JP2950211B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製造方法Info
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- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- G11B5/313—Disposition of layers
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、1つの基板上に複
数個が一括生成され、これらを切断分離加工して得られ
る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
数個が一括生成され、これらを切断分離加工して得られ
る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、一般に、フォトリソ
グラフィ技術、薄膜形成技術、エッチング技術及び研磨
加工技術等を利用し、基板(ウエハ)上に複数の電磁変
換素子及びそれらの入出力電極を一括形成する工程と、
切断分離等により個々のヘッドを得る加工工程とを経て
最終的に完成する。
グラフィ技術、薄膜形成技術、エッチング技術及び研磨
加工技術等を利用し、基板(ウエハ)上に複数の電磁変
換素子及びそれらの入出力電極を一括形成する工程と、
切断分離等により個々のヘッドを得る加工工程とを経て
最終的に完成する。
【0003】薄膜磁気ヘッドの生産は、通常、複数枚の
基板毎にロットを構成してロット単位で上述の工程を実
施するか、又は基板単位で上述の工程を繰り返して実施
する。このため、各基板における磁気ヘッド間、各ロッ
ト内における基板間、又は各ロット間で寸法や性能上で
微妙な差が生じたり、各基板に不良磁気ヘッド、各ロッ
ト内に不良基板、又は複数ロット内に不良ロットが混在
してしまう恐れがある。
基板毎にロットを構成してロット単位で上述の工程を実
施するか、又は基板単位で上述の工程を繰り返して実施
する。このため、各基板における磁気ヘッド間、各ロッ
ト内における基板間、又は各ロット間で寸法や性能上で
微妙な差が生じたり、各基板に不良磁気ヘッド、各ロッ
ト内に不良基板、又は複数ロット内に不良ロットが混在
してしまう恐れがある。
【0004】従って、工程管理や不良発生防止のため
に、各磁気ヘッド毎に、ロットを識別する記号、ロット
内の基板位置を識別する記号、及び基板内の磁気ヘッド
位置を識別する記号を付しておくことが必要となる。ま
た、切断分離を行う場合の管理や不良品の除去を適切に
行うためにも各磁気ヘッド毎にこのような識別記号を付
すことが必要不可欠となっている。
に、各磁気ヘッド毎に、ロットを識別する記号、ロット
内の基板位置を識別する記号、及び基板内の磁気ヘッド
位置を識別する記号を付しておくことが必要となる。ま
た、切断分離を行う場合の管理や不良品の除去を適切に
行うためにも各磁気ヘッド毎にこのような識別記号を付
すことが必要不可欠となっている。
【0005】このような識別記号を薄膜磁気ヘッドに形
成する従来技術として、特開昭62−20116号公報
には、フォトリソグラフィ技術を用いて基板の素子形成
面の素子が形成されてない領域に識別記号を形成し、一
方、必要に応じてレーザ加工によって基板の裏面(磁気
ヘッドの空気流入側端面となる面)に識別記号を形成す
る技術が開示されている。
成する従来技術として、特開昭62−20116号公報
には、フォトリソグラフィ技術を用いて基板の素子形成
面の素子が形成されてない領域に識別記号を形成し、一
方、必要に応じてレーザ加工によって基板の裏面(磁気
ヘッドの空気流入側端面となる面)に識別記号を形成す
る技術が開示されている。
【0006】図15及び図16はこの公知技術を示して
おり、150は薄膜磁気ヘッドのスライダ、151及び
152はスライダ150の空気流出側端面150aに形
成された電磁変換素子及び入出力電極をそれぞれ表して
いる。この端面150aの第1層目には、フォトリソグ
ラフィ技術により識別記号153が形成されており、ま
た、スライダ150の空気流入側端面150bにはレー
ザ加工によって識別記号154が形成されている。これ
ら識別記号153及び154は、いずれも基板内の磁気
ヘッド位置を示す記号である。
おり、150は薄膜磁気ヘッドのスライダ、151及び
152はスライダ150の空気流出側端面150aに形
成された電磁変換素子及び入出力電極をそれぞれ表して
いる。この端面150aの第1層目には、フォトリソグ
ラフィ技術により識別記号153が形成されており、ま
た、スライダ150の空気流入側端面150bにはレー
ザ加工によって識別記号154が形成されている。これ
ら識別記号153及び154は、いずれも基板内の磁気
ヘッド位置を示す記号である。
【0007】識別記号を薄膜磁気ヘッドに形成する他の
従来技術として、特開平4−102214号公報には、
フォトリソグラフィ技術又はレーザ加工技術を用いて基
板の裏面(磁気ヘッドの空気流入側端面となる面)に識
別情報を形成する技術が開示されている。この場合の識
別情報は、基板内の磁気ヘッド位置を示す情報、並びに
基板自体を識別する情報及び仕様を示す情報である。
従来技術として、特開平4−102214号公報には、
フォトリソグラフィ技術又はレーザ加工技術を用いて基
板の裏面(磁気ヘッドの空気流入側端面となる面)に識
別情報を形成する技術が開示されている。この場合の識
別情報は、基板内の磁気ヘッド位置を示す情報、並びに
基板自体を識別する情報及び仕様を示す情報である。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上述したごとき従来技
術は、次のような問題点を有している。
術は、次のような問題点を有している。
【0009】(1)基板の空気流出側端面の第1層目に
フォトリソグラフィ技術により識別記号を形成する技術
では、識別記号がその面に形成される電磁変換素子及び
入出力電極部分を除いた領域にしか作成できないので、
多くの識別情報を表記することができない。特に最近の
高密度対応の薄膜磁気ヘッドは、大幅な小型化が図られ
ていることから空気流出側端面の素子の非形成部面積が
著しく小さく、その結果、表記できる識別情報は非常に
わずかなものとなってしまう。
フォトリソグラフィ技術により識別記号を形成する技術
では、識別記号がその面に形成される電磁変換素子及び
入出力電極部分を除いた領域にしか作成できないので、
多くの識別情報を表記することができない。特に最近の
高密度対応の薄膜磁気ヘッドは、大幅な小型化が図られ
ていることから空気流出側端面の素子の非形成部面積が
著しく小さく、その結果、表記できる識別情報は非常に
わずかなものとなってしまう。
【0010】(2)基板の裏面に識別情報を形成する技
術は、その後の工程において空気流入端側の一部が切断
除去される場合には使用できない。即ち、スライダの小
型化に伴ってその浮上面(ABS面)の長さを短縮化す
る場合は、基板の厚みを減少させることが一般的である
が、基板厚の減少による反り量の増加を防止する目的で
ABS面の長さより厚い基板を用い、素子形成後の加工
工程で空気流入端側の一部を切断除去して研磨し所望の
ABS面長さとすることも行われる(本出願人による特
願平7−66714号参照)。このような場合、空気流
入側端面に形成された識別情報は、その切断除去工程で
失われてしまう。
術は、その後の工程において空気流入端側の一部が切断
除去される場合には使用できない。即ち、スライダの小
型化に伴ってその浮上面(ABS面)の長さを短縮化す
る場合は、基板の厚みを減少させることが一般的である
が、基板厚の減少による反り量の増加を防止する目的で
ABS面の長さより厚い基板を用い、素子形成後の加工
工程で空気流入端側の一部を切断除去して研磨し所望の
ABS面長さとすることも行われる(本出願人による特
願平7−66714号参照)。このような場合、空気流
入側端面に形成された識別情報は、その切断除去工程で
失われてしまう。
【0011】従って本発明の目的は、従来技術の上述の
問題点を解消するものであり、より小型化した場合にも
充分な量の識別記号を形成できる薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することにある。
問題点を解消するものであり、より小型化した場合にも
充分な量の識別記号を形成できる薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することにある。
【0012】本発明の他の目的は、小型化に伴ってスラ
イダの空気流入端側を切除した場合にも識別記号を保持
できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにあ
る。
イダの空気流入端側を切除した場合にも識別記号を保持
できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにあ
る。
【0013】本発明のさらに他の目的は、従来より使用
されている工程を大幅に変更することなく識別記号を形
成できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにあ
る。
されている工程を大幅に変更することなく識別記号を形
成できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにあ
る。
【0014】
【0015】
【0016】
【0017】
【0018】
【0019】
【0020】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板上
に複数の電磁変換素子及び該電磁変換素子用の入出力電
極を形成する工程と、電磁変換素子及び入出力電極を形
成した基板上に保護膜を形成する工程と、入出力電極及
び保護膜上に電極被覆膜を形成する工程と、保護膜上の
電極被覆膜に、当該薄膜磁気ヘッドの識別記号をレーザ
を使用して形成する工程とを備えた薄膜磁気ヘッドの製
造方法が提供される。
に複数の電磁変換素子及び該電磁変換素子用の入出力電
極を形成する工程と、電磁変換素子及び入出力電極を形
成した基板上に保護膜を形成する工程と、入出力電極及
び保護膜上に電極被覆膜を形成する工程と、保護膜上の
電極被覆膜に、当該薄膜磁気ヘッドの識別記号をレーザ
を使用して形成する工程とを備えた薄膜磁気ヘッドの製
造方法が提供される。
【0021】薄膜磁気ヘッドの識別記号を電磁変換素子
の保護膜上の電極被覆膜に形成しているため、保護膜及
び電極被覆膜が存在する部分であればスライダの電磁変
換素子の形成面のいずれの領域であっても識別記号を形
