JP2976732B2 - 同期光多重化装置 - Google Patents

同期光多重化装置

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JP2976732B2 JP4310515A JP31051592A JP2976732B2 JP 2976732 B2 JP2976732 B2 JP 2976732B2 JP 4310515 A JP4310515 A JP 4310515A JP 31051592 A JP31051592 A JP 31051592A JP 2976732 B2 JP2976732 B2 JP 2976732B2
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、装置内にSDH標準の
STM−m低速電気信号インタフェースを有し、それを
多重化したSTM−n(n=N×m)光信号を伝送する
同期光多重化装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の同期光多重化装置の高速
信号インタフェ−ス部(図9)は、低速信号インタフェ
ース部からのN本のSTM−m電気信号の位相を合わせ
ると共に、装置内クロック及びフレ−ムで読みだすバッ
ファメモリ部101と、バッファメモリ部出力のN本の
STM−m電気信号をSDHの多重化則に従ってSTM
−n電気信号に多重化する多重化部102と、多重化部
出力STM−n信号に対してオーバヘッドの挿入を行う
オーバヘッド挿入部103と、オーバヘッドの挿入され
たSTM−n電気信号をSTM−n光信号に変換し伝送
路に送出する光送信部104とからなる送信部100
と、伝送路から入力したSTM−n光信号をSTM−n
電気信号に変換する光受信部210と、STM−n電気
信号に対しフレ−ム同期をとるフレ−ム同期部220
と、フレ−ム同期のとられた該フレ−ム同期部出力につ
いてオーバヘッドの終端を行うオーバヘッド終端部23
0と、オーバヘッド終端部出力信号をN本のSTM−m
電気信号に分離する分離部240と、N本のSTM−m
電気信号に対して伝送路クロック及びフレームから装置
内クロック及びフレ−ムに乗せ替えると共にSTM−m
信号中の実質的なデータの始まり位置を示すポインタ情
報を、乗せ替えた装置内フレ−ムに合わせた値に付け替
えを行いN本のSTM−m電気信号として装置内低速信
号インタフェース部に送出するポインタ処理部250と
からなる受信部200とより構成されていた。
【0003】この為、送信部100のバッファメモリ部
101ではメモリ容量を小さくするため、低速信号イン
タフェース部より入力されるSTM−m信号のフレーム
位相に対応して、読みだしフレームとして使用するクロ
ック分配部2より入力されるフレームパルスに固定的に
遅延を与え、書き込みフレームと読みだしフレームの位
相を合わせるようにしている。又、受信部200のポイ
ンタ処理部250での読みだしフレーム位相は、クロッ
ク分配部2より入力されるフレームを基に決まる為、固
定となってしまう。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】ところで、装置内低速
側電気信号インタフェ−スをSDH標準STM−mとし
たのは、インタフェ−スの標準化により装置の拡張性を
良くするためである。しかし、高速信号インタフェ−ス
部から見た装置内低速側電気信号の入出力フレーム位相
は、装置の機能が変われば、すなわちバッファメモリ部
101の入力側とポインタ処理部250の出力側に接続
される装置が変わると、これに伴い変化することが考え
られる。
【0005】従って、バッファメモリ部の読みだしフレ
ーム位相及びポインタ処理部の読みだしフレーム位相が
固定であると、高速信号インタフェ−ス部は、機能が同
じであるにもかかわらず、汎用化できないという問題が
ある。本発明は、かかる問題点に鑑みて為されたもので
あり、高速信号インタフェース部送信側バッファメモリ
部の読みだしフレ−ム位相、及び受信側ポインタ処理部
の読みだしフレ−ム位相を可変にすることにより、上記
問題を解決するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の同期光多重化装
置は、SDH標準のN本のSTM−m低速信号からST
