JP4922506B2 - 半導体メモリ試験装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、DRAM,SRAM等のメモリデバイスを試験する半導体メモリ試験装置に関し、特に、メモリデバイスの内部セル及びインターフェイス部に入力される試験パターン信号の切替え及び固定を自由に選択,制御できる試験パターン信号切替え手段を備えることにより、メモリデバイスの任意の入力ピンに対して所望の試験パターン信号を固定,解除することが可能となり、内部セルの機能試験とインターフェイス部のロジック試験を並行して行うことができる、D−RDRAM(Direct−RDRAM)やDDR−SDRAM(Double Data Rate−SDRAM)等の試験に好適な半導体メモリ試験装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、半導体メモリ試験装置は、被試験対象(DUT又はMUT)となるDRAMやSRAM等のメモリデバイスへ試験パターン信号を入力するとともに、メモリデバイスから出力される応答信号を期待値パターン信号と比較し、その一致,不一致を判定することにより、メモリデバイスの不良をメモリセルごとに検出する装置である。
ここで、この種の半導体メモリ試験においては、メモリデバイスの内部セルにアドレス信号やデータ信号を入力して行われる機能試験の他に、メモリデバイスのインターフェイス部について、所定の試験パターン信号を入力することによりロジック試験が行われることが一般的になってきている。
【0003】
以下、メモリデバイスの内部セルの機能試験及びインターフェイス部のロジック試験が行える従来の半導体メモリ試験装置について図3を参照して説明する。
図3は、このような従来の半導体メモリ試験装置の基本構成を示すブロック図である。
同図に示すメモリ試験装置は、パターン発生器110,データ・メモリ120,データ・セレクタ130及び論理比較器140を備えており、被試験対象となる被試験メモリ150の試験装置を構成している。
【0004】
パターン発生器110は、図示しないタイミング発生器で発生される基準クロック信号に従い、被試験メモリ150の内部セルの機能試験を行うための試験パターン信号を発生させる信号発生手段で、図3に示すように、インストラクションメモリ111と、アドレス発生部112,データ発生部113,制御信号発生部114及びシーケンス制御部115を備えている。
インストラクションメモリ111は、所定の試験パターン信号のプログラムを格納する記憶手段であり、具体的には、試験パターンプログラムのシーケンスを制御する命令や、アドレス,データの演算命令,制御信号を出力するための命令等を実行するためのデータが格納されている。
【0005】
アドレス発生部112は、インストラクションメモリ111から読み出されるデータに従って、被試験メモリ150の内部セルを特定するためのアドレス信号を発生させる。
同様に、データ発生部113は、インストラクションメモリ111のデータに従い、被試験メモリ150への入力データ信号を発生させ、制御信号発生部114は、インストラクションメモリ111のデータに従い、被試験メモリ150の書込み/読出し動作を制御する制御信号を発生させる。
シーケンス制御部115は、アドレス発生部112,データ発生部113及び制御信号発生部114を制御する制御手段である。
インストラクションメモリ111へアクセスするアドレスは、このシーケンス制御部115によって決定され、当該アドレスから読み出されたデータに従って、上述したアドレス信号,データ信号及び制御信号が生成されるようになっている。
【0006】
データ・メモリ120は、被試験対象となる被試験メモリ150のインターフェイス部のロジック試験を行うための試験パターン信号を発生させる信号発生手段である。
具体的には、データ・メモリ120には、被試験メモリ150へ印加するアドレス,データ,制御信号及び期待値データが予め書き込まれており、インストラクションメモリ111のパターンプログラムに記述された命令に従い、このデータ・メモリ120のデータが読み出され、被試験メモリ150に入力されるようになっている。
【0007】
