JP2576643C - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は光磁気記録装置に関し、特に光磁気ディスクに対しオーバーライト
（重ね書き）できる光磁気記録装置に関するものである。 ［従来の技術］ 光磁気ディスクに情報、即ちデータを記録する場合は、垂直磁化膜のデータ記
録位置にレーザ光を投射すると共に、データに関連する磁界を与える。このレー
ザ光を投射した位置の垂直磁化膜の温度が上昇してキュリー点以上に達すると、
垂直磁化膜は与えられた磁界の向きに磁化されて、データが光磁気ディスクに記
録される。従って、記録情報の信号（１，０）に応じてレーザ光を照射すると、
照射時のみ磁界が反転して情報が記録でき、この方式を光変調方式と称する。 第１３図は、上記の光変調方式に対して、磁界変調方式を採用したもので、オ
ーバーライトによるデータの書き換えができるようにした従来の光磁気記録装置
の要部を示すブロック図である。 光磁気ディスク（１）は透明基板（２）に垂直磁化膜（３）を被着して構成さ
れており、この光磁気ディスク（１）は中心軸Ａを中心に回転するようになって いる。光磁気ディスク（１）の一面側には半導体レーザ（５）、コリメータレン
ズ（６）、集光レンズ（７）、ビームスプリッタ（８）及び光検知器（９）を備
えている光ヘッド部（４）を配設している。この半導体レーザ（５）が出射する
レーザ光ＬＢはコリメータレンズ（６）、集光レンズ（７）を通って垂直磁化膜
（３）へ投射される。また光ヘッド部（４）は光磁気ディスク（１）に対して所
定間隔を保持しつつ、光磁気ディスク（１）の半径方向へ移動できるように構成
されている。半導体レーザ（５）は半導体レーザ駆動回路（１０）とレーザパワ
ー設定回路（１１）により動作させる。光検知器（９）とプリアンプ（１２）は
ビームスプリッタ（８）で分けられた光から再生信号及びアドレス信号を検出し
、アドレス検出回路（１３）によりアドレス信号から記録半径位置を認識する。
光磁気ディスク（１）の他面側には磁界を与えるための電磁石（１４）を設けて
おり、この電磁石（１４）は光磁気ディスク（１）を介して光ヘッド部（４）と
対向している。またこの電磁石（１４）は光ヘッド部（４）と連動して移動でき
るように構成されている。電磁石（１４）は磁界変調のための電磁石駆動回路（
１５）から駆動電流を供給される。記録信号ＳＲは端子Ｂからコントローラ（１
６）に入力され、コントローラ（１６）はこの信号及びアドレス検出回路（１３
）からの信号に応じて電磁石駆動回路（１５）、半導体レーザ駆動回路（１０）
及びレーザパワー設定回路（１１）を制御している。 以下、この光磁気記録装置の動作を各部信号の波形及び記録パターンを示す第
１４図をもとに説明する。第１４図（ａ）〜（ｄ）の横軸は各々時間であり、第
１４図（ａ）は（０，１）で示す記録信号である。このような記録信号が電磁石
駆動回路（１５）へ入力されると、電磁石（１４）は第１４図（ｂ）に示すよう
に記録信号に対応して（＋Ｈ（Ｏｅ），−Ｈ（Ｏｅ））の磁界を発生して、光磁
気ディスク（１）の垂直磁化膜（３）へ与える。この場合、垂直磁化膜（３）に
は第１４図（ｃ）に示すように垂直磁化膜（３）の温度をキュリー温度以上に昇
温させるためにＥ（ｍＷ）のレーザ光ＬＢを連続して照射しているので、光磁気
ディスク（１）の垂直磁化膜（３）の記録トラックには第１４図（ｄ）に示すよ
うな記録パターンが形成されることになる。なお記録パターンにおける（＋）及
び（−）の符号は、それぞれ上向き及び下向きに磁化されている状態を表わして おり、この図は垂直磁化膜（３）の上から見た図である。記録半径位置が大きく