M−n(n=N×m)高速信号への多重化を行う送信部
と、STM−n高速信号からN本のSTM−m低速信号
への分離を行う受信部と、システムの基準クロックから
装置内クロック及びフレ−ムパルスを生成し、装置内に
分配するクロック分配部とを具備する同期光多重化装置
であって、前記送信部は、低速信号インタフェース部か
らのN本のSTM−m電気信号の位相を合わせると共
に、装置内クロック及びフレ−ムで読みだすバッファメ
モリ部と、低速信号インタフェース部より入力されるS
TM−m電気信号のフレ−ム位相に合わせ、バッファメ
モリ部の読みだしフレ−ム位相を外部からの設定により
1フレーム分任意に可変できる第1の可変遅延部と、バ
ッファメモリ部出力のN本のSTM−m電気信号をSD
Hの多重化則に従ってSTM−n電気信号に多重化する
多重化部と、多重化部出力STM−n信号に対してオー
バヘッドの挿入を行うオーバヘッド挿入部と、オーバヘ
ッドの挿入されたSTM−n電気信号をSTM−n光信
号に変換し、伝送路に送出する光送信部とを含み、前記
受信部は、伝送路から入力したSTM−n光信号をST
M−n電気信号に変換する光受信部と、STM−n電気
信号に対しフレ−ム同期をとるフレ−ム同期部と、フレ
−ム同期のとられた該フレ−ム同期部出力についてオー
バヘッドの終端を行うオーバヘッド終端部と、オーバヘ
ッド終端部出力信号をN本のSTM−m電気信号に分離
する分離部と、N本のSTM−m電気信号に対して伝送
路クロック及びフレームから装置内クロック及びフレ−
ムに乗せ替えると共に、STM−m信号中の実質的なデ
ータの始まり位置を示すポインタ情報を乗せ替えた装置
内フレ−ムに合わせた値に付け替えを行い、N本のST
M−m電気信号として装置内低速信号インタフェース部
に送出するポインタ処理部と、ポインタ処理部でのクロ
ック及びフレーム乗せ替えの際のフレ−ム位相を外部か
らの設定により1フレーム分任意に可変できる第2の可
変遅延部とを含むことを特徴とする同期光多重化装置で
ある。
【0007】なお、第1の可変遅延部及び第2の可変遅
延部は制御インタフェースを介して外部から制御信号を
受けることにより、遅延量が設定されるものが好まし
い。また、第1の可変遅延部及び第2の可変遅延部は、
低速信号インタフェース部によりSTM−m低速信号に
識別信号を挿入し、これを高速信号インタフェース部に
おいて検出、識別することにより遅延量が設定されるも
のが好ましい。
【0008】また、ポインタ処理部は、ポインタ解釈部
とメモリ部とポインタ演算部とポインタ挿入部を具備す
るものが好ましい。
【0009】
【実施例】図1〜図8は本発明の同期光多重化装置に係
る実施例を示すもので、図1は同期光多重化装置の要部
のブロック図、図2はSTM−1信号のフレームフォー
マット図、図3はポインタ変換部の中のポインタ解釈部
とメモリ回路とポインタ演算部とポインタ挿入部とを示
す図、図4はポインタ変換部の動作を示すタイミングチ
ャート図、図5はポインタ変換部の動作を示すタイミン
グチャート図、図6はポインタ変換部の動作を示すタイ
ミングチャート図、図7は可変遅延部の制御を外部より
行う場合のブロック図、図8は可変遅延部の制御を内部
で自動的に行う場合のブロック図である。
【0010】本発明の同期光多重化装置は、バッファメ
モリ部101と、多重化部102と、オーバヘッド挿入
部103と、光送信部104と、第1の可変遅延部10
5とから成る送信部100と、光受信部210と、フレ
ーム同期部220と、オーバヘッド終端部230と、分
離部240と、ポインタ処理部250と、第2の可変遅
延部260とからなる受信部200とにより構成される
高速信号インタフェース部1と、装置内基準クロック及
びフレームパルスを装置内に分配するクロック分配部2
とを含む。
【0011】送信部100では、バッファメモリ部10
1にて入力されたN本のSTM−1低速電気信号間の位
相合わせを行った後、多重化部102にてCCITT勧
告G.708の多重化則に従ってN本のSTM−1信号
をSTM−n信号に多重化し、オーバヘッド挿入部10
3にてオ−バヘッドの挿入を行った後光送信部104に
てSTM−n光信号に変換して伝送路に送出する。低速
電気信号はSTM−1以外でもよいが、ここではSTM
−1と仮定して説明する。バッファメモリ部101の読
