JPH02126447A - 光磁気記録装置 - Google Patents

光磁気記録装置

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JPH02126447A
JPH02126447A JP63263503A JP26350388A JPH02126447A JP H02126447 A JPH02126447 A JP H02126447A JP 63263503 A JP63263503 A JP 63263503A JP 26350388 A JP26350388 A JP 26350388A JP H02126447 A JPH02126447 A JP H02126447A
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    • G11B19/14—Control of operating function, e.g. switching from recording to reproducing by sensing movement or position of head, e.g. means moving in correspondence with head movements

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 以下の順序で本発明を説明する。
Ａ産業上の利用分野 Ｂ発明の概要 Ｃ従来の技術（第１）図） Ｄ発明が解決しようとする問題点（第１）図）Ｅ問題点
を解決するための手段（第１図、第６図）Ｆ作用（第１
図及び第６図） Ｇ実施例（第１図〜第１０図） （Ｇ１）第１実施例（第１図〜第５図）（Ｇ２）第２実
施例（第６図〜第１０図）Ｈ発明の効果 Ａ産業上の利用分野 本発明は光磁気記録装置に関し、例えば記録情報を光磁
気ディスク上に重書き記録し得るようになされた光磁気
記録装置に適用して好適なものである。
Ｂ発明の概要 第１の発明は、光磁気記録装置において、光磁気ディス
クの温度特性に応じて変調磁界を遅延させることにより
、基準クロック信号のタイミングに対して正しい位置に
ピットを形成することができる。
第２の発明は、光磁気記録装置において、光磁気ディス
クの温度に応じて光ビームを制御することにより、基準
クロック信号のタイミングに対して正しい位置にピット
を形成することができる。
第３の発明は、光磁気記録装置において、光スポットの
走査位置及び光磁気ディスクの温度に応じて光ビームを
制御することにより、基準クロック信号のタイミングに
対して正しい位置にピットを形成することができる。
Ｃ従来の技術 従来、光磁気記録装置においては、光磁気ディスクの磁
気特性がキューり温度Ｔｃを境にして大きく変化するこ
とを利用して、所望の記録情報を磁気記録するようにな
されている。
すなわち第１）図に示すように、光磁気ディスクにおい
ては、その垂直磁化膜の保磁力Ｈｃが、キューり温度Ｔ
ｃで急激に減少する。
従って垂直磁化膜は、−旦キューリ温度Ｔｃ以上に暖め
た後、外部磁界を印加してキューり温度Ｔ、以下に冷却
することにより、外部磁界の向きに配向される。
かかる磁化原理に基づいて、光磁気記録装置においては
、光ビームを連続的に照射して光磁気ディスク上に光ス
ポットを走査させることにより、光磁気ディスク上の所
定領域をキューり温度Ｔ。
以上に暖めると共に、磁気ヘッドを用いて所定の基準ク
ロック信号のタイミングで記録情報に応じて極性が反転
する変調磁界を印加する。
このようにすれば、光スポットが照射された領域は、−
旦キューリ温度Ｔｃ以上に暖められた後、自然冷却する
ようになされ、キューリ温度Ｔｃを横切るタイミングで
当該領域に印加された変Ｊｉｆｆ界の向きに配向される
。
かくして、すでに磁化パターンが形成されている場合で
も、クロック信号の周期で、光スポットの走査軌跡に変
