JPS60117465A - 負圧スライダの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は負圧スライダの製造方法に関するものである。

（従来の技術） 現在の磁気ディスクにはバネ圧をかけられた空気軸受式
スライダが採用されている。これはバネ圧をかけられた
スライダと回転するディスクとの間に生じた空気軸受に
より、スライダがディスクの表面の近くに浮上すること
ができるという事実に基づいている。スライダは通常後
縁部に読取り／書込み磁気ヘッドを有する。スライダは
空気軸受の上に浮いており、浮上高さはスライダに外か
ら加えられるバネ圧により制御される。浮上高さは信号
損失を避けるために、できるだけ低くすべきである。こ
の種のスライダを用いる場合には、浮上高さな低くする
ためには外から強い力を加える。

このバネバイアス型のスライダは接触式スタート／スト
ップ方式で作動する。すなわちディスクの回転開始時に
はスライダはディスクと物理的に接触しており、ディス
クがある回転速度に達すると空気軸受が形成されて、ス
ライダがディスクから浮上する。その後ディスクの回転
が停止すると、スライダは再びディスクと直接接触する
ようになる。浮上高さを低くするためにバネ圧を強くす
ると、スタート／ストップ動作時に起こるディスク表面
とスライダ間の磨糾も増すことになる。いわゆる「負圧
スライダ」を用いることにより、摩擦磨耗が減った。こ
の種のスライダは空気軸受表面の負圧空洞部を利用して
真空状態をつくり、スライダがディスクに引き寄せられ
るようにする。その結果、スライダをディスクの上方に
吊るしておき、適当な吊るし機構によりディスクから離
しておくことができる。記録媒体の表面に形成された空
気流は空気軸受表面の負圧空洞部内に負圧領域、すなわ
ち部分的な真空領域を形成し、それが吊り機構の力に抗
してスライダをディスクの方に引寄せる。このような負
圧スライダの例は米国特許第３，８１１，８５６号と第
４，１４１，０４９号に開示されている。

この種のスライダを用いた場合には、負圧空洞部の深さ
と形状とによりスライダの浮上高さが決まる。したがっ
てスライダの浮上面の負圧空洞部は非常に正確につくら
なければならない。

空洞部を要求通りの寸法と形状で正確に再現性良く機械
加工することは実際不可能である。空洞部を機械的に作
る代わりに、化学エツチング、プラズマエツチングおよ
びイオンビーム加工により作ることができる。

今迄は、スライダ空洞部をイオン加工している間は金属
層のマスクを用いてスライダの浮上面を保護することに
より、スライダ空洞部をイオン加工することができると
提案されていた。例えば、工ＥＦｊ：［＋！　Ｔｒａｎ
ｓａｃｔｉｏｎｓ　ｏｎ　ＭａｇｎｅｔｉｃｓのＭａｇ
、第１６巻、第５号、１９８０年９月号のＴ、中西他著
による「イオンエツチング法により製作された浮動型薄
膜ヘッド」を参照されたい。金属マスクを用いるイオン
加工工程では、一般に最初に金属（通常クロム）をスラ
イダにスパッタリングする。次にフォトレジストをスラ
イダにスピンフートする。

フォトレジストをパターン化して負圧空洞部になる部分
を露出させる。それから金属層を空洞部か１ ら化学的にエツチング除去する。フォトレジストを除失
し、スライダ空洞部をイオン加工するがこのとき金属層
がスライダの浮上面を保護する。最後に、金属層の残り
の部分を化学エツチングで除去する。

