JP2838342B2 - 第３級炭化水素シリル化合物の製造方法 - Google Patents
第３級炭化水素シリル化合物の製造方法Info
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
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- C07F7/0896—Compounds with a Si-H linkage
Landscapes
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- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は工業的に有利かつ容易に
第３級炭化水素シリル化合物を製造する方法に関するも
のである。
第３級炭化水素シリル化合物を製造する方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】文献J.Org.Chem.,43,3649(1954) には、
第３級炭化水素基を珪素原子に結合させる方法として、
第３級アルキルリチウムを使用する方法が開示されてい
る。この方法による場合、第３級アルキルリチウムをい
ったん製造し、それを珪素化合物と反応させる。第３級
アルキルリチウムを製造するには、１９０℃という高融
点の金属リチウムを溶融し、さらにこれを有機溶媒中に
直径数μｍの大きさで分散させ、アルキル化する工程が
必要である。ここで使用される金属リチウムは、非常に
活性度が高く、取扱いには十分に注意しなければならな
い。そのため、第３級アルキルリチウムの合成には特殊
な装置が必要となる。その上、第３級アルキルリチウム
は空気と接触するだけで自然発火するので大量に取扱う
場合には危険度が高いというような多くの不利を伴う。
第３級炭化水素基を珪素原子に結合させる方法として、
第３級アルキルリチウムを使用する方法が開示されてい
る。この方法による場合、第３級アルキルリチウムをい
ったん製造し、それを珪素化合物と反応させる。第３級
アルキルリチウムを製造するには、１９０℃という高融
点の金属リチウムを溶融し、さらにこれを有機溶媒中に
直径数μｍの大きさで分散させ、アルキル化する工程が
必要である。ここで使用される金属リチウムは、非常に
活性度が高く、取扱いには十分に注意しなければならな
い。そのため、第３級アルキルリチウムの合成には特殊
な装置が必要となる。その上、第３級アルキルリチウム
は空気と接触するだけで自然発火するので大量に取扱う
場合には危険度が高いというような多くの不利を伴う。
【０００３】このような第３級アルキルリチウムの製造
工程を必要としない第３級炭化水素シリル化合物を合成
する方法が、特開昭６０−２２２４９２号公報に開示さ
れている。
工程を必要としない第３級炭化水素シリル化合物を合成
する方法が、特開昭６０−２２２４９２号公報に開示さ
れている。
【０００４】同公報に開示された方法によると、水素原
子とハロゲン原子とが珪素原子に直接結合したハイドロ
ジェンハロゲノシランに、第３級アルキルグリニャール
試薬を反応させ、第３級炭化水素シリル化合物を合成す
る。第３級グリニャール試薬は特殊な装置を必要とする
ことなく製造できる上、自然発火性もない。そのため、
この方法による第３級炭化水素シリル化合物の製造は有
望視されている。
子とハロゲン原子とが珪素原子に直接結合したハイドロ
ジェンハロゲノシランに、第３級アルキルグリニャール
試薬を反応させ、第３級炭化水素シリル化合物を合成す
る。第３級グリニャール試薬は特殊な装置を必要とする
ことなく製造できる上、自然発火性もない。そのため、
この方法による第３級炭化水素シリル化合物の製造は有
望視されている。
【０００５】しかしこの方法であっても、反応速度が遅
過ぎるという問題点が残っている。特に、非エーテル系
の溶剤の使用下では反応を完結させることが難しく、実
質的に製造効率が非常に低いという問題点があった。