ｉＰＩ磁界に応じて配向した微少領域（以下ピットと呼
ぶ）を順次形成し得、これにより所望の記録情報を重書
き記録するようになされている。
Ｄ発明が解決しようとする問題点 ところで、光ビームを照射した後自然冷却する場合にお
いては、光スポットが走査した後キューリ温度Ｔｃ以下
に温度降下するまでの時間が光磁気ディスク自体の温度
特性に応じて変化し、この場合光磁気ディスク自体の温
度特性に応じて基準クロック信号に対してピットの形成
位置が変化する問題がある。
従って、例えば予め光磁気ディスク上に形成されたプリ
ピットから基準クロック信号を形成する場合、当該プリ
ピットに対してビットの形成位置が変化し、プリピット
を基準にした記録情報の再生が困難になる（すなわち、
プリピットから得られる再生信号の位相に対して、位相
ずれが発生する）。
さらに、隣接するビットとの間で配向の変化を確実に検
出して記録情報を確実に再生するためには、隣接するビ
ット間で配向が急峻に反転する磁化パターンを形成する
必要がある。
従って、光ビームを連続的に照射する場合においては、
変調磁界を形成する磁気ヘッド及び当該磁気ヘッドを駆
動する駆動回路として周波数特性の優れたものを選択し
て、変調磁界の極性を急激に反転させる必要があり、そ
の分合体の構成が複雑になる問題がある。
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、全体とし
て簡易な構成で、基準クロック信号のタイミングに対し
て、正しい位置にビットを形成することができる光磁気
記録装置を提案しようとするものである。
Ｅ問題点を解決するための手段 かかる問題点を解決するため第１の発明においては、所
定の基準クロック信号ＳＣＸのタイミングで順次光磁気
ディスク２上に光スポットＳＰ１、ＳＰ２を形成すると
共に、基準クロック信号ＳＣＫに同期して記録情報ＳＯ
に応じて極性が反転する所定の変調磁界ＨＭを印加する
ことにより、光磁気ディスク２に記録情報Ｓ１）を磁気
記録するようになされた光磁気記録装置１において、基
準クロック信号ＳＣＫに対する変調磁界ＨＨの極性が反
転するタイミングを、光磁気ディスク２に応じて所定量
Ｔ’ｏｔだけ遅延させるようにする。
第２の発明においては、所定の基準クロック信号Ｓ０の
タイミングで、順次光磁気ディスク２上に光スポットＳ
ＰＩ、ＳＰ２を形成すると共に、基準クロック信号Ｓ０
に同期して記録情報Ｓ０に応じて極性が反転する所定の
変ｌ！磁界Ｈ，を印加することにより、　光磁気ディス
ク２に記録情報Ｓゎを磁気記録するようになされた光磁
気記録装置３０において、温度検出手段３３を介して得
られる光磁気ディスク２の温度に応じて、光スポットＳ
ＰＩ、ＳＰ２を形成する光ビームＬＡＩを照射するタイ
ミング（Δｔ）、光ビームＬＡＩの光量Ｗ、及び照射時
間Ｔ。の内、いずれか１つ、又は２つ、又は３つを制御
する。
第３の発明においては、第２の発明に加えて、所定の基
準クロック信号ＳＣＫのタイミングで、順次光磁気ディ
スク２上に光スポットＳ’ＰＩ、ＳＰ２を形成すると共
に、基準クロック信号ＳＣＫに同期して記録情報ＳＤに
応じて極性が反転する所定の変調磁界ＨＭを印加するこ
とにより、光磁気ディスク２に記録情Ｎｓｏを磁気記録
するようになされた光磁気記録装置３０において、位置
検出手段３１を介して得られる光磁気ディスク２上にお
ける光スポットＳＰＩ、ＳＰ２の走査位置に応じて、光
スポットＳＰｉ　ＳＰ２を形成する光ビームＬＡＩを照
射するタイミング（Δｔ）、光ビームＬＡ１の光量Ｗ、
及び照射時間Ｔ。の内、いずれか１つ、又は２つ、又は
３つを制御する。
Ｆ作用 第１の発明においては、基準クロック信号ＳＣＫに対す
る変！Ｍｌｆｆｔ界Ｈ，の極性が反転するタイミングを
、光磁気ディスク２に応じて所定！　’ｒ”　ｎ　Ｌだ
け遅延させるようにすれば、光磁気ディスク２の温度特
性が異なる場合でも、基準クロック信号ＳＣＸのタイミ
