JP2847722B2 - 光磁気記録装置 - Google Patents

光磁気記録装置

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JP2847722B2 JP63263503A JP26350388A JP2847722B2 JP 2847722 B2 JP2847722 B2 JP 2847722B2 JP 63263503 A JP63263503 A JP 63263503A JP 26350388 A JP26350388 A JP 26350388A JP 2847722 B2 JP2847722 B2 JP 2847722B2
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Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。
Ａ産業上の利用分野 Ｂ発明の概要 Ｃ従来の技術（第11図） Ｄ発明が解決しようとする問題点（第11図） Ｅ問題点を解決するための手段（第１図、第６図） Ｆ作用（第１図及び第６図） Ｇ実施例（第１図〜第10図） （G1）第１実施例（第１図〜第５図） （G2）第２実施例（第６図〜第10図） Ｈ発明の効果 Ａ産業上の利用分野 本発明は光磁気記録装置に関し、例えば記録情報を光
磁気デイスク上に重書き記録し得るようになされた光磁
気記録装置に適用して好適なものである。
Ｂ発明の概要 第１の発明は、光磁気記録装置において、光磁気デイ
スクの温度特性に応じて変調磁界を遅延させることによ
り、基準クロツク信号のタイミングに対して正しい位置
にピツトを形成することができる。
第２の発明は、光磁気記録装置において、光磁気デイ
スクの温度に応じて光ビームを制御することにより、基
準クロツク信号のタイミングに対して正しい位置にピツ
トを形成することができる。
第３の発明は、光磁気記録装置において、光スポツト
の走査位置及び光磁気デイスクの温度に応じて光ビーム
を制御することにより、基準クロツク信号のタイミング
に対して正しい位置にピツトを形成することができる。
Ｃ従来の技術 従来、光磁気記録装置においては、光磁気デイスクの
磁気特性がキユーリ温度Tcを境にして大きく変化するこ
とを利用して、所望の記録情報を磁気記録するようにな
されている。
すなわち第11図に示すように、光磁気デイスクにおい
ては、その垂直磁化膜の保磁力Hcが、キユーリ温度Tcで
急激に減少する。
従つて垂直磁化膜は、一旦キユーリ温度Tc以上に暖め
た後、外部磁界を印加してキユーリ温度Tc以下に冷却す
ることにより、外部磁界の向きに配向される。
かかる磁化原理に基づいて、光磁気記録装置において
は、光ビームを連続的に照射して光磁気デイスク上に光
スポツトを走査させることにより、光磁気デイスク上の
所定領域をキユーリ温度Tc以上に暖めると共に、磁気ヘ
ツドを用いて所定の基準クロツク信号のタイミングで記
録情報に応じて極性が反転する変調磁界を印加する。
このようにすれば、光スポツトが照射された領域は、
一旦キユーリ温度Tc以上に暖められた後、自然冷却する
ようになされ、キユーリ温度Tcを横切るタイミングで当
該領域に印加された変調磁界の向きに配向される。
かくして、すでに磁化パターンが形成されている場合
でも、クロツク信号の周期で、光スポツトの走査軌跡に
変調磁界に応じて配向した微少領域（以下ピツトと呼
ぶ）を順次形成し得、これにより所望の記録情報を重書
き記録するようになされている。
Ｄ発明が解決しようとする問題点 ところで、光ビームを照射した後自然冷却する場合に
おいては、光スポツトが走査した後キユーリ温度Tc以下
に温度降下するまでの時間が光磁気デイスク自体の温度
特性に応じて変化し、この場合光磁気デイスク自体の温
度特性に応じて基準クロツク信号に対してピツトの形成
位置が変化する問題がある。
従つて、例えば予め光磁気デイスク上に形成されたプ
リピツトから基準クロツク信号を形成する場合、当該プ
リピツトに対してピツトの形成位置が変化し、プリピツ
トを基準にした記録情報の再生が困難になる（すなわ
