DE69220179T2 - Verfahren zur Herstellung von Tertiär-Kohlenwasserstoff-Silylverbindungen - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von Tertiär-Kohlenwasserstoff-SilylverbindungenInfo
- Publication number
- DE69220179T2 DE69220179T2 DE69220179T DE69220179T DE69220179T2 DE 69220179 T2 DE69220179 T2 DE 69220179T2 DE 69220179 T DE69220179 T DE 69220179T DE 69220179 T DE69220179 T DE 69220179T DE 69220179 T2 DE69220179 T2 DE 69220179T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- cuprous
- chloride
- group
- copper
- tertiary hydrocarbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 32
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 title claims description 16
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 title claims description 16
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title description 4
- 239000007818 Grignard reagent Substances 0.000 claims description 24
- 150000004795 grignard reagents Chemical class 0.000 claims description 22
- -1 hydrocarbon silyl compound Chemical group 0.000 claims description 19
- 239000005749 Copper compound Substances 0.000 claims description 14
- 150000001880 copper compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 8
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 8
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 7
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 claims description 6
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- NKNDPYCGAZPOFS-UHFFFAOYSA-M copper(i) bromide Chemical compound Br[Cu] NKNDPYCGAZPOFS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N copper(i) cyanide Chemical compound [Cu+].N#[C-] DOBRDRYODQBAMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 claims description 6
- NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC NHGXDBSUJJNIRV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium bromide Chemical compound [Br-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC JRMUNVKIHCOMHV-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 229910021595 Copper(I) iodide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910011687 LiCu Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M copper(i) iodide Chemical compound I[Cu] LSXDOTMGLUJQCM-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- BQVVSSAWECGTRN-UHFFFAOYSA-L copper;dithiocyanate Chemical compound [Cu+2].[S-]C#N.[S-]C#N BQVVSSAWECGTRN-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- XKBGEWXEAPTVCK-UHFFFAOYSA-M methyltrioctylammonium chloride Chemical compound [Cl-].CCCCCCCC[N+](C)(CCCCCCCC)CCCCCCCC XKBGEWXEAPTVCK-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- KJFVITRRNTVAPC-UHFFFAOYSA-L tetramethylazanium;sulfate Chemical compound C[N+](C)(C)C.C[N+](C)(C)C.[O-]S([O-])(=O)=O KJFVITRRNTVAPC-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 26
- KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N dichloro(methyl)silicon Chemical compound C[Si](Cl)Cl KTQYJQFGNYHXMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000005048 methyldichlorosilane Substances 0.000 description 11
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 8
- TWRVYXVQOJCHIF-UHFFFAOYSA-N tert-butyl-chloro-methylsilane Chemical compound C[SiH](Cl)C(C)(C)C TWRVYXVQOJCHIF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- ODWXUNBKCRECNW-UHFFFAOYSA-M bromocopper(1+) Chemical compound Br[Cu+] ODWXUNBKCRECNW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 5
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 5
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QABCGOSYZHCPGN-UHFFFAOYSA-N chloro(dimethyl)silicon Chemical compound C[Si](C)Cl QABCGOSYZHCPGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 3
- CQRPUKWAZPZXTO-UHFFFAOYSA-M magnesium;2-methylpropane;chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].C[C-](C)C CQRPUKWAZPZXTO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ILMRJRBKQSSXGY-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(dimethyl)silicon Chemical compound C[Si](C)C(C)(C)C ILMRJRBKQSSXGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 3
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- HBYCZEOYOCONCV-UHFFFAOYSA-N tert-butyl(dichloro)silane Chemical compound CC(C)(C)[SiH](Cl)Cl HBYCZEOYOCONCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXSBSBDNZRLRLK-UHFFFAOYSA-N 2-(2h-pyran-2-yloxy)-2h-pyran Chemical group O1C=CC=CC1OC1OC=CC=C1 PXSBSBDNZRLRLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HTAZYJUTFUTKPO-UHFFFAOYSA-M [Cl-].CC(C)([Mg+])CC1=CC=CC=C1 Chemical compound [Cl-].CC(C)([Mg+])CC1=CC=CC=C1 HTAZYJUTFUTKPO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- ZKLZTSWQZPJQCB-UHFFFAOYSA-M [Cl-].CCC([Mg+])(CC)CC Chemical compound [Cl-].CCC([Mg+])(CC)CC ZKLZTSWQZPJQCB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 230000029936 alkylation Effects 0.000 description 1
