JP2576643B2 - 光磁気記録装置 - Google Patents
光磁気記録装置Info
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- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10502—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing characterised by the transducing operation to be executed
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- Optics & Photonics (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は光磁気記録装置に関し、特に光磁気ディス
クに対しオーバーライト（重ね書き）できる光磁気記録
装置に関するものである。
クに対しオーバーライト（重ね書き）できる光磁気記録
装置に関するものである。
［従来の技術］ 光磁気ディスクに情報、即ちデータを記録する場合
は、垂直磁化膜のデータ記録位置にレーザ光を投射する
と共に、データに関連する磁界を与える。このレーザ光
を投射した位置の垂直磁化膜の温度が上昇してキュリー
点以上に達すると、垂直磁化膜は与えられた磁界の向き
に磁化されて、データが光磁気ディスクに記録される。
従って、記録情報の信号（1,0）に応じてレーザ光を照
射すると、照射時のみ磁界が反転して情報が記録でき、
この方式を光変調方式と称する。
は、垂直磁化膜のデータ記録位置にレーザ光を投射する
と共に、データに関連する磁界を与える。このレーザ光
を投射した位置の垂直磁化膜の温度が上昇してキュリー
点以上に達すると、垂直磁化膜は与えられた磁界の向き
に磁化されて、データが光磁気ディスクに記録される。
従って、記録情報の信号（1,0）に応じてレーザ光を照
射すると、照射時のみ磁界が反転して情報が記録でき、
この方式を光変調方式と称する。
第13図は、上記の光変調方式に対して、磁界変調方式
を採用したもので、オーバーライトによるデータの書き
換えができるようにした従来の光磁気記録装置の要部を
示すブロック図である。
を採用したもので、オーバーライトによるデータの書き
換えができるようにした従来の光磁気記録装置の要部を
示すブロック図である。
光磁気ディスク（１）は透明基板（２）に垂直磁化膜
（３）を被着して構成されており、この光磁気ディスク
（１）は中心軸Ａを中心に回転するようになっている。
光磁気ディスク（１）の一面側には半導体レーザ
（５）、コメータレンズ（６），集光レンズ（７）、ビ
ームスプリッタ（８）及び光検知器（９）を備えている
光ヘッド部（４）を配設している。この半導体レーザ
（５）が出射するとレーザ光LBはコリメータレンズ
（６）、集光レンズ（７）を通って垂直磁化膜（３）へ
投射される。また光ヘッド部（４）は光磁気ディスク
（１）に対して所定間隔を保持しつつ、光磁気ディスク
（１）の半径方向へ移動できるように構成されている。
半導体レーザ（５）は半導体レーザ駆動回路（10）とレ
ーザパワー設定回路（11）により動作させる。光検知器
（９）とプリアンプ（12）はビームスプリッタ（８）で
分けられた光から再生信号及びアドレス信号を検出し、
アドレス検出回路（13）によりアドレス信号から記録半
径位置を認識する。光磁気ディスク（１）の他面側には
磁界を与えるための電磁石（14）を設けており、この電
磁石（14）は光磁気ディスク（１）を介して光ヘッド部
（４）と対向している。またこの電磁石（14）は光ヘッ
ド部（４）と連動して移動できるように構成されてい
る。電磁石（14）は磁界変調のための電磁石駆動回路
（15）から駆動電流を供給される。記録信号SRは端子Ｂ
からコントローラ（16）に入力され、コントローラ（1
6）はこの信号及びアドレス検出回路（13）からの信号
に応じて電磁石駆動回路（15）、半導体レーザ駆動回路
（10）及びレーザパワー設定回路（11）を制御してい
る。
（３）を被着して構成されており、この光磁気ディスク
（１）は中心軸Ａを中心に回転するようになっている。
光磁気ディスク（１）の一面側には半導体レーザ
（５）、コメータレンズ（６），集光レンズ（７）、ビ
ームスプリッタ（８）及び光検知器（９）を備えている
光ヘッド部（４）を配設している。この半導体レーザ
（５）が出射するとレーザ光LBはコリメータレンズ
（６）、集光レンズ（７）を通って垂直磁化膜（３）へ
投射される。また光ヘッド部（４）は光磁気ディスク
（１）に対して所定間隔を保持しつつ、光磁気ディスク
（１）の半径方向へ移動できるように構成されている。
半導体レーザ（５）は半導体レーザ駆動回路（10）とレ
ーザパワー設定回路（11）により動作させる。光検知器
（９）とプリアンプ（12）はビームスプリッタ（８）で
分けられた光から再生信号及びアドレス信号を検出し、
アドレス検出回路（13）によりアドレス信号から記録半
径位置を認識する。光磁気ディスク（１）の他面側には
磁界を与えるための電磁石（14）を設けており、この電
磁石（14）は光磁気ディスク（１）を介して光ヘッド部
（４）と対向している。またこの電磁石（14）は光ヘッ
ド部（４）と連動して移動できるように構成されてい
る。電磁石（14）は磁界変調のための電磁石駆動回路
（15）から駆動電流を供給される。記録信号SRは端子Ｂ
からコントローラ（16）に入力され、コントローラ（1
6）はこの信号及びアドレス検出回路（13）からの信号
に応じて電磁石駆動回路（15）、半導体レーザ駆動回路
（10）及びレーザパワー設定回路（11）を制御してい
る。
以下、この光磁気記録装置の動作を各部信号の波形及
び記録パターンを示す第14図をもとに説明する。第14図
（ａ）〜（ｄ）の横軸は各々時間であり、第14図（ａ）
は、（0,1）で示す記録信号である。このような記録信
号が電磁石駆動回路（15）へ入力されると、電磁石（1
4）は第14図（ｂ）に示すように記録信号に対応して
（＋Ｈ（Oe），−Ｈ（Oe））の磁界を発生して、光磁気
ディスク（１）の垂直磁化膜（３）へ与える。この場
合、垂直磁化膜（３）には第14図（ｃ）に示すように垂
直磁化膜（３）の温度をキュリー温度以上に昇温させる
ためにＥ（mW）のレーザ光LBを連続して照射しているの
で、光磁気ディスク（１）の垂直磁化膜（３）の記録ト
ラックには第14図（ｄ）に示すような記録パターンが形
成されることになる。なお記録パターンにおける（＋）
及び（−）の符号は、それぞれ上向き及び下向きに磁化
されている状態を表わしており、この図は垂直磁化膜
（３）の上から見た図である。記録半径位置が大きくな
る、即ち外側になるにつれてディスクの移動速度が大き
くなり、垂直磁化膜（３）の温度をキュリー温度以上に
昇温させるのに必要な光強度が大きくなるため、光検知
器（９）とプリアンプ（12）からアドレス信号を検出
し、アドレス検出回路（13）により記録半径位置を認識
し、記録半径位置に対してあらかじめ設定されたパワー
に光強度を調節している。
び記録パターンを示す第14図をもとに説明する。第14図