ち、プリピツトから得られる再生信号の位相に対して、
位相ずれが発生する）。
さらに、隣接するピツトとの間で配向の変化を確実に
検出して記録情報を確実に再生するためには、隣接する
ピツト間で配向が急峻に反転する磁化パターンを形成す
る必要がある。
従つて、光ビームを連続的に照射する場合において
は、変調磁界を形成する磁気ヘツド及び当該磁気ヘツド
を駆動する駆動回路として周波数特性の優れたものを選
択して、変調磁界の極性を急激に反転させる必要があ
り、その分全体の構成が複雑になる問題がある。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、全体と
して簡易な構成で、基準クロツク信号のタイミングに対
して、正しい位置にピツトを形成することができる光磁
気記録装置を提案しようとするものである。
Ｅ問題点を解決するための手段 かかる問題点を解決するため第１の発明においては、
所定の基準クロツク信号のタイミングで、順次光磁気デ
イスク上に光スポツトを形成すると共に、基準クロツク
信号に同期して記録情報に応じて極性が反転する所定の
変調磁界を印加することにより、光磁気デイスクに上記
記録情報を磁気記録するようになされた光磁気記録装置
において、基準クロツク信号に対する変調磁界の極性が
反転するタイミングを、光磁気デイスクの温度特性に応
じた所定量だけ遅延させ、必要磁界強度以上の変調磁界
によつて配向されたピツトを光磁気デイスクに形成する
ことにより記録情報を光磁気デイスクに記録するように
する。
また第２の発明においては、所定の基準クロック信号
のタイミングで、順次光磁気デイスク上に光スポツトを
形成すると共に、基準クロツク信号に同期して記録情報
に応じて極性が反転する所定の変調磁界を印加すること
により、光磁気デイスクに記録情報を磁気記録するよう
になされた光磁気記録装置において、光スポツトを形成
する光ビームを照射するタイミング、光ビームの光量及
び照射時間の内、いずれか１つ、又は２つ、又は３つを
制御すると共に、基準クロツク信号に対する変調磁界の
極性が反転するタイミングを光磁気デイスクの温度特性
に応じた所定量だけ遅延させることにより必要磁界強度
以上の変調磁界によつて配向されるピツトを光磁気デイ
スクに形成する。
また第３の発明においては、光スポツト位置検出手段
を介して得られる光磁気デイスク上における光スポツト
の走査位置に応じて、光スポツトを形成する光ビームを
照射するタイミング、光ビームの光量及び照射時間の
内、いずれか１つ、又は２つ、又は３つを制御すると共
に、基準クロツク信号に対する変調磁界の極性が反転す
るタイミングを光磁気デイスクの温度特性に応じた所定
量だけ遅延させることにより必要磁界強度以上の変調磁
界によつて配向されるピツトを光磁気デイスクに形成す
る。
また第４の発明においては、所定の基準クロツク信号
のタイミングで、順次光磁気デイスク上に光スポツトを
形成すると共に、基準クロツク信号に同期して記録情報
に応じて極性が反転する所定の変調磁界を印加すること
により、光磁気デイスクに記録情報を磁気記録するよう
になされた光磁気記録装置において、基準クロツク信号
に対する変調磁界の極性が反転するタイミングを、光磁
気デイスクから再生された光磁気デイスクの特性情報に
基づいて所定量だけ遅延させ、必要磁界強度以上の変調
磁界によつて配向されたピツトを光磁気デイスクに形成
することにより記録情報を光磁気デイスクに記録するよ
うにする。
Ｆ作用 第１の発明においては、基準クロツク信号SCKに対す
る変調磁界HMの極性が反転するタイミングを、光磁気デ
イスク２に応じて所定量TDLだけ遅延させるようにすれ
ば、光磁気デイスク２の温度特性が異なる場合でも、基
準クロツク信号SCKのタイミングに対して、正しい位置
にピツトを形成することができる。
第２の発明においては、光デイスク２の温度に応じ
て、光ビームLA1を制御することにより、光デイスク２
の温度が変化しても、基準クロツク信号SCKのタイミン
グに対して正しい位置にピツトを形成することができ
る。
第３の発明においては、光デイスク２の温度及び光ス
ポルトSP1、SP2の走査位置に応じて、光ビームLA1を制