- 238000005804 alkylation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N chloro(methyl)silane Chemical compound C[SiH2]Cl YGZSVWMBUCGDCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NPYRNNDTSBRCSK-UHFFFAOYSA-N dichloro(chloromethyl)silane Chemical compound ClC[SiH](Cl)Cl NPYRNNDTSBRCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFMKUUJQLUQKHT-UHFFFAOYSA-N dichloro(ethyl)silicon Chemical compound CC[Si](Cl)Cl PFMKUUJQLUQKHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNAFLNBULDHNJS-UHFFFAOYSA-N dichloro(phenyl)silicon Chemical compound Cl[Si](Cl)C1=CC=CC=C1 XNAFLNBULDHNJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical group [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N iodine Chemical compound II PNDPGZBMCMUPRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- FKKWHMOEKFXMPU-UHFFFAOYSA-M magnesium;2-methylbutane;chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].CC[C-](C)C FKKWHMOEKFXMPU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UKZCGMDMXDLAGZ-UHFFFAOYSA-M magnesium;2-methylpropane;bromide Chemical compound [Mg+2].[Br-].C[C-](C)C UKZCGMDMXDLAGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001181 organosilyl group Chemical group [SiH3]* 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- NBRKLOOSMBRFMH-UHFFFAOYSA-N tert-butyl chloride Chemical compound CC(C)(C)Cl NBRKLOOSMBRFMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/12—Organo silicon halides
- C07F7/121—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20
- C07F7/122—Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20 by reactions involving the formation of Si-C linkages
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0801—General processes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
- C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
- C07F7/0896—Compounds with a Si-H linkage
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur effizienten und leichten industriellen Herstellung einer tertiären Kohlenwasserstoff-Silylverbindung.
- In einer Veröffentlichung (J. Org. Chem., 1954, 43, S. 3649) ist ein Verfahren zur Bindung einer tertiären Kohlenwasserstoffgruppe an ein Siliciumatom offenbart, bei dem ein tertiäres Alkyllithium verwendet wird. Gemäß diesem Verfahren wird zunächst ein tertiäres Alkyllithium hergestellt und anschließend mit einer siliciumatomhaltigen Verbindung umgesetzt. Die Herstellung eines derartigen tertiären Alkyllithiums erfordert die Schritte des Schmelzens von metallischem Lithium, das einen hohen Schmelzpunkt in der Größenordnung von 190ºC hat, und des anschließenden Dispergierens des geschmolzenen Lithiums in einem organischen Lösungsmittel in Form von Partikeln mit einem Durchmesser von einigen Mikrometern zur Durchführung der Alkylierung. Eine außerordentliche Sorgfalt ist beim Umgang mit dem in diesem Verfahren verwendeten metallischem Lithium aufgrund dessen sehr hoher Aktivität geboten. Aus diesem Grund ist die Verwendung einer besonderen Apparatur zur Herstellung des tertiären Alkyllithiums erforderlich. Darüber hinaus entzündet sich das tertiäre Alkyllithium spontan bei einfacher Aussetzung an der Luft, und die Handhabung einer großen Menge davon ist mit verschiedenen Nachteilen wie einer großen Gefahr begleitet.
- Unter solchen Umständen ist in der vorläufigen japanischen Patentschrift Nr. 60-222492 ein Verfahren zur Herstellung von tertiären Kohlenwasserstoff-Silylverbindungen offenbart, in welchem nicht die Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung einer derartigen tertiären Alkyllithiumverbindung erforderlich ist.
- Gemäß dem Verfahren jener Patentschrift wird eine tertiäre Kohlenwasserstoff-Silylverbindung durch Umsetzung eines Wasserstoffhalogensilans, in dem Wasserstoff und Halogen direkt an das Siliciumatom gebunden sind, mit einem tertiären Alkyl- Grignardreagens hergestellt. Das tertiäre Alkyl-Grignardreagens kann ohne Verwendung irgendeiner besonderen Apparatur hergestellt werden und leidet nicht unter dem Problem einer spontanen Entzündung. Aus diesem Grund wurde die Herstellung einer tertiären Kohlenwasserstoff-Silylverbindung gemäß jenem Verfahren als hoffnungsvoll angesehen.
