JPH11186580A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
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- JPH11186580A JPH11186580A JP9366325A JP36632597A JPH11186580A JP H11186580 A JPH11186580 A JP H11186580A JP 9366325 A JP9366325 A JP 9366325A JP 36632597 A JP36632597 A JP 36632597A JP H11186580 A JPH11186580 A JP H11186580A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造コストの増大が抑制されているにも拘ら
ず半導体薄膜に多くの光を入射させることができて光電
変換効率が高い光電変換素子を提供する。 【解決手段】 複数層のＳｎＯ2 膜が積層されて透光性
電極１５が構成されており、添加されているＦの濃度が
相対的に高いＳｎＯ2 膜とＦの濃度が相対的に低いＳｎ
Ｏ2 膜とが交互に積層されており、Ｆの濃度が相対的に
高いＳｎＯ2 膜が半導体薄膜１６に接している。このた
め、複数層のＳｎＯ2 膜を同一の製造装置で連続的に形
成することができ、また、透光性基体１４や半導体薄膜
１６との屈折率差が小さいＳｎＯ2 膜を選択することが
できて、これらの界面における反射率を低減させること
ができる。
ず半導体薄膜に多くの光を入射させることができて光電
変換効率が高い光電変換素子を提供する。 【解決手段】 複数層のＳｎＯ2 膜が積層されて透光性
電極１５が構成されており、添加されているＦの濃度が
相対的に高いＳｎＯ2 膜とＦの濃度が相対的に低いＳｎ
Ｏ2 膜とが交互に積層されており、Ｆの濃度が相対的に
高いＳｎＯ2 膜が半導体薄膜１６に接している。このた
め、複数層のＳｎＯ2 膜を同一の製造装置で連続的に形
成することができ、また、透光性基体１４や半導体薄膜
１６との屈折率差が小さいＳｎＯ2 膜を選択することが
できて、これらの界面における反射率を低減させること
ができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願の発明は、半導体薄膜に
入射した光のエネルギーを電力に変換する薄膜系の光電
変換素子に関するものである。
入射した光のエネルギーを電力に変換する薄膜系の光電
変換素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１は、光電変換素子の一般的な構成を
示している。この光電変換素子１１では、ガラス基板１
２上にＳｉＯ2 膜１３が積層されており、これらのガラ
ス基板１２とＳｉＯ2 膜１３とで透光性基体１４が構成
されている。ＳｉＯ2 膜１３上には、ＣＶＤ法やスパッ
タ法や蒸着法等で形成されたＳｎＯ2 膜やＺｎＯ膜やＩ
ｎ2 Ｏ3 膜等の金属酸化物膜である透光性電極１５が積
層されている。これらの金属酸化物膜には不純物が含ま
れている場合も含まれていない場合もある。
示している。この光電変換素子１１では、ガラス基板１
２上にＳｉＯ2 膜１３が積層されており、これらのガラ
ス基板１２とＳｉＯ2 膜１３とで透光性基体１４が構成
されている。ＳｉＯ2 膜１３上には、ＣＶＤ法やスパッ
タ法や蒸着法等で形成されたＳｎＯ2 膜やＺｎＯ膜やＩ
ｎ2 Ｏ3 膜等の金属酸化物膜である透光性電極１５が積
層されている。これらの金属酸化物膜には不純物が含ま
れている場合も含まれていない場合もある。
【０００３】透光性電極１５上には非晶質Ｓｉ薄膜等で
ある半導体薄膜１６が積層されており、ｐｎ接合やｐｉ
ｎ接合等が半導体薄膜１６に形成されている。半導体薄
膜１６上には、Ａｌ膜等である裏面電極１７が積層され
ている。なお、ガラス基板１２からアルカリ成分が溶出
して透光性電極１５に欠陥が生じたり透光性電極１５の
電気抵抗が高くなったりすることを防止するためにＳｉ
Ｏ2 膜１３が設けられているが、このＳｉＯ2 膜１３は
必ずしも必要ではない。
ある半導体薄膜１６が積層されており、ｐｎ接合やｐｉ
ｎ接合等が半導体薄膜１６に形成されている。半導体薄
