JP2927452B2 - ディスク保持装置及びその使用方法 - Google Patents
ディスク保持装置及びその使用方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ディスク上載面を有した基板に上載された
ディスクがディスク・チャージポジションからディスク
加工ポジションへ運搬される間におけるディスク保持装
置ならびに半導体製造あるいはメモリディスク製造への
ディスク保持装置の使用方法に関する。
ディスクがディスク・チャージポジションからディスク
加工ポジションへ運搬される間におけるディスク保持装
置ならびに半導体製造あるいはメモリディスク製造への
ディスク保持装置の使用方法に関する。
ディスク、例えば半導体製造用シリコーンディスクあ
るいはメモリディスク製造用ディスクの加工は、ますま
す、いわゆるインライン装置で行なわれるようになって
きているが、該装置に於いては種々相異した加工ステー
ションに於いてそれぞれ単一のディスクの加工しか行な
われない。各々のディスクは、その際、加工ステーショ
ンから加工ステーションへ運搬され、同所に於いて基板
上にセットされる。運搬は、通常、ディスクを水平な状
態に保って行なわれる。他の、例えば垂直な状態でのデ
ィスクの加工のためには、多くの場合、ディスクがその
上に固定されている基板が当該加工ステーションに於い
て適宜旋回回転させられる。
るいはメモリディスク製造用ディスクの加工は、ますま
す、いわゆるインライン装置で行なわれるようになって
きているが、該装置に於いては種々相異した加工ステー
ションに於いてそれぞれ単一のディスクの加工しか行な
われない。各々のディスクは、その際、加工ステーショ
ンから加工ステーションへ運搬され、同所に於いて基板
上にセットされる。運搬は、通常、ディスクを水平な状
態に保って行なわれる。他の、例えば垂直な状態でのデ
ィスクの加工のためには、多くの場合、ディスクがその
上に固定されている基板が当該加工ステーションに於い
て適宜旋回回転させられる。
本発明は、加工ステーションから加工ステーションへ
のディスクの運搬には関係せず、加工ステーション内に
おける、場合により旋回回転運動を含めたディスクの運
搬運動に関係する。この場合、加工さるべきディスクが
公知に属するいずれかの運搬装置により基板に上載され
てチャージポジションにセットされ、該ディスクの加工
終了後に未加工のディスクと交換されることとする。
のディスクの運搬には関係せず、加工ステーション内に
おける、場合により旋回回転運動を含めたディスクの運
搬運動に関係する。この場合、加工さるべきディスクが
公知に属するいずれかの運搬装置により基板に上載され
てチャージポジションにセットされ、該ディスクの加工
終了後に未加工のディスクと交換されることとする。
したがって、本発明による保持装置はディスクをチャ
ージポジションから加工ポジションへともたらし、また
その逆を行なおうとするものである。この場合、加工ポ
ジションが別個のチャンバ内にあることもあり、その際
には、一方のチャンバ内のチャージポジションから他方
のチャンバ内の加工ポジションへの運搬及びその逆の運
搬が行なわれなければならない。真空装置に於いては、
この種のチャンバ分離により、各加工ステーション間の
工程ガス混合を抑止することができる。チャンバの真空
気密分離は、同一の運搬運動によりディスクが加工チャ
ンバにもたらされると共に加工チャンバへの通路を為す
開口が例えば加工さるべきディスクのキャリアを同時に
兼ねて形成されているバルブヘッドによって密閉される
場合に、実現される。
ージポジションから加工ポジションへともたらし、また
その逆を行なおうとするものである。この場合、加工ポ
ジションが別個のチャンバ内にあることもあり、その際
には、一方のチャンバ内のチャージポジションから他方
のチャンバ内の加工ポジションへの運搬及びその逆の運
搬が行なわれなければならない。真空装置に於いては、
この種のチャンバ分離により、各加工ステーション間の
工程ガス混合を抑止することができる。チャンバの真空
気密分離は、同一の運搬運動によりディスクが加工チャ
ンバにもたらされると共に加工チャンバへの通路を為す
開口が例えば加工さるべきディスクのキャリアを同時に
兼ねて形成されているバルブヘッドによって密閉される
場合に、実現される。
多くの装置に於いて、ディスクは、運搬中、その基板
上になんらかの形で、例えばディスクのエッジに作用す
るグラブ様の板バネにより固定される。該保持具は、デ
ィスク交換のため、オプショナルに開閉ポジションにも
たらされ得る。この場合の問題は、該保持具がディスク
キャリアの占める加工ポジションに於いて繰返して加工
作用に曝されることから、最終的には保持具の交換が行
なわれなければならないことである。しかもこの交換は
製造プロセスの中断中にしか行なうことができない。
上になんらかの形で、例えばディスクのエッジに作用す
るグラブ様の板バネにより固定される。該保持具は、デ
ィスク交換のため、オプショナルに開閉ポジションにも
たらされ得る。この場合の問題は、該保持具がディスク
キャリアの占める加工ポジションに於いて繰返して加工
作用に曝されることから、最終的には保持具の交換が行
なわれなければならないことである。しかもこの交換は
製造プロセスの中断中にしか行なうことができない。
加工がコーティング、例えば毎分１枚の処理スピード
によるディスク１枚あたり１μｍのアルミニウムコーテ
ィングであるとすれば、５日後には保持具に7mm以上の
厚さに達するアルミニウム付着層が生じ得る。かくて厚
く盛り上がったアルミニウム付着塊は、しばしば、ディ
スクコーティングに際して望ましくない蔭をつくり出
し、コーティングに濃淡差を結果させることとなる。ま
た場合により、ディスクと保持具の癒着が生じ、ディス
クが保持具と離れなくなることさえも結果する。加工が
腐食加工であれば、保持具も共に腐食を被蒙むり、腐食
した保持具から剥落する細片がディスク表面に汚れをも
たらすことともなる。陰極吹付けめっきによるディスク
の精製エッチングに際しては保持具は電位歪みをも惹起
し、その結果、しばしば一種のハローないし影が結果す
る。
によるディスク１枚あたり１μｍのアルミニウムコーテ
ィングであるとすれば、５日後には保持具に7mm以上の
厚さに達するアルミニウム付着層が生じ得る。かくて厚
く盛り上がったアルミニウム付着塊は、しばしば、ディ
スクコーティングに際して望ましくない蔭をつくり出
し、コーティングに濃淡差を結果させることとなる。ま
た場合により、ディスクと保持具の癒着が生じ、ディス
クが保持具と離れなくなることさえも結果する。加工が
腐食加工であれば、保持具も共に腐食を被蒙むり、腐食
した保持具から剥落する細片がディスク表面に汚れをも
たらすことともなる。陰極吹付けめっきによるディスク
の精製エッチングに際しては保持具は電位歪みをも惹起
し、その結果、しばしば一種のハローないし影が結果す
る。
加工処理さるべきディスクが水平な状態でリフティン
グテーブル上に置かれ、次いで、特別な保持装置なしで
加工ステーションに運搬される方式の装置も存在する。
この場合には前記の問題は回避されるが、その代わり、
迅速であって更になお確実な運搬に不可欠な、定められ
た定状態でのディスクの確動的な保持は行なわれない。
グテーブル上に置かれ、次いで、特別な保持装置なしで
加工ステーションに運搬される方式の装置も存在する。
この場合には前記の問題は回避されるが、その代わり、
迅速であって更になお確実な運搬に不可欠な、定められ
た定状態でのディスクの確動的な保持は行なわれない。
したがって、本発明の目的は、運搬に際してディスク
を確実に保持し、それにもかかわらず、公知の保持具が
抱える問題を回避し得る、ディスク上載面を有した基板
に上載されたディスクがディスク・チャージポジション
からディスク加工ポジションへ運搬される間のディスク
保持装置万能型保持装置を提案することである。
を確実に保持し、それにもかかわらず、公知の保持具が
抱える問題を回避し得る、ディスク上載面を有した基板
に上載されたディスクがディスク・チャージポジション
からディスク加工ポジションへ運搬される間のディスク
保持装置万能型保持装置を提案することである。
前記目的は特許請求の範囲第１項記載の特徴に基づい
た保持装置、即ち少なくとも１つの装置要素の少なくと