なる、即ち外側になるにつれてディスクの移動速度が大きくなり、垂直磁化膜(３)
の温度をキュリー温度以上に昇温させるのに必要な光強度が大きくなるため、光
検知器（９）とプリアンプ（１２）からアドレス信号を検出し、アドレス検出回
路（１３）により記録半径位置を認識し、記録半径位置に対してあるかじめ設定
されたパワーに光強度を調節している。 このような光磁気記録装置は、光磁気ディスク（１）の垂直磁化膜（３）上の
微小部分を、集光したレーザ光ＬＢによって連続的にキュリー温度以上に加熱し
、その部分に記録されていた磁化をクリアする。レーザ光による加熱領域が移動
すると、この微小部分の温度は下降し始め、キュリー温度付近になった時に、こ
の部分を記録信号に応じて変調させた磁界の方向に磁化する。そして温度が降下
した時に、その磁化を保持して、加熱した微小部分の範囲より小さい矢羽根形の
範囲（第１４図（ｄ）に示す＋と−の領域）を単位としてデータが記録される。
このようにして、光磁気ディスク（１）にデータが記録されていてもオーバーラ
イトにより新しいデータを記録することができる。 ［発明が解決しようとする課題］ 従来のオーバーライトが可能な光磁気記録装置は、光磁気ディスク（１）に光
強度が一定のレーザ光ＬＢを投射するとともに、その投射位置に、記録信号に応
じて交番する変調磁界を与えて、光磁気ディスク（１）にデータをオーバーライ
トする。この記録方式で記録された記録マークの形状は記録時の温度分布から矢
羽根形になり、角状の突起が発生する。この角状の突起は照射するレーザパワー
や記録時の線速度が大きくなると伸長する。さらに、記録密度を上げていくと記
録マークの間隔が狭まる。第１５図（ａ）、（ｂ）は各々光スポット（イ）と記
録マーク（ロ）を示す説明図であり、第１５図（ａ）は光変調記録の場合のもの
であり、第１５図（ｂ）は磁界変調記録の場合のものである。上記の光磁気記録
装置は磁界変調記録を用いたものであり、角状の突起が長くなる条件下では、第
１５図（ｂ）に示すように光スポット（イ）が記録マーク（ロ）間にある場合で
も、記録マーク（ロ）の角状の突起が光スポット（イ）の領域内に入りこんでし
まうから、反射光量差が減少し、再生信号振幅が低下する。この方式と、レーザ 光をＯＮ，ＯＦＦして記録する通常の光変調記録方式（第１５図（ａ））の再生
Ｃ／Ｎと記録パワーの関係を比較したものを第１６図に示す。第１６図は記録パ
ワー（ｍＷ）を横軸、Ｃ／Ｎ（ｄＢ）を縦軸に取り、磁界変調記録（Ｄ）の場合
の特性と光変調記録（Ｅ）の場合の特性を示すグラフであり、磁界変調記録（Ｄ
）のＣ／Ｎの最大値は光変調記録（Ｅ）に比べて小さく、一定値以上を示す記録
パワー範囲も狭い。なお、第１６図はディスク移動速度７．５ｍ／ｓｅｃ、記録
ビット長０．７５μｍの記録をした場合である。従って、この光を連続照射して
行なう磁界変調記録方式は光変調記録方式に比べて高密度記録が難しいという問
題点があった。 この発明は上記のような問題点を解消するためになされたもので、再生時にお
ける記録マークに発生する角状の突起によるエラーを防ぐことができ、データを
高密度記録できる光磁気記録装置を提供することを目的とする。 ［課題を解決するための手段］ この発明に係る光磁気記録装置は、光ヘッドから光磁気ディスクに照射するレ
ーザ光を、記録信号の最高周波数の２倍以上の周波数でパルス変調し、且つ光磁
気ディスクの半径に応じて光パルス周波数を変化させるレーザ変調手段と、記録
情報に応じて極性反転された磁場を上記光磁気ディスクの光磁気記録膜に印加す
る磁場印加手段とを備え、前記レーザ変調手段を、記録信号の最高周波数の２倍
以上でパルス変調の周波数を変化させるように構成し、且つ、前記レーザ変調手