過ぎるという問題点が残っている。特に、非エーテル系
の溶剤の使用下では反応を完結させることが難しく、実
質的に製造効率が非常に低いという問題点があった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記の問題点
を解決するため、第３級アルキルグリニャール試薬とハ
イドロジェンハロゲノシランとの反応速度を高め、工業
的に有効に第３級炭化水素シリル化合物を製造できる方
法を提供することを課題とする。
を解決するため、第３級アルキルグリニャール試薬とハ
イドロジェンハロゲノシランとの反応速度を高め、工業
的に有効に第３級炭化水素シリル化合物を製造できる方
法を提供することを課題とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を達成するた
め、本発明の第３級炭化水素シリル化合物の製造方法
は、一般式Ｒ1ＭｇＸ1 で示すグリニャール試薬と一般
式Ｘ2 mＲ2 nＳｉＨ4-m-nで示す珪素化合物とを、ハロゲ
ン化銅、銅錯化合物および／または４級アンモニウム塩
の存在下、非プロトン性の不活性有機溶媒中で反応させ
る。ただし、式中、Ｒ1 は第３級炭化水素基、Ｘ1 はハ
ロゲン原子を示す。Ｘ2 もハロゲン原子であり、前記Ｘ
1 と同一であってもよく異なっていてもよい。ｍは１、
２または３である。Ｒ2 は１価炭化水素基を示す。ｎは
０、１または２、ｍ＋ｎ≦３である。なお、ｎが２のと
き、Ｒ2 は互いに同種でもよく異種でもよい。
め、本発明の第３級炭化水素シリル化合物の製造方法
は、一般式Ｒ1ＭｇＸ1 で示すグリニャール試薬と一般
式Ｘ2 mＲ2 nＳｉＨ4-m-nで示す珪素化合物とを、ハロゲ
ン化銅、銅錯化合物および／または４級アンモニウム塩
の存在下、非プロトン性の不活性有機溶媒中で反応させ
る。ただし、式中、Ｒ1 は第３級炭化水素基、Ｘ1 はハ
ロゲン原子を示す。Ｘ2 もハロゲン原子であり、前記Ｘ
1 と同一であってもよく異なっていてもよい。ｍは１、
２または３である。Ｒ2 は１価炭化水素基を示す。ｎは
０、１または２、ｍ＋ｎ≦３である。なお、ｎが２のと
き、Ｒ2 は互いに同種でもよく異種でもよい。
【０００８】本発明では、一般式Ｘm-1 Ｒ1 Ｒ2 nＳｉＨ
4-m-n で示す第３級炭化水素シリル化合物を製造する。
4-m-n で示す第３級炭化水素シリル化合物を製造する。
【０００９】上記の製造に当たって、本発明ではＲ1 Ｍ
ｇＸ1 で示すグリニャール試薬を使用する。式中のＲ1
は、ｔ−ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，
１−ジエチルプロピル基などの第３級アルキル基であ
る。この第３級アルキル基Ｒ1は、例えば１，１−ジメ
チル−２−フェニルエチル基などのようにアリール基を
含んでいるアルキル基でもよい。Ｘ1 は塩素、臭素など
のハロゲン原子である。
ｇＸ1 で示すグリニャール試薬を使用する。式中のＲ1
は、ｔ−ブチル基、１，１−ジメチルプロピル基、１，
１−ジエチルプロピル基などの第３級アルキル基であ
る。この第３級アルキル基Ｒ1は、例えば１，１−ジメ
チル−２−フェニルエチル基などのようにアリール基を
含んでいるアルキル基でもよい。Ｘ1 は塩素、臭素など
のハロゲン原子である。
【００１０】このようなグリニャール試薬としては、具
体的には、ｔ−ブチルマグネシウムクロライド、ｔ−ブ
チルマグネシウムブロマイド、1,1 −ジメチルプロピル
マグネシウムクロライド、1,1 −ジエチルプロピルマグ
ネシウムクロライド、1,1 −ジメチル−２−フェニルエ
チルマグネシウムクロライドなどを例示できる。
体的には、ｔ−ブチルマグネシウムクロライド、ｔ−ブ
チルマグネシウムブロマイド、1,1 −ジメチルプロピル
マグネシウムクロライド、1,1 −ジエチルプロピルマグ
ネシウムクロライド、1,1 −ジメチル−２−フェニルエ
チルマグネシウムクロライドなどを例示できる。
【００１１】また、この第３級炭化水素基グリニャール