膜１６上には、Ａｌ膜等である裏面電極１７が積層され
ている。なお、ガラス基板１２からアルカリ成分が溶出
して透光性電極１５に欠陥が生じたり透光性電極１５の
電気抵抗が高くなったりすることを防止するためにＳｉ
Ｏ2 膜１３が設けられているが、このＳｉＯ2 膜１３は
必ずしも必要ではない。
【０００４】この様な光電変換素子１１では、ガラス基
板１２側から光を入射させる。ガラス基板１２に入射し
ＳｉＯ2 膜１３及び透光性電極１５を透過して半導体薄
膜１６に入射した光が半導体薄膜１６の禁制帯幅よりも
大きなエネルギーを有していると、この光が半導体薄膜
１６の空乏層等で吸収されて、電子−正孔対を生成す
る。これらの電子及び正孔が透光性電極１５または裏面
電極１７に集められて、起電力が発生する。
板１２側から光を入射させる。ガラス基板１２に入射し
ＳｉＯ2 膜１３及び透光性電極１５を透過して半導体薄
膜１６に入射した光が半導体薄膜１６の禁制帯幅よりも
大きなエネルギーを有していると、この光が半導体薄膜
１６の空乏層等で吸収されて、電子−正孔対を生成す
る。これらの電子及び正孔が透光性電極１５または裏面
電極１７に集められて、起電力が発生する。
【０００５】ところで、光電変換素子１１の光電変換効
率を高めるためには、半導体薄膜１６に多くの光を入射
させる必要がある。このため、従来の光電変換素子１１
では、透光性基体１４に入射した光が透光性電極１５で
吸収されにくくするために、光透過率の高い材料で透光
性電極１５を形成することが考えられていた。
率を高めるためには、半導体薄膜１６に多くの光を入射
させる必要がある。このため、従来の光電変換素子１１
では、透光性基体１４に入射した光が透光性電極１５で
吸収されにくくするために、光透過率の高い材料で透光
性電極１５を形成することが考えられていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の光電変
換素子１１では、透光性基体１４と透光性電極１５との
界面や透光性電極１５と半導体薄膜１６との界面におけ
る反射率が高かった。このため、光透過率の高い材料で
透光性電極１５が形成されていても、十分な量の光が半
導体薄膜１６に入射しなくて、光電変換効率が十分には
高くなかった。
換素子１１では、透光性基体１４と透光性電極１５との
界面や透光性電極１５と半導体薄膜１６との界面におけ
る反射率が高かった。このため、光透過率の高い材料で
透光性電極１５が形成されていても、十分な量の光が半
導体薄膜１６に入射しなくて、光電変換効率が十分には
高くなかった。
【０００７】従って、本願の発明は、製造コストの増大
が抑制されているにも拘らず半導体薄膜に多くの光を入
射させることができて光電変換効率が高い光電変換素子
を提供することを目的としている。
が抑制されているにも拘らず半導体薄膜に多くの光を入
射させることができて光電変換効率が高い光電変換素子
を提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本願の発明による光電変
換素子では、複数層の透光性導電膜が積層されて透光性
電極が構成されているが、複数層の透光性導電膜の主成
分が互いに同じで、添加されている不純物の濃度が相対
的に高い透光性導電膜と不純物の濃度が相対的に低い透
光性導電膜とが交互に積層されているだけであるので、
透光性電極を構成している複数層の透光性導電膜を同一
の製造装置で連続的に形成することができる。
換素子では、複数層の透光性導電膜が積層されて透光性
電極が構成されているが、複数層の透光性導電膜の主成
分が互いに同じで、添加されている不純物の濃度が相対
的に高い透光性導電膜と不純物の濃度が相対的に低い透
光性導電膜とが交互に積層されているだけであるので、
透光性電極を構成している複数層の透光性導電膜を同一
の製造装置で連続的に形成することができる。
【０００９】そして、それにも拘らず、添加されている
不純物の濃度が相対的に高い透光性導電膜と不純物の濃
度が相対的に低い透光性導電膜とが交互に積層されてい
るので、積層方向に接している２層の透光性導電膜の屈
折率が互いに異なっている。このため、透光性基体に接
する透光性導電膜や半導体薄膜に接する透光性導電膜と
して透光性基体や半導体薄膜との屈折率差が小さい透光
性導電膜を選択することができて、透光性基体と透光性
