JP2758560B2 - 薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドの製造方法

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JP2758560B2
JP2758560B2 JP6022772A JP2277294A JP2758560B2 JP 2758560 B2 JP2758560 B2 JP 2758560B2 JP 6022772 A JP6022772 A JP 6022772A JP 2277294 A JP2277294 A JP 2277294A JP 2758560 B2 JP2758560 B2 JP 2758560B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドの製造
方法に関する。
【0002】
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは、セラミック構造体で
なるウエハー上に多数の薄膜磁気ヘッド素子を格子状に
配列して形成した後、ウエハーからバー状の単列ヘッド
ピース集合体を取出し、取出されたヘッドピース集合体
を研磨する工程を経て製造される。研磨工程の1つの主
要な目的は、電磁変換特性に極めて大きな影響を及ぼす
スロートハイト(ギャップディプス)を設定することに
ある。薄膜磁気ヘッドはギャップ膜を介して対向するポ
ール部と、ポール部に連続するヨーク部とを有してい
る。ポール部はセラミック構造体の面に対して実質的に
平行となるように形成された先端部領域の後方に、セラ
ミック構造体の面から離れる方向に立ち上がる変位領域
を有し、変位領域を経てヨークに連なっている。ポール
部の先端から変位点までの深さが、通常、スロートハイ
トまたはギャップディプスと呼ばれている。スロートハ
イトは、例えば1μm 程度の微小寸法であって、電磁変
換特性を定めるのに極めて重要な部分である。スロート
ハイトの設定に当って、ウエハーから切出された単列ヘ
ッドピース集合体の状態で、ポール部の端部の現れる端
面を、所定のスロートハイトが得られる位置まで研磨す
る。単列ヘッドピース集合体に対する研磨技術について
は、特開昭62ー95716号公報及び特開昭63ー1
13818号公報が開示している。
【0003】ところが、単列のバー状ヘッドピース集合
体は湾曲したり曲ったりしやすい。このため、研磨工程
等において、ヘッドピース集合体に配列されている各電
磁変換素子のスロートハイトが一定になるように研磨す
ることが困難である。
【0004】単列ヘッドピース集合体の湾曲や曲りによ
るスロートハイトの変動を解決しよとする試みは、特開
平4ー289511号公報等でなされている。この公知
文献に記載された技術は、隣接する列における薄膜磁気
ヘッド素子の方向が互いに逆になるように製作されたウ
エハーから、隣接する2列毎に切断して二重列バーでな
るヘッドピース集合体を取り出す。この二重列ヘッドピ
ース集合体を取付具に取付け、その状態で研磨及び研削
な加工を施す。この場合の加工手段として、隣接する列
間で互いに逆方向を向くように配列された薄膜磁気ヘッ
ド素子の方向性に応じて、2つの手段が開示されてい
る。第1の手段は、二重列ヘッドピース集合体の取付具
に対する取付面とは反対側の面に研磨及び研削加工を施
した後、加工面に別の取付具を取付け、次に先に取付け
た取付具を取外し、取外し面に研磨及び研削の加工を施
す方法である。第2の手段は、二重列ヘッドピース集合
体を2つの取付具間に挟み込み、次にこの状態で二重列
ヘッドピース集合体を列毎に2分割し、分割面に研磨及
び研削加工を施す方法である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】特開平4ー28951
1号公報は、隣接する列における薄膜磁気ヘッド素子の
方向が互いに逆になるように製作されたウエハーを用い
る必要がある。従って、特殊な薄膜磁気ヘッド素子配置
を有するウエハーを製造しなければならない。これは、
フォトリソグラフイによって高精度パターンを形成する
ためのマスクとして特別のものを用いなければならない
ことを意味する。
【0006】しかも、隣接する列における薄膜磁気ヘッ
ド素子の方向が互いに逆になる二重列ヘッドピース集合
体でのみ実行できる製造方法であり、それ以上の列数を
有するヘッドピース集合体に適用することができない。
【0007】更に、前記第1の手段を採用した場合、二
重列ヘッドピース集合体に研磨及び研削加工を施した
後、加工面に別の取付具を取付け、次に、先に取付けた
取付具を取外し、取外し面に研磨及び研削の加工を施す
という複雑な製造工程が必要である。
【0008】前記第2の手段を採用した場合は、二重列