御することにより、光デイスク２の温度及び光スポツト
SP1、SP2の走査位置が変化しても、基準クロツク信号S
CKのタイミングに対して正しい位置にピツトを形成する
ことができる。
Ｇ実施例 以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。
（G1）第１の実施例 第１図において、１は全体として光磁気記録装置を示
し、例えばポリカーボネイト、ガラス等でなる透明保護
基盤４に垂直磁化膜５が披着されるようになされた光磁
気デイスク２が、スピンドルモータ３に駆動されて所定
の回転速度で回転するようになされている。
光磁気デイスク２は、所定の角間隔で配置されたサー
ボ領域に予めサンプルフオーマツトのサーボパターンが
形成され、当該サンプルフオーマツトのサーボパターン
から得られる再生信号に基づいて、記録情報の書き込み
及び読み出し用の基準クロツク信号が得られるようにな
されている。
さらに光磁気デイスク２は、最内周にコントロールト
ラツクを有し、予め当該コントロールトラツクに光磁気
デイスク２の温度特性及び磁気特性の情報が記録される
ようになされている。
すなわち第２図に示すように、光磁気デイスク２にお
いては、磁気ヘツドに印加する電流値が大きくなつて外
部磁界が強くなれば、再生信号のC/N比が向上してやが
て飽和する特性を有し、この飽和点の磁界強度（以下必
要磁界と呼ぶ）HHが磁気特性の情報として記録されてい
る。
さらに当該光磁気デイスク２を所定の基準温度に保持
した状態で、所定の光量分布の光スポツトを基準クロツ
ク信号に同期して所定期間照射した際に、光スポツトを
照射した領域の温度がキユーリ温度TCに上昇するまでの
時間情報、ピーク温度情報及びピーク温度からキユーリ
温度TCに降下するまでの時間情報等が、当該温度特性の
情報として記録されている。
これに対して第３図に示すようにレーザ駆動回路７
は、制御信号SC1に応じて半導体レーザ８から照射され
る光ビームLA1の光量を切り換えると共に、当該光ビー
ムLA1の照射を連続的な照射から基準クロツク信号S
CK（第３図（Ａ））に同期した間欠的な照射（第３図
（Ｂ））に切り換えるようになされている。
さらに光磁気記録装置１においては、半導体レーザ８
から照射される光ビームLA1をコリメータレンズ９、偏
光ビームスプリツタ10及び対物レンズ11を介して光磁気
デイスク２上に集光すると共に、当該光ビームLA1の反
射光ビームを対物レンズ11、偏光ビームスプリツタ10及
び集光レンズ12を介して光デイスク13に導くようになさ
れている。
クロツク信号発生回路14は、光デイテクタ13から得ら
れる再生信号SOUTを受け、このうちサーボ領域から得ら
れる再生信号に基づいて、記録情報の書き込み及び読み
出し用の基準クロツク信号SCKを出力する。
これに対して制御回路15は、信号処理回路16から再生
信号SOUTを復調して得られる光磁気デイスク２の温度特
性及び磁気特性の情報を受け、当該温度特性及び磁気特
性の情報に基づいてレーザ駆動回路７、遅延回路19及び
ヘツド駆動回路20の動作を切換制御する。
すなわち制御回路15は、記録モードになると、制御信
号SC1をレーザ駆動回路７に出力し、光磁気デイスク２
のサーボ領域で光ビームLA1を連続的に照射して基準ク
ロツク信号SCKと共にトラツキングエラー信号を得、こ
れにより光スポツトをトラツキング制御する。
さらに制御回路15は、当該サーボ領域以外の領域で半
導体レーザ８から照射される光ビームLA1を所定光量に
切り換えると共に、基準クロツク信号SCKが立ち上がる
タイミングで、期間T1の間光ビームLA1を間欠的に照射
する（第３図（Ｂ））。
この場合第４図に示すように、光スポツトの走査軌跡
の中心TRC上においては、光スポツトの走査方向をｘ軸
方向にとつて、キユーリ温度TC以上に温度上昇する領域
ARTCとその温度上昇及び温度降下に要する時間の関係を
表わすことができる。
すなわち、光ビームLA1の照射開始の時点t1及び終了
の時点t2で形成される光スポツトSP1及びSP2の一部が重
なり合う場合、光スポツトの走査方向ｘにおいては、光