- Jedoch ist die durch jenes Verfahren erreichte Reaktionsgeschwindigkeit zu niedrig. Insbesondere ist es schwierig, die Reaktion zu vervollständigen, wenn andere Lösungsmittel als Ether verwendet werden, und daher ist deren Produktionseffizienz im wesentlichen gering.
- Entsprechend ist es eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die vorstehenden mit den herkömmlichen Techniken verbundenen Probleme zu lösen und insbesondere ein Verfahren zur industriell effizienten Herstellung einer tertiären Kohlenwasserstoff-Silylverbindung bereitzustellen, durch das die Geschwindigkeit der Reaktion eines tertiären Alkyl-Grignardreagens mit einem Wasserstoffhalogensilan erhöht werden kann.
- Das Verfahren zur Herstellung einer tertiären Kohlenwasserstoff-Silylverbindung gemäß der vorliegenden Erfindung macht von einer Kupferverbindung oder einem quartären Ammoniumsalz als Katalysator Gebrauch, mit der Maßgabe, daß die Kupferverbindung nicht Kupfercyanid und Kupferthiocyanat ist, wenn die Kupferverbindung allein verwendet wird. Durch die Verwendung eines derartigen Katalysators kann die Geschwindigkeit der Reaktion eines tertiären Alkyl-Grignardreagens mit einem Wasserstoffhalogensilan erhöht und die Vervollständigung der Reaktion und die industriell effiziente Herstellung der beabsichtigten tertiären Kohlenwasserstoff-Silylverbindung ermöglicht werden.
- In dem Verfahren zur Herstellung einer tertiären Kohlenwasserstoff-Silylverbindung gemäß der vorliegenden Erfindung wird ein Grignard-Reagens, dargestellt durch die allgemeine Formel R¹MgX¹, mit einer siliciumatomhaltigen Verbindung, dargestellt durch die allgemeine Formel X2mr2nSiH4-m-n, in einem aprotischen inerten organischen Lösungsmittel in Gegenwart einer Kupferverbindung und/oder einem quartären Ammoniumsalz umgesetzt, mit der Maßgabe, daß die Kupferverbindung nicht Kupfercyanid und Kupferthiocyanat ist, wenn die Kupferverbindung allein verwendet wird. In den vorstehenden allgemeinen Formeln stellt R¹ eine tertiäre Kohlenwasserstoffgruppe dar; X¹ ist ein Halogenatom; X² ist ebenfalls ein Halogenatom und kann identisch oder verschieden zu X¹ sein; R² ist eine monovalente Kohlenwasserstoffgruppe; m ist 1, 2 oder 3; und n ist 0, 1 oder 2, vorausgesetzt, daß m+n nicht mehr als 3 ist und daß, falls n gleich 2 ist, die R²-Reste identisch oder voneinander verschieden sein können.
- Gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung werden durch die allgemeine Formel Xm-1R¹R2nSiH4-m-n dargestellte tertiäre Kohlenwasserstoff-Silylverbindungen hergestellt.
- Bei der Herstellung der vorstehenden Silylverbindungen ist ein Grignard-Reagens durch die Formel R¹MgX¹ dargestellt, wobei R¹ eine tertiäre Kohlenwasserstoffgruppe wie eine t-Butylgruppe, 1,1-Dimethylpropylgruppe oder 1,1-Diethylpropylgruppe oder eine mit einer Arylgruppe substituierte Alkylgruppe wie eine 1,1-Dimethyl-2-phenylethylgruppe sein kann und X¹ ein Halogenatom wie ein Chlor- oder Bromatom ist.
- Spezifische Beispiele derartiger Grignard-Reagenzien schließen t-Butylmagnesiumchlorid, t-Butylmagnesiumbromid, 1,1- Dimethylpropylmagnesiumchlorid, 1,1-Diethylpropylmagnesiumchlorid und 1,1-Dimethyl-2-phenylethylmagnesiumchlorid ein.
