JP2003140366A - アライメントマーク作製方法 - Google Patents
アライメントマーク作製方法Info
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 アライメントマークを位置あわせに用いた
後、痕跡を残さずに基板表面から容易に除去することが
できるアライメントマークの作製方法を提供する。 【解決手段】 基板３０上に第１のフォトレジスト層３
２を形成した後、第１のフォトレジスト層３２をパター
ニングすることによって第１のフォトレジスト層３２か
らアライメントマーク３３を形成する。次に、アライメ
ントマーク３３を覆うように第２のフォトレジスト層３
４を形成した後、アライメントマーク３３を基準として
第２のフォトレジスト層３４をパターニングする。こう
して形成したレジストマスク３５を用いて基板３０の表
面をエッチングした後、レジストマスク３５とアライメ
ントマーク３３を除去し、アライメントマーク３３が存
在していた領域を平坦にする。
後、痕跡を残さずに基板表面から容易に除去することが
できるアライメントマークの作製方法を提供する。 【解決手段】 基板３０上に第１のフォトレジスト層３
２を形成した後、第１のフォトレジスト層３２をパター
ニングすることによって第１のフォトレジスト層３２か
らアライメントマーク３３を形成する。次に、アライメ
ントマーク３３を覆うように第２のフォトレジスト層３
４を形成した後、アライメントマーク３３を基準として
第２のフォトレジスト層３４をパターニングする。こう
して形成したレジストマスク３５を用いて基板３０の表
面をエッチングした後、レジストマスク３５とアライメ
ントマーク３３を除去し、アライメントマーク３３が存
在していた領域を平坦にする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アライメントマー
クの作製方法、レジストマスク作製方法、パターン転写
方法、識別情報付き基板の作製方法、および磁気ヘッド
用セラミックス基板の製造方法に関している。
クの作製方法、レジストマスク作製方法、パターン転写
方法、識別情報付き基板の作製方法、および磁気ヘッド
用セラミックス基板の製造方法に関している。
【０００２】
【従来の技術】磁気ヘッド用セラミックス基板は、その
上に磁性薄膜などが積層された後、最終的には複数のチ
ップに分割される。各チップは磁気ヘッドに組み込まれ
て使用される。各チップがどのような基板に由来するか
を明らかにするには、基板の所定部分に識別情報を記録
しておけばよい。チップが基板のどの位置に由来するか
らを明らかにするには、基板の各部（各チップに対応す
る部分）に相互に異なる識別情報を割り当てておけばよ
い。
上に磁性薄膜などが積層された後、最終的には複数のチ
ップに分割される。各チップは磁気ヘッドに組み込まれ
て使用される。各チップがどのような基板に由来するか
を明らかにするには、基板の所定部分に識別情報を記録
しておけばよい。チップが基板のどの位置に由来するか
らを明らかにするには、基板の各部（各チップに対応す
る部分）に相互に異なる識別情報を割り当てておけばよ
い。
【０００３】従来、基板に上記識別番号を記録する方法
には、レーザマーカーを用いて基板表面に識別情報を刻
印する方法が広く用いられてきた。しかし、この方法に
よれば、レーザの照射によって基板表面の一部を溶融・
飛散させるため、刻印部分がダストの発生原因となるな
どの不都合があった。磁気ヘッド用基板のように,清浄
さが強く求められる基板の場合、ダストの発生は避けな
ければならない。
には、レーザマーカーを用いて基板表面に識別情報を刻
印する方法が広く用いられてきた。しかし、この方法に
よれば、レーザの照射によって基板表面の一部を溶融・
飛散させるため、刻印部分がダストの発生原因となるな
どの不都合があった。磁気ヘッド用基板のように,清浄
さが強く求められる基板の場合、ダストの発生は避けな
ければならない。
【０００４】このため、パターニングしたフォトレジス
トマスクを用いて、基板表面をエッチングすることによ
って識別情報を記録する方法が検討されている。一枚の
基板から多数のチップを取り出すには、識別情報を基板
の対応する位置に高い精度で記録する必要がある。この
ためには、識別情報を規定するパターンと基板との間で
高精度の位置あわせを行う必要があり、位置合わせのた
めのアライメントマークを基板上に形成することが求め
られる。
トマスクを用いて、基板表面をエッチングすることによ
って識別情報を記録する方法が検討されている。一枚の
基板から多数のチップを取り出すには、識別情報を基板
の対応する位置に高い精度で記録する必要がある。この
ためには、識別情報を規定するパターンと基板との間で
高精度の位置あわせを行う必要があり、位置合わせのた
めのアライメントマークを基板上に形成することが求め
られる。
【０００５】半導体集積回路装置の製造工程では、通
常、種々の薄膜が形成されては、各薄膜がフォトリソグ
ラフィ技術によってエッチングされ、微細に加工され
る。
常、種々の薄膜が形成されては、各薄膜がフォトリソグ
ラフィ技術によってエッチングされ、微細に加工され
る。
【０００６】ここで、下層の配線パターンに対して上層
の配線パターンの位置合わせを行う場合を考える。この
ような場合、まず、上層配線用の金属膜を堆積した後、
フォトレジスト層を金属膜上に形成する。その後、フォ
トレジスト層に所定の配線パターンを与えるため、露光
装置でフォトマスクの位置が調整される。この位置の調
節は、基板上に形成されたアライメントマークを基準に
して実行される。
の配線パターンの位置合わせを行う場合を考える。この
ような場合、まず、上層配線用の金属膜を堆積した後、
フォトレジスト層を金属膜上に形成する。その後、フォ
トレジスト層に所定の配線パターンを与えるため、露光
装置でフォトマスクの位置が調整される。この位置の調
節は、基板上に形成されたアライメントマークを基準に
して実行される。
【０００７】このアライメントマークは、下層に位置す
る基板表面や他の薄膜に形成された凹部や凸部から構成
される。アライメントマークは、例えば、金属膜をパタ
ーニングして下層配線を形成する際に、その金属膜から
パターニングされて形成される。このようなアライメン
トマークは、最終的に除去される必要はなく、通常、基
板上に残存することが多い。
る基板表面や他の薄膜に形成された凹部や凸部から構成
される。アライメントマークは、例えば、金属膜をパタ
ーニングして下層配線を形成する際に、その金属膜から
パターニングされて形成される。このようなアライメン
トマークは、最終的に除去される必要はなく、通常、基
板上に残存することが多い。
【０００８】基板の表面に直接的にアライメントマーク
を形成する場合、基板の表面をエッチングし、基板表面
に凹部状アライメントマークを形成することも可能であ
る。しかし、基板表面に識別情報を記録する場合、識別
情報以外の不要な凹凸が基板上に存在することは好まし
くない。従って、アライメントマークは、アライメント
工程が終了した後、基板からきれいに取り除かれること
が望ましい。
を形成する場合、基板の表面をエッチングし、基板表面
に凹部状アライメントマークを形成することも可能であ
る。しかし、基板表面に識別情報を記録する場合、識別
情報以外の不要な凹凸が基板上に存在することは好まし
くない。従って、アライメントマークは、アライメント
工程が終了した後、基板からきれいに取り除かれること
が望ましい。
【０００９】以上のことから、次に示すようなアライメ
ントマーク作製方法が提案されている。以下、図面を参
照しながら、このアライメントマーク作製方法を説明す
る。
ントマーク作製方法が提案されている。以下、図面を参
照しながら、このアライメントマーク作製方法を説明す
る。
【００１０】まず、図１Ａ（ａ）に示すように、基板１
０上に金属膜１２を堆積した後、金属膜１２上にフォト
レジスト層１４を形成する。次に、フォトリソグラフィ
