WO1989012889A1 - Magnetooptical recording apparatus - Google Patents

Description

光 本発明は、 光磁気記録装技置に閲し、 例えば記録情報を光^気ディ 気明

スク上に重書き記録し得るよ景う になされた光磁気記録装置に適用 し 己

て好適なものである - 書

術

η

置

従来、 光磁気記録装置においては、 光磁気ディ スクの磁気特性が キュ リ ー温度 T C を境にして大き く 変化する こ とを利用 して、 所望 の記録情報を磁気記録するよう になされている。

すなわち、 第 1 図に示すよ う に、 光磁気ディ スク においては、 そ Ο垂直 化膜の保 ¾力 H c がキュ ー温度丁 (： て急 ¾に减 ίί;する - 従って、 垂直磁化膜は.、 一旦キュ リ ー温度 T _c 以上に暖めた後、 外部磁界を印加してキュ リ ー温度 T c 以下に冷却する こ とにより、 外部磁界の向きに配向される。

かかる磁化原理に基づいて、 光磁気記録装置においては、 光ビー ムを連続的に照射して光磁気ディ スク上に光スポ ッ トを走査させる こ とにより、 光磁気ディ スク上の所定領域をキュ リ ー温度 T _c 以上 に暖める と もに、 磁気へ 'ン ドを用いて所定の基準ク 口 ッ ク信号のタ ィ ミ ングで記録情報に応じて極性が反転する変調 界を印加する。

Ζ 5 このよう にすれば'、 光スポッ トが照射された領域は、 一旦キユ リ 一温度 T c 以上に暖められた後、 自然冷却するよう になされ、 キュ リ一温度 T _c を横切るタ ィ ミ ングで当該領域に印加された変調磁界 の向きに配向される。

かく して、 既に磁化パター 'ンが形成されている場合でも、 ク ロ つ ク信号の周期で、 光スポ ッ トの走查軌跡に変調磁界に応じて配向し た微少領域 （以下ピツ ト と呼ぶ) を順次形成し得、 これによ り所望 の記録情報を重書き記録するよう になされている。

と 二ろで、 光ビー を照射した後自然冷却する場合においては , 光スボ ッ トで走査した後キュ リ一温度丁。 以下に温度降下するまて の時間が光磁気デイ スク 自体の温度特性に応じて変化し、 この場合 光磁気ディ スク 自体の温度特性に応じて基準ク ロ ン ク信号に対して ピッ トの形成位置が変化する問題がある。

従って、 例えば予め光磁気デイ スク上に形成されたプリ ピッ トか ら基準ク D ッ ク信号を形成する場合、 当該プリ ビッ トに対してピッ トの形成位置が変化し、 プリ ビ ッ トを基準にした記録情報 再生が 困難になる すなわち、 プリ ピソ トから得られる再生信号の位相に 対して、 位相ずれが発生する。

さらに、 腠接する ビッ ト との間で配向の変化を確実に検出して記 録情報を確実に再生するためには、 隠接するピッ ト間で配向が急峻 に反転する磁化パターンを形成する必要がある。

徒って、 光ビームを連続的に照射する場合においては、 変調磁界 を形成する磁気へッ ド及び当該磁気へッ ドを駆動する駆動回路と し て周波数特 ¾の優れたものを選択して、 変調磁 Ψ,の 性を急 '激に反 転させる必要があり、 その分全体の構成が複雑になる問題がある 本発明は、 以上の点を考慮してなされたもので、 所定の基準ク ロ ソ ク信号のタ イ ミ ングて、 順次光磁気ディ ス ク上に光スポ ッ 卜 を形 成する ともに、 上記基準ク ロ ッ ク信号に同期して記録情報に応じて 極性が反転する所定の変調磁界を印加する こ とにより、 上記光磁気 , デ ィ ス ク に上記記錄情報を磁気記録するよ う になされた光磁気記録 装置において、 全体と して簡易な構成で、 基準ク ン ク信号のタ イ ミ ングに対して、 正しい位置に ピッ トを形成でき るよ う にする こ と を目的と している。 発 明 の 開 示 上述の目的を達成するために、 第 1 の発明では、 所定の基準ク ロ ッ ク信号のタ イ ミ ングで、 順次光磁気ディ スク上に光スポ ッ トを形 成する ともに、 上記基準ク 口 ッ ク信号に同期して記録情報に応じて 極性が反転する所定の変調磁界を印加する こ と により 、 上記光磁気 ディ ス ク に上記記録情報を磁気記録するよう になされた光 i気記録 装置において、 上記基準ク D ッ ク信号に対する上記変調磁界 o極性 が反転するタ イ ミ ングを、 上記光磁気ディ スクに応じて所定量だけ 遅延させるよう にする _e このよう に基準ク ロ ッ ク信号に対する変調 , 磁界の極性が反転するタ イ ミ ングを光磁気デイ スクに応じて所定量 だけ遅延させる こ とにより、 光ビームが照射された領域を必要磁界 で確実に配向させる こ とができ、 全体と して簡易な構成で、 上記基 準ク ロ ッ ク信号のタイ ミ ングに対して正しい位置に ピ ソ トを形成す る こ とか'てき るよつ に る。