段を、光パルスのピークパワー、ボトムパワー、及びパルス変調する信号のデュ
ーティ比の内の少なくとも一つを変化させ得るように構成したことを特徴とする
。 ［作用］ この発明においては、パルス変調されて出力されるレーザ光を、記録信号の最
高周波数の２倍以上の周波数でパルス変調するすることにより記録マークのエッ
ジ（端部）に発生するずれを容易に制御することができる。 ［実施例］ 以下、この発明の一実施例による光磁気記録装置を図によって説明する。第１
図はこの発明の一実施例による光磁気記録装置の要部を示すブロック図である。
光磁気ディスク（１）の一面側には半導体レーザ（５）、コリメータレンズ（６
）、 集光レンズ（７）、ビームスプリッタ（８）及び光検知器（９）を備えている光
ヘッド部（４）を配設している。この半導体レーザ（５）が出射するレーザ光Ｌ
Ｂはコリメータレンズ（６）、ビームスプリッタ（８）及び集光レンズ（７）を
通って光磁気ディスク（１）へ投射され、光磁気ディスク（１）の垂直磁化膜（
３）上に合焦点を得るようになっている。半導体レーザ（５）は半導体レーザ駆
動回路（１０）によりパルス動作させるが、そのパルスのピークパワーとボトム
パワーはピークパワー設定回路（１７）及びボトムパワー設定回路（１８）で設
定し、さらにパルスのパルス幅及び周波数はパルス発生回路（１９）と発振回路
（２０）によりコントロールする。光検知器（９）とプリアンプ（１２）はビー
ムスプリッタ（８）で分けられた光から再生信号及びアドレス信号を検出し、さ
らにアドレス検出回路（１３）によりアドレス信号から記録半径位置を認識する
。光磁気ディスク（１）の他面側には、光磁気ディスク（１）へ投射したレーザ
光ＬＢの投射位置に対向させて電磁石（１４）を配設している。電磁石（１４）
のコイル（１４ａ）は電磁石駆動回路（１５）の出力側と接続されている。 パルス発生回路（１９）は発振回路（２０）から入力された信号に従ってパル
ス列を発生させる。発振回路（２０）の発振周波数は記録する信号の最高周波数
の２倍以上に設定する。また、パルス幅はパルス周期の５０％になるように設定
する。 パルス発生回路（１９）の出力は、コントローラ（１６）からのレーザ点灯信
号ＬＤが入力されるＡＮＤ回路（２１）へ入力される。ＡＮＤ回路（２１）の出
力は半導体レーザ駆動回路（１０）へ入力され、半導体レーザ駆動回路（１０）
はＡＮＤ回路（２１）の出力に関連してレーザ駆動パルス電流Ｐを出力し、その
パルスは半導体レーザ（５）へ入力される。レーザ駆動パルスＰのピーク電流値
とボトム電流値は例えば以下のようにして設定される。コントローラ（１６）は
、アドレス検出回路（１３）からの信号で現在の記録半径位置を認識し、コント
ローラ（１６）のＲＯＭ内にあらかじめ設定されている記録半径と光パルスのピ
ークパワー・ボトムパワーの対照表を参照する。対照表より得た各々のパワーの
設定値をピークパワー設定回路（１７）とボトムパワー設定回路（１８）に入力
する。設定回路（１７），（１８）は半導体レーザ駆動回路（１０）にピークパ
ワ ー、ボトムパワーに相当する半導体レーザ駆動電流値を入力する。記録信号ＳＲ
は記録ゲートＲＧの立ち上がりよりも所定時間遅れて発生するものとする。記録
ゲートＲＧが入力されると、コントローラ（１６）は記録ゲートＲＧに同期して
レーザ点灯信号ＬＤを出力し、ＡＮＤ回路（２１）へ入力する。また、記録信号
ＳＲはそのままコントローラ（１６）から電磁石駆動回路（１５）に入力する。 次にこのように構成した光磁気記録装置の動作を、その各部の波形及び記録パ
ターンを示す第２図に基いて説明する。第２図（ａ）〜（ｆ）の横軸は時間を示
