
留まりよく成膜することができる。
【００４２】
【００４３】本発明方法によりビスマス層状化合物を得
ることにより、ＭＯＣＶＤ法により製造することから、
表面被覆性のよい薄膜を形成できるほか、薄膜の清浄度
を高め、また生産性も高めることができる。
ることにより、ＭＯＣＶＤ法により製造することから、
表面被覆性のよい薄膜を形成できるほか、薄膜の清浄度
を高め、また生産性も高めることができる。
【００４４】さらに、本発明方法により形成されるビス
マス層状化合物は、強誘電性メモリ用のデバイス材料と
して適用して、前述のファティーグ現象を回避でき書き
換え回数を飛躍的に多くできるなど電気的特性の良好な
メモリデバイスとなり、これを記憶装置として用いて各
種の情報機器を形成することができる。
マス層状化合物は、強誘電性メモリ用のデバイス材料と
して適用して、前述のファティーグ現象を回避でき書き
換え回数を飛躍的に多くできるなど電気的特性の良好な
メモリデバイスとなり、これを記憶装置として用いて各
種の情報機器を形成することができる。
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ３０Ｂ 29/30 Ｃ３０Ｂ 29/30 Ｃ Ｈ０１Ｌ 21/205 Ｈ０１Ｌ 21/205 21/285 21/285 Ｃ 21/316 21/316 Ｘ (72)発明者 杉山 正隆 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (72)発明者 磯部 雅朗 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−283451（ＪＰ，Ａ) 特公 平２−51848（ＪＰ，Ｂ２) 国際公開94／10084（ＷＯ，Ａ１) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 16/40 C01G 33/00 C01G 35/00 C30B 29/30 H01L 21/316 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (1)
- 【請求項１】 単分子中にタンタルもしくはニオブとア
ルカリ土類金属とを２：１の原子比率で含有するアルコ
キシド原料を用いて、 化学的気相成長法によりビスマス層状化合物を形成する
ことを特徴とするビスマス層状化合物の製法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07081442A JP3116768B2 (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | ビスマス層状化合物の製法 |
| JP2000240957A JP3456196B2 (ja) | 1995-04-06 | 2000-08-09 | 化学的気相成長法用原料、半導体装置の製造方法、並びに強誘電性メモリの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07081442A JP3116768B2 (ja) | 1995-04-06 | 1995-04-06 | ビスマス層状化合物の製法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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