, また、 第 2 の発明では、 所定の基準ク ロ ッ ク信号のタ イ ミ ングで 順次光磁気ディ スク上 光スポッ トを形成する と もに、 上記基準ク π ック信号に同期して記録情報に応じて極性が反転する所定の変 jij 磁界を印加する こ とにより、 上記光磁気デイ スクに上記記錄情報を 磁気記録するようになされた光磁気記録装置において、 温度検出手 段を介して得られる上記光磁気ディ スクの温度に応じて、 上記光ス ポ ッ トを形成する光ビームを照射するタィ ミ ング、 上記光ビーム & 光量及び照射時間のう ちの少な く ともいづれか 1 つを制御する。 このよう に光磁気デイ スク の温度に) εじて光ビームを制御する こ と により、 周囲温度が変化しても正しい位置にビッ トを形成するこ と ができるよ になる。

さらに、 第 3 の発明では、 所定の基準ク c? ッ ク信号のタ イ ミ ンダ て、 順次光铰気ディ スク上に光スボ ッ トを形成する ともに、 上記基 準ク ロ ッ ク信号に同期して記録情報に応じて極性が反転する所定の 変調磁界を印加する こ とにより、 上記光磁気ディ スクに上記記録情 報を磁気記録するようになされた光磁気記 I 装置において、 光ス y ト位置検 ¾手段を介して得られる上記光 気テ 4 ス 上 おける 上記光スボ ン ト 走查位置に応 て、 上記光スボ トを形成する光 ビームを照射するタイ ミ ング、 上記光ビームの光量及び照射時間 G う ちの少な く ともいづれか 1 つを制御する。 このよう に光スポ ッ ト の走查位置に応じて光ビームを制御することにより、 光スポ ッ トの 走査位置が変化しても正しい位置にピッ トを形成する こ とができる ようになる。

さ らに、 第 4 の発明では、 所定の基準ク 口 ッ ク信号のタイ ミ ング て、 順次光磁気デイ スク上に光スポ フ トを形成する ともに、 上記基 準ク 口 yク信号に同期して記録情報に応. て極性が反転する所定 変調磋界を印加する こ とによ り 、 上記光磁気テ ィ ス ク に上記記録情 報を ill気記録するよ う になざれた光磁気記錄装置において、 温度検 出手段を介して得られる上記光 ίϋ気デ ィ ス ク の温度及び光スボ ッ ト 位置検出手段を介して得られる上記光磁気デ ィ ス ク上における上記 光スポ ソ ト の走査位置に応じて、 上記光ス ポ ッ トを形成する光ビー ムを照射するタ イ ミ ング、 上記光ビームの光量及び照射時間のう ち の少な く ともいづれか 1 つを制御する。 このよう に光 ί2気デイ ス ク の温度及び光スボ ッ 卜 の走查位置に応じて光ビー を制御する こ と によ 、 周囲温度及び光スポ ッ 卜の走査位置が変化して も正しい 置に ピ ノ ト を形成する こ とかでき る よ う にな る _c 図面の簡単な説明

第 1 図は光磁気ディ スクの一般的な磁化特性を示す特性曲線 H、 第 2図は本癸明に係る光磁気記録装置の第 1 の実施例の構成を示す ブ ' ：,' ク図、 第 3図は上記第 〗 の実施例に招いる光磁気デ ィ ス ク c: 特性例を示す特性曲線！:、 第 4 図は上記第 1 Ο実施 |¾の動作 説 に供する信号波形図、 第 5図は上記第 1 の実施例における光ス ポ 卜の走査軌跡上のキュ リ ー温度以上の領域を表す模式図、 第 6図 上記第 1 の実施例における基準ク D ッ ク信号に対する変調磁界の閬 係を示す信号波形図、 第 7図は本発明に係る光磁気記録装置の第 2 の実施例の構成を示すプロ ッ ク図、 第 8図は上記第 2 の実施例の動 作の説明に供する信号波形図、 第 9図は上記第 2 Ο実施例における ピッ トの形成位置の変化の説明に倶する模式 113、 第 1 0図は上記第 2 の実施例における光ビームの照射状態を示すタ ィ ミ ングチ ヤ ー ト、 第 I 1図は上記第 2 の実施例における再生信号の位相ずれ ©状態を 示す特性曲線図である。 発明を実施するための最良の形態 以下図面について、 本発明の一実施例を詳述する。

本発明に係る光磁気記録装置の第 1 の実施例の構成を示す第 2図 のブロ ック図において、 1 は全体として光磁気記録装置を示し、 例 えばボリ カーボネー ト、 ガラス等でなる透明保護基^ 4 に垂直 ¾化 膜 5を被着してなる光磁気デイ スク 2が、 スピン ト-ルモータ 3 にて 駆動されて、 所定の HI転速度で画転するようになされている。