している。 第２図（ａ）のような（０，１）で示す記録信号ＳＲ及び第２図（ｃ）に示す
ようなパターンの記録ゲートＲＧが入力されると、さきにコントローラ（１６）
は記録ゲートＲＧに同期してレーザ点灯信号ＬＤを出力し、ＡＮＤ回路（２１）
へ入力する。パルス発生回路（１９）は発振回路（２０）からの入力に従って第
２図（ｄ）に示すパルス列を発生し、ＡＮＤ回路（２１）へ入力する。ＡＮＤ回
路（２１）の出力は記録ゲートＲＧがＯＮしている間だけパルスを半導体レーザ
駆動回路（１０）へ入力し、それにより半導体レーザ駆動回路（１０）はレーザ
駆動パルスを半導体レーザ（５）へ入力する。半導体レーザ（５）は第２図（ｅ
）に示すように記録ゲートがＯＮしている間のみレーザ光Ｅ（Ｗ）の光パルスを
出力する。 この光パルスのピークパワーとボトムパワーは次のようにして設定される。コ
ントローラ（１６）は記録モードにセットされると、アドレス検出回路（１３）
からの信号で現在の記録半径位置を認識し、コントローラ（１６）のＲＯＭ内に
あらかじめ設定されている記録半径と光パルスのピークパワー・ボトムパワーの
対照表を参照し、それぞれのパワーの設定値をピークパワー設定回路（１７）と
ボトムパワー設定回路（１８）に入力する。設定回路（１７），（１８）は半導
体レーザ駆動回路（１０）にピークパワー、ボトムパワーに相当する半導体レー
ザ駆動電流値を入力する。 一方、記録信号ＳＲはそのまま電磁石駆動回路（１５）に入力され、この信号
に同期して＋Ｈ（Ｏｅ）と−Ｈ（Ｏｅ）にスイッチングする信号を電磁石（１４
）に入力する。なお、磁界を変調する記録信号は光パルスと同期をとる必要はな
い。 電磁石（１４）は第２図（ｂ）に示す交番磁界Ｈ（Ｏｅ）を光磁気ディスク（１
）へ与えることとなる。垂直磁化膜（３）には第２図（ｅ）に示すように、垂直
磁化膜（３）の温度をキュリー温度以上に昇温させるために半導体レーザから光
パルスが照射されているので、光磁気ディスク（１）の垂直磁化膜（３）の記録
トラックには第２図（ｆ）に示すような記録パターンが記録されることになる。
第２図（ｆ）は垂直磁化膜（３）の平面における記録パターンを示しており、そ
の形状は光パルスの照射される間隔が短いためキュリー温度を越える領域が重な
り図に示すような形状になる。そのため、連続照射の場合と同様に光磁気ディス
ク（１）にデータが記録されていてもオーバーライトにより新しいデータを記録
することができる。 磁界変調記録での記録パターンの特徴である矢羽根形の角状突起の形は記録時
の垂直磁化膜の温度分布によって決まる。この時の温度変化、温度分布を連続照
射の場合と比較すると第３図、第４図のようになる。第３図は時間に対する温度
変化を、レーザ光の連続照射の場合（第３図（ａ））とパルス照射の場合（第３
（ｂ））で比較して示すグラフである。垂直磁化膜（３）のあるポイントでの温
度の時間変化を連続照射とパルス照射で比較すると、連続照射では光スポットの
移動に伴って徐々に加熱され、ピーク温度に達した後も徐々に少なくなるがエネ
ルギが加えられるため、冷却も比較的ゆっくりと行なわれる。それに対して、パ
ルス照射ではパルスの期間しかエネルギが加えられず、連続照射に比べて単位面
積当たりに加えられるエネルギ量が大きいために、パルス立ち上がり時の温度上
昇は急峻になり、また、照射しない時間があるため膜の冷却は早くなる。このよ
うな照射方法による垂直磁化膜（３）の温度変化の違いは温度分布にも影響を及
ぼしている。第４図は温度分布を示す等温線図であり、第４図（ａ）はレーザ光
の連続照射の場合、第４図（ｂ）はパルス照射の場合のものであり、矢印Ｆは光
スポットの移動方向を示している。パルス照射では連続照射に比べて、温度上昇