ヘッドピース集合体を2つの取付具間に挟み込んで接着
するため、2つの取付具に対する二重列ヘッドピース集
合体の各接着歪の差による悪影響を受けることがある。
【0009】本発明の課題は、ヘッドピース集合体の湾
曲及び曲りに起因するスロートハイトの変動を防止し得
る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
【0010】本発明のもう一つの課題は、一般的な薄膜
磁気ヘッド素子配置を有するウエハー及びマスクを用い
ることができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するこ
とである。
【0011】本発明の更にもう一つの課題は、製造効率
の高い薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することであ
る。
【0012】本発明の更にもう一つの課題は、取付具に
対するヘッドピース集合体の接着歪による影響を軽減し
得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法は、複数の
工程を含んでおり、第1の工程は、基体上に多数の薄膜
磁気ヘッド素子を格子状に配列したウエハーから、前記
薄膜磁気ヘッド素子の複数列を含むヘッドピース集合体
を、切断によって取出す工程を含み、取出された前記ヘ
ッドピース集合体に含まれる各列の前記薄膜磁気ヘッド
素子は同一の切断面に対して同一の方向性を有してお
り、第2の工程は、前記ヘッドピース集合体の両切断面
の一面を取付具に取り付け、他面に研磨加工を施す工程
を含んでおり、第3の工程は、前記第2の工程の後、前
記ヘッドピース集合体に含まれる複数列のうち、前記最
上列を他の列から切離す工程を含んでいる。
【0014】
【作用】第1の工程は、基体上に多数の薄膜磁気ヘッド
素子を格子状に配列したウエハーから、薄膜磁気ヘッド
素子の複数列を含むヘッドピース集合体を、切断によっ
て取出す工程を含んでいるから、従来の単列ヘッドピー
ス集合体に比較して、取出された複数列ヘッドピース集
合体は、湾曲及び曲りが著しく小さくなる。このため、
後の工程で、複数列ヘッドピース集合体に研磨を施して
スロートハイトを所定値に設定する場合、ヘッドピース
集合体の湾曲及び曲りに起因するスロートハイトの変動
を防止できる。
【0015】取出された複数列ヘッドピース集合体に含
まれる各列の薄膜磁気ヘッド素子は同一の切断面に対し
て同一の方向性を有しているから、各列の薄膜磁気ヘッ
ド素子が同一の方向性を有する一般的な薄膜磁気ヘッド
素子配置のウエハー及びマスクを用いることができる複
数列ヘッドピース集合体に含まれる各列の薄膜磁気ヘッ
ド素子は同一の切断面に対して同一の方向性を有してい
るから、2列以上の複数列ヘッドピース集合体を用いて
製造工程を実行することが可能である。
【0016】第2の工程はヘッドピース集合体の両切断
面の一面を取付具に取り付け、他面に研磨加工を施す工
程を含んでいるから、取付具から複数列ヘッドピース集
合体を取外すことなく、最上列に研磨加工を施すことが
できる。このため、特開平4ー289511号公報に記
載された従来技術と比較して、製造効率が高くなる。研
磨加工は研削加工を含むことがある。
【0017】第3の工程は、第2の工程の後、前記ヘッ
ドピース集合体に含まれる複数列のうち、前記最上列を
他の列から切離す。これにより、研磨加工の済んだ最上
列が取出される。取り出されたヘッドピース集合体は、
単列ヘッド集合体の場合と同様に、レール形成工程等の
必要な工程に付される。レール形成工程では、通常、フ
ォトリソグラフィ技術およびミリング加工等を用いてレ
ールを形成する。
【0018】第2の工程及び第3工程を通して、ヘッド
ピース集合体は、両切断面の一面のみが取付具に取り付
けられ、他面は開放されている。このため、両切断面に
取付具を接着する従来技術と異なって、取付具に対する
ヘッドピース集合体の接着歪による影響が小さくなる。
【0019】
【実施例】図1〜図8は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの
製造方法の一例を示している。本発明に係る薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法は複数の工程を含んでいる。第1の工程
は図1〜図4に図示されている。まず、図1に示すよう
に、基体1a上に多数の薄膜磁気ヘッド素子Q11〜Qnm
を格子状に配列したウエハー1を製造する。薄膜磁気ヘ
ッド素子Q11〜Qnmは、通常、その形成領域が4角状と
なるように、ウエハー1上に形成される。
【0020】次に、薄膜磁気ヘッド素子Q11〜Qnmの複
数列H1 及びH2 を含むヘッドピース集合体Hを、切断