この工程を用いると種々の問題があることがわかった。

まず第１に、金属層をスパッタリングしてエツチングす
ると、工程を完了するに要する時間とコストが余計かか
り、工程もより複雑になる。

更に、スライダに負圧空洞部を正確に設けることはきわ
めて困難であった。加うるに、この工程を用いると比較
的浅い空洞部しかミリングできない。

なぜならば金属保護層は空洞部の深さ約４ミクロンまで
しか耐えられないからである。第１図の浮上高さ対空洞
部の深さの関係を示す曲線が示すように、０．２５４ミ
クロン（１０マイクロインチ）の浮上高さを得るには、
空洞部の深さを２ミクロンか１２ミクロンのいずれかに
しなければならない。第１図は本発明や米国特許第４２
８６．２９７号や第４，１４１，０４９号に示すような
負圧空洞部２ を有するスライダの代表的な特性である。この曲線では
１２ミクロンの地点よりも２ミクロンの地点の方が傾斜
が急であるから、空洞部の実際の深さの変動が浮上高さ
にあまり影響を与えないようにするためには、スライダ
空洞部の深さを１２ミクロンにする方が望ましい。しか
し、前述したように従来技術の工程では限界があるため
に、例えば４ミクロン迄の範囲の比較的浅い空洞部しか
つくれない。例えば工ＥＥＢ　Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎ
ｓ　ｏｎＭａｇｎｅｔ−ｉｃｓ　、　Ｍａｇ、第１５巻
、第６号、１９７９年５月号、Ｔ、中西他著による「イ
オンエツチング法によりつくられた狭トラツク磁気ヘッ
ド」を参照すると、「イオン加工法ではエツチング深さ
を大きくとれない」と述べている。

（発明の要約） 従来技術の持つ問題点を解決するために本発明が開示す
る製造方法によれば、１２ミクロン以上という比較的深
い負圧空洞部を正確にイオン加工することができる。こ
の方法を用いると、金属の保護層を加える必要がなくて
目的を達することができるので、従来の製法と比べて製
法がやさしくなってコストも安くなる。更に、本製法に
よれば、負圧空洞部をスライダ上のきわめて正確な位Ｗ
に確実に設けることができるので、浮上高さをより正確
に制御してスライダの性能を向上させることができる。

本発明の製法を要約すると、まずスライダの表面に比較
的厚い乾式のフォトレジスト層を加えて、フォトリソグ
ラフィ用マスクを用いてパターン化する。このマスクを
スライダ上の負圧空洞部に正確に合わせるのに、マスク
の位置合わせの参照点としてスライダの磁気ヘラげのポ
ールチップ（極片）を用いる。厚いフォトレジスト層で
パターンをつくったら、フォトレジスト層にスライダの
浮上面を保護させながらイオン加工で空洞部をつくる。

それからフォトレジスト層を取除く。

（実施例） 第２図に本発明の製造方法を実施するのに好ましい例と
して、第１の端部１２と反対側の第２の端部１４とを有
するスライダバー１０を示す。スライダバー１０は前縁
部１６、後縁部１８、および後縁部１８に垂直な後面１
９を有する。両端部１２と１４との間に複数個のスライ
ダ２０ａ−２０ｍが隣接して配置されている。各スライ
ダの境界は破線対２２ａ、２４ａ：２２ｂ、２４ｂ；２
２ｃ、２４ｃ：等で示されている。後述するように、ス
ライダバー１０にスライダ空洞部を加工し終ってから、
スライダバー１０をこれらの破線に沿って切断して１６
個のスライダ２０ａ−２０ｍを得る。スライダ２０ａは
第１の端部１２のスライダから成り、反対側にあるスラ
イダ２０ｍは第２の端部１４のスライダから成り、スラ
イダ２０ｂ−２０１は中間のスライダから成る。各スラ
イダ２０ａ−２０ｍは一対の読取り／書込みヘッド（２
）示せず）を含み、これらのヘッドはスライダバーの後
縁部１８に隣接して設けられる。磁気ヘッドは薄膜ヘッ
ドであり、周知の薄膜技術により作られて、スライダ２
０ａ−２０ｍの後端面１９に付加される。各磁気ヘッド
のポールチップ、すなわち読取り／書込みギャップは夫
々のスライダの５ 浮上面に配置される。例えば、スライダ２０ａのポール
チップは２６ａ、２８ａであり、スライダ２０ｂのポー
ルチップは２６ｂ、２８ｂである等となる。磁気ヘッド
のポールチップはヘッドの一部であり、記録媒体に最も
近づいて媒体上で読み書きするものである。後述するよ
うに、ポールチップ２６ａ−２６ｍ、２８ａ−２８ｍは
スライダバーを投影調整機に保持したときに見えるので
、フォトリソグラフィ用マスクを位置合わせするのに使
用することができる。

