JP2950211B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドの製造方法

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JP2950211B2 JP7215461A JP21546195A JP2950211B2 JP 2950211 B2 JP2950211 B2 JP 2950211B2 JP 7215461 A JP7215461 A JP 7215461A JP 21546195 A JP21546195 A JP 21546195A JP 2950211 B2 JP2950211 B2 JP 2950211B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、１つの基板上に複
数個が一括生成され、これらを切断分離加工して得られ
る薄膜磁気ヘッドの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、一般に、フォトリソ
グラフィ技術、薄膜形成技術、エッチング技術及び研磨
加工技術等を利用し、基板（ウエハ）上に複数の電磁変
換素子及びそれらの入出力電極を一括形成する工程と、
切断分離等により個々のヘッドを得る加工工程とを経て
最終的に完成する。
【０００３】薄膜磁気ヘッドの生産は、通常、複数枚の
基板毎にロットを構成してロット単位で上述の工程を実
施するか、又は基板単位で上述の工程を繰り返して実施
する。このため、各基板における磁気ヘッド間、各ロッ
ト内における基板間、又は各ロット間で寸法や性能上で
微妙な差が生じたり、各基板に不良磁気ヘッド、各ロッ
ト内に不良基板、又は複数ロット内に不良ロットが混在
してしまう恐れがある。
【０００４】従って、工程管理や不良発生防止のため
に、各磁気ヘッド毎に、ロットを識別する記号、ロット
内の基板位置を識別する記号、及び基板内の磁気ヘッド
位置を識別する記号を付しておくことが必要となる。ま
た、切断分離を行う場合の管理や不良品の除去を適切に
行うためにも各磁気ヘッド毎にこのような識別記号を付
すことが必要不可欠となっている。
【０００５】このような識別記号を薄膜磁気ヘッドに形
成する従来技術として、特開昭６２−２０１１６号公報
には、フォトリソグラフィ技術を用いて基板の素子形成
面の素子が形成されてない領域に識別記号を形成し、一
方、必要に応じてレーザ加工によって基板の裏面（磁気
ヘッドの空気流入側端面となる面）に識別記号を形成す
る技術が開示されている。
【０００６】図１５及び図１６はこの公知技術を示して
おり、１５０は薄膜磁気ヘッドのスライダ、１５１及び
１５２はスライダ１５０の空気流出側端面１５０ａに形
成された電磁変換素子及び入出力電極をそれぞれ表して
いる。この端面１５０ａの第１層目には、フォトリソグ
ラフィ技術により識別記号１５３が形成されており、ま
た、スライダ１５０の空気流入側端面１５０ｂにはレー
ザ加工によって識別記号１５４が形成されている。これ
ら識別記号１５３及び１５４は、いずれも基板内の磁気
ヘッド位置を示す記号である。
【０００７】識別記号を薄膜磁気ヘッドに形成する他の
従来技術として、特開平４−１０２２１４号公報には、
フォトリソグラフィ技術又はレーザ加工技術を用いて基
板の裏面（磁気ヘッドの空気流入側端面となる面）に識
別情報を形成する技術が開示されている。この場合の識
別情報は、基板内の磁気ヘッド位置を示す情報、並びに
基板自体を識別する情報及び仕様を示す情報である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したごとき従来技
術は、次のような問題点を有している。
【０００９】（１）基板の空気流出側端面の第１層目に
フォトリソグラフィ技術により識別記号を形成する技術
では、識別記号がその面に形成される電磁変換素子及び
入出力電極部分を除いた領域にしか作成できないので、
多くの識別情報を表記することができない。特に最近の
高密度対応の薄膜磁気ヘッドは、大幅な小型化が図られ
ていることから空気流出側端面の素子の非形成部面積が
著しく小さく、その結果、表記できる識別情報は非常に
わずかなものとなってしまう。
【００１０】（２）基板の裏面に識別情報を形成する技
術は、その後の工程において空気流入端側の一部が切断
除去される場合には使用できない。即ち、スライダの小
型化に伴ってその浮上面（ＡＢＳ面）の長さを短縮化す
る場合は、基板の厚みを減少させることが一般的である
が、基板厚の減少による反り量の増加を防止する目的で
ＡＢＳ面の長さより厚い基板を用い、素子形成後の加工
工程で空気流入端側の一部を切断除去して研磨し所望の
ＡＢＳ面長さとすることも行われる（本出願人による特
願平７−６６７１４号参照）。このような場合、空気流
入側端面に形成された識別情報は、その切断除去工程で
失われてしまう。
【００１１】従って本発明の目的は、従来技術の上述の
問題点を解消するものであり、より小型化した場合にも
充分な量の識別記号を形成できる薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は、小型化に伴ってスラ
イダの空気流入端側を切除した場合にも識別記号を保持
できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにあ
る。
【００１３】本発明のさらに他の目的は、従来より使用
されている工程を大幅に変更することなく識別記号を形