ビームLA1が照射された領域よりも内側の長さＬの範囲
が、キユーリ温度TC以上に上昇する。
このとき、光ビームLA1の照射開始の時点t1を基準に
して表すと、光スポツトSP1及びSP2が重なり合う部分AR
12が、期間T1の間連続して光ビームLA1が照射されてな
ることから、最も短時間でキユーリ温度TC以上に温度上
昇し、最も長時間でキユーリ温度TC以下に温度降下す
る。
これに対して、光スポツトSP1及びSP2が重なり合わな
い領域においては、重なり合う領域AR12から離れるに従
つて温度上昇に要する時間が長くなると共に、温度降下
に要する時間が短くなる。
このことから、長さＬの領域を必要磁界HHで確実に配
向させるためには、長さＬの領域の一部でキユーリ温度
TC以下の温度降下が始まる時点tDS（以下光ビームLA1の
照射開始の時点t1から当該時点tDSまでの期間を立上り
時間TUと呼ぶ）で必要磁界HH以上の変調磁界を印加する
と共に、当該時点tDSから、長さＬの領域の全てがキユ
ーリ温度TC以下に温度降下する時点tDEまでの期間T
H（以下保持時間と呼ぶ）の間、変調磁界の強度を必要
磁界HH以上に保持すればよいことが解る。
従つて、光磁気デイスク２の温度特性及び磁化特性に
応じて、当該立上り時間TU及び保持時間THが異なること
から、基準クロツック信号SCKに対して変調磁界が必要
磁界HHに立ち上がるまでの期間及び必要磁界HH以下に立
ち下がるまでの期間を、光磁気デイスクに応じて可変制
御することにより、光ビームLA1が照射された領域を必
要磁界HHで確実に配向させることができる。
その結果、基準クロツク信号SCKのタイミングで、光
ビームLA1が照射されてなることから、基準クロツク信
号SCKのタイミングに対して、正しい位置に必要磁界HH
で配向されたピツトを形成することができ、この場合サ
ーボ領域に形成されたサンプルフオーマツトのピツトに
対して基準クロツク信号SCKの周期で連続するピツトを
形成することができる。
ちなみに、連続的に光ビームを照射する場合、光磁気
デイスクの温度特性及び磁化特性だけでなく、当該光ビ
ームの照射により、ピツトを形成した周辺の領域が著し
く温度変化し、これにより続いて形成するピツト形成位
置が変化する問題がある。
従つて、半導体レーザ８から間欠的に光ビームLA1を
照射することにより、連続的に光ビームを照射する場合
に比して、ピツトを形成した周囲の領域の温度変化を低
減し得、その分当該温度変化によるピツト形成位置のず
れを未然に防止することができ、併せて半導体レーザ８
の信頼性を向上することができる。
このためこの実施例においては、コントロールトラツ
クに記録された光磁気デイスク２の温度特性及び磁気特
性の情報に基づいて、光磁気デイスク２の立上り時間TU
及び保持時間THを得、これにより基準クロツク信号SCK
に対する変調磁界のタイミングを可変制御することにな
されている。
すなわち第５図に示すように、変調回路18は、記録情
報信号SD（第３図（Ｃ）及び第５図（Ａ））を受けて当
該記録情報信号SDの信号レベルに応じて所定の傾きで極
性が反転する記録信号SREC（第５図（Ｂ））を形成し、
遅延回路19を介してヘツド駆動回路20に出力する。
制御回路15は、温度特性及び磁気特性の情報に基づい
て、遅延回路19及びヘツド駆動回路20に制御信号SC2を
出力し、遅延回路19の遅延時間及びヘツド駆動回路20の
増幅率を可変制御する。
すなわち、増幅率を可変制御することにより、磁気ヘ
ツド21によつて形成される変調磁界HM（第３図（Ｄ）及
び第５図（Ｃ））が、保持時間TH以上の期間の間、必要
磁界HH以上になるように設定する。
さらに遅延時間TDLを可変制御することにより、基準
クロツク信号SCK（第５図（Ｄ））に対して立上り時間T
Uだけ遅延して、変調磁界HMが必要磁界HH以上に立ち上
がるようにする。
かくして、変調磁界HMを立上り時間TUだけ遅延して必
要磁界HH以上に立ち上がると共に、当該必要磁界HHを保
持時間TH以上の間だけ保持すればよいので、変調磁界の
極性を急峻に変化させる場合に比してその分全体として
簡易な構成の光磁気記録装置を得ることができる。