技術を用いて、フォトレジスト層１４をパターニングす
ることにより、アライメントマークを規定するパターン
をフォトレジスト層に転写する。具体的には、スピンコ
ート法によってポジ型のフォトレジスト層（厚さ：例え
ば１μｍ）１４を金属膜１２上に塗布した後、アライメ
ントマークのパターンを規定するフォトマスクを通して
フォトレジスト層１４の所定領域に光を照射する。フォ
トレジスト層１４のうち、光照射を受けた部分（露光部
分）は光分解によって現像液に可溶となる。次に、現像
工程で露光部分を現像液中に溶かすことにより、図１Ａ
（ｂ）に示すように、フォトレジスト層の非露光部分か
らなるレジストマスク１５を形成する。
０上に金属膜１２を堆積した後、金属膜１２上にフォト
レジスト層１４を形成する。次に、フォトリソグラフィ
技術を用いて、フォトレジスト層１４をパターニングす
ることにより、アライメントマークを規定するパターン
をフォトレジスト層に転写する。具体的には、スピンコ
ート法によってポジ型のフォトレジスト層（厚さ：例え
ば１μｍ）１４を金属膜１２上に塗布した後、アライメ
ントマークのパターンを規定するフォトマスクを通して
フォトレジスト層１４の所定領域に光を照射する。フォ
トレジスト層１４のうち、光照射を受けた部分（露光部
分）は光分解によって現像液に可溶となる。次に、現像
工程で露光部分を現像液中に溶かすことにより、図１Ａ
（ｂ）に示すように、フォトレジスト層の非露光部分か
らなるレジストマスク１５を形成する。
【００１１】次に、図１Ａ（ｃ）に示すように、金属膜
１２のうち、レジストマスク１５によって覆われていな
い部分をエッチングすることにより、金属膜１２からア
ライメントマーク１３を形成する。アライメントマーク
１３の形状および位置は、レジストマスク１５によって
規定される。
１２のうち、レジストマスク１５によって覆われていな
い部分をエッチングすることにより、金属膜１２からア
ライメントマーク１３を形成する。アライメントマーク
１３の形状および位置は、レジストマスク１５によって
規定される。
【００１２】次に、図１Ａ（ｄ）に示すように、レジス
トマスク１５を除去した後、図１Ｂ（ａ）に示すよう
に、アライメントマーク１３を覆うように第２のフォト
レジスト層（厚さ：例えば１μｍ）１３を形成する。
トマスク１５を除去した後、図１Ｂ（ａ）に示すよう
に、アライメントマーク１３を覆うように第２のフォト
レジスト層（厚さ：例えば１μｍ）１３を形成する。
【００１３】図１Ｂ（ｂ）に示すように、フォトリソグ
ラフィ技術によって第２のフォトレジスト層１３の所定
部分を露光・現像し、第２のフォトレジスト層１６をパ
ターニングする。こうして、識別情報を規定する開口部
１８を有するレジストマスク１７を形成する。
ラフィ技術によって第２のフォトレジスト層１３の所定
部分を露光・現像し、第２のフォトレジスト層１６をパ
ターニングする。こうして、識別情報を規定する開口部
１８を有するレジストマスク１７を形成する。
【００１４】図１Ｂ（ｃ）に示すように、上記のレジス
トマスク１７で覆われていない基板表面領域をエッチン
グし、基板１０の表面に識別情報を示す凹部２０を形成
することができる。この後、レジストマスク１７は、図
１Ｂ（ｄ）に示すように、除去される。
トマスク１７で覆われていない基板表面領域をエッチン
グし、基板１０の表面に識別情報を示す凹部２０を形成
することができる。この後、レジストマスク１７は、図
１Ｂ（ｄ）に示すように、除去される。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】上記の方法で基板１０
の表面に識別情報を記録する場合、基板表面の識別情報
が記録されていない領域において、アライメントマーク
１３が残存している。
の表面に識別情報を記録する場合、基板表面の識別情報
が記録されていない領域において、アライメントマーク
１３が残存している。
【００１６】上記のような識別情報付き基板に、アライ
メントマーク１３のような不要な凸部が存在すると、基
板１０上に形成すべき積層構造の平坦性が低下してしま
うなどの不都合が生じる。基板１０の裏面に識別情報を
刻印する場合は、基板１０の裏面に上記アライメントマ
ーク１３が残存すると、基板１０を搬送したり、各種機
器のホルダ（基板保持手段）に固定する際に不都合が生
じるおそれもある。
メントマーク１３のような不要な凸部が存在すると、基
板１０上に形成すべき積層構造の平坦性が低下してしま
うなどの不都合が生じる。基板１０の裏面に識別情報を
刻印する場合は、基板１０の裏面に上記アライメントマ
ーク１３が残存すると、基板１０を搬送したり、各種機
器のホルダ（基板保持手段）に固定する際に不都合が生
じるおそれもある。
【００１７】このような問題を解決するには、位置あわ
せ工程が終了し、アライメントマーク１３が不要になっ
た時点でアライメントマーク１３を基板１０から除去す
ることが好ましい。しかしなから、金属膜１２から形成
したアライメントマーク１３を基板１０から取り除くに
は、適切なエッチャントを用いてアライメントマーク１
３を完全にエッチングする工程が必要になる。
せ工程が終了し、アライメントマーク１３が不要になっ
た時点でアライメントマーク１３を基板１０から除去す
ることが好ましい。しかしなから、金属膜１２から形成
したアライメントマーク１３を基板１０から取り除くに
は、適切なエッチャントを用いてアライメントマーク１
３を完全にエッチングする工程が必要になる。
【００１８】金属のエッチングは、金属膜１２からアラ
イメントマーク１３を形成するときにも行われる。この
場合、金属膜１２のパターニングを高い精度で実行する
必要がある場合、例えばドライエッチング装置を用いて
エッチングを行う必要がある。しかしながら、ドライエ
ッチングは、広い基板面内において均一なレートで行う
ことが難しいので、エッチング不足の発生を防止するた
め、オーバエッチが生じるエッチング条件を採用する必
要がある。そのようなエッチング条件を採用した場合、
図２に示すように、アライメントマーク１３のエッジ部
分において段差Ａが形成されてしまう場合がある。この
ような段差Ａは、アライメントマーク１３を除去した後
も残存するため、識別情報を光学的に読み出すとき、読
み出し精度を低下させる原因となりえる。
イメントマーク１３を形成するときにも行われる。この
場合、金属膜１２のパターニングを高い精度で実行する
必要がある場合、例えばドライエッチング装置を用いて
エッチングを行う必要がある。しかしながら、ドライエ
ッチングは、広い基板面内において均一なレートで行う
ことが難しいので、エッチング不足の発生を防止するた
め、オーバエッチが生じるエッチング条件を採用する必
要がある。そのようなエッチング条件を採用した場合、
図２に示すように、アライメントマーク１３のエッジ部
分において段差Ａが形成されてしまう場合がある。この
ような段差Ａは、アライメントマーク１３を除去した後
も残存するため、識別情報を光学的に読み出すとき、読
み出し精度を低下させる原因となりえる。
【００１９】本発明はかかる諸点に鑑みてなされたもの
であり、その主な目的は、フォトリソグラフィ工程の位
置あわせに用いた後、基板表面から痕跡を残さずに容易
に除去することができるアライメントマークを作製する
方法に関している。
であり、その主な目的は、フォトリソグラフィ工程の位
置あわせに用いた後、基板表面から痕跡を残さずに容易
に除去することができるアライメントマークを作製する
方法に関している。
【００２０】本発明の他の目的は、上記アライメントマ
ークの作製方法を用いたレジストマスク作製方法、パタ
ーン転写方法、識別情報付き基板の作製方法、および磁
気ヘッド用セラミックス基板の製造方法を提供すること
にある。
ークの作製方法を用いたレジストマスク作製方法、パタ
ーン転写方法、識別情報付き基板の作製方法、および磁
気ヘッド用セラミックス基板の製造方法を提供すること
にある。
【００２１】
