JP3030558B2 - 誘電体磁器材料 - Google Patents
誘電体磁器材料Info
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、低温で焼結でき、特性的には誘電率が低
く、また絶縁抵抗が高く、高いＱを有し、しかも基板と
しても使用可能な誘電体磁器材料に関する。
く、また絶縁抵抗が高く、高いＱを有し、しかも基板と
しても使用可能な誘電体磁器材料に関する。
（従来の技術） 電子機器の軽薄短小化に伴い、電子部品のチップ化が
進んでおり、チップ型の磁器コンデンサが数多く使用さ
れて来ている。従来の磁器コンデンサ用低誘電率材料と
して、従来より、酸化チタン系の磁器材料が汎用されて
いる。これらの材料を用いて第１図に示すようなセラミ
ックコンデンサ１（図中、２は誘電体、３は内部電極、
４は外部電極である。）を製造する場合は、誘電体材料
を一旦仮焼して粉砕した後、ペースト状にしてからシー
ト状の誘電体2aを形成し、該誘電体2a上に電極３を塗布
し、これを図示のように積層して焼成したり、あるいは
仮焼して粉砕した後、ペースト状にしてコンデンサの形
に誘電体2aを印刷し、その上に電極３を印刷するという
工程を繰返して積層化した後、焼成することにより製造
していた。
進んでおり、チップ型の磁器コンデンサが数多く使用さ
れて来ている。従来の磁器コンデンサ用低誘電率材料と
して、従来より、酸化チタン系の磁器材料が汎用されて
いる。これらの材料を用いて第１図に示すようなセラミ
ックコンデンサ１（図中、２は誘電体、３は内部電極、
４は外部電極である。）を製造する場合は、誘電体材料
を一旦仮焼して粉砕した後、ペースト状にしてからシー
ト状の誘電体2aを形成し、該誘電体2a上に電極３を塗布
し、これを図示のように積層して焼成したり、あるいは
仮焼して粉砕した後、ペースト状にしてコンデンサの形
に誘電体2aを印刷し、その上に電極３を印刷するという
工程を繰返して積層化した後、焼成することにより製造
していた。
また、電子機器の小形化、高機能化に伴い、最近では
多層磁器基板が数多く使用され始めて来ており、この多
層磁器基板の材料として、一般的にアルミナが使用され
ている。
多層磁器基板が数多く使用され始めて来ており、この多
層磁器基板の材料として、一般的にアルミナが使用され
ている。
（発明が解決しようとする課題） 上述のように、従来の磁器コンデンサは、誘電体２が
酸化チタン系の磁器材料により構成されているが、これ
らの材料は焼成温度が1200℃〜1400℃といった高温であ
るため、内部電極３として、このような高温でも安定な
PtやPdといった非常に高価な材料を使用しなければなら
なかった。このため、焼成のための電力費がかかり、ま
た、コンデンサ等の素子１個当たりの電極費があまりに
も大きすぎるという問題点があった。
酸化チタン系の磁器材料により構成されているが、これ
らの材料は焼成温度が1200℃〜1400℃といった高温であ
るため、内部電極３として、このような高温でも安定な
PtやPdといった非常に高価な材料を使用しなければなら
なかった。このため、焼成のための電力費がかかり、ま
た、コンデンサ等の素子１個当たりの電極費があまりに
も大きすぎるという問題点があった。
また、前記多層磁器基板として使用されるアルミナ
は、焼成温度が1500℃〜1600℃であるところから、Ｗ、
Mo等の高融点金属が導体材料として用いられているが、
これらは前記のように、焼成温度が高く、高価であると
いう問題点の他、電気抵抗が大きいために、電気信号の
伝達速度が遅いという問題点があった。
は、焼成温度が1500℃〜1600℃であるところから、Ｗ、
Mo等の高融点金属が導体材料として用いられているが、
これらは前記のように、焼成温度が高く、高価であると
いう問題点の他、電気抵抗が大きいために、電気信号の
伝達速度が遅いという問題点があった。
（課題を解決するための手段） 本発明者は、上記の問題点を解決し、安価なAg、Ag−
Pd等の導体が焼付け可能な800℃〜1000℃で焼成でき、
磁器基板としても使用できる誘電体磁器材料を検討し、
下記の組成のものがこの要求を満足するものであること
を見出した。
Pd等の導体が焼付け可能な800℃〜1000℃で焼成でき、
磁器基板としても使用できる誘電体磁器材料を検討し、
下記の組成のものがこの要求を満足するものであること
を見出した。
すなわち、本発明の誘電体磁器材料は、内部導体と共
に一体的に焼成されて積層型電子部品を構成し、かつ内