成することができる。即ち、電磁変換素子及びこの電磁
変換素子と入出力電極とを接続する導体パターン上であ
っても、識別記号を形成することができる。従って、薄
膜磁気ヘッドをより小型化した場合にも充分な量の識別
記号を表記することができる。また、基板の電磁変換素
子の形成面側に識別記号が設けられているため、薄膜磁
気ヘッドの小型化に伴ってスライダの空気流入端側を切
除した場合にも識別記号を保持することができる。この
ため、加工工程以降の全製造工程において、薄膜磁気ヘ
ッドの管理が可能となる。しかも、レーザ加工で識別記
号を形成しているので、フォトマスクが不要であり任意
の識別記号を形成することができる。また、レーザ加工
による記号の位置精度に関する冗長度が大きくなるた
め、高価なレーザ装置が不要となる。
の保護膜上の電極被覆膜に形成しているため、保護膜及
び電極被覆膜が存在する部分であればスライダの電磁変
換素子の形成面のいずれの領域であっても識別記号を形
成することができる。即ち、電磁変換素子及びこの電磁
変換素子と入出力電極とを接続する導体パターン上であ
っても、識別記号を形成することができる。従って、薄
膜磁気ヘッドをより小型化した場合にも充分な量の識別
記号を表記することができる。また、基板の電磁変換素
子の形成面側に識別記号が設けられているため、薄膜磁
気ヘッドの小型化に伴ってスライダの空気流入端側を切
除した場合にも識別記号を保持することができる。この
ため、加工工程以降の全製造工程において、薄膜磁気ヘ
ッドの管理が可能となる。しかも、レーザ加工で識別記
号を形成しているので、フォトマスクが不要であり任意
の識別記号を形成することができる。また、レーザ加工
による記号の位置精度に関する冗長度が大きくなるた
め、高価なレーザ装置が不要となる。
【0022】レーザを使用して形成する工程が、基板単
位毎に互いに異なる識別記号をレーザを使用して形成す
る工程であることが非常に好ましい。
位毎に互いに異なる識別記号をレーザを使用して形成す
る工程であることが非常に好ましい。
【0023】従来技術のように、フォトリソグラフィ技
術を用いて識別記号を形成するためにはフォトマスクが
必要となる。従って、基板内の磁気ヘッド位置を識別す
るための記号については同一のマスクを使用可能である
が、ロットを識別する記号やロット内の基板位置を識別
する記号を形成するためには、ロット毎、基板毎に異な
るマスクを用いなければならない。このため、膨大な種
類のフォトマスクを用意しなければならない。しかしな
がら、本発明のように、識別記号をレーザを使用して形
成すれば、基板単位毎に互いに異なる識別記号、例えば
ロットを識別する記号やロット内の基板位置を識別する
記号をフォトマスクの数を増大させることなく作成可能
となる。
術を用いて識別記号を形成するためにはフォトマスクが
必要となる。従って、基板内の磁気ヘッド位置を識別す
るための記号については同一のマスクを使用可能である
が、ロットを識別する記号やロット内の基板位置を識別
する記号を形成するためには、ロット毎、基板毎に異な
るマスクを用いなければならない。このため、膨大な種
類のフォトマスクを用意しなければならない。しかしな
がら、本発明のように、識別記号をレーザを使用して形
成すれば、基板単位毎に互いに異なる識別記号、例えば
ロットを識別する記号やロット内の基板位置を識別する
記号をフォトマスクの数を増大させることなく作成可能
となる。
【0024】識別記号を形成する工程が電極被覆膜を形
成する工程内で実行されることも非常に好ましい。入出
力電極の金等の電極被覆膜を形成する工程においては、
保護膜上にもこの電極被覆膜が形成される。その後にレ
ーザを照射して加工を行うようにすれば、この電極被覆
膜がレーザの反射吸収及びレーザの散乱さらには熱吸収
を行う層となり、保護膜(一般にはレーザを透過する材
質で形成される)内をレーザビームが通過してその下に
形成されている素子、導体等に金属溶融や界面剥離が生
じて破壊されてしまう恐れがなくなる。また、この方法
によれば、従来より使用されている工程を大幅に変更す
ることなく識別記号を形成することができる。
成する工程内で実行されることも非常に好ましい。入出
力電極の金等の電極被覆膜を形成する工程においては、
保護膜上にもこの電極被覆膜が形成される。その後にレ
ーザを照射して加工を行うようにすれば、この電極被覆
膜がレーザの反射吸収及びレーザの散乱さらには熱吸収
を行う層となり、保護膜(一般にはレーザを透過する材
質で形成される)内をレーザビームが通過してその下に
形成されている素子、導体等に金属溶融や界面剥離が生
じて破壊されてしまう恐れがなくなる。また、この方法
によれば、従来より使用されている工程を大幅に変更す
ることなく識別記号を形成することができる。
【0025】識別記号を形成する工程が識別記号を基板
上の入出力電極部分を除く領域に形成する工程であるこ
とが好ましい。入出力電極には入出力線が接続されるた
め、できるだけ識別記号を作成しない方が好ましい。
上の入出力電極部分を除く領域に形成する工程であるこ
とが好ましい。入出力電極には入出力線が接続されるた
め、できるだけ識別記号を作成しない方が好ましい。
【0026】電極被覆膜の形成工程が、保護膜上に金め
っき用下地膜を形成する工程と、下地膜上に金めっきを
行う工程とを含んでおり、識別記号を形成する工程が、
この下地膜にレーザ加工を行って識別記号を形成する工
程であることが好ましい。
っき用下地膜を形成する工程と、下地膜上に金めっきを
行う工程とを含んでおり、識別記号を形成する工程が、
この下地膜にレーザ加工を行って識別記号を形成する工
程であることが好ましい。
【0027】この場合、識別記号を形成する工程が、金
めっき用のレジスト層上からレーザ加工を行って識別記
号を形成する工程であるかもしれない。金めっき用のレ
ジスト層上からレーザ加工を行うと、このレジスト層に
よって、レーザ加工で必然的に生じるドロス(被加工体
の溶融物)の飛散が抑制できしかもそのドロスをレジス
ト層と共に除去できるので素子汚染を防止できるのみな
らず、レジスト層がレーザの熱吸収にも寄与する。
めっき用のレジスト層上からレーザ加工を行って識別記
号を形成する工程であるかもしれない。金めっき用のレ
ジスト層上からレーザ加工を行うと、このレジスト層に
よって、レーザ加工で必然的に生じるドロス(被加工体
の溶融物)の飛散が抑制できしかもそのドロスをレジス
ト層と共に除去できるので素子汚染を防止できるのみな
らず、レジスト層がレーザの熱吸収にも寄与する。
【0028】この識別記号を形成する工程は、金めっき
工程の後に行われてもよいし、前に行われてもよい。金
めっき工程の後に行われれば、金めっきが行われた電極
被覆膜パターン部分にレーザ加工によるドロスが付着す
ることを防止できる。
工程の後に行われてもよいし、前に行われてもよい。金
めっき工程の後に行われれば、金めっきが行われた電極
被覆膜パターン部分にレーザ加工によるドロスが付着す
ることを防止できる。
【0029】識別記号を形成する工程が、金めっき用の
レジスト層の剥離後に行われることもあるし、また、金
めっき用のレジスト層の形成前に行われることもある。
レジスト層の剥離後に行われることもあるし、また、金
めっき用のレジスト層の形成前に行われることもある。
【0030】電極被覆膜の形成工程が、保護膜上に金被
覆層をスパッタ形成する工程と、金被覆層をパターニン
グする工程とを含んでおり、識別記号を形成する工程
が、金被覆層にレーザ加工を行って識別記号を形成する
工程であってもよい。
覆層をスパッタ形成する工程と、金被覆層をパターニン
グする工程とを含んでおり、識別記号を形成する工程
が、金被覆層にレーザ加工を行って識別記号を形成する
工程であってもよい。
【0031】
【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明の実施形
態を詳細に説明する。
態を詳細に説明する。
【0032】図1は本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施形
態における空気流出側端面の構成を概略的に示す平面図
である。
態における空気流出側端面の構成を概略的に示す平面図
である。
【0033】同図において、10はスライダ、10aは
スライダ10の空気流出端側の端面である。この端面1
0a上には、読み/書き磁気ヘッド素子である電磁変換
素子11と、その入出力電極(バンプ)12と、電磁変
換素子11及びバンプ12間を接続する接続導体13と
がフォトリソグラフィ技術、薄膜形成技術、エッチング
技術等を用いて形成されている。端面10a上の、電磁
変換素子11、バンプ12及び接続導体13が形成され
ていない部分には、基板(ウエハ)内におけるこの薄膜
磁気ヘッドの位置を表わす識別記号(バー番号、ピース
番号等)14が形成されている。この識別番号は、各ウ
エハに共通のフォトマスクを使用してフォトリソグラフ
ィ技術により形成することが可能である。
スライダ10の空気流出端側の端面である。この端面1
0a上には、読み/書き磁気ヘッド素子である電磁変換
素子11と、その入出力電極(バンプ)12と、電磁変
換素子11及びバンプ12間を接続する接続導体13と
がフォトリソグラフィ技術、薄膜形成技術、エッチング
技術等を用いて形成されている。端面10a上の、電磁
変換素子11、バンプ12及び接続導体13が形成され
ていない部分には、基板(ウエハ)内におけるこの薄膜
磁気ヘッドの位置を表わす識別記号(バー番号、ピース
番号等)14が形成されている。この識別番号は、各ウ
エハに共通のフォトマスクを使用してフォトリソグラフ
ィ技術により形成することが可能である。
【0034】端面10a上のバンプ12を除く部分に
は、図1では明確に示されていないが、保護膜が形成さ
れており、その上にウエハ毎に異なる識別記号(例えば
ロットを識別する記号やロット内の基板位置を識別する
記号)15がレーザによる照射痕として形成されてい
る。
は、図1では明確に示されていないが、保護膜が形成さ
れており、その上にウエハ毎に異なる識別記号(例えば
ロットを識別する記号やロット内の基板位置を識別する
記号)15がレーザによる照射痕として形成されてい
る。
【0035】具体的には、この識別記号15は、バンプ
12の電極被覆膜(バンプカバー膜)の構成材料で形成
されている。即ち、バンプ12のバンプカバー膜を形成
する工程においては、保護膜上に金及びチタン等による
バンプカバー用下地膜が形成される。この下地膜又はバ
ンプカバー膜にレーザ加工を行って金及びチタンの照射
痕を残すことにより、基板毎に異なる識別記号15をバ
ンプカバー膜の構成材料で作成することができる。
12の電極被覆膜(バンプカバー膜)の構成材料で形成