（ａ）〜（ｄ）の横軸は各々時間であり、第14図（ａ）
は、（0,1）で示す記録信号である。このような記録信
号が電磁石駆動回路（15）へ入力されると、電磁石（1
4）は第14図（ｂ）に示すように記録信号に対応して
（＋Ｈ（Oe），−Ｈ（Oe））の磁界を発生して、光磁気
ディスク（１）の垂直磁化膜（３）へ与える。この場
合、垂直磁化膜（３）には第14図（ｃ）に示すように垂
直磁化膜（３）の温度をキュリー温度以上に昇温させる
ためにＥ（mW）のレーザ光LBを連続して照射しているの
で、光磁気ディスク（１）の垂直磁化膜（３）の記録ト
ラックには第14図（ｄ）に示すような記録パターンが形
成されることになる。なお記録パターンにおける（＋）
及び（−）の符号は、それぞれ上向き及び下向きに磁化
されている状態を表わしており、この図は垂直磁化膜
（３）の上から見た図である。記録半径位置が大きくな
る、即ち外側になるにつれてディスクの移動速度が大き
くなり、垂直磁化膜（３）の温度をキュリー温度以上に
昇温させるのに必要な光強度が大きくなるため、光検知
器（９）とプリアンプ（12）からアドレス信号を検出
し、アドレス検出回路（13）により記録半径位置を認識
し、記録半径位置に対してあらかじめ設定されたパワー
に光強度を調節している。
このような光磁気記録装置は、光磁気ディスク（１）
の垂直磁化膜（３）上の微小部分を、集光したレーザ光
LBによって連続的にキュリー温度以上に加熱し、その部
分に記録されていた磁化をクリアする。レーザ光による
加熱領域が移動すると、この微小部分の温度は下降し始
め、キュリー温度付近になった時に、この部分を記録信
号に応じて変調させた磁界の方向に磁化する。そして温
度が降下した時に、この磁化を保持して、加熱した微小
部分の範囲より小さい矢羽根形の範囲（第14図（ｄ）に
示す＋と−の領域）を単位としてデータが記録される。
このようにして、光磁気ディスク（１）にデータが記録
されていてもオーバーライトにより新しいデータを記録
することができる。
の垂直磁化膜（３）上の微小部分を、集光したレーザ光
LBによって連続的にキュリー温度以上に加熱し、その部
分に記録されていた磁化をクリアする。レーザ光による
加熱領域が移動すると、この微小部分の温度は下降し始
め、キュリー温度付近になった時に、この部分を記録信
号に応じて変調させた磁界の方向に磁化する。そして温
度が降下した時に、この磁化を保持して、加熱した微小
部分の範囲より小さい矢羽根形の範囲（第14図（ｄ）に
示す＋と−の領域）を単位としてデータが記録される。
このようにして、光磁気ディスク（１）にデータが記録
されていてもオーバーライトにより新しいデータを記録
することができる。
［発明が解決しようとする課題］ 従来のオーバーライトが可能な光磁気記録装置は、光
磁気ディスク（１）に光強度が一定のレーザ光LBを投射
するとともに、その投射位置に、記録信号に応じて交番
する変調磁界を与えて、光磁気ディスク（１）にデータ
をオーバーライトする。この記録方式で記録された記録
マークの形状は記録時の温度分布から矢羽根形になり、
角状の突起が発生する。この角状の突起は照射するレー
ザパワーや記録時の線速度が大きくなると伸長する。さ
らに、記録密度を上げていくと記録マークの間隔が狭ま
る。第15図（ａ）、（ｂ）は各々光スポット（イ）と記
録マーク（ロ）を示す説明図であり、第15図（ａ）は光
変調記録の場合のものであり、第15図（ｂ）は磁界変調
記録の場合のものである。上記の光磁気記録装置は磁界
変調記録を用いたものであり、角状の突起が長くなる条
件下では、第15図（ｂ）に示すように光スポット（イ）
が記録マーク（ロ）間にある場合でも、記録マーク
（ロ）の角状の突起が光スポット（イ）の領域内に入り
こんでしまうから、反射光量差が減少し、再生信号振幅
が低下する。この方式と、レーザ光をON,OFFして記録す
る通常の光変調記録方式（第15図（ａ））の再生C/Nと
記録パワーの関係を比較したものを第16図に示す。第16
図は記録パワー（mW）を横軸、C/N（dB）を縦軸に取
り、磁界変調記録（Ｄ）の場合の特性と光変調記録
（Ｅ）の場合の特性を示すグラフであり、磁界変調記録
（Ｄ）のC/Nの最大値は光変調記録（Ｅ）に比べて小さ
く、一定値以上を示す記録パワー範囲も狭い。なお、第
16図はディスク移動速度7.5m/sec、記録ビット長0.75μ
ｍの記録をした場合である。従って、この光を連続照射
して行なう磁界変調記録方式は光変調記録方式に比べて
高密度記録が難しいという問題点があった。
磁気ディスク（１）に光強度が一定のレーザ光LBを投射
するとともに、その投射位置に、記録信号に応じて交番
する変調磁界を与えて、光磁気ディスク（１）にデータ
をオーバーライトする。この記録方式で記録された記録
マークの形状は記録時の温度分布から矢羽根形になり、
角状の突起が発生する。この角状の突起は照射するレー
ザパワーや記録時の線速度が大きくなると伸長する。さ
らに、記録密度を上げていくと記録マークの間隔が狭ま
る。第15図（ａ）、（ｂ）は各々光スポット（イ）と記
録マーク（ロ）を示す説明図であり、第15図（ａ）は光
変調記録の場合のものであり、第15図（ｂ）は磁界変調
記録の場合のものである。上記の光磁気記録装置は磁界
変調記録を用いたものであり、角状の突起が長くなる条
件下では、第15図（ｂ）に示すように光スポット（イ）
が記録マーク（ロ）間にある場合でも、記録マーク
（ロ）の角状の突起が光スポット（イ）の領域内に入り
こんでしまうから、反射光量差が減少し、再生信号振幅
が低下する。この方式と、レーザ光をON,OFFして記録す
る通常の光変調記録方式（第15図（ａ））の再生C/Nと
記録パワーの関係を比較したものを第16図に示す。第16
図は記録パワー（mW）を横軸、C/N（dB）を縦軸に取
り、磁界変調記録（Ｄ）の場合の特性と光変調記録
（Ｅ）の場合の特性を示すグラフであり、磁界変調記録
（Ｄ）のC/Nの最大値は光変調記録（Ｅ）に比べて小さ
く、一定値以上を示す記録パワー範囲も狭い。なお、第
16図はディスク移動速度7.5m/sec、記録ビット長0.75μ
ｍの記録をした場合である。従って、この光を連続照射
して行なう磁界変調記録方式は光変調記録方式に比べて
高密度記録が難しいという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、再生時における記録マークに発生する角状
の突起によるエラーを防ぐことができ、データを高密度
記録できる光磁気記録装置を提供することを目的とす
る。
れたもので、再生時における記録マークに発生する角状
の突起によるエラーを防ぐことができ、データを高密度
記録できる光磁気記録装置を提供することを目的とす
る。
［課題を解決するための手段］ この発明に係る光磁気記録装置は、光ヘッドから光磁
気ディスクに照射するレーザ光を、記録信号の最高周波
数の２倍以上の周波数でパルス変調するレーザ変調手段
と、記録情報に応じて極性反転された磁場を上記光磁気
ディスクの光磁気記録膜に印加する磁場印加手段とを備
え、前記レーザ変調手段を、光パルスのピークパワー、
ボトムパワー、パルス変調する周波数、及びパルス変調
する信号のデューティ比の内の少なくとも一つを変化さ
