JP3001012B2 - メモリ試験装置 - Google Patents
メモリ試験装置Info
- Publication number
- JP3001012B2 JP3001012B2 JP3023370A JP2337091A JP3001012B2 JP 3001012 B2 JP3001012 B2 JP 3001012B2 JP 3023370 A JP3023370 A JP 3023370A JP 2337091 A JP2337091 A JP 2337091A JP 3001012 B2 JP3001012 B2 JP 3001012B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- address
- signal
- memory
- generator
- area
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は例えば半導体集積回路
化されたメモリを試験するメモリ試験装置に関する。
化されたメモリを試験するメモリ試験装置に関する。
【0002】
【従来の技術】図5にメモリ試験装置の全体の構成を示
す。メモリ試験装置はタイミング発生部1と、パターン
発生器2、波形フォーマッタ3、論理比較部4とによっ
て構成され、被試験メモリMを試験する。つまりタイミ
ング発生部1で発生する基準クロックに従ってパターン
発生器2は被試験メモリMに与えるアドレス信号、試験
パターンデータ、制御信号を出力する。これらアドレス
信号、試験パターンデータ、制御信号は波形フォーマッ
タ3に与えられる。
す。メモリ試験装置はタイミング発生部1と、パターン
発生器2、波形フォーマッタ3、論理比較部4とによっ
て構成され、被試験メモリMを試験する。つまりタイミ
ング発生部1で発生する基準クロックに従ってパターン
発生器2は被試験メモリMに与えるアドレス信号、試験
パターンデータ、制御信号を出力する。これらアドレス
信号、試験パターンデータ、制御信号は波形フォーマッ
タ3に与えられる。
【0003】波形フォーマッタ3は試験パターンデータ
から試験に必要な波形を持つ試験パターン信号を生成
し、この試験パターン信号をアドレス信号と、制御信号
と共に被試験メモリMに与える。被試験メモリMは制御
信号によって試験パターン信号の書込及び読出の制御が
行なわれてる。被試験メモリMから読出された読出デー
タは論理比較部4に与えられる。論理比較部4ではパタ
ーン発生器2から出力される期待値データと、被試験メ
モリMから読出された読出データとを比較し、一致、不
一致により良、不良の判定を行なう。
から試験に必要な波形を持つ試験パターン信号を生成
し、この試験パターン信号をアドレス信号と、制御信号
と共に被試験メモリMに与える。被試験メモリMは制御
信号によって試験パターン信号の書込及び読出の制御が
行なわれてる。被試験メモリMから読出された読出デー
タは論理比較部4に与えられる。論理比較部4ではパタ
ーン発生器2から出力される期待値データと、被試験メ
モリMから読出された読出データとを比較し、一致、不
一致により良、不良の判定を行なう。
【0004】図6にパターン発生器2の内部構造を示
す。パターン発生器2はアドレス発生部2Aと、試験パ
ターンデータ発生部2Bと、制御信号発生部2Cと、こ
れら各発生部2A〜2Cを制御するシーケンス制御部2
Dとによって構成される。アドレス発生部2AはXアド
レス演算部2AXとYアドレス演算部2AYとを具備
し、これらXアドレス演算部2AXと、Yアドレス発生
部2AYからXアドレス信号ADRXと、Yアドレス信
号ADRYとを出力する。
す。パターン発生器2はアドレス発生部2Aと、試験パ
ターンデータ発生部2Bと、制御信号発生部2Cと、こ
れら各発生部2A〜2Cを制御するシーケンス制御部2
Dとによって構成される。アドレス発生部2AはXアド
レス演算部2AXとYアドレス演算部2AYとを具備
し、これらXアドレス演算部2AXと、Yアドレス発生
部2AYからXアドレス信号ADRXと、Yアドレス信
号ADRYとを出力する。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】従来のアドレス発生部
2Aでは、アドレス発生領域を全アドレス発生領域内で
任意の領域を設定することができない欠点がある。つま
り図7に示すように被試験メモリMの全アドレス領域を
XとYに関して(0,0)〜(FFX,FFY)とする
と、図8に斜線を付して示すように原点(0,0)〜
(FFX,1/2FFY)か、或は図9に斜線を付して