が急峻であることより等温線が接近している。さらに連続照射では温度分布の形
状が光スポット移動方向と反対側に長くのびているのに対して、パルス照射では
伸びが少ない。この形状がそのまま記録マーク（ロ）の矢羽根形の角状突起の形
状を決めているので、パルス照射では角状突起の仲びが短くなる。したがって、 第１５図に示したような記録ビットの間隔をつめた状態での光スポットにかかる
角状突起の面積が少なくなり、信号振幅の劣化が少なくなる。 パルス照射を行なう場合、ディスクの外周側では移動速度が大きくなりパルス
の照射される領域の間隔が広がる。そのため、キュリー温度を越える領域の重な
りが少なくなり、オーバーライトしたあとでも以前に記録されていた信号が完全
に消えずに残ってしまう。第５図はこの問題点を解消するためのボトムパワーＨ
（ｍＷ）とピークパワーＧ（ｍＷ）の変化を、光磁気ディスク（１）の半径（ｍ
ｍ）に対して示すグラフであり、これは光磁気ディスク（１）の直径が例えば１
３０ｍｍで、回転数が例えば２４００ｒｐｍ程度としている。第５図に示すよう
に、外周側では内周よりもピークパワーＧを大きくし、さらにボトムパワーＨも
徐々に大きくしていくことによって、パルスが発生しないときにも膜にある程度
のエネルギが加えられるようにし、信号のＳ／Ｎが十分に確保されて信号の消え
残りが発生しないようにする。このような条件を満足するピークパワー及びボト
ムパワーをあらかじめ調べておき、コントローラ（１６）のＲＯＭに記録半径と
の対照表として記録しておく。 なお、上記実施例ではピークパワーＧとボトムパワーＨの決定を対照表で行な
ったが、例えば式１に示すような記録半径とパワーの関係を表す計算式をあらか
じめ求めておき、この式に従って計算しパワーを設定しても良い。 Ｐ＝ＡＲ²＋ＢＲ＋Ｃ ・・・（１） （Ｐ：レーザパワー、Ｒ：半径） また、上記実施例では記録半径が変化した時、ピークパワー、ボトムパワー共
に変化させていたが、ピークパワーは固定しておきボトムパワーを変化させるこ
とによっても同様の効果を得ることができる。ピークパワーは装置によって限界
があり、ボトムパワーを変化させるのはコントロールしやすい。この時、外周で
はピークパワーとボトムパワーが等しい状態、つまり、連続照射状態になっても
よい。また、装置によって可能な場合にはボトムパワーを固定しておき、ピーク
パワーのみを変化させることによっても同様の効果を得ることができる。 第８図はこの発明の他の実施例である光磁気記録装置の要部を示すブロック図
である。この装置では、光パルスのピークパワーとボトムパワーは固定しておき
、 コントローラ（１６）からパルス発生回路（１９）の発生するパルス幅を制御し
ている。内周ではパルス幅を信号デューティ比５０％以下に設定し、半径が大き
くなるにつれてデューティ比を大きくしていく。半径（ｍｍ）に対するデューテ
ィ比（％）の変化の一例を第６図に示す。外周側で移動速度が大きくなりパルス
の照射される領域の間隔が広がり、キュリー温度を越える領域の重なりが少なく
なるため、外周側では内周側よりもデューティ比を第６図に示すように徐々に大
きくしていくことによって、キュリー温度を越える領域の重なりを大きくし、膜
に連続してエネルギーが加えられるようにしている。記録半径によるデューティ
比の変化は前記実施例と同様にコントローラ（１６）のＲＯＭにあらかじめ記録
されている対照表を参照して行なっても良いし、デューティ比と記録半径の関係
式から求めても良い。なお、外周ではデューティ比１００％、つまり、連続照射
状態になっても良い。 第９図はこの発明のさらに他の実施例である光磁気記録装置の要部を示すブロ
ック図である。この装置では、光パルスのピークパワーとボトムパワーは固定し
