JPH09180128A - 薄膜磁気ヘッド - Google Patents
薄膜磁気ヘッドInfo
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- JPH09180128A JPH09180128A JP7350853A JP35085395A JPH09180128A JP H09180128 A JPH09180128 A JP H09180128A JP 7350853 A JP7350853 A JP 7350853A JP 35085395 A JP35085395 A JP 35085395A JP H09180128 A JPH09180128 A JP H09180128A
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- substrate
- insulating film
- tic
- magnetic head
- film
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Links
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/40—Protective measures on heads, e.g. against excessive temperature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜磁気ヘッドの基板上に形成された絶縁膜
の密着性・耐剥離性を向上する。 【解決手段】 ＲＩＥ法によりエッチングしてアルミナ
部分を選択的に除去し、凸部をＴｉＣとする多数の凹凸
を形成したアルチック基板表面に、Ａｌ2Ｏ3からなる絶
縁膜をスパッタリングで形成し、その上に電磁変換素子
回路を積層する。 【効果】 基板表面と絶縁層との接触面積が増えるの
で、特にＴｉＣが突出していることでＴｉＣと絶縁膜の
Ａｌ2Ｏ3との接触面積が増え、両膜間の密着力が向上
し、耐剥離性が著しく向上する。従って、製造上の歩留
まりが向上すると共に製造されたヘッドの耐久性も向上
し、スライダの小型化が容易に図れる。
の密着性・耐剥離性を向上する。 【解決手段】 ＲＩＥ法によりエッチングしてアルミナ
部分を選択的に除去し、凸部をＴｉＣとする多数の凹凸
を形成したアルチック基板表面に、Ａｌ2Ｏ3からなる絶
縁膜をスパッタリングで形成し、その上に電磁変換素子
回路を積層する。 【効果】 基板表面と絶縁層との接触面積が増えるの
で、特にＴｉＣが突出していることでＴｉＣと絶縁膜の
Ａｌ2Ｏ3との接触面積が増え、両膜間の密着力が向上
し、耐剥離性が著しく向上する。従って、製造上の歩留
まりが向上すると共に製造されたヘッドの耐久性も向上
し、スライダの小型化が容易に図れる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば、コンピュ
ータやワードプロセッサの磁気ディスク装置等の記憶装
置に使用される薄膜磁気ヘッドに関し、特に基板上に形
成した保護膜の上に電磁変換素子回路を形成した構造の
薄膜磁気ヘッドに関するものである。
ータやワードプロセッサの磁気ディスク装置等の記憶装
置に使用される薄膜磁気ヘッドに関し、特に基板上に形
成した保護膜の上に電磁変換素子回路を形成した構造の
薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置等に用いられる薄膜磁
気ヘッドは、アルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ2Ｏ3−
ＴｉＣ）からなる基板上にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）からな
る絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に薄膜技術による電磁
変換素子回路を形成したものが一般的である。前記絶縁
膜は、通常ウエハの状態で鏡面加工された基板表面にス
パッタリング法などの蒸着法により形成される。ウエハ