部導体としてAg系材料を用いるための誘電体磁器材料で
ある。
に一体的に焼成されて積層型電子部品を構成し、かつ内
部導体としてAg系材料を用いるための誘電体磁器材料で
ある。
本発明の第１の誘電体磁器材料は、MgO・SiO2（MgO/S
iO2モル比＝1.0〜2.0）100重量部に対して、低温焼成用
添加物としてCuOを１〜30重量部、Mn酸化物をMnOに換算
して0.6〜５重量部添加したものを混合し仮焼きして母
材とし、該母材100重量部に対してガラスを５〜200重量
部混合し焼結してなることを特徴とする。
iO2モル比＝1.0〜2.0）100重量部に対して、低温焼成用
添加物としてCuOを１〜30重量部、Mn酸化物をMnOに換算
して0.6〜５重量部添加したものを混合し仮焼きして母
材とし、該母材100重量部に対してガラスを５〜200重量
部混合し焼結してなることを特徴とする。
また本発明の第２の誘電体磁器材料は、（CuXMg1-X）
Ｏ・SiO2｛ｘ＝0.05〜0.50,（CuXMg1-X）O/SiO2モル比
1.0〜2.2｝100重量部に対して、低温焼成用添加物とし
てMn酸化物をMnOに換算して0.1〜15重量部、粒径が0.01
μｍ前後の超微粉であるSiO2を１〜10重量部添加したも
のを混合し仮焼きして母材とし、該母材100重量部に対
して、ガラスを５〜100重量部混合し、燒結してなるこ
とを特徴とする。
Ｏ・SiO2｛ｘ＝0.05〜0.50,（CuXMg1-X）O/SiO2モル比
1.0〜2.2｝100重量部に対して、低温焼成用添加物とし
てMn酸化物をMnOに換算して0.1〜15重量部、粒径が0.01
μｍ前後の超微粉であるSiO2を１〜10重量部添加したも
のを混合し仮焼きして母材とし、該母材100重量部に対
して、ガラスを５〜100重量部混合し、燒結してなるこ
とを特徴とする。
また本発明の第３の誘電体磁器材料は、（CuXMg1-X）
Ｏ・SiO2｛ｘ＝0.05〜0.50,（CuXMg1-X）O/SiO2モル比
1.0〜2.2｝100重量部に対して、低温焼成用添加物とし
てMn酸化物をMnOに換算して0.1〜15重量部、粒径が0.01
μｍ前後の超微粉であるSiO2を１〜10重量部添加したも
のを混合し仮焼きして母材とし、該母材100重量部に対
して、ガラスを５〜100重量部、メタルのAgあるいはAg
−Cu合金を0.1〜10重量部混合し、燒結してなることを
特徴とする。
Ｏ・SiO2｛ｘ＝0.05〜0.50,（CuXMg1-X）O/SiO2モル比
1.0〜2.2｝100重量部に対して、低温焼成用添加物とし
てMn酸化物をMnOに換算して0.1〜15重量部、粒径が0.01
μｍ前後の超微粉であるSiO2を１〜10重量部添加したも
のを混合し仮焼きして母材とし、該母材100重量部に対
して、ガラスを５〜100重量部、メタルのAgあるいはAg
−Cu合金を0.1〜10重量部混合し、燒結してなることを
特徴とする。
なお、本発明に用いるガラスとしては、PbO系ガラ
ス、中でもPbO40％〜60％、SiO230％〜45％、Al2O35％
〜10％、B2O30％〜15％（重量％）残部が微量成分から
なるガラスが用いられる。また、ZnO50％〜60％、SiO25
％〜10％、B2O320％〜30％（重量％）残部が微量成分か
らなるガラスが用いられる。その他、PbO−B2O3系、PbO
−B2O3−SiO2系、あるいはPbO、ZnO、Bi2O3、BaO、B
2O3、SiO2、ZrO2、TiO2、Al2O3、CaO、SrOの群から選択
された２種以上の金属酸化物からなるガラスが用いられ
る。
ス、中でもPbO40％〜60％、SiO230％〜45％、Al2O35％
〜10％、B2O30％〜15％（重量％）残部が微量成分から
なるガラスが用いられる。また、ZnO50％〜60％、SiO25
％〜10％、B2O320％〜30％（重量％）残部が微量成分か
らなるガラスが用いられる。その他、PbO−B2O3系、PbO
−B2O3−SiO2系、あるいはPbO、ZnO、Bi2O3、BaO、B
2O3、SiO2、ZrO2、TiO2、Al2O3、CaO、SrOの群から選択
された２種以上の金属酸化物からなるガラスが用いられ
る。
（作用） 本発明において、誘電体磁器材料の組成を上記のよう
に設定した理由は次の通りである。
に設定した理由は次の通りである。
前記第１の磁器材料において、MgO/SiO2モル比が1.0
より小さいかあるいは2.0より大きくなると、焼成温度