示すように原点(0,0)〜(1/3FFX,1/3F
FY)のように必ず原点(0,0)を含まなくてはなら
ない。
2Aでは、アドレス発生領域を全アドレス発生領域内で
任意の領域を設定することができない欠点がある。つま
り図7に示すように被試験メモリMの全アドレス領域を
XとYに関して(0,0)〜(FFX,FFY)とする
と、図8に斜線を付して示すように原点(0,0)〜
(FFX,1/2FFY)か、或は図9に斜線を付して
示すように原点(0,0)〜(1/3FFX,1/3F
FY)のように必ず原点(0,0)を含まなくてはなら
ない。
【0006】この結果、図10に斜線を付して示すよう
に全アドレス領域内の任意のアドレス領域だけを発生さ
せることができない欠点がある。つまり4Mビット、1
6Mビットという大容量のメモリでは試験に要する時間
が長く掛る。このため一度試験を行なって不良が発生し
た場合、その不良が発生したアドレスを含む領域を部分
的に試験できると短時間に試験を行なうことができる。
に全アドレス領域内の任意のアドレス領域だけを発生さ
せることができない欠点がある。つまり4Mビット、1
6Mビットという大容量のメモリでは試験に要する時間
が長く掛る。このため一度試験を行なって不良が発生し
た場合、その不良が発生したアドレスを含む領域を部分
的に試験できると短時間に試験を行なうことができる。
【0007】然し乍ら従来のパターン発生器2ではXア
ドレス及びYアドレスの発生は原点(0,0)含まなく
てはならなかった。その理由はアドレス演算部2AX及
び2AYにおいて、初期アドレスがX=0,Y=0とな
っているからである。つまりアドレスの発生のための初
期値がX=0,Y=0となっているから、初期アドレス
は必ずX=0,Y=0となり、X=0,Y=0に戻って
から他のアドレスにジャンプすることになる。この結果
図10に示すように原点(0,0)を含まない一部の領
域だけを部分的に試験することができない。このような
理由から不良セルを含む小さい領域だけを指定して試験
を行なうことができないため、原点(0,0)から遠く
離れたアドレス位置に不良が発生した場合は、試験に要
する時間が長くなる欠点が生じる。
ドレス及びYアドレスの発生は原点(0,0)含まなく
てはならなかった。その理由はアドレス演算部2AX及
び2AYにおいて、初期アドレスがX=0,Y=0とな
っているからである。つまりアドレスの発生のための初
期値がX=0,Y=0となっているから、初期アドレス
は必ずX=0,Y=0となり、X=0,Y=0に戻って
から他のアドレスにジャンプすることになる。この結果
図10に示すように原点(0,0)を含まない一部の領
域だけを部分的に試験することができない。このような
理由から不良セルを含む小さい領域だけを指定して試験
を行なうことができないため、原点(0,0)から遠く
離れたアドレス位置に不良が発生した場合は、試験に要
する時間が長くなる欠点が生じる。
【0008】この発明の目的は任意のアドレスをアドレ
ス発生領域の初期アドレスに定めることができるアドレ
ス演算部を具備したメモリ試験装置を提案しようとする
ものである。
ス発生領域の初期アドレスに定めることができるアドレ
ス演算部を具備したメモリ試験装置を提案しようとする
ものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】この発明では、パターン
発生器に設けたXアドレス演算部と、Yアドレス演算部
とから、被試験メモリに与えるアドレス信号を発生させ
るメモリ試験装置において、被試験メモリのアドレス領
域内の任意のXアドレス及びYアドレスが設定され、こ
れらXアドレス及びYアドレスをXアドレス信号及びY
アドレス信号として出力する一対のオフセットレジスタ
と、Xアドレス演算部及びYアドレス演算部が出力する
Xアドレス信号及びYアドレス信号と一対のオフセット
レジスタが出力するXアドレス信号及びYアドレス信号
をそれぞれXアドレス信号及びYアドレス信号毎に加算
し、その加算結果を被試験メモリに与えるアドレス信号
として出力する一対の加算器とを付加した構成を特徴と
するものである。
発生器に設けたXアドレス演算部と、Yアドレス演算部
とから、被試験メモリに与えるアドレス信号を発生させ
るメモリ試験装置において、被試験メモリのアドレス領
域内の任意のXアドレス及びYアドレスが設定され、こ
れらXアドレス及びYアドレスをXアドレス信号及びY
アドレス信号として出力する一対のオフセットレジスタ
と、Xアドレス演算部及びYアドレス演算部が出力する
Xアドレス信号及びYアドレス信号と一対のオフセット
レジスタが出力するXアドレス信号及びYアドレス信号