の状態で電磁変換素子回路を形成した基板は、後の工程
においてスライダとして切り出される。
気ヘッドは、アルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ2Ｏ3−
ＴｉＣ）からなる基板上にアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）からな
る絶縁膜を形成し、この絶縁膜上に薄膜技術による電磁
変換素子回路を形成したものが一般的である。前記絶縁
膜は、通常ウエハの状態で鏡面加工された基板表面にス
パッタリング法などの蒸着法により形成される。ウエハ
の状態で電磁変換素子回路を形成した基板は、後の工程
においてスライダとして切り出される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、ハードディスク
装置等の記憶装置の小型化・高記録密度化に伴ない、薄
膜磁気ヘッドの小型化が進み、ウエハから切り出される
スライダが小さくなる傾向がある。このため、各スライ
ダについて電磁変換素子回路を形成する基板面積が小さ
くなり、絶縁膜の絶対的な接着面積が小さくなって、後
の工程で基板をスライダとして切り出す際に加工歪み、
熱応力歪みなどが生じて、絶縁膜が基板から剥離し易く
なり、製造上歩留まりが低下したり製造された薄膜磁気
ヘッドの耐久性が低下するという問題があった。
装置等の記憶装置の小型化・高記録密度化に伴ない、薄
膜磁気ヘッドの小型化が進み、ウエハから切り出される
スライダが小さくなる傾向がある。このため、各スライ
ダについて電磁変換素子回路を形成する基板面積が小さ
くなり、絶縁膜の絶対的な接着面積が小さくなって、後
の工程で基板をスライダとして切り出す際に加工歪み、
熱応力歪みなどが生じて、絶縁膜が基板から剥離し易く
なり、製造上歩留まりが低下したり製造された薄膜磁気
ヘッドの耐久性が低下するという問題があった。
【０００４】そこで、本発明は上述したような従来技術
の問題点に鑑みてなされたものであり、薄膜磁気ヘッド
の基板に対する絶縁膜の密着力即ち耐剥離性を向上さ
せ、小型化に対応し得る薄膜磁気ヘッドを提供すること
を目的とする。
の問題点に鑑みてなされたものであり、薄膜磁気ヘッド
の基板に対する絶縁膜の密着力即ち耐剥離性を向上さ
せ、小型化に対応し得る薄膜磁気ヘッドを提供すること
を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上述した目的を達成する
べく本発明による薄膜磁気ヘッドは、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ
からなる基板（以下、アルチック基板と称す）上にＡｌ
2Ｏ3からなる絶縁膜を介して電磁変換素子回路を形成し
てなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記基板表面のアルミ
ナ部分を、例えばリアクティブイオンエッチング法（以
下、ＲＩＥ法と称す）などのエッチングにより選択的に
除去し、凸部をチタンカーバイト（ＴｉＣ）とする多数
の凹凸を形成し、この凹凸をなす表面に絶縁膜を成膜し
てなることを特徴とする。
べく本発明による薄膜磁気ヘッドは、Ａｌ2Ｏ3−ＴｉＣ
からなる基板（以下、アルチック基板と称す）上にＡｌ
2Ｏ3からなる絶縁膜を介して電磁変換素子回路を形成し
てなる薄膜磁気ヘッドにおいて、前記基板表面のアルミ
ナ部分を、例えばリアクティブイオンエッチング法（以
下、ＲＩＥ法と称す）などのエッチングにより選択的に
除去し、凸部をチタンカーバイト（ＴｉＣ）とする多数
の凹凸を形成し、この凹凸をなす表面に絶縁膜を成膜し
てなることを特徴とする。
【０００６】このように基板表面に凹凸を形成すること
により、基板表面と絶縁膜との接触面積が増える。特に
ＴｉＣが突出させたことにより、ＴｉＣと絶縁膜のＡｌ
2Ｏ3との接触面積が増える。一般にスパッタリング法に
よるＡｌ2Ｏ3膜は、実際の膜組成がＡｌ2Ｏxになると考
えられる。このＡｌ2Ｏxは、炭素原子を含むＴｉＣに対
して酸化物であるＡｌ2Ｏ3よりも強く結合する性質があ