せ得るように構成したことを特徴とする。
気ディスクに照射するレーザ光を、記録信号の最高周波
数の２倍以上の周波数でパルス変調するレーザ変調手段
と、記録情報に応じて極性反転された磁場を上記光磁気
ディスクの光磁気記録膜に印加する磁場印加手段とを備
え、前記レーザ変調手段を、光パルスのピークパワー、
ボトムパワー、パルス変調する周波数、及びパルス変調
する信号のデューティ比の内の少なくとも一つを変化さ
せ得るように構成したことを特徴とする。
［作用］ この発明においては、パルス変調されて出力されるレ
ーザ光を、記録信号の最高周波数の２倍以上の周波数で
パルス変調するすることにより記録マークのエッジ（端
部）に発生するずれを容易に制御することができる。
ーザ光を、記録信号の最高周波数の２倍以上の周波数で
パルス変調するすることにより記録マークのエッジ（端
部）に発生するずれを容易に制御することができる。
［実施例］ 以下、この発明の一実施例による光磁気記録装置を図
によって説明する。第１図はこの発明の一実施例による
光磁気記録装置の要部を示すブロック図である。光磁気
ディスク（１）の一面側には半導体レーザ（５）、コリ
メータレンズ（６）、集光レンズ（７）、ピームスプリ
ッタ（８）及び光検知器（９）を備えている光ヘッド部
（４）を配設している。この半導体レーザ（５）が出射
するレーザ光LBはコリメータレンズ（６）、ビームスプ
リッタ（８）及び集光レンズ（７）を通って光磁気ディ
スク（１）へ投射され、光磁気ディスク（１）の垂直磁
化膜（３）上に合焦点を得るようになっている。半導体
レーザ（５）は半導体レーザ駆動回路（10）によりパル
ス動作させるが、そのパルスのピークパワーとボトムパ
ワーはピークパワー設定回路（17）及びボトムパワー設
定回路（18）で設定し、さらにパルスのパルス幅及び周
波数はパルス発生回路（19）と発振回路（20）によりコ
ントロールする。光検知器（９）とプリアンプ（12）は
ビームスプリッタ（８）で分けられた光から再生信号及
びアドレス信号を検出し、さらにアドレス検出回路（1
3）によりアドレス信号から記録半径位置を認識する。
光磁気ディスク（１）の他面側には、光磁気ディスク
（１）へ投射したレーザ光LBの投射位置に対向させて電
磁石（14）を配設している。電磁石（14）のコイル（14
a）は電磁石駆動回路（15）の出力側と接続されてい
る。
によって説明する。第１図はこの発明の一実施例による
光磁気記録装置の要部を示すブロック図である。光磁気
ディスク（１）の一面側には半導体レーザ（５）、コリ
メータレンズ（６）、集光レンズ（７）、ピームスプリ
ッタ（８）及び光検知器（９）を備えている光ヘッド部
（４）を配設している。この半導体レーザ（５）が出射
するレーザ光LBはコリメータレンズ（６）、ビームスプ
リッタ（８）及び集光レンズ（７）を通って光磁気ディ
スク（１）へ投射され、光磁気ディスク（１）の垂直磁
化膜（３）上に合焦点を得るようになっている。半導体
レーザ（５）は半導体レーザ駆動回路（10）によりパル
ス動作させるが、そのパルスのピークパワーとボトムパ
ワーはピークパワー設定回路（17）及びボトムパワー設
定回路（18）で設定し、さらにパルスのパルス幅及び周
波数はパルス発生回路（19）と発振回路（20）によりコ
ントロールする。光検知器（９）とプリアンプ（12）は
ビームスプリッタ（８）で分けられた光から再生信号及
びアドレス信号を検出し、さらにアドレス検出回路（1
3）によりアドレス信号から記録半径位置を認識する。
光磁気ディスク（１）の他面側には、光磁気ディスク
（１）へ投射したレーザ光LBの投射位置に対向させて電
磁石（14）を配設している。電磁石（14）のコイル（14
a）は電磁石駆動回路（15）の出力側と接続されてい
る。
パルス発生回路（19）は発振回路（20）から入力され
た信号に従ってパルス列を発生させる。発振回路（20）
の発振周波数は記録する信号の最高周波数の２倍以上に
設定する。また、パルス幅はパルス周期の50％になるよ
うに設定する。
た信号に従ってパルス列を発生させる。発振回路（20）
の発振周波数は記録する信号の最高周波数の２倍以上に
設定する。また、パルス幅はパルス周期の50％になるよ
うに設定する。
パルス発生回路（19）の出力は、コントローラ（16）
からのレーザ点灯信号LDが入力されるAND回路（21）へ
入力される。AND回路（21）の出力は半導体レーザ駆動
回路（10）へ入力され、半導体レーザ駆動回路（10）は
AND回路（21）の出力に関連してレーザ駆動パルス電流
Ｐを出力し、そのパルスは半導体レーザ（５）へ入力さ
れる。レーザ駆動パルスＰのピーク電流値とボトム電流
値は例えば以下のようにして設定される。コントローラ
（16）は、アドレス検出回路（13）からの信号で現在の
記録半径位置を認識し、コントローラ（16）のROM内に
あらかじめ設定されている記録半径と光パルスのピーク
パワー・ボトムパワーの対照表を参照する。対照表より
得た各々のパワーの設定値をピークパワー設定回路（1
7）とボトムパワー設定回路（18）に入力する。設定回
路（17），（18）は半導体レーザ駆動回路（10）にピー
クパワー、ボトムパワーに相当する半導体レーザ駆動電
流値を入力する。記録信号SRは記録ゲートRGの立ち上が
りよりも所定時間遅れて発生するものとする。記録ゲー
トRGが入力されると、コントローラ（16）は記録ゲート
RGに同期してレーザ点灯信号LDを出力し、AND回路（2
1）へ入力する。また、記録信号SRはそのままコントロ
ーラ（16）から電磁石駆動回路（15）に入力する。
からのレーザ点灯信号LDが入力されるAND回路（21）へ
入力される。AND回路（21）の出力は半導体レーザ駆動
回路（10）へ入力され、半導体レーザ駆動回路（10）は
AND回路（21）の出力に関連してレーザ駆動パルス電流
Ｐを出力し、そのパルスは半導体レーザ（５）へ入力さ
れる。レーザ駆動パルスＰのピーク電流値とボトム電流
値は例えば以下のようにして設定される。コントローラ
（16）は、アドレス検出回路（13）からの信号で現在の
記録半径位置を認識し、コントローラ（16）のROM内に
あらかじめ設定されている記録半径と光パルスのピーク
パワー・ボトムパワーの対照表を参照する。対照表より
得た各々のパワーの設定値をピークパワー設定回路（1
7）とボトムパワー設定回路（18）に入力する。設定回
路（17），（18）は半導体レーザ駆動回路（10）にピー
クパワー、ボトムパワーに相当する半導体レーザ駆動電
流値を入力する。記録信号SRは記録ゲートRGの立ち上が
りよりも所定時間遅れて発生するものとする。記録ゲー
トRGが入力されると、コントローラ（16）は記録ゲート
RGに同期してレーザ点灯信号LDを出力し、AND回路（2
1）へ入力する。また、記録信号SRはそのままコントロ
ーラ（16）から電磁石駆動回路（15）に入力する。
次にこのように構成した光磁気記録装置の動作を、そ
の各部の波形及び記録パターンを示す第２図に基いて説
明する。第２図（ａ）〜（ｆ）の横軸は時間を示してい
る。
の各部の波形及び記録パターンを示す第２図に基いて説
明する。第２図（ａ）〜（ｆ）の横軸は時間を示してい
る。