電極との界面や透光性電極と半導体薄膜との界面におけ
る反射率を低減させることができる。
不純物の濃度が相対的に高い透光性導電膜と不純物の濃
度が相対的に低い透光性導電膜とが交互に積層されてい
るので、積層方向に接している２層の透光性導電膜の屈
折率が互いに異なっている。このため、透光性基体に接
する透光性導電膜や半導体薄膜に接する透光性導電膜と
して透光性基体や半導体薄膜との屈折率差が小さい透光
性導電膜を選択することができて、透光性基体と透光性
電極との界面や透光性電極と半導体薄膜との界面におけ
る反射率を低減させることができる。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、ＳｎＯ2 膜が透光性電極１
５になっている薄膜系の光電変換素子に適用した本願の
発明の第１〜第４実施形態を、図１を参照しながら説明
する。第１〜第４実施形態の何れの光電変換素子でも、
全体的な構成は既に図１に示した通りである。しかし、
第１〜第４実施形態の光電変換素子１１では、単層では
なく複数層のＳｎＯ2 膜が積層されて透光性電極１５が
構成されている。
５になっている薄膜系の光電変換素子に適用した本願の
発明の第１〜第４実施形態を、図１を参照しながら説明
する。第１〜第４実施形態の何れの光電変換素子でも、
全体的な構成は既に図１に示した通りである。しかし、
第１〜第４実施形態の光電変換素子１１では、単層では
なく複数層のＳｎＯ2 膜が積層されて透光性電極１５が
構成されている。
【００１１】まず、２層のＳｎＯ2 膜で透光性電極１５
が構成されている第１実施形態を説明する。この第１実
施形態の光電変換素子１１を製造するためには、ソーダ
石灰シリカガラスを溶融窯で溶融させ、溶融した素地を
錫槽に流し込む所謂フロート法によって、後に切断され
てガラス基板１２になる厚さ２ｍｍの板状ガラスを形成
する。錫槽内の雰囲気は９８体積％の窒素と２体積％の
水素とから成っており、この雰囲気の圧力は錫槽外の圧
力よりも若干高い。
が構成されている第１実施形態を説明する。この第１実
施形態の光電変換素子１１を製造するためには、ソーダ
石灰シリカガラスを溶融窯で溶融させ、溶融した素地を
錫槽に流し込む所謂フロート法によって、後に切断され
てガラス基板１２になる厚さ２ｍｍの板状ガラスを形成
する。錫槽内の雰囲気は９８体積％の窒素と２体積％の
水素とから成っており、この雰囲気の圧力は錫槽外の圧
力よりも若干高い。
【００１２】錫槽内には、オンラインＣＶＤ法を実行す
ることができる様に、原料ガスを供給するための複数の
ノズルが板状ガラスの移動方向に沿って設けられてい
る。形成された板状ガラスが第１群のノズルの下方を通
過する際に、モノシラン、エチレン、酸素及び窒素の混
合ガスを第１群のノズルから板状ガラスに供給して、厚
さ３０ｎｍのＳｉＯ2 膜１３を板状ガラス上に形成す
る。
ることができる様に、原料ガスを供給するための複数の
ノズルが板状ガラスの移動方向に沿って設けられてい
る。形成された板状ガラスが第１群のノズルの下方を通
過する際に、モノシラン、エチレン、酸素及び窒素の混
合ガスを第１群のノズルから板状ガラスに供給して、厚
さ３０ｎｍのＳｉＯ2 膜１３を板状ガラス上に形成す
る。
【００１３】そして、板状ガラスが第２群のノズルの下
方を通過する際に、ジメチル錫ジクロライドの蒸気、酸
素、水蒸気及び窒素の混合ガスを第２群のノズルから板
状ガラスに供給して、厚さ３６０ｎｍの純粋な第１層目
のＳｎＯ2 膜をＳｉＯ2 膜１３上に形成する。
方を通過する際に、ジメチル錫ジクロライドの蒸気、酸
素、水蒸気及び窒素の混合ガスを第２群のノズルから板
状ガラスに供給して、厚さ３６０ｎｍの純粋な第１層目
のＳｎＯ2 膜をＳｉＯ2 膜１３上に形成する。
【００１４】そして、更に、板状ガラスが第３群のノズ
ルの下方を通過する際に、ジメチル錫ジクロライドの蒸
気、酸素、水蒸気、窒素及びフッ化水素の混合ガスを第
３群のノズルから板状ガラスに供給して、Ｆが添加され
た厚さ２３０ｎｍの第２層目のＳｎＯ2 膜を第１層目の
ＳｎＯ2 膜上に形成する。
ルの下方を通過する際に、ジメチル錫ジクロライドの蒸
気、酸素、水蒸気、窒素及びフッ化水素の混合ガスを第
３群のノズルから板状ガラスに供給して、Ｆが添加され
た厚さ２３０ｎｍの第２層目のＳｎＯ2 膜を第１層目の