も３箇所の周端部に、上載面と平行に相互に接近／離反
駆動される可動式保持具が設けられており、更に、離反
駆動運動された保持具のためのカバーが設けられている
ことを特徴とする保持装置を形成することによって実現
される。
た保持装置、即ち少なくとも１つの装置要素の少なくと
も３箇所の周端部に、上載面と平行に相互に接近／離反
駆動される可動式保持具が設けられており、更に、離反
駆動運動された保持具のためのカバーが設けられている
ことを特徴とする保持装置を形成することによって実現
される。
ディスク面と平行な運搬方向は加工ステーションから
加工ステーションへの垂直な状態でのディスクの運搬に
際しては確かに有意的であるが、但しそれはディスクが
中間ポジションに於いて可動式保持具に向かって圧し付
けられ、該保持具がディスクを中間ポジションから加工
ポジションへの引続いての運搬中ならびに加工中に一貫
して保持し続ける場合のみである。ディスクの状態がほ
ぼ水平である場合には前記条件は無用となり得る。
加工ステーションへの垂直な状態でのディスクの運搬に
際しては確かに有意的であるが、但しそれはディスクが
中間ポジションに於いて可動式保持具に向かって圧し付
けられ、該保持具がディスクを中間ポジションから加工
ポジションへの引続いての運搬中ならびに加工中に一貫
して保持し続ける場合のみである。ディスクの状態がほ
ぼ水平である場合には前記条件は無用となり得る。
ディスクの端縁が、例えばメモリディスクの場合、加
工さるべきでないケースもある。これに対し、半導体デ
ィスクの場合には、端縁にまで至る均一な加工の達成が
望まれよう。このケースに於いては、ディスクは前面的
に加工ステーション内に進入させられるべきであろう。
つまり、ディスクをカバーから突出させる必要があろ
う。この場合、保持具をそれが最早や妨げとならない位
置へ、つまり、非常に離れた位置へ移動させる要を省く
ため、本発明により、好ましくは運搬方向にテレスコピ
ックな弾性伸縮が可能な保持具が使用される。該保持具
は、それがカバーに接触するや、直ちに圧縮され、その
際、該カバー端に於いて加工作用から特に良好に保護さ
れる。
工さるべきでないケースもある。これに対し、半導体デ
ィスクの場合には、端縁にまで至る均一な加工の達成が
望まれよう。このケースに於いては、ディスクは前面的
に加工ステーション内に進入させられるべきであろう。
つまり、ディスクをカバーから突出させる必要があろ
う。この場合、保持具をそれが最早や妨げとならない位
置へ、つまり、非常に離れた位置へ移動させる要を省く
ため、本発明により、好ましくは運搬方向にテレスコピ
ックな弾性伸縮が可能な保持具が使用される。該保持具
は、それがカバーに接触するや、直ちに圧縮され、その
際、該カバー端に於いて加工作用から特に良好に保護さ
れる。
加工ステーションと保持具との空間的つながりは基板
上のディスクを一方とし、カバーを他方とした両者の間
の隙間によっても生じ得る。該隙間を封鎖する常用の方
法は、基板に取付けられ、基板と共に運搬されるリング
常の遮蔽具を設けることであるが、この場合、該遮蔽具
は時に応じて交換されなければならない。これに対し、
本発明によるカバーは好ましくはフレームであり、該フ
レームは、例えば、中間ポジションに達する直前に、そ
のために設けられている基板の端縁あるいは共同運搬さ
れる遮蔽具上に上載するが、自らはチャージポジション
へもたらされることなく、加工ポジションの近傍に留ま
ることを特徴とする。該フレームは自由に交換可能なル
ースピースとして設けられるのが好ましい。
上のディスクを一方とし、カバーを他方とした両者の間
の隙間によっても生じ得る。該隙間を封鎖する常用の方
法は、基板に取付けられ、基板と共に運搬されるリング
常の遮蔽具を設けることであるが、この場合、該遮蔽具
は時に応じて交換されなければならない。これに対し、
本発明によるカバーは好ましくはフレームであり、該フ
レームは、例えば、中間ポジションに達する直前に、そ
のために設けられている基板の端縁あるいは共同運搬さ
れる遮蔽具上に上載するが、自らはチャージポジション
へもたらされることなく、加工ポジションの近傍に留ま
ることを特徴とする。該フレームは自由に交換可能なル
ースピースとして設けられるのが好ましい。
本発明による保持装置の特別な長所は、ディスクを、
加工の種別に応じて、自由上載式にか、あるいは前記フ
レームを用いて確保して加工することのいずれも行ない
得る点にある。この場合、基板上に上載しているフレー
ムはディスク自体に上載しているフレームと交換するこ
とができる。したがって、同一の保持装置を同一の装置
に於いて多用な加工ステーションに使用し、あるいは同
一の加工ステーションに於いて加工モジュール、例えば
プレーナ・マグネトロンを別のモジュール、例えばエッ
チング装置と交換し、その際、フレームを交換すること
により、一方の場合には自由上載式のディスクを、他方
の場合には確保されたディスクを加工することが可能で
ある。
加工の種別に応じて、自由上載式にか、あるいは前記フ
レームを用いて確保して加工することのいずれも行ない
得る点にある。この場合、基板上に上載しているフレー
ムはディスク自体に上載しているフレームと交換するこ
とができる。したがって、同一の保持装置を同一の装置
に於いて多用な加工ステーションに使用し、あるいは同
一の加工ステーションに於いて加工モジュール、例えば
プレーナ・マグネトロンを別のモジュール、例えばエッ
チング装置と交換し、その際、フレームを交換すること
により、一方の場合には自由上載式のディスクを、他方
の場合には確保されたディスクを加工することが可能で
ある。
フレームによるディスクの確保は僅かなフックのみが
ディスクに接触するようにして行ない得る。この場合に
はディスク端縁の大部分も加工される。だが、例えば、
ディスクと基板との間のガスクッションのためのシーリ
ング効果を達成するため、フレームを端縁全体に接触さ
せることも有利であり得る。フレームは、この場合、バ
ネ蛇腹により、装置ハウジングに気密式に取付けられて
いてもよい。該ガスクッションはディスクと加熱板ない
し冷却板との間の伝熱手段として利用される。その際、
ガスクッションの圧力は、例えば反力としてのフレーム
のより大きな重量がそれに勝ると共にディスクをフレー
ムにソフトに圧し付ける力をつくり出す。また、蛇腹な
いし特にそのために設けられているバネの弾力作用もそ
のために利用することができる。
ディスクに接触するようにして行ない得る。この場合に
はディスク端縁の大部分も加工される。だが、例えば、
ディスクと基板との間のガスクッションのためのシーリ
ング効果を達成するため、フレームを端縁全体に接触さ
せることも有利であり得る。フレームは、この場合、バ
ネ蛇腹により、装置ハウジングに気密式に取付けられて
いてもよい。該ガスクッションはディスクと加熱板ない
し冷却板との間の伝熱手段として利用される。その際、
ガスクッションの圧力は、例えば反力としてのフレーム
のより大きな重量がそれに勝ると共にディスクをフレー
ムにソフトに圧し付ける力をつくり出す。また、蛇腹な
いし特にそのために設けられているバネの弾力作用もそ
のために利用することができる。
多くの場合、保持具のみならず基板も加工作用から保
護することが合理的である。これは基板をディスクによ
って前面的に被覆することにより最も容易に行なわれ
る。したがって、マイクロエレクトロニクス集積回路素
子製造用の半導体ディスクの場合には、基板も正円とは
異なった輪郭、例えば、結晶配向を示すために切り欠か
れた部分を有していなければならない。これは、ディス
クを定位させて保持する必要があることの理由でもあ
る。本発明による保持装置の好ましい実施形態に於い
て、保持具はディスク法線と平行に回転し得る少なくと
も２個の保持具が前記切欠き部に押し付けられ、これに
より、ステーションからステーションへの途上で生じ得
る正確な定位からの偏倚が修正されるように配置され
る。該保持具に対抗する保持具ないしチャージ装置部品
も同じくディスク法線と平行な軸を中心として回転可能
である。
護することが合理的である。これは基板をディスクによ
って前面的に被覆することにより最も容易に行なわれ
る。したがって、マイクロエレクトロニクス集積回路素
子製造用の半導体ディスクの場合には、基板も正円とは
異なった輪郭、例えば、結晶配向を示すために切り欠か