第２図（ａ）のような（0,1）示す記録信号SR及び第
2,図（ｃ）に示すようなパターンの記録ゲートRGが入力
されると、さきにコントローラ（16）は記録ゲートRGに
同期してレーザ点灯信号LDを出力し、AND回路（21）へ
入力する。パルス発生回路（19）は発振回路（20）から
の入力に従って第２図（ｄ）に示すパルス列を発生し、
AND回路（21）へ入力する。AND回路（21）の出力は記録
ゲートRGがONしている間だけパルスを半導体レーザ駆動
回路（10）へ入力し、それにより半導体レーザ駆動回路
（10）はレーザ駆動パルスを半導体レーザ（５）へ入力
する。半導体レーザ（５）は第２図（ｅ）に示すように
記録ゲートがONしている間のみレーザ光Ｅ（Ｗ）の光パ
ルスを出力する。
2,図（ｃ）に示すようなパターンの記録ゲートRGが入力
されると、さきにコントローラ（16）は記録ゲートRGに
同期してレーザ点灯信号LDを出力し、AND回路（21）へ
入力する。パルス発生回路（19）は発振回路（20）から
の入力に従って第２図（ｄ）に示すパルス列を発生し、
AND回路（21）へ入力する。AND回路（21）の出力は記録
ゲートRGがONしている間だけパルスを半導体レーザ駆動
回路（10）へ入力し、それにより半導体レーザ駆動回路
（10）はレーザ駆動パルスを半導体レーザ（５）へ入力
する。半導体レーザ（５）は第２図（ｅ）に示すように
記録ゲートがONしている間のみレーザ光Ｅ（Ｗ）の光パ
ルスを出力する。
この光パルスのピークパワーとボトムパワーは次のよ
うにして設定される。コントローラ（16）は記録モード
にセットされると、アドレス検出回路（13）からの信号
で現在の記録半径位置を認識し、コントローラ（16）の
ROM内にあらかじめ設定されている記録半径と光パルス
のピークパワー・ボトムパワーの対照表を参照し、それ
ぞれのパワーの設定値をピークパワー設定回路（17）と
ボトムパワー設定回路（18）に入力する。設定回路（1
7），（18）は半導体レーザ駆動回路（10）にピークパ
ワー、ボトムパワーに相当する半導体レーザ駆動電流値
を入力する。
うにして設定される。コントローラ（16）は記録モード
にセットされると、アドレス検出回路（13）からの信号
で現在の記録半径位置を認識し、コントローラ（16）の
ROM内にあらかじめ設定されている記録半径と光パルス
のピークパワー・ボトムパワーの対照表を参照し、それ
ぞれのパワーの設定値をピークパワー設定回路（17）と
ボトムパワー設定回路（18）に入力する。設定回路（1
7），（18）は半導体レーザ駆動回路（10）にピークパ
ワー、ボトムパワーに相当する半導体レーザ駆動電流値
を入力する。
一方、記録信号SRはそのまま電磁石駆動回路（15）に
入力され、この信号に同期して＋Ｈ（Oe）と−Ｈ（Oe）
にスイッチングする信号を電磁石（14）に入力する。な
お、磁界を変調する記録信号は光パルスと同期をとる必
要はない。電磁石（14）は第２図（ｂ）に示す交番磁界
Ｈ（Oe）を光磁気ディスク（１）へ与えることとなる。
垂直磁化膜（３）には第２図（ｅ）に示すように、垂直
磁化膜（３）の温度をキュリー温度以上に昇温させるた
めに半導体レーザから光パルスが照射されているので、
光磁気ディスク（１）の垂直磁化膜（３）の記録トラッ
クには第２図（ｆ）に示すような記録パターンが記録さ
れることになる。第２図（ｆ）は垂直磁化膜（３）の平
面における記録パターンを示しており、その形状は光パ
ルスの照射される間隔が短いためキュリー温度を越える
領域が重なり図に示すような形状になる。そのため、連
続照射の場合と同様に光磁気ディスク（１）にデータが
記録されていてもオーバーライトにより新しいデータを
記録することができる。
入力され、この信号に同期して＋Ｈ（Oe）と−Ｈ（Oe）
にスイッチングする信号を電磁石（14）に入力する。な
お、磁界を変調する記録信号は光パルスと同期をとる必
要はない。電磁石（14）は第２図（ｂ）に示す交番磁界
Ｈ（Oe）を光磁気ディスク（１）へ与えることとなる。
垂直磁化膜（３）には第２図（ｅ）に示すように、垂直
磁化膜（３）の温度をキュリー温度以上に昇温させるた
めに半導体レーザから光パルスが照射されているので、
光磁気ディスク（１）の垂直磁化膜（３）の記録トラッ
クには第２図（ｆ）に示すような記録パターンが記録さ
れることになる。第２図（ｆ）は垂直磁化膜（３）の平
面における記録パターンを示しており、その形状は光パ
ルスの照射される間隔が短いためキュリー温度を越える
領域が重なり図に示すような形状になる。そのため、連
続照射の場合と同様に光磁気ディスク（１）にデータが
記録されていてもオーバーライトにより新しいデータを
記録することができる。
磁界変調記録での記録パターンの特徴である矢羽根形
の角状突起の形は記録時に垂直磁化膜の温度分布によっ
て決まる。この時の温度変化、温度分布を連続照射の場
合と比較すると第３図，第４図のようになる。第３図は
時間に対する温度変化を、レーザ光の連続照射の場合
（第３図（ａ））とパルス照射の場合（第３（ｂ））で
比較して示すグラフである。垂直磁化膜（３）のあるポ
イントでの温度の時間変化を連続照射とパルス照射で比
較すると、連続照射では光スポットの移動に伴って徐々
に加熱され、ピーク温度に達した後も徐々に少なくなる
がエネルギが加えられるため、冷却も比較的ゆっくりと
行なわれる。それに対して、パルス照射ではパルスの期
間しかエネルギが加えられず、連続照射に比べて単位面
積当たりに加えられるエネルギ量が大きいため、パルス
立ち上がり時の温度上昇は急峻になり、また、照射しな
い時間があるため膜の冷却は早くなる。このような照射
方法による垂直磁化膜（３）の温度変化の違いは温度分
布にも影響を及ぼしている。第４図は温度分布を示す等
温線図であり、第４図（ａ）はレーザ光の連続照射の場
合、第４図（ｂ）はパルス照射の場合のものであり、矢
印Ｆは光スポットの移動方向を示している。パルス照射
では連続照射に比べて、温度上昇が急峻であることより
等温線が接近している。さらに連続照射では温度分布の
形状が光スポット移動方向と反対側に長くのびているの
に対して、パルス照射では伸びが少ない。この形状がそ
のまま記録マーク（ロ）の矢羽根形の角状突起の形状を
決めているので、パルス照射では角状突起の伸びが短く
なる。したがって、第15図に示したような記録ビットの
間隔をつめた状態での光スポットにかかる角状突起の面
積が少なくなり、信号振幅の劣化が少なくなる。
の角状突起の形は記録時に垂直磁化膜の温度分布によっ
て決まる。この時の温度変化、温度分布を連続照射の場
合と比較すると第３図，第４図のようになる。第３図は
時間に対する温度変化を、レーザ光の連続照射の場合
（第３図（ａ））とパルス照射の場合（第３（ｂ））で
比較して示すグラフである。垂直磁化膜（３）のあるポ
イントでの温度の時間変化を連続照射とパルス照射で比
較すると、連続照射では光スポットの移動に伴って徐々
に加熱され、ピーク温度に達した後も徐々に少なくなる
がエネルギが加えられるため、冷却も比較的ゆっくりと
行なわれる。それに対して、パルス照射ではパルスの期
間しかエネルギが加えられず、連続照射に比べて単位面
積当たりに加えられるエネルギ量が大きいため、パルス