る。従って、基板表面からＴｉＣを突出させて絶縁膜と
の接触面積を増やすことで、保護膜の基板に対する密着
力が強くなり、耐剥離性が著しく向上する。
により、基板表面と絶縁膜との接触面積が増える。特に
ＴｉＣが突出させたことにより、ＴｉＣと絶縁膜のＡｌ
2Ｏ3との接触面積が増える。一般にスパッタリング法に
よるＡｌ2Ｏ3膜は、実際の膜組成がＡｌ2Ｏxになると考
えられる。このＡｌ2Ｏxは、炭素原子を含むＴｉＣに対
して酸化物であるＡｌ2Ｏ3よりも強く結合する性質があ
る。従って、基板表面からＴｉＣを突出させて絶縁膜と
の接触面積を増やすことで、保護膜の基板に対する密着
力が強くなり、耐剥離性が著しく向上する。
【０００７】アルチック基板表面の凹凸の形成は、ＲＩ
Ｅ法が最も適している。これは、ＲＩＥ法であれば、主
に基板に印加するバイアス電圧などの制御により、微少
なエッチング量の制御やエッチングの対象を選択して本
発明のようにＴｉＣを凸状にすることが可能なためであ
る。例えばイオンミリングなどの他のドライエッチング
法やフッ酸エッチングなどのウェットエッチング法で
は、エッチング条件によりエッチング速度が変化するこ
とから、本発明のようにエッチング量が微小な場合に、
エッチング時間によりエッチング深さ、即ち段差を制御
することは非常に困難である。
Ｅ法が最も適している。これは、ＲＩＥ法であれば、主
に基板に印加するバイアス電圧などの制御により、微少
なエッチング量の制御やエッチングの対象を選択して本
発明のようにＴｉＣを凸状にすることが可能なためであ
る。例えばイオンミリングなどの他のドライエッチング
法やフッ酸エッチングなどのウェットエッチング法で
は、エッチング条件によりエッチング速度が変化するこ
とから、本発明のようにエッチング量が微小な場合に、
エッチング時間によりエッチング深さ、即ち段差を制御
することは非常に困難である。
【０００８】また、ＲＩＥ法を用いて基板表面の凹凸の
段差を１０Å未満に加工しようとすると、そのエッチン
グ条件がＴｉＣ凸のエッチング条件とＡｌ2Ｏ3凸のエッ
チング条件との境界付近になるため、その制御、特に再
現性に問題が生じる。更に、ＴｉＣの突出量が小さくな
り、接触面積が小さくなって上述した結合力の向上とい
う効果が得られなくなる。また、アルチック基板のＴｉ
Ｃ、Ａｌ2Ｏ3の粒径は約１μｍであるので、凹凸の段差
が１μｍ以上になると、スパッタされたアルチック基板
のＴｉＣ表面に対してＡｌ2Ｏ3の被覆する割合が小さく
なるので、却って密着力が低下する。従って、段差の上
限は１μｍが好ましい。
段差を１０Å未満に加工しようとすると、そのエッチン
グ条件がＴｉＣ凸のエッチング条件とＡｌ2Ｏ3凸のエッ
チング条件との境界付近になるため、その制御、特に再
現性に問題が生じる。更に、ＴｉＣの突出量が小さくな
り、接触面積が小さくなって上述した結合力の向上とい
う効果が得られなくなる。また、アルチック基板のＴｉ
Ｃ、Ａｌ2Ｏ3の粒径は約１μｍであるので、凹凸の段差
が１μｍ以上になると、スパッタされたアルチック基板
のＴｉＣ表面に対してＡｌ2Ｏ3の被覆する割合が小さく
なるので、却って密着力が低下する。従って、段差の上
限は１μｍが好ましい。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の好適な実施形態
について添付の図面を参照して詳細に説明する。図１
は、本発明が適用された薄膜磁気ヘッドの概略斜視図で
あり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線について見た断面図で
ある。この薄膜磁気ヘッドは、スライダをなすアルチッ
ク基板１と、その表面に全面に亘って成膜されたアルミ
ナからなる絶縁膜２と、該絶縁膜２上に積層された下部
磁性膜３及び磁気ギャップ膜４と、この磁気ギャップ膜
４上に積層された有機絶縁膜５、６及び該膜５、６に挟
まれた導体コイル７と、その上に成膜された上部磁性膜
８と、これら各膜３〜８からなる電磁変換素子回路を被
覆するアルミナ等の保護膜９とを有する。そして、下部
磁性膜３の先端部及び上部磁性膜８の先端部がそれぞれ