ングに対して、正しい位置にビットを形成することがで
きる。
第２の発明においては、光ディスク２の温度に応じて、
光ビームＬＡＩを制御することにより、光ディスク２の
温度が変化しても、基準クロック信号ＳＣＫのタイミン
グに対して正しい位置にビットを形成することができる
。
第３の発明においては、光ディスク２の温度及び光スポ
ラ）ＳＰ　１、ＳＰ２の走査位置に応じて、光ビームＬ
ＡＩを制御することにより、光ディスク２の温度及び光
スポットＳＰＩ、ＳＰ２の走査位置が変化しても、基準
クロック信号ＳＣＫのタイミングに対して正しい位置に
ビットを形成することができる。
Ｇ実施例 以下図面について、本発明の一実施例を詳述する。
（Ｇ１）第１の実施例 第１図において、ｌは全体として光磁気記録装置を示し
、例えばポリカーボネイト、ガラス等でなる透明保護基
盤４に垂直磁化膜５が被着されるようになされた光磁気
ディスク２が、スピンドルモータ３に駆動されて所定の
回転速度で回転するようになされている。
光磁気ディスク２は、所定の角間隔で配置されたサーボ
領域に予めサンプルフォーマットのサーボパターンが形
成され、当該サンプルフォーマットのサーボパターンか
ら得られる再生信号に基づいて、記録情報の書き込み及
び読み出し用の基準クロック信号が得られるようになさ
れている。
さらに光磁気ディスク２は、最内周にコントロールトラ
ックを存し、予め当言亥コントロールトラックに光磁気
ディスク２の温度特性及び磁気特性の情報が記録される
ようになされている。
すなわち第２図に示すように、光磁気ディスク２におい
ては、磁気ヘッドに印加する電流値が大きくなって外部
磁界が強くなれば、再生信号のＣ／Ｎ比が向上してやが
て飽和する特性を有し、この飽和点の磁界強度（以下必
要磁界と呼ぶ）　ＨＨが磁気特性の情報として記録され
ている。
さらに当該光磁気ディスク２を所定の基準温度に保持し
た状態で、所定の光量分布の光スポットを基準クロック
信号に同期して所定期間照射した際に、光スポットを照
射した領域の温度がキューリ温度Ｔ、に上昇するまでの
時間情報、ピーク温度情報及びピーク温度からキューリ
温度Ｔｃに降下するまでの時間情報等が、当該温度特性
の情報として記録されている。
これに対して第３図に示すようにレーザ駆動回路７は、
制御信号ＳＣＩに応じて半導体レーザ８から照射される
光ビームＬＡＩの光量を切り換えると共に、当該光ビー
ムＬＡＩの照射を連続的な照射から基−準りロック信号
５ｅｘ（第３図（Ａ））に同期した間欠的な照射（第３
図（Ｂ））に切り換えるようになされている。
さらに光磁気記録装置１においては、半導体レーザ８か
ら照射される光ビームＬＡＩをコリメータレンズ９、偏
光ビームスプリッタ１０及び対物レンズ１）を介して光
磁気ディスク２上に集光すると共に、当該光ビームＬＡ
Ｉの反射光ビームを対物レンズ１）、偏光ビームスプリ
ッタ１０及び集光レンズ１２を介して光デイテクタ１３
に導くようになされている。
クロック信号発生回路１４は、光デイテクタ１３から得
られる再生信号Ｓ。ｕ７を受け、このうちサーボ領域か
ら得られる再生信号に基づいて、記録情報の書き込み及
び読み出し用の基準クロック信号ＳｅＫを出力する。
これに対して制御回路１５は、信号処理回路１６から再
生信号Ｓ。ｕＴを復調して得られる光磁気ディスク２の
温度特性及び磁気特性の情報を受け、当該温度特性及び
磁気特性の情報に基づいてレーザ駆動回路７、遅延回路
１９及びヘッド駆動回路２０の動作を切換制御する。
すなわち制御回路１５は、記録モードになると、制御信
号ＳＣＩをレーザ駆動回路７に出力し、光磁気ディスク
２のサーボ領域で光ビームＬＡ１を連続的に照射して基
準クロック信号ＳＣＫと共にトラッキングエラー信号を
得、これにより光スポットをトラッキング制御する。
さらに制御回路１５は、当該サーボ領域以外の領域で半
導体レーザ８から照射される光ビームＬＡ１を所定光量
に切り換えると共に、基準クロック信号ＳＣＫが立ち上