データ・セレクタ130は、パターン発生器110及びデータ・メモリ120から入力される試験パターン信号を選択し、いずれか一方の試験パターン信号を被試験メモリ150の入力ピンに入力する試験パターンの切替え手段で、被試験メモリの各入力ピンごとに設けられている。
このデータ・セレクタ130における試験パターンの切替え動作により、被試験メモリ150に対して、内部セルの機能試験又はインターフェイス部のロジック試験のための信号が入力される。
【0008】
データ・セレクタ130から信号を入力された被試験メモリ150は、与えられたアドレス,データ及び制御信号に基づき、データ信号の書込み又は読出しの動作が行われ、所定の応答信号が出力される。
そして、被試験メモリ150からの応答信号が論理比較器140に与えられる。
論理比較器140は、被試験メモリ150からの応答信号を入力するとともに、データ・セレクタ130からの期待値データ信号を入力し、これら応答信号と期待値データ信号とを比較し、その一致,不一致を検出する比較検出手段となっている。
この論理比較器140の検出結果により、被試験メモリ150の内部セル又はインターフェイス部の良否判定が行われることになる。
【0009】
次に、以上のような構成からなる従来の半導体メモリ試験装置の、データ・セレクタ130における試験パターン信号の切替え動作について、図3及び図4を参照しつつ説明する。
図4は、従来の半導体メモリ試験装置における試験パターン信号の切替え動作を説明する真理値表である。
まず、従来のデータ・セレクタ130は、図3に示すように、レジスタ131,AND回路133及びセレクタ135を備えている。
【0010】
レジスタ131には、内部セル用とインターフェイス部用の試験パターン信号を切り替えるための切替えパターン信号が予め設定,記憶されており、このレジスタ131からの出力信号がAND回路133に入力されるようになっている。
AND回路133は、図3に示すように、レジスタ131からの出力信号が入力されるとともに、インストラクションメモリ111のパターンプログラムに記憶された切替え制御信号が反転入力されるようになっている。
そして、このAND回路133から出力される信号が、セレクタ135に入力されるようになっている。
【0011】
セレクタ135には、パターン発生器110からの内部セル用の試験パターン信号及びデータ・メモリ120からのインターフェイス部用の試験パターン信号が入力されるようになっており、この二つの信号のうち一つが、AND回路133から入力される信号により選択され、被試験メモリ150に対して出力されるようになっている。
具体的には、セレクタ135は、AND回路133からの入力が「0」のときは内部セル用の試験パターン信号を、AND回路133からの入力が「1」のときはインターフェイス部用の試験パターン信号を出力するように設定されている(図3参照)。
【0012】
そして、まずレジスタ131からの出力信号が「0」の場合には、図4に示すように、切替え制御信号の値にかかわらず、AND回路133からの出力は「0」となり、セレクタ135は内部セル用の試験パターンが出力される。従って、この状態では試験パターン信号は内部セル用に固定されることになる。
一方、レジスタ131の設定が「1」の場合には、図4に示すように、切替え制御信号の値によって試験パターン信号が切り替えられる。
すなわち、切替え制御信号が「0」の場合には、AND回路133からの出力は「1」となり、セレクタ135からはインターフェイス部用の試験パターン信号が出力される。また、切替え制御信号が「1」の場合には、AND回路133からの出力は「0」となるので、セレクタ135からは内部セル用の試験パターン信号が出力される。従って、この状態、試験パターン信号は切替え可能に設定されることになる。
【0013】
このように、従来の半導体メモリ試験装置では、レジスタ131とAND回路133の組合せからなる切替え手段を備えることで、切替え制御信号を入力して試験パターン信号を内部セル用とインターフェイス部用とに切り替えることができるようにしていた。