されている。即ち、バンプ12のバンプカバー膜を形成
する工程においては、保護膜上に金及びチタン等による
バンプカバー用下地膜が形成される。この下地膜又はバ
ンプカバー膜にレーザ加工を行って金及びチタンの照射
痕を残すことにより、基板毎に異なる識別記号15をバ
ンプカバー膜の構成材料で作成することができる。
【0036】このように、識別記号15が保護膜上に形
成されるため、保護膜が存在する部分であれば端面10
aのいずれの領域であっても識別記号15を形成するこ
とができる。即ち、電磁変換素子11上であっても接続
導体13上であっても、識別記号15を形成することが
できる。従って、薄膜磁気ヘッドをより小型化した場合
にも充分な量の識別記号をこの端面10a上に表記する
ことができる。なお、バンプ12には入出力線が接続さ
れるためできるだけ識別記号15を作成しない方が好ま
しいが、入出力線接続部を除いた部分であればバンプ1
2領域に識別記号15を設けてもよい。識別記号15が
保護膜上に形成されることは、薄膜磁気ヘッドの製造工
程の中で最も難しい工程の1つである保護膜形成工程の
条件変更を回避できるので、この意味からも識別記号1
5の形成工程の導入が非常に容易となる。
成されるため、保護膜が存在する部分であれば端面10
aのいずれの領域であっても識別記号15を形成するこ
とができる。即ち、電磁変換素子11上であっても接続
導体13上であっても、識別記号15を形成することが
できる。従って、薄膜磁気ヘッドをより小型化した場合
にも充分な量の識別記号をこの端面10a上に表記する
ことができる。なお、バンプ12には入出力線が接続さ
れるためできるだけ識別記号15を作成しない方が好ま
しいが、入出力線接続部を除いた部分であればバンプ1
2領域に識別記号15を設けてもよい。識別記号15が
保護膜上に形成されることは、薄膜磁気ヘッドの製造工
程の中で最も難しい工程の1つである保護膜形成工程の
条件変更を回避できるので、この意味からも識別記号1
5の形成工程の導入が非常に容易となる。
【0037】また、スライダ10の電磁変換素子11の
形成面側に識別記号15が設けられているため、薄膜磁
気ヘッドの小型化に伴ってスライダ10の空気流入端側
を切除した場合にもこれら識別記号15を保持すること
ができる。
形成面側に識別記号15が設けられているため、薄膜磁
気ヘッドの小型化に伴ってスライダ10の空気流入端側
を切除した場合にもこれら識別記号15を保持すること
ができる。
【0038】識別記号15は、本実施形態においては、
BCDコードで表記されている。もちろん、BCDコー
ド以外の2値コードで表記してもよいし、通常の場合と
同様に英数字で表記してもよい。識別記号15を英数字
ではなく2値コードとすれば、より狭い領域に多くの識
別情報を記載することができる。しかも、レーザ加工に
よって識別記号15を形成する場合に、スポットの有無
で表現できるため、加工工程が非常に容易となる。な
お、識別記号15をスポットの有無による2値コード
(例えば5行5列)で表現する場合には、その識別記号
の上下位置を認識する必要が生じるかもしれない。この
ためには、特定位置(例えば4行2列、5行2列、5行
3列及び5行4列)を常にスポット有と決めておき、こ
の部分をその識別記号の上下位置認識用マークとして利
用すれば非常に好都合である。
BCDコードで表記されている。もちろん、BCDコー
ド以外の2値コードで表記してもよいし、通常の場合と
同様に英数字で表記してもよい。識別記号15を英数字
ではなく2値コードとすれば、より狭い領域に多くの識
別情報を記載することができる。しかも、レーザ加工に
よって識別記号15を形成する場合に、スポットの有無
で表現できるため、加工工程が非常に容易となる。な
お、識別記号15をスポットの有無による2値コード
(例えば5行5列)で表現する場合には、その識別記号
の上下位置を認識する必要が生じるかもしれない。この
ためには、特定位置(例えば4行2列、5行2列、5行
3列及び5行4列)を常にスポット有と決めておき、こ
の部分をその識別記号の上下位置認識用マークとして利
用すれば非常に好都合である。
【0039】なお、以上説明した実施形態では、ウエハ
毎に異なる識別記号のみをレーザ加工によって形成して
いるが、ウエハ内における薄膜磁気ヘッドの位置を表わ
す識別記号や例えば仕様等を表わすその他の記号につい
ても同様にレーザ加工によって形成してもよいことは明
らかである。
毎に異なる識別記号のみをレーザ加工によって形成して
いるが、ウエハ内における薄膜磁気ヘッドの位置を表わ
す識別記号や例えば仕様等を表わすその他の記号につい
ても同様にレーザ加工によって形成してもよいことは明
らかである。
【0040】図2は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一実施形態におけるバンプカバー形成工程のフロ
ーチャートであり、図3はその工程におけるウエハ断面
図である。以下これらの図を用いて本発明による薄膜磁
気ヘッドの製造方法のこの実施形態について説明する。
方法の一実施形態におけるバンプカバー形成工程のフロ
ーチャートであり、図3はその工程におけるウエハ断面
図である。以下これらの図を用いて本発明による薄膜磁
気ヘッドの製造方法のこの実施形態について説明する。
【0041】ウエハの素子形成面上には公知の処理工程
により、図1に示すごとき電磁変換素子と、例えば銅に
よるバンプと、接続導体とが多数形成され、さらにその
上に保護膜が積層される。
により、図1に示すごとき電磁変換素子と、例えば銅に
よるバンプと、接続導体とが多数形成され、さらにその
上に保護膜が積層される。
【0042】その後に実行されるバンプカバー形成工程
では、まず、保護膜30を研削/研磨してバンプ31の
表面を露出させる(ステップS20)。
では、まず、保護膜30を研削/研磨してバンプ31の
表面を露出させる(ステップS20)。
【0043】次いで、バンプカバーを構成する金(又は
プラチナ)めっき用の下地膜として、チタン層32及び
金層33を、例えばスパッタリングにより成膜する(ス
テップS21)。チタン層32及び金層33の層厚は、
それぞれ、例えば50Å及び500Åである。チタン層
32は接着層として用いられており、チタンの代わりに
クロムやタンタルを用いて構成してもよい。
プラチナ)めっき用の下地膜として、チタン層32及び
金層33を、例えばスパッタリングにより成膜する(ス
テップS21)。チタン層32及び金層33の層厚は、
それぞれ、例えば50Å及び500Åである。チタン層
32は接着層として用いられており、チタンの代わりに
クロムやタンタルを用いて構成してもよい。
【0044】次いで、この下地膜上にネガレジスト層3
4をコーティングし(ステップS22)、バンプカバー
パターンの露光(ステップS23)及び現像(ステップ
S24)を行うことにより、図3の(A)に示すごとき
層構成が得られる。
4をコーティングし(ステップS22)、バンプカバー
パターンの露光(ステップS23)及び現像(ステップ
S24)を行うことにより、図3の(A)に示すごとき
層構成が得られる。
【0045】次に、バンプ31部分を除く領域の一部に
レーザビーム列35を照射して、レジスト層34及び下
地膜(32及び33)を加工し(ステップS25)、図
1に示す識別記号15のような、ウエハ毎に異なる識別
記号(例えばロットを識別する記号やロット内の基板位
置を識別する記号等)をBCDコード等の2値コードで
作成する。即ち、各レーザビーム35の照射によって、
図3の(B)に示すように、ネガレジスト層34に孔3
4aを形成すると共に下地膜(32及び33)の部分を
円形に変質させる。スポット径が10μmのYAGレー
ザビームでネガレジスト層34を加工した場合、このレ
ジスト層34には内径0〜8μmの孔34aがあき、チ
タン/金の下地膜(32及び33)は直径16μmの円
内がレーザ加工されて変質する。
レーザビーム列35を照射して、レジスト層34及び下
地膜(32及び33)を加工し(ステップS25)、図
1に示す識別記号15のような、ウエハ毎に異なる識別
記号(例えばロットを識別する記号やロット内の基板位
置を識別する記号等)をBCDコード等の2値コードで
作成する。即ち、各レーザビーム35の照射によって、
図3の(B)に示すように、ネガレジスト層34に孔3
4aを形成すると共に下地膜(32及び33)の部分を
円形に変質させる。スポット径が10μmのYAGレー
ザビームでネガレジスト層34を加工した場合、このレ
ジスト層34には内径0〜8μmの孔34aがあき、チ
タン/金の下地膜(32及び33)は直径16μmの円
内がレーザ加工されて変質する。
【0046】図4はこのレーザ加工工程で使用されるレ
ーザ加工装置の構成例を概略的に示す図であり、同図に
おいて、40は直径1.2mmのYAGレーザビーム、
41はそのビームのエキスパンダ、42はプログラマブ
ルのデータマスク、43は縮小レンズ、44は前後左右
に位置決め制御されるウエハをそれぞれ示している。こ
の図に示すような従来より存在するマスク縮小投影方式
のレーザ加工装置の他に、ガルバノミラー又はポリゴン
ミラーを用いたスキャン方式の一般的なレーザ加工装置
をも使用することができる。
ーザ加工装置の構成例を概略的に示す図であり、同図に
おいて、40は直径1.2mmのYAGレーザビーム、
41はそのビームのエキスパンダ、42はプログラマブ
ルのデータマスク、43は縮小レンズ、44は前後左右
に位置決め制御されるウエハをそれぞれ示している。こ
の図に示すような従来より存在するマスク縮小投影方式
のレーザ加工装置の他に、ガルバノミラー又はポリゴン
ミラーを用いたスキャン方式の一般的なレーザ加工装置
をも使用することができる。
【0047】次に、スライトアッシング(ステップS2
6)を行うことにより、金めっきを行うバンプカバーパ
ターン部分の表面が清浄され、また、レジスト孔34a
の径が1〜2μm増大すると共にその孔周辺の加工変質
層が除去される。その後、金めっきを行う(ステップS
27)。この金めっきによって、図3の(C)に示すよ
うに、金の電極被覆膜(バンプカバー膜)36が形成さ
れる。なお、レジスト層34がポジレジスト層である場
合は、アッシングの代わりにハードベークが行われるこ
とはいうまでもない。
6)を行うことにより、金めっきを行うバンプカバーパ
ターン部分の表面が清浄され、また、レジスト孔34a
の径が1〜2μm増大すると共にその孔周辺の加工変質
層が除去される。その後、金めっきを行う(ステップS
27)。この金めっきによって、図3の(C)に示すよ
うに、金の電極被覆膜(バンプカバー膜)36が形成さ
れる。なお、レジスト層34がポジレジスト層である場