がるタイミングで、期間ＴＩの開光ビームＬＡＩを間欠
的に照射する（第３図（Ｂ））。
この場合第４図に示すように、光スポットの走査軌跡の
中心ＴＲＣ上においては、光スポットの走査方向をＸ軸
方向にとって、キューリ温度Ｔｃ以上に温度上昇する領
域ＡＲＴＣとその温度上昇及び温度降下に要する時間の
関係を表わすことができる。
すなわち、光ビームＬＡＩの照射開始の時点ｔ１及び終
了の時点ｔ２で形成される光スポットＳＰ１及びＳＦ３
の一部が重なり合う場合、光スポットの走査方向Ｘにお
いては、光ビームＬＡＩが照射された領域よりも内側の
長さしの範囲が、キューり温度Ｔ６以上に上昇する。
このとき、光ビームＬＡＩの照射開始の時点ｔ１を基準
にして表すと、光スポットＳＰ１及びＳＦ３が重なり合
う部分ＡＲ１２が、期間Ｔ１の間連続して光ビームＬＡ
Ｉが照射されてなることから、最も短時間でキューり温
度Ｔｃ以上に温度上昇し、最も長時間でキューリ温度Ｔ
。以下に温度降下する。
これに対して、光スポットＳＰＩ及びＳＦ３が重なり合
わない領域においては、重なり合う領域ＡＲ１２から離
れるに従って温度上昇に要する時間が長くなると共に、
温度降下に要する時間が短くなる。
このことから、長さしの領域を必要磁界Ｈ８で確実に配
向させるためには、長さしの領域の一部でキューり温度
Ｔｃ以下の温度降下が始まる時点ｔｏｓ（以下光ビーム
ＬＡＩの照射開始の時点ｔ１から当該時点ｔｏｓまでの
期間を立上り時間Ｔｔ、と呼ぶ）で必要磁界Ｈ８以上の
変調磁界を印加すると共に、当該時点ｔ０から、長さし
の領域の全てがキューり温度Ｔｃ以下に温度降下する時
点ｔＤＥまでの期間ＴＭ　　（以下保持時間と呼ぶ）の
間、変ｌ！磁界の強度を必要磁界Ｈ８以上に保持すれば
よいことが解る。
従って、光磁気ディスク２の温度特性及び磁化特性に応
じて、当該立上り時間Ｔ、及び保持時間Ｔ、が異なるこ
とから、基準クロック信号ＳＣＸに対して変調磁界が必
要磁界Ｈ，に立ち上がるまでの期間及び必要磁界Ｈ，以
下に立ち下がるまでの期間を、光磁気ディスクに応じて
可変制御することにより、光ビームＬＡＩが照射された
領域を必要磁界Ｈ）Ｉで確実に配向させることができる
。
その結果、基準クロック信号ＳＣＫのタイミングで、光
ビームＬＡＩが照射されてなることから、基準クロック
信号ＳｃＫのタイミングに対して、正しい位置に必要磁
界ＨＮで配向されたピットを形成することができ、この
場合サーボ領域に形成されたサンプルフォーマットのピ
ットに対して基準クロック信号ＳＣＫの周期で連続する
ピットを形成することができる。
ちなみに、連続的に光ビームを照射する場合、光磁気デ
ィスクの温度特性及び磁化特性だけでなく、当該光ビー
ムの照射により、ピットを形成した周辺の領域が著しく
温度変化し、これにより続いて形成するピット形成位置
が変化する問題がある。
従って、半導体レーザ８から間欠的に光ビームＬＡＩを
照射することにより、連続的に光ビームを照射する場合
に比して、ピットを形成した周囲の領域の温度変化を低
減し得、その分当該温度変化によるビット形成位置のず
れを未然に防止することができ、併せて半導体レーザ８
の信頬性を向上することができる。
このためこの実施例においては、コントロールトラック
に記録された光磁気ディスク２の温度特性及び磁気特性
の情報に基づいて、光磁気ディスク２の立上り時間Ｔｕ
及び保持時間ＴＭを得、これにより基準クロック信号Ｓ
ＣＫに対する変調磁界のタイミングを可変制御するよう
になされている。
すなわち第Ｓ図に示すように、変調回路１８は、記録情
報信号Ｓ、（第３図（Ｃ）及び第５図（Ａ））を受けて
当該記録情報信号ＳＤの信号レベルに応じて所定の傾き
で極性が反転する記録信号Ｓ□、（第５図（Ｂ））を形
成し、遅延回路１９を介してヘッド駆動回路２０に出力
する。
制御回路１５は、温度特性及び磁気特性の情報に基づい
て、遅延回路１９及びヘッド駆動回路２０に制御信号Ｓ