立ち上がり時の温度上昇は急峻になり、また、照射しな
い時間があるため膜の冷却は早くなる。このような照射
方法による垂直磁化膜（３）の温度変化の違いは温度分
布にも影響を及ぼしている。第４図は温度分布を示す等
温線図であり、第４図（ａ）はレーザ光の連続照射の場
合、第４図（ｂ）はパルス照射の場合のものであり、矢
印Ｆは光スポットの移動方向を示している。パルス照射
では連続照射に比べて、温度上昇が急峻であることより
等温線が接近している。さらに連続照射では温度分布の
形状が光スポット移動方向と反対側に長くのびているの
に対して、パルス照射では伸びが少ない。この形状がそ
のまま記録マーク（ロ）の矢羽根形の角状突起の形状を
決めているので、パルス照射では角状突起の伸びが短く
なる。したがって、第15図に示したような記録ビットの
間隔をつめた状態での光スポットにかかる角状突起の面
積が少なくなり、信号振幅の劣化が少なくなる。
パルス照射を行なう場合、ディスクの外周側では移動
速度が大きくなりパルスの照射される領域の間隔が広が
る。そのため、キュリー温度を越える領域の重なりが少
なくなり、オーバーライトしたあとでも以前に記録され
ていた信号が完全に消えずに残ってしまう。第５図はこ
の問題点を解消するためのボトムパワーＨ（mW）とピー
クパワーＧ（mW）の変化を、光磁気ディスク（１）の半
径（mm）に対して示すグラフであり、これは光磁気ディ
スク（１）の直径が例えば130mmで、回転数が例えば240
0rpm程度としている。第５図に示すように、外周側では
内周よりもピークパワーＧを大きくし、さらにボトムパ
ワーＨも徐々に大きくしていくことによって、パルスが
発生しないときにも膜にある程度のエネルギが加えられ
るようにし、信号のS/Nが十分に確保されて信号の消え
残りが発生しないようにする。このような条件を満足す
るピークパワー及びボトムパワーをあらかじめ調べてお
き、コントローラ（16）のROMの記録半径との対照表と
して記録しておく。
速度が大きくなりパルスの照射される領域の間隔が広が
る。そのため、キュリー温度を越える領域の重なりが少
なくなり、オーバーライトしたあとでも以前に記録され
ていた信号が完全に消えずに残ってしまう。第５図はこ
の問題点を解消するためのボトムパワーＨ（mW）とピー
クパワーＧ（mW）の変化を、光磁気ディスク（１）の半
径（mm）に対して示すグラフであり、これは光磁気ディ
スク（１）の直径が例えば130mmで、回転数が例えば240
0rpm程度としている。第５図に示すように、外周側では
内周よりもピークパワーＧを大きくし、さらにボトムパ
ワーＨも徐々に大きくしていくことによって、パルスが
発生しないときにも膜にある程度のエネルギが加えられ
るようにし、信号のS/Nが十分に確保されて信号の消え
残りが発生しないようにする。このような条件を満足す
るピークパワー及びボトムパワーをあらかじめ調べてお
き、コントローラ（16）のROMの記録半径との対照表と
して記録しておく。
なお、上記実施例ではピークパワーＧとボトムパワー
Ｈの決定を対照表で行なったが、例えば式１に示すよう
な記録半径とパワーの関係を表す計算式をあらかじめ求
めておき、この式に従って計算しパワーを設定しても良
い。
Ｈの決定を対照表で行なったが、例えば式１に示すよう
な記録半径とパワーの関係を表す計算式をあらかじめ求
めておき、この式に従って計算しパワーを設定しても良
い。
Ｐ＝AR2＋BR＋Ｃ ・・・（１） （P:レーザパワー、R:半径） また、上記実施例では記録半径が変化した時、ピーク
パワー、ボトムパワー共に変化させていたが、ピークパ
ワーは固定しておきボトムパワーを変化させることによ
っても同様の効果を得ることができる。ピークパワーは
装置によって限界があり、ボトムパワーを変化させるの
はコントロールしやすい。この時、外周ではピークパワ
ーとボトムパワーが等しい状態、つまり、連続照射状態
になってもよい。また、装置によって可能な場合にはボ
トムパワーを固定しておき、ピークパワーのみを変化さ
せることによっても同様の効果を得ることができる。
パワー、ボトムパワー共に変化させていたが、ピークパ
ワーは固定しておきボトムパワーを変化させることによ
っても同様の効果を得ることができる。ピークパワーは
装置によって限界があり、ボトムパワーを変化させるの
はコントロールしやすい。この時、外周ではピークパワ
ーとボトムパワーが等しい状態、つまり、連続照射状態
になってもよい。また、装置によって可能な場合にはボ
トムパワーを固定しておき、ピークパワーのみを変化さ
せることによっても同様の効果を得ることができる。
第８図はこの発明の他の実施例である光磁気記録装置
の要部を示すブロック図である。この装置では、光パル
スのピークパワーとボトムパワーは固定しておき、コン
トローラ（16）からパルス発生回路（19）の発生するパ
ルス幅を制御している。内周ではパルス幅を信号デュー
ティ比50％以下に設定し、半径が大きくなるにつれてデ
ューティ比を大きくしていく。半径（mm）に対するデュ
ーティ比（％）の変化の一例を第６図に示す。外周側で
移動速度が大きくなりパルスの照射される領域の間隔が
広がり、キュリー温度を越える領域の重なりが少なくな
るため、外周側では内周側よりもデューティ比を第６図
に示すように徐々に大きくしていくことによって、キュ
リー温度を越える領域の重なりを大きくし、膜に連続し
てエネルギーが加えられるようにしている。記録半径に
よるデューティ比の変化は前記実施例と同様にコントロ
ーラ（16）のROMにあらかじめ記録されている対照表を
参照して行なっても良いし、デューティ比と記録半径の
関係式から求めても良い。なお、外周ではデューティ比
100％、つまり、連続照射状態になっても良い。
の要部を示すブロック図である。この装置では、光パル
スのピークパワーとボトムパワーは固定しておき、コン
トローラ（16）からパルス発生回路（19）の発生するパ
ルス幅を制御している。内周ではパルス幅を信号デュー
ティ比50％以下に設定し、半径が大きくなるにつれてデ
ューティ比を大きくしていく。半径（mm）に対するデュ
ーティ比（％）の変化の一例を第６図に示す。外周側で
移動速度が大きくなりパルスの照射される領域の間隔が
広がり、キュリー温度を越える領域の重なりが少なくな
るため、外周側では内周側よりもデューティ比を第６図
に示すように徐々に大きくしていくことによって、キュ
リー温度を越える領域の重なりを大きくし、膜に連続し
てエネルギーが加えられるようにしている。記録半径に
よるデューティ比の変化は前記実施例と同様にコントロ
ーラ（16）のROMにあらかじめ記録されている対照表を
参照して行なっても良いし、デューティ比と記録半径の
関係式から求めても良い。なお、外周ではデューティ比
100％、つまり、連続照射状態になっても良い。
第９図はこの発明のさらに他の実施例である光磁気記
録装置の要部を示すブロック図である。この装置では、
光パルスのピークパワーとボトムパワーは固定してお
き、コントローラ（16）から発振回路（20）の発振周波
数を制御している。発振周波数は記録信号の最高周波数
の２倍以上で内周側から外周側へ向けて大きくしてい
き、光パルスを照射する時間間隔を狭めていく。この半
径（mm）に対する周波数（MHz）の変化の一例を第７図