試薬と反応させる珪素化合物は、一般式Ｘ2 mＲ2 nＳｉＨ
4-m-n で示すことができる。式中のＲ2 としては、メチ
ル基、エチル基、プロピル基などのアルキル基が挙げら
れ、ビニル基、アリル基などのアルケニル基が挙げら
れ、フェニル基などのアリール基などが挙げられる。更
にこれらの基の炭素原子に結合している水素原子の一部
または全部をシリルエーテル基、ピラニルエーテル基、
ハロゲン原子等で置換した基も挙げられる。Ｘ2は塩
素、臭素などのハロゲン原子である。
試薬と反応させる珪素化合物は、一般式Ｘ2 mＲ2 nＳｉＨ
4-m-n で示すことができる。式中のＲ2 としては、メチ
ル基、エチル基、プロピル基などのアルキル基が挙げら
れ、ビニル基、アリル基などのアルケニル基が挙げら
れ、フェニル基などのアリール基などが挙げられる。更
にこれらの基の炭素原子に結合している水素原子の一部
または全部をシリルエーテル基、ピラニルエーテル基、
ハロゲン原子等で置換した基も挙げられる。Ｘ2は塩
素、臭素などのハロゲン原子である。
【００１２】このような珪素化合物としては、具体的に
は、トリクロロシラン、メチルジクロロシラン、ジメチ
ルクロロシラン、メチルクロロシラン、エチルジクロロ
シラン、フェニルジクロロシラン、クロロメチルジクロ
ロシラン等を例示できる。
は、トリクロロシラン、メチルジクロロシラン、ジメチ
ルクロロシラン、メチルクロロシラン、エチルジクロロ
シラン、フェニルジクロロシラン、クロロメチルジクロ
ロシラン等を例示できる。
【００１３】本発明では上記のような化合物の反応にあ
たり、ハロゲン化銅、銅錯化合物や４級アンモニウム塩
を触媒として使用する。この場合の触媒としては、塩化
銅、塩化第２銅、臭化銅、臭化第２銅、ヨウ化銅などの
ハロゲン化銅を例示でき、テトラクロロ銅（ＩＩ）酸リ
チウム（化学式、Ｌｉ2ＣｕＣｌ4）、クロロシアノ銅
（Ｉ）酸リチウム（化学式、ＬｉＣｕ（ＣＮ）Ｃｌ）な
どの銅錯化合物も例示できる。４級アンモニウム塩とし
てはテトラブチルアンモニウムクロライド、テトラブチ
ルアンモニウムブロマイド、トリ−ｎ−オクチルメチル
アンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムサ
ルフェイトなどを例示できる。これらは単独で用いても
よく、組み合わせて用いてもよい。
たり、ハロゲン化銅、銅錯化合物や４級アンモニウム塩
を触媒として使用する。この場合の触媒としては、塩化
銅、塩化第２銅、臭化銅、臭化第２銅、ヨウ化銅などの
ハロゲン化銅を例示でき、テトラクロロ銅（ＩＩ）酸リ
チウム（化学式、Ｌｉ2ＣｕＣｌ4）、クロロシアノ銅
（Ｉ）酸リチウム（化学式、ＬｉＣｕ（ＣＮ）Ｃｌ）な
どの銅錯化合物も例示できる。４級アンモニウム塩とし
てはテトラブチルアンモニウムクロライド、テトラブチ
ルアンモニウムブロマイド、トリ−ｎ−オクチルメチル
アンモニウムクロライド、テトラメチルアンモニウムサ
ルフェイトなどを例示できる。これらは単独で用いても
よく、組み合わせて用いてもよい。
【００１４】触媒量は、上記珪素化合物に対して０．１
〜１０モル％、好ましくは０．５〜５％使用するとよ
い。
〜１０モル％、好ましくは０．５〜５％使用するとよ
い。
【００１５】グリニャール試薬と珪素化合物との反応は
非プロトン性の不活性有機溶媒中で行なう。この場合の
有機溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、トルエン、キシレ
ン等の炭化水素系溶媒などを例示できる。これらは単独
で用いてもよく、２種以上互いに組み合わせ、混合溶媒
で用いてもよい。その中でも特に、テトラヒドロフラン
等のエーテル系溶媒を使用した場合は、室温下に短時間
で反応を完結させることができ、製造時間の短縮および
エネルギーコストの削減になって好ましい。キシレン等
の炭化水素系溶媒とエーテル系溶媒とを混合して用いる
と、高性能であっても高価なエーテル系溶媒の実質的な
節減になり、製造コストの低減を計ることができて好ま
しい。