みだしクロック及びフレームとしては、クロック分配部
2より入力された装置内基準クロック及びフレームを、
第1の可変遅延部105により、入力されたSTM−1
低速電気信号のフレーム位相に合わせて、外部からの設
定により任意に遅延させたものを使用することにより、
バッファメモリ部101のメモリ容量を小さくするよう
にしている。
【0012】受信部200では、伝送路より入力された
STM−n光信号を光受信部210にてSTM−n電気
信号に変換した後、フレーム同期部220にてフレーム
同期をとり、オ−バヘッド終端部230にてSTM−n
電気信号中のオーバヘッドの終端を行う。分離部240
ではSTM−n電気信号をCCITT勧告G.708の
多重化則に従いN本のSTM−1信号に分離し、ポイン
タ処理部250に送出する。ポインタ処理部250はポ
インタ解釈部251−1〜251−Nと、メモリ部25
2−1〜252−Nと、ポインタ演算部253−1〜2
53−Nと、ポインタ挿入部254−1〜254−Nと
を含み、分離部240からN本のSTM−1信号を並列
入力し、各STM−1信号毎に同じ構成の回路を有す
る。ポインタ処理部250のメモリ部252−1〜25
2−Nの読みだしクロック及びフレームは、クロック分
配部2から入力された装置内基準クロック及びフレーム
を第2の可変遅延部260によって、STM−1電気信
号を任意の位相で高速信号インタフェース部より出力す
る事ができるようになっている。なお、STM−1電気
信号の位相は、外部から任意の位相を設定し、使用す
る。
【0013】ところで、STM−1信号の信号レートは
155.52Mb/S、1フレーム長は19440ビット
(2430byto)である。1フレームは9バイトの
オーバヘッドとペイロード(Payroad:端局から
の送信情報を有するフレーム化されたデータ列)の周期
Tを9回繰り返している。1フレーム信号列の先頭のオ
ーバヘッドには6バイトのフレーム同期信号(A1,A
1,A1,A2,A2,A2)があり、その他の9バイ
トのオーバヘッドにもCCITT勧告G.708で規定
された情報が入る。また、3つ目の周期Tのオーバヘッ
ドにはポインタ(H1,H2,H3それぞれ3バイトず
つ)が挿入されている。このポインタの内容はポインタ
バイトの最後のビット終了直後からペイロード中のデー
タ列のフレーム先頭位置までのデータビット数を示して
おり、受信側はポインタの解釈によってペイロードの中
のフレーム先頭位置を検出するようになる。図2のよう
にポインタの最終ビットの後にすぐにペイロードが続く
場合、ポインタの値はペイロードの先頭ビットからデー
タ列のフレーム先頭位置までのビット数を示す。
【0014】図3において、分離回路240からのST
M−1信号とクロック信号とフレーム同期パルスはシリ
アル/パラレル変換(S/P)回路251で24並列信
号に変換される。このとき、各並列信号のビットレート
は、155.52Mb/S÷24=6.48Mb/Sの速度に落
される。図4はS/P回路250の入力と出力信号を示
す。直並列変換はフレーム同期パルス入力時から開始さ
れる。
【0015】ポインタ解釈回路(PTR INT)25
2は、STM−1信号の並列信号からポインタH1,H
2,H3の位置を検出する。STM−1信号ではポイン
タの位置がフレーム同期パルスA1〜A3から何ビット
目にあるかが予め決められているので、ポインタ位置は
容易に検出できる。フレームヘッダ生成回路(FHGE
N)253は、ポインタ位置でのポインタ情報に基づい
てポインタオーバヘッドのH3の後のペイロードの中の
データ列のフレーム先頭位置を検出し、そのタイムスロ
ットにフレームヘッダパルスFHを発生する。フレーム
ヘッダパルスFHはメモリMEMで記憶された直後の読
出しクロックによって読出される。
【0016】メモリMEMは24個の8bit並列入力
並列出力FIFOメモリを有し、図5に示す書込みクロ
ックWLPS1〜8によってS/P回路250からの2
4並列信号をそれぞれの8bit並列入出力メモリに一
時蓄積する。図5のメモリ入力は24並列信号のうちの
1つの入力だけを示しているが、24並列信号は書込み
クロック発生回路(WCLK GEN)261からの書
込みクロックWLPS1〜8によって242の8bit
並列入出力メモリに書込まれることになる。書込みクロ