れた部分を有していなければならない。これは、ディス
クを定位させて保持する必要があることの理由でもあ
る。本発明による保持装置の好ましい実施形態に於い
て、保持具はディスク法線と平行に回転し得る少なくと
も２個の保持具が前記切欠き部に押し付けられ、これに
より、ステーションからステーションへの途上で生じ得
る正確な定位からの偏倚が修正されるように配置され
る。該保持具に対抗する保持具ないしチャージ装置部品
も同じくディスク法線と平行な軸を中心として回転可能
である。
装置が他のディスクの加工のための再調整さるべき場
合には、「開」ポジションと「閉」ポジションとの間の
転換運動がディスク法線と平行な軸を中心とした旋回運
動であれば、保持具の変化を小さく抑えることができ
る。
合には、「開」ポジションと「閉」ポジションとの間の
転換運動がディスク法線と平行な軸を中心とした旋回運
動であれば、保持具の変化を小さく抑えることができ
る。
本発明による保持装置の重要な長所は保持具とディス
クとの膠着が回避される点にある。更に、万一フレーム
との間に膠着が生じた場合には、保持具が剥離装置の重
要な役割を果たすことができる。保持具は、ディスクの
返送に際し、中間ポジションに於いてディスクの回りを
取り囲み、こうして、チャージポジションへの確実な逆
送を保証する。
クとの膠着が回避される点にある。更に、万一フレーム
との間に膠着が生じた場合には、保持具が剥離装置の重
要な役割を果たすことができる。保持具は、ディスクの
返送に際し、中間ポジションに於いてディスクの回りを
取り囲み、こうして、チャージポジションへの確実な逆
送を保証する。
先述したように、保持フレームとして機能するフレー
ムが設けられる場合には、これにより、加工ポジション
におけるそれ自体創意に満ちたディスク保持装置が考案
される結果となる。既述したように、ディスクを上載し
た基板の運搬装置が設けられていれば、該運搬によりデ
ィスクがフレームに当てられ、該フレームは−ひとつの
実施形態変種に於いて−ディスクと共に持ち上げられ、
かくて、フレームはその自重を以ってディスク上に支持
されると同時にこうしてディスクを保持することとな
る。
ムが設けられる場合には、これにより、加工ポジション
におけるそれ自体創意に満ちたディスク保持装置が考案
される結果となる。既述したように、ディスクを上載し
た基板の運搬装置が設けられていれば、該運搬によりデ
ィスクがフレームに当てられ、該フレームは−ひとつの
実施形態変種に於いて−ディスクと共に持ち上げられ、
かくて、フレームはその自重を以ってディスク上に支持
されると同時にこうしてディスクを保持することとな
る。
他方、基板に基板とディスクとの間のガスクッション
をつくり出すためのガス供給系が設けられていれば、フ
レームは定置式に保たれ、ディスクをフレームに対して
ソフトに且つ必要に応じて調節し得る力を以って押し付
けるため、ガスクッションの弾性作用が利用されること
となる。
をつくり出すためのガス供給系が設けられていれば、フ
レームは定置式に保たれ、ディスクをフレームに対して
ソフトに且つ必要に応じて調節し得る力を以って押し付
けるため、ガスクッションの弾性作用が利用されること
となる。
前記の場合に於いて、いずれにせよ、ディスクとフレ
ームとの間にはディスク法線と平行な力が発生する。フ
レーム部に位置決め装置及び／又は定位装置を設けるこ
とにより前記の力が利用され、例えばガイド面によりデ
ィスクが、必要な限りで、正確な加工ポジションにもた
らされ、あるいは、先行加工ポジションから、次の加工
のため、最終的にセットされたフレームを以って適宜新
たな加工ポジションへもたらされる。必要に応じ圧力調
節を行ない得るガスクッションを利用して、敏感なディ
スクを極めてソフトに荷重すると同時にディスクを定め
られたポジションにもたらし、あるいは同所に保持する
ことが可能となる。
ームとの間にはディスク法線と平行な力が発生する。フ
レーム部に位置決め装置及び／又は定位装置を設けるこ
とにより前記の力が利用され、例えばガイド面によりデ
ィスクが、必要な限りで、正確な加工ポジションにもた
らされ、あるいは、先行加工ポジションから、次の加工
のため、最終的にセットされたフレームを以って適宜新
たな加工ポジションへもたらされる。必要に応じ圧力調
節を行ない得るガスクッションを利用して、敏感なディ
スクを極めてソフトに荷重すると同時にディスクを定め
られたポジションにもたらし、あるいは同所に保持する
ことが可能となる。
続いて本発明を図面事例を基として説明する。
第１図には、ディスク１が基板２に上載された後のチ
ャージポジションの状態が示されている。この場合、基
板２は加熱板４を装備している。該加熱板は孔を有し、
該孔を通ってガスがディスク１と加熱板４との間に達し
得る。発熱体５は加熱板４を500℃以上の温度にもたら
すことができる。この温度は伝熱手段としてのガスを介
してディスク１に伝達される。基板端縁６に沿ったシー
リングが多かれ少なかれ良好に実現され得ることから、
多くの場合、加工に際すると同じガスが使用される。フ
ランジ７は発熱体５の取付けと加熱板４の孔へのガス供
給に利用される。該加熱板とフランジ７は共に、急速冷
却装置を具えたフランジ８で構成される実施モジュール
に取付けられており、該フランジ８自体は、細管９を介
し、冷却され電気絶縁されて取付けられている構造部材
10と断熱式、気密式に連結されている。
ャージポジションの状態が示されている。この場合、基
板２は加熱板４を装備している。該加熱板は孔を有し、
該孔を通ってガスがディスク１と加熱板４との間に達し
得る。発熱体５は加熱板４を500℃以上の温度にもたら
すことができる。この温度は伝熱手段としてのガスを介
してディスク１に伝達される。基板端縁６に沿ったシー
リングが多かれ少なかれ良好に実現され得ることから、
多くの場合、加工に際すると同じガスが使用される。フ
ランジ７は発熱体５の取付けと加熱板４の孔へのガス供
給に利用される。該加熱板とフランジ７は共に、急速冷
却装置を具えたフランジ８で構成される実施モジュール
に取付けられており、該フランジ８自体は、細管９を介
し、冷却され電気絶縁されて取付けられている構造部材
10と断熱式、気密式に連結されている。
ディスク端縁に作用する保持具11及び対抗保持具12
は、ディスク１が基板２上にセットされた後、「開」ポ
ジション−第１図の11a及び12a−から「閉」ポジション
−第１図の11b及び12b−へ移動する。該保持具は、その
ため、ディスク法線13と平行な軸14を中心として旋回さ
せられる。該運動に際し、ディスクの位置及び／又は定
位は、ディスク１の端縁への面11c,12cの作用によって
修正されるが、このプロセスについては、特に、第４図
を例として後に詳しく説明する。保持具は駆動アンカ15
を有しており、該アンカは軸受16中にそれぞれの軸を中
心として回転可能な形で支持されている。アンカ15は、
コイルバネ17の力に抗して入れ子式にたたみ込まれる。
互いにテレスコピック式に嵌まり込んでいる２つの部品
で構成されている。
は、ディスク１が基板２上にセットされた後、「開」ポ
ジション−第１図の11a及び12a−から「閉」ポジション
−第１図の11b及び12b−へ移動する。該保持具は、その
ため、ディスク法線13と平行な軸14を中心として旋回さ
せられる。該運動に際し、ディスクの位置及び／又は定
位は、ディスク１の端縁への面11c,12cの作用によって
修正されるが、このプロセスについては、特に、第４図
を例として後に詳しく説明する。保持具は駆動アンカ15
を有しており、該アンカは軸受16中にそれぞれの軸を中
心として回転可能な形で支持されている。アンカ15は、
コイルバネ17の力に抗して入れ子式にたたみ込まれる。
互いにテレスコピック式に嵌まり込んでいる２つの部品
で構成されている。
本例に於いて、ポット形を為しているバルブヘッド18
は、運動機構を含めた保持具と基板２との取付け台とし
て用いられていると共に、これらの部品と一体となって
ディスク１のための被駆動式リフト装置３を形成してい
る。該リフト装置は真空チャンバの外壁19を基底として
連動可能である。大気20に対するシーリングは第１図に
於いては不可視の金属製折りたたみ式ライニングにより
行なわれている。壁体21は運搬チャンバ22と加工チャン
バ23の分離を行なっており、これらのチャンバはいずれ