これによって、被試験メモリ150に対して、内部セル用とインターフェイス部用の試験パターン信号を選択的に切替え入力することができ、被試験メモリ150の内部セルの機能試験だけでなく、インターフェイス部に対するロジック試験も可能となり、D−RDRAMやDDR−SDRAM等のメモリデバイスの試験に対応していた。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来の試験装置では、試験パターン信号の切替え方法として、インターフェイス部用の試験パターンについては、図4で示した通り、常に切替え可能状態に設定されることになっていたので、特定の入力ピンに対してインターフェイス部用の試験パターン信号を固定できないという問題があった。
すなわち、レジスタの出力信号によりインターフェイス部用の試験パターン信号が出力可能状態に設定されると、切替え制御信号が入力された場合、すべての入力ピンに対する試験パターン信号が一括で切り替えられることになり、特定の入力ピンに対してインターフェイス用の試験パターン信号を入力しつつ、他の入力ピンに対して内部セル用の試験パターン信号を入力する、ということは不可能であった。
【0015】
実際の半導体メモリの試験においては、例えば、D−RDRAMの試験を行う場合、シリアルポートの入力パターンは、内部セル用のパターン信号による試験中であっても、常にインターフェイス部用のパターン信号による制御が必要となる場合がある。
ところが、従来の試験装置では、上述したように、インターフェイス部用の試験パターン信号は、メモリデバイスのすべての入力ピンについて一括で切り替えられてしまうため、特定の入力ピンに関してインターフェイス部用の試験パターンを固定することができなかった。
このため、インターフェイス部のロジック試験と並行して内部セルの機能試験を行うといったことは不可能となり、D−RDRAM等のメモリデバイスの試験に対応できないという問題が発生した。
【0016】
本発明は、このような従来の技術が有する問題を解決するために提案されたものであり、メモリデバイスの内部セル及びインターフェイス部に入力される試験パターン信号の切替え及び固定を自由に選択,制御できる試験パターン信号切替え手段を備えることにより、メモリデバイスの任意の入力ピンに対して所望の試験パターン信号を固定,解除することが可能となり、内部セルの機能試験とインターフェイス部のロジック試験を並行して行うことができる、特にD−RDRAMやDDR−SDRAM等の試験に好適な半導体メモリ試験装置の提供を目的とする。
【0017】
上記目的を達成するため、本発明の半導体メモリ試験装置は、試験対象となるメモリデバイスに所定の試験パターン信号を入力し、このメモリデバイスから出力される応答出力信号と所定の期待値データ信号を比較することにより、当該メモリデバイスの良否を判定する半導体メモリ試験装置であって、前記メモリデバイスの内部セルに入力する試験パターン信号を発生させる第一のパターン発生手段と、前記メモリデバイスのインターフェイス部に入力する試験パターン信号を発生させる第二のパターン発生手段と、前記第一のパターン発生手段及び第二のパターン発生手段からの試験パターン信号を入力し、いずれか一方の試験パターン信号を前記メモリデバイスに対して出力する試験パターン信号切替え手段と、を備え、前記試験パターン信号切替え手段が、所定の切替え制御信号を入力するとともに、前記第一のパターン発生手段からの試験パターン信号の出力を禁止する信号,前記第二のパターン発生手段からの試験パターン信号の出力を禁止する信号、又は双方の試験パターン信号の出力を許可する信号を選択的に発生させる構成としてある。
【0018】
このような構成からなる本発明の半導体メモリ試験装置によれば、試験パターン信号切替え手段を備えることにより、メモリデバイスの内部セルに入力される試験パターン信号と、インターフェイス部に入力される試験パターン信号について、いずれか一方の出力を禁止し、又は双方の出力を許可する信号を切替え自在に発生させることができる。
これにより、メモリデバイスの任意の入力ピンに対し、内部セル用又はインターフェイス部用の試験パターン信号を固定させることが可能となり、特定ピンについてインターフェイス部用の試験パターン信号を入力しつつ、他のピンに対して内部セル用の試験パターン信号を印加することができ、従来は不可能であった内部セルの機能試験とインターフェイス部のロジック試験の並行実施が可能となる。
【0019】
特に、本発明の半導体メモリ試験装置では、前記試験パターン信号切替え手段が、前記メモリデバイスの入力ピンごとに備える構成としてある。