成できる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することにあ
る。
【００１４】
【００１５】
【００１６】
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、基板上
に複数の電磁変換素子及び該電磁変換素子用の入出力電
極を形成する工程と、電磁変換素子及び入出力電極を形
成した基板上に保護膜を形成する工程と、入出力電極及
び保護膜上に電極被覆膜を形成する工程と、保護膜上の
電極被覆膜に、当該薄膜磁気ヘッドの識別記号をレーザ
を使用して形成する工程とを備えた薄膜磁気ヘッドの製
造方法が提供される。
【００２１】薄膜磁気ヘッドの識別記号を電磁変換素子
の保護膜上の電極被覆膜に形成しているため、保護膜及
び電極被覆膜が存在する部分であればスライダの電磁変
換素子の形成面のいずれの領域であっても識別記号を形
成することができる。即ち、電磁変換素子及びこの電磁
変換素子と入出力電極とを接続する導体パターン上であ
っても、識別記号を形成することができる。従って、薄
膜磁気ヘッドをより小型化した場合にも充分な量の識別
記号を表記することができる。また、基板の電磁変換素
子の形成面側に識別記号が設けられているため、薄膜磁
気ヘッドの小型化に伴ってスライダの空気流入端側を切
除した場合にも識別記号を保持することができる。この
ため、加工工程以降の全製造工程において、薄膜磁気ヘ
ッドの管理が可能となる。しかも、レーザ加工で識別記
号を形成しているので、フォトマスクが不要であり任意
の識別記号を形成することができる。また、レーザ加工
による記号の位置精度に関する冗長度が大きくなるた
め、高価なレーザ装置が不要となる。
【００２２】レーザを使用して形成する工程が、基板単
位毎に互いに異なる識別記号をレーザを使用して形成す
る工程であることが非常に好ましい。
【００２３】従来技術のように、フォトリソグラフィ技
術を用いて識別記号を形成するためにはフォトマスクが
必要となる。従って、基板内の磁気ヘッド位置を識別す
るための記号については同一のマスクを使用可能である
が、ロットを識別する記号やロット内の基板位置を識別
する記号を形成するためには、ロット毎、基板毎に異な
るマスクを用いなければならない。このため、膨大な種
類のフォトマスクを用意しなければならない。しかしな
がら、本発明のように、識別記号をレーザを使用して形
成すれば、基板単位毎に互いに異なる識別記号、例えば
ロットを識別する記号やロット内の基板位置を識別する
記号をフォトマスクの数を増大させることなく作成可能
となる。
【００２４】識別記号を形成する工程が電極被覆膜を形
成する工程内で実行されることも非常に好ましい。入出
力電極の金等の電極被覆膜を形成する工程においては、
保護膜上にもこの電極被覆膜が形成される。その後にレ
ーザを照射して加工を行うようにすれば、この電極被覆
膜がレーザの反射吸収及びレーザの散乱さらには熱吸収
を行う層となり、保護膜（一般にはレーザを透過する材
質で形成される）内をレーザビームが通過してその下に
形成されている素子、導体等に金属溶融や界面剥離が生
じて破壊されてしまう恐れがなくなる。また、この方法
によれば、従来より使用されている工程を大幅に変更す
ることなく識別記号を形成することができる。
【００２５】識別記号を形成する工程が識別記号を基板
上の入出力電極部分を除く領域に形成する工程であるこ
とが好ましい。入出力電極には入出力線が接続されるた
め、できるだけ識別記号を作成しない方が好ましい。
【００２６】電極被覆膜の形成工程が、保護膜上に金め
っき用下地膜を形成する工程と、下地膜上に金めっきを
行う工程とを含んでおり、識別記号を形成する工程が、
この下地膜にレーザ加工を行って識別記号を形成する工
程であることが好ましい。
【００２７】この場合、識別記号を形成する工程が、金
めっき用のレジスト層上からレーザ加工を行って識別記
号を形成する工程であるかもしれない。金めっき用のレ
ジスト層上からレーザ加工を行うと、このレジスト層に
よって、レーザ加工で必然的に生じるドロス（被加工体
の溶融物）の飛散が抑制できしかもそのドロスをレジス
ト層と共に除去できるので素子汚染を防止できるのみな
らず、レジスト層がレーザの熱吸収にも寄与する。
【００２８】この識別記号を形成する工程は、金めっき
工程の後に行われてもよいし、前に行われてもよい。金
めっき工程の後に行われれば、金めっきが行われた電極
被覆膜パターン部分にレーザ加工によるドロスが付着す
ることを防止できる。
【００２９】識別記号を形成する工程が、金めっき用の
レジスト層の剥離後に行われることもあるし、また、金
めっき用のレジスト層の形成前に行われることもある。
【００３０】電極被覆膜の形成工程が、保護膜上に金被
覆層をスパッタ形成する工程と、金被覆層をパターニン
グする工程とを含んでおり、識別記号を形成する工程
が、金被覆層にレーザ加工を行って識別記号を形成する
工程であってもよい。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明の実施形
態を詳細に説明する。
【００３２】図１は本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施形
態における空気流出側端面の構成を概略的に示す平面図
である。
【００３３】同図において、１０はスライダ、１０ａは
スライダ１０の空気流出端側の端面である。この端面１