も真空排気鐘として形成されている。壁体21は開口35を
取巻く箇所24がバルブヘッド18のための弁座として構成
されている。フック26を具えた可動フレーム27は開口25
内に位置決めされて壁体21上に自由上載しているが、他
方、カバー28は−保守作業時には容易に取外し得るが−
壁体21と固定結合されている。
は、運動機構を含めた保持具と基板２との取付け台とし
て用いられていると共に、これらの部品と一体となって
ディスク１のための被駆動式リフト装置３を形成してい
る。該リフト装置は真空チャンバの外壁19を基底として
連動可能である。大気20に対するシーリングは第１図に
於いては不可視の金属製折りたたみ式ライニングにより
行なわれている。壁体21は運搬チャンバ22と加工チャン
バ23の分離を行なっており、これらのチャンバはいずれ
も真空排気鐘として形成されている。壁体21は開口35を
取巻く箇所24がバルブヘッド18のための弁座として構成
されている。フック26を具えた可動フレーム27は開口25
内に位置決めされて壁体21上に自由上載しているが、他
方、カバー28は−保守作業時には容易に取外し得るが−
壁体21と固定結合されている。
第２図は、ディスク１を上載した基板２が中間ポジシ
ョンに移動し、その直前に可動式保持フレーム27のフッ
ク26に接触し、該フレームを若干持ち上げた後の保持装
置の状態を示している。保持フレーム27は、今や、ディ
スク１に吊り掛けられており、ディスク１を基板２に圧
し付け、こうしてディスク１の側方変位を防止しつつ該
ディスクの確保を行なっている。保持具11及び12は−リ
フト駆動装置と同期化された（図示されていない）保持
具駆動装置により駆動され−中間ポジションに於いて旋
回運動が実施された後、「開」ポジションに移動してい
る。
ョンに移動し、その直前に可動式保持フレーム27のフッ
ク26に接触し、該フレームを若干持ち上げた後の保持装
置の状態を示している。保持フレーム27は、今や、ディ
スク１に吊り掛けられており、ディスク１を基板２に圧
し付け、こうしてディスク１の側方変位を防止しつつ該
ディスクの確保を行なっている。保持具11及び12は−リ
フト駆動装置と同期化された（図示されていない）保持
具駆動装置により駆動され−中間ポジションに於いて旋
回運動が実施された後、「開」ポジションに移動してい
る。
第３図は加工ポジションにおける保持装置を示してい
る。該ポジションはバルブヘッド18が弁座24に当たって
停止することにより機械的に決定される。ディスク１は
加工チャンバ内に進入突出し、加工作用に前面的に曝さ
れているが、他方、保持具11及び12はカバー28に圧し付
けられ、テレスコピックな弾性圧縮が行なわれている。
る。該ポジションはバルブヘッド18が弁座24に当たって
停止することにより機械的に決定される。ディスク１は
加工チャンバ内に進入突出し、加工作用に前面的に曝さ
れているが、他方、保持具11及び12はカバー28に圧し付
けられ、テレスコピックな弾性圧縮が行なわれている。
第３図の左側は可動式保持フレーム27を示している
が、これに対し、右側はこの種の保持フレームを具えて
いない保持装置の変種を示している。この場合、ディス
ク１は基板２上に自由上載しており、基板２は加熱板も
有していないが、それは保持フレームがなければ、いず
れにせよ、熱伝達が保証されないと考えられるからであ
る。カバー28の下方の部品を保護するため、基板に遮蔽
フレーム29が取付けられている。該フレームは例えば樋
の形状を有しており、コーティング加工に際して生ずる
付着層、例えば厚さ7mmにまで及ぶアルミニウム付着層
を収容する場を供さなければならない。カバー28上にも
同様にこうした厚さの付着層が生じ得る。該カバーは、
したがって、加工チャンバ23側から容易に交換すること
ができるが、これは可動式保持フレーム27ないし遮蔽フ
レーム29についても同様である。
が、これに対し、右側はこの種の保持フレームを具えて
いない保持装置の変種を示している。この場合、ディス
ク１は基板２上に自由上載しており、基板２は加熱板も
有していないが、それは保持フレームがなければ、いず
れにせよ、熱伝達が保証されないと考えられるからであ
る。カバー28の下方の部品を保護するため、基板に遮蔽
フレーム29が取付けられている。該フレームは例えば樋
の形状を有しており、コーティング加工に際して生ずる
付着層、例えば厚さ7mmにまで及ぶアルミニウム付着層
を収容する場を供さなければならない。カバー28上にも
同様にこうした厚さの付着層が生じ得る。該カバーは、
したがって、加工チャンバ23側から容易に交換すること
ができるが、これは可動式保持フレーム27ないし遮蔽フ
レーム29についても同様である。
第４図は、フレーム26を具えた可動式保持フレーム27
及びディスク１と確動接触している保持具11及び12を、
カバー28を取り去って、加工チャンバ23側から眺めた状
態で示している。これは、基板が中間ポジションに到着
した後、保持具がまだ外側へ旋回運動を行なっていない
状態である。この状態は保持具が「閉」ポジションに向
かって内側へ旋回運動を行なった後のチャージポジショ
ンの状態と同じである。フレーム27はディスク１と保持
具11,12の上方の位置を占めている。これらの２つの状
態は加工ポジションからチャージポジションへの返送に
際して反復される。往復運搬運動で構成される各加工サ
イクルに際して二度、つまり、それぞれ、保持具が
「閉」ポジションに旋回される度毎に、ディスクの向き
（方位ポジション）及び／又はディスクの位置の修正が
行なわれる。この場合、先ず保持具11が軸30を中心にし
て旋回させられ、機械的基準ストッパ（図示されていな
い）にしっかり押し付けられる。次いで保持具12が軸14
を中心にして内側に向かって旋回させられる。保持具12
はディスク１を切欠き部（またはフラット部）31を以っ
て保持具11に向かってソフトに押し付け、その際、保持
具11が切欠き部31に同時に接触しない場合、つまり、当
初から保持具11と切欠き部31とが平行でない場合に、デ
ィスクの定位及び／又は位置の修正が行なわれる。定位
修正プロセスによる軸32の方向へのディスクの変位はい
ずれのポジションに於いても制限されており、チャージ
ポジションに於いてはここに図示されていないステーシ
ョン間−ディスク運搬手段により、中間ポジションに於
いてはフレーム27または該フレームに取付けられている
フックピースによりそれぞれ制限され得る。
及びディスク１と確動接触している保持具11及び12を、
カバー28を取り去って、加工チャンバ23側から眺めた状
態で示している。これは、基板が中間ポジションに到着
した後、保持具がまだ外側へ旋回運動を行なっていない
状態である。この状態は保持具が「閉」ポジションに向
かって内側へ旋回運動を行なった後のチャージポジショ
ンの状態と同じである。フレーム27はディスク１と保持
具11,12の上方の位置を占めている。これらの２つの状
態は加工ポジションからチャージポジションへの返送に
際して反復される。往復運搬運動で構成される各加工サ
イクルに際して二度、つまり、それぞれ、保持具が
「閉」ポジションに旋回される度毎に、ディスクの向き
（方位ポジション）及び／又はディスクの位置の修正が
行なわれる。この場合、先ず保持具11が軸30を中心にし
て旋回させられ、機械的基準ストッパ（図示されていな
い）にしっかり押し付けられる。次いで保持具12が軸14
を中心にして内側に向かって旋回させられる。保持具12
はディスク１を切欠き部（またはフラット部）31を以っ
て保持具11に向かってソフトに押し付け、その際、保持
具11が切欠き部31に同時に接触しない場合、つまり、当
初から保持具11と切欠き部31とが平行でない場合に、デ
ィスクの定位及び／又は位置の修正が行なわれる。定位
修正プロセスによる軸32の方向へのディスクの変位はい
ずれのポジションに於いても制限されており、チャージ
ポジションに於いてはここに図示されていないステーシ
ョン間−ディスク運搬手段により、中間ポジションに於
いてはフレーム27または該フレームに取付けられている
フックピースによりそれぞれ制限され得る。
第５図及び第６図には、加工ポジションにおけるディ
スク１が、該ポジションにおけるディスクの固定ないし
位置決め具としての保持リング27と共に図解されてい
る。図5aには加工ポジションに達する直前のディスク１