磁気ギャップ膜４を介して対向する一対の下部磁極１０
及び上部磁極１１を形成し、磁気ヘッドとして機能する
ようになっている。
について添付の図面を参照して詳細に説明する。図１
は、本発明が適用された薄膜磁気ヘッドの概略斜視図で
あり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線について見た断面図で
ある。この薄膜磁気ヘッドは、スライダをなすアルチッ
ク基板１と、その表面に全面に亘って成膜されたアルミ
ナからなる絶縁膜２と、該絶縁膜２上に積層された下部
磁性膜３及び磁気ギャップ膜４と、この磁気ギャップ膜
４上に積層された有機絶縁膜５、６及び該膜５、６に挟
まれた導体コイル７と、その上に成膜された上部磁性膜
８と、これら各膜３〜８からなる電磁変換素子回路を被
覆するアルミナ等の保護膜９とを有する。そして、下部
磁性膜３の先端部及び上部磁性膜８の先端部がそれぞれ
磁気ギャップ膜４を介して対向する一対の下部磁極１０
及び上部磁極１１を形成し、磁気ヘッドとして機能する
ようになっている。
【００１０】図３に図２のアルチック基板１と絶縁膜２
との境界部分を拡大して示す。このアルチック基板１の
表面には、ＲＩＥ法によりＡｌ2Ｏ3部分１３のみが選択
的にエッチングされ、ＴｉＣ部分１４を凸とし、かつ１
０Å〜１μｍの段差となるように多数の凹凸が形成され
ている。このような凹凸面を加工可能なＲＩＥ条件とし
ては、エッチングガスとしてフロンなどの反応性ガスを
用い、その流量を２〜５０ｓｃｃｍ、プラズマ投入電力
を０．７〜３Ｗ／ｃｍ2、チャンバ内圧力を１〜５ｍＴ
ｏｒｒ、バイアス電圧を０〜−１０００Ｖとする。この
凹凸を有する基板１の表面に絶縁膜２がスパッタリング
法により成膜されている。絶縁膜２は、スパッタリング
法で成膜することにより例えば１０μｍ程度と比較的厚
く形成されるから、アルチック基板１の表面に或る程度
凹凸が形成されていても、吸収されてその表面が平滑に
なるので、その後の電磁変換素子回路の形成に影響を及
ぼす心配はない。
との境界部分を拡大して示す。このアルチック基板１の
表面には、ＲＩＥ法によりＡｌ2Ｏ3部分１３のみが選択
的にエッチングされ、ＴｉＣ部分１４を凸とし、かつ１
０Å〜１μｍの段差となるように多数の凹凸が形成され
ている。このような凹凸面を加工可能なＲＩＥ条件とし
ては、エッチングガスとしてフロンなどの反応性ガスを
用い、その流量を２〜５０ｓｃｃｍ、プラズマ投入電力
を０．７〜３Ｗ／ｃｍ2、チャンバ内圧力を１〜５ｍＴ
ｏｒｒ、バイアス電圧を０〜−１０００Ｖとする。この
凹凸を有する基板１の表面に絶縁膜２がスパッタリング
法により成膜されている。絶縁膜２は、スパッタリング
法で成膜することにより例えば１０μｍ程度と比較的厚
く形成されるから、アルチック基板１の表面に或る程度
凹凸が形成されていても、吸収されてその表面が平滑に
なるので、その後の電磁変換素子回路の形成に影響を及
ぼす心配はない。
【００１１】
【実施例】図４にアルチック基板１の表面をＲＩＥ法に
よりエッチングした場合の基板表面のＴｉＣとＡｌ2Ｏ3
との段差量とバイアス電圧との関係をグラフで示す。Ｒ
ＩＥ条件としては、エッチングガスとしてＣＦ4を用
い、その流量を２０ｓｃｃｍ、プラズマ投入電力を１Ｗ
／ｃｍ2、チャンバ内圧力を１．５ｍＴｏｒｒ、処理時
間を６０秒、バイアス電圧を−３００〜−６００Ｖとし
た。この条件でＴｉＣを凸とする１０Å〜３００Åの段
差（凹凸）が得られた。図４の結果から分かるように、
段差量はバイアス電圧にほぼ比例して大きくなるバイア
ス電圧依存性を示している。
よりエッチングした場合の基板表面のＴｉＣとＡｌ2Ｏ3
との段差量とバイアス電圧との関係をグラフで示す。Ｒ
ＩＥ条件としては、エッチングガスとしてＣＦ4を用
い、その流量を２０ｓｃｃｍ、プラズマ投入電力を１Ｗ
／ｃｍ2、チャンバ内圧力を１．５ｍＴｏｒｒ、処理時
間を６０秒、バイアス電圧を−３００〜−６００Ｖとし
た。この条件でＴｉＣを凸とする１０Å〜３００Åの段
差（凹凸）が得られた。図４の結果から分かるように、
段差量はバイアス電圧にほぼ比例して大きくなるバイア