０ａ上には、読み／書き磁気ヘッド素子である電磁変換
素子１１と、その入出力電極（バンプ）１２と、電磁変
換素子１１及びバンプ１２間を接続する接続導体１３と
がフォトリソグラフィ技術、薄膜形成技術、エッチング
技術等を用いて形成されている。端面１０ａ上の、電磁
変換素子１１、バンプ１２及び接続導体１３が形成され
ていない部分には、基板（ウエハ）内におけるこの薄膜
磁気ヘッドの位置を表わす識別記号（バー番号、ピース
番号等）１４が形成されている。この識別番号は、各ウ
エハに共通のフォトマスクを使用してフォトリソグラフ
ィ技術により形成することが可能である。
【００３４】端面１０ａ上のバンプ１２を除く部分に
は、図１では明確に示されていないが、保護膜が形成さ
れており、その上にウエハ毎に異なる識別記号（例えば
ロットを識別する記号やロット内の基板位置を識別する
記号）１５がレーザによる照射痕として形成されてい
る。
【００３５】具体的には、この識別記号１５は、バンプ
１２の電極被覆膜（バンプカバー膜）の構成材料で形成
されている。即ち、バンプ１２のバンプカバー膜を形成
する工程においては、保護膜上に金及びチタン等による
バンプカバー用下地膜が形成される。この下地膜又はバ
ンプカバー膜にレーザ加工を行って金及びチタンの照射
痕を残すことにより、基板毎に異なる識別記号１５をバ
ンプカバー膜の構成材料で作成することができる。
【００３６】このように、識別記号１５が保護膜上に形
成されるため、保護膜が存在する部分であれば端面１０
ａのいずれの領域であっても識別記号１５を形成するこ
とができる。即ち、電磁変換素子１１上であっても接続
導体１３上であっても、識別記号１５を形成することが
できる。従って、薄膜磁気ヘッドをより小型化した場合
にも充分な量の識別記号をこの端面１０ａ上に表記する
ことができる。なお、バンプ１２には入出力線が接続さ
れるためできるだけ識別記号１５を作成しない方が好ま
しいが、入出力線接続部を除いた部分であればバンプ１
２領域に識別記号１５を設けてもよい。識別記号１５が
保護膜上に形成されることは、薄膜磁気ヘッドの製造工
程の中で最も難しい工程の１つである保護膜形成工程の
条件変更を回避できるので、この意味からも識別記号１
５の形成工程の導入が非常に容易となる。
【００３７】また、スライダ１０の電磁変換素子１１の
形成面側に識別記号１５が設けられているため、薄膜磁
気ヘッドの小型化に伴ってスライダ１０の空気流入端側
を切除した場合にもこれら識別記号１５を保持すること
ができる。
【００３８】識別記号１５は、本実施形態においては、
ＢＣＤコードで表記されている。もちろん、ＢＣＤコー
ド以外の２値コードで表記してもよいし、通常の場合と
同様に英数字で表記してもよい。識別記号１５を英数字
ではなく２値コードとすれば、より狭い領域に多くの識
別情報を記載することができる。しかも、レーザ加工に
よって識別記号１５を形成する場合に、スポットの有無
で表現できるため、加工工程が非常に容易となる。な
お、識別記号１５をスポットの有無による２値コード
（例えば５行５列）で表現する場合には、その識別記号
の上下位置を認識する必要が生じるかもしれない。この
ためには、特定位置（例えば４行２列、５行２列、５行
３列及び５行４列）を常にスポット有と決めておき、こ
の部分をその識別記号の上下位置認識用マークとして利
用すれば非常に好都合である。
【００３９】なお、以上説明した実施形態では、ウエハ
毎に異なる識別記号のみをレーザ加工によって形成して
いるが、ウエハ内における薄膜磁気ヘッドの位置を表わ
す識別記号や例えば仕様等を表わすその他の記号につい
ても同様にレーザ加工によって形成してもよいことは明
らかである。
【００４０】図２は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法の一実施形態におけるバンプカバー形成工程のフロ
ーチャートであり、図３はその工程におけるウエハ断面
図である。以下これらの図を用いて本発明による薄膜磁
気ヘッドの製造方法のこの実施形態について説明する。
【００４１】ウエハの素子形成面上には公知の処理工程
により、図１に示すごとき電磁変換素子と、例えば銅に
よるバンプと、接続導体とが多数形成され、さらにその
上に保護膜が積層される。
【００４２】その後に実行されるバンプカバー形成工程
では、まず、保護膜３０を研削／研磨してバンプ３１の
表面を露出させる（ステップＳ２０）。
【００４３】次いで、バンプカバーを構成する金（又は
プラチナ）めっき用の下地膜として、チタン層３２及び
金層３３を、例えばスパッタリングにより成膜する（ス
テップＳ２１）。チタン層３２及び金層３３の層厚は、
それぞれ、例えば５０Å及び５００Åである。チタン層
３２は接着層として用いられており、チタンの代わりに
クロムやタンタルを用いて構成してもよい。
【００４４】次いで、この下地膜上にネガレジスト層３
４をコーティングし（ステップＳ２２）、バンプカバー
パターンの露光（ステップＳ２３）及び現像（ステップ
Ｓ２４）を行うことにより、図３の（Ａ）に示すごとき
層構成が得られる。
【００４５】次に、バンプ３１部分を除く領域の一部に
レーザビーム列３５を照射して、レジスト層３４及び下
地膜（３２及び３３）を加工し（ステップＳ２５）、図
１に示す識別記号１５のような、ウエハ毎に異なる識別
記号（例えばロットを識別する記号やロット内の基板位
置を識別する記号等）をＢＣＤコード等の２値コードで
作成する。即ち、各レーザビーム３５の照射によって、
図３の（Ｂ）に示すように、ネガレジスト層３４に孔３