を上載した基板２が示されている。図解したガス供給孔
2aにより、既に説明したように、ディスク１と基板２と
の間に熱伝導及び熱伝達を向上させるガスクッション2g
がつくり出され、これが−図中では遥かに誇張されて示
されているが−ディスク１を僅かに押し上げる。図5bに
示されているように、基板２がリフト駆動されてディス
ク２が更に押し上げられると、今やディスク１の端縁が
保持リング27の側面と接触するに至り、必要に応じて制
御されるガスクッション2gのガス圧と加工チャンバ内環
境圧力との圧力差によって保持リング27の保持側面27a
に向かって押し付けられる。本実施形態に於いて、保持
リング27は部材21に定置支持されており、ディスク１は
単に前記の、必要に応じて調節可能なガス圧力差とそれ
に応じた力によってのみ該リングの側面27aに押し付け
られる。
スク１が、該ポジションにおけるディスクの固定ないし
位置決め具としての保持リング27と共に図解されてい
る。図5aには加工ポジションに達する直前のディスク１
を上載した基板２が示されている。図解したガス供給孔
2aにより、既に説明したように、ディスク１と基板２と
の間に熱伝導及び熱伝達を向上させるガスクッション2g
がつくり出され、これが−図中では遥かに誇張されて示
されているが−ディスク１を僅かに押し上げる。図5bに
示されているように、基板２がリフト駆動されてディス
ク２が更に押し上げられると、今やディスク１の端縁が
保持リング27の側面と接触するに至り、必要に応じて制
御されるガスクッション2gのガス圧と加工チャンバ内環
境圧力との圧力差によって保持リング27の保持側面27a
に向かって押し付けられる。本実施形態に於いて、保持
リング27は部材21に定置支持されており、ディスク１は
単に前記の、必要に応じて調節可能なガス圧力差とそれ
に応じた力によってのみ該リングの側面27aに押し付け
られる。
第６図には第５図の図解の部分図が示されている。デ
ィスク１を必要に応じて定位−つまり、方位調整及び／
又は位置決め−するため、換言すれば、並進運動により
目標ポジションにもたらすため、保持リング27の内側側
面にガイド具、例えば誘導面27fを設けておくことがで
きる。最初に占めたポジション1aに於いて側面27fに対
するディスク１の接触圧力が高まるにつれて、ディスク
１は、矢印Ｓで示されているように、徐々にその目標ポ
ジションに向かって移動し、最終的には、第６図に点線
で示された1eのポジションを占めることとなる。
ィスク１を必要に応じて定位−つまり、方位調整及び／
又は位置決め−するため、換言すれば、並進運動により
目標ポジションにもたらすため、保持リング27の内側側
面にガイド具、例えば誘導面27fを設けておくことがで
きる。最初に占めたポジション1aに於いて側面27fに対
するディスク１の接触圧力が高まるにつれて、ディスク
１は、矢印Ｓで示されているように、徐々にその目標ポ
ジションに向かって移動し、最終的には、第６図に点線
で示された1eのポジションを占めることとなる。
前記により、該保持リングは、第１図〜第４図に関連
して述べられたような保持具を設けることなく、加工ポ
ジションにおけるディスク１の保持／位置決め具として
機能し、また、容易に交換することが可能である。
して述べられたような保持具を設けることなく、加工ポ
ジションにおけるディスク１の保持／位置決め具として
機能し、また、容易に交換することが可能である。
保持リングに関する好ましい実施形態の主眼は、保持
リングを固定的に−但し取外し可能な形で−設けるこ
と、ディスクをガスクッション及び／又は板バネ等の弾
性具を介して該リングにソフトに当てること、あるいは
それに代えてリングないしフレームに弾性具を設けるこ
とである。
リングを固定的に−但し取外し可能な形で−設けるこ
と、ディスクをガスクッション及び／又は板バネ等の弾
性具を介して該リングにソフトに当てること、あるいは
それに代えてリングないしフレームに弾性具を設けるこ
とである。
第１図は本発明による保持装置のチャージポジションに
おける状態図、第２図は本発明による同様な保持装置の
中間ポジションにおける状態図、第３図は同一保持装置
の加工ポジションにおける状態図、したがって、図中左
側は、第１図及び第２図と同じく、保持フレームを具え
た状態が示されており、これに対し、図中右側は、保持
フレームに代えて、拡大されたフレーム状遮蔽具を具え
た変種が示されている。第４図はディスク、保持フレー
ム及び保持具の上方からの俯瞰図、第５図は加工ポジシ
ョンにおける本発明によるディスク保持用フレーム、デ
ィスクが未だワークポジションを占めていない状態図
（5a）。ディスクが加工ポジションを占めている状態図
（5b）。第６図は例えばガイド面として形成された位置
決め具及び／又は定位具を具えた、加工ポジションにお
けるディスク保持リングの部分図。 図中の各番号は下記を表している： １……ディスク、２……基板、 ３……リフティングテーブル、４……加熱板、 ５……発熱体、６……基板端縁、 ７……フランジ、８……フランジ、 ９……細管、10……構造部材、 11……保持具、12……対抗保持具、 13……ディスク法線、14……保持具旋回回転軸、 15……保持具駆動アンカ、16……アンカ軸受、 17……コイルバネ、18……バルブヘッド、 19……チャンバ外壁、20……大気、 21……チャンバ分離壁体、22……運搬チャンバ、 23……加工チャンバ、24……開口周縁部、 25……開口、26……フック、 27……可動フレーム、28……カバー。
おける状態図、第２図は本発明による同様な保持装置の
中間ポジションにおける状態図、第３図は同一保持装置
の加工ポジションにおける状態図、したがって、図中左
側は、第１図及び第２図と同じく、保持フレームを具え
た状態が示されており、これに対し、図中右側は、保持
フレームに代えて、拡大されたフレーム状遮蔽具を具え
た変種が示されている。第４図はディスク、保持フレー
ム及び保持具の上方からの俯瞰図、第５図は加工ポジシ
ョンにおける本発明によるディスク保持用フレーム、デ
ィスクが未だワークポジションを占めていない状態図
（5a）。ディスクが加工ポジションを占めている状態図
（5b）。第６図は例えばガイド面として形成された位置
決め具及び／又は定位具を具えた、加工ポジションにお
けるディスク保持リングの部分図。 図中の各番号は下記を表している： １……ディスク、２……基板、 ３……リフティングテーブル、４……加熱板、 ５……発熱体、６……基板端縁、 ７……フランジ、８……フランジ、 ９……細管、10……構造部材、 11……保持具、12……対抗保持具、 13……ディスク法線、14……保持具旋回回転軸、 15……保持具駆動アンカ、16……アンカ軸受、 17……コイルバネ、18……バルブヘッド、 19……チャンバ外壁、20……大気、 21……チャンバ分離壁体、22……運搬チャンバ、 23……加工チャンバ、24……開口周縁部、 25……開口、26……フック、 27……可動フレーム、28……カバー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/68
Claims (36)
- 【請求項１】ディスク上載面を有した基板に上載された
ディスクがディスク・チャージポジションからディスク
加工ポジションへ運搬される間のディスク保持装置に於
いて、ディスクの周囲部に沿った少なくとも３箇所の位
置に、ディスク周囲部に対して上載面と平行な方向に相
互に接近／離反駆動され、運搬時のディスクを保持する
可動式保持具（11,12）が設けられており、更に、加工
ポジションに於て、離反駆動された保持具の表面を覆う
カバー（28）が設けられていることを特徴とする保持装
置。 - 【請求項２】基板と保持具とを同期して駆動するための
基板駆動装置が設けられていることを特徴とする請求項
１に記載の保持装置。 - 【請求項３】保持具駆動装置が、基板が加工ポジション
に達する前に、保持具を旋回させてカバーの背後にもた
らすことを特徴とする請求項１又は２に記載の保持装
置。 - 【請求項４】少なくとも加工ポジションへの運搬が上載
面の法線方向に行なわれることを特徴とする請求項１〜
３のいずれか１項に記載の保持装置。 - 【請求項５】基板（２）がカバー（28）に対して接近・
離反駆動を行ない得ることによって、保持具（11,12）