【0020】
このような構成からなる本発明の半導体メモリ試験装置によれば、試験パターン信号切替え手段を、試験対象となるメモリデバイスの入力ピンの数に対応させて、各ピンごとに設けることで、入力ピンに対し、所望のピン単位ごとに試験パターン信号の固定及び切替えを行うことができる。
これによって、本発明にかかる内部セル用又はインターフェイス部用の試験パターン信号の固定及びその解除を、メモリデバイスのピン単位で行うことができ、より汎用性に富んだ試験装置を実現することができる。
【0021】
そして、本発明の半導体メモリ試験装置は、前記試験パターン信号切替え手段が、前記第二のパターン発生手段からの試験パターン信号の出力を禁止し、前記第一のパターン発生手段からの試験パターン信号の出力を許可する信号を記憶した第一の記憶部と、前記第一のパターン発生手段からの試験パターン信号の出力を禁止し、前記第二のパターン発生手段からの試験パターン信号の出力を許可する信号を記憶した第二の記憶部と、前記第二の記憶部からの信号及び前記所定の切替え制御信号を入力する第一の論理積回路と、前記第一の記憶部からの信号及び前記第一の論理積回路からの信号を入力する第二の論理積回路と、前記第二の論理積回路からの信号を入力するとともに、前記第一のパターン発生手段及び第二のパターン発生手段からの試験パターン信号を入力し、いずれか一方の試験パターン信号を出力するパターン切替え部と、を備えた構成としてある。
【0022】
このような構成からなる本発明の半導体メモリ試験装置によれば、試験パターン信号の切替え及び固定を制御する信号を、レジスタ等からなる記憶部とAND回路の組合せによって発生,出力することができ、複雑な信号パターンや大容量のメモリ等を必要とすることなく、既存の回路を用いて容易に本発明にかかる試験装置を実現することができる。
【0023】
また、本発明の半導体メモリ試験装置は、前記第一のパターン発生手段が、アルゴリズミック・パターン発生器からなる構成としてある。
【0024】
このような構成からなる本発明の半導体メモリ試験装置によれば、内部セル用の試験パターン信号を発生させる第一のパターン発生手段を、アルゴリズミック・パターン発生器によって構成することができる。
アルゴリズミック・パターン発生器は、データの読出し又は書込みを行うメモリデバイスの内部セルのアドレス信号を、一定の算法に基づいて逐次発生させるパターン発生器であり、マイクロプログラムによってアドレス信号を発生させることができることから、大容量のパターンメモリを必要としない。
このため、本発明が適用されるD−RDRAMやDDR−SDRAM等の大容量化,高速化,多ビット化したメモリデバイスの試験に好適である。
【0025】
さらに、本発明では、前記所定の切替え制御信号が、前記第一のパターン発生手段から出力される構成としてある。
【0026】
このような構成からなる本発明の半導体メモリ試験装置によれば、試験パターン信号切替え手段に入力されて内部セル用又はインターフェイス部用の試験パターン信号を切り替える切替え制御信号を、第一のパターン発生手段から発生,出力することができる。
これにより、アルゴリズミック・パターン発生器等からなる第一のパターン発生手段により、切替え制御信号を容易に発生させることができ、別途メモリやパターン発生器等を備えることなく、本発明にかかる試験装置を実現することができる。
【0027】
【発明の実施の形態】
以下、本発明にかかる半導体メモリ試験装置の好ましい実施形態について、図1及び図2を参照しつつ説明する。
図1は、本発明にかかる半導体メモリ試験装置の一実施形態を示すブロック図である。
図2は、本実施形態にかかる半導体メモリ試験装置における試験パターン信号の切替え動作を説明する真理値表である。
【0028】
まず、図1を参照して、本実施形態にかかる半導体メモリ試験装置の基本構成について説明する。
同図に示すように、本実施形態にかかる半導体メモリ試験装置は、試験対象となるD−RDRAMやDDR−SDRAM等のメモリデバイス(被試験メモリ50)に対し、所定の試験パターン信号を入力し、被試験メモリ50から出力される応答出力信号と所定の期待値データ信号を比較することにより、被試験メモリ50の良否を判定する試験装置である。