４ａを形成すると共に下地膜（３２及び３３）の部分を
円形に変質させる。スポット径が１０μｍのＹＡＧレー
ザビームでネガレジスト層３４を加工した場合、このレ
ジスト層３４には内径０〜８μｍの孔３４ａがあき、チ
タン／金の下地膜（３２及び３３）は直径１６μｍの円
内がレーザ加工されて変質する。
【００４６】図４はこのレーザ加工工程で使用されるレ
ーザ加工装置の構成例を概略的に示す図であり、同図に
おいて、４０は直径１．２ｍｍのＹＡＧレーザビーム、
４１はそのビームのエキスパンダ、４２はプログラマブ
ルのデータマスク、４３は縮小レンズ、４４は前後左右
に位置決め制御されるウエハをそれぞれ示している。こ
の図に示すような従来より存在するマスク縮小投影方式
のレーザ加工装置の他に、ガルバノミラー又はポリゴン
ミラーを用いたスキャン方式の一般的なレーザ加工装置
をも使用することができる。
【００４７】次に、スライトアッシング（ステップＳ２
６）を行うことにより、金めっきを行うバンプカバーパ
ターン部分の表面が清浄され、また、レジスト孔３４ａ
の径が１〜２μｍ増大すると共にその孔周辺の加工変質
層が除去される。その後、金めっきを行う（ステップＳ
２７）。この金めっきによって、図３の（Ｃ）に示すよ
うに、金の電極被覆膜（バンプカバー膜）３６が形成さ
れる。なお、レジスト層３４がポジレジスト層である場
合は、アッシングの代わりにハードベークが行われるこ
とはいうまでもない。
【００４８】次いで、図３の（Ｄ）に示すようにレジス
ト層３４の剥離が行われ（ステップＳ２８）、その後、
ミリングによってチタン／金の下地膜（３２及び３３）
の除去が行われる（ステップＳ２９）。これにより、図
３の（Ｅ）に示すように、下地膜のレーザ加工による変
質部の一部が残り、これが最終的に得られる識別記号３
７となる。このようにして製造されたウエハを所定寸法
に切断分離し、さらに所定の工程処理を施すことによっ
て薄膜磁気ヘッドが得られる。
【００４９】図５はレーザビーム条件及びレジスト層の
条件を変えた場合のレーザ加工部の様子（Ａ１）〜（Ａ
５）及び最終的に得られる識別記号の形態（Ｂ１）〜
（Ｂ２）をそれぞれ示している。（Ａ１）及び（Ｂ１）
はＨｅ−Ｃｄレーザ又はエキシマレーザのようなガスレ
ーザにより紫外域のレーザビームで加工（露光）を行っ
た場合、（Ａ２）及び（Ｂ２）はネガレジスト層を用い
ると共にＹＡＧレーザを比較的小出力で使用して加工を
行った場合、（Ａ３）及び（Ｂ３）はネガレジスト層を
用いると共にＹＡＧレーザを中出力で使用して加工を行
った場合、（Ａ４）及び（Ｂ４）はネガレジスト層を用
いると共にＹＡＧレーザを比較的大出力で使用して加工
を行った場合、（Ａ５）及び（Ｂ５）はポジレジスト層
とＹＡＧレーザとを用いて加工を行った場合、のレーザ
加工部の様子及び識別記号の形態をそれぞれ示してい
る。
【００５０】このように、レーザ加工によりレジスト層
３４に形成される孔３４ａの形状の差によって形態の異
なる識別記号が最終的に形成される。識別記号として、
（Ｂ１）ではほとんどが円筒状の金めっき層で形成さ
れ、（Ｂ２）及び（Ｂ３）ではリング状の変質した下地
膜で形成され、（Ｂ４）及び（Ｂ５）ではリング状の変
質した下地膜とリング状の金めっき層とから形成されて
いる。しかしながら、この図５に示したいずれの場合
も、外部から容易に識別可能な記号となっている。ただ
し、比較的高価であり維持管理も困難である上述の紫外
域ガスレーザよりも、ＹＡＧレーザのごとき固体レーザ
の方がより簡便に使用することができる点に注目すべき
である。
【００５１】以上述べた実施形態によれば、金めっき用
のレジスト層３４上からレーザ加工を行っているので、
レーザ加工においては必然的に生じるドロス（被加工体
の溶融物）がこのレジスト層３４によって吸収されその
飛散を抑制することができる。しかも、そのドロスをレ
ジスト層３４と共に除去できるので素子汚染を効果的に
防止できる。さらに、レジスト層３４は、レーザビーム
による熱吸収にも寄与している。また、チタン／金の下
地膜（３２及び３３）がレーザビームの反射吸収及びレ
ーザの散乱さらには熱吸収を行う層となるので、保護膜
（一般にはレーザを透過する材質で形成される）３０内
をレーザビームが通過してその下に形成されている素
子、導体等に金属溶融や界面剥離が生じて破壊されてし
まう恐れがなくなる。
【００５２】また、本実施形態によれば、識別記号はバ
ンプ３１を除くいずれの領域であっても形成することが
できる。即ち、電磁変換素子及び接続導体上であって
も、識別記号を形成することができる。従って、薄膜磁
気ヘッドをより小型化した場合にも充分な量の識別記号
を表記可能である。なお、バンプ３１には入出力線が接
続されるためできるだけ識別記号を作成しない方が好ま
しいが、入出力線接続部を除いた部分であればバンプ３
１領域に設けることが可能である。
【００５３】さらに、本実施形態によれば、ウエハの電
磁変換素子の形成面側に識別記号が設けられるため、薄
膜磁気ヘッドの小型化に伴ってスライダの空気流入端側
を切除した場合にも識別記号を保持することができる。
このため、加工工程以降の全製造工程において、薄膜磁
気ヘッドの管理が可能となる。しかも、レーザ加工で識
別記号を形成しているので、フォトマスクが不要であり
任意の識別記号を形成することができる。例えば、基板
単位毎に互いに異なる識別記号、例えばロットを識別す
る記号やロット内の基板位置を識別する記号をフォトマ
スクの数を増大させることなく作成可能である。また、