従つてその分、磁気ヘツドを駆動する駆動回路として
周波数特性の優れたものを選択すれば、従来に比してさ
らに一段と記録密度の高い光磁気記録装置を得ることが
できる。
かくして光スポツトの走査軌跡に順次所望のピツトＰ
（第３図（Ｅ））を形成することができる。
以上の構成において、光ビームLA1は、光磁気デイス
ク２のサーボ領域から得られる基準クロツク信号SCKの
タイミングで、光磁気デイスク２に照射され、これによ
り光磁気デイスク２上に間欠的に光スポツトが形成され
る。
これに対して変調磁界HMは、コントロールトラツクに
記録された光磁気デイスク２の温度特性及び磁気特性の
情報に基づいて遅延回路19の遅延時間及びヘツド駆動回
路20の増幅率が可変制御されることにより、立上り時間
TUだけ遅延して必要磁界HH以上に立ち上がつた後、保持
時間THだけ経過して必要磁界HH以下に立ち下がる。
かくして、光ビームLA1が照射された領域が、必要磁
界HH以上の変調磁界で配向され、これにより基準クロツ
ク信号SCKのタイミングに対して、正しい位置に必要磁
界HH以上の変調磁界で配向されたピツトを形成すること
ができる。
以上の構成によれば、光磁気デイスクに応じて、変調
磁界を遅延させることにより、立上り時間だけ遅延して
必要磁界以上に立ち上がつた後、保持時間だけ経過して
必要磁界以下に立ち下がる変調磁界を得ることができ、
光ビームが照射された領域を確実に必要磁界以上の強度
で配向させることができる。
かくして、全体として簡易な構成で、基準クロツク信
号のタイミングに対して、正しい位置にピツトを形成す
ることができる。
（G2）第２の実施例 第１図との対応部分に同一符号を付して示す第６図に
おいて、30は全体として光磁気記録装置を示し、光磁気
デイスクに応じて変調磁界を遅延させると共に、当該光
磁気デイスクの温度及び光スポツトの走査位置に応じて
光ビームを制御するようにしたものである。
すなわち第７図に示すように、記録情報信号SD（第７
図（Ａ））に応じて極性が反転する変調磁界HM（第７図
（Ｂ））を印加した状態で、基準クロツク信号SCK（第
７図（Ｃ））に同期して間欠的に光ビームLA1を照射す
る場合（第７図（Ｄ））、光ビームLA1が照射される光
磁気デイスク上の温度は、当該光磁気デイスクの周囲温
度から立ち上がつた後周期温度にまで立ち下がり、この
場合光ビームLA1が照射された領域は第７図（Ｅ）に示
すような温度変化ΔＴを呈する。
従つて周囲温度をTENVで表すと、当該温度変化ΔＴが
温度TC−TENV以上に大きくなると、変調磁界HMで配向さ
れてピツトＰ（第７図（Ｆ））が形成されることから、
周囲温度が変化すると、これに伴つてピツトの形成位置
が変化する問題がある。
すなわち、磁気デイスク２の周囲温度TENVが温度ΔT
ENVだけ高くなつて当該磁気デイスク２の温度が高くな
ると、少ない温度上昇ΔＴでキユーリ温度TCに立ち上が
るようになり、この場合ピツト形成位置が光スポツトの
走査方向とは逆方向に移動する。
その結果、ピツトを正しい位置に形成し得なくなり、
この場合周囲温度が上昇すると再生信号SRF（第７図
（Ｇ））の位相が位相差Δθだけ進む結果になる。
これに対して第８図に示すように、光磁気デイスク２
が角速度一定で回転している場合、内周側の方が外周側
に比して線速度が遅くなることにより、単位面積当たり
の光ビームLA1の照射強度が増加し、その分内周側で立
上り時間TWが短くなる。
従つて内周側で立上り時間TWが短くなつた分、ピツト
Ｐの形成位置が正しい形成位置から変化し、この場合も
再生信号SRFが位相差Δθだけ進み位相になる問題があ
る。
従つてこの実施例においては、光磁気デイスク２に応
じて変調磁界HMを遅延させることにより、光磁気デイス
ク２に応じてピツト形成位置の変化を未然に防止すると
共に、併せて光磁気デイスク２の温度及び光スポツトSP
1の走査位置に応じて光ビームLA1を制御することによ
り、上述の周囲温度TENV及び光スポツトSP1の走査位置
に応じたピツト形成位置の変化を未然に防止するように
なされている。
すなわち第９図及び第10図に示すように、光ビームLA
