JP3468417B2 - 薄膜形成方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜形成方法に関す
る。本発明に係る薄膜形成方法は、特に、薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、積層位置の異なる２つの薄膜素子を位置合
わせする際に有効である。本発明は、更に、各種回路素
子もしくは集積回路等における高密度配線パターンの形
成にも適用できる。
る。本発明に係る薄膜形成方法は、特に、薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、積層位置の異なる２つの薄膜素子を位置合
わせする際に有効である。本発明は、更に、各種回路素
子もしくは集積回路等における高密度配線パターンの形
成にも適用できる。
【０００２】
【従来の技術】コンピュータの記憶装置を構成する磁気
ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドは、周知のよ
うに、多層膜構造になり、ウエハー上で、スパッタもし
くはメッキ等の膜形成技術、フォトリソグラフィ技術を
用いた高精度パターン形成技術または各種ドライエッチ
ングもしくはウエットエッチング等の高度な技術を適用
して製造される。
ディスク装置に用いられる薄膜磁気ヘッドは、周知のよ
うに、多層膜構造になり、ウエハー上で、スパッタもし
くはメッキ等の膜形成技術、フォトリソグラフィ技術を
用いた高精度パターン形成技術または各種ドライエッチ
ングもしくはウエットエッチング等の高度な技術を適用
して製造される。
【０００３】薄膜磁気ヘッドには、積層位置の異なる２
つの薄膜素子を、高精度で位置合わせしなければならな
い部分を多数有する。代表例として、誘導型書き込み素
子及びＭＲ読み取り素子を有する複合型薄膜磁気ヘッド
では、書き込み素子及びＭＲ読み取り素子を高精度で位
置合わせしなければならない。
つの薄膜素子を、高精度で位置合わせしなければならな
い部分を多数有する。代表例として、誘導型書き込み素
子及びＭＲ読み取り素子を有する複合型薄膜磁気ヘッド
では、書き込み素子及びＭＲ読み取り素子を高精度で位
置合わせしなければならない。
【０００４】位置合わせ手段として、従来は、第１の薄
膜素子（例えば読み取り素子）のパターンを画定するマ
スクに、第１のマーカのためのパターンを作り込んでお
き、第１の薄膜素子と第１のマーカとを、支持体（例え
ば絶縁膜）の表面に同時に形成する。マーカの形成技術
は、例えば特開平１０ー１６２３１６号公報に開示され
ている。
膜素子（例えば読み取り素子）のパターンを画定するマ
スクに、第１のマーカのためのパターンを作り込んでお
き、第１の薄膜素子と第１のマーカとを、支持体（例え
ば絶縁膜）の表面に同時に形成する。マーカの形成技術
は、例えば特開平１０ー１６２３１６号公報に開示され
ている。
【０００５】次に、第１の薄膜素子及び第１のマーカを
覆うように、支持体の表面に、光学的透明膜（例えば平
坦化膜）を形成する。光学的透明膜はAl2O3またはSiO2
等でなる。
覆うように、支持体の表面に、光学的透明膜（例えば平
坦化膜）を形成する。光学的透明膜はAl2O3またはSiO2
等でなる。
【０００６】次に、光学的透明膜の表面を平坦化し、そ
の表面に、第１のマーカを基準にして、第２のマーカを
形成する。
の表面に、第１のマーカを基準にして、第２のマーカを
形成する。
【０００７】次に、光学的透明膜の表面に第２の薄膜素
子（例えば書き込み素子）のための薄膜を形成する。こ
の薄膜は、一般には磁性膜であり、光学的に不透明であ
る。
子（例えば書き込み素子）のための薄膜を形成する。こ
の薄膜は、一般には磁性膜であり、光学的に不透明であ
る。
【０００８】次に、フォトリソグラフィ工程の適用によ
り、前記薄膜をパターニングして、第２の薄膜素子を形
成する。第２の薄膜素子を構成するための薄膜は、光学
的に不透明であるから、第２の薄膜素子のパターニング
のためのフォトリソグラフィ工程は、第２のマーカを基
準にして行う。
り、前記薄膜をパターニングして、第２の薄膜素子を形
成する。第２の薄膜素子を構成するための薄膜は、光学
的に不透明であるから、第２の薄膜素子のパターニング
のためのフォトリソグラフィ工程は、第２のマーカを基
準にして行う。
【０００９】上述した従来技術の問題点は、第２の薄膜
素子をパターニングするフォトリソグラフィ工程におい
て、露光装置を、第１の薄膜素子に対して極めて高度の
位置精度を持つ第１のマーカではなく、第１のマーカを
基準にして作成された第２のマーカに位置合わせせざる
得ないため、第１の薄膜素子に対する第２の薄膜素子の
位置合わせ精度が低下することである。
素子をパターニングするフォトリソグラフィ工程におい
て、露光装置を、第１の薄膜素子に対して極めて高度の
位置精度を持つ第１のマーカではなく、第１のマーカを
基準にして作成された第２のマーカに位置合わせせざる
得ないため、第１の薄膜素子に対する第２の薄膜素子の
位置合わせ精度が低下することである。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、積層
位置の異なる第１の薄膜素子及び第２の薄膜素子を、高
精度で、かつ、安定に位置合わせし得る薄膜形成方法を
提供することである。
位置の異なる第１の薄膜素子及び第２の薄膜素子を、高
精度で、かつ、安定に位置合わせし得る薄膜形成方法を
提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は４つの態様に係る薄膜形成方法を開示す
る。
め、本発明は４つの態様に係る薄膜形成方法を開示す
る。
【００１２】＜第１の態様に係る薄膜形成方法＞第１の
態様に係る薄膜形成方法は、次の工程を含む。
態様に係る薄膜形成方法は、次の工程を含む。
【００１３】まず、支持体の表面に形成された第１の薄
膜素子及びマーカを覆うように、前記支持体の表面に、
光学的透明膜を形成し、前記光学的透明膜の表面を平坦
化する。
膜素子及びマーカを覆うように、前記支持体の表面に、
光学的透明膜を形成し、前記光学的透明膜の表面を平坦
化する。
【００１４】次に、前記光学的透明膜の前記表面であっ
て、前記マーカの上方の領域に、フォトリソグラフィ工
程の適用によって、レジストカバーを形成する。次に、
前記光学的透明膜及び前記レジストカバーの表面に、メ
ッキ下地膜を形成する。次に、前記光学的透明膜の前記
表面から、前記レジストカバーを除去する。
て、前記マーカの上方の領域に、フォトリソグラフィ工
程の適用によって、レジストカバーを形成する。次に、
前記光学的透明膜及び前記レジストカバーの表面に、メ
ッキ下地膜を形成する。次に、前記光学的透明膜の前記
表面から、前記レジストカバーを除去する。
【００１５】次に、前記レジストカバーの除去跡から前
記光学的透明膜を通して見える前記マーカを基準にし
て、前記第１の薄膜素子の上方の領域に、フォトリソグ
ラフィ工程の適用によって、レジストフレームを形成す
る。このとき、レジストカバー及びその表面に付着され
たメッキ下地膜は、光学的透明膜の表面から既に除去さ
れているから、露光装置は、光学的透明膜の表面側から
マーカを認識できる。従って、レジストフレ−ムを形成
するためのフォトリソグラフィ工程を、光学的透明膜を
通して見えるマーカを基準にして行うことができる。こ
のため、レジストフレ−ムを、第１の薄膜素子に対し
て、高精度で、かつ、安定に位置合わせすることができ
る。
記光学的透明膜を通して見える前記マーカを基準にし
て、前記第１の薄膜素子の上方の領域に、フォトリソグ
ラフィ工程の適用によって、レジストフレームを形成す
る。このとき、レジストカバー及びその表面に付着され
たメッキ下地膜は、光学的透明膜の表面から既に除去さ
れているから、露光装置は、光学的透明膜の表面側から
マーカを認識できる。従って、レジストフレ−ムを形成
するためのフォトリソグラフィ工程を、光学的透明膜を
通して見えるマーカを基準にして行うことができる。こ
のため、レジストフレ−ムを、第１の薄膜素子に対し
て、高精度で、かつ、安定に位置合わせすることができ
る。
【００１６】次に、前記レジストフレームによって画定
された領域内において、前記メッキ下地膜の上にメッキ
膜を付着させる。次に、前記レジストフレームを除去し
た後、前記メッキ膜のパターンに従って、前記メッキ下
地膜をパターンニングする。これにより、第１の薄膜素
子に対して、高精度で、かつ、安定に位置合わせしたメ
ッキ膜を得ることができる。
された領域内において、前記メッキ下地膜の上にメッキ
膜を付着させる。次に、前記レジストフレームを除去し
た後、前記メッキ膜のパターンに従って、前記メッキ下
地膜をパターンニングする。これにより、第１の薄膜素
子に対して、高精度で、かつ、安定に位置合わせしたメ
ッキ膜を得ることができる。
【００１７】＜第２の態様に係る薄膜形成方法＞第２の
態様に係る薄膜形成方法は、次の工程を含む。
態様に係る薄膜形成方法は、次の工程を含む。
【００１８】まず、支持体の表面に形成された第１の薄
膜素子及び第１のマーカを覆うように、前記支持体の前
記表面に光学的透明膜を形成し、前記光学的透明膜の前
記表面を平坦化する。
膜素子及び第１のマーカを覆うように、前記支持体の前
記表面に光学的透明膜を形成し、前記光学的透明膜の前
記表面を平坦化する。
【００１９】次に、前記光学的透明膜の前記表面に、前
記第１のマーカを基準にして、第２のマーカを形成す
る。次に、前記光学的透明膜の表面に、メッキ下地膜を
形成する。
記第１のマーカを基準にして、第２のマーカを形成す
る。次に、前記光学的透明膜の表面に、メッキ下地膜を
形成する。
【００２０】次に、前記光学的透明膜の前記表面であっ
て、前記第１のマーカの上方の領域における前記メッキ
下地膜をミリングする。前記ミリングは、前記第２のマ
ーカを基準にして行う。
て、前記第１のマーカの上方の領域における前記メッキ
下地膜をミリングする。前記ミリングは、前記第２のマ
ーカを基準にして行う。
【００２１】次に、前記メッキ下地膜の除去跡から前記
光学的透明膜を通して見える前記マーカを基準にして、
前記第１の薄膜素子の上方の領域に、フォトリソグラフ
ィ工程の適用によって、レジストフレームを形成する。
上述したように、第１のマーカの上方の領域におけるメ
ッキ下地膜は、ミリングによって既に除去されているか
ら、露光装置は、光学的透明膜の表面側から第１のマー
カを認識できる。従って、記第１の薄膜素子の上方の領
域に、フォトリソグラフィ工程の適用によって、レジス
トフレームを形成するフォトリソグラフィ工程を、光学
的透明膜を通して見える第１のマーカを基準にして行う
ことができる。このため、レジストフレ−ムを、第１の
薄膜素子に対して、高精度で、かつ、安定に位置合わせ
することができる。
光学的透明膜を通して見える前記マーカを基準にして、
前記第１の薄膜素子の上方の領域に、フォトリソグラフ
ィ工程の適用によって、レジストフレームを形成する。
上述したように、第１のマーカの上方の領域におけるメ
ッキ下地膜は、ミリングによって既に除去されているか
ら、露光装置は、光学的透明膜の表面側から第１のマー
カを認識できる。従って、記第１の薄膜素子の上方の領
域に、フォトリソグラフィ工程の適用によって、レジス
トフレームを形成するフォトリソグラフィ工程を、光学
的透明膜を通して見える第１のマーカを基準にして行う
ことができる。このため、レジストフレ−ムを、第１の
薄膜素子に対して、高精度で、かつ、安定に位置合わせ
することができる。
【００２２】次に、前記レジストフレームによって画定
された領域内において、前記メッキ下地膜の上にメッキ
膜を付着させる。次に、前記レジストフレームを除去し
た後、前記メッキ膜のパターンに従って、前記メッキ下
地膜をパターンニングする。これにより、第１の薄膜素
子に対して、高精度で、かつ、安定に位置合わせしたメ
ッキ膜を得ることができる。
された領域内において、前記メッキ下地膜の上にメッキ
膜を付着させる。次に、前記レジストフレームを除去し
た後、前記メッキ膜のパターンに従って、前記メッキ下
地膜をパターンニングする。これにより、第１の薄膜素
子に対して、高精度で、かつ、安定に位置合わせしたメ
ッキ膜を得ることができる。
【００２３】＜第３の態様に係る薄膜形成方法＞第３の
態様に係る薄膜形成方法は、次の工程を含む。
態様に係る薄膜形成方法は、次の工程を含む。
【００２４】まず、支持体の表面に形成された第１の薄
膜素子及びマーカを覆うように、前記支持体の表面に、
光学的透明膜を形成し、前記光学的透明膜の表面を平坦
化する。
膜素子及びマーカを覆うように、前記支持体の表面に、
光学的透明膜を形成し、前記光学的透明膜の表面を平坦
化する。
【００２５】次に、前記光学的透明膜の前記表面であっ
て、前記マーカの上方の領域に、フォトリソグラフィ工
程の適用によって、レジストカバーを形成する。次に、
前記光学的透明膜及び前記レジストカバーの表面に、光
学的不透明膜を形成する。
て、前記マーカの上方の領域に、フォトリソグラフィ工
程の適用によって、レジストカバーを形成する。次に、
前記光学的透明膜及び前記レジストカバーの表面に、光
学的不透明膜を形成する。
【００２６】次に、前記光学的透明膜の前記表面から、
前記レジストカバーを除去する。レジストカバーは、リ
フトオフ法により、簡単に除去することができる。レジ
ストカバーを除去することにより、レジストカバーと共
に、その表面に付着した光学的不透明膜も除去される。
従って、露光装置は、光学的透明膜の表面側からマーカ
を認識できるようになる。
前記レジストカバーを除去する。レジストカバーは、リ
フトオフ法により、簡単に除去することができる。レジ
ストカバーを除去することにより、レジストカバーと共
に、その表面に付着した光学的不透明膜も除去される。
従って、露光装置は、光学的透明膜の表面側からマーカ
を認識できるようになる。
【００２７】次に、前記光学的不透明膜を、フォトリソ
グラフィ工程の適用によりパターニングして第２の薄膜
素子を形成する。このとき、前記第２の薄膜素子のパタ
ーニングのためのフォトリソグラフィ工程は、前記光学
的透明膜を通して見える前記マーカを基準にして行う。
グラフィ工程の適用によりパターニングして第２の薄膜
素子を形成する。このとき、前記第２の薄膜素子のパタ
ーニングのためのフォトリソグラフィ工程は、前記光学
的透明膜を通して見える前記マーカを基準にして行う。
【００２８】前述したように、レジストカバー及びその
表面に付着された光学的不透明膜は、光学的透明膜の表
面から既に除去されているから、露光装置は、光学的透
明膜の表面側からマーカを認識できる。従って、第２の
薄膜素子をパターニングするためのフォトリソグラフィ
工程を、光学的透明膜を通して見えるマーカを基準にし
て行うことができる。このため、上下に位置する第１の
薄膜素子及び第２の薄膜素子を、高精度で、かつ、安定
に位置合わせすることができる。
表面に付着された光学的不透明膜は、光学的透明膜の表
面から既に除去されているから、露光装置は、光学的透
明膜の表面側からマーカを認識できる。従って、第２の
薄膜素子をパターニングするためのフォトリソグラフィ
工程を、光学的透明膜を通して見えるマーカを基準にし
て行うことができる。このため、上下に位置する第１の
薄膜素子及び第２の薄膜素子を、高精度で、かつ、安定
に位置合わせすることができる。
【００２９】＜第４の態様に係る薄膜形成方法＞第４の
態様に係る薄膜形成方法は、次の工程を含む。
態様に係る薄膜形成方法は、次の工程を含む。
【００３０】まず、支持体の表面に形成された第１の薄
膜素子及び第１のマーカを覆うように、前記支持体の前
記表面に光学的透明膜を形成し、前記光学的透明膜の表
面を平坦化する。
膜素子及び第１のマーカを覆うように、前記支持体の前
記表面に光学的透明膜を形成し、前記光学的透明膜の表
面を平坦化する。
【００３１】次に、前記光学的透明膜の前記表面に、前
記第１のマーカを基準にして、第２のマーカを形成す
る。次に、前記光学的透明膜の表面に、光学的不透明膜
を形成する。
記第１のマーカを基準にして、第２のマーカを形成す
る。次に、前記光学的透明膜の表面に、光学的不透明膜
を形成する。
【００３２】次に、前記光学的透明膜の前記表面であっ
て、前記第１のマーカの上方の領域における前記光学的
不透明膜をミリングする。前記ミリングは、前記第２の
マーカを基準にして行う。このミリングは、第１のマー
カが光学的透明膜の表面から見えるような領域を作成す
るために用いられるので、高精度のパターンである必要
はない。従って、第２のマーカを基準にして、ミリング
を行っても問題は生じない。
て、前記第１のマーカの上方の領域における前記光学的
不透明膜をミリングする。前記ミリングは、前記第２の
マーカを基準にして行う。このミリングは、第１のマー
カが光学的透明膜の表面から見えるような領域を作成す
るために用いられるので、高精度のパターンである必要
はない。従って、第２のマーカを基準にして、ミリング
を行っても問題は生じない。
【００３３】次に、前記光学的不透明膜を、フォトリソ
グラフィ工程の適用によりパターニングして、第２の薄
膜素子を形成する。前記第２の薄膜素子をパターニング
する前記フォトリソグラフィ工程は、前記光学的透明膜
を通して見える前記第１のマーカを基準にして行う。
グラフィ工程の適用によりパターニングして、第２の薄
膜素子を形成する。前記第２の薄膜素子をパターニング
する前記フォトリソグラフィ工程は、前記光学的透明膜
を通して見える前記第１のマーカを基準にして行う。
【００３４】上述したように、第１のマーカの上方の領
域における光学的不透明膜は、ミリングによって既に除
去されているから、露光装置は、光学的透明膜の表面側
から第１のマーカを認識できる。従って、第２の薄膜素
子のパターニングするためのフォトリソグラフィ工程
を、光学的透明膜を通して見える第１のマーカを基準に
して行うことができる。このため、上下に位置する第１
の薄膜素子及び第２の薄膜素子を、高精度で、かつ、安
定に位置合わせすることができる。
域における光学的不透明膜は、ミリングによって既に除
去されているから、露光装置は、光学的透明膜の表面側
から第１のマーカを認識できる。従って、第２の薄膜素
子のパターニングするためのフォトリソグラフィ工程
を、光学的透明膜を通して見える第１のマーカを基準に
して行うことができる。このため、上下に位置する第１
の薄膜素子及び第２の薄膜素子を、高精度で、かつ、安
定に位置合わせすることができる。
【００３５】本発明の他の目的、構成及び利点について
は、実施例である添付図面を参照して、更に詳しく説明
する。
は、実施例である添付図面を参照して、更に詳しく説明
する。
【００３６】
【発明の実施の形態】＜第１の態様に係る薄膜形成方法
＞図１は本発明の第１の態様に係る薄膜形成方法を示す
図である。ここでは、ＭＲ読み取り素子及び誘導型書き
込み素子を有する複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲ
読み取り素子及び誘導型書き込み素子を位置合わせする
プロセスを前提として説明する。ＭＲ読み取り素子は、
一般には磁気抵抗効果膜を含む。前記磁気抵抗効果膜
は、スピンバルブ膜、強磁性トンネル接合効果膜を含む
ことができる。
＞図１は本発明の第１の態様に係る薄膜形成方法を示す
図である。ここでは、ＭＲ読み取り素子及び誘導型書き
込み素子を有する複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、ＭＲ
読み取り素子及び誘導型書き込み素子を位置合わせする
プロセスを前提として説明する。ＭＲ読み取り素子は、
一般には磁気抵抗効果膜を含む。前記磁気抵抗効果膜
は、スピンバルブ膜、強磁性トンネル接合効果膜を含む
ことができる。
【００３７】まず、図１（ａ）に示すように、支持体１
の表面に形成されたＭＲ読み取り素子でなる第１の薄膜
素子３０及びマーカ３１を覆うように、支持体１の表面
に、光学的透明膜２を形成する。支持体１はAl2O3もし
くはSiO2等の絶縁膜等によって構成される。また、第１
の薄膜素子３０はＭＲ読み取り素子となる。更に、光学
的透明膜２は平坦化膜となり得る。このような場合は、
光学的透明膜２はAl2O3もしくはSiO2等によって構成さ
れる。マーカ３１のパターン、数等は任意でよい。
の表面に形成されたＭＲ読み取り素子でなる第１の薄膜
素子３０及びマーカ３１を覆うように、支持体１の表面
に、光学的透明膜２を形成する。支持体１はAl2O3もし
くはSiO2等の絶縁膜等によって構成される。また、第１
の薄膜素子３０はＭＲ読み取り素子となる。更に、光学
的透明膜２は平坦化膜となり得る。このような場合は、
光学的透明膜２はAl2O3もしくはSiO2等によって構成さ
れる。マーカ３１のパターン、数等は任意でよい。
【００３８】次に、図１（ｂ）に示すように、光学的透
明膜２の表面であって、マーカ３１の上方の領域に、フ
ォトリソグラフィ工程の適用によって、レジストカバー
５１を形成する。
明膜２の表面であって、マーカ３１の上方の領域に、フ
ォトリソグラフィ工程の適用によって、レジストカバー
５１を形成する。
【００３９】レジストカバー５１を形成する前に、光学
的透明膜２の表面を平坦化しておく。光学的透明膜２の
平坦化は、ケミカル．メカニカル．ポリシング法（以下
ＣＭＰ法と称する）によって行うことができる。レジス
トカバー５１は、周知のフォトレジストを塗布し、フォ
トリソグラフィ工程を実行することにより、所定のパタ
ーンとなるように形成する。レジストカバー５１のパタ
ーニングは、第１のマーカ３１を基準にして実行する。
的透明膜２の表面を平坦化しておく。光学的透明膜２の
平坦化は、ケミカル．メカニカル．ポリシング法（以下
ＣＭＰ法と称する）によって行うことができる。レジス
トカバー５１は、周知のフォトレジストを塗布し、フォ
トリソグラフィ工程を実行することにより、所定のパタ
ーンとなるように形成する。レジストカバー５１のパタ
ーニングは、第１のマーカ３１を基準にして実行する。
【００４０】次に、図１（ｃ）に示すように、光学的透
明膜２及びレジストカバー５１の表面に、メッキ下地膜
５を形成する。メッキ下地膜５は、スパッタ等の手段に
よって形成される。メッキ下地膜５は、薄膜磁気ヘッド
において、誘導型書き込み素子のポール部及びヨーク部
を構成するのに通常用いられる材料で構成される。
明膜２及びレジストカバー５１の表面に、メッキ下地膜
５を形成する。メッキ下地膜５は、スパッタ等の手段に
よって形成される。メッキ下地膜５は、薄膜磁気ヘッド
において、誘導型書き込み素子のポール部及びヨーク部
を構成するのに通常用いられる材料で構成される。
【００４１】次に、図１（ｄ）に示すように、光学的透
明膜２の表面から、レジストカバー５１を除去する。レ
ジストカバー５１は、リフトオフ法により、簡単に除去
することができる。レジストカバー５１を除去すること
により、レジストカバー５１と共に、その表面に付着し
たメッキ下地膜５も除去される。従って、フォトリソグ
ラフィのために用いられる露光装置は、光学的透明膜２
の表面側からマーカ３１を認識できるようになる。
明膜２の表面から、レジストカバー５１を除去する。レ
ジストカバー５１は、リフトオフ法により、簡単に除去
することができる。レジストカバー５１を除去すること
により、レジストカバー５１と共に、その表面に付着し
たメッキ下地膜５も除去される。従って、フォトリソグ
ラフィのために用いられる露光装置は、光学的透明膜２
の表面側からマーカ３１を認識できるようになる。
【００４２】次に、図１（ｅ）に示すように、光学的透
明膜２及びメッキ下地膜５の表面にフォトレジスト５２
を塗布し、光学的透明膜２及びフォトレジスト５２を通
して見えるマーカ３１を基準にして、フォトレジスト５
２の上にフォトマスクＭＳを位置決めし、露光Ｌ１す
る。露光後、現像することにより、図１（ｆ）に示すよ
うに、ＭＲ読み取り素子でなる第１の薄膜素子３０の上
方のメッキ下地膜５の上に、所定のパターンを有し、か
つ、高精度で位置決めされたレジストフレーム５２が得
られる。このとき、レジストカバー及びその表面に付着
されたメッキ下地膜５は、光学的透明膜２の表面から既
に除去されているから、露光装置は、光学的透明膜２の
表面側からマーカ３１を認識できる。従って、レジスト
フレ−ム５２を形成するためのフォトリソグラフィ工程
を、光学的透明膜２を通して見えるマーカ３１を基準に
して行うことができる。このため、レジストフレ−ム５
２を、ＭＲ読み取り素子でなる第１の薄膜素子３０に対
して、高精度で、かつ、安定に位置合わせすることがで
きる。
明膜２及びメッキ下地膜５の表面にフォトレジスト５２
を塗布し、光学的透明膜２及びフォトレジスト５２を通
して見えるマーカ３１を基準にして、フォトレジスト５
２の上にフォトマスクＭＳを位置決めし、露光Ｌ１す
る。露光後、現像することにより、図１（ｆ）に示すよ
うに、ＭＲ読み取り素子でなる第１の薄膜素子３０の上
方のメッキ下地膜５の上に、所定のパターンを有し、か
つ、高精度で位置決めされたレジストフレーム５２が得
られる。このとき、レジストカバー及びその表面に付着
されたメッキ下地膜５は、光学的透明膜２の表面から既
に除去されているから、露光装置は、光学的透明膜２の
表面側からマーカ３１を認識できる。従って、レジスト
フレ−ム５２を形成するためのフォトリソグラフィ工程
を、光学的透明膜２を通して見えるマーカ３１を基準に
して行うことができる。このため、レジストフレ−ム５
２を、ＭＲ読み取り素子でなる第１の薄膜素子３０に対
して、高精度で、かつ、安定に位置合わせすることがで
きる。
【００４３】次に、図１（ｇ）に示すように、レジスト
カバー５２によって覆われていないメッキ下地膜５の上
に、メッキ膜５３を付着させる。メッキ膜５３は薄膜磁
気ヘッドにおいて、誘導型書き込み素子のポール部及び
ヨーク部を構成するのに通常用いられる磁性材料、例え
ばパーマロイ膜で構成され得る。
カバー５２によって覆われていないメッキ下地膜５の上
に、メッキ膜５３を付着させる。メッキ膜５３は薄膜磁
気ヘッドにおいて、誘導型書き込み素子のポール部及び
ヨーク部を構成するのに通常用いられる磁性材料、例え
ばパーマロイ膜で構成され得る。
【００４４】次に、レジストフレーム５２を除去（剥
離）し、余分なメッキ下地膜５をミリング等の手段によ
って除去する。これにより、図１（ｈ）に示すように、
所定のパターンを有するメッキ膜５３が得られる。これ
により、ＭＲ読み取り素子でなる第１の薄膜素子３０に
対して、誘導型書き込み素子のポール部及びヨーク部と
なるメッキ膜５３を高精度で、かつ、安定に位置合わせ
することができる。
離）し、余分なメッキ下地膜５をミリング等の手段によ
って除去する。これにより、図１（ｈ）に示すように、
所定のパターンを有するメッキ膜５３が得られる。これ
により、ＭＲ読み取り素子でなる第１の薄膜素子３０に
対して、誘導型書き込み素子のポール部及びヨーク部と
なるメッキ膜５３を高精度で、かつ、安定に位置合わせ
することができる。
【００４５】＜第２の態様に係る薄膜形成方法＞図２は
本発明の第２の態様に係る薄膜形成方法を示す図であ
る。図において、図１に図示された構成部分と同一の構
成部分については、同一の参照符号を付してある。支持
体１、第１の薄膜素子３０、及び、第１のマーカ３１に
ついては、図１に図示した第１の態様と異なるところは
ない。
本発明の第２の態様に係る薄膜形成方法を示す図であ
る。図において、図１に図示された構成部分と同一の構
成部分については、同一の参照符号を付してある。支持
体１、第１の薄膜素子３０、及び、第１のマーカ３１に
ついては、図１に図示した第１の態様と異なるところは
ない。
【００４６】まず、図２（ａ）に示すように、支持体１
の表面に形成されたＭＲ読み取り素子でなる第１の薄膜
素子３０及び第１のマーカ３１を覆うように、支持体１
の表面に光学的透明膜２を形成する。また、光学的透明
膜２の表面に、第１のマーカ３１を基準にして、第２の
マーカ３２を形成する。
の表面に形成されたＭＲ読み取り素子でなる第１の薄膜
素子３０及び第１のマーカ３１を覆うように、支持体１
の表面に光学的透明膜２を形成する。また、光学的透明
膜２の表面に、第１のマーカ３１を基準にして、第２の
マーカ３２を形成する。
【００４７】次に、図２（ｂ）に示すように、光学的透
明膜２の表面に、光学的不透明膜であるメッキ下地膜５
を形成する。メッキ下地膜５は、第１の態様において、
既に説明した通りである。
明膜２の表面に、光学的不透明膜であるメッキ下地膜５
を形成する。メッキ下地膜５は、第１の態様において、
既に説明した通りである。
【００４８】次に、図２（ｃ）に示すように、光学的透
明膜２の表面であって、第１のマーカ３１の上方の領域
の外側に、フォトリソグラフィ工程の適用によって、レ
ジストフレーム５４を形成する。このレジストフレーム
５４は、第２のマーカ３２を基準にしてマスク合わせを
ことにより、形成することができる。
明膜２の表面であって、第１のマーカ３１の上方の領域
の外側に、フォトリソグラフィ工程の適用によって、レ
ジストフレーム５４を形成する。このレジストフレーム
５４は、第２のマーカ３２を基準にしてマスク合わせを
ことにより、形成することができる。
【００４９】次に、図２（ｄ）に示すように、レジスト
フレーム５４によって覆われていない領域のメッキ下地
膜５を、ミリングによって除去する。ミリングは、第２
のマーカ３２を基準にして行う。このミリングは、第１
のマーカ３１が光学的透明膜２の表面から見えるような
領域を作成するために用いられるので、高精度のパター
ンである必要はない。従って、第２のマーカ３２を基準
にして、ミリングを行っても問題は生じない。
フレーム５４によって覆われていない領域のメッキ下地
膜５を、ミリングによって除去する。ミリングは、第２
のマーカ３２を基準にして行う。このミリングは、第１
のマーカ３１が光学的透明膜２の表面から見えるような
領域を作成するために用いられるので、高精度のパター
ンである必要はない。従って、第２のマーカ３２を基準
にして、ミリングを行っても問題は生じない。
【００５０】次に、図２（ｅ）に示すように、光学的透
明膜２及びメッキ下地膜５の表面にフォトレジスト５５
を塗布し、光学的透明膜２及びフォトレジスト５５を通
して見えるマーカ３１を基準にして、フォトレジスト５
５の上にフォトマスクＭＳを位置決めし、露光Ｌ１す
る。露光後に現像することにより、図２（ｆ）に示すよ
うに、第１の薄膜素子３０の上方のメッキ下地膜５の上
に、レジストフレ−ム５５を形成する。
明膜２及びメッキ下地膜５の表面にフォトレジスト５５
を塗布し、光学的透明膜２及びフォトレジスト５５を通
して見えるマーカ３１を基準にして、フォトレジスト５
５の上にフォトマスクＭＳを位置決めし、露光Ｌ１す
る。露光後に現像することにより、図２（ｆ）に示すよ
うに、第１の薄膜素子３０の上方のメッキ下地膜５の上
に、レジストフレ−ム５５を形成する。
【００５１】次に、図２（ｇ）に示すように、レジスト
フレ−ム５５によって覆われていないメッキ下地膜５の
上に、メッキ膜５６を付着させる。メッキ膜５６は薄膜
磁気ヘッドにおいて、誘導型書き込み素子のポール部及
びヨーク部を構成するのに通常用いられる磁性材料、例
えばパーマロイ膜で構成され得る。
フレ−ム５５によって覆われていないメッキ下地膜５の
上に、メッキ膜５６を付着させる。メッキ膜５６は薄膜
磁気ヘッドにおいて、誘導型書き込み素子のポール部及
びヨーク部を構成するのに通常用いられる磁性材料、例
えばパーマロイ膜で構成され得る。
【００５２】次に、レジストフレ−ム５５を除去し、余
分なメッキ下地膜５をミリング等の手段によって除去す
る。これにより、図２（ｈ）に示すように、ＭＲ読み取
り素子でなる第１の薄膜素子３０に対して、誘導型書き
込み素子のポール部及びヨーク部となるメッキ膜５６を
高精度で、かつ、安定に位置合わせすることができる。
分なメッキ下地膜５をミリング等の手段によって除去す
る。これにより、図２（ｈ）に示すように、ＭＲ読み取
り素子でなる第１の薄膜素子３０に対して、誘導型書き
込み素子のポール部及びヨーク部となるメッキ膜５６を
高精度で、かつ、安定に位置合わせすることができる。
【００５３】＜第３の態様に係る薄膜形成方法＞図３は
本発明の第３の態様に係る薄膜形成方法を示す図であ
る。第３の態様は、薄膜磁気ヘッドの他、各種回路素子
もしくは集積回路等における高密度配線パターンの形成
に適用できる。
本発明の第３の態様に係る薄膜形成方法を示す図であ
る。第３の態様は、薄膜磁気ヘッドの他、各種回路素子
もしくは集積回路等における高密度配線パターンの形成
に適用できる。
【００５４】まず、図３（ａ）に示すように、支持体１
の表面に形成された第１の薄膜素子３０及びマーカ３１
を覆うように、支持体１の表面に、光学的透明膜２を形
成する。支持体１はAl2O3もしくはSiO2等の絶縁膜等に
よって構成される。光学的透明膜２はAl2O3もしくはSiO
2等によって構成される。マーカ３１のパターン、数等
は任意でよい。
の表面に形成された第１の薄膜素子３０及びマーカ３１
を覆うように、支持体１の表面に、光学的透明膜２を形
成する。支持体１はAl2O3もしくはSiO2等の絶縁膜等に
よって構成される。光学的透明膜２はAl2O3もしくはSiO
2等によって構成される。マーカ３１のパターン、数等
は任意でよい。
【００５５】次に、図３（ｂ）に示すように、光学的透
明膜２の表面であって、マーカ３１の上方の領域に、フ
ォトリソグラフィ工程の適用によって、レジストカバー
５１を形成する。レジストカバー５１を形成する前に、
光学的透明膜２の表面を平坦化しておく。光学的透明膜
２の平坦化は、ＣＭＰ法によって行うことができる。レ
ジストカバー５１は、周知のフォトレジストを塗布し、
フォトリソグラフィ工程を実行することにより、所定の
パターンとなるように形成する。レジストカバー５１の
パターニングは、第１のマーカ３１を基準にして実行す
る。
明膜２の表面であって、マーカ３１の上方の領域に、フ
ォトリソグラフィ工程の適用によって、レジストカバー
５１を形成する。レジストカバー５１を形成する前に、
光学的透明膜２の表面を平坦化しておく。光学的透明膜
２の平坦化は、ＣＭＰ法によって行うことができる。レ
ジストカバー５１は、周知のフォトレジストを塗布し、
フォトリソグラフィ工程を実行することにより、所定の
パターンとなるように形成する。レジストカバー５１の
パターニングは、第１のマーカ３１を基準にして実行す
る。
【００５６】次に、図３（ｃ）に示すように、光学的透
明膜２及びレジストカバー５１の表面に、光学的不透明
膜４を形成する。光学的不透明膜４は、金属膜によって
構成され得る。その形成手段としては、スパッタを採用
することができる。
明膜２及びレジストカバー５１の表面に、光学的不透明
膜４を形成する。光学的不透明膜４は、金属膜によって
構成され得る。その形成手段としては、スパッタを採用
することができる。
【００５７】次に、図３（ｄ）に示すように、光学的透
明膜２の表面から、レジストカバー５１を除去する。レ
ジストカバー５１は、リフトオフ法により、簡単に除去
することができる。レジストカバー５１を除去すること
により、レジストカバー５１と共に、その表面に付着し
た光学的不透明膜４も除去される。従って、フォトリソ
グラフィのために用いられる露光装置は、光学的透明膜
２の表面側からマーカ３１を認識できるようになる。
明膜２の表面から、レジストカバー５１を除去する。レ
ジストカバー５１は、リフトオフ法により、簡単に除去
することができる。レジストカバー５１を除去すること
により、レジストカバー５１と共に、その表面に付着し
た光学的不透明膜４も除去される。従って、フォトリソ
グラフィのために用いられる露光装置は、光学的透明膜
２の表面側からマーカ３１を認識できるようになる。
【００５８】次に、図３（ｅ）に示すように、光学的透
明膜２及び光学的不透明膜４の表面にフォトレジスト５
８を塗布し、光学的透明膜２及びフォトレジスト５８を
通して見えるマーカ３１を基準にして、フォトレジスト
５８の上にフォトマスクＭＳを位置決めし、露光Ｌ１す
る。露光後に現像することにより、図３（ｆ）に示すよ
うに、第１の薄膜素子３０の上方の光学的不透明膜４の
上に、レジストフレーム５８を形成する。
明膜２及び光学的不透明膜４の表面にフォトレジスト５
８を塗布し、光学的透明膜２及びフォトレジスト５８を
通して見えるマーカ３１を基準にして、フォトレジスト
５８の上にフォトマスクＭＳを位置決めし、露光Ｌ１す
る。露光後に現像することにより、図３（ｆ）に示すよ
うに、第１の薄膜素子３０の上方の光学的不透明膜４の
上に、レジストフレーム５８を形成する。
【００５９】次に、図３（ｇ）に示すように、レジスト
フレーム５８によって覆われていない光学的不透明膜４
を、ミリング等の手段によって除去する。これにより、
図３（ｈ）に示すように、所定のパターンを有する第２
の薄膜素子４０が得られる。
フレーム５８によって覆われていない光学的不透明膜４
を、ミリング等の手段によって除去する。これにより、
図３（ｈ）に示すように、所定のパターンを有する第２
の薄膜素子４０が得られる。
【００６０】レジストフレーム５８を形成するフォトリ
ソグラフィ工程では、レジストカバー５１及びその表面
に付着された光学的不透明膜４は、光学的透明膜２の表
面から既に除去されているから、露光装置は、光学的透
明膜２の表面側から、マーカ３１を認識できる。従っ
て、第２の薄膜素子４０のパターニングするためのフォ
トリソグラフィ工程を、光学的透明膜２を通して見える
マーカ３１を基準にして行うことができる。このため、
上下に位置する第１の薄膜素子３０及び第２の薄膜素子
４０を、高精度で、かつ、安定に位置合わせすることが
できる。
ソグラフィ工程では、レジストカバー５１及びその表面
に付着された光学的不透明膜４は、光学的透明膜２の表
面から既に除去されているから、露光装置は、光学的透
明膜２の表面側から、マーカ３１を認識できる。従っ
て、第２の薄膜素子４０のパターニングするためのフォ
トリソグラフィ工程を、光学的透明膜２を通して見える
マーカ３１を基準にして行うことができる。このため、
上下に位置する第１の薄膜素子３０及び第２の薄膜素子
４０を、高精度で、かつ、安定に位置合わせすることが
できる。
【００６１】＜第４の態様に係る薄膜形成方法＞図４は
本発明の第４の態様に係る薄膜形成方法を示す図であ
る。図において、図３に図示された構成部分と同一の構
成部分については、同一の参照符号を付してある。支持
体１、第１の薄膜素子３０、及び、第１のマーカ３１に
ついては、図３に図示した第１の態様と異なるところは
ない。
本発明の第４の態様に係る薄膜形成方法を示す図であ
る。図において、図３に図示された構成部分と同一の構
成部分については、同一の参照符号を付してある。支持
体１、第１の薄膜素子３０、及び、第１のマーカ３１に
ついては、図３に図示した第１の態様と異なるところは
ない。
【００６２】まず、図４（ａ）に示すように、支持体１
の表面に形成された第１の薄膜素子３０及び第１のマー
カ３１を覆うように、支持体１の表面に光学的透明膜２
を形成する。また、光学的透明膜２の表面に、第１のマ
ーカ３１を基準にして、第２のマーカ３２を形成する。
の表面に形成された第１の薄膜素子３０及び第１のマー
カ３１を覆うように、支持体１の表面に光学的透明膜２
を形成する。また、光学的透明膜２の表面に、第１のマ
ーカ３１を基準にして、第２のマーカ３２を形成する。
【００６３】次に、図４（ｂ）に示すように、光学的透
明膜２の表面に、光学的不透明膜４を形成する。
明膜２の表面に、光学的不透明膜４を形成する。
【００６４】次に、図４（ｃ）に示すように、光学的透
明膜２の表面であって、第１のマーカ３１の上方の領域
の外側に、フォトリソグラフィ工程の適用によって、レ
ジストフレーム５９を形成する。このレジストフレーム
５９は、第２のマーカ３２を基準にしてマスク合わせを
ことにより、形成することができる。
明膜２の表面であって、第１のマーカ３１の上方の領域
の外側に、フォトリソグラフィ工程の適用によって、レ
ジストフレーム５９を形成する。このレジストフレーム
５９は、第２のマーカ３２を基準にしてマスク合わせを
ことにより、形成することができる。
【００６５】次に、図４（ｄ）に示すように、レジスト
フレーム５９によって覆われていない領域の光学的不透
明膜４を、ミリングによって除去する。ミリングは、第
２のマーカ３２を基準にして行う。このミリングは、第
１のマーカ３１が光学的透明膜２の表面から見えるよう
な領域を作成するために用いられるので、高精度のパタ
ーンである必要はない。従って、第２のマーカ３２を基
準にして、ミリングを行っても問題は生じない。
フレーム５９によって覆われていない領域の光学的不透
明膜４を、ミリングによって除去する。ミリングは、第
２のマーカ３２を基準にして行う。このミリングは、第
１のマーカ３１が光学的透明膜２の表面から見えるよう
な領域を作成するために用いられるので、高精度のパタ
ーンである必要はない。従って、第２のマーカ３２を基
準にして、ミリングを行っても問題は生じない。
【００６６】次に、図４（ｅ）に示すように、光学的透
明膜２及び光学的不透明膜４の表面にフォトレジスト６
０を塗布し、光学的透明膜２及びフォトレジスト６０を
通して見えるマーカ３１を基準にして、フォトレジスト
６０の上にフォトマスクＭＳを位置決めし、露光Ｌ１す
る。露光後に現像することにより、図４（ｆ）に示すよ
うに、第１の薄膜素子３０の上方の光学的不透明膜４の
上に、レジストフレ−ム６０を形成する。
明膜２及び光学的不透明膜４の表面にフォトレジスト６
０を塗布し、光学的透明膜２及びフォトレジスト６０を
通して見えるマーカ３１を基準にして、フォトレジスト
６０の上にフォトマスクＭＳを位置決めし、露光Ｌ１す
る。露光後に現像することにより、図４（ｆ）に示すよ
うに、第１の薄膜素子３０の上方の光学的不透明膜４の
上に、レジストフレ−ム６０を形成する。
【００６７】次に、図４（ｇ）に示すように、レジスト
フレ−ム６０によって覆われていない光学的不透明膜４
を、ミリング等の手段によって除去する。これにより、
図４（ｈ）に示すように、所定のパターンを有する第２
の薄膜素子４０が得られる。
フレ−ム６０によって覆われていない光学的不透明膜４
を、ミリング等の手段によって除去する。これにより、
図４（ｈ）に示すように、所定のパターンを有する第２
の薄膜素子４０が得られる。
【００６８】フォトレジスト６０をパターニングするフ
ォトリソグラフィ工程では、第１のマーカ３１の上方の
領域における光学的不透明膜４は、ミリングによって既
に除去されているから、露光装置は、光学的透明膜２の
表面側から第１のマーカ３１を認識できる。従って、第
２の薄膜素子４０のためのフォトリソグラフィ工程を、
光学的透明膜２を通して見える第１のマーカ３１を基準
にして行うことができる。このため、上下に位置する第
１の薄膜素子３０及び第２の薄膜素子４０を、高精度
で、かつ、安定に位置合わせすることができる。
ォトリソグラフィ工程では、第１のマーカ３１の上方の
領域における光学的不透明膜４は、ミリングによって既
に除去されているから、露光装置は、光学的透明膜２の
表面側から第１のマーカ３１を認識できる。従って、第
２の薄膜素子４０のためのフォトリソグラフィ工程を、
光学的透明膜２を通して見える第１のマーカ３１を基準
にして行うことができる。このため、上下に位置する第
１の薄膜素子３０及び第２の薄膜素子４０を、高精度
で、かつ、安定に位置合わせすることができる。
【００６９】以上、好適な具体的実施例を参照して本発
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
明を詳説したが、本発明の本質及び範囲から離れること
なく、その形態と細部において、種々の変形がなされ得
ることは、当業者にとって明らかである。
【００７０】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、積
層位置の異なる第１の薄膜素子及び第２の薄膜素子を、
高精度で、かつ、安定に位置合わせし得る薄膜形成方法
を提供することができる。
層位置の異なる第１の薄膜素子及び第２の薄膜素子を、
高精度で、かつ、安定に位置合わせし得る薄膜形成方法
を提供することができる。
【図１】本発明の第１の態様に係る薄膜形成方法を示す
図である。
図である。
【図２】本発明の第２の態様に係る薄膜形成方法を示す
図である。
図である。
【図３】本発明の第３の態様に係る薄膜形成方法を示す
図である。
図である。
【図４】本発明の第４の態様に係る薄膜形成方法を示す
図である。
図である。
１ 支持体
２ 光学的透明膜
３０ 第１の薄膜素子
３１ 第１のマーカ
３２ 第２のマーカ
４０ 第２の薄膜素子
５ メッキ下地膜
５３、５６ メッキ膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｇ１１Ｂ 5/39 Ｇ１１Ｂ 5/39
Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３ Ｈ０１Ｂ 13/00 ５０３Ｄ
Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｚ
(56)参考文献 特開 平８−241508（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−195207（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−164313（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−216525（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−232220（ＪＰ，Ａ)
特開 平１−152623（ＪＰ，Ａ)
特開 昭63−160330（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−11913（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−224227（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G03F 7/20 - 7/24
G03F 9/00 - 9/02
G11B 5/31 - 5/325
Claims (4)
- 【請求項１】 薄膜形成方法であって、 支持体の表面に形成された第１の薄膜素子及び第１のマ
ーカを覆うように、前記支持体の前記表面に光学的透明
膜を形成し、次に、 前記光学的透明膜の前記表面を平坦化し、次に、 前記光学的透明膜の前記表面に、前記第１のマー
カを基準にして、第２のマーカを形成し、次に、 前記光学的透明膜の表面に、メッキ下地膜を形成
し、次に、 前記光学的透明膜の前記表面であって、前記第１
のマーカの上方の領域における前記メッキ下地膜をミリ
ングし、前記ミリングは、前記第２のマーカを基準にし
て行い、次に、 前記メッキ下地膜の除去跡から前記光学的透明膜
を通して見える前記第１のマーカを基準にして、前記第
１の薄膜素子の上方の領域に、フォトリソグラフィ工程
の適用によって、レジストフレームを形成し、次に、 前記レジストフレームによって画定された領域内
において、前記メッキ下地膜の上にメッキ膜を付着さ
せ、次に、 前記レジストフレームを除去した後、前記メッキ
膜のパターンに従って、前記メッキ下地膜をパターニン
グし、第２の薄膜素子を形成する工程を含む薄膜形成方
法。 - 【請求項２】 薄膜形成方法であって、 支持体の表面に形成された第１の薄膜素子及び第１のマ
ーカを覆うように、前記支持体の前記表面に光学的透明
膜を形成し、前記光学的透明膜の表面を平坦化し、 前記光学的透明膜の表面に、前記第１のマーカを基準に
して、第２のマーカを形成し、 次に、前記光学的透明膜の表面に、光学的不透明膜を形
成し、 次に、前記光学的不透明膜の表面であって、前記第１の
マーカの上方領域の外側に、フォトリソグラフィ工程の
適用によって、レジストフレームを形成し、前記レジス
トフレームは、前記第２のマーカを基準にしてマスク合
わせをことにより形成し、 次に、前記レジストフレームによって覆われていない領
域の前記光学的不透明膜を、ミリングによって除去して
前記第１のマーカが前記光学的透明膜の表面から見える
ような領域を作成し、前記ミリングは、前記第２のマー
カを基準にして行い、 次に、前記第１のマーカを基準にして、前記フォトレジ
ストの上にフォトマスクを位置決めし、露光し、現像す
ることにより、前記第１の薄膜素子の上方の前記光学的
不透明膜の上に、レジストフレ−ムを形成し、 次に、前記レジストフレ−ムによって覆われていない前
記光学的不透明膜を、ミリングなどによって除去するこ
とにより、所定のパターンを有する第２の薄膜素子を得
る工程を含む薄膜形成方法。 - 【請求項３】 請求項１または２に記載された薄膜形成
方法であって、 薄膜磁気ヘッドの製造工程に適用される薄膜形成方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載された薄膜形成方法であ
って、 前記第１の薄膜素子は、読み取り素子であり、 前記第２の薄膜素子は、書き込み素子の一部である薄膜
形成方法。
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|---|---|---|---|
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| US09/604,077 US6399285B1 (en) | 1999-08-27 | 2000-06-27 | Method for forming a thin film and for manufacturing a thin film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24228199A JP3468417B2 (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | 薄膜形成方法 |
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|---|---|
| JP2001066797A JP2001066797A (ja) | 2001-03-16 |
| JP3468417B2 true JP3468417B2 (ja) | 2003-11-17 |
Family
ID=17086936
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24228199A Expired - Fee Related JP3468417B2 (ja) | 1999-08-27 | 1999-08-27 | 薄膜形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH09232220A (ja) * | 1996-02-28 | 1997-09-05 | Hitachi Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
| JPH10162316A (ja) | 1996-11-27 | 1998-06-19 | Fuji Elelctrochem Co Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法およびウェハ |
-
1999
- 1999-08-27 JP JP24228199A patent/JP3468417B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-06-27 US US09/604,077 patent/US6399285B1/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001066797A (ja) | 2001-03-16 |
| US6399285B1 (en) | 2002-06-04 |
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