レーザ加工による記号の位置精度に冗長度が生じるた
め、高価なレーザ装置が不要となる。
【００５４】さらにまた、本実施形態によれば、従来よ
り使用されている工程を大幅に変更することなく識別記
号を形成することができる。特に、識別記号が保護膜上
に形成されることは、薄膜磁気ヘッドの製造工程の中で
最も難しい工程の１つである保護膜形成工程の条件変更
を回避できるので、この意味からも識別記号の形成が非
常に容易となる。
【００５５】識別記号は、ＢＣＤコード以外の２値コー
ドで表記してもよいし、通常の場合と同様に英数字で表
記してもよい。識別記号を英数字ではなく２値コードと
すれば、より狭い領域に多くの識別情報を記載すること
ができる。しかも、レーザ加工によって識別記号を形成
する場合に、スポットの有無で表現できるため、加工工
程が非常に容易となる。
【００５６】なお、以上説明した実施形態では、ウエハ
毎に異なる識別記号のみをレーザ加工によって形成して
いるが、ウエハ内における薄膜磁気ヘッドの位置を表わ
す識別記号や例えば仕様等を表わすその他の記号につい
ても同様にレーザ加工によって形成してもよいことは明
らかである。
【００５７】図６は、図２の工程の一部を変えた変更態
様におけるウエハ断面図である。この変更態様は、図２
のステップＳ２８と全く同じであるレジスト層６４の剥
離工程の後に、図６の（Ｄ）に示すように、識別記号６
７の形成領域にミリングカバー６８をパターニングする
ことにより、識別記号６７のミリングによる損傷を防ぐ
ものである。本変更態様のその他の構成及び作用効果は
図２の実施形態の場合と同様であるため、説明は省略す
る。ただし、図６において、６０は保護膜、６１はバン
プ、６２及び６３は金めっき用の下地膜であるチタン層
及び金層、６４はネガレジスト層、６４ａはレーザビー
ムによってレジスト層６４に形成された孔、６５はレー
ザビーム、６６は金バンプカバー膜である。
【００５８】図７は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法の他の実施形態におけるバンプカバー形成工程のフ
ローチャートであり、図８はその工程におけるウエハ断
面図である。この実施形態は、レーザ加工工程を金めっ
き工程の後に実行するようにしたものである。以下これ
らの図を用いて本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法
のこの実施形態について説明する。
【００５９】図７におけるステップＳ７０〜Ｓ７４の工
程は、図２のステップＳ２０〜Ｓ２４の工程と全く同じ
であるため説明は省略する。ただし、図８において、８
０は保護膜、８１はバンプ、８２及び８３は金めっき用
の下地膜であるチタン層及び金層、８４はネガレジスト
層である。
【００６０】ステップＳ７４のバンプカバーパターンの
現像により図８の（Ａ）に示すごとき層構成を得た後、
スライトアッシング（ステップＳ７５）によって金めっ
きを行うバンプカバーパターン部分の表面を清浄する。
次いで、金めっきを行って（ステップＳ７６）、図８の
（Ｂ）に示すごとき、金の電極被覆膜（バンプカバー
膜）８６を形成する。
【００６１】次に、バンプカバー膜８６部分を除く領域
の一部にレーザビーム列８５を照射して、レジスト層８
４及び下地膜（８２及び８３）を加工し（ステップＳ７
７）、図１に示す識別記号１５のような、ウエハ毎に異
なる識別記号（例えばロットを識別する記号やロット内
の基板位置を識別する記号等）をＢＣＤコード等の２値
コードで作成する。即ち、各レーザビーム８５の照射に
よって、図８の（Ｃ）に示すように、ネガレジスト層８
４に孔８４ａを形成すると共に下地膜（８２及び８３）
の部分を円形に変質させる。
【００６２】図７における以降のステップＳ７８及びＳ
７９の工程も、図２のステップＳ２８及びＳ２９の工程
と全く同じであるため説明は省略する。
【００６３】本実施形態においては、バンプ８１の部分
にバンプカバー膜８６を金めっきしてからレーザ加工を
行っているため、金めっきを行うこのバンプカバー膜８
６のパターン部分にレーザ加工によるドロスが付着する
ことを抑制できる。また、レーザ加工によるネガレジス
ト層８４の孔８４ａ内に金めっきが行われることがない
ので、最終的に得られる識別記号８７は、図５の（Ｂ
２）又は（Ｂ３）に示すような形態となる。本実施形態
のその他の構成、変更態様及び作用効果は図２の実施形
態の場合と同様であるため、説明は省略する。
【００６４】図９は本発明による薄膜磁気ヘッドの製造
方法のさらに他の実施形態におけるバンプカバー形成工
程のフローチャートであり、図１０はその工程における
ウエハ断面図である。この実施形態は、レーザ加工工程
をレジスト剥離工程の後に実行するようにしたものであ
る。以下これらの図を用いて本発明による薄膜磁気ヘッ
ドの製造方法のこの実施形態について説明する。
【００６５】図９におけるステップＳ９０〜Ｓ９４の工
程は、図２のステップＳ２０〜Ｓ２４の工程と全く同じ
であるため説明は省略する。ただし、図１０において、
１００は保護膜、１０１はバンプ、１０２及び１０３は
金めっき用の下地膜であるチタン層及び金層、１０４は
ネガレジスト層である。
【００６６】ステップＳ９４のバンプカバーパターンの
現像により図１０の（Ａ）に示すごとき層構成を得た
後、スライトアッシング（ステップＳ９５）によって金
めっきを行うバンプカバーパターン部分の表面を清浄す
る。次いで、金めっきを行って（ステップＳ９６）、図
１０の（Ｂ）に示すごとき、金の電極被覆膜（バンプカ