ｅｔを出力し、遅延回路１９の遅延時間及びヘッド駆動
回路２０の増幅率を可変制御する。
すなわち、増幅率を可変制御することにより、磁気ヘッ
ド２１によって形成される変！ＰＩ磁界Ｈ，４（第３図
（Ｄ）及び第５図（Ｃ））が、保持時間７．以上の期間
の間、必要磁界Ｈ，１以上になるように設定する。
さらに遅延時間ＴＤＬを可変制御することにより、基準
クロック信号５ＣＸ（第５図（Ｄ））に対して立上り時
間Ｔ１だけ遅延して、変調磁界Ｈ，が必要磁界ＨＨ以上
に立ち上がるようにする。
かくして、変調磁界Ｈ，を立上り時間Ｔｕだけ遅延して
必要磁界８．以上に立ち上げると共に、当該必要磁界Ｈ
Ｈを保持時間ＴＨ以上の間だけ保持すればよいので、変
調磁界の極性を急峻に変化させる場合に比してその分合
体として簡易な構成の光磁気記録装置を得ることができ
る。
従ってその分、磁気ヘッドを駆動する駆動回路として周
波数特性の優れたものを選択すれば、従来に比してさら
に一段と記録密度の高い光磁気記録装置を得ることがで
きる。
か（して光スポットの走査軌跡に順次所望のピットＰ（
第３図（Ｅ））を形成することができる。
以上の構成において、光ビームＬＡＩは、光磁気ディス
ク２のサーボ領域から得られる基準クロック信号Ｓｃ、
のタイミングで、光磁気ディスク２に照射され、これに
より光磁気ディスク２上に間欠的に光スポットが形成さ
れる。
これに対して変調磁界Ｈ，は、コントロールトラックに
記録された光磁気ディスク２の温度特性及び磁気特性の
情報に基づいて遅延回路１９の遅延時間及びヘッド駆動
回路２０の増幅率が可変制御されることにより、立上り
時間Ｔｕだけ遅延して必要磁界Ｈ）１以上に立ち上がっ
た後、保持時間Ｔ、だけ経過して必要磁界Ｈ，以下に立
ち下がる。
かくして、光ビームＬＡＩが照射された領域が、必要磁
界Ｈ８以上の変調磁界で配向され、これにより基準クロ
ック信号ｓｅｘのタイミングに対して、正しい位置に必
要磁界Ｈ８以上の変調磁界で配向されたピットを形成す
ることができる。
以上の構成によれば、光磁気ディスクに応じて、変調磁
界を遅延させることにより、立上り時間だけ遅延して必
要磁界以上に立ち上がった後、保持時間だけ経過して必
要磁界以下に立ち下がる変調磁界を得ることができ、光
ビームが照射された領域を確実に必要磁界以上の強度で
配向させることができる。
かくして、全体として簡易な構成で、基準クロック信号
のタイミングに対して、正しい位置にピットを形成する
ことができる。
（Ｇ２）第２の実施例 第１図との対応部分に同一符号を付して示す第６図にお
いて、３０は全体として光磁気記録装置を示し、光磁気
ディスクに応じて変調磁界を遅延させると共に、当該光
磁気ディスクの温度及び光スポットの走査位置に応じて
光ビームを制御するようにしたものである。
すなわち第７図に示すように、　記録情報信号Ｓゎ、（
第７図（Ａ））に応じて極性が反転する変調磁界Ｈ，４
（第７図（Ｂ））を印加した状態で、基準クロック信号
Ｓｃｗ（第７図（Ｃ））に同期して間欠的に光ビームＬ
ＡＩを照射する場合（第７図（Ｄ））　、光ビームＬＡ
Ｉが照射される光磁気ディスク上の温度は、当該光磁気
ディスクの周囲温度から立ち上がった後周囲温度にまで
立ち下がり、この場合光ビームＬＡＩが照射された領域
は第７図（Ｅ）に示すような温度変化ΔＴを呈する。
従って周囲温度をＴｔｙｖで表すと、当該温度変化ΔＴ
が温度Ｔ（ＴｔＮｗ以上に大きくなると、変調磁界ＨＭ
で配向されてピッ）Ｐ（第７図（Ｆ））が形成されるこ
とから、周囲温度が変化すると、これに伴ってピットの
形成位置が変化する問題がある。
すなわち、磁気ディスク２の周囲温度Ｔ　Ｅ）ＩＶが温
度ΔＴ　、Ｎ、だけ高くなって当該磁気ディスク２の温
度が高くなると、少ない温度上昇ΔＴでキューり温度Ｔ
ｃに立ち上がるようになり、この場合ピット形成位置が
光スポットの走査方向とは逆方向に移動する。
その結果、ピットを正しい位置に形成し得なくなり、　