ＳｎＯ2 膜上に形成する。
【００１５】板状ガラスが第１〜第３群の夫々のノズル
の下方を通過する時間は互いに略等しいので、ＳｉＯ2
膜１３並びに第１層目及び第２層目のＳｎＯ2 膜の夫々
の厚さは、夫々のノズルから供給する原料ガスの濃度を
変化させることによって制御する。その後、板状ガラス
を徐冷させてから、４５０ｍｍ×４５０ｍｍの寸法のガ
ラス板に切断する。
の下方を通過する時間は互いに略等しいので、ＳｉＯ2
膜１３並びに第１層目及び第２層目のＳｎＯ2 膜の夫々
の厚さは、夫々のノズルから供給する原料ガスの濃度を
変化させることによって制御する。その後、板状ガラス
を徐冷させてから、４５０ｍｍ×４５０ｍｍの寸法のガ
ラス板に切断する。
【００１６】次に、切断したガラス板を十分に洗浄し且
つ乾燥させた後、高周波グロー放電を行う容量結合型の
プラズマＣＶＤ装置で、ｐｉｎ接合を有する半導体薄膜
１６を透光性電極１５上に形成する。半導体薄膜１６の
構成及び各層の形成条件は下記の通りであり、各層の厚
さは形成時間によって制御する。
つ乾燥させた後、高周波グロー放電を行う容量結合型の
プラズマＣＶＤ装置で、ｐｉｎ接合を有する半導体薄膜
１６を透光性電極１５上に形成する。半導体薄膜１６の
構成及び各層の形成条件は下記の通りであり、各層の厚
さは形成時間によって制御する。
【００１７】
【００１８】
【００１９】
【００２０】次に、１３３Ｐａ程度の圧力の真空蒸着に
よって、厚さ３００ｎｍ程度のＡｌ膜を裏面電極１７と
して半導体薄膜１６上に形成する。そして、このガラス
板を４３０ｍｍ×４３０ｍｍの寸法に切断して、この第
１実施形態の光電変換素子１１を完成させる。
よって、厚さ３００ｎｍ程度のＡｌ膜を裏面電極１７と
して半導体薄膜１６上に形成する。そして、このガラス
板を４３０ｍｍ×４３０ｍｍの寸法に切断して、この第
１実施形態の光電変換素子１１を完成させる。
【００２１】半導体薄膜１６及び裏面電極１７を除いた
第１実施形態の光電変換素子１１における構造及び光の
透過率が、表１の項番１に示されている。表１の項番１
の右端欄には、第１実施形態の透光性電極１５と全体の
厚さが同じであるがＦが添加された単層のＳｎＯ2 膜で
透光性電極１５が形成されている比較例における光の透
過率も示されている。
第１実施形態の光電変換素子１１における構造及び光の
透過率が、表１の項番１に示されている。表１の項番１
の右端欄には、第１実施形態の透光性電極１５と全体の
厚さが同じであるがＦが添加された単層のＳｎＯ2 膜で
透光性電極１５が形成されている比較例における光の透
過率も示されている。
【００２２】なお、第１層目及び第２層目の夫々のＳｎ
Ｏ2 膜の厚さは、以下の様にして測定した。即ち、移動
している板状ガラスに対して第１層目のＳｎＯ2 膜の形
成を開始する位置よりも第２層目のＳｎＯ2 膜の形成を
開始する位置を遅らせて、第２層目のＳｎＯ2 膜の表面
が露出している部分のみならず第１層目のＳｎＯ2 膜の
表面が露出している部分も形成した。
Ｏ2 膜の厚さは、以下の様にして測定した。即ち、移動
している板状ガラスに対して第１層目のＳｎＯ2 膜の形
成を開始する位置よりも第２層目のＳｎＯ2 膜の形成を
開始する位置を遅らせて、第２層目のＳｎＯ2 膜の表面
が露出している部分のみならず第１層目のＳｎＯ2 膜の
表面が露出している部分も形成した。
【００２３】そして、第１層目のＳｎＯ2 膜の表面が露
出している部分と第２層目のＳｎＯ2 膜の表面が露出し
ている部分とから測定領域を選択し、測定領域以外の領
域をテープでマスクすると共に測定領域に亜鉛の粉末を
付け、これらの上から希塩酸を注いでＳｎＯ2 膜をエッ
チングし、触針計（アルファステップ−２００：テンコ
ールインスツルメンツ社の製品名）で夫々のＳｎＯ2 膜
の厚さを測定した。
出している部分と第２層目のＳｎＯ2 膜の表面が露出し
ている部分とから測定領域を選択し、測定領域以外の領
域をテープでマスクすると共に測定領域に亜鉛の粉末を
付け、これらの上から希塩酸を注いでＳｎＯ2 膜をエッ
チングし、触針計（アルファステップ−２００：テンコ
ールインスツルメンツ社の製品名）で夫々のＳｎＯ2 膜
の厚さを測定した。
【００２４】次に、第２〜第４実施形態を説明する。表
１の項番２〜４には、半導体薄膜１６及び裏面電極１７
