JP2948464B2 - 非同期転送モード(atm)ペイロード同期装置 - Google Patents

非同期転送モード(atm)ペイロード同期装置

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  • Time-Division Multiplex Systems (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、デジタル伝送システム
に関し、特に、ATMペイロードを同期デジタル信号か
らいわゆるSDHベースATM信号に変換するATMペ
イロード同期装置に関する。
【0002】
【従来の技術】例えば、SDH信号またはSONET信
号を使用する同期デジタル伝送システムによれば、通
常、ペイロードデータを得る必要がある(一般的には、
いわゆる「ペイロードクロック」の使用を必要とす
る)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記ペイロードクロッ
クは、大部分のデジタル伝送機器において得られないの
で、別体のクロック装置を使用して発生させなければな
らないことになる。これは、複雑となり高価となるの
で、望ましくない。
【0004】ATMデータ伝送は、所定数のバイトから
なる固定長パケット(セル)を用いて情報を転送する方
式である。したがって、ATMの文章では、セルとパケ
ットとは、同義語である。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明は、SDH信号、
SONET信号またはその他類似のデジタル信号のよう
な同期デジタル信号が供給され、所定のクロック速度を
有し、セルを搬送するATMペイロード同期装置におい
て、出力されるべき入力セルを記憶し、各セルが所定数
のバイトを有する記憶手段と、内部セルを形成する出力
されるべき入力セル内のバイト数を増加する増加手段
と、上記入力SDH信号のクロックと等しいクロック速
度が上記内部セルを出力するための読出クロックの速度
として使用されうるように、出力されるべき追加内部セ
ルを発生させ挿入する発生・挿入手段とからなる。
【0006】非同期転送モードシステム内の別体のペイ
ロードクロックは、入力SDHクロック速度、入力SO
NET速度、または、その他類似の入力クロック速度と
等しいクロック速度が読出クロックとして使用されうる
ように、非同期転送モードセル内のバイトの数を増加す
ること、および、セルストリーム内に制御しながら空セ
ルを発生させ挿入することにより、不要となる。
【0007】本発明の一実現例によれば、所定時間間隔
(例えば、125マイクロ秒)内のセルの数は、空セル
を挿入することにより所定の整数に調整される。これに
よりSDHのSTM−1や8KHzフレーム等の、入手
可能な「標準」クロックを使用してセル境界を識別しう
る。
【0008】
【実施例】図1は、本発明の一実施例にかかるデジタル
ATMペイロード同期装置100を示す。詳しく言え
ば、局所出力クロック信号に同期されるべきデジタル伝
送信号は、入力信号源101からクロック抽出回路10
2、フレーム指示回路103および直並列変換(S/
P)器106へ供給される。
【0009】入力デジタル信号は、そのペイロード内の
非同期転送モードセルを搬送するデジタル伝送信号のう
ちのひとつであってもよい。例えば、デジタル伝送信号
は、SDH信号またはSONET信号であってもよい。
本実施例によれば、非同期転送モードセルは、155.
52メガビット/秒の回線速度を有するSTM−1の同
期デジタル階層信号内で搬送されていると仮定する。本
実施例によれば、ATMデータセルは、バイト展開され
てエラスティックストア107に書込まれ、エラスティ
ックストア107から読出される。したがって、書込ア
ドレス発生器108は、入力クロック速度の約数で書込
アドレスを発生することになる。
【0010】クロック抽出回路102は、公知の方法で
入力信号からSTM−1クロック速度を抽出する。抽出
されたクロックは、フレーム指示回路103および直並
列変換器106に供給される。
【0011】フレーム指示回路103は、抽出されたク
ロックと入力信号とに応答する。フレーム指示回路10
3は、周知の方法でバイト境界とSTM−1セクション
オーバヘッド(SOH)バイトの場所とを識別する。フ
レーム指示回路103は、正しいバイト境界を有する時
に、バイト毎にエラスティックストア107、ポインタ
処理回路104、セル同期回路105および空セル検出
器118にデータを送給するように、直並列変換器10
6を制御する。また、フレーム指示回路103は、抽出