具体的には、この半導体メモリ試験装置は、アルゴリズミック・パターン発生器(ALPG)10,データ・バッファ・メモリ(DBM)20,プログラマブル・データ・セレクタ(PDS)30及び論理比較器40を備えている。
【0029】
ALPG10は、本発明にかかる第一のパターン発生手段であり、図示しないタイミング発生器で発生される基準クロック信号に従い、被試験メモリ50の内部セルの機能試験を行うための試験パターン信号を発生させるようになっている。
一般に、ALPG(アルゴリズミック・パターン発生器)は、データの読出し又は書込みを行うメモリデバイスの内部セルのアドレス信号を、一定の算法に基づいて逐次発生させるパターン発生器であり、大容量のパターンメモリ等を必要とすることなく、マイクロプログラムによってアドレス信号を発生させることができる。
従って、第一のパターン発生手段を、ALPG10により構成する本実施形態によれば、本発明が適用されるD−RDRAMやDDR−SDRAM等の大容量化,高速化,多ビット化したメモリデバイスの試験に好適となる。
【0030】
このAPLPG10は、具体的には、図1に示すように、インストラクションメモリ11と、アドレス発生部12,データ発生部13,制御信号発生部14及びシーケンス制御部15を備えている。
インストラクションメモリ11は、所定の試験パターン信号のプログラムを格納する記憶手段であり、具体的には、試験パターンプログラムのシーケンスを制御する命令や、アドレス,データの演算命令,制御信号を出力するための命令等を実行するためのデータが格納されるようになっている。
【0031】
アドレス発生部12は、インストラクションメモリ11から読み出されるデータに従い、被試験メモリ50の内部セルを特定するためのアドレス信号を発生させる信号発生手段である。
データ発生部13は、インストラクションメモリ11のデータに従い、被試験メモリ50への入力データ信号を発生させる信号発生手段である。
また、制御信号発生部14は、インストラクションメモリ11のデータに従い、被試験メモリ50の書込み/読出し動作を制御する制御信号を発生させる信号発生手段となっている。
【0032】
シーケンス制御部15は、アドレス発生部12,データ発生部13及び制御信号発生部14を制御する制御手段である。
インストラクションメモリ11へアクセスするアドレスは、このシーケンス制御部15によって決定され、当該アドレスから読み出されたデータに従って、上述したアドレス発生部12,データ発生部13及び制御信号発生部14の各部において、アドレス信号,データ信号及び制御信号が生成されるようになっている。
そして、このアドレス信号,データ信号及び制御信号が、被試験メモリ50の内部セルに入力される機能試験用の試験パターン信号となる。
【0033】
さらに、本実施形態では、後述するPDS30に入力される所定の切替え制御信号を、ALPG10で発生,出力させるようにしてある。
この切替え制御信号は、後述するように、PDS30の第一AND回路33に入力されることにより、ALPG10から出力される被試験メモリ50の内部セルに入力される試験パターン信号と、後述するDBM20から出力される被試験メモリ50のインターフェイス部に入力される試験パターン信号の切替えを制御する信号である。
この試験パターン信号を切り替える切替え制御信号を、ALPG10において発生,出力させることにより、インストラクションメモリ11のパターンプログラムによって、切替え制御信号を容易に発生させることができ、別途メモリやパターン発生器等を備えることなく、本発明にかかる試験装置を実現することが可能となる。
【0034】
DBM20は、被試験メモリ50のインターフェイス部のロジック試験を行うための試験パターン信号を発生させる信号発生手段であり、本発明の第二のパターン発生手段を構成している。
具体的には、DBM20は、被試験メモリ50へ印加するアドレス,データ,制御信号及び期待値データが予め書き込まれた記憶手段で、ALPG10のインストラクションメモリ11のパターンプログラムに記述された命令に従い、所定のデータを出力するようになっている。
このDBM20から読み出されるデータが、被試験メモリ50のインターフェイス部に入力されるロジック試験用の試験パターン信号となる。
【0035】
PDS30は、ALPG10及びDBM20から試験パターン信号が入力されるとともに、入力された各試験パターン信号のうち、いずれか一方の試験パターン信号を選択し、被試験メモリ50の入力ピンに対して出力する切替え手段で、本発明の試験パターン信号切替え手段を構成している。
すなわち、PDS30は、上述したALPG10からの切替え制御信号を入力するとともに、ALPG10からの試験パターン信号の出力を禁止する信号と、DBM20からの試験パターン信号の出力を禁止する信号、又は双方の試験パターン信号の出力を許可する信号を選択的に発生させ、これによって、被試験メモリ50に対する試験パターン信号の入力の切替え及び固定を制御するようになっている。
【0036】
具体的には、本実施形態にかかるPDS30は、図1に示すように、第一レジスタ31,第二レジスタ32,第一AND回路33,第二AND回路34及びセレクタ35を備えている。
第一レジスタ31及び第二レジスタ32は、内部セル用又はインターフェイス部用の試験パターン信号を固定するためのパターン信号が予め設定,記憶された記憶手段である。
第一レジスタ31は、DBM20からの試験パターン信号の出力を禁止する信号を設定,記憶した記憶手段で、本発明の第一の記憶部を構成している。
また、第二レジスタ32は、ALPG10からの試験パターン信号の出力を禁止する信号を設定,記憶した記憶手段であり、本発明の第二の記憶部を構成している。
そして、これら第一及び第二レジスタ31,32からの出力信号が、それぞれ、第二AND回路34及び第一AND回路33に入力されるようになっている。
【0037】
第一AND回路33は、図1に示すように、第二レジスタ32からの出力信号が入力されるとともに、インストラクションメモリ11のパターンプログラムに従って出力される切替え制御信号が入力され、これら入力信号の論理積を出力するようになっており、本発明の第一の論理積回路を構成している。
また、第二AND回路34は、図1に示すように、第一レジスタ31からの出力信号が入力されるとともに、第一AND回路33から出力される信号が反転入力されるようになっており、これら入力信号の論理積を出力する、本発明の第二の論理積回路を構成している。
そして、この第二AND回路34から出力される信号が、後述するように、被試験メモリ50に対する試験パターン信号の入力の切替え及び固定を制御する信号となり、セレクタ35に入力されるようになっている。
【0038】
セレクタ35は、本発明のパターン切替え部であり、ALPG10からの内部セル用の試験パターン信号と、DBM20からのインターフェイス部用の試験パターン信号が入力されるとともに、これら二つの試験パターン信号の選択制御信号として、第二AND回路34の出力信号が入力される。
そして、このセレクタ35で選択された試験パターン信号が、被試験メモリ50に入力されるようになっている。
【0039】
ここで、以上のような構成からなるPDS30は、被試験メモリ50の各入力ピンごとに設けられるようになっている。
PDS30を、被試験メモリ50の入力ピンの数に対応させて、各ピンごとに設けることにより、入力ピンに対し、所望のピン単位ごとに試験パターン信号の固定及び切替えを行うことができる。
これにより、本実施形態にかかる内部セル用又はインターフェイス部用の試験パターン信号の固定及びその解除を、被試験メモリ50のピン単位で行うことができるようになっている。
また、本実施形態では、PDS30における試験パターン信号の切替え及び固定の制御を、レジスタとAND回路の組合せによって実現しており、複雑な信号パターンや大容量のメモリ等を必要とすることなく、既存の回路を用いて容易に本発明にかかる試験装置を実現することができるようになっている。
【0040】
そして、以上のような構成からなるPDS30における試験パターン信号の切替え動作により、被試験メモリ50には、内部セルの機能試験又はインターフェイス部のロジック試験のための信号が入力されることになる。
被試験メモリ50では、与えられたアドレス,データ及び制御信号に基づき、データ信号の書込み又は読出しの動作が行われ、所定の応答信号が出力される。
そして、被試験メモリ50からの応答信号が論理比較器40に与えられる。
論理比較器40は、被試験メモリ50からの応答信号を入力するとともに、PDS30を介してDBM20からの期待値データ信号を入力し、これら応答信号と期待値データ信号とを比較し、その一致,不一致を検出する比較検出手段となっている。
この論理比較器40の検出結果により、被試験メモリ50の内部セル又はインターフェイス部の良否判定が行われることになる。
【0041】
次に、以上のような構成からなる本実施形態にかかる半導体メモリ試験装置の、PDS30における試験パターン信号の切替え動作について、図1及び図2を参照しつつ説明する。
まず、本実施形態のセレクタ35は、ALPG10からの内部セル用の試験パターン信号及びDBM20からのインターフェイス部用の試験パターン信号が入力されるようになっており、この二つの信号のうち一つが、第二AND回路34から入力される信号により選択され、被試験メモリ50に対して出力されるようになっている。
具体的には、セレクタ35は、図1に示すように、第二AND回路34からの入力が「0」のときは内部セル用の試験パターン信号を、第二AND回路34からの入力が「1」のときはインターフェイス部用の試験パターン信号を出力するように設定されている。
【0042】
そして、まず、第一レジスタ31からの出力信号が「0」の場合には、図2に示すように、第二レジスタ32及び切替え制御信号の値にかかわらず、第二AND回路34からは「0」が出力されるようになっており、セレクタ35からは、常に内部セル用の試験パターン信号が出力される。
従って、この状態では、図2に示すように、試験パターン信号は内部セル用に固定されることになる。
【0043】
一方、第一レジスタ31の出力信号が「1」の場合には、図2に示すように、第二レジスタ32及び切替え制御信号の値によって試験パターン信号が、インターフェイス部用に固定されるか、内部セル用又はインターフェイス部用に切替え可能になる。
すなわち、まず、第二レジスタ32からの出力信号が「0」の場合には、第一レジスタ31の出力信号が「1」なので、図2に示すように、切替え制御信号の値にかかわらず、第二AND回路34から「1」が出力されることになり、セレクタ35からは常にインターフェイス部用の試験パターンが出力される。
従って、この状態では、図2に示すように、試験パターン信号はインターフェイス部用に固定されることになる。
【0044】
一方、第二レジスタ32の出力信号が「1」の場合には、切替え制御信号の値によって試験パターン信号が、内部セル用又はインターフェイス部用に切替え可能になる。
すなわち、切替え制御信号が「0」の場合には、図2に示すように、第二AND回路34からの出力は「1」となり、セレクタ35からはインターフェイス部用の試験パターン信号が出力される。また、切替え制御信号が「1」の場合には、第二AND回路34からの出力は「0」となるので、セレクタ35からは内部セル用の試験パターン信号が出力される。従って、この状態、試験パターン信号は切替え可能に設定されることになる。
【0045】
以上のように、本実施形態にかかる半導体メモリ試験装置によれば、PDS30からなる試験パターン信号切替え手段を備えることにより、被試験メモリ50の内部セルに入力される試験パターン信号と、インターフェイス部に入力される試験パターン信号について、いずれか一方の出力を禁止し、又は双方の出力を許可する信号を切替え自在に発生させることができる。
これにより、被試験メモリ50の任意の入力ピンに対し、内部セル用又はインターフェイス部用の試験パターン信号を固定させることが可能となり、特定ピンについてインターフェイス部用の試験パターン信号を入力しつつ、他のピンに対して内部セル用の試験パターン信号を印加することができる。
これによって、従来は不可能であった内部セルの機能試験とインターフェイス部のロジック試験の並行実施が可能となる。
【0046】
また、PDS30からなる試験パターン信号切替え手段を、試験対象となるメモリデバイス(被試験メモリ50)の入力ピンの数に対応させて設けてあるので、入力ピンごとに、本実施形態にかかる試験パターン信号の固定及び切替えを行うことができる。
これによって、本発明にかかる内部セル用又はインターフェイス部用の試験パターン信号の固定及びその解除を、メモリデバイスのピン単位で行うことができ、より汎用性に富んだ試験装置を実現することができる。
【0047】
なお、本発明の半導体メモリ試験装置は、上述した実施形態にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲で種々の変更実施が可能であることは言うまでもない。
例えば、本発明にかかる第一及び第二のパターン発生手段として、上述した実施形態では、それぞれALPG及びDBMを備えているが、これを他の構成からなるパターン発生器や記憶手段により構成することもできる。
また、試験パターン信号切替え手段についても、上記実施形態におけるPDSに替えて、他の信号選択手段を用いることも可能である。
【0048】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体メモリ試験装置によれば、メモリデバイスの内部セル及びインターフェイス部に入力される試験パターン信号の切替え及び固定を自由に選択,制御できる試験パターン信号切替え手段を備えることにより、メモリデバイスの任意の入力ピンに対して所望の試験パターン信号を固定,解除することが可能となる。
これにより、メモリデバイスの内部セルに対する機能試験とインターフェイス部に対するロジック試験を並行して行うことができ、特にD−RDRAMやDDR−SDRAM等の試験に好適である。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明にかかる半導体メモリ試験装置の一実施形態を示すブロック図である。
【図2】本発明にかかる半導体メモリ試験装置の一実施形態における試験パターン信号の切替え動作を説明する真理値表である。
【図3】従来の半導体メモリ試験装置の基本構成を示すブロック図である。
【図4】従来の半導体メモリ試験装置における試験パターン信号の切替え動作を説明する真理値表である。
【符号の説明】
10 アルゴリズミック・パターン発生器(ALPG)
20 データ・バッファ・メモリ(DBM)
30 プログラマブル・データ・セレクタ(PDS)
31 第一レジスタ
32 第二レジスタ
33 第一AND回路
34 第二AND回路
35 セレクタ
40 論理比較器
50 被試験メモリ
Claims (4)
- 試験対象となるメモリデバイスに所定の試験パターン信号を入力し、このメモリデバイスから出力される応答出力信号と所定の期待値データ信号を比較することにより、当該メモリデバイスの良否を判定する半導体メモリ試験装置であって、
前記メモリデバイスの内部セルに入力する試験パターン信号を発生させる第一のパターン発生手段と、
前記メモリデバイスのインターフェイス部に入力する試験パターン信号を発生させる第二のパターン発生手段と、
前記第一のパターン発生手段及び第二のパターン発生手段からの試験パターン信号を入力し、いずれか一方の試験パターン信号を前記メモリデバイスに対して出力する試験パターン信号切替え手段と、を備え、
前記試験パターン信号切替え手段が、
前記第二のパターン発生手段からの試験パターン信号の出力と前記第一のパターン発生手段からの試験パターン信号の出力を切り替えるための信号が予め設定,記憶された第一の記憶部と、
前記第一のパターン発生手段からの試験パターン信号の出力と前記第二のパターン発生手段からの試験パターン信号の出力を切り替えるための信号が予め設定,記憶された第二の記憶部と、
前記第二の記憶部からの信号及び所定の切替え制御信号を入力し、これら入力信号の論理積を出力する第一の論理積回路と、
前記第一の記憶部からの信号及び前記第一の論理積回路からの信号を入力、これら入力信号の論理積を出力する第二の論理積回路と、
前記第二の論理積回路からの信号を入力するとともに、前記第一のパターン発生手段及び第二のパターン発生手段からの試験パターン信号を入力し、いずれか一方の試験パターン信号を出力するパターン切替え部と、を備えたことを特徴とする半導体メモリ試験装置。 - 前記試験パターン信号切替え手段が、前記メモリデバイスの入力ピンごとに備えられた請求項1記載の半導体メモリ試験装置。
- 前記第一のパターン発生手段が、アルゴリズミック・パターン発生器からなる請求項1又は2記載の半導体メモリ試験装置。
- 前記所定の切替え制御信号が、前記第一のパターン発生手段から出力される請求項1乃至3のいずれか一項記載の半導体メモリ試験装置。
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