を除いた第２〜第４実施形態の光電変換素子１１におけ
る構造及び光の透過率と、各々の比較例における光の透
過率も示されている。これら第２〜第４実施形態の光電
変換素子１１では、透光性電極１５を構成しているＳｎ
Ｏ2 膜の積層構造のみが上述の第１実施形態と相違して
いるだけであり、しかも、各層のＳｎＯ2 膜は第１実施
形態の製造方法と同様にして形成される。
１の項番２〜４には、半導体薄膜１６及び裏面電極１７
を除いた第２〜第４実施形態の光電変換素子１１におけ
る構造及び光の透過率と、各々の比較例における光の透
過率も示されている。これら第２〜第４実施形態の光電
変換素子１１では、透光性電極１５を構成しているＳｎ
Ｏ2 膜の積層構造のみが上述の第１実施形態と相違して
いるだけであり、しかも、各層のＳｎＯ2 膜は第１実施
形態の製造方法と同様にして形成される。
【００２５】表１の項番５には、４層のＳｎＯ2 膜で透
光性電極１５が構成されている点は第３実施形態と同じ
であるが、Ｆが添加されていない純粋なＳｎＯ2 膜が半
導体薄膜１６に接している点で第３実施形態と相違して
いる比較例も示されている。この表１から明らかな様
に、第１〜第４実施形態の何れの光電変換素子１１にお
ける光の透過率も比較例における光の透過率よりも高
い。従って、第１〜第４実施形態の何れの光電変換素子
１１も、半導体薄膜１６に多くの光を入射させることが
できて光電変換効率が高い。
光性電極１５が構成されている点は第３実施形態と同じ
であるが、Ｆが添加されていない純粋なＳｎＯ2 膜が半
導体薄膜１６に接している点で第３実施形態と相違して
いる比較例も示されている。この表１から明らかな様
に、第１〜第４実施形態の何れの光電変換素子１１にお
ける光の透過率も比較例における光の透過率よりも高
い。従って、第１〜第４実施形態の何れの光電変換素子
１１も、半導体薄膜１６に多くの光を入射させることが
できて光電変換効率が高い。
【００２６】透光性電極１５は低抵抗である必要がある
ので、積層されている複数層のＳｎＯ2 膜全体の厚さは
４００ｎｍ程度以上である必要がある。しかし、透光性
電極１５が厚過ぎると光の透過率が低下すると共に製造
コストが上昇するので、積層されている複数層のＳｎＯ
2 膜全体の厚さは１５００ｎｍ程度以下である必要があ
る。なお、以上に述べた光電変換素子１１としては、太
陽電池やフォトダイオード等がある。
ので、積層されている複数層のＳｎＯ2 膜全体の厚さは
４００ｎｍ程度以上である必要がある。しかし、透光性
電極１５が厚過ぎると光の透過率が低下すると共に製造
コストが上昇するので、積層されている複数層のＳｎＯ
2 膜全体の厚さは１５００ｎｍ程度以下である必要があ
る。なお、以上に述べた光電変換素子１１としては、太
陽電池やフォトダイオード等がある。
【００２７】
【発明の効果】本願の発明による光電変換素子では、透
光性電極を構成している複数層の透光性導電膜を同一の
製造装置で連続的に形成することができるので、製造コ
ストの増大が抑制されており、そして、それにも拘ら
ず、透光性基体と透光性電極との界面や透光性電極と半
導体薄膜との界面における反射率を低減させることがで
きるので、半導体薄膜に多くの光を入射させることがで
きて光電変換効率が高い。
光性電極を構成している複数層の透光性導電膜を同一の
製造装置で連続的に形成することができるので、製造コ
ストの増大が抑制されており、そして、それにも拘ら
ず、透光性基体と透光性電極との界面や透光性電極と半
導体薄膜との界面における反射率を低減させることがで
きるので、半導体薄膜に多くの光を入射させることがで
きて光電変換効率が高い。
【図１】本願の発明を適用し得る薄膜系の光電変換素子
の側面図である。
の側面図である。
１１ 光電変換素子 １４ 透光性基体 １５ 透光性電極 １６ 半導体薄膜
【表１】
フロントページの続き (72)発明者 平田 昌宏 大阪府大阪市中央区道修町３丁目５番11号 日本板硝子株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 透光性基体上に透光性電極と半導体薄膜
とが順次に積層されている光電変換素子において、 複数層の透光性導電膜が積層されて前記透光性電極が構
成されており、 前記複数層の透光性導電膜の主成分が互いに同じであ
り、 添加されている不純物の濃度が相対的に高い前記透光性