- Andererseits sind die mit dem vorstehenden tertiären kohlenwasserstoffgruppenhaltigen Grignard-Reagens umzusetzenden siliciumatomhaltigen Verbindungen diejenigen, die durch die allgemeine Formel X2mR2nSiH4-m-n dargestellt sind, wobei R² eine Alkylgruppe wie eine Methyl-, Ethyl- oder Propylgruppe, eine Alkenylgruppe wie eine Vinyl- oder Allylgruppe, eine Arylgruppe wie eine Phenylgruppe oder eine der vorstehenden Gruppen ist, in denen ein Teil oder die Gesamtheit der an die Kohlenstoffatome gebundenen Wasserstoffatome durch eine Silylethergruppe, Pyranylethergruppe und/oder Halogenatome substituiert ist, und X² ein Halogenatom wie ein Chlor- oder Bromatom ist.
- Spezifische Beispiele derartiger siliciumatomhaltiger Verbindungen sind Trichlorsilan, Methyldichlorsilan, Dimethylchlorsilan, Methylchlorsilan, Ethyldichlorsilan, Phenyldichlorsilan und Chlormethyldichlorsilan.
- Wenn die vorstehenden Verbindungen gemäß dem Verfahren der vorliegenden Erfindung umgesetzt werden, werden eine Kupferverbindung und/oder ein quartäres Ammoniumsalz als Katalysatoren verwendet. Beispiele davon schließen Kupfersalze wie Kupfer-(I)-chlorid, Kupfer-(II)-chlorid, Kupfer-(I)-bromid, Kupfer-(II)-bromid, Kupferiodid und Kupfercyanid (vorausgesetzt, daß Kupfercyanid nicht allein verwendet wird) sowie Komplexverbindungen des Kupfers wie Li&sub2;CuCl&sub4; und LiCu(CN)Cl als Kupferverbindungen und Tetrabutylammoniumchlorid, Tetrabutylammoniumbromid, Tri-n-octylmethylammoniumchlorid und Tetramethylammoniumsulfat als quartäre Ammoniumsalze ein. Diese Verbindungen können allein oder in irgendeiner Kombination verwendet werden.
- Die Menge an verwendetem Katalysator liegt im Bereich von 0,1 bis 10 Mol-% und vorzugsweise von 0,5 bis 5 Mol-%, basierend auf der Menge an der vorstehenden siliciumatomhaltigen Verbindung.
- Die Reaktion des Grignard-Reagens mit der siliciumatomhaltigen Verbindung wird in einem aprotischen inerten organischen Lösungsmittel durchgeführt. Beispiele solcher bei der Reaktion verwendbarer organischer Lösungsmittel schließen etherartige Lösungsmittel wie Diethylether und Tetrahydrofuran sowie kohlenwasserstoffartige Lösungsmittel wie Hexan, Toluol und Xylol ein. Diese organischen Lösungsmittel können allein oder in irgendeiner Kombination davon, d.h. in Form eines Gemisches davon, verwendet werden. Besonders bevorzugt sind etherartige organische Lösungsmittel wie Tetrahydrofuran, da durch sie die Vervollständigung der Reaktion innerhalb eines kurzen Zeitraums bei Raumtemperatur ermöglicht wird, was folglich zu einer Verringerung der Herstellungszeit und der Energiekosten führt. Die Verwendung eines Gemisches eines kohlenwasserstoffartigen Lösungsmittels wie Xylol mit einem etherartigen Lösungsmittel führt zur wesentlichen Verringerung der Menge an etherartigen Lösungsmitteln, die von hoher Qualität, aber teuer sind, und dies führt wiederum zu einer Verringerung der Herstellungskosten.
- In dem Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung ist weiterhin bevorzugt, diesen in der vorstehenden Reaktion verwendeten organischen Lösungsmitteln Iod zuzusetzen.
- Die Reaktionstemperatur liegt im allgemeinen im Bereich von 10 bis 150ºC und vorzugsweise von 40 bis 100ºC. Die Reaktion wird vorzugsweise in einer Inertgasatmosphäre wie Stickstoff oder Argon durchgeführt. Die Anwesenheit von Sauerstoff im Reaktionssystem führt zu einer Verringerung der Ausbeute an beabsichtigtem Reaktionsprodukt, da er mit dem Grignard- Reagens reagiert.
- Gemäß der vorliegenden Erfindung kann das beabsichtigte Produkt, d.h. die tertiären Kohlenwasserstoff-Silylverbindungen, die durch die allgemeine Formel Xm-1R¹R2nSiH&sub4;-m-n dargestellt sind, durch vorstehend erläuterte Reaktion erhalten werden.