に示す。外周側で移動速度が大きくなりパルスの照射さ
れる領域の間隔が広がり、キュリー温度を越える領域の
重なりが少なくなるため、外周側では内周側よりも光パ
ルスの繰り返し周波数を大きくし、キュリー温度を越え
る領域の重なりを内周側と同様（パルス照射間隔をスポ
ット半径の約半分、例えば0.6μｍ以下）にする。この
ことにより、膜に連属してエネルギーが加えられるよう
にしている。記録半径による発振周波数の変化は前記実
施例と同様にコントローラ（16）のROMにあらかじめ記
録されている対照表を参照して行なっても良いし、あら
かじめ求めた発振周波数と記録半径の関係式から求めて
も良い。
録装置の要部を示すブロック図である。この装置では、
光パルスのピークパワーとボトムパワーは固定してお
き、コントローラ（16）から発振回路（20）の発振周波
数を制御している。発振周波数は記録信号の最高周波数
の２倍以上で内周側から外周側へ向けて大きくしてい
き、光パルスを照射する時間間隔を狭めていく。この半
径（mm）に対する周波数（MHz）の変化の一例を第７図
に示す。外周側で移動速度が大きくなりパルスの照射さ
れる領域の間隔が広がり、キュリー温度を越える領域の
重なりが少なくなるため、外周側では内周側よりも光パ
ルスの繰り返し周波数を大きくし、キュリー温度を越え
る領域の重なりを内周側と同様（パルス照射間隔をスポ
ット半径の約半分、例えば0.6μｍ以下）にする。この
ことにより、膜に連属してエネルギーが加えられるよう
にしている。記録半径による発振周波数の変化は前記実
施例と同様にコントローラ（16）のROMにあらかじめ記
録されている対照表を参照して行なっても良いし、あら
かじめ求めた発振周波数と記録半径の関係式から求めて
も良い。
第10図はこの発明のさらに他の実施例である光磁気記
録装置の要部を示すブロック図である。この装置はピー
クパワー設定回路（17）、ボトムパワー設定回路（18）
及びパルス発生回路（19）をコントローラ（16）で制御
したものである。光パルスのピークパワー、ボトムパワ
ーを記録半径位置によって、例えば第５図のように変化
させ、さらに光パルス幅も記録半径位置によって第６図
のように変化させている。このことにより、キュリー温
度を越える領域の重なりを外周側と内周側とで同様に
し、膜に連続してエネルギーが加えられるようにしてい
る。
録装置の要部を示すブロック図である。この装置はピー
クパワー設定回路（17）、ボトムパワー設定回路（18）
及びパルス発生回路（19）をコントローラ（16）で制御
したものである。光パルスのピークパワー、ボトムパワ
ーを記録半径位置によって、例えば第５図のように変化
させ、さらに光パルス幅も記録半径位置によって第６図
のように変化させている。このことにより、キュリー温
度を越える領域の重なりを外周側と内周側とで同様に
し、膜に連続してエネルギーが加えられるようにしてい
る。
第11図はこの発明のさらに他の実施例である光磁気記
録装置の要部を示すブロック図である。この装置はピー
クパワー設定回路（17）、ボトムパワー設定回路（18）
及び発振回路（20）をコントローラ（16）で制御したも
のである。光パルスのピークパワー、ボトムパワーを記
録半径位置によって例えば第５図にように変化させ、さ
らに光パルスの繰り返し周波数を記録半径位置によって
第７図のように変化させている。両方のパラメータを変
化させることにより、信号のS/Nが十分に確保され、信
号の消え残りが発生しないようにすることができる。
録装置の要部を示すブロック図である。この装置はピー
クパワー設定回路（17）、ボトムパワー設定回路（18）
及び発振回路（20）をコントローラ（16）で制御したも
のである。光パルスのピークパワー、ボトムパワーを記
録半径位置によって例えば第５図にように変化させ、さ
らに光パルスの繰り返し周波数を記録半径位置によって
第７図のように変化させている。両方のパラメータを変
化させることにより、信号のS/Nが十分に確保され、信
号の消え残りが発生しないようにすることができる。
第12図はこの発明のさらに他の実施例である光磁気記
録装置の要部を示すブロック図である。この装置はピー
クパワー設定回路（17）、ボトムパワー設定回路（1
8）、パルス発生回路（19）及び発振回路（20）をコン
トローラ（16）で制御したものである。光パルスのピー
クパワー、ボトムパワーを記録半径位置によって例えば
第５図のように変化させ、さらに光パルスのパルス幅、
繰り返し周波数を記録半径位置によって第６図，第７図
に示すように変化させている。４つのパラメータを変化
させることにより、ディスク全領域で十分な再生信号品
質が得られるようになる。
録装置の要部を示すブロック図である。この装置はピー
クパワー設定回路（17）、ボトムパワー設定回路（1
8）、パルス発生回路（19）及び発振回路（20）をコン
トローラ（16）で制御したものである。光パルスのピー
クパワー、ボトムパワーを記録半径位置によって例えば
第５図のように変化させ、さらに光パルスのパルス幅、
繰り返し周波数を記録半径位置によって第６図，第７図
に示すように変化させている。４つのパラメータを変化
させることにより、ディスク全領域で十分な再生信号品
質が得られるようになる。
上記実施例では、記録半径位置を光磁気ディスク
（１）から得られるアドレス信号から認識していたが、
別に設けられた光ヘッドの絶対位置を検出する光ヘッド
位置検出回路、例えばリニアスケールを用いて検出する
ことにより、認識することもできる。
（１）から得られるアドレス信号から認識していたが、
別に設けられた光ヘッドの絶対位置を検出する光ヘッド
位置検出回路、例えばリニアスケールを用いて検出する
ことにより、認識することもできる。
なお、上記これらの実施例では光磁気記録装置につい
て説明したが、光磁気記録再生装置にも同様に適用でき
るのは勿論である。
て説明したが、光磁気記録再生装置にも同様に適用でき
るのは勿論である。
［発明の効果］ 以上詳述したようにこの発明は、光ヘッドからレーザ
光を光磁気ディスクに照射し情報を記録する光磁気記録
装置において、光ヘッドから光磁気ディスクに照射する
レーザ光を、記録信号の最高周波数の２倍以上の周波数
でパルス変調するレーザ変調手段と、記録情報に応じて
極性反転された磁場を光磁気ディスクの光磁気記録膜に
印加する磁場印加手段とを備え、前記レーザ変調手段
を、光パルスのピークパワー、ボトムパワー、パルス変
調する周波数、及びパルス変調する信号のデューティ比
の内の少なくとも一つを変化させ得るように構成したの
で、記録信号に対応した変調磁界を光磁気記録ディスク
に与え、さらに光磁気ディスクのキュリー温度を越える
ように光パルスを照射し、光磁気ディスクの垂直磁化膜
に記録される矢羽根形の記録パターンの角状突起を小さ
くすることができ、高密度記録が可能になる。特に、記
録信号の最高周波数の２倍以上の周波数でパルス変調し
た場合には、最短の記録パターンを記録する際に２個以
上のパルスで記録することになるため、例えば、パルス
のデューティ比を変化させて記録条件を最適に調整する
と、最短の記録パターンを１個の記録パルスで記録する
ものと、２個以上のパルスで記録するものとを比較した