バー膜）１０６を形成する。
【００６７】次いで、図１０の（Ｃ）に示すようにレジ
スト層１０４の剥離が行われる（ステップＳ９７）。そ
の後、バンプカバー膜１０６部分を除く領域の一部にレ
ーザビーム列１０５を照射して、下地膜（１０２及び１
０３）を加工し（ステップＳ９８）、図１に示す識別記
号１５のような、ウエハ毎に異なる識別記号（例えばロ
ットを識別する記号やロット内の基板位置を識別する記
号等）をＢＣＤコード等の２値コードで作成する。即
ち、各レーザビーム１０５の照射によって、図１０の
（Ｄ）に示すように、下地膜（１０２及び１０３）の部
分を円形に変質させる。
【００６８】その後、ミリングによってチタン／金の下
地膜（１０２及び１０３）の除去が行われる（ステップ
Ｓ９９）。これにより、図１０の（Ｅ）に示すように、
下地膜のレーザ加工による変質部の一部が残り、これが
ドロスと協働して最終的に得られる識別記号１０７とな
る。このミリング処理によって記号部の高さが低減され
ると共にレーザ加工における低付着力の飛散物が除去さ
れる。
【００６９】本実施形態においては、バンプ１０１の部
分にバンプカバー膜１０６を金めっきしてからレーザ加
工を行っているため、金めっきを行うこのバンプカバー
膜１０６のパターン部分にレーザ加工によるドロスが付
着することを抑制できる。また、レーザ加工が下地膜に
直接的に行われ、その後に金めっきは行われないので、
最終的に得られる識別記号１０７は、図５の（Ｂ２）又
は（Ｂ３）に示すような形態となる。ただし、本実施例
では、レーザ加工がレジスト膜のないところで行われる
ため、このレジスト膜によるドロスの飛散抑制及びレー
ザビームの熱吸収という効果は得られないこととなる。
本実施形態のその他の構成、変更態様及び作用効果は図
２の実施形態の場合と同様であるため、説明は省略す
る。
【００７０】図１１は本発明による薄膜磁気ヘッドの製
造方法のまたさらに他の実施形態におけるバンプカバー
形成工程のフローチャートであり、図１２はその工程に
おけるウエハ断面図である。この実施形態は、レーザ加
工工程をレジストコーティング工程の前に実行するよう
にしたものである。以下これらの図を用いて本発明によ
る薄膜磁気ヘッドの製造方法のこの実施形態について説
明する。
【００７１】図１１におけるステップＳ１１０及びＳ１
１１の工程は、図２のステップＳ２０及びＳ２１の工程
と全く同じであるため説明は省略する。
【００７２】ステップＳ１１１における下地膜、即ちチ
タン層１２２及び金層１２３の例えばスパッタリングに
よる成膜の後、バンプ１２１部分を除く領域の一部にレ
ーザビーム列１２５を照射して、この下地膜（１２２及
び１２３）を加工する（ステップＳ１１２）。これによ
り、図１に示す識別記号１５のような、ウエハ毎に異な
る識別記号（例えばロットを識別する記号やロット内の
基板位置を識別する記号等）がＢＣＤコード等の２値コ
ードで作成される。即ち、各レーザビーム１２５の照射
によって、図１２の（Ａ）に示すように、下地膜（１２
２及び１２３）の部分を円形に変質させる。
【００７３】図１１における以降のステップＳ１１３〜
Ｓ１１９の工程は、図２のステップＳ２５のレーザ加工
工程を除くステップＳ２２〜Ｓ２９の工程と全く同じで
あるため説明は省略する。ただし、図１２において、１
２０は保護膜、１２１はバンプ、１２４はネガレジスト
層、１２６は金バンプカバー膜である。
【００７４】ステップＳ１１９のミリングによって下地
膜（１２２及び１２３）の除去が行われるが、この際、
図１２の（Ｅ）に示すように、下地膜のレーザ加工によ
る変質部の一部が残り、これが最終的に得られる識別記
号１２７となる。このミリング処理によってレーザ加工
における低付着力の飛散物が除去される。
【００７５】本実施形態においては、レーザ加工が下地
膜に直接的に行われ、その後に金めっき用のパターニン
グが行われるので、最終的に得られる識別記号１２７
は、図５の（Ｂ２）又は（Ｂ３）に示すような形態とな
る。ただし、本実施例では、レーザ加工がレジスト膜の
ないところで行われるため、このレジスト膜によるドロ
スの飛散抑制及びレーザビームの熱吸収という効果は得
られないこととなる。本実施形態のその他の構成、変更
態様及び作用効果は図２の実施形態の場合と同様である
ため、説明は省略する。
【００７６】図１３は本発明による薄膜磁気ヘッドの製
造方法のさらに他の実施形態におけるバンプカバー形成
工程のフローチャートであり、図１４はその工程におけ
るウエハ断面図である。この実施形態は、バンプカバー
膜を金めっきではなく、スパッタリングで形成するよう
にしたものである。以下これらの図を用いて本発明によ
る薄膜磁気ヘッドの製造方法のこの実施形態について説
明する。
【００７７】ウエハの素子形成面上には公知の処理工程
により、図１に示すごとき電磁変換素子と、例えば銅に
よるバンプと、接続導体とが多数形成され、さらにその
上に保護膜が積層される。
【００７８】その後に実行されるバンプカバー形成工程
では、まず、保護膜１４０を研削／研磨してバンプ１４
１の表面を露出させる（ステップＳ１３０）。
【００７９】次いで、バンプカバー膜を構成するチタン
層１４２及び金層１４３を、例えばスパッタリングによ
り成膜する（ステップＳ１３１）。チタン層１４２及び
金層１４３の層厚は、それぞれ、例えば５０Å及び１μ
ｍである。チタン層１４２は接着層として用いられてお
り、チタンの代わりにクロムやタンタルを用いてもよ
い。
【００８０】次いで、このバンプカバー膜上にネガレジ