- Die vorliegende Erfindung wird nachstehend genauer unter Bezugnahme auf die folgenden nicht einschränkenden Arbeitsbeispiele beschrieben.
- In einen 500 ml-Volumenkolben wurden 12,2 g (0,5 Mol) metallisches Magnesium, 300 ml Tetrahydrofuran und eine kleine Menge Iod gegeben, gefolgt von tropfenweiser Zugabe von 46,3 g (0,5 Mol) t-Butylchlorid bei einer Temperatur von 40 bis 50ºC über eine Stunde in einer Stickstoffgasatmosphäre und nachfolgendem Rühren bei 55ºC über eine Stunde, wodurch eine Lösung von t-Butylmagnesiumchlorid als Grignard-Reagens erhalten wurde.
- Anschließend wurden 0,72 g (5 mM) Kupferbromid der Lösung des Grignard-Reagens zugefügt, gefolgt von tropfenweiser Zugabe von 57,5 g (0,5 Mol) Methyldichlorsilan bei Raumtemperatur über eine Stunde und nachfolgendem Rühren für eine Stunde. Das erhaltene Produkt wurde durch das Gaschromatographieverfahren untersucht. Als Ergebnis wurde gefunden, daß das Methyldichlorsilan mit einer Umwandlungsrate von etwa 100% in t-Butylmethylchlorsilan umgewandelt worden war. Die erhaltene Reaktionslösung wurde unter vermindertem Druck filtriert und anschließend destilliert, was ein im Temperaturbereich von 85 bis 95ºC siedendes Destillat ergab. So wurden 50,6 g t-Butylmethylchlorsilan hergestellt. Die Ausbeute davon betrug 74%.
- Ein Grignard-Reagens wurde auf die gleiche in Beispiel 1 verwendete Art hergestellt und anschließend die gleichen in Beispiel 1 verwendeten Vorgehensweisen wiederholt, um das Grignard-Reagens mit Methyldichlorsilan umzusetzen, mit der Ausnahme, daß kein Kupferbromid verwendet wurde. Das erhaltene Produkt wurde durch die Gaschromatögraphietechnik analysiert und die Umwandlungsrate von Methyldichlorsilan in t-Butylmethylchlorsilan auf einen Wert von 26% ermittelt.
- t-Butylmagnesiumchlorid als Grignard-Reagens wurde auf die gleiche in Beispiel 1 verwendete Art hergestellt, mit der Ausnahme, daß die in Beispiel 1 verwendeten 300 ml Tetrahydrofuran durch 150 ml davon ersetzt wurden.
- Anschließend wurden 150 ml Xylol und 0,72 g (5 mM) Kupferbromid zu dem Grignard-Reagens gegeben und 57,5 g (0,5 Mol) Methyldichlorsilan tropfenweise bei Raumtemperatur über eine Stunde zu der Mischung gegeben, gefolgt von Rühren unter Rückflußerhitzung für eine Stunde. Die Umwandlungsrate von Methyldichlorsilan in t-Butylmethylchlorsilan wurde durch die Gaschromatographietechnik bestimmt und ein Wert von 99% ermittelt. Die erhaltene Reaktionslösung wurde unter vermindertem Druck filtriert und anschließend destilliert, was ein im Temperaturbereich von 85 bis 95ºC siedendes Destillat ergab. So wurden 47,8 g t-Butylmethylchlorsilan hergestellt. Die Ausbeute davon betrug 70%.
- Ein Grignard-Reagens wurde auf die gleiche in Beispiel 2 verwendete Art hergestellt und anschließend die gleichen in Beispiel 2 verwendeten Vorgehensweisen wiederholt, um das Grignard-Reagens mit Methyldichlorsilan umzusetzen, mit der Ausnahme, daß kein Kupferbromid verwendet wurde. Die Umwandlungsrate von Methyldichlorsilan in t-Butylmethylchlorsilan wurde durch die Gaschromatographietechnik bestimmt und ein Wert von 77% ermittelt.