が高くなる傾向がある。
より小さいかあるいは2.0より大きくなると、焼成温度
が高くなる傾向がある。
また、CuOは低温焼成を促進するもので、１重量部未
満の場合、焼成温度が高くなる傾向にある。また、CuO
が30重量部を超えるとＱが低くなる傾向がある。
満の場合、焼成温度が高くなる傾向にある。また、CuO
が30重量部を超えるとＱが低くなる傾向がある。
Mn酸化物は出発材料としてMnCO3が加えられ、焼成に
より酸化物となるもので、CuOと同じく低温焼成を助成
する作用と還元防止材としての作用をなすものである
が、これはCuOがあれば必ずしも必要ではなく、またこ
のMn酸化物は上述のような焼成温度において、MnOxの形
態をなし、ｘ＝0.5〜２の範囲内にあると考えられる
が、MnOに換算して0.5重量部以下では効果が薄く、前記
５重量部以上の添加量になると、反対に焼成温度が高く
なる傾向がある。
より酸化物となるもので、CuOと同じく低温焼成を助成
する作用と還元防止材としての作用をなすものである
が、これはCuOがあれば必ずしも必要ではなく、またこ
のMn酸化物は上述のような焼成温度において、MnOxの形
態をなし、ｘ＝0.5〜２の範囲内にあると考えられる
が、MnOに換算して0.5重量部以下では効果が薄く、前記
５重量部以上の添加量になると、反対に焼成温度が高く
なる傾向がある。
また、焼結助材としてのガラスの量については、前記
主成分100重量部に対して５重量部より少ないと焼結助
材としての働きが不十分である上、焼成温度が高くなる
傾向があり、また、200重量部を超えると、収縮率が小
さくなる傾向がある。
主成分100重量部に対して５重量部より少ないと焼結助
材としての働きが不十分である上、焼成温度が高くなる
傾向があり、また、200重量部を超えると、収縮率が小
さくなる傾向がある。
前記第２および第３の誘電体磁器材料において、（Cu
XMg1-X）O/SiO2モル比が、1.0より小さいかあるいは2.2
より大きくなると焼成温度が高くなる傾向がある。
XMg1-X）O/SiO2モル比が、1.0より小さいかあるいは2.2
より大きくなると焼成温度が高くなる傾向がある。
また、CuOが５モル％未満の場合、（ｘ＜0.05）焼成
温度が高くなる傾向にある。また、CuOが、50モル％を
越えると（ｘ＞0.5）Ｑが低くなる傾向がある。
温度が高くなる傾向にある。また、CuOが、50モル％を
越えると（ｘ＞0.5）Ｑが低くなる傾向がある。
Mn酸化物は、MnOに換算して、0.1未満、あるいは15重
量部より多い添加量になると、Ｑが低くなる傾向があ
る。
量部より多い添加量になると、Ｑが低くなる傾向があ
る。
添加物としてのSiO2は、粒径が0.01μｍ前後の超微粉
により、表面を活性化したもので、低温焼成を助成する
作用をなすものである。
により、表面を活性化したもので、低温焼成を助成する
作用をなすものである。
これも、ガラスがあれば、必ずしも必要ではなく、10
重量部より多い添加量になると、反対に焼成温度が高く
なる傾向がある。
重量部より多い添加量になると、反対に焼成温度が高く
なる傾向がある。
又、燒結助材としてのガラスの量については、前記主
成分100重量部に対して５重量部より少ないと燒結助材
としての働きが不十分である上、焼成温度が高くなる傾
向があり、又、100重量部を超えると、収縮率が小さく
なる傾向がある。メタルのAgあるいは、Ag−Cu合金につ
いても、ガラスがあれば、必ずしも必要ではないが、メ
タルAgあるいはAg−Cu合金を添加すると、確かに燒結が
促進されていることが、電子顕微鏡写真により確認され
た。しかし、添加量が0.1重量部より少ないと、焼結性
の向上が顕著ではなく、10重量部を超えると、メタルAg
の析出量が大となり、絶縁抵抗が大きくばらつく傾向が
ある。
成分100重量部に対して５重量部より少ないと燒結助材
としての働きが不十分である上、焼成温度が高くなる傾
向があり、又、100重量部を超えると、収縮率が小さく
なる傾向がある。メタルのAgあるいは、Ag−Cu合金につ
いても、ガラスがあれば、必ずしも必要ではないが、メ
タルAgあるいはAg−Cu合金を添加すると、確かに燒結が
促進されていることが、電子顕微鏡写真により確認され
た。しかし、添加量が0.1重量部より少ないと、焼結性
の向上が顕著ではなく、10重量部を超えると、メタルAg
の析出量が大となり、絶縁抵抗が大きくばらつく傾向が
ある。
（実施例） 次に本発明の実施例を説明する。