上記光磁気デイ スク 2 は、 所定の角度間隔で配置されたサーボ領 域に予め所謂サンプルフォーマ ッ トのサ一ボパターンが形成され、 当該サ ンプルフ ォーマ ツ トのサーボパターンから得られる再生信号 に基づいて、 記録情報の書き込み及び読み岀し用の基準ク口 ック信 号が得られるようになされている _e

さらに、 上記光磁気ディ スク 2 、 最内周にコ ン トロール トラ ッ クを有し、 当該光磁気ディ スク 2の磁気特性及び温度特性の情報が 上記コ ン トコールトラ ックに予め記録されるようになっている。

すなわち、 上記光磁気ディスク 2は、 磁気へッ ドに与える電流値 が大き く なつて舛部磁界が強くなれば、 再生信号の 比が向上 してやがて飽和する例えば第 3図に示すような特性を有し、 この飽 和点の磁界強度 H _H が磁気特性の情報として記録されている。 以下. 上記飽和点の笾 II強度 Κ _Η を必要磁界と云う。

さらに、 上記光磁気ディ スク 2には、 当該光 気デ スク 2を所 定の基準温度に保持した状態で所定の光量分布の光スポ ッ トを基準 ク ロ ッ ク信号に同期して所定期間照射した際に、 光スポ ッ トを照射 した領域の温度がキュ リ ー温度 T _c に上昇するまでの時間情報、 ピ ーク温度情報及びピーク温度からキュ リ ー温度 T c に降下するまで の時間情報等が、 当該光磁気デイ スク 2 の温度特性の情報と して記 録されている。

上記光磁気ディ ス ク 2 に照射する光ビーム を出射する半導 体レーザ 8 は、 レーザ駆動回路 7 にて駆動される。 上記レ一ザ驱 回路 7 は、 制御回路 1 5 にて与え られる制御信号 S _{C 1}によ り 、 上記 光ビーム の光量を切り換える と と もに、 連続駆動状態からパ ルス駆動状態に切り換えるよ う になされており、 上記パルス 動状 態ではク ロ ッ ク信号発生回路 1 4 にて与えられる第 4 図の（A ) に示 す如き基準ク ロ 'ン ク信号 S _{C K}に同期して第 4 図の（B ) に示すよ う に 間欠的に上記半導体レーザ 8 を駆動するよう になっている。

さ らに、 こ の光磁気記録装置 1 において、 上記半導体レーザ 8 が 出射する光ビーム L A , は、 コ リ メ ータ レ ンズ〔；、 偏光ビ一ム スプ リ ッ タ 1 0及び対物レ ンズ 1 1 を介して上記光磁気デ イ ス ク 2 上に 集光され、 上記光磁気ディ スク 2 による反射ビームが上記対物レ ン ズ 1 1 、 偏光ビームスプリ ッタ 1 0及び集光レ ンズ 1 2 を介して光 ディ テクタ 1 3 に導かれるよう になつている。

また、 上記ク ロ ッ ク信号発生回路 1 4 は、 上記光ディ テクタ 1 3 にて得られる再生信号 S _{0 U T} を受け、 このう ちサーボ領域から得ら れる再生信号に基づいて、 記録情報の書き込み及び読み出し用の基 準ク α ッ ク信号 S _{C K}を出力する。

さ らに、 上記制御回路 1 5 は、 上記再生信号 S。„ を信号処理回 路 ί 6 にて復調するこ とによ り得られる上記光磁気デイ スク 2 気特性及び温度特性の情報を受け、 当該磁気特性及び温度特性の情 報に基づいて、 上記レーザ駆動回路 7、 遅延回路 1 9及びへッ ド¾ 動回路 2 0 の動作を切換制御する。

そして、 上記制御回路 1 5 は、 記録モー ドになると制御信号 S _{C 1} を上記レーザ駆動回路 7 に出力して、 上記光磁気デイ スク 2 ©サー ボ領域に対応する期間中は上記レーザ躯動回路 7 にて上記半導体レ 一ザ 8を連続駆動させ、 上記サーボ領域に光ビーム L A ₁ を連統的 に照射して上記サーボ領域より基準ク ·> ク信号 S- _{C K}とともに トう ッキングエラー信号を得、 これにより光スポッ トの ト ラ ッキング制 御を行う図示しない トラ ツキングサ一ボ系を動作させる制御を行う < また、 上記制御面路 1 5 は、 上記サーボ領域以外の領域 対応する 期間中は上記レーザ駆動回路 7 にて上記半導体レーザ 8から出射さ れる先ビーム L A , を所定光量に切り換えるとともに上記半導体レ 一ザ 8をパルス駆動させて、 第 4図 0 (B) に示すように上記基準ク ク信号 S _{C K}が立ち上がるタィ ミ ング毎の所定期間 T -_t の間上記 半導体い一ザ Sより光ビーム L A , を出射させ、 上記サーボ領玆 外の領壊に光ビーム L A , を間欠的に照射する制御を行う。

この場合、 第 5図に示すように、 光スボッ トの走行軌跡の中心 T R C上においては、 光スポッ トの走査方向を X軸方向にとって、 キ ユリ一温度 T _c 以上に温度上异する頜域 A R T _c とその温度上昇及 び温度降下に要する時間の閬係を表すことができる。

すなわち、 光ビーム の照射開始の時点 及び終了の時点 t 2 で形成される光スポ ッ ト S P , 及び S P ₂ の一部が重なり合う 場合、 光スポ ソ トの走查方向 X においては、 光ビーム L A , が照射 された領域よ り も内側の長さ Lの範囲の領域 A R T _c か、 キュ リ ー 温度丁。 以上に上昇する。

このとき、 光ビーム L A , の照射開始の時点 t , を基準に して表 すと、 光スポ ッ ト S P！ 及び S P ₂ が重なり合う領域 A R , _zは、 上 記所定期間丁， の間連続して光ビーム L A , が照射される こ とから 最も短時間でキュ リ 一温度 T_c 以上に温度上昇し、 最も長時間でキ ユ リ一温度丁 c 以下に温度降下する。

これに対して、 光スポ ッ ト S P , 及び S P ₂ が重なり合わない^ 域においては、 上記重なり合う領域 A R , ₂から離れるに従って温 上昇に要する時間が長 く なる と ともに、 温度降下に要する時間が短

、 る。

以上のこ とから、 上記長さ Lの領域 A R T _C を必要磁界 H _H で確 実に配向させるためには、 上記長さ Lの領域 A R T _c の一部でキュ リ ー温度丁 C 以下の温度降下が始まる時点 I D Sで必要磁界 H H を印 加する と と もに、 上記時点 t _DSから上記長さ Lの領域 A R Τ ,. の全 てがキ ュ リ 一温度 T _c 以下に温度降下する時点 t _{D S}まで〇期間 T _H o , 変調 S界の強度を必要磁界 以上に保持すれば良いこ と； 判る。

以下、 光ビーム L A , の照射開始の時点 から上記長さ Lの領 域の一部でキュ リ ー温度 T_c 以下の温度降下が始まる時点 t _{D S}まて の期間を立上がり時間 Tu と云い、 また、 上記時点 t _DSから上記畏 さ Lの領域の全てがキュ リ ー温度 T_c 以下に温度降下する時点 t _DS までの期間 T_H を保持時間と云う。

このよう に、 光磁気ディ スクでは、 その 気特性及び温度特性に 応じて上記立上がり時間 Τυ 及び保持時間 Τ _Η が異なる こ とから . 基準ク口 ンク信号 S _{C K}に対して変調磁界が必要磁界 H _H に立ち上が るまでの期間及び必要磁界 H _H に立ち下がるまでの期間を光磁気デ イ スクの磁気特性及び温度特性に応じて可変制御すること より、 光ビーム L A _t が照射された領域を必要磁界 H _H で確実に配向させ ることができる。

その結果、 基準ク ロ ック信号 S _{C K}のタイ ミ ングで光ビーム L A i が照射されることから、 上記基準ク 口 ック信号 S C Kのタイ ミ ングに 対して、 正しい位置に必要磁界 Η _κ で配向されたピッ トを形成する こ とができ、 この場合サーボ領域に形成されたサ ンブルフ； Γ一マ ツ トのピッ トに対して上記基準ク ロ ッ ク信号 S _{C K}の周期で違梡する ピ ッ トを形成することができる。

因みに、 違続的に光ビームを照射する場合、 光磁気ディ スクの磁 気特性及び温度特性だけでなく、 上記光ビームの照射により、 ピッ トを形成した周辺の領域が著しく温度変化し、 これにより続いて形 成するピ 'ノ ト形成位置が変化する問題がある。

上道ように半導体レーザ 8から間欠的に光ビーム L A , を照射す ることにより、 連続-的に光ビームを照射する場合に比し

を形成した周囲の領域の温度変化を低減し得、 その分当該温度変化 によるピッ ト形成位置のずれを未然に防止することができ、 併せて 上記半導体レーザ 8の信頼性を向上するこ とができる。

このためこの第 1 の実施例においては、 コ ン ト ロール- トラ ッ クに 記録された光磁気ディ スク 2の磁気特性及び温度特性の情報に基づ いて、 上記光磁気ディ スク 2 の立上がり時間 T _u 及び保持時間 T _H を得、 これにより基準ク ロ ゾ ク信号 S _{C K}に対する変調磁界のタィ ミ ングを可変制御するようになされている。 すなわち、 こ の第 1 の実施例において、 変調回路 1 8 は、 例えば 第 6図の（A) に示す如き記録情報信号 S _D を受けて、 当該記録情報 信号 S _D の信号レベルに応じて所定の傾きで極性が反転する第 6 図 の（B) に示す如き記録信号 S _{RE C} を形成し、 遅延回路 1 9 を介して へッ ド駆動回路 2 0 に出力する。

上記制御回路 1 5 は、 上記光磁気デ ィ ス ク 2 の磁気特性及び温度 特性の情報に基づいて、 上記遅延回路 1 9及びへッ ド躯動回路 2 0 に制御信号 S _C2を出力し、 上記遅延回路 1 9 の遅延時間 T _{D L}及び上 記へッ ド駆動回路 2 0 ©増幅率を可変制御する。

すなわち、 上記へッ ド駆動回路 2 0 の増幅率を可変制御する こ と により、 第 6 図の（C) に示すよう に、 磁気へッ ド 2 1 によ って形成 される変調磁界 H_M が保持時間 T_H 以上の期間の間、 必要^界 H _H 以上になるよう に設定する。

さ らに、 上記遅延回路 1 9 の遅延時間 T_DLを可変制御する こ と に よ り、 第 6図の（D) に示す基準ク ロ ッ ク信号 S _{C K}に対して立上がり 時間 だけ遅れて、 上記変調磁界 Η Μ が必要磁界 Κ _η 以上に立ち 上がるよ つ にする。

かく して、 光スポ ソ トの走査軌跡に順次所望のピッ トを形成する こ とができ、 例えば第 3図の（C) に示す記録情報信号 S _D に応じた 第 3図の（D) に示す変調磁界 H_M により、 第 3図の（E) に示すよ う に光スポ ッ トの走査軌跡にピッ ト Pが順次形成される。 ·

こ の実施例では、 上記基準ク 口 ッ ク信号 S _CKに対して上記立上が り時間 Tu だけ遅延させて上記変調磁界 ii _M を必要磁界 H _H 以上に 立ち上げる と もに、 上記変調 ί2界 H_M を保持時間丁 H 以上の間だけ 必要磁界 H _H 以上に保持すれば良いので、 変調磁界の極性を急峻に 変化させる場合に比して、 その分、 全体として簡易な構成の光 気 記録装置を得るこ とができる。 従って、 その分磁気へッ ドを躯動す る駆動西路として周波数特性の優れたものを選択すれば、 従来に比 してさらに一段と記録密度の高い光磁気記録装置を得ることができ る。

以上の構成において、 光ビーム L A , は、 光磁気ディ スク 2のサ ーボ領域から得られる基準クロ ック信号 S _CKのタイ ミ ングで上記光 磁気デイ スク 2に照射され、 これにより上記光磁気デイ スク 2上に 間欠的に光スポッ トが形成される。

これに対して変調磁界 H _M は、 コ ン ト ロ ールトラ ックに記録され た光磁気ディ スク 2の磁気特性及び温度特性の情報に基づいて、 上 記遅延回路 1 9 ©遅延時間 T_DL及び上記へッ ド駆動回路 0の增輻 率が可変制御されることにより、 上記基準ク ロ - ク信号 S に対し て上記立上がり時間 Tu だけ遅れて必要磁界 Η κ 以上に立ち上がつ た後、 保持時間 Τκ だけ経過して必要磁界 Η_κ 以下に立ち下がる。

かく して、 上記光ビーム L A , の照射された領域が必要磁界 Η_Η 以上の変調 界 Η_Η で配向され、 これによ 上記基準ク ロ ック if号 S _CKのタィ ミ ングに対して、 正しい位置に上記必要磁界 H_H 以上の 変調磁界 で配向されたピッ ト Pを形成することができる。

以上の構成によれば、 光磁気ディスクの磁気特性及び温度特性の 情報に基づいて、 上記遅延回路 1 9 の遅延時間 T_DL及び上記へッ f 駆動回路 2 0の増幅率を光磁気ディ スクに応じて可変制御すること により、 立上がり時間 T_L' だけ遅れて必要磁界 ίΙ _Η 以上に立ち上が つた後、 保持時 Τ Η だけ経過して必要磁界 Η _η 以下に立ち下がる 変調磁舁 を得て、 光ビームが照射された領域を確実に必要磁界 K Η 以上の強度で配向させる こ とがてき る。

かく して、 この第 1 の実施例では、 全体と して簡易な構成て、 莶 準ク ロ ッ ク信号 S c _κのタ イ ミ ングに対して、 正しい位置にピ ッ ト Ρ を形成する こ とができ る。

, 次に、 本発明に係る光磁気記録装置の第 2 の実施例の構成を示す 第 7 図のブロ ッ ク図において、 3 0 は全体と して光磁気記録装置を 示し、 光磁気ディ スクに応じて変調磁界を遅延させる と ともに、 当 該光磁気ディ スク の温度及び光スポ ソ ト の走査位置に応じて光ビー ムを制御するよう に したものである。

, すなわち、 第 8図の（Α) に示す記録情報信号 S _D に応じて極性が 反転する第 8図の（B) に示す変調磁界 H _M を印加した状態て、 第 8 図の（C) に示す基準ク ロ ッ ク信号 S _CKに同期して第 8図の（D) に示 すよう に間欠的に光ビーム L A , を照射する場合、 上記光ビーム L A , が照射される光磁気デ ィ ス ク上の温度は、 当該光磁気デ ィ ス ク

, の周囲温度から立ち上がった後周囲温度まで立ち下がるのて 、 上 光ビー L A , が照射された領域は、 第 8図の（D) に示すよ う な 度変化 丁を呈する

従って、 光磁気デ ィ ス ク の周囲温度を T _ENv で表すと、 上記温度 変化 Δ Tが T c - T EKV 以上に大き く なると変調矻界 H K で配向さ

。 れて第 8図の（E) に示すよう にピッ ト Pが形成され、 上記周囲温度

T ES が変化する と、 上記周囲温度 T ENV の変化に伴ってビ ッ ト 形成位置が変化する問題がある。

すなわち、 例えば上記周囲温度 T _{E K V} が温度 Δ Τ _{Ε ΚΝ} だけ高 く な つて光笾気ディ ス ク の温度が高 く なる と、 少ない温度上昇 Δ Τてキ , ュ ：：一温度丁 c に立ち上がるよう になり、 第 8図 Θ (Ε) に破線で示 すように、 ピツ ト形成位置が光スボッ トの走查方向とは逆方向に移 動する。 .

その結果、 ピッ トを正しい位置に形成し得なく なり、 例えば周囲 温度 T E N V が上昇すると、 第 8図の（E ) に示すように再生信号 S. _{R F} ©位相が位相差 Δ 0だけ進む結果となる。

これに対し、 光磁気ディスクが角速度一定で回転している場合、 内周側の方が外周側に比して線速度が遅く なるこ とにより、 単位面 積当たりの光ビームの照射強度が増加し、 その分立上がり時間 T U が短く なる _e

従って、 第 9図に示すように、 内周側で立上がり時間丁 L. が短く なった分、 ピツ ト Pの形成位置が正しい形成位置から変化し、 この 場合も再生信号 S _{R F}の位相が位相差 Δ 0だけ進み位相となる問題力 ある。

そこで、 この第 2の実施例においては、 上述の第 1 の実施例と同 様に、 光磁気デイ スク 2に応じて変調磁界 H _H を遅延させる こ とに より、 上記光磁気ディ スク 2 © 気特性及び温度特性に応したピツ ト形成位置の変化を未然に防止するとともに、 係せて上記光 気デ イ スク 2 の温度及び光スボッ トの走查位置に応じて光ビー L A , を制御することにより、 上述の周囲温度 T _{E N V} および光スボ ,' トの 走查位置に応じたピッ ト形成位置の変化を未然に防止するようにな されている。

なお、 光ビーム L A i の照射強度 W _P 又は照射時間 T _w の制御量 が大きい場合は、 その量に応じて変調磁界の遅延量も変化させる必 要がある。

すなわち、 第 1 0図及び第 1 1図に示すように、 光ビーム L A , を照射するタ イ ミ ング （基準ク ロ 'ノ ク信号 S _CKに対する遅延時間 Δ t で表す） を内 111側で運 く する こ と によ り 、 内周側及び外周側でピ ト形成位置を正しい位置に保持し得、 再生信号 S _RFの位相ずれを 防止する こ とができる - 同様に、 上記光ビーム L A, の照射期間 T_w を内周側で短 く する こ とによ り 、 その分立ち上がり時間 を長く し得、 再生信号 S _RF の位相ずれを防止する こ とができ る。

さ らに、 上記光ビーム L A ₁ の照射強度 W_F を内周側で小さ く す れば、 同様に立ち上がり時間丁 し' を長 く し得、 これによ り再生信号 S _{R F}の位相ずれを防止する こ とができ る。

また、 周囲温度 T_ENV の変化に応じて光ビーム L A , の照射タ イ ミ ング、 照射期間 T_w 又は照射強度 W_P を切り換える こ とによ り、 ピ ソ ト形成位置を正しい位置に保持し得、 再生信号 S _RFの位相ずれ を防止する こ とができ る。

そこで、 この第 2の実施例においては、 上記光ビーム L A , の照 射タ イ ミ ング、 照射期間 Τ 及び照射強度 W_P の う ち、 上記光ビー L A , の照射期間 Τκ 及び照射強度 W_P を制御して、 ビ ·.. ト形成 位置を正しい位置に保持するよ う になされている。

なお、 こ の第 2 の実施例において、 上述の第 1 の実施例と同一の 構成要素については、 同一符号を第 7図中に付して、 その詳細な説 明を省略する。

すなわち、 こ の第 2 ©実施例の光磁気記録装置 3 0において、 位 置検出回路 3 1 は、 光磁気デイ スク 2 の半径方向に移動する記録再 生へ ッ ド （すなわち、 半導体レーザ 8、 コ リ メ一タ レ ンズ S、 偏光 ピームスプリ ッ タ 1 0及び対物レ ンズ 1 1 からなる光ビーム L A , の照射光学系と、 集光レ ンズ 1 2及び光ディテクタ 1 3を舍んでな る反射光ビームの受光光学系と、 磁気へッ ド 2 1 の全体を指す） O 位置に応じて抵抗値が変化するポテンショ メータで構成するように なされ、 これにより光スポッ トの走查位置を検出して制御回路 3 2 に出力するようになされている。

また、 温度検出回路 3 3 は、 上記光磁気デイ スク 2近傍の温度を 検出するこ とにより、 当該光磁気ディ スク 2 の温度を検出し、 その 検出結果を上記制御回路 3 2に出力する。

上記制御回路 3 2 は、 上記光磁気ディ スク 2 ©磁気特性及び温度 特性の情報を受け、 当該磁気特性及び温度特性の情報に基づいてレ 一ザ躯動回路 7、 遅延回路 1 9及びへッ ド躯動回路 2 0 の動作を制 御することにより、 上記磁気特性及び温度特性によるピ 'ン ト形成位 置の変化を未然に防止する。

なお、 上記制御回路 3 2 にて上記へッ ド驱動回路 2 0 のみならず 変調磁界の遅延回路 1 9をも制御するこ とにより、 光ビーム L A , の照射された領域を確実に必要磁界 H H 以上の強度で配向させる 二 とができる .

さ らに、 上記制御回路 3 2 は、 上記位置検出回路 3 1及び温度検 出回路 3 3 にて得られる各検出結果に応じて、 上記光ビーム L A , を照射する期間 T _w び上記光ビーム L A , の照射強度 W _F を制御 し、 これにより正しい位置にピッ トを形成させる。

かく して、 この実施例の光磁気記録装置では、 上記光磁気ディ ス ク 2の周囲温度 T _{E K V} が変化しても、 正しい位置にビッ トを形成す るこ とができるから、 当該光磁気記録装置の使用温度範囲を極めて 広 く する ことができる。 さ らに、 光スポ ッ ト の走査位置が変化しても、 正しい位置にピッ トを形成する こ とができ るから、 光磁気デ ィ ス ク 2 の記録容量をそ の分大き く する こ とができる。

因みに、 こ のよ う に光ビーム L A , の照射期間丁 _w 及び照射強度 W _F を制御すれば、 ビッ トの形成位置を正しい位置に保持するだけ でな く 、 併せてピッ トの横方向すなわち隣接 ト ラ ッ ク の方向の広か りを所定値に保持する こ と もできる。

この第 2 の実施例の光磁気記録装置 3 0 では、 光磁気デ ィ ス ク 2 の温度検出結果に応じて、 上記光ビー ©照射期間丁 及 ' 照射強度 W _P を制御する こ とによ り 、 当該光磁気デ ィ ス ク 2 の温庋 が変化しても正しい位置にピッ トを形成する こ とがてき る。

さ らに、 光スポ ッ ト の走査位置を検出し、 その検出結果に応じて 上記光ビーム L A , の照射期間 T _w 及び照射強度 W _F を制御する 二 とにより、 光スポ ッ ト の走査位置が変化しても正しい位置にピ ソ ト を形成する こ とができ る。

なお、 上述の各実施例においては.， コ ン ト ロ ール ト ラ ッ ク に記 された光^気デイ スク 2 の磁気特性及び温度特性の情報 ！；ついて . 遅延回路 1 9 の遅延時間及びへッ ド 動回路 2 0 の増幅率を可変制 御する場合について述べたが、 本発明は、 光磁気デ ィ ス ク のコ ン ト ロール ト ラ ッ クに記録された磁気特性及び温度特性の情報に限らず、 要は光磁気ディ スクの磁気特性及び温度特性に応じて遅延時間及 ' 増幅率を設定すれば良 く 、 他の入力手段を介して磁気特性及び温度 特性の情報を入力する場合、 さ らには光磁気記録装置に装着され 光磁気デ ィ ス ク に応じて予め遅延時間及び増幅率を設定してお く 場 合等広 く 適用する こ とができ る。 また、 上述の各実施例においては、 上記遅延回路 1 9 の遅延時間 に加えて上記へッ ド駆動回路 2 0 の増幅率を可変制御する場合につ いて述べたが、 変調磁界の強度が実用上十分な範面で得られる場合 は、 遅延時間だけを可変するようにしても良い。 この場合、 コ ^ ト ロール ト ラ ッ ク には、 光磁気デイ スクの温度特性だけを記録すれば 良い。

さらに、 上述の各実施例においては、 光磁気ディ スク 2 ©温度特 性の情報としてキュリー温度 T _c に上昇するまでの時間情報、 ビー ク温度情報及びピーク温度からキュ リー温度 T _c に降下するまでの 時間情報等を記録する場合について述べたが、 温度特性はこれに P¾ られず、 例えば立上がり時間及び保持時間等の温度特性の情報を記 録するようにして良い。

また、 上述の第 2の実施例においては、 ポテ ンショ メータを用い て光スボ ッ トの走查位置を検出する場合について述べたか、 走查位 置の検出手段はこれに限らず-、 例えば記録 トラ ッ クのァ ト'レスデ一 タに基づいて-. 光スポ ッ トの走查位置を検出するように して も良い; さらに、 上述の第 2の実施例においては、 光ビー L A i の照射 タイ ミ ング、 照射期間 T _w 及び照射強度 W _P のう ち、 上記光ビーム L A 照射期間 Τ _κ 及び照射強度 W _F を制御してビッ ト形成位置を 正しい位置に保持する場合について述べたが、 本発明はこれに限ら ず-、 光ビーム L A _t の照射タイ ミ ング、 照射期間 T _w 及び照射強度 W _P のうちの 1つ、 又はこれらうちの 2つ、 又は全てを制御するよ うにしても良い。

さらに、 上述の第 2 の実施例においては、 光磁気ディ ス ク 2に応 じて変諝¾!界11 « を遅延させるとともに、 併せて上記光磁気デイ ス ク 2 の温度及び光スポ ッ ト の走査位置に応じて光ビーム L A , を制 御する場合について述べたが、 本発明はこれに限らず、 必要に応じ て変調磁界 Η _Μ の遅延手段を省略する場合、 さ らには光磁気デイ ス ク 2 の温度及び光スポ ッ ト の走査位置にのう ち、 1 つについて光.ビ ーム L A , を制御する場合等広 く 適用する こ とができる。

Claims

請 求 の 範 囲

(1 ) 所定の基準ク π ッ ク信号のタイ ミ ングで、 順次光磁気ディ ス.ク 上に光スポッ トを形成する ともに、 上記基準ク 口 ッ ク信号に同期し て記録情報に応じて極性が反転する所定の変調磁界を印加する こ と により、 上記光 気ディ スクに上記記録情報を磁気記録するように なされた光 気記録装置において、

上記基準ク ロ ク信号に対する上記変調 异の極性が反転するタ イ ミ ングを、 上記光磁気デイ スクに応じて所定量だけ遅延させるよ う にしたこ とを特徵とする光磁気記録装置。

(2) 所定の基準ク ロ ッ ク信号のタ ィ ミ ングて、 順次光磁気ディ スク 上に光スポッ トを形成する ともに、 上記基準ク 口 yク信号に同期し て記録情報に応じて極性が反転する所定の変諷磁界を印加する こ と により、 上記光磁気ディ スク に上記記録情報を磁気記録するよ う に なされた光磁気記録装置において、

温度検岀手段を介して得られる上記光磁気デ ィ スク o温度に^じ て、 上記光スポ ッ トを形成する光ビームを照射するタイ ミ ング、 上 記光ビームの先量および照射時間のう ちの少な く ともいづれか 1 つ を制御するようにしたこ とを特徴とする光磁気記録装置。

(3) 所定の基準クロ ック信号のタ イ ミ ングで、 順次光磁気ディ スク 上に光スポ ッ トを形成する ともに、 上記基準ク 口 ッ ク信号に同期し て記録情報に応じて fe性が反転する所定の変調磁界を印加する こ と により、 上記光磁気ディ スクに上記記録情報を磁気記録するよう に なされた光磁気記録装置において、 光ス ボ ノ ト位置検出手段を介して得られる上記光磁気ディ スク上 における上記光スボ ッ ト の走査位置に応じて、 上記光スポ ッ トを形 成する光ビームを照射するタ ィ ミ ング、 上記光ビームの光量および 照射時間のう ちの少な く ともいづれか 1 つを制御するよう に した.二

, とを特徵とする光磁気記録装置。

(4 ) 所定の基準ク ロ ッ ク信号のタ イ ミ ングで、 順次光 S気ディ ス ク 上に光スポ ソ トを形成する と もに、 上記基準ク ロ ッ ク信^に同期し て記録情報に応じて極性が反転する所定の変調 界を印加する こ と ：こより . 上記光磁気ディ スク に上記記绿情報を 気記録するよ う に

, なされた光磁気記録装置において、

温度検出手段を介して得られる上記光磁気デ ィ スク Ο温度及び光 スポ ッ ト位置検出手段を介して得られる上記光磁気デ ィ ス ク 上にお ける上記光スポ ッ 卜 の走査位置に応じて、 上記光ス ボ ッ 卜 を形成す る光ビームを照射するタ イ ミ ング、 上記光ビームの光量および照射

, 時間のう ちの少な く と もいづれか 1 つを制御するよ う に した こ とを 特徴とする光磁気記録装置。

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