この場合周囲温度が上昇すると再生信号Ｓえｒ（第７図
（Ｇ））の位相が位相差Δθだけ進む結果になる。
これに対して第８図に示すように、光磁気ディスク２が
角速度一定で回転している場合、内周側の方が外周側に
比して線速度が遅くなることにより、単位面積当たりの
光ビームＬＡＩの照射強度が増加し、その分向周側で立
上り時間Ｔ１が短くなる。
従って内周側で立上り時間Ｔ８が短くなった分、ビット
Ｐの形成位置が正しい形成位置から変化し、この場合も
再生信号Ｓ□が位相差Δθだけ進み位相になる問題があ
る。
従ってこの実施例においては、光磁気ディスク２に応じ
て変調磁界ＨＭを遅延させることにより、光磁気ディス
ク２に応じてビット形成位置の変化を未然に防止すると
共に、併せて光磁気ディスク２の温度及び光スボツ）Ｓ
ＰＩの走査位置に応じて光ビームＬＡＩを制御すること
により、上述の周囲温度ＴＥＮｖ及び光スポットＳＰ１
の走査位置に応じたビット形成位置の変化を未然に防止
するようになされている。
すなわち第９図及び第１０図に示すように、光ビームＬ
ＡＩを照射するタイミング（基準クロック信号ＳＣＩ＋
に対する遅延時間Δｔで表す）を内周側で遅くすると、
内周側及び外周側でビット形成位置を正しい位置に保持
し得、再生信号ＳＲＦの位相ずれを防止することができ
る。
同様に、光ビームＬＡＩを照射する期間Ｔｗを内周側で
短くすれば、その分立上り時間Ｔ８を長くし得、これに
より再生信号ＳＲＦの位相ずれを防止することができる
。
さらに、光ビームＬＡＩの照射強度Ｗ、を内周側で小さ
くすれば、同様に立上り時間Ｔ、、ｌを長くし得、再生
信号Ｓ□の位相ずれを防止することができる。
また、周囲温度Ｔ。Ｖが上昇すると、　これに応じて光
ビームＬＡＩを照射するタイミング、光ビームＬＡＩを
照射する期間Ｔ。又は光ビームＬＡ１の照射強度Ｗ、を
切り換えることにより、ビット形成位置を正しい位置に
保持し得、再生信号Ｓ□の位相ずれを防止することがで
きる。
か（してこの実施例においては、光ビームＬＡｌを照射
するタイミング、光ビームＬＡＩを照射する期間Ｔ。及
び光ビームＬＡＩの照射強度ＷＰの内、光ビームＬＡ１
を照射する期間Ｔ１．ｌ及び光ビームＬＡＩの照射強度
ＷＰを制御して、ビット形成位置を正しい位置に保持す
るようになされている。
すなわち光磁気記録装置３０において、位置検出回路３
１は、光磁気ディスク２０半径方向に移動する記録再生
ヘッド（すなわち半導体レーザ８、コリメータレンズ９
、偏光ビームスプリッタ１０及び対物レンズ１）でなる
光ビームＬＡＩの照射光学系と、集光レンズ１２及び光
デイテクタ１３を含んでなる反射光ビーム受光光学系と
、磁気ヘッド２１の全体を指す）の位置に応じて抵抗値
が変化するようになされたポテンションメータで構成さ
れるようになされ、これにより光スポットＳＰ１の走査
位置を検出して制御回路３２に出力するようになされて
いる。
これに対して温度検出回路３３は、光磁気ディスク２近
傍の温度を検出することにより、当該光磁気ディスク２
の温度を検出し、その結果得られる検出結果を制御回路
３２に出力する。
制？１）回路３２は、光磁気ディスク２の温度特性及び
磁気特性の情報を受け、当該温度特性及び磁気特性の情
報に基づいてレーザ駆動回路７、遅延回路１９及びヘッ
ド駆動回路２０の動作を切換制御することにより、光磁
気ディスク２の温度特性によるビット形成位置の変化を
未然に防止する。
さらに制御回路３２は、位置検出回路３１及び温度検出
回路３３から得られる検出結果に応じて、光ビームＬＡ
Ｉを照射する期間Ｔい及び光ビームＬＡＩの照射強度Ｗ
Ｐを制御し、これにより正しい位置にピットを形成させ
る。
かくして周囲温度が変化しても、正しい位置にビットを
形成することができることから、当該光磁気記録装置の
使用温度範囲を格段的に広くすることができる。
さらに光スポットの走査位置が変化しても、正しい位置
にピットを形成し得ることから、光ディスクの記録容量