合は、アッシングの代わりにハードベークが行われるこ
とはいうまでもない。
【0048】次いで、図3の(D)に示すようにレジス
ト層34の剥離が行われ(ステップS28)、その後、
ミリングによってチタン/金の下地膜(32及び33)
の除去が行われる(ステップS29)。これにより、図
3の(E)に示すように、下地膜のレーザ加工による変
質部の一部が残り、これが最終的に得られる識別記号3
7となる。このようにして製造されたウエハを所定寸法
に切断分離し、さらに所定の工程処理を施すことによっ
て薄膜磁気ヘッドが得られる。
ト層34の剥離が行われ(ステップS28)、その後、
ミリングによってチタン/金の下地膜(32及び33)
の除去が行われる(ステップS29)。これにより、図
3の(E)に示すように、下地膜のレーザ加工による変
質部の一部が残り、これが最終的に得られる識別記号3
7となる。このようにして製造されたウエハを所定寸法
に切断分離し、さらに所定の工程処理を施すことによっ
て薄膜磁気ヘッドが得られる。
【0049】図5はレーザビーム条件及びレジスト層の
条件を変えた場合のレーザ加工部の様子(A1)〜(A
5)及び最終的に得られる識別記号の形態(B1)〜
(B2)をそれぞれ示している。(A1)及び(B1)
はHe−Cdレーザ又はエキシマレーザのようなガスレ
ーザにより紫外域のレーザビームで加工(露光)を行っ
た場合、(A2)及び(B2)はネガレジスト層を用い
ると共にYAGレーザを比較的小出力で使用して加工を
行った場合、(A3)及び(B3)はネガレジスト層を
用いると共にYAGレーザを中出力で使用して加工を行
った場合、(A4)及び(B4)はネガレジスト層を用
いると共にYAGレーザを比較的大出力で使用して加工
を行った場合、(A5)及び(B5)はポジレジスト層
とYAGレーザとを用いて加工を行った場合、のレーザ
加工部の様子及び識別記号の形態をそれぞれ示してい
る。
条件を変えた場合のレーザ加工部の様子(A1)〜(A
5)及び最終的に得られる識別記号の形態(B1)〜
(B2)をそれぞれ示している。(A1)及び(B1)
はHe−Cdレーザ又はエキシマレーザのようなガスレ
ーザにより紫外域のレーザビームで加工(露光)を行っ
た場合、(A2)及び(B2)はネガレジスト層を用い
ると共にYAGレーザを比較的小出力で使用して加工を
行った場合、(A3)及び(B3)はネガレジスト層を
用いると共にYAGレーザを中出力で使用して加工を行
った場合、(A4)及び(B4)はネガレジスト層を用
いると共にYAGレーザを比較的大出力で使用して加工
を行った場合、(A5)及び(B5)はポジレジスト層
とYAGレーザとを用いて加工を行った場合、のレーザ
加工部の様子及び識別記号の形態をそれぞれ示してい
る。
【0050】このように、レーザ加工によりレジスト層
34に形成される孔34aの形状の差によって形態の異
なる識別記号が最終的に形成される。識別記号として、
(B1)ではほとんどが円筒状の金めっき層で形成さ
れ、(B2)及び(B3)ではリング状の変質した下地
膜で形成され、(B4)及び(B5)ではリング状の変
質した下地膜とリング状の金めっき層とから形成されて
いる。しかしながら、この図5に示したいずれの場合
も、外部から容易に識別可能な記号となっている。ただ
し、比較的高価であり維持管理も困難である上述の紫外
域ガスレーザよりも、YAGレーザのごとき固体レーザ
の方がより簡便に使用することができる点に注目すべき
である。
34に形成される孔34aの形状の差によって形態の異
なる識別記号が最終的に形成される。識別記号として、
(B1)ではほとんどが円筒状の金めっき層で形成さ
れ、(B2)及び(B3)ではリング状の変質した下地
膜で形成され、(B4)及び(B5)ではリング状の変
質した下地膜とリング状の金めっき層とから形成されて
いる。しかしながら、この図5に示したいずれの場合
も、外部から容易に識別可能な記号となっている。ただ
し、比較的高価であり維持管理も困難である上述の紫外
域ガスレーザよりも、YAGレーザのごとき固体レーザ
の方がより簡便に使用することができる点に注目すべき
である。
【0051】以上述べた実施形態によれば、金めっき用
のレジスト層34上からレーザ加工を行っているので、
レーザ加工においては必然的に生じるドロス(被加工体
の溶融物)がこのレジスト層34によって吸収されその
飛散を抑制することができる。しかも、そのドロスをレ
ジスト層34と共に除去できるので素子汚染を効果的に
防止できる。さらに、レジスト層34は、レーザビーム
による熱吸収にも寄与している。また、チタン/金の下
地膜(32及び33)がレーザビームの反射吸収及びレ
ーザの散乱さらには熱吸収を行う層となるので、保護膜
(一般にはレーザを透過する材質で形成される)30内
をレーザビームが通過してその下に形成されている素
子、導体等に金属溶融や界面剥離が生じて破壊されてし
まう恐れがなくなる。
のレジスト層34上からレーザ加工を行っているので、
レーザ加工においては必然的に生じるドロス(被加工体
の溶融物)がこのレジスト層34によって吸収されその
飛散を抑制することができる。しかも、そのドロスをレ
ジスト層34と共に除去できるので素子汚染を効果的に
防止できる。さらに、レジスト層34は、レーザビーム
による熱吸収にも寄与している。また、チタン/金の下
地膜(32及び33)がレーザビームの反射吸収及びレ
ーザの散乱さらには熱吸収を行う層となるので、保護膜
(一般にはレーザを透過する材質で形成される)30内
をレーザビームが通過してその下に形成されている素
子、導体等に金属溶融や界面剥離が生じて破壊されてし
まう恐れがなくなる。
【0052】また、本実施形態によれば、識別記号はバ
ンプ31を除くいずれの領域であっても形成することが
できる。即ち、電磁変換素子及び接続導体上であって
も、識別記号を形成することができる。従って、薄膜磁
気ヘッドをより小型化した場合にも充分な量の識別記号
を表記可能である。なお、バンプ31には入出力線が接
続されるためできるだけ識別記号を作成しない方が好ま
しいが、入出力線接続部を除いた部分であればバンプ3
1領域に設けることが可能である。
ンプ31を除くいずれの領域であっても形成することが
できる。即ち、電磁変換素子及び接続導体上であって
も、識別記号を形成することができる。従って、薄膜磁
気ヘッドをより小型化した場合にも充分な量の識別記号
を表記可能である。なお、バンプ31には入出力線が接
続されるためできるだけ識別記号を作成しない方が好ま
しいが、入出力線接続部を除いた部分であればバンプ3
1領域に設けることが可能である。
【0053】さらに、本実施形態によれば、ウエハの電
磁変換素子の形成面側に識別記号が設けられるため、薄
膜磁気ヘッドの小型化に伴ってスライダの空気流入端側
を切除した場合にも識別記号を保持することができる。
このため、加工工程以降の全製造工程において、薄膜磁
気ヘッドの管理が可能となる。しかも、レーザ加工で識
別記号を形成しているので、フォトマスクが不要であり
任意の識別記号を形成することができる。例えば、基板
単位毎に互いに異なる識別記号、例えばロットを識別す
る記号やロット内の基板位置を識別する記号をフォトマ
スクの数を増大させることなく作成可能である。また、
レーザ加工による記号の位置精度に冗長度が生じるた
め、高価なレーザ装置が不要となる。
磁変換素子の形成面側に識別記号が設けられるため、薄
膜磁気ヘッドの小型化に伴ってスライダの空気流入端側
を切除した場合にも識別記号を保持することができる。
このため、加工工程以降の全製造工程において、薄膜磁
気ヘッドの管理が可能となる。しかも、レーザ加工で識
別記号を形成しているので、フォトマスクが不要であり
任意の識別記号を形成することができる。例えば、基板
単位毎に互いに異なる識別記号、例えばロットを識別す
る記号やロット内の基板位置を識別する記号をフォトマ
スクの数を増大させることなく作成可能である。また、
レーザ加工による記号の位置精度に冗長度が生じるた
め、高価なレーザ装置が不要となる。
【0054】さらにまた、本実施形態によれば、従来よ
り使用されている工程を大幅に変更することなく識別記
号を形成することができる。特に、識別記号が保護膜上
に形成されることは、薄膜磁気ヘッドの製造工程の中で
最も難しい工程の1つである保護膜形成工程の条件変更
を回避できるので、この意味からも識別記号の形成が非
常に容易となる。
り使用されている工程を大幅に変更することなく識別記
号を形成することができる。特に、識別記号が保護膜上
に形成されることは、薄膜磁気ヘッドの製造工程の中で
最も難しい工程の1つである保護膜形成工程の条件変更
を回避できるので、この意味からも識別記号の形成が非
常に容易となる。
【0055】識別記号は、BCDコード以外の2値コー
ドで表記してもよいし、通常の場合と同様に英数字で表
記してもよい。識別記号を英数字ではなく2値コードと
すれば、より狭い領域に多くの識別情報を記載すること
ができる。しかも、レーザ加工によって識別記号を形成
する場合に、スポットの有無で表現できるため、加工工
程が非常に容易となる。
ドで表記してもよいし、通常の場合と同様に英数字で表
記してもよい。識別記号を英数字ではなく2値コードと
すれば、より狭い領域に多くの識別情報を記載すること
ができる。しかも、レーザ加工によって識別記号を形成
する場合に、スポットの有無で表現できるため、加工工
程が非常に容易となる。
【0056】なお、以上説明した実施形態では、ウエハ
毎に異なる識別記号のみをレーザ加工によって形成して
いるが、ウエハ内における薄膜磁気ヘッドの位置を表わ
す識別記号や例えば仕様等を表わすその他の記号につい
ても同様にレーザ加工によって形成してもよいことは明
らかである。
毎に異なる識別記号のみをレーザ加工によって形成して
いるが、ウエハ内における薄膜磁気ヘッドの位置を表わ
す識別記号や例えば仕様等を表わすその他の記号につい
ても同様にレーザ加工によって形成してもよいことは明
らかである。
【0057】図6は、図2の工程の一部を変えた変更態
様におけるウエハ断面図である。この変更態様は、図2
のステップS28と全く同じであるレジスト層64の剥
離工程の後に、図6の(D)に示すように、識別記号6
7の形成領域にミリングカバー68をパターニングする
ことにより、識別記号67のミリングによる損傷を防ぐ
ものである。本変更態様のその他の構成及び作用効果は
図2の実施形態の場合と同様であるため、説明は省略す
る。ただし、図6において、60は保護膜、61はバン
プ、62及び63は金めっき用の下地膜であるチタン層
及び金層、64はネガレジスト層、64aはレーザビー
ムによってレジスト層64に形成された孔、65はレー
ザビーム、66は金バンプカバー膜である。