スト層１４４をコーティングし（ステップＳ１３２）、
バンプカバーパターン及び識別記号作成領域のパターン
の露光（ステップＳ１３３）と現像（ステップＳ１３
４）とを行うことにより、図１４の（Ｂ）に示す層構成
が得られる。
【００８１】次に、識別記号作成領域にレーザビーム１
４５を照射して、レジスト層１４４を加工し（ステップ
Ｓ１３５）、図１に示す識別記号１５のような、ウエハ
毎に異なる識別記号（例えばロットを識別する記号やロ
ット内の基板位置を識別する記号等）をＢＣＤコード等
の２値コードで作成する。即ち、レーザビーム１４５の
照射によって、図１４の（Ｃ）に示すように、ネガレジ
スト層１４４に描画を行い、識別記号として表わす部分
のみのネガレジスト層１４４がスポット的に残るように
加工する。この場合、バンプカバー膜（１４２及び１４
３）は、レーザの波長程度の膜厚を有することから、こ
のレーザビームの反射膜となる。
【００８２】次に、ミリング（ステップＳ１３６）を行
うことにより、ネガレジスト層１４４が存在しない部分
のバンプカバー膜（１４２及び１４３）が除去される。
これにより、図１４の（Ｄ）に示すように、バンプ１４
１上に金バンプカバー膜が形成されると共に金バンプカ
バー膜による識別記号が形成される。次のステップＳ１
３７では、残ったレジスト層１４４が除去され、最終的
に図１４の（Ｅ）に示すようなパターンの金バンプカバ
ー膜（１４２及び１４３）及び識別記号１４７が形成さ
れる。
【００８３】本実施形態においては、バンプカバー膜を
成膜してからレーザ加工を行っているため、このバンプ
カバー膜がレーザビームの反射吸収及びレーザの散乱さ
らには熱吸収を行う層となり、保護膜（一般にはレーザ
を透過する材質で形成される）１４０内をレーザビーム
が通過してその下に形成されている素子、導体等に金属
溶融や界面剥離が生じて破壊されてしまう恐れがなくな
る。なお、最終的に得られる識別記号１４７は、図５の
（Ｂ１）に示すような形態となる。本実施形態のその他
の構成、変更態様及び作用効果は図２の実施形態の場合
と同様であるため、説明は省略する。
【００８４】以上述べた実施形態は全て本発明を例示的
に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明
は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することがで
きる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均
等範囲によってのみ規定されるものである。
【００８５】
【００８６】
【００８７】
【００８８】
【００８９】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明の薄膜
磁気ヘッドの製造方法によれば、基板上に複数の電磁変
換素子及び該電磁変換素子用の入出力電極を形成する工
程と、電磁変換素子及び入出力電極を形成した基板上に
保護膜を形成する工程と、入出力電極及び保護膜上に電
極被覆膜を形成する工程と、保護膜上の電極被覆膜に、
当該薄膜磁気ヘッドの識別記号をレーザを使用して形成
する工程とを備えている。入出力電極の金等の電極被覆
膜を形成する工程においては、保護膜上にもこの電極被
覆膜が形成される。その後にレーザを照射して加工を行
うようにすれば、この電極被覆膜がレーザの反射吸収及
びレーザの散乱さらには熱吸収を行う層となり、保護膜
（一般にはレーザを透過する材質で形成される）内をレ
ーザビームが通過してその下に形成されている素子、導
体等に金属溶融や界面剥離が生じて破壊されてしまう恐
れがなくなる。その結果、本発明の製造方法によれば、
従来より使用されている工程を大幅に変更することな
く、現製造工程設備で対応することができる。このよう
に、薄膜磁気ヘッドの識別記号を電磁変換素子の保護膜
上の電極被覆膜に形成しているため、前述したように、
保護膜及び電極被覆膜が存在する部分であればスライダ
の電磁変換素子の形成面のいずれの領域であっても識別
記号を形成することができる。即ち、電磁変換素子及び
この電磁変換素子と入出力電極とを接続する導体パター
ン上であっても、識別記号を形成することができる。従
って、薄膜磁気ヘッドをより小型化した場合にも充分な
量の識別記号を表記することができる。
【００９０】また、基板の電磁変換素子の形成面側に識
別記号が設けられているため、薄膜磁気ヘッドの小型化
に伴ってスライダの空気流入端側を切除した場合にも識
別記号を保持することができる。このため、加工工程以
降の全製造工程において、薄膜磁気ヘッドの管理が可能
となる。
【００９１】しかも、レーザ加工で識別記号を形成して
いるので、フォトマスクが不要であり任意の識別記号を
形成することができる。さらに、レーザ加工による記号
の位置精度に関する冗長度が大きくなるため、高価なレ
ーザ装置が不要となる。
【００９２】従来技術のように、フォトリソグラフィ技
術を用いて識別記号を形成するためにはフォトマスクが
必要となる。従って、基板内の磁気ヘッド位置を識別す
るための記号については同一のマスクを使用可能である
が、ロットを識別する記号やロット内の基板位置を識別
する記号を形成するためには、ロット毎、基板毎に異な
るマスクを用いなければならない。このため、膨大な種
類のフォトマスクを用意しなければならない。しかしな
がら、本発明のように、識別記号をレーザを使用して形
成すれば、基板単位毎に互いに異なる識別記号、例えば