をその分太き（することできる。
ちなみに、このように光ビームＬＡＩを照射する期間Ｔ
８及び光ビームＬＡＩの照射強度Ｗ、を制御すれば、ピ
ットの形成位置を正Ｌ７い位置に保持するだけでなく、
併せてピットの横方向（すなわち隣接トラックの方向で
なる）の広がりを、所定値に保持することもできる。
第６図の構成によれば、光磁気ディスクの温度検出結果
に応じて、光ビームＬＡＩを照射する期間Ｔ、１及び光
ビームＬＡＩの照射強度Ｗ、を制御することにより、当
該光磁気ディスク２の温度が変化しても正しい位置にピ
ットを形成することができる。
さらに、光スポットの走査位置を検出し、その検出結果
に応じて、光ビームＬＡＩを照射する期間Ｔ８及び光ビ
ームＬＡＩの照射強度Ｗ、を制御することにより、光ス
ポットの走査位置が変化しても正しい位置にピットを形
成することができる。
（Ｇ３）他の実施例 なお上述の実施例においては、コントロールトラックに
記録された光磁気ディスク２の温度特性及び磁気特性の
情報に基づいて、遅延回路１９の遅延時間及びヘッド駆
動回路２０の増幅率を可変制御する場合について述べた
が、本発明はコントロールトラックに記録された温度特
性及び磁気特性の情報に限らず、要は光磁気ディスクの
温度特性及び磁気特性に応じて遅延時間及び増幅率を設
定すればよく、他の入力手段を介して温度特性及び磁気
特性の情報を入力する場合、さらには当該光磁気記録装
置に装着された光磁気ディスクに応じて予め遅延時間及
び増幅率を設定しておく場合等広く適用することができ
る。
さらに上述の実施例においては、遅延時間に加えて増幅
率を可変制御する場合について述べたが、変調磁界の強
度が実用上十分な範囲で得られる場合は、遅延時間だけ
を可変するようにしてもよい。
この場合コントロールトラックには、光磁気ディスクの
温度特性だけを記録すればよい。
さらに上述の実施例においては、光磁気ディスク２の温
度特性の情報としてキューり温度Ｔｃに上昇するまでの
時間情報、ピーク温度情報及びピーク温度からキューリ
温度Ｔ、に降下するまでの時間情報等を記録する場合に
ついて述べたが、温度特性の情報はこれに限らず、例え
ば立上り時間及び保持時間等の温度特性の情報を記録す
る場合等広く適用することができる。
さらに上述の第２の実施例においては、ポテンションメ
ータを用いて光スポットの走査位置を検出する場合につ
いて述べたが、走査位置の検出手段はこれに限らず、例
えば記録トラックのアドレスデータに基づいて、光スポ
ットの走査位置を検出するようにしてもよい。
さらに上述の第２の実施例においては、光ビームＬＡＩ
を照射するタイミング、光ビームＬＡＩを照射する期間
Ｔ。及び光ビームＬＡＩの照射強度Ｗ、の内、光ビーム
ＬＡｌを照射する期間Ｔ。
及び光ビームＬＡＩの照射強度Ｗ２を制御して、ピット
形成位置を正しい位置に保持する場合について述べたが
、本発明はこれに限らず、光ビームＬＡＩを照射するタ
イミング、光ビームＬＡＩを照射する期間Ｔ、１又は光
ビームＬＡＩの照射強度ＷＰＯ内の１つ、又はこれらの
内の２つ、又は全てを制御するようにしてもよい。
さらに上述の第２の実施例においては、光磁気ディスク
２に応じて変調磁界Ｈ８を遅延させると共に、併せて光
磁気ディスク２の温度及び光スボツ）ＳＰ　ｌの走査位
置に応じて光ビームＬＡＩを制御する場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、必要に応じて変調磁界Ｈ
８の遅延制御を省略する場合、さらには光磁気ディスク
２の温度及び光スポットＳＰＩの走査位置の内、１つに
ついて光ビームＬＡＩを制御する場合等広く適用するこ
とができる。
Ｈ発明の効果 以上のように第１の発明によれば、基準クロック信号に
対して、変Ｂｙ４磁界の極性が反転するタイミングを光
磁気ディスクに応じて遅延させるようにしたことにより
、光ビームが照射された領域を必要磁界で確実に配向さ