様におけるウエハ断面図である。この変更態様は、図2
のステップS28と全く同じであるレジスト層64の剥
離工程の後に、図6の(D)に示すように、識別記号6
7の形成領域にミリングカバー68をパターニングする
ことにより、識別記号67のミリングによる損傷を防ぐ
ものである。本変更態様のその他の構成及び作用効果は
図2の実施形態の場合と同様であるため、説明は省略す
る。ただし、図6において、60は保護膜、61はバン
プ、62及び63は金めっき用の下地膜であるチタン層
及び金層、64はネガレジスト層、64aはレーザビー
ムによってレジスト層64に形成された孔、65はレー
ザビーム、66は金バンプカバー膜である。
【0058】図7は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法の他の実施形態におけるバンプカバー形成工程のフ
ローチャートであり、図8はその工程におけるウエハ断
面図である。この実施形態は、レーザ加工工程を金めっ
き工程の後に実行するようにしたものである。以下これ
らの図を用いて本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法
のこの実施形態について説明する。
方法の他の実施形態におけるバンプカバー形成工程のフ
ローチャートであり、図8はその工程におけるウエハ断
面図である。この実施形態は、レーザ加工工程を金めっ
き工程の後に実行するようにしたものである。以下これ
らの図を用いて本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法
のこの実施形態について説明する。
【0059】図7におけるステップS70〜S74の工
程は、図2のステップS20〜S24の工程と全く同じ
であるため説明は省略する。ただし、図8において、8
0は保護膜、81はバンプ、82及び83は金めっき用
の下地膜であるチタン層及び金層、84はネガレジスト
層である。
程は、図2のステップS20〜S24の工程と全く同じ
であるため説明は省略する。ただし、図8において、8
0は保護膜、81はバンプ、82及び83は金めっき用
の下地膜であるチタン層及び金層、84はネガレジスト
層である。
【0060】ステップS74のバンプカバーパターンの
現像により図8の(A)に示すごとき層構成を得た後、
スライトアッシング(ステップS75)によって金めっ
きを行うバンプカバーパターン部分の表面を清浄する。
次いで、金めっきを行って(ステップS76)、図8の
(B)に示すごとき、金の電極被覆膜(バンプカバー
膜)86を形成する。
現像により図8の(A)に示すごとき層構成を得た後、
スライトアッシング(ステップS75)によって金めっ
きを行うバンプカバーパターン部分の表面を清浄する。
次いで、金めっきを行って(ステップS76)、図8の
(B)に示すごとき、金の電極被覆膜(バンプカバー
膜)86を形成する。
【0061】次に、バンプカバー膜86部分を除く領域
の一部にレーザビーム列85を照射して、レジスト層8
4及び下地膜(82及び83)を加工し(ステップS7
7)、図1に示す識別記号15のような、ウエハ毎に異
なる識別記号(例えばロットを識別する記号やロット内
の基板位置を識別する記号等)をBCDコード等の2値
コードで作成する。即ち、各レーザビーム85の照射に
よって、図8の(C)に示すように、ネガレジスト層8
4に孔84aを形成すると共に下地膜(82及び83)
の部分を円形に変質させる。
の一部にレーザビーム列85を照射して、レジスト層8
4及び下地膜(82及び83)を加工し(ステップS7
7)、図1に示す識別記号15のような、ウエハ毎に異
なる識別記号(例えばロットを識別する記号やロット内
の基板位置を識別する記号等)をBCDコード等の2値
コードで作成する。即ち、各レーザビーム85の照射に
よって、図8の(C)に示すように、ネガレジスト層8
4に孔84aを形成すると共に下地膜(82及び83)
の部分を円形に変質させる。
【0062】図7における以降のステップS78及びS
79の工程も、図2のステップS28及びS29の工程
と全く同じであるため説明は省略する。
79の工程も、図2のステップS28及びS29の工程
と全く同じであるため説明は省略する。
【0063】本実施形態においては、バンプ81の部分
にバンプカバー膜86を金めっきしてからレーザ加工を
行っているため、金めっきを行うこのバンプカバー膜8
6のパターン部分にレーザ加工によるドロスが付着する
ことを抑制できる。また、レーザ加工によるネガレジス
ト層84の孔84a内に金めっきが行われることがない
ので、最終的に得られる識別記号87は、図5の(B
2)又は(B3)に示すような形態となる。本実施形態
のその他の構成、変更態様及び作用効果は図2の実施形
態の場合と同様であるため、説明は省略する。
にバンプカバー膜86を金めっきしてからレーザ加工を
行っているため、金めっきを行うこのバンプカバー膜8
6のパターン部分にレーザ加工によるドロスが付着する
ことを抑制できる。また、レーザ加工によるネガレジス
ト層84の孔84a内に金めっきが行われることがない
ので、最終的に得られる識別記号87は、図5の(B
2)又は(B3)に示すような形態となる。本実施形態
のその他の構成、変更態様及び作用効果は図2の実施形
態の場合と同様であるため、説明は省略する。
【0064】図9は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法のさらに他の実施形態におけるバンプカバー形成工
程のフローチャートであり、図10はその工程における
ウエハ断面図である。この実施形態は、レーザ加工工程
をレジスト剥離工程の後に実行するようにしたものであ
る。以下これらの図を用いて本発明による薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法のこの実施形態について説明する。
方法のさらに他の実施形態におけるバンプカバー形成工
程のフローチャートであり、図10はその工程における
ウエハ断面図である。この実施形態は、レーザ加工工程
をレジスト剥離工程の後に実行するようにしたものであ
る。以下これらの図を用いて本発明による薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法のこの実施形態について説明する。
【0065】図9におけるステップS90〜S94の工
程は、図2のステップS20〜S24の工程と全く同じ
であるため説明は省略する。ただし、図10において、
100は保護膜、101はバンプ、102及び103は
金めっき用の下地膜であるチタン層及び金層、104は
ネガレジスト層である。
程は、図2のステップS20〜S24の工程と全く同じ
であるため説明は省略する。ただし、図10において、
100は保護膜、101はバンプ、102及び103は
金めっき用の下地膜であるチタン層及び金層、104は
ネガレジスト層である。
【0066】ステップS94のバンプカバーパターンの
現像により図10の(A)に示すごとき層構成を得た
後、スライトアッシング(ステップS95)によって金
めっきを行うバンプカバーパターン部分の表面を清浄す
る。次いで、金めっきを行って(ステップS96)、図
10の(B)に示すごとき、金の電極被覆膜(バンプカ
バー膜)106を形成する。
現像により図10の(A)に示すごとき層構成を得た
後、スライトアッシング(ステップS95)によって金
めっきを行うバンプカバーパターン部分の表面を清浄す
る。次いで、金めっきを行って(ステップS96)、図
10の(B)に示すごとき、金の電極被覆膜(バンプカ
バー膜)106を形成する。
【0067】次いで、図10の(C)に示すようにレジ
スト層104の剥離が行われる(ステップS97)。そ
の後、バンプカバー膜106部分を除く領域の一部にレ
ーザビーム列105を照射して、下地膜(102及び1
03)を加工し(ステップS98)、図1に示す識別記
号15のような、ウエハ毎に異なる識別記号(例えばロ
ットを識別する記号やロット内の基板位置を識別する記
号等)をBCDコード等の2値コードで作成する。即
ち、各レーザビーム105の照射によって、図10の
(D)に示すように、下地膜(102及び103)の部
分を円形に変質させる。
スト層104の剥離が行われる(ステップS97)。そ
の後、バンプカバー膜106部分を除く領域の一部にレ
ーザビーム列105を照射して、下地膜(102及び1
03)を加工し(ステップS98)、図1に示す識別記
号15のような、ウエハ毎に異なる識別記号(例えばロ
ットを識別する記号やロット内の基板位置を識別する記
号等)をBCDコード等の2値コードで作成する。即
ち、各レーザビーム105の照射によって、図10の
(D)に示すように、下地膜(102及び103)の部
分を円形に変質させる。
【0068】その後、ミリングによってチタン/金の下
地膜(102及び103)の除去が行われる(ステップ
S99)。これにより、図10の(E)に示すように、
下地膜のレーザ加工による変質部の一部が残り、これが
ドロスと協働して最終的に得られる識別記号107とな
る。このミリング処理によって記号部の高さが低減され
ると共にレーザ加工における低付着力の飛散物が除去さ
れる。
地膜(102及び103)の除去が行われる(ステップ
S99)。これにより、図10の(E)に示すように、
下地膜のレーザ加工による変質部の一部が残り、これが
ドロスと協働して最終的に得られる識別記号107とな
る。このミリング処理によって記号部の高さが低減され
ると共にレーザ加工における低付着力の飛散物が除去さ
れる。
【0069】本実施形態においては、バンプ101の部
分にバンプカバー膜106を金めっきしてからレーザ加
工を行っているため、金めっきを行うこのバンプカバー
膜106のパターン部分にレーザ加工によるドロスが付
着することを抑制できる。また、レーザ加工が下地膜に
直接的に行われ、その後に金めっきは行われないので、
最終的に得られる識別記号107は、図5の(B2)又
は(B3)に示すような形態となる。ただし、本実施例
では、レーザ加工がレジスト膜のないところで行われる
ため、このレジスト膜によるドロスの飛散抑制及びレー
ザビームの熱吸収という効果は得られないこととなる。
本実施形態のその他の構成、変更態様及び作用効果は図
2の実施形態の場合と同様であるため、説明は省略す
る。
分にバンプカバー膜106を金めっきしてからレーザ加
工を行っているため、金めっきを行うこのバンプカバー
膜106のパターン部分にレーザ加工によるドロスが付
着することを抑制できる。また、レーザ加工が下地膜に
直接的に行われ、その後に金めっきは行われないので、
最終的に得られる識別記号107は、図5の(B2)又