【課題を解決するための手段】本発明によるアライメン
トマーク作製方法は、フォトレジスト層を形成する工程
と、前記フォトレジスト層をパターニングすることによ
って、前記フォトレジスト層からアライメントマークを
形成する工程とを包含する。
トマーク作製方法は、フォトレジスト層を形成する工程
と、前記フォトレジスト層をパターニングすることによ
って、前記フォトレジスト層からアライメントマークを
形成する工程とを包含する。
【００２２】好ましい実施形態において、前記アライメ
ントマーク上にバリア膜を堆積する工程を更に包含す
る。
ントマーク上にバリア膜を堆積する工程を更に包含す
る。
【００２３】本発明によるレジストマスク作製方法は、
パターン転写の対象物上に第１のフォトレジスト層を形
成する工程と、前記第１のフォトレジスト層をパターニ
ングすることによって、前記第１のフォトレジスト層か
らアライメントマークを形成する工程と、前記アライメ
ントマークを覆うように第２のフォトレジスト層を形成
する工程と、前記アライメントマークを基準として、前
記第２のフォトレジスト層をパターニングする工程とを
包含する。
パターン転写の対象物上に第１のフォトレジスト層を形
成する工程と、前記第１のフォトレジスト層をパターニ
ングすることによって、前記第１のフォトレジスト層か
らアライメントマークを形成する工程と、前記アライメ
ントマークを覆うように第２のフォトレジスト層を形成
する工程と、前記アライメントマークを基準として、前
記第２のフォトレジスト層をパターニングする工程とを
包含する。
【００２４】好ましい実施形態において、前記第２のフ
ォトレジスト層をパターニングする工程は、前記アライ
メントマークを基準とする位置あわせを行った後、前記
第２のフォトレジスト層の所定領域を露光する工程と、
前記第２のフォトレジスト層を現像し、パターニングす
ることによって、レジストマスクを形成する工程とを含
んでいる。
ォトレジスト層をパターニングする工程は、前記アライ
メントマークを基準とする位置あわせを行った後、前記
第２のフォトレジスト層の所定領域を露光する工程と、
前記第２のフォトレジスト層を現像し、パターニングす
ることによって、レジストマスクを形成する工程とを含
んでいる。
【００２５】好ましい実施形態において、前記第１のフ
ォトレジスト層は、前記第２のフォトレジスト層に含ま
れる溶剤によって軟化しない材料から形成されている。
ォトレジスト層は、前記第２のフォトレジスト層に含ま
れる溶剤によって軟化しない材料から形成されている。
【００２６】好ましい実施形態において、前記第１のフ
ォトレジスト層は、ゴム系フォトレジスト材料から形成
されている。
ォトレジスト層は、ゴム系フォトレジスト材料から形成
されている。
【００２７】好ましい実施形態において、前記アライメ
ントマークを形成した後、前記第２のフォトレジスト層
を形成する前に、前記アライメントマークを覆うように
バリア膜を堆積する工程を更に包含する。
ントマークを形成した後、前記第２のフォトレジスト層
を形成する前に、前記アライメントマークを覆うように
バリア膜を堆積する工程を更に包含する。
【００２８】好ましい実施形態において、前記バリア膜
を堆積する工程はスパッタリング法によってアルミニウ
ム膜を形成する工程を含む。
を堆積する工程はスパッタリング法によってアルミニウ
ム膜を形成する工程を含む。
【００２９】本発明によるパターン転写方法は、上記い
ずれかのレジストマスク作製方法によって作製したレジ
ストマスクを用いて、前記第２のフォトレジスト層のパ
ターンを前記対象物に転写する工程を包含する。
ずれかのレジストマスク作製方法によって作製したレジ
ストマスクを用いて、前記第２のフォトレジスト層のパ
ターンを前記対象物に転写する工程を包含する。
【００３０】好ましい実施形態において、前記パターン
を下地に転写する工程は、前記対象物の表面をのうち前
記第２のフォトレジスト層に覆われていない領域をエッ
チングする工程を含む。
を下地に転写する工程は、前記対象物の表面をのうち前
記第２のフォトレジスト層に覆われていない領域をエッ
チングする工程を含む。
【００３１】好ましい実施形態において、前記パターン
を下地に転写する工程は、前記対象物の表面をのうち前
記第２のフォトレジスト層に覆われていない領域に凸部
を形成する工程を含む。
を下地に転写する工程は、前記対象物の表面をのうち前
記第２のフォトレジスト層に覆われていない領域に凸部
を形成する工程を含む。
【００３２】好ましい実施形態において、前記パターン
を下地に転写する工程は、前記対象物の表面をのうち前
記第２のフォトレジスト層に覆われていない領域を改質
する工程を含む。
を下地に転写する工程は、前記対象物の表面をのうち前
記第２のフォトレジスト層に覆われていない領域を改質
する工程を含む。
【００３３】好ましい実施形態において、前記パターン
を前記対象物に転写した後、前記第２のフォトレジスト
層および前記アライメントマークを除去する。
を前記対象物に転写した後、前記第２のフォトレジスト
層および前記アライメントマークを除去する。
【００３４】好ましい実施形態において、前記対象物は
少なくとも１層の薄膜であり、前記エッチング工程によ
り、前記薄膜がパターニングされる。
少なくとも１層の薄膜であり、前記エッチング工程によ
り、前記薄膜がパターニングされる。
【００３５】本発明による基板の作製方法は、前記対象
物として基板を用意する工程と、上記いずれかのパター
ン転写方法によって前記基板にパターンを転写する工程
とを包含する。
物として基板を用意する工程と、上記いずれかのパター
ン転写方法によって前記基板にパターンを転写する工程
とを包含する。
【００３６】好ましい実施形態において、前記パターン
は識別情報である。
は識別情報である。
【００３７】好ましい実施形態において、前記基板は、
セラミックス材料から形成されている。
セラミックス材料から形成されている。
【００３８】磁気ヘッド用セラミックス基板の製造方法
は、セラミックス基板を用意する工程と、前記セラミッ
クス基板上に第１のフォトレジスト層を形成する工程
と、前記第１のフォトレジスト層をパターニングするこ
とによって、前記第１のフォトレジスト層からアライメ
ントマークを形成する工程と、第２のフォトレジスト層
で前記アライメントマークを覆う工程と、前記アライメ
ントマークを基準とする位置あわせを行った後、前記第
２のフォトレジスト層の所定領域を露光する工程と、前
記第２のフォトレジスト層を現像し、パターニングする
ことによって、レジストマスクを形成する工程と、前記
レジストマスクを用いて、前記セラミックス基板に識別
情報を記録する工程と、前記第２のフォトレジスト層お
よびアライメントマークを除去する工程とを包含する。
は、セラミックス基板を用意する工程と、前記セラミッ
クス基板上に第１のフォトレジスト層を形成する工程
と、前記第１のフォトレジスト層をパターニングするこ
とによって、前記第１のフォトレジスト層からアライメ
ントマークを形成する工程と、第２のフォトレジスト層
で前記アライメントマークを覆う工程と、前記アライメ
ントマークを基準とする位置あわせを行った後、前記第
２のフォトレジスト層の所定領域を露光する工程と、前
記第２のフォトレジスト層を現像し、パターニングする
ことによって、レジストマスクを形成する工程と、前記
レジストマスクを用いて、前記セラミックス基板に識別
情報を記録する工程と、前記第２のフォトレジスト層お
よびアライメントマークを除去する工程とを包含する。
【００３９】
【発明の実施の形態】本発明では、アライメントマーク
をフォトレジストから形成する。フォトレジストは、金
属膜よりも容易に除去することができ、また除去後に下
地表面に不要な段差などの凹凸（痕跡）を残すこともな
い。このため、本発明によれば、必要なパターン転写工
程を終えた後、位置あわせに用いたアライメントマーク
を除去し、転写パターンを形成した領域以外の領域を平
坦にすることができる。
をフォトレジストから形成する。フォトレジストは、金
属膜よりも容易に除去することができ、また除去後に下
地表面に不要な段差などの凹凸（痕跡）を残すこともな
い。このため、本発明によれば、必要なパターン転写工
程を終えた後、位置あわせに用いたアライメントマーク
を除去し、転写パターンを形成した領域以外の領域を平
坦にすることができる。
【００４０】（実施形態１）以下、図面を参照しなが
ら、本発明によるアライメントマーク作製方法の最初の
実施形態を説明する。本実施形態では、Ａｌ2Ｏ3および
ＴｉＣの２種類の材複合料から構成されたＡｌ2Ｏ3−Ｔ
ｉＣ系セラミックスウェハ（基板）上に識別情報を刻印
する。
ら、本発明によるアライメントマーク作製方法の最初の
実施形態を説明する。本実施形態では、Ａｌ2Ｏ3および
ＴｉＣの２種類の材複合料から構成されたＡｌ2Ｏ3−Ｔ
ｉＣ系セラミックスウェハ（基板）上に識別情報を刻印
する。
【００４１】まず、図３（ａ）に示すように、上記セラ
ミックス基板３０上に第１のフォトレジスト層（厚さ：
０．１〜１０μｍ程度）３２を形成した後、レジスト材
料中の溶剤を揮発させるためにプリベーク工程を行う。
プリベーク工程の温度および時間は、フォトレジストの
種類に応じて適宜設定される。この後、図３（ｂ）に示
すように、フォトレジスト層３２を露光・現像すること
により、第１のフォトレジスト層３２からアライメント
マーク３３を形成する。
ミックス基板３０上に第１のフォトレジスト層（厚さ：
０．１〜１０μｍ程度）３２を形成した後、レジスト材
料中の溶剤を揮発させるためにプリベーク工程を行う。
プリベーク工程の温度および時間は、フォトレジストの
種類に応じて適宜設定される。この後、図３（ｂ）に示
すように、フォトレジスト層３２を露光・現像すること
により、第１のフォトレジスト層３２からアライメント
マーク３３を形成する。
【００４２】本実施形態では、スピンコート法などによ
ってネガ型のゴム系フォトレジスト層３２を基板３０上
に塗布した後、アライメントマークのパターンを規定す
るフォトマスクを通してフォトレジスト層３２の所定領
域に光を照射する。本実施形態で用いるフォトレジスト
層３２はゴム系のネガ型であるため、光照射を受けた部
分（露光部分）が光架橋反応によって現像液に不溶性と
なる。現像工程で非露光部分を現像液中に溶解すること
により、フォトレジスト層３２の露光部分からなるアラ
イメントマーク３３を形成することができる。このよう
にして形成したアライメントマーク３３に対しては、ポ
ストベーク工程を行うことが好ましい。ポストベーク工
程の温度および時間は、フォトレジストの種類に応じて
適宜設定される。アライメントマーク３３は、例えば、
図５に示すような平面レイアウト（パターン）を有して
いるが、この形状は任意である。
ってネガ型のゴム系フォトレジスト層３２を基板３０上
に塗布した後、アライメントマークのパターンを規定す
るフォトマスクを通してフォトレジスト層３２の所定領
域に光を照射する。本実施形態で用いるフォトレジスト
層３２はゴム系のネガ型であるため、光照射を受けた部
分（露光部分）が光架橋反応によって現像液に不溶性と
なる。現像工程で非露光部分を現像液中に溶解すること
により、フォトレジスト層３２の露光部分からなるアラ
イメントマーク３３を形成することができる。このよう
にして形成したアライメントマーク３３に対しては、ポ
ストベーク工程を行うことが好ましい。ポストベーク工
程の温度および時間は、フォトレジストの種類に応じて
適宜設定される。アライメントマーク３３は、例えば、
図５に示すような平面レイアウト（パターン）を有して
いるが、この形状は任意である。
【００４３】次に、図３（ｃ）に示すように、アライメ
ントマーク３３を覆うように第２のフォトレジスト層
（厚さ：５ｎｍ〜１０μｍ程度）３４を形成する。具体
的には、スピンコート法などにより、基板３０上にノボ
ラック系やゴム系フォトレジストを塗布して第２のフォ
トレジスト層３４を形成する。本実施形態では、第２の
フォトレジスト層３４に含まれる溶剤によって軟化しな
い材料から第１のフォトレジスト層３２を形成してい
る。第２のフォトレジスト層３４を微細加工に適したポ
ジ型フォトレジスト材料から形成する場合、第１のフォ
トレジスト層３２をゴム系フォトレジスト材料から形成
すれば、安定性に優れたアライメントマークを得ること
ができる。
ントマーク３３を覆うように第２のフォトレジスト層
（厚さ：５ｎｍ〜１０μｍ程度）３４を形成する。具体
的には、スピンコート法などにより、基板３０上にノボ
ラック系やゴム系フォトレジストを塗布して第２のフォ
トレジスト層３４を形成する。本実施形態では、第２の
フォトレジスト層３４に含まれる溶剤によって軟化しな
い材料から第１のフォトレジスト層３２を形成してい
る。第２のフォトレジスト層３４を微細加工に適したポ
ジ型フォトレジスト材料から形成する場合、第１のフォ
トレジスト層３２をゴム系フォトレジスト材料から形成
すれば、安定性に優れたアライメントマークを得ること
ができる。
【００４４】本実施形態によれば、第１のフォトレジス
ト層３２から形成したアライメントマーク３３が第２の
フォトレジスト層３４と直接に接触しているが、アライ
メントマーク３３の材料が第２のフォトレジスト層３４
に含まれる溶剤によって悪影響を受けないため、その形
状を適切に保持することができ、アライメントマーク３
３として安定的に機能する。
ト層３２から形成したアライメントマーク３３が第２の
フォトレジスト層３４と直接に接触しているが、アライ
メントマーク３３の材料が第２のフォトレジスト層３４
に含まれる溶剤によって悪影響を受けないため、その形
状を適切に保持することができ、アライメントマーク３
３として安定的に機能する。
【００４５】これに対し、第１のフォトレジスト層が第
２のフォトレジスト層との接触によって溶解する材料か
ら形成されている場合は、図６（ａ）に示すアライメン
トマーク６３が、第２のフォトレジスト層６４の塗布に
よって図６（ｂ）に示すように溶解・消失してしまい、
位置あわせができなくなる。第１のフォトレジスト層の
材料としてゴム系フォトレジストを用いた場合は、第２
のフォトレジスト層をゴム系またはノボラック系レジス
トのいずれから形成しても、アライメントマークの溶解
・消失は生じず、安定なアライメントマークを得ること
ができる。このことは、各層のフォトレジストがネガ型
かポジ型かに依存しない。
２のフォトレジスト層との接触によって溶解する材料か
ら形成されている場合は、図６（ａ）に示すアライメン
トマーク６３が、第２のフォトレジスト層６４の塗布に
よって図６（ｂ）に示すように溶解・消失してしまい、
位置あわせができなくなる。第１のフォトレジスト層の
材料としてゴム系フォトレジストを用いた場合は、第２
のフォトレジスト層をゴム系またはノボラック系レジス
トのいずれから形成しても、アライメントマークの溶解
・消失は生じず、安定なアライメントマークを得ること
ができる。このことは、各層のフォトレジストがネガ型
かポジ型かに依存しない。
【００４６】次に、図３（ｄ）に示すように、フォトリ
ソグラフィ技術によって第２のフォトレジスト層３４の
所定部分を露光・現像し、第２のフォトレジスト層３４
をパターニングする。こうして、識別情報を規定する複
数の開口部３６を有するレジストマスク３５を形成す
る。各開口部３６の平面形状は、例えば数字や文字など
の形を有している。なお、露光工程の前にはプリペーク
工程を行い、現像工程の後にはポストベーク工程を行う
ことが好ましい。
ソグラフィ技術によって第２のフォトレジスト層３４の
所定部分を露光・現像し、第２のフォトレジスト層３４
をパターニングする。こうして、識別情報を規定する複
数の開口部３６を有するレジストマスク３５を形成す
る。各開口部３６の平面形状は、例えば数字や文字など
の形を有している。なお、露光工程の前にはプリペーク
工程を行い、現像工程の後にはポストベーク工程を行う
ことが好ましい。
【００４７】第２のフォトレジスト層３４をパターニン
グしてレジストマスク３５を形成した後、図３（ｅ）に
示すように、レジストマスク３５で覆われていない基板
表面領域をエッチングし、基板３０の表面に凹部３８を
形成する。このエッチングは、用いる基板３０の材料に
応じて適切な方法を採用することができる。本実施形態
では、複合セラミックス基板を用いているため、本出願
人が特願２０００−２３９４３１の明細書および図面に
開示している方法を用いて基板表面を選択エッチングす
ることが望ましい。この選択エッチングによれば、凹部
３８の深さを浅くしても、被エッチング面に微細な凹凸
を形成することができるため、識別情報を認識する上で
充分な光反射率コントラストを得ることができる。
グしてレジストマスク３５を形成した後、図３（ｅ）に
示すように、レジストマスク３５で覆われていない基板
表面領域をエッチングし、基板３０の表面に凹部３８を
形成する。このエッチングは、用いる基板３０の材料に
応じて適切な方法を採用することができる。本実施形態
では、複合セラミックス基板を用いているため、本出願
人が特願２０００−２３９４３１の明細書および図面に
開示している方法を用いて基板表面を選択エッチングす
ることが望ましい。この選択エッチングによれば、凹部
３８の深さを浅くしても、被エッチング面に微細な凹凸
を形成することができるため、識別情報を認識する上で
充分な光反射率コントラストを得ることができる。
【００４８】上記エッチングの後、レジスト剥離液によ
ってレジストマスク３５およびアライメントマーク３３
を除去する。こうして、図３（ｆ）に示すように、表面
に識別情報を示す凹部３８が形成された基板３０を得る
ことができる。
ってレジストマスク３５およびアライメントマーク３３
を除去する。こうして、図３（ｆ）に示すように、表面
に識別情報を示す凹部３８が形成された基板３０を得る
ことができる。
【００４９】上記エッチングに際して、反応性イオンエ
ッチング（ＲＩＥ）などの異方性の高いプラズマエッチ
ングを行う場合、基板３０およびレジストマスク３５の
露出表面がプラズマに晒されることになる。レジストマ
スク３５の表面がプラズマに晒されると、プラズマ中に
存在するイオンがレジストマスク３５を高いエネルギで
照射するため、レジストマスク３５が基板３０から剥離
しにくい状態に変質することがある。このような場合
は、酸素プラズマ装置などのレジストアッシャーによっ
てレジストマスク３５を灰化した後、洗浄液でレジスト
残渣を除去することが好ましい。なお、エッチングプラ
ズマ中のイオンによってレジストマスク３５が硬化する
ような場合でも、アライメントマーク３３はレジストマ
スク３５に覆われているため、イオン衝撃を受けず、基
板３０から剥離しにくくなることはない。故に、レジス
トマスク３５を除去し得る公知のレジスト剥離方法を用
いれば、アライメントマーク３３をレジストマスク３５
とともに除去することは容易である。
ッチング（ＲＩＥ）などの異方性の高いプラズマエッチ
ングを行う場合、基板３０およびレジストマスク３５の
露出表面がプラズマに晒されることになる。レジストマ
スク３５の表面がプラズマに晒されると、プラズマ中に
存在するイオンがレジストマスク３５を高いエネルギで
照射するため、レジストマスク３５が基板３０から剥離
しにくい状態に変質することがある。このような場合
は、酸素プラズマ装置などのレジストアッシャーによっ
てレジストマスク３５を灰化した後、洗浄液でレジスト
残渣を除去することが好ましい。なお、エッチングプラ
ズマ中のイオンによってレジストマスク３５が硬化する
ような場合でも、アライメントマーク３３はレジストマ
スク３５に覆われているため、イオン衝撃を受けず、基
板３０から剥離しにくくなることはない。故に、レジス
トマスク３５を除去し得る公知のレジスト剥離方法を用
いれば、アライメントマーク３３をレジストマスク３５
とともに除去することは容易である。
【００５０】本実施形態によれば、レジストマスク３５
のパターンを基板３０に転写した後、基板３０に痕跡を
残すことなく、アライメントマーク３３を除去すること
ができる（図３（ｆ））。また、レジストマスク３５を
除去する工程で、レジストマスク３５とともにアライメ
ントマーク３３を除去することができるため、金属材料
から形成したアライメントマークを除去するよりも工程
が簡単化される。
のパターンを基板３０に転写した後、基板３０に痕跡を
残すことなく、アライメントマーク３３を除去すること
ができる（図３（ｆ））。また、レジストマスク３５を
除去する工程で、レジストマスク３５とともにアライメ
ントマーク３３を除去することができるため、金属材料
から形成したアライメントマークを除去するよりも工程
が簡単化される。
【００５１】（実施形態２）以下、図４を参照しなが
ら、本発明によるアライメントマーク作製方法の第２の
実施形態を説明する。
ら、本発明によるアライメントマーク作製方法の第２の
実施形態を説明する。
【００５２】まず、第１の実施形態で行った方法と同様
に方法により、基板３０上にフォトレジストのアライメ
ントマーク（厚さ：０．１〜１０μｍ）３３を形成する
（図４（ａ））。具体的には、スピンコート法などによ
ってネガ型フォトレジストを基板上に塗布した後、アラ
イメントマークのパターンを規定するフォトマスクを通
してネガ型フォトレジスト層の所定領域に光を照射す
る。フォトレジスト層のうち、光照射を受けた部分（露
光部分）は光架橋反応によって現像液に不溶性となる。
現像工程で非露光部分を現像液中に溶解することによ
り、フォトレジスト層の露光部分からなるアライメント
マーク３３を形成することができる。このようにして形
成したアライメントマーク３３に対しては、フォトレジ
ストの種類に応じて適宜設定される温度および時間でポ
ストベーク工程を行うことが好ましい。
に方法により、基板３０上にフォトレジストのアライメ
ントマーク（厚さ：０．１〜１０μｍ）３３を形成する
（図４（ａ））。具体的には、スピンコート法などによ
ってネガ型フォトレジストを基板上に塗布した後、アラ
イメントマークのパターンを規定するフォトマスクを通
してネガ型フォトレジスト層の所定領域に光を照射す
る。フォトレジスト層のうち、光照射を受けた部分（露
光部分）は光架橋反応によって現像液に不溶性となる。
現像工程で非露光部分を現像液中に溶解することによ
り、フォトレジスト層の露光部分からなるアライメント
マーク３３を形成することができる。このようにして形
成したアライメントマーク３３に対しては、フォトレジ
ストの種類に応じて適宜設定される温度および時間でポ
ストベーク工程を行うことが好ましい。
【００５３】次に、図４（ｂ）に示すように、アライメ
ントマーク３３を覆うようにバリア膜（厚さ：５ｎｍ〜
１０μｍ程度）４０を形成する。具体的には、スパッタ
法などの薄膜堆積技術により、アルミニウムなどの金属
膜（少なくとも１層）を堆積することが好ましい。バリ
ア膜４０は、その上に形成するフォトレジスト層が下層
のアライメントマーク３３と接触しないように機能す
る。バリア膜４０の厚さは、アライメントマークの認識
率を高くしながら、アライメントマークの除去に要する
時間を短縮するという観点から、例えば２０ｎｍ以上１
００ｎｍ以下に設定されることが好ましい。バリア膜４
０は、薄くても充分に機能し得るため、アライメントマ
ーク３３（第１のフォトレジスト層）よりも薄く形成さ
れることが好ましい。
ントマーク３３を覆うようにバリア膜（厚さ：５ｎｍ〜
１０μｍ程度）４０を形成する。具体的には、スパッタ
法などの薄膜堆積技術により、アルミニウムなどの金属
膜（少なくとも１層）を堆積することが好ましい。バリ
ア膜４０は、その上に形成するフォトレジスト層が下層
のアライメントマーク３３と接触しないように機能す
る。バリア膜４０の厚さは、アライメントマークの認識
率を高くしながら、アライメントマークの除去に要する
時間を短縮するという観点から、例えば２０ｎｍ以上１
００ｎｍ以下に設定されることが好ましい。バリア膜４
０は、薄くても充分に機能し得るため、アライメントマ
ーク３３（第１のフォトレジスト層）よりも薄く形成さ
れることが好ましい。
【００５４】次に、図４（ｃ）に示すようにバリア膜４
０上に第２のフォトレジスト層（厚さ：５ｎｍ〜１０μ
ｍ程度）を形成した後、露光・現像工程を行い、レジス
トマスク３５を形成する。具体的には、まず、スピンコ
ート法などにより、基板３０上にノボラック系フォトレ
ジストを塗布する。本実施形態では、バリア膜４０の介
在により、第２のフォトレジスト層とアライメントマー
ク３３とが直接に接触しないため、第２のフォトレジス
ト層に含まれる溶剤によって軟化しない材料から第１の
フォトレジスト層を形成する必要がない。すなわち、第
１のフォトレジスト層と第２のフォトレジスト層とを同
じポジ型フォトレジスト材料から形成してもよい。
０上に第２のフォトレジスト層（厚さ：５ｎｍ〜１０μ
ｍ程度）を形成した後、露光・現像工程を行い、レジス
トマスク３５を形成する。具体的には、まず、スピンコ
ート法などにより、基板３０上にノボラック系フォトレ
ジストを塗布する。本実施形態では、バリア膜４０の介
在により、第２のフォトレジスト層とアライメントマー
ク３３とが直接に接触しないため、第２のフォトレジス
ト層に含まれる溶剤によって軟化しない材料から第１の
フォトレジスト層を形成する必要がない。すなわち、第
１のフォトレジスト層と第２のフォトレジスト層とを同
じポジ型フォトレジスト材料から形成してもよい。
【００５５】次に、図４（ｄ）に示すように、レジスト
マスク３５で覆われていないバリア膜と基板３０の表面
領域とをエッチングして凹部３８を基板３０に形成す
る。上記エッチングの後、レジスト剥離液を用いてレジ
ストマスク３５を除去する。その後、バリア膜４０およ
びアライメントマーク３３を順次基板３０から除去す
る。バリア膜４０としてアルミニウム膜を用いた場合、
バリア膜４０の除去は、例えば化学エッチングを用いて
行うことができる。本実施形態では、バリア膜４０の除
去に際して、高い異方性を示すエッチングは不要である
ため、バリア膜４０を金属膜から形成した場合でも、図
２（ｂ）に示すような段差を基板表面に形成することな
くバリア膜４０の除去を行うことができる。アライメン
トマーク３３の除去は、第１の実施形態例と同様、例え
ばレジスト剥離液を用いて行うことができる。
マスク３５で覆われていないバリア膜と基板３０の表面
領域とをエッチングして凹部３８を基板３０に形成す
る。上記エッチングの後、レジスト剥離液を用いてレジ
ストマスク３５を除去する。その後、バリア膜４０およ
びアライメントマーク３３を順次基板３０から除去す
る。バリア膜４０としてアルミニウム膜を用いた場合、
バリア膜４０の除去は、例えば化学エッチングを用いて
行うことができる。本実施形態では、バリア膜４０の除
去に際して、高い異方性を示すエッチングは不要である
ため、バリア膜４０を金属膜から形成した場合でも、図
２（ｂ）に示すような段差を基板表面に形成することな
くバリア膜４０の除去を行うことができる。アライメン
トマーク３３の除去は、第１の実施形態例と同様、例え
ばレジスト剥離液を用いて行うことができる。
【００５６】本実施形態によっても、レジストマスク３
５のパターンを基板３０に転写した後、第１の実施形態
と同様にして基板３０に痕跡を残すことなく、アライメ
ントマーク３３を除去することができる。また、本実施
形態では、フォトレジストから形成したアライメントマ
ーク３３をバリア膜４０で覆っているため、第１のフォ
トレジスト層と第２のフォトレジスト層とを同一の材料
から形成することができる。
５のパターンを基板３０に転写した後、第１の実施形態
と同様にして基板３０に痕跡を残すことなく、アライメ
ントマーク３３を除去することができる。また、本実施
形態では、フォトレジストから形成したアライメントマ
ーク３３をバリア膜４０で覆っているため、第１のフォ
トレジスト層と第２のフォトレジスト層とを同一の材料
から形成することができる。
【００５７】バリア膜の材料としては、アルミニウムの
他、例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、その他の金属の膜もし
くは合金膜、ＳｉＯ2などの絶縁膜料、または、これら
の積層膜を用いることができる。
他、例えば、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ、その他の金属の膜もし
くは合金膜、ＳｉＯ2などの絶縁膜料、または、これら
の積層膜を用いることができる。
【００５８】以上の各実施形態では、レジストマスク３
５のパターンを基板３０に転写する方法としてエッチン
グ法を用いているが、本発明のパターン転写はエッチン
グ法に限定されなず、スパッタ法やＣＶＤ法などの薄膜
堆積技術を用いて、レジストマスク３５に覆われていな
い基板表面領域に凸部を形成してもよい（リフトオフ
法）。また、エッチング法やリフトオフ法によって基板
３０の表面に凹凸を形成する代わりに、例えばイオンビ
ームなどのエネルギビームを照射し、それによって基板
３０の露出表面領域を改質しても、識別情報を基板に転
写することが可能である。基板表面の改質により、反射
率特性や導電性などの物理的パラメータが変化するた
め、この変化を検知すれば、識別情報を基板から再生す
ることが可能である。
５のパターンを基板３０に転写する方法としてエッチン
グ法を用いているが、本発明のパターン転写はエッチン
グ法に限定されなず、スパッタ法やＣＶＤ法などの薄膜
堆積技術を用いて、レジストマスク３５に覆われていな
い基板表面領域に凸部を形成してもよい（リフトオフ
法）。また、エッチング法やリフトオフ法によって基板
３０の表面に凹凸を形成する代わりに、例えばイオンビ
ームなどのエネルギビームを照射し、それによって基板
３０の露出表面領域を改質しても、識別情報を基板に転
写することが可能である。基板表面の改質により、反射
率特性や導電性などの物理的パラメータが変化するた
め、この変化を検知すれば、識別情報を基板から再生す
ることが可能である。
【００５９】識別情報を示すパターンなどの各種パター
ンが転写されるべき対象物は、セラミクス基板に限定さ
れず、任意である。また、このような対象物は基板（ウ
ェハ）に限定されず、何らかのパターンが転写され得る
２次元的な広がりを有する表面をもつ部材であれば何で
も良い。その表面は、平面である必要はなく、曲面であ
ってもよい。故に、本発明によるアライメントマーク作
製方法を用いてレンズその他の光学素子の表面を微細加
工することも可能である。光学素子の表面に不要な凹凸
が形成されると、光学特性が変化するが、本発明によっ
て作製したアライメントマークを用いれば、回折格子や
マイクロレンズアレイなどのパターンを光学部材に転写
した後、もはや必要の無くなったアライメントマークを
痕跡なく表面から除去できる。
ンが転写されるべき対象物は、セラミクス基板に限定さ
れず、任意である。また、このような対象物は基板（ウ
ェハ）に限定されず、何らかのパターンが転写され得る
２次元的な広がりを有する表面をもつ部材であれば何で
も良い。その表面は、平面である必要はなく、曲面であ
ってもよい。故に、本発明によるアライメントマーク作
製方法を用いてレンズその他の光学素子の表面を微細加
工することも可能である。光学素子の表面に不要な凹凸
が形成されると、光学特性が変化するが、本発明によっ
て作製したアライメントマークを用いれば、回折格子や
マイクロレンズアレイなどのパターンを光学部材に転写
した後、もはや必要の無くなったアライメントマークを
痕跡なく表面から除去できる。
【００６０】レジストマスク３５のパターンをセラミク
スウェハやシリコンウェハに転写する場合、この転写工
程は、種々の磁性薄膜を堆積する前に行うことに限定さ
れない。識別情報は、一連の薄膜堆積プロセスやパター
ニングプロセスの途中または終了後の任意の段階でウェ
ハに記録することが可能である。従って、アライメント
マークの形成対象物（下地）は、基板上に堆積した絶縁
膜、導電体膜、または磁性膜であってもよい。
スウェハやシリコンウェハに転写する場合、この転写工
程は、種々の磁性薄膜を堆積する前に行うことに限定さ
れない。識別情報は、一連の薄膜堆積プロセスやパター
ニングプロセスの途中または終了後の任意の段階でウェ
ハに記録することが可能である。従って、アライメント
マークの形成対象物（下地）は、基板上に堆積した絶縁
膜、導電体膜、または磁性膜であってもよい。
【００６１】また、転写するパターンも任意である。下
地が導電体膜である場合に、配線パターンをレジスマス
クから下地の導電体膜に転写すれば、導電体膜から配線
を形成することもできる。
地が導電体膜である場合に、配線パターンをレジスマス
クから下地の導電体膜に転写すれば、導電体膜から配線
を形成することもできる。
【００６２】上記の各実施形態では、アライメントマー
クを形成した後、第２のフォトレジスト層を形成してい
るが、本発明は、必ずしもこのような方法に限定されな
い。フォトレジスト層から形成したアライメントマーク
を基準にして、直接的にレーザビームで基板表面を走査
しながら識別情報などの種々のパターンを基板に形成し
ても良い。
クを形成した後、第２のフォトレジスト層を形成してい
るが、本発明は、必ずしもこのような方法に限定されな
い。フォトレジスト層から形成したアライメントマーク
を基準にして、直接的にレーザビームで基板表面を走査
しながら識別情報などの種々のパターンを基板に形成し
ても良い。
【００６３】
【発明の効果】本発明によれば、アライメントマークを
フォトレジストから形成するため、このアライメントマ
ークを位置あわせに用いたパターン転写工程が終了した
後、アライメントマークを基板表面から痕跡を残さずに
容易に除去することができる。このため、基板表面に不
要な段差や凹凸を残すことなく、所望のパターンだけを
基板に転写することが可能になる。
フォトレジストから形成するため、このアライメントマ
ークを位置あわせに用いたパターン転写工程が終了した
後、アライメントマークを基板表面から痕跡を残さずに
容易に除去することができる。このため、基板表面に不
要な段差や凹凸を残すことなく、所望のパターンだけを
基板に転写することが可能になる。
【図１Ａ】（ａ）から（ｄ）は、従来のアライメントマ
ーク作製方法を示す工程断面図である。
ーク作製方法を示す工程断面図である。
【図１Ｂ】（ａ）から（ｄ）は、従来の方法で作製した
アライメントマークを用いてレジスト膜を作製し、基板
の選択された領域をエッチングする方法を示す工程断面
図である。
アライメントマークを用いてレジスト膜を作製し、基板
の選択された領域をエッチングする方法を示す工程断面
図である。
【図２】（ａ）は、従来のアライメントマークが形成さ
れている基板表面領域を示す断面図であり、（ｂ）は、
そのアライメントマークを除去した後の基板表面に存在
する段差を示す断面図である。
れている基板表面領域を示す断面図であり、（ｂ）は、
そのアライメントマークを除去した後の基板表面に存在
する段差を示す断面図である。
【図３】（ａ）から（ｆ）は、本発明によるパターン転
写方法の第１の実施形態を示す工程断面図である。
写方法の第１の実施形態を示す工程断面図である。
【図４】（ａ）から（ｄ）は、本発明によるパターン転
写方法の第２の実施形態を示す工程断面図である。
写方法の第２の実施形態を示す工程断面図である。
【図５】本発明によって作製されたアライメントマーク
の平面レイアウトの一例を示す平面図である。
の平面レイアウトの一例を示す平面図である。
【図６】（ａ）は、ポジ型フォトレジスト層から形成し
たアライメントマークを示す断面図であり、（ｂ）は、
アライメントマーク６３上にポジ型フォトレジスト層を
塗布した場合の状態を示す断面図である。
たアライメントマークを示す断面図であり、（ｂ）は、
アライメントマーク６３上にポジ型フォトレジスト層を
塗布した場合の状態を示す断面図である。
１０ 基板
１２ 金属膜
１４ フォトレジスト層
１５ レジストマスク
１３ アライメントマーク
１６ 第２のフォトレジスト層
１７ レジストマスク
１８ 開口部
２０ 凹部
３０ 基板
３２ 第１のフォトレジスト層
３３ アライメントマーク
３４ 第２のフォトレジスト層
３５ レジストマスク
３６ 開口部
３８ 凹部
４０ バリア膜
Claims (18)
- 【請求項１】 フォトレジスト層を形成する工程と、 前記フォトレジスト層をパターニングすることによっ
て、前記フォトレジスト層からアライメントマークを形
成する工程と、を包含するアライメントマーク作製方
法。 - 【請求項２】 前記アライメントマーク上にバリア膜を
堆積する工程を更に包含する請求項１に記載のアライメ
ントマーク作製方法。 - 【請求項３】 パターン転写の対象物上に第１のフォト
レジスト層を形成する工程と、 前記第１のフォトレジスト層をパターニングすることに
よって、前記第１のフォトレジスト層からアライメント
マークを形成する工程と、 前記アライメントマークを覆うように第２のフォトレジ
スト層を形成する工程と、 前記アライメントマークを基準として、前記第２のフォ
トレジスト層をパターニングする工程と、を包含するレ
ジストマスク作製方法。 - 【請求項４】 前記第２のフォトレジスト層をパターニ
ングする工程は、 前記アライメントマークを基準とする位置あわせを行っ
た後、前記第２のフォトレジスト層の所定領域を露光す
る工程と、 前記第２のフォトレジスト層を現像し、パターニングす
ることによって、レジストマスクを形成する工程と、を
含んでいる請求項３に記載のレジストマスク作製方法。 - 【請求項５】 前記第１のフォトレジスト層は、前記第
２のフォトレジスト層に含まれる溶剤によって軟化しな
い材料から形成されている請求項３または４に記載のレ
ジストマスク作製方法。 - 【請求項６】 前記第１のフォトレジスト層は、ゴム系
フォトレジスト材料から形成されている請求項３から５
のいずれかに記載のレジストマスク作製方法。 - 【請求項７】 前記アライメントマークを形成した後、
前記第２のフォトレジスト層を形成する前に、前記アラ
イメントマークを覆うようにバリア膜を堆積する工程を
更に包含する請求項３に記載のレジストマスク作製方
法。 - 【請求項８】 前記バリア膜を堆積する工程はスパッタ
リング法によってアルミニウム膜を形成する工程を含む
請求項８に記載のレジストマスク作製方法。 - 【請求項９】 請求項１から８のいずれかに記載のレジ
ストマスク作製方法によって作製したレジストマスクを
用いて、前記第２のフォトレジスト層のパターンを前記
対象物に転写する工程を包含するパターン転写方法。 - 【請求項１０】 前記パターンを下地に転写する工程
は、前記対象物の表面をのうち前記第２のフォトレジス
ト層に覆われていない領域をエッチングする工程を含む
請求項９に記載のパターン転写方法。 - 【請求項１１】 前記パターンを下地に転写する工程
は、前記対象物の表面をのうち前記第２のフォトレジス
ト層に覆われていない領域に凸部を形成する工程を含む
請求項９に記載のパターン転写方法。 - 【請求項１２】 前記パターンを下地に転写する工程
は、前記対象物の表面をのうち前記第２のフォトレジス
ト層に覆われていない領域を改質する工程を含む請求項
９に記載のパターン転写方法。 - 【請求項１３】 前記パターンを前記対象物に転写した
後、前記第２のフォトレジスト層および前記アライメン
トマークを除去する請求項９から１２のいずれかに記載
のパターン転写方法。 - 【請求項１４】 前記対象物は少なくとも１層の薄膜で
あり、前記エッチング工程により、前記薄膜がパターニ
ングされる請求項１０に記載のパターン転写方法。 - 【請求項１５】 前記対象物として基板を用意する工程
と、 請求項９から１４のいずれかに記載のパターン転写方法
によって前記基板にパターンを転写する工程と、を包含
する基板の作製方法。 - 【請求項１６】 前記パターンは、識別情報である請求
項１７に記載の基板の作製方法。 - 【請求項１７】 前記基板は、セラミックス材料から形
成されている請求項１６に記載の基板の作製方法。 - 【請求項１８】 セラミックス基板を用意する工程と、 前記セラミックス基板上に第１のフォトレジスト層を形
成する工程と、 前記第１のフォトレジスト層をパターニングすることに
よって、前記第１のフォトレジスト層からアライメント
マークを形成する工程と、 第２のフォトレジスト層で前記アライメントマークを覆
う工程と、 前記アライメントマークを基準とする位置あわせを行っ
た後、前記第２のフォトレジスト層の所定領域を露光す
る工程と、 前記第２のフォトレジスト層を現像し、パターニングす
ることによって、レジストマスクを形成する工程と、 前記レジストマスクを用いて、前記セラミックス基板に
識別情報を記録する工程と、 前記第２のフォトレジスト層およびアライメントマーク
を除去する工程と、を包含する磁気ヘッド用セラミック
ス基板の製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001340145A JP4039036B2 (ja) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | アライメントマーク作製方法 |
| US10/426,753 US7354699B2 (en) | 2001-11-06 | 2003-05-01 | Method for producing alignment mark |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001340145A JP4039036B2 (ja) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | アライメントマーク作製方法 |
| US10/426,753 US7354699B2 (en) | 2001-11-06 | 2003-05-01 | Method for producing alignment mark |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003140366A true JP2003140366A (ja) | 2003-05-14 |
| JP4039036B2 JP4039036B2 (ja) | 2008-01-30 |
Family
ID=33554319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001340145A Expired - Lifetime JP4039036B2 (ja) | 2001-11-06 | 2001-11-06 | アライメントマーク作製方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7354699B2 (ja) |
| JP (1) | JP4039036B2 (ja) |
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| JP2007033597A (ja) * | 2005-07-25 | 2007-02-08 | Seiko Epson Corp | 光学シート、バックライトユニット、電気光学装置及び電子機器、並びに光学シートの製造方法及び光学シートの切断方法 |
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| JPS5694353A (en) | 1979-12-28 | 1981-07-30 | Fujitsu Ltd | Micropattern forming method |
| JPS5815233A (ja) | 1981-07-20 | 1983-01-28 | Nippon Denso Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS58100424A (ja) * | 1981-12-10 | 1983-06-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | リソグラフイ用↑¬合せマ−クの形成方法 |
| JPH03104113A (ja) | 1989-09-18 | 1991-05-01 | Yokogawa Electric Corp | レジストパターンの形成方法 |
| JPH0828321B2 (ja) * | 1990-08-20 | 1996-03-21 | 松下電器産業株式会社 | レジスト塗布評価方法 |
| JPH04147631A (ja) | 1990-10-09 | 1992-05-21 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP3239976B2 (ja) * | 1994-09-30 | 2001-12-17 | 株式会社東芝 | アライメントマーク、半導体装置の製造方法および半導体装置 |
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| JPH0981922A (ja) | 1995-09-11 | 1997-03-28 | Sony Corp | 磁気ヘッド |
| JPH09180128A (ja) | 1995-12-26 | 1997-07-11 | Read Rite S M I Kk | 薄膜磁気ヘッド |
| JPH10134317A (ja) | 1996-10-30 | 1998-05-22 | Sumitomo Special Metals Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド用基板とその製造方法 |
| JPH11126311A (ja) | 1997-10-22 | 1999-05-11 | Kyocera Corp | 薄膜磁気ヘッド用基板 |
| WO1999028957A1 (fr) * | 1997-11-28 | 1999-06-10 | Nikon Corporation | Appareil de maintien de substrat et appareil d'exposition l'utilisant |
| JP3398603B2 (ja) | 1998-08-28 | 2003-04-21 | 富士通株式会社 | レジストパターンの形成方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP3544480B2 (ja) | 1998-10-30 | 2004-07-21 | 日立金属株式会社 | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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-
2001
- 2001-11-06 JP JP2001340145A patent/JP4039036B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-05-01 US US10/426,753 patent/US7354699B2/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
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|---|---|
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| JP4039036B2 (ja) | 2008-01-30 |
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