せることができ、か（して全体として簡易な構成で、基
準クロック信号のタイミングに対して、正しい位置にピ
ットを形成することができる。
さらに第２の発明によれば、光ディスクの温度に応じて
光ビームを制御することにより、周囲温度が変化しても
正しい位１にビットを形成することができる。
さらに第３の発明によれば、光ディスクの温度に応じて
光ビームを制御すると共に、光スポットの走査位置に応
じて光ビームを制御することにより、周囲温度及び光ス
ポットの走査位置が変化しても正しい位置にビットを形
成することができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例による光磁気記録装置を示す
路線的系統図、第２図はその動作の説明に供する特性曲
線図、第３図はその動作の説明に供する信号波形図、第
４図はキューり温度以上の領域を表す路線図、第５図は
基準クロック信号に対する変調磁界の関係を示す信号波
形図、第６図は第２の実施例を示す路線的系統図、第７
図はその問題点の説明に供する信号波形図、第８図はビ
ット形成位置の変化の説明に供する路線図、第９図は光
ビームの照射状態を示すタイムチイヤート、第１０図は
第６図の動作の説明に供する特性曲線図、第１）図は光
磁気ディスクの磁化特性を示す特性曲線図である。 ｌ、３０・・・・・・光磁気記録装置、２・・・・・・
光磁気ディスク、１９・・・・・・遅延回路、３１・・
・・・・位置検出回路、３３・・・・・・温度検出回路
、ＨＭ・・・・・・必要磁界、Ｈ，・・・・・・変調磁
界、Ｔｕ・・・・・・立ち上がり時間、Ｔ８・・・・・
・保持時間。

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）所定の基準クロック信号のタイミングで、順次光
    磁気ディスク上に光スポットを形成すると共に、上記基
    準クロック信号に同期して記録情報に応じて極性が反転
    する所定の変調磁界を印加することにより、上記光磁気
    ディスクに上記記録情報を磁気記録するようになされた
    光磁気記録装置において、 上記基準クロック信号に対する上記変調磁界の極性が反
    転するタイミングを、上記光磁気ディスクに応じて所定
    量だけ遅延させるようにしたことを特徴とする光磁気記
    録装置。
  2. （２）所定の基準クロック信号のタイミングで、順次光
    磁気ディスク上に光スポットを形成すると共に、上記基
    準クロック信号に同期して記録情報に応じて極性が反転
    する所定の変調磁界を印加することにより、上記光磁気
    ディスクに上記記録情報を磁気記録するようになされた
    光磁気記録装置において、 温度検出手段を介して得られる上記光磁気ディスクの温
    度に応じて、上記光スポットを形成する光ビームを照射
    するタイミング、上記光ビームの光量及び照射時間の内
    、いずれか１つ、又は２つ、又は３つを制御するように
    した ことを特徴とする光磁気記録装置。
  3. （３）所定の基準クロック信号のタイミングで、順次光
    磁気ディスク上に光スポットを形成すると共に、上記基
    準クロック信号に同期して記録情報に応じて極性が反転
    する所定の変調磁界を印加することにより、上記光磁気
    ディスクに上記記録情報を磁気記録するようになされた
    光磁気記録装置において、 光スポット位置検出手段を介して得られる上記光磁気デ
    ィスク上における上記光スポットの走査位置に応じて、
    上記光スポットを形成する光ビームを照射するタイミン
    グ、上記光ビームの光量及び照射時間の内、いずれか１
    つ、又は２つ、又は３つを制御するようにした ことを特徴とする特許請求の範囲第２項に記載の光磁気
    記録装置。
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