スライダバー１０は例えばアルシマグ（Ａｌｓｉ−ｍａ
ｇ　）　、　７オトセラム（ＦＯＴＯＯＫＲＡＭ　）又
はフェライトでつくることができる。フオトセラムはニ
ューヨーク州コーニングのコーニンググラス社の商標で
ある。

以上スライダ１０について述べたが、次に本発明の詳細
な説明を行う。

デュポン社のリストン（Ｒ工５ＴＯＮ　）のような適当
な乾式フィルム・フォトレジスト層を最初にスライダ１
０に加える。スライダバー１０にフォト６ レジストを加えるために、第５図に示すようにバー１０
を最初にアルミナの処理用固定器４０で保持する。図示
の如く、スライダバー１０は固定器４０　カラ２５．４
ミクロン（１ミル）だけ上に出ている。後述するように
、はぼ全工程を通じてバー１０は固定器４０に保持して
おく。フォトレジスト層を加えるに先だって、バー１０
と固定器４０とをラミネート前焼成工程にかけ、バー１
０を表面温度９０℃に熱してフォトレジストが付着しや
すくする。ラミネート前焼成工程に続いて、第４図に示
すようなローララミネート機のローラ４７と４８の間に
固定器４０とバー１０とを挿入する。

ラミネート機は例えばイリノイ州エルムハーストのチオ
コル／ダイナタム社（Ｔｈ１ｏｋｏｌ／Ｄｙｎａｃｈｅ
ｍＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ　）により製造されたダイナ
ケム１２０型機（ＤＹＮＡＯＨＥＭ　Ｍｏｄｅｌ　：１
４：　１２０　）を用いる。上ローラ４７は乾式フィル
ムフォトレジスト材料から成るシート５０をバー１０に
圧着して、第５図に示すようにフォトレジスト層５４を
バー１０に貼付ける。バー１０の前縁部１６と後縁部１
８と重なる部分５６．５７がそれらの外側までおおうよ
うにフォトレジスト層５４を付加する。後縁部１８の外
側までおおう部分５７はバー１０の後面１９に付加する
薄膜ヘッドを加工工程中イオンビームかも保護する（後
述する）。

フォトレジスト層５４を付加してから、スライダバー１
０と固定器４０とを投影調整機（図示せず）の加工品保
持器に装着する。投影調整機は例えばカルフォルニア州
すニーヴ工−ルにあるコピルト社（０ｏｂｉｌｔ　Ｃｏ
ｒｐ、　）により製造されたコピル）　ＯＡ　４　［Ｉ
　Ｑ　Ａ型（０ｏｂｉｌｔ　Ｍｏｄｅｌ　＃ＣＡ　４０
０　Ａ）を使用する。第６図に示すフォトリソグラフィ
用マスク６０を投影調整機のマスク保持機で保持する。

マスク６０は整列パターン６４以外は不透明であり、パ
ターン６４は紫外光に対して透明になっている。パター
ン６４は本質的に複数個の同一のＨ型パターン７Ｑａ−
７０ｍが間隔をもって隣接配置されており、これらが第
１端部のパターン７０ａと第２端部のパターン７０ｍの
間に揃んである。整列パターン６４の一端には第１端部
のパターン７０ａの外側に第１の概略調整用窓６６があ
り、他端には第２端部のパターンγＯｍの外側に第２の
概略調整用窓６８がある。第７図に代表的なＨ型パター
ン７０ａをもつと詳細に示す。パターン７０ａは一対の
縦長の脚部７１ａ、７４ａと、これらを結ぶ水平の横断
部材γγａとから成る。脚部７１ａは上方部７２ａと下
方部７３ａとを有する。同様に脚部７４ａは上方部７５
ａと下方部７６ａとを有する。脚部７１ａの底部に位置
合わせマーク８０ａが設けられている。同様に脚部７４
ａの底部に位置合わせマーク８２ａが図示の如く設けら
れている。

整列パターン６４をスライダバー１０のスライダ２０ａ
−２０ｍの上に位置合わせするために、最初にバー１０
を適当な位置決め機構により動かして、バー１０の両端
部１２と１４をパターン６４の概略位置調整用窓６６と
６８の内側に対称的に置く。（あるいは、バー１０を静
止させておいてマスク６０を動かしてもよい。）第８図
にパターン６４とバー１０のこの位置関係を示す。概略
の９ 位置調整を行った後、スライダ２　Ｄａ−２０ｍとパタ
ーン６４との精密位置調整を行う。第９図に示すように
、最初に端部のパターン７０ａを見ながらバー１０を動
かして、スライダ２０ａのポールチツ：７ｐ２６ａｓ　
２８ａをＨ型パターンγＱａＯ位置合わせマでり８０ａ
、８２ａと一直線になるように調整する。ポールチップ
２６ａ、２８ａは目で見える。第９図に示すようにマー
ク８０ａ。

８２ａがポールチップ２６ａ、２８ａに対して縦方向に
中心が合って、水平方向に対称的に配置されたときが適
当に位置合わせされたといえる。バー１０とマスク６４
との精密位置調整を終了したら、次に反対側の端部のパ
ターン７０ｍを見ながらバー１０を動かして、第９図と
全く同じようにしてスライダ２０ｍのポールチップ２６
　ｍ、　２８ｍをＨ型パターン７０ｍの位置合わせマー
ク８０ｍ。

８２ｍに対して位置調整する。両端部のスライダ２０ａ
と２０ｍのポールチップを夫々スライダ７０ａと７０ｍ
の位置合わせマークと合わせたら、精密位置調整工程は
終了する。後述するように、０ スライダ２０ａと２０ｍのポールチップを参照地点とし
て利用することにより、負圧空洞部をスライダ２０ａ−
２０ｍの上に非常に正確に設けることができる。

マスクパターン６４をスライダ２０ａ−２０ｍに位置合
わせしたら、次に紫外光をマスク６０を通して照射し、
Ｈ型パターンγＯａ−７０ｍをスライダ２０ａ−２０ｍ
のフォトレジスト層５４の上に露光する。負のレジスト
・フォトリソグラフィ法を用いているので、フ第１レジ
スを層５４のうち露光されてない部分が例えば１，１．
１）ＩＪジクロロタン低圧スプレィを用いて除去されて
、露光されたＨ型パターンが残る。したがってこの時点
ではフォトレジスト層５４のうち残っているのは第１０
図に示すように１３個のＨ型パターン９Ｑａ−９Ｑｍだ
けである。Ｈ型パターン７０ａ−７０ｍの脚部がバー１
０の前縁部１６と後縁部１８とをおおっていることに注
意された（１０後縁部１８の上に延びている重なり部９
８は前述のように後端面１９に貼付けられる磁気ヘッド
（図示せず）の露出部分を保護する。フォトレジスト層
が伸びていて磁気へツげの露出部分を保護するというこ
とは、イオン加工工程中イオンがバー１０の表面に関し
て例えば４５°−２５°の斜め角度でバー１０に放射さ
れるという点できわめて大切なことである。なぜならば
もし磁気ヘッドの露出部分が保護されてなかったら、そ
れらが加工されるだろうからである。

フォトレジスト層をパターン化した後、スライダバー１
０は処理用固定器４０に保持したままで、固定器４０を
イオン加工機に設置する。イオン加工機は例えばコロラ
ド州フォートコリンズのイオンチク社（工ｏｎ　Ｔｅｃ
ｈ　、　工ｎｃ、）ＶＣより製造された１（］−］１５
００−１０型イオン源である。一様な加工を行うために
固定器４０をイオン加工工程、　中回転させる。イオン
加工工程が始まって、負圧空洞部が適当な深さに加工さ
れている間、Ｈ型フォトレジストパターン９　Ｑａ＝９
０ｍはスライダ２０ａ−２０ｍの直下部分を加工されな
いよう保護する。空洞部が所望の深さに加工されるよう
に、加工時間とイオン加速電圧とイオン電流とが選ばれ
る。各スライダのうちＨ型フォトレジストパターンの直
下の部分はスライダの空気軸受浮上面を構成する。例え
ば、フォトレジストパターン９０ａはスライダ２０ａの
浮上面２１ａを保護する。第１１図から第１６図を参照
されたい。第１１図は負圧空洞部１００ａと１０２ａが
適当な深さに加工されて、イオン加工工程が完了した時
のスライダ２０ａを示す。空洞部１００ａは脚部９１ａ
。

９４ａの下方部と横断部材９７ａとにより決められてい
る。空洞部１０２ａは脚部９１ａ、９４ａの上方部と横
断部材９７ａとにより決められている。スライダ２０ａ
の空洞部１００ａ、１０２ａが加工されている間、同時
にスライダ２０ｂ−２０ｍの夫々の空洞部１１００ｂ−
１００も加工されているのは明らかである。スライダバ
ー１０をイオン加工すると熱が発生するので、スライダ
２０ａ−２０ｍが過熱しないようにバー１０から熱を放
散しなければならない。本実施例では、イオン加工中に
スライダ２０ａ−２０ｍの過熱を防６ ぐため、スライダバー１０が水冷されるようにスライダ
バー１０を保持する処理用固定器４０をイオン加工機に
支持しておく。

イオン加工工程が終了すると、例えばバー１０を最初に
アセトン浴に浸漬して次いで超音波浴で洗浄することに
より、フォトレジストパターン９０ａ−９０ｍを除去す
ることができる。

フォトレジスト層の残留部分を除去した次は、スライダ
バー１０を固定器４０から外すと、第１２図に示すよう
に、１３個のスライダ２０　ａ　−２０ｍの各々に負圧
空洞部１００ａ−１００ｍと１０２８−１０２ｍが夫々
対になって正確な位置に形成されている。この時点でス
ライダ２０ａ−２０ｍをスライダバー１０から取出すこ
とができる。スライダ２０ａをバー１０から取出すには
、ダイヤモンドの回転刃を用いて仮想切断線１１０ａ、
１１２ａ（これは第２図の破線２２ａ、２４ａに相当す
る）に沿って切断する。同様に残りのスライダ２０ｂ−
２０ｍも夫々仮想切断線１１０ｂ−１１０ｍと１１２ｂ
−１’１２ｍに沿って切断することにより４ 取出すことができる。それから浮上面２１ａ−２１ｍを
軽く研磨する。それからスライダ２０ａから２０ｍをア
セトンと水で洗浄して工程を終了する。

この工程によりつくられた代表的なスライダ２０ａの完
成した姿を第１３図に示す。スライダ２０ａはＨ型の空
気軸受浮上面２１ａと一対の非常に正確な位置に形成さ
れた負圧空洞部１００ａ。

１０２ａとを有する。スライダ２０ａのボールチップ２
６ａ−２８ａは記録面からの浮上高さを正確に制御され
て浮上し、磁気ヘラげの性能を最適化することができる
。

本実施例では、スライダバー１０の材料はアルシマグ（
Ａｌｓｉｍａｇ　）　ＶＣ選ぶのが好ましい。フォトレ
ジスト材料、リストン、は約４８ミクロンの厚さに加え
る。負圧空洞部１１００ａ−１００゜１１０２ａ−１０
２のイオン加工深さは前述したように１２ミクロンであ
る。イオンチク社の１０−１５００−２００型イオン加
工機を用いて１２ミクロンの加工深さを得るには、イオ
ン加速電圧１２０ポルト、イオン電流１２５ミリアンペ
アで１５０分間イオン加工する。イオン加工ビームのｔ
ｉは１０センチメートルである。これらのパラメータを
用いたとき、スライダバー１０の表面で消費される電力
は１平方センチメートル当り１．９ワツトである。前述
のように、この熱を放散させるためにスライダバー１０
を水冷固定器で保持する。空洞部１１０ａ−１１０ｍ、
１１２ａ−１１２ｍがイオン加工されている間、リスト
ン層も削られている。スライダ空洞部が１２ミクロンの
深さに加工される間に、リストン層は４８ミクロンのう
ち３６ミクロンが削られて失なわれる。