は(B3)に示すような形態となる。ただし、本実施例
では、レーザ加工がレジスト膜のないところで行われる
ため、このレジスト膜によるドロスの飛散抑制及びレー
ザビームの熱吸収という効果は得られないこととなる。
本実施形態のその他の構成、変更態様及び作用効果は図
2の実施形態の場合と同様であるため、説明は省略す
る。
【0070】図11は本発明による薄膜磁気ヘッドの製
造方法のまたさらに他の実施形態におけるバンプカバー
形成工程のフローチャートであり、図12はその工程に
おけるウエハ断面図である。この実施形態は、レーザ加
工工程をレジストコーティング工程の前に実行するよう
にしたものである。以下これらの図を用いて本発明によ
る薄膜磁気ヘッドの製造方法のこの実施形態について説
明する。
造方法のまたさらに他の実施形態におけるバンプカバー
形成工程のフローチャートであり、図12はその工程に
おけるウエハ断面図である。この実施形態は、レーザ加
工工程をレジストコーティング工程の前に実行するよう
にしたものである。以下これらの図を用いて本発明によ
る薄膜磁気ヘッドの製造方法のこの実施形態について説
明する。
【0071】図11におけるステップS110及びS1
11の工程は、図2のステップS20及びS21の工程
と全く同じであるため説明は省略する。
11の工程は、図2のステップS20及びS21の工程
と全く同じであるため説明は省略する。
【0072】ステップS111における下地膜、即ちチ
タン層122及び金層123の例えばスパッタリングに
よる成膜の後、バンプ121部分を除く領域の一部にレ
ーザビーム列125を照射して、この下地膜(122及
び123)を加工する(ステップS112)。これによ
り、図1に示す識別記号15のような、ウエハ毎に異な
る識別記号(例えばロットを識別する記号やロット内の
基板位置を識別する記号等)がBCDコード等の2値コ
ードで作成される。即ち、各レーザビーム125の照射
によって、図12の(A)に示すように、下地膜(12
2及び123)の部分を円形に変質させる。
タン層122及び金層123の例えばスパッタリングに
よる成膜の後、バンプ121部分を除く領域の一部にレ
ーザビーム列125を照射して、この下地膜(122及
び123)を加工する(ステップS112)。これによ
り、図1に示す識別記号15のような、ウエハ毎に異な
る識別記号(例えばロットを識別する記号やロット内の
基板位置を識別する記号等)がBCDコード等の2値コ
ードで作成される。即ち、各レーザビーム125の照射
によって、図12の(A)に示すように、下地膜(12
2及び123)の部分を円形に変質させる。
【0073】図11における以降のステップS113〜
S119の工程は、図2のステップS25のレーザ加工
工程を除くステップS22〜S29の工程と全く同じで
あるため説明は省略する。ただし、図12において、1
20は保護膜、121はバンプ、124はネガレジスト
層、126は金バンプカバー膜である。
S119の工程は、図2のステップS25のレーザ加工
工程を除くステップS22〜S29の工程と全く同じで
あるため説明は省略する。ただし、図12において、1
20は保護膜、121はバンプ、124はネガレジスト
層、126は金バンプカバー膜である。
【0074】ステップS119のミリングによって下地
膜(122及び123)の除去が行われるが、この際、
図12の(E)に示すように、下地膜のレーザ加工によ
る変質部の一部が残り、これが最終的に得られる識別記
号127となる。このミリング処理によってレーザ加工
における低付着力の飛散物が除去される。
膜(122及び123)の除去が行われるが、この際、
図12の(E)に示すように、下地膜のレーザ加工によ
る変質部の一部が残り、これが最終的に得られる識別記
号127となる。このミリング処理によってレーザ加工
における低付着力の飛散物が除去される。
【0075】本実施形態においては、レーザ加工が下地
膜に直接的に行われ、その後に金めっき用のパターニン
グが行われるので、最終的に得られる識別記号127
は、図5の(B2)又は(B3)に示すような形態とな
る。ただし、本実施例では、レーザ加工がレジスト膜の
ないところで行われるため、このレジスト膜によるドロ
スの飛散抑制及びレーザビームの熱吸収という効果は得
られないこととなる。本実施形態のその他の構成、変更
態様及び作用効果は図2の実施形態の場合と同様である
ため、説明は省略する。
膜に直接的に行われ、その後に金めっき用のパターニン
グが行われるので、最終的に得られる識別記号127
は、図5の(B2)又は(B3)に示すような形態とな
る。ただし、本実施例では、レーザ加工がレジスト膜の
ないところで行われるため、このレジスト膜によるドロ
スの飛散抑制及びレーザビームの熱吸収という効果は得
られないこととなる。本実施形態のその他の構成、変更
態様及び作用効果は図2の実施形態の場合と同様である
ため、説明は省略する。
【0076】図13は本発明による薄膜磁気ヘッドの製
造方法のさらに他の実施形態におけるバンプカバー形成
工程のフローチャートであり、図14はその工程におけ
るウエハ断面図である。この実施形態は、バンプカバー
膜を金めっきではなく、スパッタリングで形成するよう
にしたものである。以下これらの図を用いて本発明によ
る薄膜磁気ヘッドの製造方法のこの実施形態について説
明する。
造方法のさらに他の実施形態におけるバンプカバー形成
工程のフローチャートであり、図14はその工程におけ
るウエハ断面図である。この実施形態は、バンプカバー
膜を金めっきではなく、スパッタリングで形成するよう
にしたものである。以下これらの図を用いて本発明によ
る薄膜磁気ヘッドの製造方法のこの実施形態について説
明する。
【0077】ウエハの素子形成面上には公知の処理工程
により、図1に示すごとき電磁変換素子と、例えば銅に
よるバンプと、接続導体とが多数形成され、さらにその
上に保護膜が積層される。
により、図1に示すごとき電磁変換素子と、例えば銅に
よるバンプと、接続導体とが多数形成され、さらにその
上に保護膜が積層される。
【0078】その後に実行されるバンプカバー形成工程
では、まず、保護膜140を研削/研磨してバンプ14
1の表面を露出させる(ステップS130)。
では、まず、保護膜140を研削/研磨してバンプ14
1の表面を露出させる(ステップS130)。
【0079】次いで、バンプカバー膜を構成するチタン
層142及び金層143を、例えばスパッタリングによ
り成膜する(ステップS131)。チタン層142及び
金層143の層厚は、それぞれ、例えば50Å及び1μ
mである。チタン層142は接着層として用いられてお
り、チタンの代わりにクロムやタンタルを用いてもよ
い。
層142及び金層143を、例えばスパッタリングによ
り成膜する(ステップS131)。チタン層142及び
金層143の層厚は、それぞれ、例えば50Å及び1μ
mである。チタン層142は接着層として用いられてお
り、チタンの代わりにクロムやタンタルを用いてもよ
い。
【0080】次いで、このバンプカバー膜上にネガレジ
スト層144をコーティングし(ステップS132)、
バンプカバーパターン及び識別記号作成領域のパターン
の露光(ステップS133)と現像(ステップS13
4)とを行うことにより、図14の(B)に示す層構成
が得られる。
スト層144をコーティングし(ステップS132)、
バンプカバーパターン及び識別記号作成領域のパターン
の露光(ステップS133)と現像(ステップS13
4)とを行うことにより、図14の(B)に示す層構成
が得られる。
【0081】次に、識別記号作成領域にレーザビーム1
45を照射して、レジスト層144を加工し(ステップ
S135)、図1に示す識別記号15のような、ウエハ
毎に異なる識別記号(例えばロットを識別する記号やロ
ット内の基板位置を識別する記号等)をBCDコード等
の2値コードで作成する。即ち、レーザビーム145の
照射によって、図14の(C)に示すように、ネガレジ
スト層144に描画を行い、識別記号として表わす部分
のみのネガレジスト層144がスポット的に残るように
加工する。この場合、バンプカバー膜(142及び14
3)は、レーザの波長程度の膜厚を有することから、こ
のレーザビームの反射膜となる。
45を照射して、レジスト層144を加工し(ステップ
S135)、図1に示す識別記号15のような、ウエハ
毎に異なる識別記号(例えばロットを識別する記号やロ
ット内の基板位置を識別する記号等)をBCDコード等
の2値コードで作成する。即ち、レーザビーム145の
照射によって、図14の(C)に示すように、ネガレジ
スト層144に描画を行い、識別記号として表わす部分
のみのネガレジスト層144がスポット的に残るように
加工する。この場合、バンプカバー膜(142及び14
3)は、レーザの波長程度の膜厚を有することから、こ
のレーザビームの反射膜となる。
【0082】次に、ミリング(ステップS136)を行
うことにより、ネガレジスト層144が存在しない部分
のバンプカバー膜(142及び143)が除去される。
これにより、図14の(D)に示すように、バンプ14
1上に金バンプカバー膜が形成されると共に金バンプカ
バー膜による識別記号が形成される。次のステップS1
37では、残ったレジスト層144が除去され、最終的
に図14の(E)に示すようなパターンの金バンプカバ
ー膜(142及び143)及び識別記号147が形成さ
れる。
うことにより、ネガレジスト層144が存在しない部分
のバンプカバー膜(142及び143)が除去される。
これにより、図14の(D)に示すように、バンプ14
1上に金バンプカバー膜が形成されると共に金バンプカ
バー膜による識別記号が形成される。次のステップS1
37では、残ったレジスト層144が除去され、最終的
に図14の(E)に示すようなパターンの金バンプカバ
ー膜(142及び143)及び識別記号147が形成さ
れる。
【0083】本実施形態においては、バンプカバー膜を
成膜してからレーザ加工を行っているため、このバンプ
カバー膜がレーザビームの反射吸収及びレーザの散乱さ
らには熱吸収を行う層となり、保護膜(一般にはレーザ
を透過する材質で形成される)140内をレーザビーム
が通過してその下に形成されている素子、導体等に金属
溶融や界面剥離が生じて破壊されてしまう恐れがなくな
る。なお、最終的に得られる識別記号147は、図5の
(B1)に示すような形態となる。本実施形態のその他
の構成、変更態様及び作用効果は図2の実施形態の場合
と同様であるため、説明は省略する。
成膜してからレーザ加工を行っているため、このバンプ
カバー膜がレーザビームの反射吸収及びレーザの散乱さ
らには熱吸収を行う層となり、保護膜(一般にはレーザ
を透過する材質で形成される)140内をレーザビーム