場合には、パルス２個の場合には、デューティ比の変化
に伴うパルスの先端から末尾までの長さの変化を１個の
場合のほぼ半分にすることができる。これにより、記録
条件の調整に伴って発生する記録マークのエッジ（端
部）のずれを容易に制御でき、再生信号のエラーを低減
できるという効果を奏する。
光を光磁気ディスクに照射し情報を記録する光磁気記録
装置において、光ヘッドから光磁気ディスクに照射する
レーザ光を、記録信号の最高周波数の２倍以上の周波数
でパルス変調するレーザ変調手段と、記録情報に応じて
極性反転された磁場を光磁気ディスクの光磁気記録膜に
印加する磁場印加手段とを備え、前記レーザ変調手段
を、光パルスのピークパワー、ボトムパワー、パルス変
調する周波数、及びパルス変調する信号のデューティ比
の内の少なくとも一つを変化させ得るように構成したの
で、記録信号に対応した変調磁界を光磁気記録ディスク
に与え、さらに光磁気ディスクのキュリー温度を越える
ように光パルスを照射し、光磁気ディスクの垂直磁化膜
に記録される矢羽根形の記録パターンの角状突起を小さ
くすることができ、高密度記録が可能になる。特に、記
録信号の最高周波数の２倍以上の周波数でパルス変調し
た場合には、最短の記録パターンを記録する際に２個以
上のパルスで記録することになるため、例えば、パルス
のデューティ比を変化させて記録条件を最適に調整する
と、最短の記録パターンを１個の記録パルスで記録する
ものと、２個以上のパルスで記録するものとを比較した
場合には、パルス２個の場合には、デューティ比の変化
に伴うパルスの先端から末尾までの長さの変化を１個の
場合のほぼ半分にすることができる。これにより、記録
条件の調整に伴って発生する記録マークのエッジ（端
部）のずれを容易に制御でき、再生信号のエラーを低減
できるという効果を奏する。
第１図はこの発明に係わる光磁気記録装置の要部を示す
ブロック図、第２図（ａ）〜（ｅ）はその各部における
信号の波形図、第２図（ｆ）は光磁気ディスクにおける
記録パターンを示す説明図、第３図はレーザ照射による
垂直磁化膜の温度上昇を示すグラフ、第４図はレーザ照
射による垂直磁化膜の温度分布を示す等温線図、第５図
は光パルスのピークパワー及びボトムパワー（mW）と記
録半径（mm）との関係を示すグラフ、第６図は光パルス
のデューティ比（％）と記録半径（mm）との関係を示す
グラフ、第７図は光パルスの周波数（MHz）と記録半径
（mm）との関係を示すグラフ、第８図から第12図は各々
この発明の他の実施例である光磁気記録装置の要部を示
すブロック図、第13図は従来の光磁気記録装置の要部を
示すブロック図、第14図（ａ）〜（ｃ）はその各部にお
ける信号の波形図、第14図（ｄ）は光磁気ディスクにお
ける記録パターンを示す説明図、第15図は光変調記録と
磁界変調記録の記録パターンを示す説明図、第16図は光
変調記録と磁界変調記録の記録特性を示すグラフであ
る。 （１）……光磁気ディスク、（４）……光ヘッド部、
（５）……半導体レーザ、（10）……半導体レーザ駆動
回路、（14）……電磁石、（15）……電磁石駆動回路、
（16）……コントローラ、（17）……ピークパワー設定
回路、（18）……ボトムパワー設定回路。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
ブロック図、第２図（ａ）〜（ｅ）はその各部における
信号の波形図、第２図（ｆ）は光磁気ディスクにおける
記録パターンを示す説明図、第３図はレーザ照射による
垂直磁化膜の温度上昇を示すグラフ、第４図はレーザ照
射による垂直磁化膜の温度分布を示す等温線図、第５図
は光パルスのピークパワー及びボトムパワー（mW）と記
録半径（mm）との関係を示すグラフ、第６図は光パルス
のデューティ比（％）と記録半径（mm）との関係を示す
グラフ、第７図は光パルスの周波数（MHz）と記録半径
（mm）との関係を示すグラフ、第８図から第12図は各々
この発明の他の実施例である光磁気記録装置の要部を示
すブロック図、第13図は従来の光磁気記録装置の要部を
示すブロック図、第14図（ａ）〜（ｃ）はその各部にお
ける信号の波形図、第14図（ｄ）は光磁気ディスクにお
ける記録パターンを示す説明図、第15図は光変調記録と
磁界変調記録の記録パターンを示す説明図、第16図は光
変調記録と磁界変調記録の記録特性を示すグラフであ
る。 （１）……光磁気ディスク、（４）……光ヘッド部、
（５）……半導体レーザ、（10）……半導体レーザ駆動
回路、（14）……電磁石、（15）……電磁石駆動回路、
（16）……コントローラ、（17）……ピークパワー設定
回路、（18）……ボトムパワー設定回路。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【請求項１】光ヘッドからレーザ光を光磁気ディスクに
照射し情報を記録する光磁気記録装置において、上記光
ヘッドから光磁気ディスクに照射するレーザ光を、記録
信号の最高周波数の２倍以上の周波数でパルス変調する
レーザ変調手段と、記録情報に応じて極性反転された磁
場を上記光磁気ディスクの光磁気記録膜に印加する磁場
印加手段とを備え、前記レーザ変調手段を、光パルスの
ピークパワー、ボトムパワー、パルス変調する周波数、
及びパルス変調する信号のデューティ比の内の少なくと
も一つを変化させ得るように構成したことを特徴とする
光磁気記録装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1296852A JP2576643B2 (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | 光磁気記録装置 |
| US07/610,064 US5170382A (en) | 1989-11-14 | 1990-11-07 | Magneto-optical recording apparatus for creating magnetic domains with reduced tails |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1296852A JP2576643B2 (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | 光磁気記録装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03156750A JPH03156750A (ja) | 1991-07-04 |
| JP2576643B2 true JP2576643B2 (ja) | 1997-01-29 |
Family
ID=17838998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1296852A Expired - Fee Related JP2576643B2 (ja) | 1989-11-14 | 1989-11-14 | 光磁気記録装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5170382A (ja) |