は、最初は基板（２）と共にカバー（28）に向けて移動
させられ、基板が更に加工ポジションに向けて移動する
と、該保持具は相互に離反させられ、カバー（28）に向
けて弾性的に接するようになることを特徴とする請求項
１〜４のいずれか１項に記載の保持装置。 - 【請求項６】保持フレーム（27）に少なくとも３箇所の
ディスク保持点が設けられており、ディスクが少なくと
も加工ポジションに於いて支持台としての基板（２）と
共に該保持点に接して保持されることを特徴とする請求
項１〜５のいずれか１項に記載の保持装置。 - 【請求項７】保持フレームが、少なくとも基板運搬方向
に於いて、それがディスクに吊り掛けられた後、加工ポ
ジションに向かうディスクの運動によって持ち上げら
れ、加工ポジションに至るまで自由に可動し得ることを
特徴とする請求項６に記載の保持装置。 - 【請求項８】保持フレームがその自重を以ってディスク
に吊り掛かることを特徴とする請求項７に記載の保持装
置。 - 【請求項９】保持フレームが自由に交換し得るルースピ
ースであることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１
項に記載の保持装置。 - 【請求項１０】保持フレームがディスク（１）と基板
（２）を一方とし、カバー（28）を他方とした両者の隙
間を封鎖することを特徴とする請求項６〜９のいずれか
１項に記載の保持装置。 - 【請求項１１】保持フレームが保持箇所として少なくと
も３個の突出したフック（26）を有していることを特徴
とする請求項６〜10のいずれか１項に記載の保持装置。 - 【請求項１２】基板（２）とディスク（１）との間にガ
スクッションをつくり出すため、基板（２）に少なくと
もひとつのガス供給系が設けられており、該ガスクッシ
ョンにより基板（２）とディスク（１）との間の熱伝導
が向上させられることを特徴とする請求項１〜11のいず
れか１項に記載の保持装置。 - 【請求項１３】ガスクッションの圧力によりディスク
（１）が保持具に向かって押されることを特徴とする請
求項12に記載の保持装置。 - 【請求項１４】ガスクッションの圧力は調節可能である
ことを特徴とする請求項13に記載の保持装置。 - 【請求項１５】基板（２）とディスク（１）との間にガ
スクッションをつくり出すため、基板（２）に少なくと
もひとつのガス供給系が設けられており、保持フレーム
がガスクッション上におけるディスク（１）の側方変位
を防止することを特徴とする請求項６〜14のいずれか１
項に記載の保持装置。 - 【請求項１６】調整可能なガスクッションの圧力により
ディスク（１）が保持フレームに向かって押されること
を特徴とする請求項15に記載の保持装置。 - 【請求項１７】上方から俯瞰して、カバー及び保持具が
基板（２）から離して配置されており、これにより、基
板が加工されることを回避するため基板（２）よりも出
張っているディスク（１）が基板上に上載され、運搬さ
れ得るように為されていることを特徴とする請求項１〜
16のいずれか１項に記載の保持装置。 - 【請求項１８】保持具がディスクに向かって旋回作用さ
せられる際にディスクを所定の位置に押しやることを特
徴とする請求項１〜17のいずれか１項に記載の保持装
置。 - 【請求項１９】保持具が側方からディスクエッジに作用
する面を有し、ディスクに確動的に接触することを特徴
とする請求項18に記載の保持装置。 - 【請求項２０】保持具が上載面法線と平行な軸を中心と
して回転し得るようにして軸受されていることを特徴と
する請求項１〜19のいずれか１項に記載の保持装置。 - 【請求項２１】保持具及び／又は基板が、交換のため、
上載面に対して垂直方向に於いてそのための軸受中に差
込み／引出し可能であることを特徴とする請求項１〜20
のいずれか１項に記載の保持装置。 - 【請求項２２】少なくとも上載面がその他の部分から電
気的及び／又は熱的に絶縁されていることを特徴とする
請求項１〜21のいずれか１項に記載の保持装置。 - 【請求項２３】基板が上載面に対して垂直な軸を中心と
して回転式に軸受されていることを特徴とする請求項１
〜21のいずれか１項に記載の保持装置。 - 【請求項２４】半導体製造用ディスクあるいはメモリデ
ィスク製造用ディスクへの請求項１〜23のいずれか１項
に記載の保持装置の使用方法。 - 【請求項２５】真空室内で加工するためにディスクを支
持部材上の所定位置に保持する装置であって、ディスク
周囲の少なくとも３個所においてディスクに係合する保
持フレームと、該保持フレーム用の支持手段と、前記保
持フレームの開放面に対して垂直な方向に支持部材を移
動させ且つ保持フレームをディスク上の係合位置にもた
らす搬送装置とを具備し、前記保持フレーム（27）用の
支持手段は支持面の形態に構成され、該保持フレームを
該支持面から上昇させることができ、且つ保持フレーム
をディスク（１）に対して係合状態にもたらす作用は、
保持フレーム（27）に抗して駆動される支持部材（２）
によりディスクを適用することで達成されることを特徴
とするディスク保持装置。 - 【請求項２６】支持部材（２）は、一方で支持部材とデ
ィスクとの間の熱伝導を助長するために、他方でディス
ク（１）を柔軟に且つ調整可能に保持フレーム（27）に
対して配置するために、支持部材とディスク（１）との
間にガスクッション（2g）を生成するための少なくとも
１つのガス供給孔（2a）を有することを特徴とする請求
項25に記載のディスク保持装置。 - 【請求項２７】ディスクの位置或いは向きが所定の位置
或いは向きから離れている場合、及び／又はディスクを
保持フレームに適用する際の位置或いは向きが所定の位
置或いは向きから離れている場合のために、保持フレー
ム（27）に、ディスク用の案内面から成る位置決め手段
（27f）が設けられていることを特徴とする請求項25又
は26に記載のディスク保持装置。 - 【請求項２８】保持フレームは、その自重をディスク
（１）上にかけるように、ディスクの加工ポジションに
向かう方向に自由に移動可能であることを特徴とする請
求項25又は27に記載のディスク保持装置。 - 【請求項２９】保持フレームは、自由に交換できる部材
からなり、かつ支持手段上に非固定状態に載置されたも
のであることを特徴とする請求項25〜28のいずれか１項
に記載のディスク保持装置。 - 【請求項３０】保持フレームは、支持面から持ち上げら
れて離れている際、ディスク（１）及び支持部材（２）
と、ディスク（１）及び支持部材（２）の回りの静止カ
バー（28）との間の間隙を実質上閉じていることを特徴
とする請求項25〜29のいずれか１項に記載のディスク保
持装置。 - 【請求項３１】保持フレーム（27）は少なくとも３つの
内側へ突出した、保持領域としてのフック（26）を有す
ることを特徴とする請求項25〜30のいずれか１項に記載
のディスク保持装置。 - 【請求項３２】保持フレーム（27）はディスク（１）が
ガスクッション（2g）上に横方向に浮上することを防止
するような形状を有することを特徴とする請求項26に記
載のディスク保持装置。 - 【請求項３３】静止カバー（28）は、支持部材（２）の
上に保持されているディスク（１）が該支持部材と共に
移動できるように支持部材（２）から隔てられているこ
とを特徴とする請求項25に記載のディスク保持装置。 - 【請求項３４】支持部材（２）は交換の目的でその支持
面に対して垂直な方向に軸受けに対して嵌合、及び離脱
可能であることを特徴とする請求項25〜33のいすれか１
項に記載のディスク保持装置。 - 【請求項３５】ディスク用支持部材（２）の少なくとも
支持面は電気的及び／又は熱的に他の部材から絶縁され
ていることを特徴とする請求項25〜34のいずれか１項に
記載のディスク保持装置。 - 【請求項３６】支持部材（２）はその支持面に垂直な軸
の回りで回転可能であることを特徴とする請求項25〜35
のいずれか１項に記載のディスク保持装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CH272288 | 1988-07-15 | ||
| CH02722/88-0 | 1988-07-15 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02186658A JPH02186658A (ja) | 1990-07-20 |