が通過してその下に形成されている素子、導体等に金属
溶融や界面剥離が生じて破壊されてしまう恐れがなくな
る。なお、最終的に得られる識別記号147は、図5の
(B1)に示すような形態となる。本実施形態のその他
の構成、変更態様及び作用効果は図2の実施形態の場合
と同様であるため、説明は省略する。
【0084】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【0085】
【0086】
【0087】
【0088】
【0089】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明の薄膜
磁気ヘッドの製造方法によれば、基板上に複数の電磁変
換素子及び該電磁変換素子用の入出力電極を形成する工
程と、電磁変換素子及び入出力電極を形成した基板上に
保護膜を形成する工程と、入出力電極及び保護膜上に電
極被覆膜を形成する工程と、保護膜上の電極被覆膜に、
当該薄膜磁気ヘッドの識別記号をレーザを使用して形成
する工程とを備えている。入出力電極の金等の電極被覆
膜を形成する工程においては、保護膜上にもこの電極被
覆膜が形成される。その後にレーザを照射して加工を行
うようにすれば、この電極被覆膜がレーザの反射吸収及
びレーザの散乱さらには熱吸収を行う層となり、保護膜
(一般にはレーザを透過する材質で形成される)内をレ
ーザビームが通過してその下に形成されている素子、導
体等に金属溶融や界面剥離が生じて破壊されてしまう恐
れがなくなる。その結果、本発明の製造方法によれば、
従来より使用されている工程を大幅に変更することな
く、現製造工程設備で対応することができる。このよう
に、薄膜磁気ヘッドの識別記号を電磁変換素子の保護膜
上の電極被覆膜に形成しているため、前述したように、
保護膜及び電極被覆膜が存在する部分であればスライダ
の電磁変換素子の形成面のいずれの領域であっても識別
記号を形成することができる。即ち、電磁変換素子及び
この電磁変換素子と入出力電極とを接続する導体パター
ン上であっても、識別記号を形成することができる。従
って、薄膜磁気ヘッドをより小型化した場合にも充分な
量の識別記号を表記することができる。
磁気ヘッドの製造方法によれば、基板上に複数の電磁変
換素子及び該電磁変換素子用の入出力電極を形成する工
程と、電磁変換素子及び入出力電極を形成した基板上に
保護膜を形成する工程と、入出力電極及び保護膜上に電
極被覆膜を形成する工程と、保護膜上の電極被覆膜に、
当該薄膜磁気ヘッドの識別記号をレーザを使用して形成
する工程とを備えている。入出力電極の金等の電極被覆
膜を形成する工程においては、保護膜上にもこの電極被
覆膜が形成される。その後にレーザを照射して加工を行
うようにすれば、この電極被覆膜がレーザの反射吸収及
びレーザの散乱さらには熱吸収を行う層となり、保護膜
(一般にはレーザを透過する材質で形成される)内をレ
ーザビームが通過してその下に形成されている素子、導
体等に金属溶融や界面剥離が生じて破壊されてしまう恐
れがなくなる。その結果、本発明の製造方法によれば、
従来より使用されている工程を大幅に変更することな
く、現製造工程設備で対応することができる。このよう
に、薄膜磁気ヘッドの識別記号を電磁変換素子の保護膜
上の電極被覆膜に形成しているため、前述したように、
保護膜及び電極被覆膜が存在する部分であればスライダ
の電磁変換素子の形成面のいずれの領域であっても識別
記号を形成することができる。即ち、電磁変換素子及び
この電磁変換素子と入出力電極とを接続する導体パター
ン上であっても、識別記号を形成することができる。従
って、薄膜磁気ヘッドをより小型化した場合にも充分な
量の識別記号を表記することができる。
【0090】また、基板の電磁変換素子の形成面側に識
別記号が設けられているため、薄膜磁気ヘッドの小型化
に伴ってスライダの空気流入端側を切除した場合にも識
別記号を保持することができる。このため、加工工程以
降の全製造工程において、薄膜磁気ヘッドの管理が可能
となる。
別記号が設けられているため、薄膜磁気ヘッドの小型化
に伴ってスライダの空気流入端側を切除した場合にも識
別記号を保持することができる。このため、加工工程以
降の全製造工程において、薄膜磁気ヘッドの管理が可能
となる。
【0091】しかも、レーザ加工で識別記号を形成して
いるので、フォトマスクが不要であり任意の識別記号を
形成することができる。さらに、レーザ加工による記号
の位置精度に関する冗長度が大きくなるため、高価なレ
ーザ装置が不要となる。
いるので、フォトマスクが不要であり任意の識別記号を
形成することができる。さらに、レーザ加工による記号
の位置精度に関する冗長度が大きくなるため、高価なレ
ーザ装置が不要となる。
【0092】従来技術のように、フォトリソグラフィ技
術を用いて識別記号を形成するためにはフォトマスクが
必要となる。従って、基板内の磁気ヘッド位置を識別す
るための記号については同一のマスクを使用可能である
が、ロットを識別する記号やロット内の基板位置を識別
する記号を形成するためには、ロット毎、基板毎に異な
るマスクを用いなければならない。このため、膨大な種
類のフォトマスクを用意しなければならない。しかしな
がら、本発明のように、識別記号をレーザを使用して形
成すれば、基板単位毎に互いに異なる識別記号、例えば
ロットを識別する記号やロット内の基板位置を識別する
記号をフォトマスクの数を増大させることなく作成可能
となる。
術を用いて識別記号を形成するためにはフォトマスクが
必要となる。従って、基板内の磁気ヘッド位置を識別す
るための記号については同一のマスクを使用可能である
が、ロットを識別する記号やロット内の基板位置を識別
する記号を形成するためには、ロット毎、基板毎に異な
るマスクを用いなければならない。このため、膨大な種
類のフォトマスクを用意しなければならない。しかしな
がら、本発明のように、識別記号をレーザを使用して形
成すれば、基板単位毎に互いに異なる識別記号、例えば
ロットを識別する記号やロット内の基板位置を識別する
記号をフォトマスクの数を増大させることなく作成可能
となる。
【0093】
【図1】本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施形態における
空気流出側端面の構成を概略的に示す平面図である。
空気流出側端面の構成を概略的に示す平面図である。
【図2】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実
施形態におけるバンプカバー形成工程のフローチャート
である。
施形態におけるバンプカバー形成工程のフローチャート
である。
【図3】図2の工程におけるウエハ断面図である。
【図4】レーザ加工工程で使用されるレーザ加工装置の
構成例を概略的に示す図である。
構成例を概略的に示す図である。
【図5】レーザビーム条件及びレジスト層の条件を変え
た場合のレーザ加工部の様子及び最終的に得られる識別
記号の形態をそれぞれ示す図である。
た場合のレーザ加工部の様子及び最終的に得られる識別
記号の形態をそれぞれ示す図である。
【図6】図2の工程の一部を変更した変更態様における
ウエハ断面図である。
ウエハ断面図である。
【図7】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の他の
実施形態におけるバンプカバー形成工程のフローチャー
トである。
実施形態におけるバンプカバー形成工程のフローチャー
トである。
【図8】図7の工程におけるウエハ断面図である。
【図9】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法のさら
に他の実施形態におけるバンプカバー形成工程のフロー
チャートである。
に他の実施形態におけるバンプカバー形成工程のフロー
チャートである。
【図10】図9の工程におけるウエハ断面図である。
【図11】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法のま
たさらに他の実施形態におけるバンプカバー形成工程の
フローチャートである。
たさらに他の実施形態におけるバンプカバー形成工程の
フローチャートである。
【図12】図11の工程におけるウエハ断面図である。
【図13】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法のさ
らに他の実施形態におけるバンプカバー形成工程のフロ
ーチャートである。
らに他の実施形態におけるバンプカバー形成工程のフロ
ーチャートである。
【図14】図13の工程におけるウエハ断面図である。
【図15】識別記号を薄膜磁気ヘッドに形成する公知技
術を説明するための図である。
術を説明するための図である。
【図16】識別記号を薄膜磁気ヘッドに形成する公知技
術を説明するための図である。
術を説明するための図である。
10 スライダ 10a 空気流出端側端面 11 電磁変換素子 12 入出力電極(バンプ) 13 接続導体 14、15 識別記号
Claims (11)
- 【請求項1】 基板上に複数の電磁変換素子及び該電磁
変換素子用の入出力電極を形成する工程と、該電磁変換
素子及び入出力電極を形成した基板上に保護膜を形成す
る工程と、前記入出力電極及び前記保護膜上に電極被覆
膜を形成する工程と、前記保護膜上の前記電極被覆膜
に、当該薄膜磁気ヘッドの識別記号をレーザを使用して
形成する工程とを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法。 - 【請求項2】 前記レーザを使用して形成する工程が、
前記基板単位毎に互いに異なる識別記号をレーザを使用
して形成する工程であることを特徴とする請求項1に記
載の製造方法。 - 【請求項3】 前記識別記号を形成する工程が前記電極
被覆膜を形成する工程内で実行されることを特徴とする
請求項1又は2に記載の製造方法。 - 【請求項4】 前記識別記号を形成する工程が該識別記
号を前記基板上の前記入出力電極部分を除く領域に形成
する工程であることを特徴とする請求項1から3のいず
れか1項に記載の製造方法。 - 【請求項5】 前記電極被覆膜の形成工程が、保護膜上
に金めっき用下地膜を形成する工程と、該下地膜上に金
めっきを行う工程とを含んでおり、前記識別記号を形成
する工程が、該下地膜にレーザ加工を行って前記識別記
号を形成する工程であることを特徴とする請求項1から
4のいずれか1項に記載の製造方法。 - 【請求項6】 前記識別記号を形成する工程が、金めっ
き用のレジスト層上からレーザ加工を行って前記識別記
号を形成する工程であることを特徴とする請求項5に記
載の製造方法。 - 【請求項7】 前記識別記号を形成する工程が、金めっ