をそれぞれXアドレス信号及びYアドレス信号毎に加算
し、その加算結果を被試験メモリに与えるアドレス信号
として出力する一対の加算器とを付加した構成を特徴と
するものである。
【0010】この発明の構成によれば、オフセットレジ
スタに任意のオフセットアドレスを設定することによ
り、このオフセットアドレスがXアドレス演算部、及び
Yアドレス演算部から発生されるXアドレス及びYアド
レスに加算される。よってXアドレス演算部及びYアド
レス演算部から発生されるアドレスが初期値X=0,Y
=0になると、必然的にXアドレスとYアドレスはオフ
セットアドレスに規定される。この結果オフセットアド
レスを初期アドレスとしてアドレスの発生領域を規定す
ることができる。
スタに任意のオフセットアドレスを設定することによ
り、このオフセットアドレスがXアドレス演算部、及び
Yアドレス演算部から発生されるXアドレス及びYアド
レスに加算される。よってXアドレス演算部及びYアド
レス演算部から発生されるアドレスが初期値X=0,Y
=0になると、必然的にXアドレスとYアドレスはオフ
セットアドレスに規定される。この結果オフセットアド
レスを初期アドレスとしてアドレスの発生領域を規定す
ることができる。
【0011】
【実施例】図1にこの発明によるメモリ試験装置の特に
パターン発生器2の部分の構成を示す。図1において2
は先に説明したと同様にパターン発生器を示す。このパ
ターン発生器2は図6で説明したと同様にアドレス発生
部2Aと、試験パターンデータ発生部2Bと、制御信号
発生部2Cと、これらを制御するシーケンス制御部2D
とによって構成される。
パターン発生器2の部分の構成を示す。図1において2
は先に説明したと同様にパターン発生器を示す。このパ
ターン発生器2は図6で説明したと同様にアドレス発生
部2Aと、試験パターンデータ発生部2Bと、制御信号
発生部2Cと、これらを制御するシーケンス制御部2D
とによって構成される。
【0012】この発明においてはパターン発生器2にお
いて、アドレス発生部2Aに設けられるXアドレス発生
部2AXと、Yアドレス発生部2AYにオフセットレジ
スタOFX,OFYと、加算器ADX,ADYとを設け
た構成を特徴とするものである。このように構成するこ
とによりオフセットレジスタOFXとOFYに被試験メ
モリMのアドレス領域内の任意のアドレスを設定するこ
とにより、設定したオフセットアドレスを、パターン発
生器2から発生するアドレス領域の初期アドレスとする
ことができる。
いて、アドレス発生部2Aに設けられるXアドレス発生
部2AXと、Yアドレス発生部2AYにオフセットレジ
スタOFX,OFYと、加算器ADX,ADYとを設け
た構成を特徴とするものである。このように構成するこ
とによりオフセットレジスタOFXとOFYに被試験メ
モリMのアドレス領域内の任意のアドレスを設定するこ
とにより、設定したオフセットアドレスを、パターン発
生器2から発生するアドレス領域の初期アドレスとする
ことができる。
【0013】つまり例えばオフセットアドレスとしてX
=0,Y=0を設定したとすると、図2に斜線を付して
示すように原点(0,0)を初期アドレスとするアドレ
ス領域Aを発生させることができる。またオフセットア
ドレスとしてX=Xa,Y=Yaを設定したとすると、
図3に斜線を付して示すようにオフセットアドレスX=
XaとY=Yaを初期アドレスとするアドレス領域Bを
発生させることができる。
=0,Y=0を設定したとすると、図2に斜線を付して
示すように原点(0,0)を初期アドレスとするアドレ
ス領域Aを発生させることができる。またオフセットア
ドレスとしてX=Xa,Y=Yaを設定したとすると、
図3に斜線を付して示すようにオフセットアドレスX=
XaとY=Yaを初期アドレスとするアドレス領域Bを
発生させることができる。
【0014】更にオフセットアドレスとしてX=Xb,
Y=Ybを設定することにより図4に斜線を付して示す
ようにオフセットアドレスX=Xb,Y=Ybを初期ア
ドレスとするアドレス領域Cを発生させることができ
る。
Y=Ybを設定することにより図4に斜線を付して示す
ようにオフセットアドレスX=Xb,Y=Ybを初期ア
ドレスとするアドレス領域Cを発生させることができ
る。
【0015】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれば
Xアドレス演算部2AXと、Yアドレス演算部2AYに
それぞれオフセットレジスタOFXとOFYを設けると
共に、Xアドレス演算部2AX及びオフセットレジスタ
OFXから出力されるアドレスを加算する加算器ADX
と、Yアドレス演算部2AY、及びオフセットレジスタ
OFYから出力されるアドレスを加算する加算器ADY
を設けるだけの簡単な構成により、被試験メモリMの全
メモリ領域内の任意のアドレスを初期アドレスとするア
ドレス領域を任意に発生させることができる。
Xアドレス演算部2AXと、Yアドレス演算部2AYに
それぞれオフセットレジスタOFXとOFYを設けると
共に、Xアドレス演算部2AX及びオフセットレジスタ
OFXから出力されるアドレスを加算する加算器ADX
と、Yアドレス演算部2AY、及びオフセットレジスタ
OFYから出力されるアドレスを加算する加算器ADY
を設けるだけの簡単な構成により、被試験メモリMの全
メモリ領域内の任意のアドレスを初期アドレスとするア
ドレス領域を任意に発生させることができる。
【0016】よって不良が発生したアドレスを含む、任
意の微少なアドレス領域だけを試験することができるか
ら、大容量のメモリであっても、短時間に試験を行なう
ことができる。また、発生させたいアドレス領域の初期
アドレスをオフセットレジスタに設定する構成としたか
ら、Xアドレス演算部2AXとYアドレス演算部2AY
の動作は全く変更することなく、アドレス領域を変更す
ることができる。よってアドレス領域の変更を容易に行
なうことができ、取扱が容易なメモリ試験装置を提供す
ることができる。
意の微少なアドレス領域だけを試験することができるか
ら、大容量のメモリであっても、短時間に試験を行なう
ことができる。また、発生させたいアドレス領域の初期
アドレスをオフセットレジスタに設定する構成としたか
ら、Xアドレス演算部2AXとYアドレス演算部2AY
の動作は全く変更することなく、アドレス領域を変更す
ることができる。よってアドレス領域の変更を容易に行
なうことができ、取扱が容易なメモリ試験装置を提供す
ることができる。
【図1】この発明の一実施例を示すブロック図。
【図2】この発明の動作を説明するためにメモリ上のア
ドレス領域を示す図。
ドレス領域を示す図。
【図3】図2と同様の図。
【図4】図2と同様の図。
【図5】従来の技術を説明するためのブロック図。
【図6】図5と同様のブロック図。
【図7】従来の技術の動作を説明するためにメモリ上の
アドレス領域を示す図。
アドレス領域を示す図。
【図8】図7と同様の図。
【図9】図7と同様の図。
【図10】従来技術の欠点を説明するためにメモリ上の
アドレス領域を示す図。
アドレス領域を示す図。
1 タイミング発生部 2 パターン発生器 3 波形フォーマッタ 4 論理比較部 2A アドレス発生部 2AX Xアドレス演算部 2AY Yアドレス演算部 OFX,OFY オフセットレジスタ ADX,ADY 加算器
Claims (1)
- 【請求項1】 パターン発生器に設けたXアドレス演算
部と、Yアドレス演算部とから被試験メモリに与えるア
ドレス信号を発生させるメモリ試験装置において、上記被試験メモリのアドレス領域内の任意のXアドレス
及びYアドレスが設定され、これらXアドレス及びYア
ドレスをXアドレス信号及びYアドレス信号として出力
する一対のオフセットレジスタと、 上記Xアドレス演算部及びYアドレス演算部が出力する
Xアドレス信号及びYアドレス信号と上記一対のオフセ
ットレジスタが出力するXアドレス信号及びYアドレス
信号をそれぞれXアドレス信号及びYアドレス信号毎に
加算し、その加算結果を上記被試験メモリに与えるアド
レス信号として出力する一対の加算器と、 を付加して 構成したことを特徴とするメモリ試験装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3023370A JP3001012B2 (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | メモリ試験装置 |
KR1019920001824A KR960008202B1 (ko) | 1991-02-18 | 1992-02-08 | 임의주소발생기능을 갖는 메모리 시험장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3023370A JP3001012B2 (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | メモリ試験装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04264275A JPH04264275A (ja) | 1992-09-21 |