表面に対するイオンビームの角度は典型的に４５°であ
る。しかし加工された表面に加工された材料が再び付着
するのを避けるために、イオンビームの角度を変えても
よい。例えば、７オトセラムのスライダバーを用いた場
合、イオン加工角を２５°にすると再付着が防止される
。

（発明の効果） 以上述べたように、本工程によりスライダの負圧空洞部
な非常に正確な位置にかっ、所望の１２ミクロンの深さ
で非常に正確に形成することができる。更に、金属の付
着とパターン化工程が要らないという点で、従来技術と
くらべて著しく工程が簡素化されている。

本実施例では本発明の工程を、用いて１３個の隣接スラ
イダが同時につくられたが、フォトレジスト層をパター
ン化するのに用いるマスクを変えればスライダの配置を
変えることも可能である。

以上好ましい実施例を開示したので、当業者にとって多
くの変形や修正ができることは明らかであるから、本発
明の範囲は実施例に限定されず請求の範囲に記載された
ものに及ぶものである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のスライダに関する空洞部の深さ対浮上
高さの関係を示すグラフ、第２図は本発明の製法により
負圧空洞部を形成する前のスライダバー１０の斜視図、
第３図は製造用固定器により支持されたスライダバー１
０を示す。第４図はスライダバー１０をフォトレジスト
・ラミネート７ 装置に挿入する様子を示す。第５図はフォトレジスト層
５４を付加した後のスライダバー１０を示す。製造用固
定器４０の一部を省略して示しである。第６図は本発明
で用いるフォトリソグラフィ用マスク６０を示す。第７
図はマスク６００代表的なＨ型パターンを示す。第８図
は整列パターン６４をスライダバー１０に重ねて示しで
ある。第９図はスライダバー１０の一端にＨ型パターン
７０ａを重ねた様子の拡大図を示す。第１０図はフォト
レジスト層のパターンを形成した後のスライダバー１０
を示す。製造用固定器４０の一部は省略しである。第１
１図はフォトレジスト層のパターンをつくってスライダ
空洞部をイオン加工した後のスライダバー１０の一端の
拡大図を示す。 製造用固定器４０の一部は省略しである。第１２図はイ
オン加工工程後のスライダバーを示す。残りのフォトレ
ジスト層は除去しである。第１６図は本製法が完了した
ときの負圧スライダを示す。 １０・・・スライダバー、２０ａ−２０ｍ・・・スライ
ダ、４０・・・固定器、５４・・・フォトレジスト、６
０８ ・・・マスク、７０ａ−７０ｍ・・・Ｈ型パターン代理
人　浅　村　皓 ＦＩＧ、　７ ＦＩＧ、　９ ０ｍ ９０１””’“°°″ ０ｈ ９ｏ６９０・°°′°０” ０ｃ 、。ａ９０ｂ ０ Ｏ 第１頁の続き ＠発明者　レロイ　レランド　口　アメリカ合衆国ング
ワース　ツクス　３６９ ０発　明　者　アーサー　カルゾロン　アメリカ合衆国
リッジ　２５１４ ミネソタ州バッファロウ、ルート　５．ボミネソタ州ミ
ネトンカ、シーグーウッド４１２−

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）空気軸受浮上面を有し、磁気ヘッドを支持する負
   圧スライダの製造方法であって、 （７）　乾式フォトレジスト材料の層を前記スライダに
   付加する工程と、 ビ）　フォトリソグラフィを用いて前記フォトレジスト
   層をパターン化して、前記フォトレジスト層の一部を除
   去して前記スライダの表面の一部を露出させ、前記フォ
   トレジスト層の残りの部分を前記スライダの前記浮上面
   をおおう保護層となす工程と、 （ロ）　前記露出されたスライダ表面の一部と前記保護
   層とをイオン加工して、前記スライダの表面に少なくと
   も１個の負圧空洞部を形成し、該イオン加工中前記保護
   層に前記浮上面を保護させる工程と、 に）　前記保護層を除去する工程と を含むことを特徴とする、負圧スライダの製造方法Ｏ （２、特許請求の範囲第（１）項記載の方法において、
   前記磁気ヘッドは前記浮上面にボールチップを有するこ
   とと、前記フォトリソグラフィ工程の間、フォトリソグ
   ラフィ用マスクを用いて前記フォトレジスト層をパター
   ン化し、該マスクは整列パターンと位置合せマークとを
   有し、該位置合わせマークと該ボールチップと位置調整
   することにより、該整列パターンを前記スライダの表面
   に位置合わせすることとを特徴とする、負圧スライダの
   製造方法。 （３）特許請求の範囲第（２）項記載の方法において、
   前記整列パターンは前記スライダの表面にイオン加工さ
   れる前記負圧空洞部を少なくとも１個規定し、前記位置
   合わせマークは前記スライダ上に前記整列パターンを位
   置合わせするために前記ボールチップと位置調整される
   ことを特徴とする、負圧スライダの製造方法。 （４）特許請求の範囲第（３）項記載の方法において、
   前記整列パターンはＨ型をしていて、一対の脚部と該脚
   部をつなぐ横断部材とを有することを特徴とする、負圧
   スライダの製造方法。 （５）特許請求の範囲第（４）項記載の方法において、
   前記フォトリソグラフィ工程中、前記Ｈ型整列パターン
   が前記フォトレジスト層に投影されて前記フォトレジス
   ト層上に前記Ｈ型光パターンを形成し、前記Ｈ型光パタ
   ーンが前記フォトレジスト層を露光して前記保護層を規
   定することと、前記イオン加工工程によりつくられた前
   記少くとも１個の負圧空洞部は前記Ｈ型パターンの前記
   横断部材と前記脚部の下方部とにより規定される第１の
   負圧空洞部と、前記Ｈ型パターンの前記横断部材と前記
   脚部の上方部とにより規定される第２の負圧空洞部とを
   含むことを特徴とする、負圧スライダの製造方法。 （６）　特許請求の範囲第（５）項記載の方法において
   、前記位置合わせマークの位置は前記Ｈ型パターンの前
   記脚部の下方部の中にあることと、前記フォトリソグラ
   フイエ程中該位置合わせマークを前記ボールチップと位
   置調整することにより前記Ｈ型パターンを前記スライダ
   上で位置合わせすることとを特徴とする、負圧スライダ
   の製造方法。 （力　特許請求の範囲第（６）項記載の方法において、
   前記スライダは磁気へッｒを有し、該磁気ヘッドは各々
   １組の前記ボールチップを有することと、前記整列マス
   クは前記Ｈ型パターンの前記各々の脚部の下方部に前記
   位置合わせマークを１組含み、前記フォトリソグラフィ
   工程中前記位置合わせマークの各々を前記ボールチップ
   の各々と位置調整することにより、前記整列パターンを
   前記スライダに位置合わせすることとを特徴とする、負
   圧スライダの製造方法。 （８）特許請求の範＠第（７）項記載の方法において、
   第１端部のスライダと反対側の第２端部のスライダとの
   間に複数個のスライダが隣接して配置されていテ、該複
   数個のスライダが１個のスライダバーから成ることと、
   前記マスクが第１端部のパターンと反対側の第２端部の
   パターンとの間に隣接配置された複数個の前記整列パタ
   ーンを含むことと、前記第１端部のスライダは一対のボ