ックWLPS1〜8はオーバヘッド(OH)の期間は発
生が停止し、ペイロード期間になると再び繰り返し発生
する。書込みクロックWLPS1〜8それぞれの1周期
は8bit分で、1ビットずつずれて発生する。メモリ
MEMはWLPS1〜8の立上がり毎に新たなデータを
書込む。
【0017】メモリMEMの読出しは、読出しクロック
発生回路(RCLK GEN)262からの読出しクロ
ックRPLS1〜RPLS8がローレベルのときに行わ
れる。読出しクロックRPLS1〜RPLS8は第2の
可変遅延ユニット260からのクロック信号に同期して
発生する。また、オーバヘッドOHの期間では読出しク
ロックの発生が停止し、この期間での読出しはオーバヘ
ッドの分長くなる。
【0018】ポインタ演算部(PTR PROC)25
3−1は読出しフレーム(可変遅延ユニット260から
のフレーム同期パルス)をもとに、1フレーム上のポイ
ンタオーバヘッドの3つ目のH3の位置を求め、その直
後で0にリッセットされるカウンタを有している(図6
参照)。フレームヘッダパルスFHがメモリMEMから
供給されると、図6の場合、フレームヘッダパルスFH
に応答して、前のフレームのH3の位置に対するペイロ
ードのフレーム先頭を示す値としてカウンタの出力値7
78がポインタ挿入部(PTR INC)254−1に
よって新しいフレームのポインタ位置に挿入される。ポ
インタ挿入部254−1の出力データ列中のオーバヘッ
ドはポインタ以外にはないが、他のオーバヘッドを挿入
する位置は、図5のメモリ出力に示すように確保されて
いる。254−1の出力側の図示しないオーバヘッド挿
入回路は、その確保した位置にオーバヘッドを挿入して
多重化する。
【0019】図1にある第1の可変遅延部105及び第
2の可変遅延部260での遅延量の設定方法としては、
装置外部より設定する方法と、装置内部で自動的に設定
する方法の二通りがある。装置外部より遅延量を設定す
る例を図7に示す。設定は装置外部に接続された端末等
により行われ、端末等からの制御信号を制御インタフェ
−ス部3で受信し、制御信号に従って制御インタフェ−
ス部3より第1の可変遅延部105及び第2の可変遅延
部260への遅延量の設定を行う。
【0020】装置内部で自動的に遅延量を設定する例を
図8に示す。この装置は、現用高速信号インタフェ−ス
部1−1と予備用高速インタフェ−ス部1−2と分配部
4とN個の低速信号インタフェ−ス部3−1〜3−Nか
ら構成されている。高速信号インタフェ−ス部1−1〜
1−2は、以下に述べる識別情報検出部106を除い
て、図1のユニット1と同じ構造をしている。低速信号
インタフェ−ス部3−1〜3−Nは、各々STM−1低
チャネルの終端を行うターミナルである。
【0021】分配部4は、分配部401、選択部40
2、バッファメモリ部403、識別信号挿入部404を
含んでいる。分配部401は、識別信号挿入部404の
出力を現用高速信号インタフェ−ス部1−1及び予備用
高速インタフェ−ス部1−2に出力する。現用高速信号
インタフェ−ス部1−1がダウン(故障)した場合、選
択部402は予備用高速インタフェ−ス部1−2の出力
を選択する。バッファメモリ部403は、選択部402
の出力をクロック分配部2から供給されるクロック信号
に同期させる。
【0022】識別信号挿入部404は、低速信号インタ
フェ−ス部3−1〜3−Nの出力であるSTM−1信号
のオーバヘッドに識別情報を挿入する。高速信号インタ
フェース部1では、識別情報検出部106にて入力した
装置内STM−1低速信号中の識別情報を検出し、検出
した識別情報に基づき第1の可変遅延部105及び第2
の可変遅延部260への遅延量の設定を自動的に行う。
【0023】
【効果】本発明は、高速信号インタフェース部送信側の
N本の入力装置内低速信号の位相合わせ用バッファメモ
リ部の読みだしフレーム位相及び受信側ポインタ処理部
の読みだしフレーム位相を可変遅延部の遅延量の設定に
より任意に決定できるようにしたので、装置構成の違い
により高速信号インタフェ−ス部の低速STM−m電気
信号入出力フレーム位相が異なる場合でも同一の高速信
号インタフェ−ス部を使用する事が可能となり、高速信
号インタフェ−ス部の汎用化をはかる事ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の同期光多重化装置の要部のブロック図