非プロトン性の不活性有機溶媒中で行なう。この場合の
有機溶媒としては、ジエチルエーテル、テトラヒドロフ
ラン等のエーテル系溶媒、ヘキサン、トルエン、キシレ
ン等の炭化水素系溶媒などを例示できる。これらは単独
で用いてもよく、２種以上互いに組み合わせ、混合溶媒
で用いてもよい。その中でも特に、テトラヒドロフラン
等のエーテル系溶媒を使用した場合は、室温下に短時間
で反応を完結させることができ、製造時間の短縮および
エネルギーコストの削減になって好ましい。キシレン等
の炭化水素系溶媒とエーテル系溶媒とを混合して用いる
と、高性能であっても高価なエーテル系溶媒の実質的な
節減になり、製造コストの低減を計ることができて好ま
しい。
【００１６】なお、本反応に当たっては、好ましくは、
これらの有機溶媒中にヨウ素を混入させると更によい。
これらの有機溶媒中にヨウ素を混入させると更によい。
【００１７】反応温度は１０〜１５０℃、好ましくは４
０〜１００℃が好ましい。また、好ましくは窒素、アル
ゴン等の不活性雰囲気で行なうとよい。反応系に酸素が
存在するとグリニャール試薬が酸素と反応し、収率低下
の原因ともなって好ましくない。
０〜１００℃が好ましい。また、好ましくは窒素、アル
ゴン等の不活性雰囲気で行なうとよい。反応系に酸素が
存在するとグリニャール試薬が酸素と反応し、収率低下
の原因ともなって好ましくない。
【００１８】上記のような反応によると、一般式Ｘm-1
Ｒ1 Ｒ2 nＳｉＨ4-m-n で示す第３級炭化水素シリル化合
物を得ることができる。
Ｒ1 Ｒ2 nＳｉＨ4-m-n で示す第３級炭化水素シリル化合
物を得ることができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明の第３級炭化水素シリル化合物の
製造方法は、触媒として銅化合物または４級アンモニウ
ム塩を用いるので、第３級アルキルグリニャール試薬と
ハイドロジェンハロゲノシランとの反応速度を高め、反
応を容易に完結させ、工業的にも有効に第３級炭化水素
シリル化合物を製造することができる。
製造方法は、触媒として銅化合物または４級アンモニウ
ム塩を用いるので、第３級アルキルグリニャール試薬と
ハイドロジェンハロゲノシランとの反応速度を高め、反
応を容易に完結させ、工業的にも有効に第３級炭化水素
シリル化合物を製造することができる。
【００２０】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。
【００２１】実施例１ ５００ｍｌのフラスコ中に金属マグネシウム１２．２ｇ
（０．５モル）、テトラヒドロフラン３００ｍｌおよび
少量のヨウ素を仕込み、窒素ガス雰囲気下にｔ−ブチル
クロライド４６．３ｇ（０．５モル）を内温４０℃〜５
０℃で１時間かけて滴下し、更に５５℃で１時間引き続
き撹拌した。グリニャール試薬としてのｔ−ブチルマグ
ネシウムクロライド液が得られた。
（０．５モル）、テトラヒドロフラン３００ｍｌおよび
少量のヨウ素を仕込み、窒素ガス雰囲気下にｔ−ブチル
クロライド４６．３ｇ（０．５モル）を内温４０℃〜５
０℃で１時間かけて滴下し、更に５５℃で１時間引き続
き撹拌した。グリニャール試薬としてのｔ−ブチルマグ
ネシウムクロライド液が得られた。
【００２２】次に、このグリニャール試薬液中に臭化銅
０．７２ｇ（５ミリモル）を添加した後、室温下でメチ
ルジクロロシラン５７．５ｇ（０．５モル）を１時間で
滴下し、更に続けてそのまま１時間撹拌した。得られた
生成物をガスクロマトグラフィーで調べた。メチルジク
ロロシランはほぼ１００％の転化率でｔ−ブチルメチル
クロロシランに変わっていた。得られたこの反応液を減
圧下に濾過し、次いで蒸留を行ない、８５℃〜９５℃の
留分を採取した。５０．６ｇのｔ−ブチルメチルクロロ
シランが得られた。収率は７４％だった。
０．７２ｇ（５ミリモル）を添加した後、室温下でメチ
ルジクロロシラン５７．５ｇ（０．５モル）を１時間で
滴下し、更に続けてそのまま１時間撹拌した。得られた
生成物をガスクロマトグラフィーで調べた。メチルジク