   ールチップを含み、前記第２端部のスライダも一対のボ
   ールチップを含むことと、前記フォトリソグラフィ工程
   中、前記第１端部のパターンの前記位置合わせマークの
   各々を前記第１端部のスライダの前記ボールチップの各
   々と位置調整し、前記第２端部のパターンの前記位置合
   わせマークの各々は前記第２端部のスライダの前記ボー
   ルチップの各々と位置調整することによって、前記マス
   クの複数個の整列パターンを前記スライダバーの前記複
   数個のスライダと同時に位置合わせすることとを特徴と
   する、負圧スライダの製造方法。 （９）特許請求の範囲第（８）項記載の方法において、
   前記マスクは前記第１端部のパターンの外側に第１の概
   略位置調整用窓を有し、かつ前記第２端部のパターンの
   外側に第２の概略位置調整用窓を有することと、前記ス
   ライダバーは前記第１端部のスライダの外側に第１端部
   な有しかつ前記第２端部のスライダの外側に第２端部な
   有することと、前記フォトリソグラフィ工程中、前記第
   １端部は前記第１の概略位置調整用窓の内側に置き、前
   記第２端部は前記第２の概略位置調整用窓の内側に置く
   ことにより、前記マスクを前記スライダバーと概略位置
   調整をした後、前記位置合わせマークを前記ボールチッ
   プと位置調整することにより、前記マスクを前記スライ
   ダバーに精密位置調整することとを特徴とする、負圧ス
   ライダの製造方法。 ００）特許請求の範囲第（９）項記載の方法において、
   前記フォトリソグラフィ工程中、前記第１端部のパター
   ンの前記位置合わせマークは前記第１端部のスライダの
   前記ボールチップに関して対称的に配置し、前記第２端
   部のパターンの前記位置合わせマークは前記第２端部の
   スライダの前記ボールチップに関して対称的に配置する
   ことにより、前記マスクの前記複数個の整列パターンを
   同時に前記スライダバーの前記複数個のスライダに位置
   合わせすることを特徴とする、負圧スライダの製造方法
   。 （ｌυ　特許請求の範囲第ＱＯ）項記載の方法において
   、前記イオン加工工程中、前記スライダバーを冷却用保
   持具に保持することにより、前記イオン加工工程中前記
   固定器と前記スライダバーとを熱的に冷却することを特
   徴とする、負圧スライダの製造方法。 （１２、特許請求の範囲第α０項記載の方法において、
   前記イオンビーム加工工程中、前記保持具は前記固定器
   と前記スライダバーとを回転させることを特徴とする、
   負圧スライダの製造方法。 ０３）特許請求の範囲第（１０）項記載の方法において
   、前記スライダバーは後縁部を有していることと、前記
   Ｈ型パターンの各脚部の下方部が前記スライダの前記後
   縁部なおおって外側まで伸びていることと、前記フォト
   レジストの前記保護層が前記スライダの前記後縁部をお
   おって外側まで伸びていることとを特徴とする、負圧ス
   ライダの製造方法。 Ｉ　特許請求の範囲第（３）項記載の方法において、前
   記フォトレジスト層はリストンでつくられることを特徴
   とする、負圧スライダの製造方法。 ０■　特許請求の範囲第（３）項記載の方法において、
   前記イオンビーム加工工程中、前記少なくとも１個の負
   圧空洞部は深さ１２ミクロンに加工されることを特徴と
   する、負圧スライダの製造方法。 ００　特許請求の範囲第（３）項記載の方法において、
   前記イオンビーム加工工程中、前記スライダは冷却用保
   持具に保持されていることと、前記イオンビーム加工工
   程中、前記スライダと前記固定器とは熱的に冷却される
   こととを特徴とする、負圧スライダの製造方法。 ←η　特許請求の範囲第（１１項記載の方法において、
   前記イオンビーム加工工程中、前記保持具は前記固定器
   と前記スライダとを回転させることを特徴とする、負圧
   スライダの製造方法。 ０印　特許請求の範囲第（８）項記載の方法において、
   前記保護層を除去した次に、前記スライダバーを切断工
   程にかけて、各スライダを前記スライダバーから切出す
   ことを特徴とする、負圧スライダの製造方法。