【図2】STM−1信号のフレームフォーマット図
【図3】ポインタ変換部の中のポインタ解釈部とメモリ
回路とポインタ演算部とポインタ挿入部とを示す図
【図4】ポインタ変換部の動作を示すタイミングチャー
ト図
【図5】ポインタ変換部の動作を示すタイミングチャー
ト図
【図6】ポインタ変換部の動作を示すタイミングチャー
ト図
【図7】可変遅延部の制御を外部より行う場合のブロッ
ク図
【図8】可変遅延部の制御を内部で自動的に行う場合の
ブロック図
【図9】従来装置の一実施例のブロック図
【符号の説明】
100 送信部 101 バッファメモリ部 102 多重化部 103 オーバヘッド挿入部 104 光送信部 105 第1の可変遅延部 200 受信部 210 光受信部 220 フレーム同期部 230 オーバヘッド終端部 240 分離部 250 ポインタ処理部 260 第2の可変遅延部

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 SDH標準のN本のSTM−m低速信号
    からSTM−n(n=N×m)高速信号への多重化を行
    う送信部と、STM−n高速信号からN本のSTM−m
    低速信号への分離を行う受信部と、システムの基準クロ
    ックから装置内クロック及びフレ−ムパルスを生成し、
    装置内に分配するクロック分配部とを具備する同期光多
    重化装置であって、 前記送信部は、 低速信号インタフェース部からのN本のSTM−m電気
    信号の位相を合わせると共に、装置内クロック及びフレ
    −ムで読みだすバッファメモリ部と、 低速信号インタフェース部より入力されるSTM−m電
    気信号のフレ−ム位相に合わせ、バッファメモリ部の読
    みだしフレ−ム位相を外部からの設定により1フレーム
    分任意に可変できる第1の可変遅延部と、 バッファメモリ部出力のN本のSTM−m電気信号をS
    DHの多重化則に従ってSTM−n電気信号に多重化す
    る多重化部と、 多重化部出力STM−n信号に対してオーバヘッドの挿
    入を行うオーバヘッド挿入部と、 オーバヘッドの挿入されたSTM−n電気信号をSTM
    −n光信号に変換し、伝送路に送出する光送信部とを含
    み、 前記受信部は、 伝送路から入力したSTM−n光信号をSTM−n電気
    信号に変換する光受信部と、 STM−n電気信号に対しフレ−ム同期をとるフレ−ム
    同期部と、 フレ−ム同期のとられた該フレ−ム同期部出力について
    オーバヘッドの終端を行うオーバヘッド終端部と、 オーバヘッド終端部出力信号をN本のSTM−m電気信
    号に分離する分離部と、 N本のSTM−m電気信号に対して伝送路クロック及び
    フレームから装置内クロック及びフレ−ムに乗せ替える
    と共に、STM−m信号中の実質的なデータの始まり位
    置を示すポインタ情報を乗せ替えた装置内フレ−ムに合
    わせた値に付け替えを行い、N本のSTM−m電気信号
    として装置内低速信号インタフェース部に送出するポイ
    ンタ処理部と、 ポインタ処理部でのクロック及びフレーム乗せ替えの際
    のフレ−ム位相を外部からの設定により1フレーム分任
    意に可変できる第2の可変遅延部とを含むことを特徴と
    する同期光多重化装置。
  2. 【請求項2】 第1の可変遅延部及び第2の可変遅延部
    は、制御インタフェースを介して、外部から制御信号を
    受けることにより、遅延量が設定されることを特徴とす
    る請求項1記載の同期光多重化装置。
  3. 【請求項3】 第1の可変遅延部及び第2の可変遅延部
    は、低速信号インタフェース部によりSTM−m低速信
    号に識別信号を挿入し、これを高速信号インタフェース
    部において検出、識別することにより遅延量が設定され
    ることを特徴とする請求項1記載の同期光多重化装置。
  4. 【請求項4】 ポインタ処理部は、ポインタ解釈部と、
    メモリ部と、ポインタ演算部と、ポインタ挿入部とを具
    備することを特徴とする請求項1記載の同期光多重化装
    置。
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