されたSTM−1クロック速度の1/8で「バイトクロ
ック」をポインタ処理回路104、セル同期回路10
5、書込アドレス発生器108および空セル検出器11
8に供給する。また、フレーム指示回路103は、ポイ
ンタ処理回路104にセクションオーバヘットバイト、
および、ポインタバイト(すなわち、Hバイト)の場所
を指示する制御信号を供給する。
【0012】ポインタ処理回路104の動作は、国際電
信電話諮問委員会(CCITT)勧告G709に定義さ
れている。ポインタ処理回路104は、STM−1ペイ
ロード内のパスオーバヘッド(POH)の場所を指示す
る。STM−1ペイロード内のパスオーバヘッドの場所
はフレームの先頭(SOH)の場所に対して固定してい
ない。
【0013】ポインタ処理回路104は、セル同期回路
105に直並列変換器106の現出力バイトがペイロー
ドバイト(すなわち、ATMセルから出力されたバイ
ト)か否かについての標識を供給する。ネガティブスタ
ッフは、有効データを有しているので、ペイロードバイ
トとみなされる。
【0014】セル同期回路105は、STM−1ペイロ
ード内のセル境界を特定するように動作する。標準化さ
れたATMセルは、国際電信電話諮問委員会勧告I.3
61に定義されている。
【0015】セル同期は、各非同期転送モードセルヘッ
ダ内のヘッダ誤り制御(HEC)フィールドを使用する
ことにより実現される。ヘッダ誤り制御フィールドは、
所定の生成多項式(X8 +X2 +X+1)を含む短縮巡
回符号を使用することにより生成された8ビット検査符
号を転送する。ついで、セル同期は、誤り制御されるべ
きATMセルのヘッダビット(32ビット)とヘッダ誤
り制御フィールド内の注目された制御ビットとの相関を
使用して行われる。
【0016】図3は、ヘッダ誤り制御によるセル同期方
法の状態線図である。この同期も、セル毎方式で行われ
る。図3の状態線図の詳細は、以下の通りである。 1. ハンチング(HUNT)状態301によれば、同
期過程は、ヘッダ誤り制御符号化演算が仮定したヘッダ
フィールドに対してなされている(すなわち、シンドロ
ーム=0)かをチェックすることにより行われる。この
ような一致が見出だされたときは、一つのヘッダが見出
され、同期過程がプレ同期(PRESYNCH)状態3
02に入ったと仮定される。 2. プレ同期状態は、ヘッダ誤り制御符号化演算がδ
セル連で続なされていることが検出されるまで続く。 3. ヘッダ誤り制御符号化演算がδセル連続でなされ
ていることが確認されたとき、同期過程は、同期(SY
NCH)状態303に入る。同期状態303によれば、
セル同期は、ヘッダ誤り制御符号化演算と受信セルのH
ECが連続α回と不一致のとき、同期はずれと判定され
る。
【0017】パラメタαおよびδは、セル同期過程をで
きるかぎり健全で確実とするように、また、本発明の実
施者に委ねられた所定性能パラメタを満たすように選定
される必要がある。一の実施例によれば、αとして7が
選定され、δとして6が選定される。
【0018】セル同期回路105は、各受信セルの始ま
りを示す信号を発生し、その標識を書込アドレス発生器
108に供給する。セル同期回路105は、ポジティブ
スタッフバイトと同様に、STM−1セクションオーバ
ヘッドとパスオーバヘッドとがエラスティックストア1
07に書込まれないように、書込アドレス発生器108
を制御するように動作する。セル同期回路105の細部
と動作とは、国際電信電話諮問委員会勧告I.432に
記載されている。
【0019】本実施例によれば、エラスティックストア
107は、少なくとも2個のATMセル分の記憶容量を
有する。しかし、他のSDH信号またはSONET信号
が採用されたときは、エラスティックストア107の記
憶容量がこれに対応して調整されなければならないこと
は、本発明の実施者には当然のことである。
【0020】ATMセルは、固定長パケットを転送する
ために53バイトを含む。上記の通り、ATMセルデー
タは、バイト展開でエラスティックストア107に書込
まれる。また、エラスティックストア107の書込アド
レス(WADDR)入力端に供給された書込アドレス
は、複数の既知固定場所の一つへのATMセルの第1バ
イトの書込みを制御するものであり、ATMセルの残り
のバイトは、第1バイトが書込まれた場所に対して連続
した場所内に存在する。ATMセルの全バイトがエラス
ティックストア107から読出されている時、ATMセ
ルのどのバイトがメモリ記憶場所のアドレスによって読
出されているかが分かるように、ATMセルの第1バイ
トのために既知の特定固定場所を採用することは、重要
である。
【0021】上記の通り、本発明の諸原理に従って、入