導電膜と前記不純物の濃度が相対的に低い前記透光性導
電膜とが交互に積層されており、 前記不純物の濃度が相対的に高い前記透光性導電膜が前
記半導体薄膜に接していることを特徴とする光電変換素
子。 - 【請求項２】 前記主成分がＳｎＯ2 であり、前記不純
物がＦ、Ｃｌ、Ｂｒ及びＳｂのうちの少なくとも一つで
あることを特徴とする請求項１記載の光電変換素子。 - 【請求項３】 前記主成分がＺｎＯであり、前記不純物
がＡｌ、Ｆ、Ｃａ、Ｂ及びＩｎのうちの少なくとも一つ
であるであることを特徴とする請求項１記載の光電変換
素子。 - 【請求項４】 前記主成分がＩｎ2 Ｏ3 であり、前記不
純物がＳｎであることを特徴とする請求項１記載の光電
変換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36632597A JP3382141B2 (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36632597A JP3382141B2 (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 光電変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186580A true JPH11186580A (ja) | 1999-07-09 |
| JP3382141B2 JP3382141B2 (ja) | 2003-03-04 |
Family
ID=18486504
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP36632597A Expired - Fee Related JP3382141B2 (ja) | 1997-12-24 | 1997-12-24 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3382141B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001026161A1 (fr) * | 1999-10-05 | 2001-04-12 | Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. | Pile solaire a compose semiconducteur et procede de fabrication |
| CN1331766C (zh) * | 2005-09-01 | 2007-08-15 | 太原理工大学 | 光电极处理水中难降解有机物的工艺 |
| JP2018040059A (ja) * | 2013-03-12 | 2018-03-15 | ビトロ、エセ．ア．ベ． デ セ．ウベ． | 選択的にドープされた導電性酸化物層を有する太陽電池およびそれを作製する方法 |
-
1997
- 1997-12-24 JP JP36632597A patent/JP3382141B2/ja not_active Expired - Fee Related
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|---|---|---|---|---|
| WO2001026161A1 (fr) * | 1999-10-05 | 2001-04-12 | Matsushita Battery Industrial Co., Ltd. | Pile solaire a compose semiconducteur et procede de fabrication |
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| US20180190844A1 (en) * | 2013-03-12 | 2018-07-05 | VITRO S.A.B. de C.V. | Solar Cell With Selectively Doped Conductive Oxide Layer and Method of Making the Same |
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