| JP (1) | JP2576643B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5335213A (en) * | 1991-02-13 | 1994-08-02 | Sony Corporation | Positional detection of a magneto-optic recording medium for controlling irradiation of a relief region |
| US5459701A (en) * | 1991-06-17 | 1995-10-17 | Ricoh Company, Ltd. | Magneto-optical recording method |
| JP3363923B2 (ja) * | 1992-10-09 | 2003-01-08 | 富士通株式会社 | 光磁気ディスク記録再生装置 |
| EP0644538A4 (en) * | 1993-03-15 | 1995-12-20 | Nippon Kogaku Kk | MAGNETO-OPTICAL RECORDING METHOD, MEDIUM AND DEVICE. |
| JP2605577B2 (ja) * | 1993-03-19 | 1997-04-30 | ヤマハ株式会社 | 光ディスク記録装置 |
| JP3333613B2 (ja) * | 1993-12-07 | 2002-10-15 | 株式会社日立製作所 | 光情報記録媒体並びに光情報記録再生方法及び光情報記録再生装置 |
| EP0740296A3 (en) * | 1995-04-26 | 1998-02-25 | Sanyo Electric Co. Ltd | Magneto-optical recording media |
| US5793723A (en) * | 1995-06-14 | 1998-08-11 | Nikon Corporation | Method and a system for adjusting optical recording device involving an optical recording medium of non-uniform heat characteristics |
| US5757735A (en) * | 1996-08-01 | 1998-05-26 | Pinnacle Micro, Inc. | Magento-optical recording method using a multi-pulse pattern generation circuit |
| JP2000200411A (ja) * | 1998-11-05 | 2000-07-18 | Hitachi Maxell Ltd | 磁気記録媒体、記録再生用ヘッド及び磁気記録再生方法 |
| JP2000215453A (ja) | 1999-01-20 | 2000-08-04 | Fujitsu Ltd | 記録媒体への照射光のパワ―制御方法及び制御装置並びにこれを用いた情報記録装置 |
| US7218470B2 (en) * | 2002-06-03 | 2007-05-15 | Seagate Technology Llc | Exposure dose control of rotating electron beam recorder |
| US7113360B2 (en) * | 2002-06-28 | 2006-09-26 | Seagate Technology Llc | Manufacture of concentric patterns from spiral source |
| JP5716268B2 (ja) * | 2009-09-29 | 2015-05-13 | ソニー株式会社 | ハードディスク装置およびその駆動方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5733441A (en) * | 1980-08-07 | 1982-02-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Optical information recorder and reproducer |
| JPS61131236A (ja) * | 1984-11-29 | 1986-06-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学情報記録再生方式 |
| JPH0721894B2 (ja) * | 1985-02-19 | 1995-03-08 | 日本電気株式会社 | 光磁気記録方法 |
| US4949329A (en) * | 1985-05-21 | 1990-08-14 | Hoechst Celanese Corp. | Method of effecting erasure of optical information media including varying duty cycle, laser power and focus offset |
| JPS61239428A (ja) * | 1986-02-21 | 1986-10-24 | Canon Inc | 信号記録方式 |
| JP2559372B2 (ja) * | 1986-07-09 | 1996-12-04 | 株式会社日立製作所 | 光ディスク装置及び光情報記録方法 |
| JPS63171456A (ja) * | 1987-01-08 | 1988-07-15 | Sony Corp | 光磁気記録装置 |
| JPH0795378B2 (ja) * | 1987-08-19 | 1995-10-11 | 三菱電機株式会社 | 光・熱磁気デイスク記録装置 |
| JPH01248341A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光磁気記録媒体への記録方法 |
| US5014254A (en) * | 1988-05-09 | 1991-05-07 | U.S. Philips Corporation | Magneto-optical recording method and magneto-optical recording apparatus |
| JP2847722B2 (ja) * | 1988-06-24 | 1999-01-20 | ソニー株式会社 | 光磁気記録装置 |
-
1989
- 1989-11-14 JP JP1296852A patent/JP2576643B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1990
- 1990-11-07 US US07/610,064 patent/US5170382A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03156750A (ja) | 1991-07-04 |
| US5170382A (en) | 1992-12-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |