JP3469432B2 - 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 - Google Patents
導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣ，ＬＳＩ等の半
導体素子を金属フレーム等の基板に接着させる半導体素
子接着用樹脂ペーストに関するものである。
導体素子を金属フレーム等の基板に接着させる半導体素
子接着用樹脂ペーストに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の組立において、半導体素子
を金属フレームに接着させる工程、いわゆるダイボンデ
ィング工程において用いられる接合方式は、これまで金
−シリコン共晶に始まり、半田、樹脂ペーストと推移し
てきた。現在では主にＩＣ，ＬＳＩの組立においては導
電性樹脂ペーストを、トランジスタ、ダイオードなどの
ディスクリートにおいては通常半田を使用している。
を金属フレームに接着させる工程、いわゆるダイボンデ
ィング工程において用いられる接合方式は、これまで金
−シリコン共晶に始まり、半田、樹脂ペーストと推移し
てきた。現在では主にＩＣ，ＬＳＩの組立においては導
電性樹脂ペーストを、トランジスタ、ダイオードなどの
ディスクリートにおいては通常半田を使用している。
【０００３】ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体装置においてはそ
の半導体素子の面積が大きいことから半田に対してより
低応力性が高い樹脂ペーストを使用する方法が行われて
いる。この樹脂ペーストはエポキシ樹脂中にフレーク状
の銀粉が分散されている。しかし導電性樹脂ペーストを
用いる方法では近年の半導体装置において半導体素子と
金属フレームの間の導電性に関する要求は低くなってき
ている。なぜならば近年の半導体装置では半導体素子や
半導体装置のデザインの進歩に伴い、アースを取るため
に半導体素子の裏面から金属フレームに電気を流す構造
が必ずしも必要とされていない。また導電性樹脂ペース
トを通して電気を流すにしてもＩＣ，ＬＳＩでは電流が
２〜３ｍＡ程度の微弱な電流である。この程度の電流で
は樹脂中に金属粉が分散している従来の導電性樹脂ペー
ストでも充分に対応が可能である。
の半導体素子の面積が大きいことから半田に対してより
低応力性が高い樹脂ペーストを使用する方法が行われて
いる。この樹脂ペーストはエポキシ樹脂中にフレーク状
の銀粉が分散されている。しかし導電性樹脂ペーストを
用いる方法では近年の半導体装置において半導体素子と
金属フレームの間の導電性に関する要求は低くなってき
ている。なぜならば近年の半導体装置では半導体素子や
半導体装置のデザインの進歩に伴い、アースを取るため
に半導体素子の裏面から金属フレームに電気を流す構造
が必ずしも必要とされていない。また導電性樹脂ペース
トを通して電気を流すにしてもＩＣ，ＬＳＩでは電流が
２〜３ｍＡ程度の微弱な電流である。この程度の電流で
は樹脂中に金属粉が分散している従来の導電性樹脂ペー
ストでも充分に対応が可能である。
【０００４】導電性樹脂ペースト対し半田は導電性や接
着性に優れ、価格も安価である。この半田を主に使用し
ているダイオード、トランジスタ等のディスクリートで
はその製品の構造上半導体素子と金属フレームの間で電
気を流す必要がある。ところが近年の環境問題から半田
に使用している鉛を使わない方向に各半導体メーカーが
動いており、更に半田を使用する際には必要なフラック
スの洗浄工程が減らすことによるコスト削減の意味から
ＩＣ，ＬＳＩに使用している導電性樹脂ペーストをディ
スクリート用に開発しているが、半導体装置に流れる電
流が２〜３Ａ程度の大電流が流れる製品もあり、従来の
導電性樹脂ペーストでは満足する導電性を得ることがで
きなかった。この点に関しては金属皮膜を施したフィラ
ー（例えばカーボン、シリカ、ガラスビーズ、ポリマ
ー、その他無機フィラー）を配合することにより、大電
流をが流れる半導体製品においても満足な導電性を得る
ことは可能であった。
着性に優れ、価格も安価である。この半田を主に使用し
ているダイオード、トランジスタ等のディスクリートで
はその製品の構造上半導体素子と金属フレームの間で電
気を流す必要がある。ところが近年の環境問題から半田
に使用している鉛を使わない方向に各半導体メーカーが
動いており、更に半田を使用する際には必要なフラック
スの洗浄工程が減らすことによるコスト削減の意味から
ＩＣ，ＬＳＩに使用している導電性樹脂ペーストをディ
スクリート用に開発しているが、半導体装置に流れる電
流が２〜３Ａ程度の大電流が流れる製品もあり、従来の
導電性樹脂ペーストでは満足する導電性を得ることがで
きなかった。この点に関しては金属皮膜を施したフィラ
ー（例えばカーボン、シリカ、ガラスビーズ、ポリマ
ー、その他無機フィラー）を配合することにより、大電
流をが流れる半導体製品においても満足な導電性を得る
ことは可能であった。
【０００５】しかし大電流を流す半導体製品ではこの電
流により、多量の熱を発生し、この発熱が生じることで
導電性樹脂ペーストの温度が高くなる。その場合熱抵抗
により電流が流れにくくなり、半導体製品としての信頼
性を低下させるという結果を招いている。従ってこの様
な導電性には優れるが、熱放散性に劣る導電性樹脂ペー
ストを使用する場合には充分な冷却機構を持った半導体
製品でなければならなかったが、コストアップにつなが
り実用的ではなかった。
流により、多量の熱を発生し、この発熱が生じることで
導電性樹脂ペーストの温度が高くなる。その場合熱抵抗
により電流が流れにくくなり、半導体製品としての信頼
性を低下させるという結果を招いている。従ってこの様
な導電性には優れるが、熱放散性に劣る導電性樹脂ペー
ストを使用する場合には充分な冷却機構を持った半導体
製品でなければならなかったが、コストアップにつなが
り実用的ではなかった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は導電性に優
れ、更に熱放散性にも優れる導電性樹脂ペーストを提供
するものである。
れ、更に熱放散性にも優れる導電性樹脂ペーストを提供
するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は（Ａ）平均粒径
が５〜３０μｍの球状ニッケル粉、（Ｂ）平均粒径が
０．５〜１５μｍの銀粉、（Ｃ）下記（１）または
（２）の一般式からなるアクリル樹脂またはメタクリル
樹脂と、（３）または（４）に示されるアクリル樹脂ま
たはメタクリル樹脂からなり、（３）または（４）に示
される樹脂が全樹脂中０．１〜５０重量％である樹脂成
分、並びに（Ｄ）有機過酸化物を必須成分として、該成
分中に球状ニッケル粉（Ａ）が１０〜９０重量％、銀粉
（Ｂ）が５〜８５重量％含まれており、尚かつ（Ａ）＋
（Ｂ）が８０〜９７重量％であることを特徴とする導電
性樹脂ペースト及び上記の導電性樹脂ペーストを用いて
製造された半導体装置に関するものである。
が５〜３０μｍの球状ニッケル粉、（Ｂ）平均粒径が
０．５〜１５μｍの銀粉、（Ｃ）下記（１）または
（２）の一般式からなるアクリル樹脂またはメタクリル
樹脂と、（３）または（４）に示されるアクリル樹脂ま
たはメタクリル樹脂からなり、（３）または（４）に示
される樹脂が全樹脂中０．１〜５０重量％である樹脂成
分、並びに（Ｄ）有機過酸化物を必須成分として、該成
分中に球状ニッケル粉（Ａ）が１０〜９０重量％、銀粉
（Ｂ）が５〜８５重量％含まれており、尚かつ（Ａ）＋
（Ｂ）が８０〜９７重量％であることを特徴とする導電
性樹脂ペースト及び上記の導電性樹脂ペーストを用いて
製造された半導体装置に関するものである。
【０００８】
【化１】
【０００９】
【化２】
【００１０】
【化３】
【００１１】
【化４】
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の様な半導体用導電性樹脂
ペーストは導電性を付与するために通常フィラーに銀粉
を用いるが、本発明では銀粉だけではなくニッケル粉が
必須である。銀粉にニッケル粉を併用した理由はより導
電性、熱放散性を向上させる場合、当然金属の比率を上
昇させるのが常套手段である。しかし銀粉のみでこの様
な高充填の導電性樹脂ペーストを作製しようとすると作
製時に使用する三本ロールにおけるロールの回転による
機械的な力で銀粉がつぶれてしまい、結果として銀粉が
造粒してしまうため十分に分散されず、導電性、熱放散
性、作業性を著しく低下させてしまう。そこで銀粉にく
らべ機械的に強いニッケル粉を添加することにより銀粉
のつぶれを防ぐものである。しかしつぶれやすい銀粉の
粒径がニッケル粉の粒径より大きいとロールによりつぶ
れる可能性が大きい。そこで本発明では銀粉の粒径はニ
ッケル粉の粒径よりも小さいものが好ましい。一方、ニ
ッケル粉だけで導電性を得ようとすると半導体製品での
信頼性試験における吸湿によりニッケル表面に酸化膜的
な絶縁層が生じるため抵抗が大きくなる。従ってニッケ
ルより化学的な銀を併用し、導電性を維持することが本
発明のポイントである。
ペーストは導電性を付与するために通常フィラーに銀粉
を用いるが、本発明では銀粉だけではなくニッケル粉が
必須である。銀粉にニッケル粉を併用した理由はより導
電性、熱放散性を向上させる場合、当然金属の比率を上
昇させるのが常套手段である。しかし銀粉のみでこの様
な高充填の導電性樹脂ペーストを作製しようとすると作
製時に使用する三本ロールにおけるロールの回転による
機械的な力で銀粉がつぶれてしまい、結果として銀粉が
造粒してしまうため十分に分散されず、導電性、熱放散
性、作業性を著しく低下させてしまう。そこで銀粉にく
らべ機械的に強いニッケル粉を添加することにより銀粉
のつぶれを防ぐものである。しかしつぶれやすい銀粉の
粒径がニッケル粉の粒径より大きいとロールによりつぶ
れる可能性が大きい。そこで本発明では銀粉の粒径はニ
ッケル粉の粒径よりも小さいものが好ましい。一方、ニ
ッケル粉だけで導電性を得ようとすると半導体製品での
信頼性試験における吸湿によりニッケル表面に酸化膜的
な絶縁層が生じるため抵抗が大きくなる。従ってニッケ
ルより化学的な銀を併用し、導電性を維持することが本
発明のポイントである。
【００１３】本発明ではニッケル粉と銀粉の併せた量が
８０〜９７重量％で無ければならない。ニッケル粉と銀
粉を併せた量が８０重量％より少ないと導電性と熱放散
性に劣る。また９７重量％より多いと粘度が高くなり過
ぎ塗布作業性が著しく低下する。球状ニッケル粉が１０
〜９０重量％、銀粉が５〜８５重量％であるのが望まし
い。球状ニッケル粉が１０重量％を下回ると銀粉の造粒
が激しく分散性が著しく低下するため導電性が低下す
る。球状ニッケル粉が９０重量％を越えると吸水後の導
電性が低下するので好ましくない。
８０〜９７重量％で無ければならない。ニッケル粉と銀
粉を併せた量が８０重量％より少ないと導電性と熱放散
性に劣る。また９７重量％より多いと粘度が高くなり過
ぎ塗布作業性が著しく低下する。球状ニッケル粉が１０
〜９０重量％、銀粉が５〜８５重量％であるのが望まし
い。球状ニッケル粉が１０重量％を下回ると銀粉の造粒
が激しく分散性が著しく低下するため導電性が低下す
る。球状ニッケル粉が９０重量％を越えると吸水後の導
電性が低下するので好ましくない。
【００１４】本発明で用いるニッケル粉は球状が望まし
い。本発明の様に高充填にする場合、粒子の形状は球状
の方が比表面積が小さくタップ密度が小さいためより多
くの粒子を充填することができるので好ましい。ニッケ
ル粉の平均粒径は５〜３０μｍが望ましい。粒径がこれ
より小さいと粘度が高くなり金属粉の高充填化は困難に
なる。またこれより大きいと塗布した場合のペースト厚
みが大きくなるため導電性が劣る。
い。本発明の様に高充填にする場合、粒子の形状は球状
の方が比表面積が小さくタップ密度が小さいためより多
くの粒子を充填することができるので好ましい。ニッケ
ル粉の平均粒径は５〜３０μｍが望ましい。粒径がこれ
より小さいと粘度が高くなり金属粉の高充填化は困難に
なる。またこれより大きいと塗布した場合のペースト厚
みが大きくなるため導電性が劣る。
【００１５】本発明に用いる銀粉の平均粒径は０．５〜
１５μｍが望ましい。形状は球状の方がより高充填化が
可能ではあるが、本発明の様な比較的粒径の大きい球状
ニッケル粉を添加により粘度が低下するためフレーク状
の銀粉であっても良好な作業性が得られるため特に限定
するものではない。平均粒径が０．５μｍより小さいと
球状ニッケル粉の添加でもロール混練が不可能、もしく
は混練が可能な場合でも粘度が高過ぎてディスペンスは
おろかスクリーン印刷による塗布も出来ない高い粘度に
なってしまう。逆に平均粒径が１５μｍより大きい粒径
を使用すると粒度分布が非常に狭くなり、流動性が低下
するため、塗れ広がり性が著しく低下するので好ましく
ない。
１５μｍが望ましい。形状は球状の方がより高充填化が
可能ではあるが、本発明の様な比較的粒径の大きい球状
ニッケル粉を添加により粘度が低下するためフレーク状
の銀粉であっても良好な作業性が得られるため特に限定
するものではない。平均粒径が０．５μｍより小さいと
球状ニッケル粉の添加でもロール混練が不可能、もしく
は混練が可能な場合でも粘度が高過ぎてディスペンスは
おろかスクリーン印刷による塗布も出来ない高い粘度に
なってしまう。逆に平均粒径が１５μｍより大きい粒径
を使用すると粒度分布が非常に狭くなり、流動性が低下
するため、塗れ広がり性が著しく低下するので好ましく
ない。
【００１６】本発明に用いる式（１）または、（２）で
示されるアクリル樹脂 、または、メタクリル樹脂は、
低弾性率の特徴を有している。式中のＲ１はメチレン基
・イソプロピレン基のものが工業化されている。また、
式中のＲ２は、エチレン基、イソプロピレン基のものが
工業化されているが、イソプロピレン基のほうが好まし
い。エチレン基を導入した場合、親水性が高く、吸水率
増加の原因となる。また、Ｘ＋Ｙは、ｍ＋ｎは４以上で
あることが好ましい。ｍ＋ｎが４未満であると接着後の
チップの反りが急激に大きくなり、低応力性の特徴がな
くなる。
示されるアクリル樹脂 、または、メタクリル樹脂は、
低弾性率の特徴を有している。式中のＲ１はメチレン基
・イソプロピレン基のものが工業化されている。また、
式中のＲ２は、エチレン基、イソプロピレン基のものが
工業化されているが、イソプロピレン基のほうが好まし
い。エチレン基を導入した場合、親水性が高く、吸水率
増加の原因となる。また、Ｘ＋Ｙは、ｍ＋ｎは４以上で
あることが好ましい。ｍ＋ｎが４未満であると接着後の
チップの反りが急激に大きくなり、低応力性の特徴がな
くなる。
【００１７】全樹脂中に含まれる式（３）または（４）
のアクリル樹脂、または メタクリル樹脂は０．１〜５
０重量％が好ましい。０．１重量％未満では接着強度の
低下が起こり、また、５０重量％以上では硬化時に発生
するアウトガスが増加、汚染性が低下して耐半田クラッ
ク性低下の原因となる。
のアクリル樹脂、または メタクリル樹脂は０．１〜５
０重量％が好ましい。０．１重量％未満では接着強度の
低下が起こり、また、５０重量％以上では硬化時に発生
するアウトガスが増加、汚染性が低下して耐半田クラッ
ク性低下の原因となる。
【００１８】本発明に用いられる有機過酸化物としては
特に限定されるものではなく、例えば１，１，３，３−
テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサネー
ト、ｔ−ブチルパ−オキシ−２−エチルヘキサネート、
ｔ−ヘキシルパ−オキシ−２−エトルヘキサネート、
１，１−ビス（ｔ−ブチルパ−オキシ）−３，３，５−
トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシ
ルパ−オキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサ
ン、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パ−オキシ
ジカーボネート等が挙げられる。これら過酸化物は単独
あるいは硬化性をコントロールするため２種以上を混合
して用いることもできる。さらに、樹脂の保存性を向上
するために各種重合禁止剤を予め添加しておくことも可
能である。
特に限定されるものではなく、例えば１，１，３，３−
テトラメチルブチルパーオキシ−２−エチルヘキサネー
ト、ｔ−ブチルパ−オキシ−２−エチルヘキサネート、
ｔ−ヘキシルパ−オキシ−２−エトルヘキサネート、
１，１−ビス（ｔ−ブチルパ−オキシ）−３，３，５−
トリメチルシクロヘキサン、１，１−ビス（ｔ−ヘキシ
ルパ−オキシ）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサ
ン、ビス（４−ｔ−ブチルシクロヘキシル）パ−オキシ
ジカーボネート等が挙げられる。これら過酸化物は単独
あるいは硬化性をコントロールするため２種以上を混合
して用いることもできる。さらに、樹脂の保存性を向上
するために各種重合禁止剤を予め添加しておくことも可
能である。
【００１９】更に本発明の樹脂組成物には必要に応じて
他の樹脂やシランカップリング剤等の密着性向上成分や
顔料、消泡剤などの各種添加剤を配合することができ
る。本発明の製造方法は例えば各成分を予備混練した
後、三本ロールを用いて混練し、ペーストを得て真空下
脱泡する等の方法が用いられる。
他の樹脂やシランカップリング剤等の密着性向上成分や
顔料、消泡剤などの各種添加剤を配合することができ
る。本発明の製造方法は例えば各成分を予備混練した
後、三本ロールを用いて混練し、ペーストを得て真空下
脱泡する等の方法が用いられる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明を実施例で具体的に説明する。
実施例１
・式（１）に示すＲ1＝Ｃ（ＣＨ3）2、Ｒ2＝ＣＨ2ＣＨ
（ＣＨ3）Ｏ、Ｘ＋Ｙ=２０を有するアクリル樹脂（Ｃ１
成分）、 ・式（２）に示すメタクリル樹脂（Ｃ２成分） ・式（３）に示すａ＝１、ｂ＝１、ｃ＝２を有するアク
リル樹脂（Ｃ３成分）、 ・１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２
−エチルヘキサネート（Ｃ５成分）、 更に平均粒径６、２８μｍの球状ニッケル粉及び平均粒
径１、１３μｍの球状銀粉と平均粒径１３μｍのフレー
ク状銀粉を表１及び表２に示す割合で配合し、３本ロー
ルで混練して導電性樹脂ペーストを得た。この導電性樹
脂ペーストを真空チャンバーにて２ｍｍＨｇで３０分脱
泡後、以下に示す方法により各種性能を評価した。評価
結果を表１に示す。
（ＣＨ3）Ｏ、Ｘ＋Ｙ=２０を有するアクリル樹脂（Ｃ１
成分）、 ・式（２）に示すメタクリル樹脂（Ｃ２成分） ・式（３）に示すａ＝１、ｂ＝１、ｃ＝２を有するアク
リル樹脂（Ｃ３成分）、 ・１，１，３，３−テトラメチルブチルパーオキシ−２
−エチルヘキサネート（Ｃ５成分）、 更に平均粒径６、２８μｍの球状ニッケル粉及び平均粒
径１、１３μｍの球状銀粉と平均粒径１３μｍのフレー
ク状銀粉を表１及び表２に示す割合で配合し、３本ロー
ルで混練して導電性樹脂ペーストを得た。この導電性樹
脂ペーストを真空チャンバーにて２ｍｍＨｇで３０分脱
泡後、以下に示す方法により各種性能を評価した。評価
結果を表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】実施例２〜８
実施例１において、式（３）に示すアクリル樹脂に代え
て式（４）に示すａ＝１、ｂ＝１、ｃ＝２を有するメタ
クリル樹脂（Ｃ４成分）を表１に示す割合で用いる他は
全て実施例１と同様の方法で導電性ペーストを作成し、
各種性能を評価した。評価結果を表１に示す。
て式（４）に示すａ＝１、ｂ＝１、ｃ＝２を有するメタ
クリル樹脂（Ｃ４成分）を表１に示す割合で用いる他は
全て実施例１と同様の方法で導電性ペーストを作成し、
各種性能を評価した。評価結果を表１に示す。
【００２３】粘度：Ｅ型粘度計（３°コーン）を用い、
２５℃、２．５ｒｐｍでの測定値。 体積抵抗率：スライドガラス上にペーストを幅４ｍｍ、
厚み３０μｍに塗布し、１２０℃オーブン中で６０分間
硬化した後の硬化物の体積抵抗率を測定した。 垂直体積抵抗率：銅フレーム上にペーストをペースト塗
布し、２Ｘ２ｍｍの銅板を１２０℃オーブン中で６０分
間硬化した後の銅板表面と銅フレームの間の電圧を求
め、そこから硬化物の垂直体積抵抗率を算出した。又温
度８５℃、湿度８５％の恒温糟に１６８時間放置した後
の垂直体積抵抗率も測定した。 ３５０℃熱時接着強度：２ｍｍ角のシリコンチップをペ
ーストを用いて銅フレームにマウントし１８０℃オーブ
ン中で６０分間硬化した。硬化後、プッシュプルゲージ
を用い３５０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。 拡がり性：銅フレームにペーストを塗布し、室温に１時
間放置してシリコンチップをマウントした時にチップの
端までペーストが広がるか評価した。 総合評価：粘度、体積抵抗率及び熱時接着強度の全てを
良好なものを○、１つでも不満足なものを×とした。
２５℃、２．５ｒｐｍでの測定値。 体積抵抗率：スライドガラス上にペーストを幅４ｍｍ、
厚み３０μｍに塗布し、１２０℃オーブン中で６０分間
硬化した後の硬化物の体積抵抗率を測定した。 垂直体積抵抗率：銅フレーム上にペーストをペースト塗
布し、２Ｘ２ｍｍの銅板を１２０℃オーブン中で６０分
間硬化した後の銅板表面と銅フレームの間の電圧を求
め、そこから硬化物の垂直体積抵抗率を算出した。又温
度８５℃、湿度８５％の恒温糟に１６８時間放置した後
の垂直体積抵抗率も測定した。 ３５０℃熱時接着強度：２ｍｍ角のシリコンチップをペ
ーストを用いて銅フレームにマウントし１８０℃オーブ
ン中で６０分間硬化した。硬化後、プッシュプルゲージ
を用い３５０℃での熱時ダイシェア強度を測定した。 拡がり性：銅フレームにペーストを塗布し、室温に１時
間放置してシリコンチップをマウントした時にチップの
端までペーストが広がるか評価した。 総合評価：粘度、体積抵抗率及び熱時接着強度の全てを
良好なものを○、１つでも不満足なものを×とした。
【００２４】比較例１〜９
表２に示す配合割合で実施例と全く同様にして導電性樹
脂ペーストを作製した。
脂ペーストを作製した。
【００２５】
【表２】
【００２６】表１及び表２の結果から明らかなように、
本発明に従えば導電性に優れる樹脂ペーストを得ること
ができる。
本発明に従えば導電性に優れる樹脂ペーストを得ること
ができる。
【００２７】
【発明の効果】本発明の導電性樹脂ペーストは半導体素
子と金属フレーム間の導電性が良好で、尚かつダイボン
ディング時のペーストの濡れ拡がり性が良好で、銅、４
２合金等の金属フレーム、セラミック基板、ガラスエポ
キシ等の有機基板へのＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の接
着に用いることができる。
子と金属フレーム間の導電性が良好で、尚かつダイボン
ディング時のペーストの濡れ拡がり性が良好で、銅、４
２合金等の金属フレーム、セラミック基板、ガラスエポ
キシ等の有機基板へのＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子の接
着に用いることができる。
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(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｃ０９Ｊ 171/00 Ｃ０９Ｊ 171/00
// Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｈ０１Ｌ 21/52 Ｅ
(56)参考文献 特開 平３−160077（ＪＰ，Ａ)
特開 平６−100804（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−302510（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−307110（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−283211（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C09J 9/02
C08F 290/04
C08K 3/08
C08L 33/14 - 33/16
C09J 133/14 - 133/14
C09J 171/00 - 171/08
H01L 21/52
Claims (2)
- 【請求項１】 （Ａ）平均粒径が５〜３０μｍの球状ニ
ッケル粉、（Ｂ）平均粒径が０．５〜１５μｍの銀粉、
（Ｃ）下記（１）または（２）の一般式からなるアクリ
ル樹脂またはメタクリル樹脂と、（３）または（４）に
示されるアクリル樹脂またはメタクリル樹脂からなり、
（３）または（４）に示される樹脂が全樹脂中０．１〜
５０重量％である樹脂成分、並びに（Ｄ）有機過酸化物
を必須成分として、該成分中に球状ニッケル粉（Ａ）が
１０〜９０重量％、銀粉（Ｂ）が５〜８５重量％含まれ
ており、尚かつ（Ａ）＋（Ｂ）が８０〜９７重量％であ
ることを特徴とする導電性樹脂ペースト。 【化１】 【化２】 【化３】 【化４】 - 【請求項２】 請求項１記載の導電性樹脂ペーストを用
いて製造された半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16777997A JP3469432B2 (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16777997A JP3469432B2 (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1112551A JPH1112551A (ja) | 1999-01-19 |
| JP3469432B2 true JP3469432B2 (ja) | 2003-11-25 |
Family
ID=15855961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16777997A Expired - Lifetime JP3469432B2 (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 導電性樹脂ペースト及びこれを用いて製造された半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3469432B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2847722B2 (ja) * | 1988-06-24 | 1999-01-20 | ソニー株式会社 | 光磁気記録装置 |
| JP3503736B2 (ja) * | 1998-05-27 | 2004-03-08 | 住友ベークライト株式会社 | ダイアタッチペースト |
| JP3985433B2 (ja) * | 2000-06-27 | 2007-10-03 | 日立化成工業株式会社 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| JP4600429B2 (ja) * | 2007-05-28 | 2010-12-15 | 日立化成工業株式会社 | 樹脂ペースト組成物及びこれを用いた半導体装置 |
| DE102009040076A1 (de) * | 2009-09-04 | 2011-03-10 | W.C. Heraeus Gmbh | Metallpaste mit Oxidationsmittel |
| DE102010044329A1 (de) * | 2010-09-03 | 2012-03-08 | Heraeus Materials Technology Gmbh & Co. Kg | Kontaktierungsmittel und Verfahren zur Kontaktierung elektrischer Bauteile |
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| WO2017066563A1 (en) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | Henkel IP & Holding GmbH | Use of nickel and nickel-containing alloys as conductive fillers in adhesive formulations |
-
1997
- 1997-06-24 JP JP16777997A patent/JP3469432B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1112551A (ja) | 1999-01-19 |
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