ス電圧依存性を示している。
【００１２】図５に、図４の条件で加工したアルチック
基板上にＡｌ2Ｏ3からなる絶縁膜を１０μｍ堆積させた
場合にアルチック基板と絶縁膜との密着力と、ＴｉＣと
Ａｌ2Ｏ3との段差量との関係をグラフで示す。この密着
力、即ち耐剥離性は、スクラッチテスタにより測定し
た。また、密着力の数値は、基板のＴｉＣとＡｌ2Ｏ3と
の段差がない場合を１として規格化して表した。
基板上にＡｌ2Ｏ3からなる絶縁膜を１０μｍ堆積させた
場合にアルチック基板と絶縁膜との密着力と、ＴｉＣと
Ａｌ2Ｏ3との段差量との関係をグラフで示す。この密着
力、即ち耐剥離性は、スクラッチテスタにより測定し
た。また、密着力の数値は、基板のＴｉＣとＡｌ2Ｏ3と
の段差がない場合を１として規格化して表した。
【００１３】この条件では、段差が約５０Åのときに、
密着力が最大となり、それ以上に段差が増しても密着力
は徐々に減少している。これは、段差が１０Å〜５０Å
の場合には、基板のＴｉＣと絶縁膜との接触面積が増加
するのに従って密着力が増加する。しかし、段差が５０
Åを越えると、基板表面のＴｉＣの凸部を被覆する保護
膜の割合が徐々に減少するため、密着力が低下するもの
と考えられる。また、段差が５０Å以下のときの密着力
の増加量は、ＴｉＣの粒径を０．５μｍ〜１μｍとした
場合に予想されるＴｉＣと絶縁膜との接触面積の増加量
よりも大きくなっている。これは、ＴｉＣの粒子表面に
も凹凸があるため（図３）、実際の接触面積が予想され
る接触面積よりも多くなり、しかもこの凹凸がアンカと
なって、一層密着力を高めているためと考えられる。
密着力が最大となり、それ以上に段差が増しても密着力
は徐々に減少している。これは、段差が１０Å〜５０Å
の場合には、基板のＴｉＣと絶縁膜との接触面積が増加
するのに従って密着力が増加する。しかし、段差が５０
Åを越えると、基板表面のＴｉＣの凸部を被覆する保護
膜の割合が徐々に減少するため、密着力が低下するもの
と考えられる。また、段差が５０Å以下のときの密着力
の増加量は、ＴｉＣの粒径を０．５μｍ〜１μｍとした
場合に予想されるＴｉＣと絶縁膜との接触面積の増加量
よりも大きくなっている。これは、ＴｉＣの粒子表面に
も凹凸があるため（図３）、実際の接触面積が予想され
る接触面積よりも多くなり、しかもこの凹凸がアンカと
なって、一層密着力を高めているためと考えられる。
【００１４】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明の薄膜磁気ヘッドによれば、ＲＩＥ法などのエッチン
グによりアルミナ部分を選択的に除去し、凸部をＴｉＣ
とする多数の凹凸を形成したアルチック基板表面に、Ａ
ｌ2Ｏ3からなる絶縁膜を介して電磁変換素子回路を形成
されていることにより、基板表面と絶縁膜との接触面積
が増え、特にＴｉＣが突出していることでＴｉＣと絶縁
膜のＡｌ2Ｏ3との接触面積が増え、両膜間の密着力が向
上し、耐剥離性が著しく向上する。従って、製造上の歩
留まりが向上すると共に製造されたヘッドの耐久性も向
上し、スライダの小型化及びそれによる薄膜磁気ヘッド
の小型化に対応することができる。
明の薄膜磁気ヘッドによれば、ＲＩＥ法などのエッチン
グによりアルミナ部分を選択的に除去し、凸部をＴｉＣ
とする多数の凹凸を形成したアルチック基板表面に、Ａ
ｌ2Ｏ3からなる絶縁膜を介して電磁変換素子回路を形成
されていることにより、基板表面と絶縁膜との接触面積
が増え、特にＴｉＣが突出していることでＴｉＣと絶縁
膜のＡｌ2Ｏ3との接触面積が増え、両膜間の密着力が向
上し、耐剥離性が著しく向上する。従って、製造上の歩
留まりが向上すると共に製造されたヘッドの耐久性も向
上し、スライダの小型化及びそれによる薄膜磁気ヘッド
の小型化に対応することができる。
【図１】本発明が適用された薄膜磁気ヘッドの概略斜視
図。
図。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線について見た断面図。
【図３】図２のアルチック基板と絶縁膜との境界部分を
拡大して示す図。
拡大して示す図。
【図４】アルチック基板の表面をＲＩＥ法によりエッチ
ングした場合の基板表面のＴｉＣとＡｌ2Ｏ3との間の段
差量とバイアス電圧との関係を示すグラフ。
ングした場合の基板表面のＴｉＣとＡｌ2Ｏ3との間の段
差量とバイアス電圧との関係を示すグラフ。
【図５】アルチック基板と絶縁膜との間の密着力と、Ｔ
ｉＣとＡｌ2Ｏ3との段差量との関係を示すグラフ。
ｉＣとＡｌ2Ｏ3との段差量との関係を示すグラフ。
１ アルチック基板 ２ 絶縁膜 ３ 下部磁性膜 ４ 磁気ギャップ膜 ５、６ 有機絶縁膜 ７ 導体コイル ８ 上部磁性膜 ９ 保護膜 １０ 下部磁極 １１ 上部磁極 １３ Ａｌ2Ｏ3部分 １４ ＴｉＣ部分
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミナ−チタンカーバイト（Ａｌ2
Ｏ3−ＴｉＣ）からなる基板と、前記基板上に形成され
たアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）からなる絶縁膜と、前記絶縁膜
上に形成された電磁変換素子回路とを有する薄膜磁気ヘ
ッドであって、 前記基板表面のアルミナ部分をエッチングすることによ
り、該基板表面にチタンカーバイト（ＴｉＣ）部分を凸
部とする多数の凹凸が形成され、この凹凸をなす表面に
前記絶縁膜が成膜されていることを特徴とする薄膜磁気
ヘッド。 - 【請求項２】 前記凹凸が、リアクティブイオンエッ
チング法により１０Å〜１μｍの段差となるように形成
されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気
ヘッド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7350853A JPH09180128A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 薄膜磁気ヘッド |
| US08/774,972 US5764454A (en) | 1995-12-26 | 1996-12-26 | Thin-film magnetic head with improved bonding characteristics and peeling resistance of insulating film to substrate |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7350853A JPH09180128A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 薄膜磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09180128A true JPH09180128A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18413338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7350853A Pending JPH09180128A (ja) | 1995-12-26 | 1995-12-26 | 薄膜磁気ヘッド |
Country Status (2)
| Country | Link |
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| JP (1) | JPH09180128A (ja) |
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-
1996
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Also Published As
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|---|---|
| US5764454A (en) | 1998-06-09 |
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