ロロシランはほぼ１００％の転化率でｔ−ブチルメチル
クロロシランに変わっていた。得られたこの反応液を減
圧下に濾過し、次いで蒸留を行ない、８５℃〜９５℃の
留分を採取した。５０．６ｇのｔ−ブチルメチルクロロ
シランが得られた。収率は７４％だった。
【００２３】比較例１ 実施例１と同様にグリニャール試薬を合成し、次いで、
臭化銅を使用しなかったという点以外は実施例１と同様
の方法で、そのグリニャール試薬とメチルジクロロシラ
ンとを反応させた。得られた生成物についてガスクロマ
トグラフィーで調べた。メチルジクロロシランのｔ−ブ
チルメチルクロロシランへの転化率は２６％だった。
臭化銅を使用しなかったという点以外は実施例１と同様
の方法で、そのグリニャール試薬とメチルジクロロシラ
ンとを反応させた。得られた生成物についてガスクロマ
トグラフィーで調べた。メチルジクロロシランのｔ−ブ
チルメチルクロロシランへの転化率は２６％だった。
【００２４】実施例２ テトラヒドロフランの量を３００ｍｌでなく、１５０ｍ
ｌとした以外は実施例１と同様にし、グリニャール試薬
であるｔ−ブチルマグネシウムクロライドを得た。
ｌとした以外は実施例１と同様にし、グリニャール試薬
であるｔ−ブチルマグネシウムクロライドを得た。
【００２５】次に、このグリニャール試薬液中に１５０
ｍｌのキシレン及び臭化銅０．７２ｇ（５ミリモル）を
添加した後、室温下でメチルジクロロシラン５７．５ｇ
（０．５モル）を１時間かけて滴下し、更に還流下に１
時間撹拌した。ガスクロマトグラフィーでメチルジクロ
ロシランのｔ−ブチルメチルクロロシランへの転化率を
調べた。転化率は９９％だった。この反応液を減圧下に
濾過した後、蒸留を行ない、８５℃〜９５℃の留分を採
取した。４７．８ｇのｔ−ブチルメチルクロロシランが
得られた。収率は７０％だった。
ｍｌのキシレン及び臭化銅０．７２ｇ（５ミリモル）を
添加した後、室温下でメチルジクロロシラン５７．５ｇ
（０．５モル）を１時間かけて滴下し、更に還流下に１
時間撹拌した。ガスクロマトグラフィーでメチルジクロ
ロシランのｔ−ブチルメチルクロロシランへの転化率を
調べた。転化率は９９％だった。この反応液を減圧下に
濾過した後、蒸留を行ない、８５℃〜９５℃の留分を採
取した。４７．８ｇのｔ−ブチルメチルクロロシランが
得られた。収率は７０％だった。
【００２６】比較例２ 実施例２と同様にしてグリニャール試薬液を合成した。
次いで、臭化銅を使用しなかったという点以外は実施例
２と同様の方法でグリニャール試薬とメチルジクロロシ
ランとの反応を行なった。ガスクロマトグラフィーでメ
チルジクロロシランのｔ−ブチルメチルクロロシランへ
の転化率を調べた。転化率は７７％だった。
次いで、臭化銅を使用しなかったという点以外は実施例
２と同様の方法でグリニャール試薬とメチルジクロロシ
ランとの反応を行なった。ガスクロマトグラフィーでメ
チルジクロロシランのｔ−ブチルメチルクロロシランへ
の転化率を調べた。転化率は７７％だった。
【００２７】実施例３ 実施例２と同様にしてグリニャール試薬液を合成した。
次いで、臭化銅の代わりにテトラ−ｎ−ブチルアンモニ
ウムブロマイド１．６ｇ（５ミリモル）を使用した以外
は、実施例２と同様の方法でグリニャール試薬とメチル
ジクロロシランとの反応を行なった。ガスクロマトグラ
フィーでメチルジクロロシランのｔ−ブチルメチルクロ
ロシランへの転化率を調べた。転化率は９９％だった。
この反応液を減圧下に濾過し、蒸留を行なって８５℃〜
９５℃の留分を採取した。45.8ｇのｔ−ブチルメチルク
ロロシランが得られた。収率は６７％だった。
次いで、臭化銅の代わりにテトラ−ｎ−ブチルアンモニ
ウムブロマイド１．６ｇ（５ミリモル）を使用した以外
は、実施例２と同様の方法でグリニャール試薬とメチル
ジクロロシランとの反応を行なった。ガスクロマトグラ
フィーでメチルジクロロシランのｔ−ブチルメチルクロ
ロシランへの転化率を調べた。転化率は９９％だった。
この反応液を減圧下に濾過し、蒸留を行なって８５℃〜