ておき、コントローラ（１６）から発振回路（２０）の発振周波数を制御してい
る。発振周波数は記録信号の最高周波数の２倍以上で内周側から外周側へ向けて
大きくしていき、光パルスを照射する時間間隔を狭めていく。この半径（ｍｍ）
に対する周波数（ＭＨｚ）の変化の一例を第７図に示す。外周側で移動速度が大
きくなりパルスの照射される領域の間隔が広がり、キュリー温度を越える領域の
重なりが少なくなるため、外周側では内周側よりも光パルスの繰り返し周波数を
大きくし、キュリー温度を越える領域の重なりを内周側と同様（パルス照射間隔
をスポット半径の約半分、例えば０．６μｍ以下）にする。このことにより、膜
に連続してエネルギーが加えられるようにしている。記録半径による発振周波数
の変化は前記実施例と同様にコントローラ（１６）のＲＯＭにあらかじめ記録さ
れている対照表を参照して行なっても良いし、あらかじめ求めた発振周波数と記
録半径の関係式から求めても良い。 第１０図はこの発明のさらに他の実施例である光磁気記録装置の要部を示すブ
ロック図である。この装置はピークパワー設定回路（１７）、ボトムパワー設定
回路（１８）及びパルス発生回路（１９）をコントローラ（１６）で制御したも のである。光パルスのピークパワー、ボトムパワーを記録半径位置によって、例
えば第５図のように変化させ、さらに光パルス幅も記録半径位置によって第６図
のように変化させている。このことにより、キュリー温度を越える領域の重なり
を外周側と内周側とで同様にし、膜に連続してエネルギーが加えられるようにし
ている。 第１１図はこの発明のさらに他の実施例である光磁気記録装置の要部を示すブ
ロック図である。この装置はピークパワー設定回路（１７）、ボトムパワー設定
回路（１８）及び発振回路（２０）をコントローラ（１６）で制御したものであ
る。光パルスのピークパワー、ボトムパワーを記録半径位道によって例えば第５
図のように変化させ、さらに光パルスの繰り返し周波数を記録半径位置によって
第７図のように変化させている。両方のパラメータを変化させることにより、信
号のＳ／Ｎが十分に確保され、信号の消え残りが発生しないようにすることがで
きる。 第１２図はこの発明のさらに他の実施例である光磁気記録装置の要部を示すブ
ロック図である。この装置はピークパワー設定回路（１７）、ボトムパワー設定
回路（１８）、パルス発生回路（１９）及び発振回路（２０）をコントローラ（
１６）で制御したものである。光パルスのピークパワー、ボトムパワーを記録半
径位置によって例えば第５図のように変化させ、さらに光パルスのパルス幅、繰
り返し周波数を記録半径位置によって第６図、第７図に示すように変化させてい
る。４つのパラメータを変化させることにより、ディスク全領域で十分な再生信
号品質が得られるようになる。 上記実施例では、記録半径位置を光磁気ディスク（１）から得られるアドレス
信号から認識していたが、別に設けられた光ヘッドの絶対位置を検出する光ヘッ
ド位置検出回路、例えばリニアスケールを用いて検出することにより、認識する
こともできる。 なお、上記これらの実施例では光磁気記録装置について説明したが、光磁気記
録再生装置にも同様に適用できるのは勿論である。 ［発明の効果］ 以上詳述したようにこの発明は、光ヘッドからレーザ光を光磁気ディスクに照 射し情報を記録する光磁気記録装置において、光ヘッドから光磁気ディスクに照
射するレーザ光を、記録信号の最高周波数の２倍以上の周波数でパルス変調し、
且つ光磁気ディスクの半径に応じて光パルス周波数を変化させるレーザ変調手段
と、記録情報に応じて極性反転された磁場を上記光磁気ディスクの光磁気記録膜