［実施例１］ まず市販の酸化マグネシウム、酸化ケイ素、酸化銅、
炭酸マンガンを、MgO129.4g、SiO2120.6g、CuO25.0g、M
nCO32.5gとなるように秤量した。この場合、MgO/SiO2モ
ル比は1.60、CuOはMgSiO3100重量部に対して10重量部に
相当する。これらの粉体の混合物に対し、水1000gを加
え、ボールミルに入れ、16時間混合し、脱水乾燥した。
炭酸マンガンを、MgO129.4g、SiO2120.6g、CuO25.0g、M
nCO32.5gとなるように秤量した。この場合、MgO/SiO2モ
ル比は1.60、CuOはMgSiO3100重量部に対して10重量部に
相当する。これらの粉体の混合物に対し、水1000gを加
え、ボールミルに入れ、16時間混合し、脱水乾燥した。
次にこの乾燥粉体を空気中で750g、２時間加熱するこ
とにより、仮焼成して母材とした。
とにより、仮焼成して母材とした。
このように仮焼成した母材としての粉末100重量部に
対し、ガラス（PbO40％〜60％、SiO230％〜45％、Al2O3
5％〜10％、B2O30％〜15％（重量％）、残部が微量成分
からなるガラス）を100重量部加え、その混合物50gに水
200gを加え、ボールミルに入れて24時間混合粉砕し、粉
砕後脱水乾燥した。
対し、ガラス（PbO40％〜60％、SiO230％〜45％、Al2O3
5％〜10％、B2O30％〜15％（重量％）、残部が微量成分
からなるガラス）を100重量部加え、その混合物50gに水
200gを加え、ボールミルに入れて24時間混合粉砕し、粉
砕後脱水乾燥した。
そして、この乾燥粉末15gに、接着剤としてエチルセ
ルロース（Ｎ−100）の12％溶液（溶媒はブチルカルビ
トール）7.5g、溶剤としてターピネオール20gを秤量
し、ライカイ機で２時間攪拌し、ペーストを作った。
ルロース（Ｎ−100）の12％溶液（溶媒はブチルカルビ
トール）7.5g、溶剤としてターピネオール20gを秤量
し、ライカイ機で２時間攪拌し、ペーストを作った。
このペーストおよびAg粉のペーストをスクリーン印刷
法により交互に積層して乾燥後、焼成寸法4.5×3.2mmの
チップに切断し、890℃で２時間空気中で焼成して誘電
体磁器材料を基体とし、かつ銀を内部導体とするチップ
コンデンサを作成した。これにより得られた諸特性は表
１に示す通りであった。表１において、T2は焼成温度
（℃）、Shは収縮率（％）、εＳは比誘電率、IRは絶縁
抵抗（Ω）、VBは破壊電圧（Ｖ）で50μｍ間隔の場合を
示す。
法により交互に積層して乾燥後、焼成寸法4.5×3.2mmの
チップに切断し、890℃で２時間空気中で焼成して誘電
体磁器材料を基体とし、かつ銀を内部導体とするチップ
コンデンサを作成した。これにより得られた諸特性は表
１に示す通りであった。表１において、T2は焼成温度
（℃）、Shは収縮率（％）、εＳは比誘電率、IRは絶縁
抵抗（Ω）、VBは破壊電圧（Ｖ）で50μｍ間隔の場合を
示す。
表１から明らかなように、要求通りのコンデンサの特
性が得られたことがわかる。また、図面に示したコンデ
ンサ１の表面に各種素子を形成あるいは搭載することに
より、コンデンサ機能を有する基板として使用するに十
分な絶縁抵抗、破壊電圧を有し、かつ機械的強度の面に
おいても、十分満足するということがわかった。
性が得られたことがわかる。また、図面に示したコンデ
ンサ１の表面に各種素子を形成あるいは搭載することに
より、コンデンサ機能を有する基板として使用するに十
分な絶縁抵抗、破壊電圧を有し、かつ機械的強度の面に
おいても、十分満足するということがわかった。
［実施例２］ 上記実施例１におけるCuOの添加量を変えて、実施例
１と同じ方法でチップコンデンサを製造した。その組成
を表２−１に示し、各試料の諸特性を表２−２に示す。
１と同じ方法でチップコンデンサを製造した。その組成
を表２−１に示し、各試料の諸特性を表２−２に示す。
表２−２の特性は、コンデンサの特性として全て満足
できるものである。また、実施例１と同様に基板として
使用可能な特性を有している。
できるものである。また、実施例１と同様に基板として
使用可能な特性を有している。
［実施例３］ 上記実施例１におけるガラスの添加量を変えて、実施
例１と同じ方法でチップコンデンサを製造した。その組
成を表３−１に示し、各諸特性を表３−２に示す。
例１と同じ方法でチップコンデンサを製造した。その組
成を表３−１に示し、各諸特性を表３−２に示す。