９５℃の留分を採取した。45.8ｇのｔ−ブチルメチルク
ロロシランが得られた。収率は６７％だった。
【００２８】実施例４ 実施例１と同様にグリニャール試薬を合成した。次に、
このグリニャール試薬液中に塩化銅０．４９ｇ（５ミリ
モル）を添加した後、室温下にトリクロロシラン６７．
７ｇ（０．５モル）を１時間で滴下し、更に続けて１時
間撹拌した。得られた生成物をガスクロマトグラフィー
で調べた。トリクロロシランはほぼ１００％の転化率で
ｔ−ブチルジクロロシランに変わっていた。得られたこ
の反応液を減圧下に濾過し、次いで蒸留を行ない、１１
５℃〜１２５℃の留分を採取した。４４．０ｇのｔ−ブ
チルジクロロシランが得られた。収率は５６％であっ
た。
このグリニャール試薬液中に塩化銅０．４９ｇ（５ミリ
モル）を添加した後、室温下にトリクロロシラン６７．
７ｇ（０．５モル）を１時間で滴下し、更に続けて１時
間撹拌した。得られた生成物をガスクロマトグラフィー
で調べた。トリクロロシランはほぼ１００％の転化率で
ｔ−ブチルジクロロシランに変わっていた。得られたこ
の反応液を減圧下に濾過し、次いで蒸留を行ない、１１
５℃〜１２５℃の留分を採取した。４４．０ｇのｔ−ブ
チルジクロロシランが得られた。収率は５６％であっ
た。
【００２９】実施例５ 実施例１と同様にグリニャール試薬を合成した。このグ
リニャール試薬液中に臭化銅０．７２ｇ（５ミリモル）
を添加し、次に、室温下ジメチルクロロシラン４７．３
ｇ（０．５モル）を一時間で滴下し、更に続けて１時間
撹拌した。ガスクロマトグラフィーにてジメチルクロロ
シランのｔ−ブチルジメチルシランへの転化率を調べた
ところ９９％であった。得られたこの反応液へ水を加え
てテトラヒドロフランを抽出除去し、その後蒸留を行な
って８５℃〜８７℃の留分を採取した。４９．３ｇのｔ
−ブチルジメチルシランが得られた。収率は８４．８％
だった。
リニャール試薬液中に臭化銅０．７２ｇ（５ミリモル）
を添加し、次に、室温下ジメチルクロロシラン４７．３
ｇ（０．５モル）を一時間で滴下し、更に続けて１時間
撹拌した。ガスクロマトグラフィーにてジメチルクロロ
シランのｔ−ブチルジメチルシランへの転化率を調べた
ところ９９％であった。得られたこの反応液へ水を加え
てテトラヒドロフランを抽出除去し、その後蒸留を行な
って８５℃〜８７℃の留分を採取した。４９．３ｇのｔ
−ブチルジメチルシランが得られた。収率は８４．８％
だった。
【００３０】比較例３ 触媒である臭化銅を使用しないこと以外は、実施例５と
同様の方法で反応を行ない、同様にガスクロマトグラフ
ィーにてジメチルクロロシランのｔ−ブチルジメチルシ
ランへの転化率を調べた。転化率は８％であった。
同様の方法で反応を行ない、同様にガスクロマトグラフ
ィーにてジメチルクロロシランのｔ−ブチルジメチルシ
ランへの転化率を調べた。転化率は８％であった。
【００３１】実施例１〜５、比較例１〜３から、グリニ
ャール試薬と珪素化合物とを銅化合物または４級アンモ
ニウム塩との存在下で反応させると、高収率で、迅速
に、第３級炭化水素シリル化合物が得られることが分か
った。
ャール試薬と珪素化合物とを銅化合物または４級アンモ
ニウム塩との存在下で反応させると、高収率で、迅速
に、第３級炭化水素シリル化合物が得られることが分か
った。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 遠藤 幹夫 新潟県中頸城郡頸城村大字西福島28番地 の１ 信越化学工業株式会社合成技術研 究所内 (56)参考文献 特開 平３−31290（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−263187（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C07F 7/08 - 7/12
Claims (3)
- 【請求項１】 一般式Ｒ1ＭｇＸ1（Ｒ1 は第３級炭化
水素基、Ｘ1 はハロゲン原子）で示すグリニャール試
薬と、一般式Ｘ2 mＲ2 nＳｉＨ4-m-n （Ｘ2 はハロゲン原
子で前記Ｘ1 と同一または異種、ｍは１、２または３、
Ｒ2 は１価炭化水素基、ｎは０、１または２、ｍ＋ｎ≦
３、ただし、ｎが２のときＲ2 は同一または異種）で示
す珪素化合物とを、ハロゲン化銅、銅錯化合物および／
または４級アンモニウム塩の存在下、非プロトン性の不
活性有機溶媒中で反応させることを特徴とする一般式Ｘ
m-1Ｒ1Ｒ2 nＳｉＨ4-m-nで示す第３級炭化水素シリル化
合物の製造方法。 - 【請求項２】 前記ハロゲン化銅が、塩化銅、塩化第２
銅、臭化銅、臭化第２銅、ヨウ化銅から選ばれ、前記銅
錯化合物がテトラクロロ銅（ＩＩ）酸リチウム（Li2CuC
l4）、クロロシアノ銅（Ｉ）酸リチウム（ＬｉＣｕ（Ｃ
Ｎ）Ｃｌ）から選ばれることを特徴とする請求項１に記
載の第３級炭化水素シリル化合物の製造方法。 - 【請求項３】 前記４級アンモニウム塩が、テトラブチ
ルアンモニウムクロライド、テトラブチルアンモニウム
ブロマイド、トリ−ｎ−オクチルメチルアンモニウムク
ロライド、テトラメチルアンモニウムサルフェイトから
なる物質から選ばれる１以上の物質である請求項１に記
載の第３級炭化水素シリル化合物の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4225382A JP2838342B2 (ja) | 1991-11-13 | 1992-08-25 | 第３級炭化水素シリル化合物の製造方法 |
| US07/974,989 US5294727A (en) | 1991-11-13 | 1992-11-12 | Method for preparing tertiary hydrocarbon-silyl compounds |
| DE69220179T DE69220179T2 (de) | 1991-11-13 | 1992-11-12 | Verfahren zur Herstellung von Tertiär-Kohlenwasserstoff-Silylverbindungen |
| EP92119347A EP0542250B1 (en) | 1991-11-13 | 1992-11-12 | Method for preparing tertiary hydrocarbon-silyl compounds |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3-297434 | 1991-11-13 | ||
| JP29743491 | 1991-11-13 | ||
| JP4225382A JP2838342B2 (ja) | 1991-11-13 | 1992-08-25 | 第３級炭化水素シリル化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05202073A JPH05202073A (ja) | 1993-08-10 |
| JP2838342B2 true JP2838342B2 (ja) | 1998-12-16 |
Family
ID=26526604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4225382A Expired - Fee Related JP2838342B2 (ja) | 1991-11-13 | 1992-08-25 | 第３級炭化水素シリル化合物の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5294727A (ja) |
| EP (1) | EP0542250B1 (ja) |
| JP (1) | JP2838342B2 (ja) |
| DE (1) | DE69220179T2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JPH07157491A (ja) * | 1993-12-03 | 1995-06-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | α位に３級炭化水素基を有するシランの製造方法 |