| JP2927452B2 true JP2927452B2 (ja) | 1999-07-28 |
Family
ID=4240139
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1180625A Expired - Lifetime JP2927452B2 (ja) | 1988-07-15 | 1989-07-14 | ディスク保持装置及びその使用方法 |
Country Status (6)
| Country | Link |
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Families Citing this family (38)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5484011A (en) * | 1986-12-19 | 1996-01-16 | Applied Materials, Inc. | Method of heating and cooling a wafer during semiconductor processing |
| US5228501A (en) * | 1986-12-19 | 1993-07-20 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition clamping mechanism and heater/cooler |
| ES2086429T3 (es) * | 1990-04-20 | 1996-07-01 | Applied Materials Inc | Mecanismo de sujecion para la deposicion en fase de vapor por proceso fisico. |
| US5238499A (en) * | 1990-07-16 | 1993-08-24 | Novellus Systems, Inc. | Gas-based substrate protection during processing |
| US5620525A (en) * | 1990-07-16 | 1997-04-15 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate |
| DE69113553T2 (de) * | 1990-07-23 | 1996-06-20 | Dainippon Screen Mfg | Schnittstellenvorrichtung zum Transportieren von Substraten zwischen Verarbeitungsgeräten. |
| DE4116392C2 (de) * | 1991-05-18 | 2001-05-03 | Micronas Gmbh | Halterung zur einseitigen Naßätzung von Halbleiterscheiben |
| JPH04358071A (ja) * | 1991-06-05 | 1992-12-11 | Mitsubishi Electric Corp | 真空処理装置 |
| US5316278A (en) * | 1992-09-18 | 1994-05-31 | Applied Materials, Inc. | Clamping ring apparatus for processing semiconductor wafers |
| US5352294A (en) * | 1993-01-28 | 1994-10-04 | White John M | Alignment of a shadow frame and large flat substrates on a support |
| KR960006956B1 (ko) * | 1993-02-06 | 1996-05-25 | 현대전자산업주식회사 | 이시알(ecr) 장비 |
| US5346601A (en) * | 1993-05-11 | 1994-09-13 | Andrew Barada | Sputter coating collimator with integral reactive gas distribution |
| US6258219B1 (en) * | 1993-09-09 | 2001-07-10 | Applied Materials, Inc. | Two-step deposition process for preventing arcs |
| JP2534196B2 (ja) * | 1993-12-21 | 1996-09-11 | 株式会社エンヤシステム | ウエ−ハ貼付方法 |
| US5791895A (en) * | 1994-02-17 | 1998-08-11 | Novellus Systems, Inc. | Apparatus for thermal treatment of thin film wafer |
| KR950025850A (ko) * | 1994-02-17 | 1995-09-18 | 서성기 | 박막의 열처리 장치 |
| US5804042A (en) * | 1995-06-07 | 1998-09-08 | Tokyo Electron Limited | Wafer support structure for a wafer backplane with a curved surface |
| US5653565A (en) * | 1995-07-05 | 1997-08-05 | Asyst Technologies, Inc. | SMIF port interface adaptor |
| US5860640A (en) * | 1995-11-29 | 1999-01-19 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor wafer alignment member and clamp ring |
| US6035522A (en) * | 1996-03-13 | 2000-03-14 | Motorola, Inc. | Circuit board leveling apparatus |
| DE19615674A1 (de) * | 1996-04-19 | 1997-10-23 | Mci Computer Gmbh | Meßvorrichtung für integrierte Schaltkreise |
| US6176667B1 (en) | 1996-04-30 | 2001-01-23 | Applied Materials, Inc. | Multideck wafer processing system |
| US5748434A (en) * | 1996-06-14 | 1998-05-05 | Applied Materials, Inc. | Shield for an electrostatic chuck |
| US6132517A (en) * | 1997-02-21 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Multiple substrate processing apparatus for enhanced throughput |
| JP3245833B2 (ja) * | 1999-07-08 | 2002-01-15 | 日本エー・エス・エム株式会社 | 半導体基板アライナー装置および方法 |
| US6394440B1 (en) * | 2000-07-24 | 2002-05-28 | Asm America, Inc. | Dual orientation leveling platform for semiconductor apparatus |
| US6600556B2 (en) * | 2001-01-10 | 2003-07-29 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | System and method for detecting manufacturing marks on sputtered disks |
| JP4173309B2 (ja) * | 2002-01-28 | 2008-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | センタリング装置及び枚葉式検査装置 |
| US6899765B2 (en) * | 2002-03-29 | 2005-05-31 | Applied Materials Israel, Ltd. | Chamber elements defining a movable internal chamber |
| JP4121413B2 (ja) * | 2003-03-31 | 2008-07-23 | 株式会社神戸製鋼所 | 板状被処理品の高圧処理装置 |
| US7703823B2 (en) * | 2004-07-12 | 2010-04-27 | Rudolph Technologies, Inc. | Wafer holding mechanism |
| JP4648028B2 (ja) * | 2005-02-10 | 2011-03-09 | 三菱電機株式会社 | マスク位置合わせ装置 |
| EP2267179B1 (en) * | 2009-06-25 | 2012-12-26 | Solmates B.V. | Target cooling device |
| DE102010017895A1 (de) * | 2010-04-21 | 2011-10-27 | Ald Vacuum Technologies Gmbh | Vorrichtung zum Beschichten von Substraten nach dem EB/PVD-Verfahren |
| DE102010017896A1 (de) * | 2010-04-21 | 2011-10-27 | Ald Vacuum Technologies Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zum Beschichten von Substraten nach dem EB/PVD-Verfahren |
| DE102013214019B3 (de) * | 2013-07-17 | 2014-09-11 | Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg | Spannvorrichtung zum Positionieren von Werkstücken, Werkzeugmaschine mit einer derartigen Spannvorrichtung, Verfahren zum Positionieren von Werkstücken mittels einer derartigen Spannvorrichtung |
| US20180323096A1 (en) * | 2015-11-03 | 2018-11-08 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Systems and methods for passive alignment of semiconductor wafers |
| CN111318500B (zh) * | 2020-02-03 | 2021-10-26 | 徐州鑫晶半导体科技有限公司 | 切割后硅棒的脱胶装置和方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4189230A (en) * | 1977-10-26 | 1980-02-19 | Fujitsu Limited | Wafer holder with spring-loaded wafer-holding means |
| JPS564244A (en) * | 1979-06-25 | 1981-01-17 | Hitachi Ltd | Continuous vacuum treatment device for wafer |
| JPS5666036A (en) * | 1979-11-05 | 1981-06-04 | Canon Inc | Wafer positioner |
| JPS5680135A (en) * | 1979-12-04 | 1981-07-01 | Nec Corp | Substrate holder for ion etching device |
| US4344383A (en) * | 1980-12-10 | 1982-08-17 | Rca Corporation | Retainer ring for securing substrates in a vacuum deposition system |
| US4473455A (en) * | 1981-12-21 | 1984-09-25 | At&T Bell Laboratories | Wafer holding apparatus and method |
| US4422897A (en) * | 1982-05-25 | 1983-12-27 | Massachusetts Institute Of Technology | Process for selectively etching silicon |
| JPS5946031A (ja) * | 1982-09-09 | 1984-03-15 | Fujitsu Ltd | プラズマ処理装置 |
| US4544311A (en) * | 1983-03-15 | 1985-10-01 | Micronix Partners | Mask alignment apparatus |
| US4542298A (en) * | 1983-06-09 | 1985-09-17 | Varian Associates, Inc. | Methods and apparatus for gas-assisted thermal transfer with a semiconductor wafer |
| JPH0614520B2 (ja) * | 1983-12-26 | 1994-02-23 | 株式会社日立製作所 | 低圧雰囲気内の処理装置 |
| JPS60189927A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 気相反応容器 |
| US4655584A (en) * | 1984-05-11 | 1987-04-07 | Nippon Kogaku K. K. | Substrate positioning apparatus |
| JPS61106768A (ja) * | 1984-10-31 | 1986-05-24 | Anelva Corp | 基体処理装置 |
| JPS61140432A (ja) * | 1984-12-11 | 1986-06-27 | Shinko Denki Kk | ウエハ−等の保持装置 |
| US4764076A (en) * | 1986-04-17 | 1988-08-16 | Varian Associates, Inc. | Valve incorporating wafer handling arm |
| JPH0834205B2 (ja) * | 1986-11-21 | 1996-03-29 | 株式会社東芝 | ドライエツチング装置 |
| JPS63219137A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-12 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2719332B2 (ja) * | 1987-05-25 | 1998-02-25 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理方法 |
| EP0343530B1 (de) * | 1988-05-24 | 2001-11-14 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Vakuumanlage |
-
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