に印加する磁場印加手段とを備え、前記レーザ変調手段を、記録信号の最高周波
数の２倍以上でパルス変調の周波数を変化させるように構成し、且つ、前記レー
ザ変調手段を、光パルスのピークパワー、ボトムパワー、及びパルス変調する信
号のデューティ比の内の少なくとも一つを変化させ得るように構成したので、記
録信号に対応した変調磁界を光磁気ディスクに与え、さらに光磁気ディスクのキ
ュリー温度を越えるように光パルスを照射し、光磁気ディスクの垂直磁化膜に記
録される矢羽根形の記録パターンの角状突起を小さくすることができ、高密度記
録が可能になる。特に、記録信号の最高周波数の２倍以上の周波数でパルス変調
した場合には、最短の記録パターンを記録する際に２個以上のパルスで記録する
ことになるため、例えば、パルスのデューティ比を変化させて記録条件を最適に
調整すると、最短の記録パターンを１個の記録パルスで記録するものと、２個以
上のパルスで記録するものとを比較した場合には、パルス２個の場合には、デュ
ーティ比の変化に伴うパルスの先端から末尾までの長さの変化を１個の場合のほ
ぼ半分にすることができる。これにより記録条件の調整に伴って発生する記録マ
ークのエッジ（端部）のずれを容易に制御でき、再生信号のエラーを低減できる
という効果を奏する。

【図面の簡単な説明】 第１図はこの発明に係わる光磁気記録装置の要部を示すブロック図、第２図（
ａ）〜（ｅ）はその各部における信号の波形図、第２図（ｆ）は光磁気ディスク
における記録パターンを示す説明図、第３図はレーザ照射による垂直磁化膜の温
度上昇を示すグラフ、第４図はレーザ照射による垂直磁化膜の温度分布を示す等
温線図、第５図は光パルスのピークパワー及びボトムパワー（ｍＷ）と記録半径
（ｍｍ）との関係を示すグラフ、第６図は光パルスのデューティ比（％）と記録
半径（ｍｍ）との関係を示すグラフ、第７図は光パルスの周波数（ＭＨｚ）と記
録半径（ｍｍ）との関係を示すグラフ、第８図から第１２図は各々この発明の 他の実施例である光磁気記録装置の要部を示すブロック図、第１３図は従来の光
磁気記録装置の要部を示すブロック図、第１４図（ａ）〜（ｃ）はその各部にお
ける信号の波形図、第１４図（ｄ）は光磁気ディスクにおける記録パターンを示
す説明図、第１５図は光変調記録と磁界変調記録の記録パターンを示す説明図、
第１６図は光変調記録と磁界変調記録の記録特性を示すグラフである。 （１）・・・光磁気ディスク、（４）・・・光ヘッド部、（５）・・・半導体
レーザ、（１０）・・・半導体レーザ駆動回路、（１４）・・・電磁石、（１５
）・・・電磁石駆動回路、（１６）・・・コントローラ、（１７）・・・ピーク
パワー設定回路、（１８）・・・ボトムパワー設定回路。 なお、図中、同一符号は同一、または相当部分を示す。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 光ヘッドからレーザ光を光磁気ディスクに照射し情報を記録する光磁気記録装
   置において、上記光ヘッドから光磁気ディスクに照射するレーザ光を、記録信号
   の最高周波数の２倍以上の周波数でパルス変調し、且つ光磁気ディスクの半径に
   応じて光パルス周波数を変化させるレーザ変調手段と、記録情報に応じて極性反
   転された磁場を上記光磁気ディスクの光磁気記録膜に印加する磁場印加手段とを
   備え、前記レーザ変調手段を、記録信号の最高周波数の２倍以上でパルス変調の
   周波数を変化させるように構成し、且つ、前記レーザ変調手段を、光パルスのピ
   ークパワー、ボトムパワー、及びパルス変調する信号のデューティ比の内の少な
   くとも一つを変化させ得るように構成したことを特徴とする光磁気記録装置。