- Ein Grignard-Reagens wurde auf die gleiche in Beispiel 2 verwendete Art hergestellt und anschließend die gleichen in Beispiel 2 verwendeten Vorgehensweisen wiederholt, um das Grignard-Reagens mit Methyldichlorsilan umzusetzen, mit der Ausnahme, daß 1,6 g (5 mM) Tetra-n-butylammoniumbromid das in Beispiel 2 verwendete Kupferbromid ersetzten. Die Umwandlungsrate von Methyldichlorsilan in t-Butylmethylchlorsilan wurde durch die Gaschromatographietechnik bestimmt und ein Wert von 99% ermittelt. Die erhaltene Reaktionslösung wurde unter vermindertem Druck filtriert und anschließend destilliert, was ein im Temperaturbereich von 85 bis 95ºC siedendes Destillat ergab. So wurden 45,8 g t-Butylmethylchlorsilan hergestellt. Die Ausbeute davon betrug 67%.
- Ein Grignard-Reagens wurde auf die gleiche in Beispiel 1 verwendete Art hergestellt. Anschließend wurden 0,49 g (5 mM) Kupferchlorid dem Grignard-Reagens zugefügt, gefolgt von tropfenweiser Zugabe von 67,7 g (0,5 Mol) Trichlorsilan bei Raumtemperatur über eine Stunde und Rühren für eine Stunde. Das erhaltene Produkt wurde durch die Gaschromatographietechnik untersucht, und es wurde ermittelt, daß das Trichlorsilan mit einer Umwandlungsrate von etwa 100% in t-Butyldichlorsilan umgewandelt worden war. Die erhaltene Reaktionslösung wurde unter vermindertem Druck filtriert und anschließend destilliert, was ein im Temperaturbereich von 115 bis 125ºC siedendes Destillat ergab. So wurden 44,0 g t-Butyldichlorsilan hergestellt. Die Ausbeute davon betrug 56%.
- Ein Grignard-Reagens wurde auf die gleiche in Beispiel 1 verwendete Art hergestellt. Anschließend wurden 0,72 g (5 mM) Kupferbromid dem Grignard-Reagens zugefügt, gefolgt von tropfenweiser Zugabe von 47,3 g (0,5 Mol) Dimethylchlorsilan bei Raumtemperatur über eine Stunde und Rühren für eine Stunde. Die Umwandlungsrate von Dimethylchlorsilan in t-Butyldimethylsilan wurde durch die Gaschromatographietechnik untersucht und ein Wert von 99% ermittelt. Wasser wurde der erhaltenen Reaktionslösung zur Entfernung des Tetrahydrofurans durch Extraktion zugegeben und diese anschließend destilliert, was ein im Temperaturbereich von 85 bis 87ºC siedendes Destillat ergab. So wurden 49,3 g t-Butyldimethylsilan hergestellt. Die Ausbeute davon betrug 84,8%.
- Die gleichen in Beispiel 5 verwendeten Vorgehensweisen wurden wiederholt, mit der Ausnahme, daß kein Kupferbromid als Katalysator verwendet wurde, und die Umwandlungsrate von Dimethylchlorsilan in t-Butyldimethylsilan wurde durch die Gaschromatographietechnik untersucht und ein Wert von 8% ermittelt.
- Die in den Beispielen 1 bis 5 und den Vergleichsbeispielen 1 bis 3 erhaltenen Ergebnisse zeigen eindeutig auf, daß die tertiären Kohlenwasserstoff-Silylverbindungen schnell in hohen Ausbeuten hergestellt werden können, wenn Grignard-Reagenzien und siliciumatomhaltige Verbindungen in Gegenwart einer Kupferverbindung und/oder einem quartären Ammoniumsalz umgesetzt werden.
Claims (4)
1. Verfahren zur Herstellung einer tertiären
Kohlenwasserstoff-Silylverbindung, umfassend den Schritt der Umsetzung
eines Grignard-Reagens, dargestellt durch die allgemeine
Formel R¹MgX¹ (wobei R¹ eine tertiäre Kohlenwasserstoffgruppe
darstellt und X¹ ein Halogenatom ist), mit einer
siliciumatomhaltigen Verbindung, dargestellt durch die allgemeine
Formel X2mR2nSiH&sub4;-m-n (wobei X² ein Halogenatom ist und
identisch mit X¹ oder verschieden davon sein kann; R² eine
monovalente Kohlenwasserstoffgruppe ist, m 1, 2 oder 3 und n 0, 1
oder 2 ist, vorausgesetzt, daß m+n nicht mehr als 3 ist, und,
falls n gleich 2 ist, die R²-Reste identisch oder voneinander
verschieden sein können), in einem aprotischen inerten
organischen Lösungsmittel in Gegenwart einer Kupferverbindung
und/oder einem quartären Ammoniumsalz, mit der Maßgabe, daß
die Kupferverbindung nicht Kupfercyanid und Kupferthiocyanat
ist, wenn die Kupferverbindung allein verwendet wird.