1を照射するタイミング（基準クロツク信号SCKに対する
遅延時間Δｔで表す）を内周側で遅くすると、内周側及
び外周側でピツト形成位置を正しい位置に保持し得、再
生信号SRFの位相ずれを防止することができる。
同様に、光ビームLA1を照射する期間TWを内周側で短
くすれば、その分立上り時間TWを長くし得、これにより
再生信号SRFの位相ずれを防止することができる。
さらに、光ビームLA1の照射強度WPを内周側で小さく
すれば、同様に立上り時間TWを長くし得、再生信号SRF
の位相ずれを防止することができる。
また、周囲温度TENVが上昇すると、これに応じて光ビ
ームLA1を照射するタイミング、光ビークLA1を照射する
期間TW又は光ビームLA1の照射強度WPを切り換えること
により、ピツト形成位置を正しい位置に保持し得、再生
信号SRFの位相ずれを防止することができる。
かくしてこの実施例においては、光ビームLA1を照射
するタイミング、光ビームLA1を照射する期間TW及び光
ビームLA1の照射強度WPの内、光ビームLA1を照射する期
間TW及び光ビームLA1の照射強度WPを制御して、ピツト
形成位置を正しい位置に保持するようになされている。
すなわち光磁気記録装置30において、位置検出回路31
は、光磁気デイスク２の半径方向に移動する記録再生ヘ
ツト（すなわち半導体レーザ８、コリメータレンズ９、
偏光ビームスプリツタ10及び対物レンズ11でなる光ビー
ムLA1の照射光学系と、集光レンズ12及び光デイテクタ1
3を含んでなる反射光ビーム受光光学系と、磁気ヘツド2
1の全体を指す）の位置に応じて抵抗値が変化するよう
になされたポテンシヨンメータで構成されるようになさ
れ、これにより光スポツトSP1の走査位置を検出して制
御回路32に出力するようになされている。
これに対して温度検出回路33は、光磁気デイスク２近
傍の温度を検出することにより、当該光磁気デイスク２
の温度を検出し、その結果得られた検出結果を制御回路
32に出力する。
制御回路32は、光磁気デイスク２の温度特性及び磁気
特性の情報を受け、当該温度特性及び磁気特性の情報に
基づいてレーザ駆動回路７、遅延回路19及びヘツド駆動
回路20の動作を切換制御することにより、光磁気デイス
ク２の温度特性によるピツト形成位置の変化を未然に防
止する。
さらに制御回路32は、位置検出回路31及び温度検出回
路33から得られる検出結果に応じて、光ビームLA1を照
射する期間TW及び光ビームLA1の照射強度WPを制御し、
これにより正しい位置にピツトを形成させる。
かくして周囲温度が変化しても、正しい位置にピツト
を形成することができることから、当該光磁気記録装置
の使用温度範囲を格段的に広くすることができる。
さらに光スポツトの走査位置が変化しても、正しい位
置にピツトを形成し得ることから、光デイスクの記録容
量をその分大きくすることができる。
ちなみに、このように光ビームLA1を照射する期間TW
及び光ビームLA1の照射強度WPを制御すれば、ピツトの
形成位置を正しい位置に保持するだけでなく、併せてピ
ツトの横方向（すなわち隣接トラツクの方向でなる）の
広がりを、所定値に保持することもできる。
第６図の構成によれば、光磁気デイスクの温度検出結
果に応じて、光ビームLA1を照射する期間TW及び光ビー
ムLA1の照射強度WPを制御することにより、当該光磁気
デイスク２の温度が変化しても正しい位置にピツトを形
成することができる。
さらに、光スポツトの走査位置を検出し、その検出結
果に応じて、光ビームLA1を照射する期間TW及び光ビー
ムLA1の照射強度WPを制御することにより、光スポツト
の走査位置が変化しても正しい位置にピツトを形成する
ことができる。
（G3）他の実施例 なお上述の実施例においては、コントロールトラツク
に記録された光磁気デイスク２の温度特性及び磁気特性
の情報に基づいて、遅延回路19の遅延時間及びヘツド駆
動回路20の増幅率を可変制御する場合について述べた
が、本発明はコントロールトラツクに記録された温度特
性及び磁気特性の情報に限らず、要は光磁気デイスクの
温度特性及び磁気特性に応じて遅延時間及び増幅率を設
定すればよく、他の入力手段を介して温度特性及び磁気