| US5629439A (en) * | 1996-03-28 | 1997-05-13 | Dow Corning Corporation | Method for preparation of allylsilanes |
| DE19723669A1 (de) * | 1997-06-05 | 1998-12-10 | Wacker Chemie Gmbh | Vernetzbare Zusammensetzungen |
| US5872274A (en) * | 1998-06-11 | 1999-02-16 | Dow Corning Corporation | Method for preparation of tertiary-hydrocarbylsilyl compounds |
| DE19837906C1 (de) * | 1998-08-20 | 1999-12-16 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Silanen mit einer tertiären Kohlenwasserstoff-Gruppe in alpha-Position zum Silicium-Atom |
| JP6665437B2 (ja) * | 2015-01-22 | 2020-03-13 | 東ソー株式会社 | 第３級アルキルシラン及び第３級アルキルアルコキシシランの製造方法 |
| JP6958468B2 (ja) * | 2018-04-12 | 2021-11-02 | 信越化学工業株式会社 | 第三級炭化水素基を有するハロシラン化合物の製造方法 |
| CN109305985B (zh) * | 2018-10-19 | 2021-04-06 | 新亚强硅化学股份有限公司 | 二甲基乙烯基氯硅烷的合成方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1963935A (en) * | 1931-11-11 | 1934-06-19 | Du Pont | Vinylethinyl derivatives and processes for preparing same |
| BE518431A (ja) * | 1952-03-15 | 1900-01-01 | ||
| US2813886A (en) * | 1953-11-20 | 1957-11-19 | Metal & Thermit Corp | Preparation of arylhalosilanes |
| US4059607A (en) * | 1976-12-20 | 1977-11-22 | Union Carbide Corporation | Preparation of hydrocarbon chlorosilanes from polysilanes |
| JPS60222492A (ja) * | 1984-04-17 | 1985-11-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 第３級炭化水素シリル化合物の製造方法 |
| US4650891A (en) * | 1986-05-02 | 1987-03-17 | Monsanto Company | Catalytic process for producing silahydrocarbons |
| JPH0786115B2 (ja) * | 1989-06-28 | 1995-09-20 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | 第３級炭化水素基含有ハロゲン化シランの製造方法 |
-
1992
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