2. Verfahren zur Herstellung einer tertiären
Kohlenwasserstoff-Silylverbindung nach Anspruch 1, wobei die
Kupferverbindung mindestens ein aus der Gruppe ausgewähltes Element
ist, die aus Kupfer-(I)-chlorid, Kupfer-(II)-chlorid, Kupfer-
(I)-bromid, Kupfer-(II)-bromid, Kupferiodid, Li&sub2;CuCl&sub4; und
LiCu(CN)Cl besteht.
3. Verfahren zur Herstellung einer tertiären
Kohlenwasserstoff-Silylverbindung nach Anspruch 1, wobei das quartäre
Ammoniumsalz mindestens ein aus der Gruppe ausgewähltes Element
ist, die aus Tetrabutylammoniumchlorid,
Tetrabutylammoniumbromid, Tri-n-octylmethylammoniumchlorid und
Tetramethylammoniumsulfat besteht.
4. Verfahren zur Herstellung einer tertiären
Kohlenwasserstoff-Silylverbindung nach Anspruch 1, wobei die
Kupferverbindung mindestens ein aus der Gruppe ausgewähltes Element
ist, die aus Kupfer-(I)-chlorid, Kupfer-(II)-chlorid, Kupfer-
(I)-bromid, Kupfer-(II)-bromid, Kupferiodid, Kupfercyanid,
Li&sub2;CuCl&sub4; und LiCu(CN)Cl besteht, und wobei das quartäre
Ammoniumsalz mindestens ein aus der Gruppe ausgewähltes Element
ist, die aus Tetrabutylammoniumchlorid,
Tetrabutylammoniumbromid, Tri-n-octylmethylammoniumchlorid und
Tetramethylammoniumsulfat besteht.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29743491 | 1991-11-13 | ||
| JP4225382A JP2838342B2 (ja) | 1991-11-13 | 1992-08-25 | 第3級炭化水素シリル化合物の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| DE69220179D1 DE69220179D1 (de) | 1997-07-10 |
| DE69220179T2 true DE69220179T2 (de) | 1998-01-22 |
Family
ID=26526604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE69220179T Expired - Lifetime DE69220179T2 (de) | 1991-11-13 | 1992-11-12 | Verfahren zur Herstellung von Tertiär-Kohlenwasserstoff-Silylverbindungen |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5294727A (de) |
| EP (1) | EP0542250B1 (de) |
| JP (1) | JP2838342B2 (de) |
| DE (1) | DE69220179T2 (de) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07157491A (ja) * | 1993-12-03 | 1995-06-20 | Shin Etsu Chem Co Ltd | α位に3級炭化水素基を有するシランの製造方法 |
| US5629439A (en) * | 1996-03-28 | 1997-05-13 | Dow Corning Corporation | Method for preparation of allylsilanes |
| DE19723669A1 (de) * | 1997-06-05 | 1998-12-10 | Wacker Chemie Gmbh | Vernetzbare Zusammensetzungen |
| US5872274A (en) * | 1998-06-11 | 1999-02-16 | Dow Corning Corporation | Method for preparation of tertiary-hydrocarbylsilyl compounds |
| DE19837906C1 (de) * | 1998-08-20 | 1999-12-16 | Wacker Chemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Silanen mit einer tertiären Kohlenwasserstoff-Gruppe in alpha-Position zum Silicium-Atom |
| JP6665437B2 (ja) * | 2015-01-22 | 2020-03-13 | 東ソー株式会社 | 第3級アルキルシラン及び第3級アルキルアルコキシシランの製造方法 |
| JP6958468B2 (ja) * | 2018-04-12 | 2021-11-02 | 信越化学工業株式会社 | 第三級炭化水素基を有するハロシラン化合物の製造方法 |
| CN109305985B (zh) * | 2018-10-19 | 2021-04-06 | 新亚强硅化学股份有限公司 | 二甲基乙烯基氯硅烷的合成方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US1963935A (en) * | 1931-11-11 | 1934-06-19 | Du Pont | Vinylethinyl derivatives and processes for preparing same |
| BE518431A (de) * | 1952-03-15 | 1900-01-01 | ||
| US2813886A (en) * | 1953-11-20 | 1957-11-19 | Metal & Thermit Corp | Preparation of arylhalosilanes |
| US4059607A (en) * | 1976-12-20 | 1977-11-22 | Union Carbide Corporation | Preparation of hydrocarbon chlorosilanes from polysilanes |
| JPS60222492A (ja) * | 1984-04-17 | 1985-11-07 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 第3級炭化水素シリル化合物の製造方法 |