表３−２の特性は、コンデンサの特性、および基板と
して使用可能な特性を全て備えたものである。
して使用可能な特性を全て備えたものである。
［実施例４］ まず、市販の酸化マグネシウム、酸化ケイ素、酸化
銅、炭酸マンガンをMgO34.3g、SiO236.7g、CuO29.0g、M
nCO310.0g,SiO2（超微粉）3.0gとなるように秤量した。
銅、炭酸マンガンをMgO34.3g、SiO236.7g、CuO29.0g、M
nCO310.0g,SiO2（超微粉）3.0gとなるように秤量した。
この場合、（CuXMg1-X）Ｏ・SiO2は（Cu0.3Mg0.7）Ｏ
・SiO2で、（Cu0.3Mg0.7）O/SiO2モル比は、1.99であ
り、MnCO3はMnOに換算して（Cu0.3Mg0.7）Ｏ・SiO2100
重量部に対して、6.2重量部に相当し、SiO2（超微粉）
は３重量部に相当する。
・SiO2で、（Cu0.3Mg0.7）O/SiO2モル比は、1.99であ
り、MnCO3はMnOに換算して（Cu0.3Mg0.7）Ｏ・SiO2100
重量部に対して、6.2重量部に相当し、SiO2（超微粉）
は３重量部に相当する。
これらの粉体の混合物に対し、水400gを加え、ボール
ミルに入れ、16時間混合し、脱水乾燥した。
ミルに入れ、16時間混合し、脱水乾燥した。
次にこの乾燥粉体を空気中で1000℃、２時間加熱する
ことにより、仮焼成して母材とした。
ことにより、仮焼成して母材とした。
このように仮焼成した母材としての粉体100重量部に
対し、ガラス（PbO40％〜60％,SiO230％〜45％,Al2O35
％〜10％,B2O30％〜15％（重量％）、残部が微量成分か
らなるガラス）を５重量部加え、その混合物50gに水160
gを加え、ボールミルに入れて24時間混合粉砕し、粉砕
後脱水乾燥した。
対し、ガラス（PbO40％〜60％,SiO230％〜45％,Al2O35
％〜10％,B2O30％〜15％（重量％）、残部が微量成分か
らなるガラス）を５重量部加え、その混合物50gに水160
gを加え、ボールミルに入れて24時間混合粉砕し、粉砕
後脱水乾燥した。
そして、この乾燥粉末20gに、接着剤としてエチルセ
ルロース（Ｎ−100）の12％溶液（溶媒はブチルカルビ
トール）12g,溶剤としてターピネオール17gを秤量し、
ライカイ機で２時間攪拌し、ペーストを作った。
ルロース（Ｎ−100）の12％溶液（溶媒はブチルカルビ
トール）12g,溶剤としてターピネオール17gを秤量し、
ライカイ機で２時間攪拌し、ペーストを作った。
このペーストおよびAg粉末のペーストをスクリーン印
刷法により交互に積層して、乾燥後、焼成寸法4.5×3.2
mmのチップに切断し、890℃で２時間空気中で焼成して
誘電体磁器材料を基体とし、かつ銀を内部導体とするチ
ップコンデンサを作成した。
刷法により交互に積層して、乾燥後、焼成寸法4.5×3.2
mmのチップに切断し、890℃で２時間空気中で焼成して
誘電体磁器材料を基体とし、かつ銀を内部導体とするチ
ップコンデンサを作成した。
これにより得られた諸特性は表４に示す通りであっ
た。
た。
表４において、絶縁抵抗IR（Ω）は70μｍ間隔の場合
を示す。
を示す。
表４から明らかなように、要求通りのコンデンサの特
性が得られたことがわかる。又、図面に示したコンデン
サ１の表面に各種素子を形成あるいは搭載することによ
り、コンデンサ機能を有する基板として使用するに十分
な絶縁抵抗を有し、かつ機械的強度の面においても十分
満足するということがわかった。
性が得られたことがわかる。又、図面に示したコンデン
サ１の表面に各種素子を形成あるいは搭載することによ
り、コンデンサ機能を有する基板として使用するに十分
な絶縁抵抗を有し、かつ機械的強度の面においても十分
満足するということがわかった。
［実施例５］ 前記、実施例４におけるMnOの添加量を変えて、実施
例１と同じ方法でチップコンデンサを製造した。
例１と同じ方法でチップコンデンサを製造した。
その組成を表５−１に示し、各試料の諸特性を表５−
２に示す。
２に示す。
表５−２の特性は、コンデンサの特性として全て満足
できるものである。
できるものである。
又、実施例４と同様に基板として使用可能な特性を有
している。
している。
［実施例６］ 前記実施例４におけるCuOの置換量を変えて、実施例
４と同じ方法でチップコンデンサを製造した。
４と同じ方法でチップコンデンサを製造した。
その組成を表６−１に示し、各諸特性を表６−２に示
す。
す。
表６−２の特性は、コンデンサの特性、および基板と
して使用可能な特性を全て備えたものである。
して使用可能な特性を全て備えたものである。
［実施例７］ 前記実施例４におけるSiO2（超微粉）の添加量を変え
て実施例４と同じ方法でチップコンデンサを製造した。
て実施例４と同じ方法でチップコンデンサを製造した。
その組成を表７−１に示し、各諸特性を表７−２に示
す。
す。
表７−２の特性は、コンデンサの特性、および基板と
して使用可能な特性を全て備えたものである。
して使用可能な特性を全て備えたものである。
［実施例８］ 前記実施例４におけるガラスの添加量を変えて実施例
４と同じ方法でチップコンデンサを製造した。
４と同じ方法でチップコンデンサを製造した。
その組成を表８−１に示し、各諸特性を表８−２に示
す。
す。
表８−２の特性は、コンデンサの特性、および基板と
して使用可能な特性を全て備えたものである。
して使用可能な特性を全て備えたものである。
［実施例９］ 前記実施例４におけるメタルAgおよびAg−Cu合金の添
加量を変えて実施例４と同じ方法でチップコンデンサを
製造した。
加量を変えて実施例４と同じ方法でチップコンデンサを
製造した。
その組成を表９−１に示し、各諸特性を表９−２に示
す。
す。
表９−２の特性は、コンデンサの特性、および基板と
して使用可能な特性を全て備えたものである。
して使用可能な特性を全て備えたものである。
（発明の効果） 本発明によれば、焼結温度を1000℃以下の例えば890
℃等に低温化することができるため、焼成に要する電力
費が低減されると共に、電極としてAg、Ag−Pd等の導体
が焼付け可能となり、これによって電極の価格低減が可
能となる。また、従来技術によるチップコンデンサと比
較しても劣らぬ特性のものを得ることができ、また、コ
ンデンサ機能を具備した基板として使用可能な特性のも
のを得ることができる。
℃等に低温化することができるため、焼成に要する電力
費が低減されると共に、電極としてAg、Ag−Pd等の導体
が焼付け可能となり、これによって電極の価格低減が可
能となる。また、従来技術によるチップコンデンサと比
較しても劣らぬ特性のものを得ることができ、また、コ
ンデンサ機能を具備した基板として使用可能な特性のも
のを得ることができる。
【図面の簡単な説明】 第１図は本発明の適用対象の一例であるチップコンデン
サを示す側面図である。
サを示す側面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−275161（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−21757（ＪＰ，Ａ) 特公 昭42−19322（ＪＰ，Ｂ１) 特許150355（ＪＰ，Ｃ１)
Claims (3)
- 【請求項１】内部導体と共に一体的に焼成されて積層型
電子部品を構成し、かつ内部導体としてAg系材料を用い
るための誘電体磁器材料において、 MgO・SiO2（MgO/SiO2モル比＝1.0〜2.0）100重量部に対
して、低温焼成用添加物としてCuOを１〜30重量部、Mn
酸化物をMnOに換算して0.6〜５重量部添加したものを混
合し仮焼きして母材とし、 該母材100重量部に対してガラスを５〜200重量部混合し
焼結してなる ことを特徴とする誘電体材料。 - 【請求項２】内部導体と共に一体的に焼成されて積層型
電子部品を構成し、かつ内部導体としてAg系材料を用い
るための誘電体磁器材料において、 （CuXMg1-X）Ｏ・SiO2｛ｘ＝0.05〜0.50,（CuXMg1-X）O
/SiO2モル比1.0〜2.2｝100重量部に対して、低温焼成用
添加物としてMn酸化物をMnOに換算して0.1〜15重量部、
粒径が0.01μｍ前後の超微粉であるSiO2を１〜10重量部
添加したものを混合し仮焼きして母材とし、 該母材100重量部に対して、ガラスを５〜100重量部混合
し、焼結してなる ことを特徴とする誘電体磁器材料。 - 【請求項３】内部導体と共に一体的に焼成されて積層型
電子部品を構成し、かつ内部導体としてAg系材料を用い
るための誘電体磁器材料において、 （CuXMg1-X）Ｏ・SiO2｛ｘ＝0.05〜0.50,（CuXMg1-X）O
/SiO2モル比1.0〜2.2｝100重量部に対して、低温焼成用
添加物としてMn酸化物をMnOに換算して0.1〜15重量部、
粒径が0.01μｍ前後の超微粉であるSiO2を１〜10重量部
添加したものを混合し仮焼きして母材とし、 該母材100重量部に対して、ガラスを５〜100重量部、メ
タルのAgあるいはAg−Cu合金を0.1〜10重量部混合し、
焼結してなる ことを特徴とする誘電体磁器材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63296585A JP3030558B2 (ja) | 1987-11-28 | 1988-11-23 | 誘電体磁器材料 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30134987 | 1987-11-28 | ||
| JP62-301349 | 1987-11-28 | ||
| JP63296585A JP3030558B2 (ja) | 1987-11-28 | 1988-11-23 | 誘電体磁器材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01236515A JPH01236515A (ja) | 1989-09-21 |
| JP3030558B2 true JP3030558B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=26560742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63296585A Expired - Lifetime JP3030558B2 (ja) | 1987-11-28 | 1988-11-23 | 誘電体磁器材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3030558B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101786866B (zh) * | 2009-12-22 | 2012-12-05 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种抗还原性铜内电极高频低温烧结陶瓷介质材料 |
| JP5747657B2 (ja) * | 2011-05-25 | 2015-07-15 | Tdk株式会社 | 静電気保護部品 |
| EP3921291A4 (en) * | 2020-02-05 | 2023-02-08 | Ferro Corporation | M7 LTCC SILVER SYSTEM AND RELATED DIELECTRIC COMPOSITIONS FOR HIGH FREQUENCY APPLICATIONS |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH068189B2 (ja) * | 1985-03-26 | 1994-02-02 | 株式会社東芝 | 酸化物誘電体材料 |
| JPS61275161A (ja) * | 1985-05-29 | 1986-12-05 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 低温焼成多層セラミツク基板 |
| JPS6221757A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-30 | 鳴海製陶株式会社 | フオルステライトセラミツクスの製造法 |
| JPS6246954A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-28 | 太陽誘電株式会社 | 絶縁性磁器組成物 |
| JPH07109726B2 (ja) * | 1986-05-27 | 1995-11-22 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
-
1988
- 1988-11-23 JP JP63296585A patent/JP3030558B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01236515A (ja) | 1989-09-21 |
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|---|---|---|---|
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