ロットを識別する記号やロット内の基板位置を識別する
記号をフォトマスクの数を増大させることなく作成可能
となる。
【００９３】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドの一実施形態における
空気流出側端面の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の一実
施形態におけるバンプカバー形成工程のフローチャート
である。
【図３】図２の工程におけるウエハ断面図である。
【図４】レーザ加工工程で使用されるレーザ加工装置の
構成例を概略的に示す図である。
【図５】レーザビーム条件及びレジスト層の条件を変え
た場合のレーザ加工部の様子及び最終的に得られる識別
記号の形態をそれぞれ示す図である。
【図６】図２の工程の一部を変更した変更態様における
ウエハ断面図である。
【図７】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法の他の
実施形態におけるバンプカバー形成工程のフローチャー
トである。
【図８】図７の工程におけるウエハ断面図である。
【図９】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法のさら
に他の実施形態におけるバンプカバー形成工程のフロー
チャートである。
【図１０】図９の工程におけるウエハ断面図である。
【図１１】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法のま
たさらに他の実施形態におけるバンプカバー形成工程の
フローチャートである。
【図１２】図１１の工程におけるウエハ断面図である。
【図１３】本発明による薄膜磁気ヘッドの製造方法のさ
らに他の実施形態におけるバンプカバー形成工程のフロ
ーチャートである。
【図１４】図１３の工程におけるウエハ断面図である。
【図１５】識別記号を薄膜磁気ヘッドに形成する公知技
術を説明するための図である。
【図１６】識別記号を薄膜磁気ヘッドに形成する公知技
術を説明するための図である。
【符号の説明】
１０ スライダ １０ａ 空気流出端側端面 １１ 電磁変換素子 １２ 入出力電極（バンプ） １３ 接続導体 １４、１５ 識別記号

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に複数の電磁変換素子及び該電磁
    変換素子用の入出力電極を形成する工程と、該電磁変換
    素子及び入出力電極を形成した基板上に保護膜を形成す
    る工程と、前記入出力電極及び前記保護膜上に電極被覆
    膜を形成する工程と、前記保護膜上の前記電極被覆膜
    に、当該薄膜磁気ヘッドの識別記号をレーザを使用して
    形成する工程とを備えたことを特徴とする薄膜磁気ヘッ
    ドの製造方法。
  2. 【請求項２】 前記レーザを使用して形成する工程が、
    前記基板単位毎に互いに異なる識別記号をレーザを使用
    して形成する工程であることを特徴とする請求項１に記
    載の製造方法。
  3. 【請求項３】 前記識別記号を形成する工程が前記電極
    被覆膜を形成する工程内で実行されることを特徴とする
    請求項１又は２に記載の製造方法。
  4. 【請求項４】 前記識別記号を形成する工程が該識別記
    号を前記基板上の前記入出力電極部分を除く領域に形成
    する工程であることを特徴とする請求項１から３のいず
    れか１項に記載の製造方法。
  5. 【請求項５】 前記電極被覆膜の形成工程が、保護膜上
    に金めっき用下地膜を形成する工程と、該下地膜上に金
    めっきを行う工程とを含んでおり、前記識別記号を形成
    する工程が、該下地膜にレーザ加工を行って前記識別記
    号を形成する工程であることを特徴とする請求項１から
    ４のいずれか１項に記載の製造方法。
  6. 【請求項６】 前記識別記号を形成する工程が、金めっ
    き用のレジスト層上からレーザ加工を行って前記識別記
    号を形成する工程であることを特徴とする請求項５に記
    載の製造方法。
  7. 【請求項７】 前記識別記号を形成する工程が、金めっ
    き工程の後に行われることを特徴とする請求項６に記載
    の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記識別記号を形成する工程が、金めっ
    き工程の前に行われることを特徴とする請求項６に記載
    の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記識別記号を形成する工程が、金めっ
    き用のレジスト層の剥離後に行われることを特徴とする
    請求項５に記載の製造方法。
  10. 【請求項１０】 前記識別記号を形成する工程が、金め
    っき用のレジスト層の形成前に行われることを特徴とす
    る請求項５に記載の製造方法。
  11. 【請求項１１】 前記電極被覆膜の形成工程が、保護膜
    上に金被覆層をスパッタ形成する工程と、該金被覆層を
    パターニングする工程とを含んでおり、前記識別記号を
    形成する工程が、該金被覆層にレーザ加工を行って前記
    識別記号を形成する工程であることを特徴とする請求項
    １から４のいずれか１項に記載の製造方法。
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