| US4650891A (en) * | 1986-05-02 | 1987-03-17 | Monsanto Company | Catalytic process for producing silahydrocarbons |
| JPH0786115B2 (ja) * | 1989-06-28 | 1995-09-20 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | 第3級炭化水素基含有ハロゲン化シランの製造方法 |
-
1992
- 1992-08-25 JP JP4225382A patent/JP2838342B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-11-12 DE DE69220179T patent/DE69220179T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1992-11-12 US US07/974,989 patent/US5294727A/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-11-12 EP EP92119347A patent/EP0542250B1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05202073A (ja) | 1993-08-10 |
| US5294727A (en) | 1994-03-15 |
| JP2838342B2 (ja) | 1998-12-16 |
| EP0542250A1 (de) | 1993-05-19 |
| EP0542250B1 (de) | 1997-06-04 |
| DE69220179D1 (de) | 1997-07-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE2260282B2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Silanen aus Disilanen | |
| DE2708406A1 (de) | Spaltung von silicium-kohlenstoffbindungen mittels halogenwasserstoff | |
| DE2365272C2 (de) | ||
| DE69220179T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Tertiär-Kohlenwasserstoff-Silylverbindungen | |
| DE69909208T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Alkylhalogensilanen | |
| DE69022491T3 (de) | Herstellung von Tertiär-Kohlenwasserstoff-Silyl-Verbindungen. | |
| DE1264442B (de) | Verfahren zum Austausch von Si-gebundenen Wasserstoff- und Chloratomen in Silanen | |
| DE2828604C2 (de) | Verfahren zur Reduktion von Phosphinoxiden | |
| DE2351258A1 (de) | Verfahren zum umlagern von alkylsilanen und alkylhydrogensilanen | |
| DE69130433T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Cyclopentyl-trichlorosilan | |
| DE3850177T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von tertiären Alkyldimethylhalosilanen. | |
| EP1020473A2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Propylsilanen | |
| DE947475C (de) | Verfahren zur Herstellung von neuen Hexaorganoaethinyldisilanen | |
| DE69424503T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Dimethylchlorsilan und Triorganochlorsilan | |
| DE19619138A1 (de) | Verfahren zur Herstellung von vinylierten Silicium-organischen Verbindungen | |
| DE19837906C1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Silanen mit einer tertiären Kohlenwasserstoff-Gruppe in alpha-Position zum Silicium-Atom | |
| DE3728801C2 (de) | (2-Phenylpropan-2-yl) silan-Verbindungen und ein Verfahren zu deren Herstellung | |
| DE69221586T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Oximinosilanverbindung | |
| DE69321661T2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Triorganomonohalogensilan | |
| EP0004310B1 (de) | Verfahren zur Herstellung von Silanen | |
| DE2533400C3 (de) | Verfahren zur Herstellung von Dichlorsilan und Phenyltrichlorsilan | |
| DE3225440A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines gemisches aus einem cyclotetrasiloxan und einem aliphatischen clorid und/oder einem acylchlorid | |
| DE3208829A1 (de) | Verfahren zum methylieren von siliciumverbindungen | |
| DE68914551T2 (de) | Verfahren zur Produktion von O-silyl O,N-Keten-Acetalen. | |
| DE69421679T2 (de) | Verfahren zur Einführung von Kohlenwasserstoffen in Chlorsilane |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| 8364 | No opposition during term of opposition |