特性の情報を入力する場合、さらには当該光磁気記録装
置に装着された光磁気デイスクに応じて予め遅延時間及
び増幅率を設定しておく場合等広く適用することができ
る。
さらに上述の実施例においては、遅延時間に加えて増
幅率を可変制御する場合について述べたが、変調磁界の
強度が実用上十分な範囲で得られる場合は、遅延時間だ
けを可変するようにしてもよい。
この場合コントロールトラツクには、光磁気デイスク
の温度特性だけを記録すればよい。
さらに上述の実施例においては、光磁気デイスク２の
温度特性の情報としてキユーリ温度TCに上昇するまでの
時間情報、ピーク温度情報及びピーク温度からキユーリ
温度TCに降下するまでの時間情報等を記録する場合につ
いて述べたが、温度特性の情報はこれに限らず、例えば
立上り時間及び保持時間等の温度特性の情報を記録する
場合等広く適用することができる。
さらに上述の第２実施例においては、ポテンシヨンメ
ータを用いて光スポツトの走査位置を検出する場合につ
いて述べたが、走査位置の検出手段はこれに限らず、例
えば記録トラツクのアドレスデータに基づいて、光スポ
ツトの走査位置を検出するようにしてもよい。
さらに上述の第２の実施例においては、光ビームLA1
を照射するタイミング、光ビームLA1を照射する期間TW
及び光ビームLA1の照射強度WPの内、光ビームLA1を照射
する期間TW及び光ビームLA1の照射強度WPを制御して、
ピツト形成位置を正しい位置に保持する場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、光ビームLA1を照射す
るタイミング、光ビームLA1を照射する期間TW又は光ビ
ームLA1の照射強度WPの内の１つ、又はこれらの内の２
つ、又は全てを制御するようにしてもよい。
さらに上述の第２の実施例においては、光磁気デイス
ク２に応じて変調磁界HMを遅延させると共に、併せて光
磁気デイスク２の温度及び光スポツトSP1の走査位置に
応じて光ビームLA1を制御する場合について述べたが、
本発明はこれに限らず、必要に応じて変調磁界HMの遅延
制御を省略する場合、さらには光磁気デイスク２の温度
及び光スポツトSP1の走査位置の内、１つについて光ビ
ームLA1を制御する場合等広く適用することができる。
Ｈ発明の効果 以上のように第１の発明によれば、基準クロツク信号
に対して、変調磁界の極性が反転するタイミングを光磁
気デイスクに応じて遅延させるようにしたことにより、
光ビームが照射された領域を必要磁界で確実に配向させ
ることができ、かくして全体として簡易な構成で、基準
クロツク信号のタイミングに対して、正しい位置にピツ
トを形成することができる。
さらに第２の発明によれば、光デイスクの温度に応じ
て光ビーム制御することにより、周囲温度が変化しても
正しい位置にピツトを形成することができる。
さらに第３の発明によれば、光デイスクの温度に応じ
て光ビームを制御すると共に、光スポツトの走査位置に
応じて光ビームを制御することにより、周囲温度及び光
スポツトの走査位置が変化しても正しい位置にピツトを
形成することができる。
さらに第４の発明によれば、光磁気デイスクから再生
された特性情報に基づいて変調磁界を反転するタイミン
グを制御することにより、各光磁気デイスクごとにその
特性に応じた最適位置にピツトを形成することができ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例による光磁気記録装置を示す
略線的系統図、第２図はその動作の説明に供する特性曲
線図、第３図はその動作の説明に供する信号波形図、第
４図はキユーリ温度以上の領域を表す略線図、第５図は
基準クロツク信号に対する変調磁界の関係を示す信号波
形図、第６図は第２の実施例を示す略線的系統図、第７
図はその問題点の説明に供する信号波形図、第８図はピ
ツト形成位置の変化の説明に供する略線図、第９図は光
ビームの照射状態を示すタイムチイヤート、第10図は第
６図の動作の説明に供する特性曲線図、第11図は光磁気
デイスクの磁化特性を示す特性曲線図である。 １、30……光磁気記録装置、２……光磁気デイスク、19