JP3001012B2 true JP3001012B2 (ja) | 2000-01-17 |
Family
ID=12108667
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3023370A Expired - Fee Related JP3001012B2 (ja) | 1991-02-18 | 1991-02-18 | メモリ試験装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3001012B2 (ja) |
KR (1) | KR960008202B1 (ja) |
-
1991
- 1991-02-18 JP JP3023370A patent/JP3001012B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1992
- 1992-02-08 KR KR1019920001824A patent/KR960008202B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH04264275A (ja) | 1992-09-21 |
KR920017129A (ko) | 1992-09-26 |
KR960008202B1 (ko) | 1996-06-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7721174B2 (en) | Full-speed BIST controller for testing embedded synchronous memories | |
JPH0434109B2 (ja) | ||
JP4334285B2 (ja) | 半導体試験装置及びその制御方法 | |
WO1998016933A1 (fr) | Verificateur de memoire et procede de commutation dudit verificateur d'un mode de verification ram a un mode de verification rom | |
JP3871384B2 (ja) | 半導体メモリ試験装置用不良解析メモリ | |
JP3811528B2 (ja) | 多重ビットテスト用のメモリテストシステム | |
JPH10112199A (ja) | メモリ試験装置 | |
JP3549174B2 (ja) | メモリ試験装置 | |
JP3001012B2 (ja) | メモリ試験装置 | |
JP2002312252A (ja) | メモリ診断装置及び診断方法 | |
JPH033200A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JPH08203278A (ja) | 半導体メモリ | |
US20020049943A1 (en) | Semiconductor test system | |
JP2934608B2 (ja) | 半導体メモリ試験方法及びその装置 | |
JPH11316259A (ja) | 半導体試験装置およびこれを用いた半導体試験方法 | |
JP2002298598A (ja) | 半導体装置、および半導体装置のテスト方法 | |
JP4922506B2 (ja) | 半導体メモリ試験装置 | |
JP2629785B2 (ja) | 半導体記憶回路装置の検査装置 | |
JP2877505B2 (ja) | Lsi実装ボード及びデータ処理装置 | |
JPH07104386B2 (ja) | 論理回路試験装置 | |
KR100238933B1 (ko) | 시험 패턴 발생기 | |
JPH0688859A (ja) | 半導体試験装置用波形発生装置 | |
JPH0877796A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2001176300A (ja) | メモリ検査装置 | |
JPH0612894A (ja) | 半導体メモリ試験装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19991005 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071112 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081112 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |