JP2862174B2 - 太陽電池用基板 - Google Patents
太陽電池用基板Info
- Publication number
- JP2862174B2 JP2862174B2 JP63505022A JP50502288A JP2862174B2 JP 2862174 B2 JP2862174 B2 JP 2862174B2 JP 63505022 A JP63505022 A JP 63505022A JP 50502288 A JP50502288 A JP 50502288A JP 2862174 B2 JP2862174 B2 JP 2862174B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- transparent conductive
- solar cell
- substrate
- diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 36
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 4
- 238000001505 atmospheric-pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 3
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 23
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005368 silicate glass Substances 0.000 description 3
- HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M sodium;oxocalcium;hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+].[Ca]=O HUAUNKAZQWMVFY-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 2
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 239000006018 Li-aluminosilicate Substances 0.000 description 1
- 244000174716 Phaseolus caracalla Species 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000005385 borate glass Substances 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000013081 microcrystal Substances 0.000 description 1
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24355—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.]
- Y10T428/24364—Continuous and nonuniform or irregular surface on layer or component [e.g., roofing, etc.] with transparent or protective coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24628—Nonplanar uniform thickness material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、アモルファスシリコン（ａ−Si）太陽電池
の製造に有用な太陽電池用基板に関するものである。
の製造に有用な太陽電池用基板に関するものである。
背景技術 第１図に示されるように、従来のアモルファスシリコ
ン太陽電池は８で図示されており、透明絶縁性基板１、
透明導電膜２、ｐ型ａ−Si層３、ｉ型ａ−Si層４および
ｎ型ａ−Si層５からなる光導体光電変換層６と、裏面電
極として働くアルミニウム電極７とを有している。この
構成は、比較的低コストで製造可能な光電変換装置の一
つとして実用的に使用されている。かかるアモルファス
太陽電池８は、光９が透明絶縁性基板１側から入射し、
主としてｉ型ａ−Si層４内で吸収されるように設計され
ている。起電力は透明電導膜２とアルミニウム電極７の
２つの電極間で発生し、導線10を通して太陽電池から電
気が取り出される。
ン太陽電池は８で図示されており、透明絶縁性基板１、
透明導電膜２、ｐ型ａ−Si層３、ｉ型ａ−Si層４および
ｎ型ａ−Si層５からなる光導体光電変換層６と、裏面電
極として働くアルミニウム電極７とを有している。この
構成は、比較的低コストで製造可能な光電変換装置の一
つとして実用的に使用されている。かかるアモルファス
太陽電池８は、光９が透明絶縁性基板１側から入射し、
主としてｉ型ａ−Si層４内で吸収されるように設計され
ている。起電力は透明電導膜２とアルミニウム電極７の
２つの電極間で発生し、導線10を通して太陽電池から電
気が取り出される。
このようなアモルファスシリコン太陽電池において
は、光電変換効率の向上が最も重要な課題である。光電
変換効率の向上を達成する方法として、透明電導膜の表
面を凹凸化する方法が知られている。この凹凸化によ
り、入射光が透明電導膜とａ−Si半導体層との界面で散
乱される。この光学的な散乱効果により、入射光の表面
反射損失の低減、及びｉ型ａ−Si層における吸収の増大
が得られる。ａ−Si半導体層内での多重反射や屈折によ
って、光路長が増大し、ｉ型ａ−Si層内での光閉じ込め
効果によりアモルファスシリコン太陽電池の長波長光に
対する収集効率の向上が期待される。短絡電流密度が増
大し、それにより、発電効率及び光電変換効率が向上さ
れる。
は、光電変換効率の向上が最も重要な課題である。光電
変換効率の向上を達成する方法として、透明電導膜の表
面を凹凸化する方法が知られている。この凹凸化によ
り、入射光が透明電導膜とａ−Si半導体層との界面で散
乱される。この光学的な散乱効果により、入射光の表面
反射損失の低減、及びｉ型ａ−Si層における吸収の増大
が得られる。ａ−Si半導体層内での多重反射や屈折によ
って、光路長が増大し、ｉ型ａ−Si層内での光閉じ込め
効果によりアモルファスシリコン太陽電池の長波長光に
対する収集効率の向上が期待される。短絡電流密度が増
大し、それにより、発電効率及び光電変換効率が向上さ
れる。
この様な表面凹凸化の具体的な方法として、特開昭58
−57756号においては、透明電導膜の表面の平均粒径を
0.1μｍ〜22.5μｍとすること、又特開昭59−201470号
においては、透明電導膜を平均粒径.0.1μｍ〜0.9μｍ
の結晶粒からなる様にすること、又特開昭59−103384号
においては、透明電導膜を構成する微結晶の平均粒径を
300Å以上とすること、又特開昭60−175465号において
は透明電導膜を形成する太陽電池基板として、基板面に
ヘイズ率が１％以上であり、直径が300〜5000Å、高さ
が200〜3000Åの多数の凸部を持つ酸化珪素被膜を形成
することが提案されている。
−57756号においては、透明電導膜の表面の平均粒径を
0.1μｍ〜22.5μｍとすること、又特開昭59−201470号
においては、透明電導膜を平均粒径.0.1μｍ〜0.9μｍ
の結晶粒からなる様にすること、又特開昭59−103384号
においては、透明電導膜を構成する微結晶の平均粒径を
300Å以上とすること、又特開昭60−175465号において
は透明電導膜を形成する太陽電池基板として、基板面に
ヘイズ率が１％以上であり、直径が300〜5000Å、高さ
が200〜3000Åの多数の凸部を持つ酸化珪素被膜を形成
することが提案されている。
しかしながら、上記した様な形状、構造の太陽電池用
基板では、光電変換効率をある程度高めることはできて
も、更に高効率化を図ることは不充分であった。
基板では、光電変換効率をある程度高めることはできて
も、更に高効率化を図ることは不充分であった。
発明の概要 本発明は、更に一層高い光電変換効率が得られる最適
凹凸面を有する透明電導性酸化物が形成された太陽電池
用基板を提供することを目的とするものである。
凹凸面を有する透明電導性酸化物が形成された太陽電池
用基板を提供することを目的とするものである。
本発明は、ガラス基板とその上に形成された透明電導
膜を有する太陽電池用基板を提供するものである。透明
電導膜は、直径が0.1μｍ〜0.3μｍであり、高さ／直径
の比が0.7〜1.2の多数の多角形状の凸部を有するもので
ある。
膜を有する太陽電池用基板を提供するものである。透明
電導膜は、直径が0.1μｍ〜0.3μｍであり、高さ／直径
の比が0.7〜1.2の多数の多角形状の凸部を有するもので
ある。
図面の簡単な説明 第１図はアモルファスシリコン太陽電池の断面図；そ
して 第２図は本発明の太陽電池用基板の透明電導膜の表面
性状を示す部分拡大断面図である。
して 第２図は本発明の太陽電池用基板の透明電導膜の表面
性状を示す部分拡大断面図である。
発明を実施するための最良の形態 本発明において使用される基板としては、ソーダライ
ムシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、ボレ
ートガラス、リチウムアルミノシリケートガラス、石英
ガラス、その他の各種ガラスからなる透明ガラス板を用
いることができる。基板は、350〜800μｍの波長域にお
いて高い透過率、例えば80％以上の透過率を有すること
が好ましい。又、十分絶縁性で、かつ化学的、物理的耐
久性が高く、かつ光学的特性が良好であることが望まし
い。なお、ソーダライムシリケートガラスなどのナトリ
ウムを含有するガラスからなるガラス基板、又は低アル
カリ含有ガラスからなるガラス基板の場合には、ガラス
からその上面に形成される透明電導膜へのイオンの拡散
を最小限にするために、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウ
ム膜、酸化ジルコニウム膜などのアルカリバリヤーコー
トをガラス基板面に施してもよい。
ムシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、ボレ
ートガラス、リチウムアルミノシリケートガラス、石英
ガラス、その他の各種ガラスからなる透明ガラス板を用
いることができる。基板は、350〜800μｍの波長域にお
いて高い透過率、例えば80％以上の透過率を有すること
が好ましい。又、十分絶縁性で、かつ化学的、物理的耐
久性が高く、かつ光学的特性が良好であることが望まし
い。なお、ソーダライムシリケートガラスなどのナトリ
ウムを含有するガラスからなるガラス基板、又は低アル
カリ含有ガラスからなるガラス基板の場合には、ガラス
からその上面に形成される透明電導膜へのイオンの拡散
を最小限にするために、酸化ケイ素膜、酸化アルミニウ
ム膜、酸化ジルコニウム膜などのアルカリバリヤーコー
トをガラス基板面に施してもよい。
ガラス基板状に形成される透明電導膜は、酸化錫、フ
ッ素が酸化錫に対し0.1〜５重量％ドープされた酸化
錫、アンチモンが酸化錫に対し0.1〜30重量％ドープさ
れた酸化錫、錫が酸化インジウムに対し0.5〜30重量％
ドープされた酸化インジウムなどの所望の電気伝導度を
有する透明性金属酸化物からなるものが好ましい。これ
らの中でも、フッ素がドープされた酸化錫からなる透明
電導膜は、シート抵抗30Ω／□未満の低抵抗が容易に得
られるので太陽電池用基板用として最適である。フッ素
がドープされた酸化錫は、プラズマ励起化学的相蒸着装
置内でａ−Si層を形成する時に曝される水素プラズマに
よる化学的還元に対して高い耐性を有している。
ッ素が酸化錫に対し0.1〜５重量％ドープされた酸化
錫、アンチモンが酸化錫に対し0.1〜30重量％ドープさ
れた酸化錫、錫が酸化インジウムに対し0.5〜30重量％
ドープされた酸化インジウムなどの所望の電気伝導度を
有する透明性金属酸化物からなるものが好ましい。これ
らの中でも、フッ素がドープされた酸化錫からなる透明
電導膜は、シート抵抗30Ω／□未満の低抵抗が容易に得
られるので太陽電池用基板用として最適である。フッ素
がドープされた酸化錫は、プラズマ励起化学的相蒸着装
置内でａ−Si層を形成する時に曝される水素プラズマに
よる化学的還元に対して高い耐性を有している。
第２図には、表面全体に渡って凸部を有する透明電導
膜が形成された太陽電池用基板が示されている。即ち、
透明電導膜22は、直径Ｄが0.1〜0.3μｍであり、かつ凸
部24の高さ／直径の比（H/D）が0.7〜1.2である凸部24
を多数有している。かかる凸部の高さＨは0.1〜0.6μ
ｍ、特に、0.25μｍ以下であることが好ましい。さら
に、多数の凸部24は、0.1〜0.5μｍのピッチＰ（頂点と
頂点の間の距離）を持って形成されていることが好まし
い。というのは、かかる凸部が互いにあまり距離をおい
て形成されていると透明電導膜が効果的に光を散乱しな
いためである。又、凸部の形状は任意である。代表的な
例としては、凸部の底面の形状が四角形ないしそれ以上
の多角形のものが挙げられる。常圧化学的気相蒸着法
（CVD法）により凹凸を有する酸化物が自動的に形成さ
れる。凸部形状は、膜の化学的構成に依存する。
膜が形成された太陽電池用基板が示されている。即ち、
透明電導膜22は、直径Ｄが0.1〜0.3μｍであり、かつ凸
部24の高さ／直径の比（H/D）が0.7〜1.2である凸部24
を多数有している。かかる凸部の高さＨは0.1〜0.6μ
ｍ、特に、0.25μｍ以下であることが好ましい。さら
に、多数の凸部24は、0.1〜0.5μｍのピッチＰ（頂点と
頂点の間の距離）を持って形成されていることが好まし
い。というのは、かかる凸部が互いにあまり距離をおい
て形成されていると透明電導膜が効果的に光を散乱しな
いためである。又、凸部の形状は任意である。代表的な
例としては、凸部の底面の形状が四角形ないしそれ以上
の多角形のものが挙げられる。常圧化学的気相蒸着法
（CVD法）により凹凸を有する酸化物が自動的に形成さ
れる。凸部形状は、膜の化学的構成に依存する。
本発明において、直径0.1〜0.5μｍの範囲外、又は、
高さ／直径の比が0.6以上という範囲外である凸部は、
表面地形の80％以上が望ましい範囲内にある限り、ある
程度存在しても良い。
高さ／直径の比が0.6以上という範囲外である凸部は、
表面地形の80％以上が望ましい範囲内にある限り、ある
程度存在しても良い。
透明電導膜は30Ω／□未満、特に４〜10Ω／□のシー
ト抵抗値を有することが好ましい。この範囲は、大型基
板におけるオーム損失を避けるという観点で特に望まし
い。本発明においてヘイズ率は、太陽電池の光電変換効
率を高めるのに必要とされる、前述の粒子形状と光学的
性質との関係の点から、８〜30％とするのが最適であ
る。
ト抵抗値を有することが好ましい。この範囲は、大型基
板におけるオーム損失を避けるという観点で特に望まし
い。本発明においてヘイズ率は、太陽電池の光電変換効
率を高めるのに必要とされる、前述の粒子形状と光学的
性質との関係の点から、８〜30％とするのが最適であ
る。
本発明の透明電導膜は従来から利用されている種々の
コーティング方法、例えば、化学的気相蒸着法（CVD
法）、熱分解スプレー法、スパッタリング法、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、浸漬法など各種方法によ
り作成できる。これらの方法の中でも、上記した様な直
径、高さ、高さ／直径を持った凸部がコントロールされ
て容易に得られる為、CVD法やスパッタリング法が最適
である。
コーティング方法、例えば、化学的気相蒸着法（CVD
法）、熱分解スプレー法、スパッタリング法、真空蒸着
法、イオンプレーティング法、浸漬法など各種方法によ
り作成できる。これらの方法の中でも、上記した様な直
径、高さ、高さ／直径を持った凸部がコントロールされ
て容易に得られる為、CVD法やスパッタリング法が最適
である。
本発明は、次に挙げる実施例によって例証されるが、
その詳細に限定されるように意図されたものではない。
その詳細に限定されるように意図されたものではない。
実施例 （１）SnO2膜の作成 透明電導膜の表面性状がそれぞれ異なった９種類の太
陽電池用基板のサンプルを作成した。
陽電池用基板のサンプルを作成した。
各基板はソーダライムシリケートガラス板（４インチ
×3.5インチ×厚さ1.1mm）と、その上に形成された膜厚
800ÅのSiO2膜を有していた。
×3.5インチ×厚さ1.1mm）と、その上に形成された膜厚
800ÅのSiO2膜を有していた。
SnO2からなる透明電導膜の作成は、N2ガスに同伴され
たSnCl4，H2O、CH3OH，そしてHFを反応ガスとして用い
て行った。
たSnCl4，H2O、CH3OH，そしてHFを反応ガスとして用い
て行った。
SnO2膜は、ベルト搬送式の、加熱部及び冷却部を両方
有する常圧CVD炉の中で作成した。加熱部は反応ガスを
導入するための４インチ幅のノズルを有していた。
有する常圧CVD炉の中で作成した。加熱部は反応ガスを
導入するための４インチ幅のノズルを有していた。
このノズルは、５つの細いスリット状吐出口を有す
る。即ち、SnCl4及び希釈用N2ガスが３番目の中央のス
リットより吐出し、H2O，CH3OH,HF及び希釈用N2ガスが
１番目及び５番目の最外層の２つのスリットより吐出
し、反応ガスのグループを分離するN2ガスが２番と４番
のスリットより吐出する。さらに、吐出口とガラス基板
との距離は調整可能な構造をしている。
る。即ち、SnCl4及び希釈用N2ガスが３番目の中央のス
リットより吐出し、H2O，CH3OH,HF及び希釈用N2ガスが
１番目及び５番目の最外層の２つのスリットより吐出
し、反応ガスのグループを分離するN2ガスが２番と４番
のスリットより吐出する。さらに、吐出口とガラス基板
との距離は調整可能な構造をしている。
サンプルNo.1 SiO2膜を800Åの厚さでコーティングしたガラス基板
を前述のCVD炉内にベルト搬送速度0.20m/minで導入し、
基板温度600℃まで加熱した。前述のガス導入ノズルよ
り反応ガスを基板状に吹きつけて、基板のSiO2膜上にフ
ッ素のドープされたSnO2膜を形成した。供給ガス導入量
は、中央スリットからSnCl4 0.025l/min、N21.6l/min、
中央スリットに隣接する分離スリットからN2 1.5l/mi
n、最外スリットからH2O 0.93l/min、HF 0.015l/min、C
H3OH 0.017l/min、N2 1.5l/minであった。
を前述のCVD炉内にベルト搬送速度0.20m/minで導入し、
基板温度600℃まで加熱した。前述のガス導入ノズルよ
り反応ガスを基板状に吹きつけて、基板のSiO2膜上にフ
ッ素のドープされたSnO2膜を形成した。供給ガス導入量
は、中央スリットからSnCl4 0.025l/min、N21.6l/min、
中央スリットに隣接する分離スリットからN2 1.5l/mi
n、最外スリットからH2O 0.93l/min、HF 0.015l/min、C
H3OH 0.017l/min、N2 1.5l/minであった。
さらに、サンプルNo.2からNo.9までを、前述のCVD炉
を用いて、表１に示した作成条件により作成した。
を用いて、表１に示した作成条件により作成した。
（２）表面性状の測定 （Ｉ）凸部の高さ 基板上に作成した透明電導膜の全膜圧t0をあらかじめ
触針式膜厚計（Taly−Step;Tailor−Hobson Co.,針の先
端は直径12.5μｍ）により測定した。次に0.5μｍのダ
イアモンドペーストを用い、500g/cm2の荷重下で研磨を
行なった。研磨の過程で、膜厚およびヘイズ値を測定
し、ヘイズ値が２％以下となる時点での膜厚t1を測定し
た。当初の膜厚t0と膜厚t1との差、即ちt0−t1を凸部の
高さとした。
触針式膜厚計（Taly−Step;Tailor−Hobson Co.,針の先
端は直径12.5μｍ）により測定した。次に0.5μｍのダ
イアモンドペーストを用い、500g/cm2の荷重下で研磨を
行なった。研磨の過程で、膜厚およびヘイズ値を測定
し、ヘイズ値が２％以下となる時点での膜厚t1を測定し
た。当初の膜厚t0と膜厚t1との差、即ちt0−t1を凸部の
高さとした。
（II）凸部の直径 基板上に作成した透明電導膜の走査型電子顕微鏡写真
を撮影し、この顕微鏡写真より、直径を測定した。
を撮影し、この顕微鏡写真より、直径を測定した。
（III）各サンプルの透明電導膜のＨ（高さ）,D（直
径），及びH/D（高さ／直径）の実測値を表２に示す。
径），及びH/D（高さ／直径）の実測値を表２に示す。
各サンプル上に作成した太陽電池の光電変換効率、短
絡電流密度、開放端電圧、フィルファクターの測定値も
示す。
絡電流密度、開放端電圧、フィルファクターの測定値も
示す。
サンプルNo.1〜５は全て、本発明の範囲内の高さ，直
径，高さ／直径を有している。サンプルNo.6、７、８及
び９は、本発明の範囲外の高さ，直径，高さ／直径を有
しており、これのサンプル上に形成された太陽電池の特
性は、サンプルNo.1〜５上に形成された太陽電池の特性
より劣ることがわかる。
径，高さ／直径を有している。サンプルNo.6、７、８及
び９は、本発明の範囲外の高さ，直径，高さ／直径を有
しており、これのサンプル上に形成された太陽電池の特
性は、サンプルNo.1〜５上に形成された太陽電池の特性
より劣ることがわかる。
太陽電池は、各サンプルの透明電導膜,p型ａ−Si層
（膜厚約100Å）,i型ａ−Si層（膜厚約4000Å）,n型ａ
−Si層（膜厚1000Å）及び金属電極層（膜厚10000Å）
を有するものであった。
（膜厚約100Å）,i型ａ−Si層（膜厚約4000Å）,n型ａ
−Si層（膜厚1000Å）及び金属電極層（膜厚10000Å）
を有するものであった。
本発明において、透明電導膜内に入射した光は、透明
電導膜とａ−Siの界面をへて、ａ−Si層に入射する。そ
の際、電導膜表面が凹凸構造を有していると光は散乱さ
れて散乱光がａ−Si層内にとり込まれる。Si層内でのオ
プティカルパス（光路長）が長くなり光の吸収効率が高
まる。この効果は、シリコンの吸収係数が小さい長波長
領域では特に大きい。この長波長領域における光の散乱
性を高めるためには、ある程度以上の大きさの直径、高
さが必要となる。
電導膜とａ−Siの界面をへて、ａ−Si層に入射する。そ
の際、電導膜表面が凹凸構造を有していると光は散乱さ
れて散乱光がａ−Si層内にとり込まれる。Si層内でのオ
プティカルパス（光路長）が長くなり光の吸収効率が高
まる。この効果は、シリコンの吸収係数が小さい長波長
領域では特に大きい。この長波長領域における光の散乱
性を高めるためには、ある程度以上の大きさの直径、高
さが必要となる。
本発明における透明電導膜は0.1〜03μｍの直径と、
0.7〜1.2の高さ／直径の比を有する凸部を多数有してい
る。
0.7〜1.2の高さ／直径の比を有する凸部を多数有してい
る。
直径が0.1μｍ未満、かつ／又は、高さ／直径の比が
0.7未満であると、凸部が小さく、かつ／又は平たくな
りすぎ、効果的に光を散乱できないため、凸部の直径や
高さ／直径の比はある程度大きいことが好ましい。
0.7未満であると、凸部が小さく、かつ／又は平たくな
りすぎ、効果的に光を散乱できないため、凸部の直径や
高さ／直径の比はある程度大きいことが好ましい。
しかしながら、直径が0.3μｍを超え、かつ／又は高
さ／直径の比が1.2を超える場合には結果的に凸部の高
さが大きくなりすぎ、透明電導膜上にａ−Si層を均一に
積層することが困難となる。この点で凸部の直径や高さ
／直径の比はａ−Si層の膜厚や、良好な電気特性を保持
しつつ均一に膜を形成するａ−Si形成システムにより制
約を受ける。
さ／直径の比が1.2を超える場合には結果的に凸部の高
さが大きくなりすぎ、透明電導膜上にａ−Si層を均一に
積層することが困難となる。この点で凸部の直径や高さ
／直径の比はａ−Si層の膜厚や、良好な電気特性を保持
しつつ均一に膜を形成するａ−Si形成システムにより制
約を受ける。
又、直径が0.3μｍを超える凸部を有する透明電導膜
を形成する為には基板温度をかなり高くする必要があ
り、かかる高温はガラス基板を変形させる恐れがあり好
ましくない。
を形成する為には基板温度をかなり高くする必要があ
り、かかる高温はガラス基板を変形させる恐れがあり好
ましくない。
上記した本発明の実施例（サンプル１〜５）及び比較
例（サンプル6,7,8,9）から明らかなように、本発明の
太陽電池用基板を用いると次の様な優れた効果が得られ
る。
例（サンプル6,7,8,9）から明らかなように、本発明の
太陽電池用基板を用いると次の様な優れた効果が得られ
る。
（１）短絡電流密度 約1mA/cm2の向上 （２）光電変換効率 約0.5％の向上 以上のように、発明を実施するための最良の形態を詳
細に述べたが、本発明に関連する技術を熟知している者
は、次の請求の範囲によって規定される発明を実施する
ための様々な代替手段や形態がわかるだろう。
細に述べたが、本発明に関連する技術を熟知している者
は、次の請求の範囲によって規定される発明を実施する
ための様々な代替手段や形態がわかるだろう。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウオーカー・クリストフアー・エム アメリカ合衆国，80302，コロラド州, ボウルダー，18 ストリート，856 (72)発明者 ミユール ステフアン アメリカ合衆国，80226，コロラド州, レイクウツド，シー．エス．フラワー サークル 1237 (72)発明者 マダン アラン アメリカ合衆国，80401，コロラド州, ゴールデン，ラム レーン，327 (56)参考文献 特開 昭60−85575（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−96775（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−288473（ＪＰ，Ａ) 特公 昭62−7716（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (4)
- 【請求項１】少なくとも１つの表面を有する透明ガラス
基板と、その上に常圧化学的気相蒸着方によって形成さ
れた透明電導性材料からなる電導膜を有する太陽電池用
基板であって、上記電導膜は、直径が0.1μｍ〜0.3μｍ
で、高さ／直径の比が0.7〜1.2で、基板の上記１つの表
面と反対の方向に延びている凸部を多数含む表面地形を
有することを特徴とする太陽電池用基板。 - 【請求項２】透明電導性材料が酸化錫、フッ素がドープ
された酸化錫、アンチモンがドープされた酸化錫、イン
ジウム錫酸化物のうち１種からなるものであることを特
徴とする請求項１記載の太陽電池用基板。 - 【請求項３】透明電導膜のシート抵抗が４〜10Ω／□で
あることを特徴とする請求項１記載の太陽電池用基板。 - 【請求項４】透明電導膜のヘイズ値が８〜30％であるこ
とを特徴とする請求項１記載の太陽電池用基板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US052,991 | 1987-05-22 | ||
| US07/052,991 US4808462A (en) | 1987-05-22 | 1987-05-22 | Solar cell substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02503615A JPH02503615A (ja) | 1990-10-25 |
| JP2862174B2 true JP2862174B2 (ja) | 1999-02-24 |
Family
ID=21981205
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63122152A Pending JPS63313874A (ja) | 1987-05-22 | 1988-05-20 | 太陽電池用基板 |
| JP63505022A Expired - Lifetime JP2862174B2 (ja) | 1987-05-22 | 1988-05-20 | 太陽電池用基板 |
Family Applications Before (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63122152A Pending JPS63313874A (ja) | 1987-05-22 | 1988-05-20 | 太陽電池用基板 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4808462A (ja) |
| EP (1) | EP0360831A4 (ja) |
| JP (2) | JPS63313874A (ja) |
| WO (1) | WO1988009265A1 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6750394B2 (en) | 2001-01-12 | 2004-06-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film solar cell and its manufacturing method |
| JP2005169761A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 酸化物膜付き基材、および酸化錫膜付き基材の製造方法 |
| EP1670065A1 (en) | 2004-12-10 | 2006-06-14 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Light-scattering film and optical device using the same |
| JP2007288223A (ja) * | 2007-08-06 | 2007-11-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 |
| US8093490B2 (en) | 2001-12-03 | 2012-01-10 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Method for forming thin film, substrate having transparent electroconductive film and photoelectric conversion device using the substrate |
| KR101541414B1 (ko) | 2013-06-17 | 2015-08-03 | 한국에너지기술연구원 | 이중구조 투명전도막과 이를 이용한 태양전지 및 이들의 제조방법 |
Families Citing this family (49)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3830174A1 (de) * | 1988-09-06 | 1990-03-15 | Geesthacht Gkss Forschung | Leitfaehige oberflaechenschicht |
| US5078803A (en) * | 1989-09-22 | 1992-01-07 | Siemens Solar Industries L.P. | Solar cells incorporating transparent electrodes comprising hazy zinc oxide |
| JP2974485B2 (ja) * | 1992-02-05 | 1999-11-10 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子の製造法 |
| DE4315959C2 (de) * | 1993-05-12 | 1997-09-11 | Max Planck Gesellschaft | Verfahren zur Herstellung einer strukturierten Schicht eines Halbleitermaterials sowie einer Dotierungsstruktur in einem Halbleitermaterial unter Einwirkung von Laserstrahlung |
| US6387844B1 (en) | 1994-10-31 | 2002-05-14 | Akira Fujishima | Titanium dioxide photocatalyst |
| JP2984595B2 (ja) * | 1996-03-01 | 1999-11-29 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子 |
| JPH10117006A (ja) * | 1996-08-23 | 1998-05-06 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜光電変換装置 |
| EP0915523A3 (en) * | 1997-10-29 | 2005-11-02 | Canon Kabushiki Kaisha | A photovoltaic element having a back side transparent and electrically conductive layer with a light incident side surface region having a specific cross section and a module comprising said photovoltaic element |
| EP1100130B3 (en) * | 1998-06-01 | 2008-10-29 | Kaneka Corporation | Silicon-base thin-film photoelectric device |
| AUPP699798A0 (en) | 1998-11-06 | 1998-12-03 | Pacific Solar Pty Limited | Thin films with light trapping |
| US6602606B1 (en) * | 1999-05-18 | 2003-08-05 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Glass sheet with conductive film, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion device using the same |
| JP3227449B2 (ja) * | 1999-05-28 | 2001-11-12 | 日本板硝子株式会社 | 光電変換装置用基板とその製造方法、およびこれを用いた光電変換装置 |
| JP4430194B2 (ja) * | 1999-05-31 | 2010-03-10 | 日本板硝子株式会社 | 透明積層体およびこれを用いたガラス物品 |
| JP2001060702A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-03-06 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光電変換装置用基板およびこれを用いた光電変換装置 |
| JP2001060708A (ja) * | 1999-06-18 | 2001-03-06 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 透明積層体およびこれを用いたガラス物品 |
| DE19935046C2 (de) * | 1999-07-26 | 2001-07-12 | Schott Glas | Plasma-CVD-Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer mikrokristallinen Si:H-Schicht auf einem Substrat sowie deren Verwendung |
| JP2001114534A (ja) | 1999-10-20 | 2001-04-24 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 金属酸化物膜付きガラス板およびその製造方法、ならびにこれを用いた複層ガラス |
| JP4229606B2 (ja) * | 2000-11-21 | 2009-02-25 | 日本板硝子株式会社 | 光電変換装置用基体およびそれを備えた光電変換装置 |
| JP2002260448A (ja) * | 2000-11-21 | 2002-09-13 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 導電膜、その製造方法、それを備えた基板および光電変換装置 |
| JP2003060217A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 導電膜付きガラス板 |
| EP1443527A4 (en) | 2001-10-19 | 2007-09-12 | Asahi Glass Co Ltd | SUBSTRATE WITH TRANSPARENT CONDUCTIVE OXIDE FILM AND METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND PHOTOELECTRIC IMPLEMENTATION ELEMENT |
| AUPR864501A0 (en) * | 2001-11-05 | 2001-11-29 | Cochlear Limited | Thin flexible conductors |
| FR2832706B1 (fr) * | 2001-11-28 | 2004-07-23 | Saint Gobain | Substrat transparent muni d'une electrode |
| US20050156167A1 (en) * | 2002-01-31 | 2005-07-21 | Nippon Sheet Glass Company, Ltd | Substrate for photoelectric conversion device |
| WO2004102677A1 (ja) * | 2003-05-13 | 2004-11-25 | Asahi Glass Company, Limited | 太陽電池用透明導電性基板およびその製造方法 |
| JP2005085468A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-31 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | 光電変換素子 |
| JP4195936B2 (ja) * | 2004-03-17 | 2008-12-17 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 拡散性の反射面を持つ反射型調光素子 |
| EP1583164A1 (en) * | 2004-04-01 | 2005-10-05 | Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO | Polymer optoelectronic device and methods for making the same |
| WO2007025062A2 (en) * | 2005-08-25 | 2007-03-01 | Wakonda Technologies, Inc. | Photovoltaic template |
| JP5127218B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2013-01-23 | シャープ株式会社 | 太陽電池の基体の製造方法 |
| FR2915834B1 (fr) * | 2007-05-04 | 2009-12-18 | Saint Gobain | Substrat transparent muni d'une couche electrode perfectionnee |
| US8927392B2 (en) * | 2007-11-02 | 2015-01-06 | Siva Power, Inc. | Methods for forming crystalline thin-film photovoltaic structures |
| JP2011511464A (ja) * | 2008-02-03 | 2011-04-07 | ンリテン エナジー コーポレイション | 薄膜光起電力デバイスおよび関連製造方法 |
| JP2009260270A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-11-05 | Nippon Synthetic Chem Ind Co Ltd:The | 太陽電池用基板及び太陽電池 |
| AU2009278420A1 (en) | 2008-08-05 | 2010-02-11 | Asahi Glass Company, Limited | Transparent conductive film substrate and solar cell using the substrate |
| US8236603B1 (en) | 2008-09-04 | 2012-08-07 | Solexant Corp. | Polycrystalline semiconductor layers and methods for forming the same |
| CN102203962A (zh) | 2008-10-29 | 2011-09-28 | 株式会社爱发科 | 太阳能电池的制造方法、蚀刻装置和cvd装置 |
| WO2010084758A1 (ja) | 2009-01-23 | 2010-07-29 | 株式会社アルバック | 太陽電池の製造方法及び太陽電池 |
| US8415187B2 (en) * | 2009-01-28 | 2013-04-09 | Solexant Corporation | Large-grain crystalline thin-film structures and devices and methods for forming the same |
| JP5489859B2 (ja) | 2009-05-21 | 2014-05-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 導電膜及び導電膜の作製方法 |
| JP2011014884A (ja) * | 2009-06-05 | 2011-01-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置 |
| JP5548400B2 (ja) * | 2009-07-02 | 2014-07-16 | 株式会社カネカ | 薄膜光電変換装置、及びその製造方法 |
| US8558106B2 (en) * | 2009-10-20 | 2013-10-15 | Industrial Technology Research Institute | Solar cell device and method for fabricating the same |
| US9085484B2 (en) | 2010-04-30 | 2015-07-21 | Corning Incorporated | Anti-glare surface treatment method and articles thereof |
| US20110308585A1 (en) * | 2010-06-16 | 2011-12-22 | International Business Machines Corporation | Dual transparent conductive material layer for improved performance of photovoltaic devices |
| CN102254961B (zh) * | 2011-05-28 | 2013-01-02 | 惠州市易晖太阳能科技有限公司 | 一种太阳能电池专用绒面导电玻璃及其制备方法与应用 |
| JP5178904B1 (ja) * | 2011-11-25 | 2013-04-10 | 昭和シェル石油株式会社 | Ｃｚｔｓ系薄膜太陽電池及びその製造方法 |
| EP3010047B1 (en) * | 2013-06-12 | 2021-01-20 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Production method of a solar cell degradation control-cover glass |
| WO2018154915A1 (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | Ａｇｃ株式会社 | 不透視膜付き部材 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6085575A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| JPS6196775A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS61288473A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS627716A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-14 | Ricoh Co Ltd | 非水系樹脂分散液 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5857756A (ja) * | 1981-10-01 | 1983-04-06 | Agency Of Ind Science & Technol | 非晶質太陽電池 |
| US4554727A (en) * | 1982-08-04 | 1985-11-26 | Exxon Research & Engineering Company | Method for making optically enhanced thin film photovoltaic device using lithography defined random surfaces |
| US4532537A (en) * | 1982-09-27 | 1985-07-30 | Rca Corporation | Photodetector with enhanced light absorption |
| US4497974A (en) * | 1982-11-22 | 1985-02-05 | Exxon Research & Engineering Co. | Realization of a thin film solar cell with a detached reflector |
| US4599482A (en) * | 1983-03-07 | 1986-07-08 | Semiconductor Energy Lab. Co., Ltd. | Semiconductor photoelectric conversion device and method of making the same |
| JPS6068663A (ja) * | 1983-09-26 | 1985-04-19 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | アモルフアスシリコン太陽電池 |
| US4689438A (en) * | 1984-10-17 | 1987-08-25 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
| JPH0614554B2 (ja) * | 1985-03-22 | 1994-02-23 | 工業技術院長 | 薄膜太陽電池の製造方法 |
| US4683160A (en) * | 1985-05-09 | 1987-07-28 | Exxon Research And Engineering Company | Solar cells with correlated roughness substrate |
| US4732621A (en) * | 1985-06-17 | 1988-03-22 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for producing a transparent conductive oxide layer and a photovoltaic device including such a layer |
-
1987
- 1987-05-22 US US07/052,991 patent/US4808462A/en not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-05-20 JP JP63122152A patent/JPS63313874A/ja active Pending
- 1988-05-20 WO PCT/US1988/001675 patent/WO1988009265A1/en not_active Application Discontinuation
- 1988-05-20 JP JP63505022A patent/JP2862174B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1988-05-20 EP EP19880905281 patent/EP0360831A4/en not_active Withdrawn
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6085575A (ja) * | 1983-10-18 | 1985-05-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置作製方法 |
| JPS6196775A (ja) * | 1984-10-17 | 1986-05-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS61288473A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
| JPS627716A (ja) * | 1985-07-02 | 1987-01-14 | Ricoh Co Ltd | 非水系樹脂分散液 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6750394B2 (en) | 2001-01-12 | 2004-06-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film solar cell and its manufacturing method |
| US8093490B2 (en) | 2001-12-03 | 2012-01-10 | Nippon Sheet Glass Company, Limited | Method for forming thin film, substrate having transparent electroconductive film and photoelectric conversion device using the substrate |
| JP2005169761A (ja) * | 2003-12-10 | 2005-06-30 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 酸化物膜付き基材、および酸化錫膜付き基材の製造方法 |
| EP1670065A1 (en) | 2004-12-10 | 2006-06-14 | Mitsubishi Heavy Industries, Ltd. | Light-scattering film and optical device using the same |
| JP2007288223A (ja) * | 2007-08-06 | 2007-11-01 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 光電変換装置および光電変換装置の製造方法 |
| KR101541414B1 (ko) | 2013-06-17 | 2015-08-03 | 한국에너지기술연구원 | 이중구조 투명전도막과 이를 이용한 태양전지 및 이들의 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4808462A (en) | 1989-02-28 |
| JPS63313874A (ja) | 1988-12-21 |
| EP0360831A1 (en) | 1990-04-04 |
| JPH02503615A (ja) | 1990-10-25 |
| EP0360831A4 (en) | 1990-11-28 |
| WO1988009265A1 (en) | 1988-12-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2862174B2 (ja) | 太陽電池用基板 | |
| JP4389585B2 (ja) | 透明導電性酸化物膜付き基体および光電変換素子 | |
| US6444898B1 (en) | Transparent layered product and glass article using the same | |
| US7846562B2 (en) | Transparent substrate with transparent conductive film, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion element including the substrate | |
| WO2002043079A1 (fr) | Film électro-conducteur, procédé de production, substrat ainsi pourvu, et convertisseur photoélectrique | |
| EP1950813A1 (en) | Transparent conductive substrate for solar cell and process for producing the same | |
| US6504139B1 (en) | Substrate for photoelectric conversion device, method of manufacturing the same, and photoelectric conversion device using the same | |
| US20050089693A1 (en) | Glass substrate and method of manufacturing the same | |
| US6498380B1 (en) | Substrate for photoelectric conversion device, and photoelectric conversion device using the same | |
| JP2005347490A (ja) | 透明導電性酸化物膜付き基体およびその製造方法ならびに光電変換素子 | |
| JPWO2005027229A1 (ja) | 透明導電膜付き基体およびその製造方法 | |
| JP2682658B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2003229584A (ja) | 光電変換装置用ガラス基板およびそれを用いた光電変換装置 | |
| JP2012084843A (ja) | 透明導電性酸化物膜付き基体、および光電変換素子 | |
| JP4529370B2 (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| JPH11186580A (ja) | 光電変換素子 | |
| JP2014038807A (ja) | 透明導電性酸化物膜付き基体およびその製造方法 | |
| JP2011223023A (ja) | 透明導電性酸化物膜付き基体およびその製造方法 | |
| JP2001102607A (ja) | 光電変換素子用基板 | |
| JP2003298083A (ja) | 光電変換装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071211 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071211 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071211 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081211 Year of fee payment: 10 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081211 Year of fee payment: 10 |