き工程の後に行われることを特徴とする請求項6に記載
の製造方法。 - 【請求項8】 前記識別記号を形成する工程が、金めっ
き工程の前に行われることを特徴とする請求項6に記載
の製造方法。 - 【請求項9】 前記識別記号を形成する工程が、金めっ
き用のレジスト層の剥離後に行われることを特徴とする
請求項5に記載の製造方法。 - 【請求項10】 前記識別記号を形成する工程が、金め
っき用のレジスト層の形成前に行われることを特徴とす
る請求項5に記載の製造方法。 - 【請求項11】 前記電極被覆膜の形成工程が、保護膜
上に金被覆層をスパッタ形成する工程と、該金被覆層を
パターニングする工程とを含んでおり、前記識別記号を
形成する工程が、該金被覆層にレーザ加工を行って前記
識別記号を形成する工程であることを特徴とする請求項
1から4のいずれか1項に記載の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7215461A JP2950211B2 (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
US08/680,621 US5721651A (en) | 1995-08-02 | 1996-07-17 | Thin film magnetic head and manufacturing method of the same |
GB9615936A GB2303959B (en) | 1995-08-02 | 1996-07-30 | Magnetic head manufacture |
US08/862,440 US5837963A (en) | 1995-08-02 | 1997-05-23 | Method of manufacturing a thin film magnetic head with identification marks |
HK98102886A HK1003854A1 (en) | 1995-08-02 | 1998-04-07 | Magnetic head manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7215461A JP2950211B2 (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0950606A JPH0950606A (ja) | 1997-02-18 |
JP2950211B2 true JP2950211B2 (ja) | 1999-09-20 |
Family
ID=16672765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7215461A Expired - Fee Related JP2950211B2 (ja) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US5721651A (ja) |
JP (1) | JP2950211B2 (ja) |
GB (1) | GB2303959B (ja) |
HK (1) | HK1003854A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6125014A (en) * | 1998-06-26 | 2000-09-26 | Read-Rite Corporation | Via-less connection using interconnect traces between bond pads and a transducer coil of a magnetic head slider |
JP3345588B2 (ja) * | 1998-11-12 | 2002-11-18 | アルプス電気株式会社 | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
US6449123B1 (en) * | 1999-08-16 | 2002-09-10 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Methods for marking a sintered product and for fabricating magnetic head substrate |
JP2001118232A (ja) * | 1999-10-20 | 2001-04-27 | Tdk Corp | 記号読取方法および装置 |
JP2002075817A (ja) | 2000-08-24 | 2002-03-15 | Tdk Corp | ウエハ識別情報記入方法ならびにウエハ識別情報記入用露光方法および装置 |
US6924090B2 (en) * | 2001-08-09 | 2005-08-02 | Neomax Co., Ltd. | Method of recording identifier and set of photomasks |
JP2003076026A (ja) * | 2001-09-05 | 2003-03-14 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 識別情報記録方法およびフォトマスクセット |
JP4039036B2 (ja) * | 2001-11-06 | 2008-01-30 | 日立金属株式会社 | アライメントマーク作製方法 |
JP4055527B2 (ja) * | 2002-09-20 | 2008-03-05 | 日立金属株式会社 | 焼結体へのマーキング方法及び磁気ヘッド用基板の製造方法 |
JP3614418B2 (ja) | 2002-10-04 | 2005-01-26 | 株式会社Neomax | 薄膜磁気ヘッド用基板およびその製造方法 |
JP3978420B2 (ja) * | 2003-10-30 | 2007-09-19 | ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ | 磁気ヘッドスライダ及び磁気ヘッド支持機構の製造方法 |
JP2005285308A (ja) * | 2004-03-02 | 2005-10-13 | Tdk Corp | 薄膜処理方法及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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US7919231B2 (en) * | 2007-09-04 | 2011-04-05 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Photolithographic method and mask devices utilized for multiple exposures in the field of a feature |
US9036301B2 (en) * | 2011-08-31 | 2015-05-19 | Sae Magnetics (H.K.) Ltd. | Slider including laser protection layer, head gimbal assembly, and disk drive unit with the same |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55117726A (en) * | 1979-03-05 | 1980-09-10 | Hitachi Ltd | Manufacture of magnetic head |
JPS6220118A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
JPS6220117A (ja) * | 1985-07-18 | 1987-01-28 | Fujitsu Ltd | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
JPS6220116A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド |
JPH0210712A (ja) * | 1988-06-29 | 1990-01-16 | Nippon Chemicon Corp | 電子部品の表示方法 |
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JPH04102214A (ja) * | 1990-08-17 | 1992-04-03 | Yamaha Corp | 薄膜磁気ヘッドの製造法 |
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-
1995
- 1995-08-02 JP JP7215461A patent/JP2950211B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-07-17 US US08/680,621 patent/US5721651A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-07-30 GB GB9615936A patent/GB2303959B/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-05-23 US US08/862,440 patent/US5837963A/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-04-07 HK HK98102886A patent/HK1003854A1/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US5837963A (en) | 1998-11-17 |
US5721651A (en) | 1998-02-24 |
GB9615936D0 (en) | 1996-09-11 |
GB2303959B (en) | 1997-10-08 |
GB2303959A (en) | 1997-03-05 |
HK1003854A1 (en) | 1998-11-06 |
JPH0950606A (ja) | 1997-02-18 |
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|
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