力STM−1デジタル信号のクロック速度と同一のいわ
ゆるSDHベースATM速度の局所クロックを採用し
て、エラスティックストア107からセルのバイトを読
出すことが望ましい。これにより、STM−1ペイロー
ド内のセルを読出すために、標準でないペイロードクロ
ックを発生する必要がなくなる。
【0022】この目的のため、局所タイミング源109
は、読出クロック発生器110と制御回路111とに所
定標準クロック信号を供給する。これにより、書込クロ
ック発生器110は、本実施例によれば、155.52
メガビット/秒のSTM−1速度を有するいわゆるSD
HベースATM書込クロックを発生する。セルデータ
は、バイト展開でエラスティックストア107から読出
されるので、実読出クロックは、STM−1クロックの
約数(すなわち1/8)である。
【0023】本実施例によれば、書込クロックは、54
バイト内部セル書式のセル境界の基準として採用された
標準8kHzクロックに応答して生成される。54バイ
ト内部セルフォーマットは、図2に示されており、以下
に説明される。この結果、標準でないセル境界基準は、
不要である。書込クロック発生器110から出力された
書込クロックは、制御回路111、読出アドレス発生器
112、パリティ発生器113、空セル発生器114お
よびフラグ発生器115に供給される。書込クロック
は、また、ライン117を介して出力としても供給され
る。
【0024】制御信号は、制御回路から読出アドレス発
生器112、パリティ発生器113、空セル発生器11
4、フラグ発生器115および多重化装置(MUX)1
16に供給される。
【0025】読出アドレス発生器112は、書込クロッ
ク発生器110の出力および制御回路111から出力さ
れた制御信号に応答して、書込アドレス(RADDR)
を発生する。書込アドレスは、エラスティックストア1
07およびセル場所比較器119に供給される。
【0026】空セル検出器118は、空セルがエラステ
ィックストア107に書込まれた時に、この空セルを検
出するのに使用され、検出された空セルの標識を制御回
路111に供給する。
【0027】上記目的のため、空セル検出器118は、
各セルのヘッダの内容に基づいて、各セルが空セルか否
かを決定する。これは、入力されたセルヘッダを空セル
パターンと比較することにより公知の方法で達成され
る。例えば、ATM空セルは、国際電信電話諮問委員会
勧告I.361、表題「B−ISDNATMレイヤ仕
様」に定義されたヘッダパターンを有する。したがっ
て、空セル検出器118は、エラスティックストア10
7に記憶されたセルが空セルか否かについての標識を制
御回路111に供給する。この標識は、以下に述べる目
的のため使用される。
【0028】セル場所比較器119は、書込アドレス発
生器108から書込アドレスを介して書込まれている現
書込場所と読出アドレス発生器112から読出アドレス
を介して読出されている現読出場所とを比較して、いわ
ゆる「全セル記憶標識」を発生する。この全セル記憶標
識は、制御回路111に供給される。これは、全セル
(53バイト)がエラスティックストア107から読出
されている現セルに対して次のセル記憶場所に記憶され
るか否かを決定することにより実現される。
【0029】本発明によれば、パリティ発生器113
は、制御回路111から出力された制御信号に応答して
動作し、多重化装置116からの出力として供給されて
いる54バイト内部セル書式全体のパリティを発生す
る。また、パリティ発生器113は、54番目のバイト
からなる第2ニブルをエラスティックストア107から
読出されている各54バイトセル、または、空セル発生
器114から読出されている内部空セルに付加するよう
に動作する。
【0030】上記目的のため、4ビット(すなわち、第
2ニブル)がエラスティックストア107から読出され
ている標準53バイトセル、または、空セル発生器11
4から読出されている内部空セルの終りに付加される。
後述するように、フラグ発生器115は、4ビット(す
なわち、第1ニブル)を各53バイト非同期転送モード
セルの始まりに付加する。
【0031】53バイト非同期転送モードセルの始まり
に付加された第1ニブルは、4ビットのうち2ビットを
占める1個のセル型式標示と将来の使用のために予約さ
れた(RSRV)他の2ビットとを含む。53バイト非
同期転送モードセルの終りに付加された第2ニブルは、
パリィティ検査ビット位置と将来の使用のために予約さ
れた3個の追加ビット位置とを含む。エラスティックス
トア107または空セル発生器114から読出されてい
る現セルと出力されるべき次のセル上の第1ニブルと
は、1個のバイトを形成する。