……遅延回路、31……位置検出回路、33……温度検出回
路、HH……必要磁界、HM……変調磁界、TU……立ち上が
り時間、TH……保持時間。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−214266（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−154250（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−285258（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 11/10

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】所定の基準クロツク信号のタイミングで、
    順次光磁気デイスク上に光スポツトを形成すると共に、
    上記基準クロツク信号に同期して記録情報に応じて極性
    が反転する所定の変調磁界を印加することにより、上記
    光磁気デイスクに上記記録情報を磁気記録するようにな
    された光磁気記録装置において、 上記基準クロツク信号に対する上記変調磁界の極性が反
    転するタイミングを、上記光磁気デイスクの温度特性に
    応じた所定量だけ遅延させる遅延手段を具え、必要磁界
    強度以上の変調磁界によつて配向されたピツトを上記光
    磁気デイスクに形成することにより上記記録情報を上記
    光磁気デイスクに記録する ことを特徴とする光磁気記録装置。
  2. 【請求項２】所定の基準クロツク信号のタイミングで、
    順次光磁気デイスク上に光スポツトを形成すると共に、
    上記基準クロツク信号に同期して記録情報に応じて極性
    が反転する所定の変調磁界を印加することにより、上記
    光磁気デイスクに上記記録情報を磁気記録するようにな
    された光磁気記録装置において、 温度検出手段を介して得られる上記光磁気デイスクの温
    度に応じて、上記光スポツトを形成する光ビームを照射
    するタイミング、上記光ビームの光量及び照射時間の
    内、いずれか１つ、又は２つ、又は３つを制御すると共
    に、上記基準クロツク信号に対する上記変調磁界の極性
    が反転するタイミングを上記光磁気デイスクの温度特性
    に応じた所定量だけ遅延させることにより必要磁界強度
    以上の変調磁界によつて配向されるピツトを上記光磁気
    デイスクに形成する制御手段を具えることを特徴とする
    光磁気記録装置
  3. 【請求項３】上記制御手段はさらに、光スポツト位置検
    出手段を介して得られる上記光磁気デイスク上における
    上記光スポツトの走査位置に応じて、上記光スポツトを
    形成する光ビームを照射するタイミング、上記光ビーム
    の光量及び照射時間の内、いずれか１つ、又は２つ、又
    は３つを制御する ことを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項に記
    載の光磁気記録装置。
  4. 【請求項４】所定の基準クロツク信号のタイミングで、
    順次光磁気デイスク上に光スポツトを形成すると共に、
    上記基準クロツク信号に同期して記録情報に応じて極性
    が反転する所定の変調磁界を印加することにより、上記
    光磁気デイスクに上記記録情報を磁気記録するようにな
    された光磁気記録装置において、 上記基準クロツク信号に対する上記変調磁界の極性が反
    転するタイミングを、上記光磁気デイスクから再生され
    た上記光磁気デイスクの特性情報に基づいて所定量だけ
    遅延させる遅延手段を具え、必要磁界強度以上の変調磁
    界によつて配向されたピツトを上記光磁気デイスクに形
    成することにより上記記録情報を上記光磁気デイスクに
    記録する ことを特徴とする光磁気記録装置。
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