によって取出す。この工程は、通常、図2に示すよう
に、ウエハー1内の薄膜磁気ヘッド素子Q11〜Qnmの形
成領域の外側に生じる円弧部分(耳)を切断によって除
去し、四角形状のウエハー1を得た後、この4角形状ウ
エハー1から、図3に示すように、薄膜磁気ヘッド素子
Q11〜Qnmの複数列を含むヘッドピース集合体Hを切断
する工程として実行される。
【0021】図4は図1〜図3の工程を経て取出された
複数列H1 及びH2 のヘッドピース集合体Hを示してい
る。図4に示されるように、ヘッドピース集合体Hに含
まれる各列H1 及びH2 の薄膜磁気ヘッド素子Q11〜Q
1m、Q21〜Q2mは同一の切断面h1 またはh2 に対して
同一の方向性を有している。
【0022】ウエハー1は、例えばAl2O3・TiC 等のセラ
ミック構造体で構成されていて、薄膜磁気ヘッド素子Q
11〜Qnmは、Al2O3 等の絶縁膜を介して、ウエハー1の
1面側に形成されている。
【0023】薄膜磁気ヘッド素子Q11〜Qnmは、周知の
ように、IC製造テクノロジーと同様の、フォトリソグ
ラフィを主体とした高精度パターン形成技術によって形
成される。図9は薄膜磁気ヘッド素子Q11〜Qnmの拡大
図、図10は薄膜磁気ヘッド素子Q11〜Qnmに含まれる
薄膜電磁変換素子の平面拡大部分破断面図、図11は同
じく図10A11ーA11線上における断面図を示してい
る。図10及び図11はスケールを異ならせて示してあ
る。図9に示すように、薄膜磁気ヘッド素子Q11〜Qnm
は薄膜電磁変換素子M1を有している。E1及びE2は
取り出し電極であり、これらは薄膜電磁変換素子M1に
電気的に導通している。薄膜電磁変換素子M1は、図示
では2個であるが、1個または3個以上備えられること
もある。次に図10及び図11において、ウエハー1は
Al2O3・TiC でなる基体1aの表面にAl2O3 でなる絶縁膜
1bを被着させ、この絶縁膜1bの上に、薄膜電磁変換
素子M1を形成してある。薄膜電磁変換素子M1は下部
磁性膜2、ギャップ膜3、上部磁性膜4、コイル膜5及
び層間絶縁膜6の薄膜積層構造を有し、全体をAl2O3
の保護膜7によって被覆した構造となっている。
【0024】下部磁性膜2及び上部磁性膜4はギャップ
膜3を介して対向するポール部21、41と、ポール部
21、41に連続するヨーク部22、42とを有してい
る。上部磁性膜4のポール部41はセラミック構造体で
あるウエハー1の面に対して実質的に平行となるように
形成された先端部領域411の後方に、ウエハー1の面
から離れる方向に立ち上が変位領域412を有し、変位
領域412を経てヨーク42に連なっている。ポール部
41の先端から変位開始点Yまでの深さTHがスロート
ハイトである。ヨーク22及びヨーク42は後方領域で
磁気回路を完成するように結合されている。
【0025】薄膜磁気ヘッド素子Q11〜Qnmのそれぞれ
は、図10に示すように、加工マーク8を有している。
加工マーク8は、薄膜磁気ヘッド素子Q11〜Qnmのそれ
ぞれにおいて、スロートハイトTHを定める基準となる
変位開始点Yに対して、所定の位置関係となるように付
されている。
【0026】第2の工程は、図5に図示されている。図
5に示されるように、第2の工程は、複数列H1 及びH
2 を含むヘッドピース集合体Hの両切断面h1 及びh2
のうちの一面h1 を取付具9に取り付ける。そして、取
付面h1 と対向する他面h2に研磨加工を施す。研磨加
工は研削加工を含むことがある。ヘッドピース集合体H
の研磨は、特開平1ー153264号公報、特開平1ー
153265号公報等に開示された技術を適用して実行
できる。これらの公知文献に記載された研磨装置は回転
体を含み、この回転体は、例えばスズ等の軟質金属部材
を用いて円板状に形成された研磨部材の背面に、例えば
ステンレス等の金属材料によって円板状に形成された支
持部材を、接着剤によって一体的に面接合させてある。
支持部材は、機械的強度の不充分な研磨部材を支持する
ために設けられている。研磨に当っては、回転体を面回
転させ、かつ、研磨部材の表面にダイヤモンド粒子等を
含む研磨材を供給しながら、研磨部材の表面にヘッドピ
ース集合体Hの研磨面を接触させる。治具は回転半径方
向に平行移動させ、研磨部材の表面の全面で研磨が行な
われるようにする。治具及びヘッドピース集合体Hは自
転が加えられる。
【0027】第3の工程は、図6〜図8に示されてい
る。第3の工程は、第2の工程の後、ヘッドピース集合
体Hに含まれる複数列H1 及びH2 のうち、最上列H1
を他の列H2 から切離す工程を含んでいる。図6の線X
ーXは切断位置を示している。
【0028】切り離された列H2は、この後、図8に示
すように、他の取付具10に貼りつけられ、レール加工
等の後工程に付される。レール形成工程は、通常、フォ
トリソグラフィ技術及びミリング工程等を通してレール
を形成する工程として実行される。そして、切断工程等
を経て、最終的に、ヘッドピース集合体H2から薄膜磁
気ヘッド素子Q21〜Q2mのそれぞれを個別的に取り
出す。
【0029】取付具9に残された列H1は、分割面に研
削及び研磨加工等を施した後、取付具9から剥離してレ
ール加工等の後工程に付される。レール加工及びぞの後
の工程は、切り離された列H2の場合と同様であり、最
終的に磁気ヘッド素子Q11〜Q1mのそれぞれが個別
的に取り出される。
【0030】上述したように、第1の工程は、基体1a
上に多数の薄膜磁気ヘッド素子Q11〜Qnmを格子状に配
列したウエハー1から、薄膜磁気ヘッド素子Q11〜Qnm
の複数列H1 及びH2 を含むヘッドピース集合体Hを、
切断によって取出す工程を含んでいるから、従来の単列
ヘッドピース集合体Hに比較して、取出された複数列ヘ
ッドピース集合体Hは、湾曲及び曲りが著しく小さくな
る。このため、第2工程及び第3工程等の後の工程で、
複数列ヘッドピース集合体Hに研磨を施してスロートハ
イトTHを所定値に設定する場合、ヘッドピース集合体
Hの湾曲及び曲りに起因するスロートハイトTHの変動
を防止できる。
【0031】図12は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製
造方法によって得られた複数列(2列)ヘッドピース集
合体の表面うねりヒストグラムを示し、図13は単列ヘ
ッドピース集合体の表面うねりヒストグラムを示してい
る。図12及び図13の比較から、本発明によれば、表
面うねり平均値を従来の1.877μmから、0.96
7μmに半減できる。表面うねりの標準偏差も、従来の
1.668μmから0.647μmに低減できる。
【0032】図14は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製
造方法によって得られた複数列(2列)ヘッドピース集
合体の接着前TH(スロートハイト)曲りヒストグラム
を示し、図15は単列ヘッドピース集合体の接着前TH
曲りヒストグラムを示している。図14及び図15の比
較から、本発明によれば、接着前TH曲り平均値を従来
の0.813μmから、0.181μmに著しく改善で
きる。接着前TH曲り標準偏差も、従来の0.677μ
mから0.107μmに著しく改善できる。
【0033】図16は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製
造方法によって得られた複数列(2列)ヘッドピース集
合体の接着前TH(スロートハイト)曲りヒストグラム
を示し、図17は単列ヘッドピース集合体の接着後TH
曲りヒストグラムを示している。図16及び図17の比
較から、本発明によれば、接着後TH曲り平均値を従来
の0.937μmから、0.2841μmに著しく減で
きる。接着後TH曲り標準偏差も、従来の0.765μ
mから0.167μmに著しく改善できる。
【0034】取出された複数列ヘッドピース集合体Hに
含まれる各列H1 及びH2 の薄膜磁気ヘッド素子Q11〜
Q1n、Q21〜Q2nは同一の切断面h1 またはh2 に対し
て同一の方向性を有しているから、各列H1 及びH2 の
薄膜磁気ヘッド素子Q11〜Q1n、Q21〜Q2nが同一の方
向性を有する一般的な薄膜磁気ヘッド素子配置及びパタ
ーンを有するウエハー1及びマスクを用いることができ
るヘッドピース集合体Hに含まれる各列H1 及びH2 の
薄膜磁気ヘッド素子Q11〜Q1n、Q21〜Q2nは同一の切
断面h1 またはh2 に対して同一の方向性を有している
から、2列以上の複数列H1 及びH2 を含むヘッドピー
ス集合体Hを用いて製造工程を実行することが可能であ
る。図示では2列であるが、それ以上の列数であっても
よいのである。
【0035】第2の工程はヘッドピース集合体Hの両切
断面h1 及びh2 のうちの一面h1を取付具9に取り付
け、他面h2 に研磨加工を施す工程を含んでいるから、
取付具9から含むヘッドピース集合体Hを取外すことな
く、最上列H1 に研磨加工を施すことができる。このた
め、特開平4ー289511号公報に記載された従来技
術と比較して、製造効率が高くなる。第3の工程は、第
2の工程の後に、ヘッドピース集合体Hに含まれる複数
列H1 及びH2 のうち、最上列H1 を他の列H2 から切
離す。これにより、研磨加工の済んだ最上列H1 が取出
される。
【0036】第2の工程及び第3工程を通して、ヘッド
ピース集合体Hは、両切断面h1 及びh2 のうちの一面
h1 のみが取付具9に取り付けられ、他面h2 は開放さ
れている。このため、両切断面h1 及びh2 に取付具9
を接着する場合と異なって、取付具9に対するヘッドピ
ース集合体Hの接着歪による影響が小さくなる。
【0037】実施例では、1つの磁気ヘッド要素が2つ
の薄膜磁気ヘッド素子を含む例を示したが、1つの素子
だけを有する構造であってもよい。また、媒体対向面側
にレールを有するタイプのものにも、レールを有しない
タイプのものにも適用できる。更に、誘導型電磁変換素
子と共に、磁気抵抗効果素子を用いた薄膜磁気ヘッドに
も適用できる。
【0038】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば次の
効果を得ることができる。 (a)ヘッドピース集合体の湾曲及び曲りに起因するス
ロートハイトの変動を防止し得る薄膜磁気ヘッドの製造
方法を提供することができる。 (b)一般的な薄膜磁気ヘッド素子配置を有するウエハ
ー及びマスクを用い得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提
供することができる。 (c)特開平4ー289511号公報等に記載された従
来技術に比較して、製造効率の高い薄膜磁気ヘッドの製
造方法を提供することができる。 (d)取付具に対するヘッドピース集合体の接着歪によ
る影響を軽減し得る薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供す
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の第1
の工程に含まれる工程を示す図である。
【図2】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の第1
の工程に含まれる別の工程を示す図である。
【図3】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の第1
の工程に含まれる別の工程を示す図である。
【図4】図1〜図3の工程を経て得られた複数列ヘッド
ピース集合体の斜視図である。
【図5】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の第2
の工程に含まれる工程を示す図である。
【図6】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法の第3
の工程に含まれる工程を示す図である。
【図7】図6の工程の後の状態を示す図である。
【図8】図7の工程の後の状態を示す図である。
【図9】図8に示された工程の部分拡大図である。
【図10】薄膜磁気ヘッド素子の平面拡大部分破断面図
である。
【図11】図10のA11ーA11線上における断面図であ
る。
【図12】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
って得られた複数列(2列)ヘッドピース集合体の表面
うねりヒストグラムである。
【図13】単列ヘッドピース集合体の表面うねりヒスト
グラムである。
【図14】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
って得られた複数列(2列)ヘッドピース集合体の接着
前TH(スロートハイト)曲りヒストグラムである。
【図15】単列ヘッドピース集合体の接着前TH曲りヒ
ストグラムである。
【図16】本発明に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法によ
って得られた複数列(2列)ヘッドピース集合体の接着
後TH(スロートハイト)曲りヒストグラムである。
【図17】単列ヘッドピース集合体の接着後TH曲りヒ
ストグラムである。
【符号の説明】
1 ウエハー Q11〜Qnm 薄膜磁気ヘッド素子 H ヘッドピース集合体 H1、H2 列

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の工程を含む薄膜磁気ヘッドの製造
    方法であって、 第1の工程は、基体上に多数の薄膜磁気ヘッド素子を格
    子状に配列したウエハーから、前記薄膜磁気ヘッド素子
    の複数列を含むヘッドピース集合体を、切断によって取
    出す工程を含み、取出された前記ヘッドピース集合体に
    含まれる各列の前記薄膜磁気ヘッド素子は同一の切断面
    に対して同一の方向性を有しており、 第2の工程は、前記ヘッドピース集合体の両切断面の一
    面を取付具に取り付け、他面に研磨加工を施す工程を含
    んでおり、 第3の工程は、前記第2の工程の後、前記ヘッドピース
    集合体に含まれる複数列のうち、前記最上列を他の列か
    ら切離す工程を含んでいる薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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