【0032】パリティは、パリティビットを含む多重化
装置116の出力として供給されている全54バイトセ
ル内のビット全体について生成される。本実施例によれ
ば、奇数パリティが採用される。しかし、偶数パリティ
も同様に採用することができ、これは、本発明の実施者
に委ねられる。第1および第2ニブルは、制御回路11
1の制御に基づいて、多重化装置116を介して、エラ
スティックストア107または空セル発生器114から
読出されているセルに付加される。多重化装置116の
出力として供給されているセルは、図2に示された54
バイトセルである。
【0033】空セル発生器114は、上記の通り、第1
および第2ニブルが制御回路111の制御に基づいて付
加される内部53バイト空セルを発生する。
【0034】制御回路111に制御されるフラグ発生器
115は、第1ニブルを53バイト非同期転送モードセ
ルの始まりに付加し、さらに、図2に示された54バイ
ト内部非同期転送モードセル書式で第1ニブル内の型式
ビット位置(T1およびT2)内に挿入されるべき情報
を発生する。T1は、セルが空セルか否かを示す。本実
施例によれば、T1=1は、空セルでないことを示し、
T1=0は、空セルであることを示す。T0は、セルの
発生点を示す。本実施例によれば、T0=1は、外部で
発生したセルを示し、T0=0は、内部で発生したセル
を示す。本発明によれば、型式ビットの使用は、内部A
TMセルフォーマット内で空セルの検出を極めて簡単化
する。
【0035】制御回路111は、所定時間間隔(例え
ば、125マイクロ秒の時間間隔)毎に所定整数個のセ
ル間隔を発生するように動作する。したがって、本実施
例によれば、54バイト内部ATMセル数は、適切な段
階で54バイト内部ATM空セルを付加することによ
り、125マイクロ秒毎に45まで増加される。125
マイクロ秒内に54バイトセル数を所定の整数まで増大
するとともに非同期転送モードセルサイズを54バイト
まで増大することにより、書込クロック速度を所望の1
55.52メガビット/秒まで増大させる。125マイ
クロ秒毎にセル数を45まで増加させるために、52バ
イト非同期転送モードセルおよび54バイト非同期転送
モードセルが出力された後で、制御回路111の制御に
基づいて内部空セルが生成され、多重化装置116を介
して平均して挿入される。
【0036】これにより、制御回路111は、各先行セ
ル時間間隔の終りに、エラスティックストア107から
ATMセルのバイトを出力させるために多重化装置11
6を制御するか否かを決定し、読出されている53バイ
トセルの始まりに第1ニブルを付加し、読出されている
53バイトセルの終りに第2ニブルを付加し、第1ニブ
ルの適切なビット内にフラグ発生器115を介してセル
の型式情報を挿入し、パリティ発生器113をしてエラ
スティックストア107から読出されている次のセルに
ついてパリティを発生させ始め、エラスティックストア
107から読出されている53バイト非同期転送モード
セルに付加されている第2ニブルの最後尾ビット位置に
パリティ検査ビットを付加する。
【0037】空セル発生器114、パリティ発生器11
3、フラグ発生器115および多重化装置116を介し
ての54バイトATM空セルの挿入は、読出されている
現セルの記憶場所内に全セルが記憶されているか否か
の、セル場所比較器119から出力された標示に応答し
て、制御回路111の制御に基づいて行われる。
【0038】制御回路111の動作は、図4のフローチ
ャートに要約されている。詳しく言えば、手順は、ステ
ップ401を経て開始される。ついで、ステップ402
は、全セルがエラスティックストア107内に存在する
か否かを判定する。
【0039】ステップ402でのテスト結果がYESで
あれば、ステップ403は、出力されるべき次のセルの
第1ニブルとともに出力されている現セルの第2ニブル
を含めることにより次のバイトに関する情報を多重化装
置116を介して出力せしめ、多重化装置116を介し
て形成されたバイトを出力せしめる。第2ニブルは、上
記の通り、パリティ発生器113により生成され、第1
ニブルは、上記の通り、フラッグ発生器115を介して
生成される。型式ビットT1は、空セル検出器118か
ら得られ、型式ビットT0は、外部セルを示す1に設定
される。
【0040】ついで、ステップ404は、次の53バイ
トをエラスティックストア107から読出させる。その
後、制御は、ステップ402に渡される。
【0041】ステップ402でのテスト結果がNOのと
きは、ステップ405は、出力されるべき次のセルの第
1ニブルとともに出力されている現セルの第2ニブルを
含めることにより次のバイトに関する情報を多重化装置
116を介して出力せしめ、多重化装置116を介して
形成されたバイトを出力せしめる。第2ニブルは、上記
の通り、パリティ発生器113により生成され、第1ニ
ブルは、上記の通り、フラグ発生器115を介して生成
される。型式ビットT1は、0に設定され、型式ビット
T0は、内部空セルを示す1に設定される。ついで、ス
テップ406は、次の53バイトを空セル発生器114
から読出させる。その後、制御は、ステップ402に渡
される。
【0042】
【発明の効果】本発明によれば、標準でないペイロード
クロック、および、標準でないセル境界基準を使用する
必要がない。したがって、別体のクロック装置を使用し
ないので、ATMペイロード同期装置が構成において簡
単化され、安価となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例にかかるATMペイロード同
期装置の概略ブロック線図である。
【図2】本発明を説明するのに有用な内部セルフォーマ
ットの説明図である。
【図3】図1に示されたセル同期回路の動作説明図であ
る。
【図4】図1に示された制御回路の動作を説明するフロ
ーチャートである。
【符号の説明】
100 デジタルATMペイロード同期装置 101 入力信号源 102 クロック抽出回路 103 フレーム指示回路 104 ポインタ処理回路 105 セル同期回路 106 直並列変換回路 107 エラスティックストア 108 書込アドレス発生器 109 局部タイミング源 110 書込クロック発生器 111 制御回路 112 読出アドレス発生器 113 パリティ発生器 114 空セル発生器 115 フラグ発生器 116 多重化装置 118 空セル検出器 119 セル場所比較器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上田 裕巳 日本 神奈川県 横浜市 港南区 上永 谷 4丁目 3−3−604 (56)参考文献 特開 平5−7219(JP,A) 特開 平4−177944(JP,A) 特開 平4−242346(JP,A) 特開 平3−250828(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H04L 12/28 H04J 3/00 H04L 7/00

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 SDH信号、SONET信号またはその
    他類似のデジタル信号のような同期デジタル信号が供給
    され、所定のクロック速度を有し、ATMセルを搬送す
    るATMペイロード同期装置において、該装置は、 出力として供給されるべき入力ATMセルを記憶し、各
    ATMセルが所定数のバイトを有する記憶手段と、 内部ATMセルを形成する出力として供給されるべき入
    力ATMセル内のバイト数を増加する増加手段と、 入力同期デジタル信号のクロックと等しいクロック速度
    が前記内部ATMセルを出力するための読出クロックの
    速度として使用されうるように、出力として供給される
    べき追加内部ATMセルを発生させ挿入する発生・挿入
    手段とからなり、 前記増加手段は、バイト数を1つ増加することにより、
    前記内部ATMセルを形成し、 1つ増加されるバイトは、4ビツトを含む第1ニブル
    と、4ビツトを含む第2ニブルとからなり、 前記増加手段は、各入力ATMセルの始まりに前記第1
    ニブルを挿入し、各入力ATMセルの終りに前記第2ニ
    ブルを挿入する挿入手段を含むことを特徴とするATM
    ペイロード同期装置。
  2. 【請求項2】 前記発生・挿入手段は、整数個の内部A
    TMセルが所定時間間隔内に出力されるように、複数個
    の追加内部ATMセルを発生させ挿入することを特徴と
    する請求項1に記載の装置。
  3. 【請求項3】 前記所定時間間隔は、125マイクロ秒
    であり、前記追加内部ATMセルの個数は、45である
    ことを特徴とする請求項2に記載の装置。
  4. 【請求項4】 前記第1ニブルは、ATMセルが内部A
    TMセルか、入力ATMセルか、空ATMセルか、また
    は、これらのいずれでもないかを示す少なくとも2個の
    型式ビットを含むことを特徴とする請求項1に記載の装
    置。
  5. 【請求項5】 入力クロック速度は、155.52Mb
    /sのSTM−1速度であることを特徴とする請求項1
    に記載の装置。
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