DE2533400C3 - Verfahren zur Herstellung von Dichlorsilan und Phenyltrichlorsilan - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Dichlorsilan und Phenyltrichlorsilan

Info

Publication number
DE2533400C3
DE2533400C3 DE2533400A DE2533400A DE2533400C3 DE 2533400 C3 DE2533400 C3 DE 2533400C3 DE 2533400 A DE2533400 A DE 2533400A DE 2533400 A DE2533400 A DE 2533400A DE 2533400 C3 DE2533400 C3 DE 2533400C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
dichlorosilane
aluminum chloride
phenyltrichlorosilane
weight
hydrochloric acid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2533400A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2533400B2 (de
DE2533400A1 (de
Inventor
Marcel Caluire Lefort
Gilbert Sainte-Foy-Les-Lyon Marin
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rhone Poulenc Industries SA
Original Assignee
Rhone Poulenc Industries SA
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rhone Poulenc Industries SA filed Critical Rhone Poulenc Industries SA
Publication of DE2533400A1 publication Critical patent/DE2533400A1/de
Publication of DE2533400B2 publication Critical patent/DE2533400B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2533400C3 publication Critical patent/DE2533400C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02Epitaxial-layer growth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/04Hydrides of silicon
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C01INORGANIC CHEMISTRY
    • C01BNON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08Compounds containing halogen
    • C01B33/107Halogenated silanes
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/08Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/12Organo silicon halides
    • C07F7/121Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20
    • C07F7/125Preparation or treatment not provided for in C07F7/14, C07F7/16 or C07F7/20 by reactions involving both Si-C and Si-halogen linkages, the Si-C and Si-halogen linkages can be to the same or to different Si atoms, e.g. redistribution reactions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • C30B29/06Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Dichiorsilan und Phenyltrichlorsilan durch Umlagerungsreaktion zwischen Trichlorsilan und Diphenyldichlorsilan.
Es ist bekannt, daß es möglich ist mit Hilfe von Umlagerungs- oder Disproportionierungsreaktionen Hydrogensilane in andere Hydrogcnsilane überzuführen. Man hat so aus Trichlorsilan und Trimethylchiorsilan Verbindungen wie Methyldichlorsilan erhalten. Derartige Umlagerungen sind in der US-PS
26 47 912 und in den japanischen Patentschriften 23 171 (1961) und 23 172 (1961) (siehe Chemical Abstracts 53 21 747) beschrieben. Man hat auch durch Disproportionierung von Trichlorsilan in Gegenwart von verschiedenen Katalysatoren Dichiorsilan erhalten. Diese Disproportionierungsverfahren, die als Katalysator Aluminiumchlorid, Nitrile, Cyanamide, tertiäre Amine oder quaternäre Ammoniumverbindungen verwenden, sind beispielsweise in den US-PS 27 35 861, 27 32 280,
27 32 281, 27 32 282 und in den FR-PS 9 85 985 und 20 96 605 beschrieben. Mit Hilfe dieser verschiedenen Verfahren stellt man ebensoviele Mole Dichiorsilan wie Siliciumtetrachlorid her Die Herstellung beträchlicher Mengen an Siliciumtetrachlorid, dessen Verwendung sehr beschränkt ist, ist sicherlich von Nachteil.
Es wurde nun erfindungsgemäß ein Verfahren zur Herstellung von Dichiorsilan und Phenyltrichlorsilan durch Umlagerungsreaktion zwischen Trichlorsilan und Diphenyldichlorsilan gefunden, das dadurch gekennzeichnet ist, daß man in Gegenwart eines Aluminiumchloridkatalysators und eines Cokatalysators. der aus Chlorwasserstoffsäure und/oder Aluminiumoxid besteht, arbeitet, wobei das Aluminiurnchlorid in einer Gewichtsmenge von 0,1 bis 10% in bezug auf das Gewicht der eingesetzten Chlorsilane, die Chlorwasserstoffsäure in einer Menge von höchstens 30% des Gewichts des Aluminiumchlorids und das Aluminiumoxid in einer Gewichtsmenge von höchstens 20% der Menge der Chlorsilane verwendet wird, und daß man von dem Reaktionsmilieu nach Maßgabe seiner Bildung das gebildete Dichiorsilan abtrennt und darauf nach Beendigung der Reaktion das erhaltene Phenyltrichlorsilan abtrennt.
ίο Der Katalysator besteht demnach aus Aluminiumchlorid, das einen geringen Anteil eines Cokatalysators enthält 1st der Cokatalysator Chlorwasserstoffsäure, so beträgt die Menge an Chlorwasserstoffsäure in Gewicht ausgedrückt höchstens 30% und vorzugsweise 0,1 bis 10% des Gewichts des eingesetzten Aluminiumchlorids. Die Chlorwasserstoffsäure kann als solche eingebracht werden, beispielsweise durch Einperlenlassen der Säure in gasförmigem Zustand oder sie kann vermittels einer Zugabe von Wasser eingebracht werden, wobei das mit
:n dem wasserfreien Aluminiumchlorid reagierende Wasser Chlorwasserstoffsäure freisetzt. Man kann auch den gewünschten Gehalt an Chlorwasserstoffsäure erhalten, indem man in geeigneter Weise wasserfreies Aluminiumchlorid einer Atmosphäre aussetzt, deren Feuchtigkeitsgehalt nicht 0 ist. Man kann auch in das Reaktionsmilieu jede geeignete Verbindung einbringen, die Wasser abgeben kann, das mit dem Aluminiumchlorid reagiert.
Das Aluminiumoxyd, das man als Cokatalysator verwenden kann, wird derart zugefügt, daß es gewichtsmäßig höchstens 20% der Gesamtmenge der Chlorsilane ausmacht. Der bevorzugte Anteil beträgt 0,01 bis 5% der Menge der Chlorsilane. Das Aluminiumoxyd kann wasserfrei oder hydratisiert sein und eine große oder eine geringe spezifische Oberfläche besitzen. Die Verwendung eines hydratisicrten AluiTiiniumoxyds bringt es mit sich, daß man gleichzeitig als Cokatalysators Aluminiumoxyd und Chlorwasserstoffsäure verwendet.
Das Aluminiumchlorid wird in Gewichtsanteilen von 0,1 bis 10% und vorzugsweise 0,5 bis 5% in bezug auf das Gewicht der eingesetzten Chlorsilane verwendet.
Die Anteile der Reaktanten sind nicht kritisch. Man verwendet vorzugsweise 2 bis 5 Mol Hydrogensilan je Mol Diphenyldichlorsilan, um auf diese Weise vollständig das Diphenyldichlorsilan umzuwandeln.
Die Temperatur, bei der die Reaktion durchgeführt wird, liegt zwischen 30 und 200°C, vorzugsweise zwischen 50 und 1200C Es wird dafür Sorge getragen.
daß während der gesamten Reaktionsdauer kontinuierlich das Dichiorsilan eliminiert wird. Diese Eliminierung wird vorteilhafterweise durchgeführt, indem man die Umsetzung unter Rückfluß ablaufen läßt und das Dichiorsilan nach Maßgabe seiner Bildung destilliert und abtrennt.
Das Verfahren wird im allgemeinen unter atmosphärischem Druck durchgeführt, es kann jedoch auch unter einem Druck niedriger oder höher als dem atmosphärischen Druck durchgeführt werden. Bei einem vorgege-
fio benen Druck kann die Rückflußtemperatur variiert werden, indem man die Zusammensetzung des Gemisches einstellt. Man kann auch anfänglich sämtliche Reaktanten einbringen. Man kann auch nach und nach das Trichlorsilan während der gesamten Reaktion
''S einbringen, wodurch man bei einer höheren Rückflußtemperatur arbeiten knnn.
Das erfindungsgemäße Verfahren gestattet es, Dichiorsilan mit Ausbeuten von 80% in bezug auf das
eingesetzte Trichlorsilan zu erhalten. Das Dichlorsilan ist von bestimmtem industriellem Interesse, da es gestattet, Oberzüge aus reinem Silicium nach Zersetzung bei erhöhter Temperatur (Epitaxie des Siliciums) herzustellen. Ablagerungen von reinem Silicium sind besonders auf dem Gebiet der Halbleiter erwünscht Das erfindungsgemäße Verfahren, daß bei einer relativ milden Temperatur durchgeführt wird, gestattet es auch, Phenyltrichlorsilan zu erhalten. Diese Verbindung ist bei der Herstellung von Organosiliciumharzen geschätzt, ι ο die ζ. B. als Klebstoffe oder zur Isolierung von elektrischen Leitern dienen.
Die folgenden Beispiele erläutern die Erfindung.
Beispiel 1 ,.
Man bringt in einen Kolben 253 g Diphenyldichlorsilan und 10 g Aluminiumchlorid, das 4% Chlorwasserstoffsäure enthält, ein. (Die Chlorivasserstoffsäure wurde durch Zugabe von 0,2 g Wasser zu dem Aluminiumchlorid eingebracht). Man erwärmt das Gemisch auf 1000C, läßt während 6 Std. 314 g Trichlorsilan einfließen und beläßt während des gesamten Versuches bei 100° C, während die aus dem Kolben entweichenden Dämpfe einer Destillation in der Weise unterworfen werden, daß am Kopf der Kolonne Dichlorsilan abgetrennt wird und in den Kolben die Produkte zurückgeführt werden, die einen Siedepunkt besitzen, der höher ist als derjenige des Dichlorsilans. (Siedepunkt des Dichlorsilans: Sdp.7w :8,3°Q. Man erhält so 55 g Destillat, das 46 g Dichlorsilan und 9 g Trichlorsilan enthält. In dem Kolben verbleiben 460,5 g eines Gemisches, das gemäß den Daten der chromatographischen Analyse zusammengesetzt ist aus: 20,5% Trichlorsilan, 57,4% Phenyltrichlorsilan und 14,9% Diphenyldichlorsilan. Durch Rektifikation iso'iert nan \$ 44 g Dichlorsilan. Die Ausbeute an Dichlorsilan, ausgedrückt in bezug auf umgewandeltes Trichlorsilan, beträgt 69,2%. Durch Destillation des in dem Kolben verbliebenen Gemisches isoliert man 260 g Phenyltrichlorsilan.
Beispiel 2
Man bringt in einen Kolben 253 g Diphenyldichlorsilan und 25 g Aluminiumchlorid, das 4% Chlorwasserstoffsäure enthält, ein und läßt während 7 Stdn. 384,5 g Trichlorsilan einfließen, währenddessen man die Reaktionsmasse bei 700C hält und das Dichlorsilan destilliert. Man erhält eine Fraktion von 56,3 g, die 98,3% Dichlorsilan enthält. In dem Kolben verbleiben 525 g eines Gemisches, das 76% Phenyltrichlorsilan enthält.
Beispiel 3
Man bringt in einen Kolben 253 g Diphenyldichlorsilan und 40 g Aluminiumchlorid, das 4% Chlorwasserstoffsäure enthält, ein und läßt während 6 Stdn. und ss 30 Min. 401,5 g Trichlorsilan einfließen, währenddessen man die Reaktionsmasse bei 80°C hält und das gebildete Dichlorsilan destilliert. Man erhält eine Fraktion von 75 g, die 88,1% Dichlorsilan enthält. In dem Kolben verbleiben 533 g eines Gemisches, das 73% Phenykrichlorsilan enthält.
Beispiel 4
Man bringt in einen Kolben 2 jJ g Diphenyldichlorsilan und 15 g Aluminiumchlorid, erhallen nach Aussetzen i-s des Aluminiiimchlorids während 15 Min. an feuchter Luft, ein. Man läßt wahrend 6 Stdn. 4O1 g Trichlorsilan einfließen, wobei man die Reaktionsmasse auf 80°C hält und das gebildete Dichlorsilan destilliert Man erhält eine Fraktion von 82 g, die 80,4% Dichlorsilan enthält Es verbleiben in dem Kolben 567 g eines 68% Phenyltrichlorsilan enthaltenden Gemisches.
Man ersetzte das Aluminiumchlorid des vorangegangenen Beispiels durch wasserfreies Aluminiumchlorid. Man beobachtete dann, daß man kein Dichlorsilan erhielt, wobei sämtliche anderen Verfahrensbedingungen im übrigen die gleichen waren. Es erweist sich somit als erforderlich, einen Cokatalysator hinzuzufügen.
Beispiel 5
Man bringt in einen Kolben 380 g Diphenyldichlorsilan, 22,5 g wasserfreies Aluminiumchlorid und 6,8 g 2,5% Wasser enthaltendes Aluminiumoxyd (spezifische Oberfläche des Aluminiumoxyds: 133 mVg) ein und läßt während 6 Stdn. 30 Min. 6!5 g Trichlorsilan einfließen, wobei man die Reaktionsmasse bei 700C hält und das gebildete Dichlorsilan abdestilliert. Man erhält 112 g einer 79,5% Dichlorsilan enthaltenden Fraktion.
Beispiel 6
Man bringt in einen Kolben 380 g Diphenyidichlorsilan, 22,5 wasserfreies Aluminiumchlorid und 2,3 g wasserfreies Aluminiumoxyd (spezifische Oberfläche: 0,1 m2/g) ein. Man läßt während 6 Stdn. 50 Min. 477 g Trichlorsilan einfließen, wobei man die Reaktionsmasse bei 70°C hält und das Dichlorsilan abdestilliert. Man erhält ein a Fraktion von 76 g die 74% Dichlorsilan enthält. Durch Destillation des in dem Kolben verbliebenen Gemisches erhält man 37Og Phenyltrichlorsilan.
Beispiel 7
Man bringt in einen Kolben 380 g Diphenyldichlorsilan, 22,5 g wasserfreies Aluminiumchlorid und 0,2 g hydratisiertes Aluminiumoxyd (Gehalt an Wasser: 27%, spezifische Oberfläche: 5,8 m2/g) ein. Man läßt während 7 Stdn. 478 g Trichlorsilan einfließen, wobei man die Reaktionsmasse bei 70°C hält und das Dichlorsilan abdestilliert. Man erhält eine Fraktion von 77 g, die 74% Dichlorsilan enthält. Durch Destillation des in dem Kolben verbliebenen Gemisches erhält man 362 g Phenyltrichlorsilan.
Beispiel 8
Man bringt in einen Kolben 380 g Diphenyldichlorsilan, 22,5 g wasserfreies Aluminiumchlorid und 1,35 g hydratisiertes Aluminiumoxyd (das in Beispiel 7 beschriebene Aluminiumoxyd) ein. Man läßt während 7 Stdn. 20 Min. 533 g Trichlorsilan einfließen, wobei man die Reaktionsmasse bei 700C hält und das Dichlorsilan abdestilliert. Man erhält eine Fraktion von 87 g, die 81,2% Dichlorsilan enthält.
Beispiel 9
Man bringt in einen Kolben 380 g Diphenyldichlorsilan (in dem man zuvor durch Einperlenlassen 0,7 g gasförmige Chlorwasserstoffsäure gelöst hatte) und 22,5 g Aluminiumchlorid ein. Man läßt 80 cm3 Trichlorsilan einflieCen, bringt das Gemisch auf 700C und bringt nach und nach während 7 Stdn. 30 Min. 477 g Trichlorsilan ein, wobei man das, gebildete Dichlorsilan nach Maßgabe seiner Bildung abdestilliert. Man erhält e.n Destillat von 79 g, das 60.8 g Dichlorsilan enthält. Durch Destillation des in dem Kolben verbliebenen Gemisches erhält man J56 g Phenyltrichlorsilan.

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung von Dichiorsilan und Phenyltrichlorsilan durch Umlagerungsreaktion zwischen Trichlorsilan und Diphenyldichlorsilan, d a durch gekennzeichnet, daß man in Gegenwart eines Aluminiumchloridkatalysators und eines Cokatalysators, der aus Chlorwasserstoffsäure und/ oder Aluminiumoxid besteht, arbeitet, wobei das Aluminiumchlorid in einer Gewichtsmenge von 0,1 bis 10% in bezug auf das Gewicht der eingesetzten Chlorsilane, die Chlorwasserstoffsäure in einer Menge von höchstens 30% des Gewichts des Aluminiumchlorids und das Aluminiumoxid in einer Gewichtsmenge von höchstens 20% der Menge der Chlorsilane verwendet wird, und daß man von dem Reaktionsmilieu nach Maßgabe seiner Bildung das gebildete Dichiorsilan abtrennt und darauf nach Beendigung der Reaktion das erhaltene Phenyltrichlorsilan abtrennt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man die Chlorwasserstoffsäure direkt in das Reaktionsmilieu durch Zugabe von Wasser in flüssiger Form oder in gasförmiger Form einsetzt.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß man als Cokatalysator hydratisiertes Aluminiumoxid verwendet.
4. Verwendung des nach den Ansprüchen 1 und 2 erhaltenen Dichlorsilans zur Herstellung eines Überzuges aus reinem Silicium durch Epitaxie.
DE2533400A 1974-07-26 1975-07-25 Verfahren zur Herstellung von Dichlorsilan und Phenyltrichlorsilan Expired DE2533400C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR7426083A FR2279755A1 (fr) 1974-07-26 1974-07-26 Procede de preparation de chlorosilanes et emploi des chlorosilanes ainsi obtenus

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2533400A1 DE2533400A1 (de) 1976-02-05
DE2533400B2 DE2533400B2 (de) 1977-10-27
DE2533400C3 true DE2533400C3 (de) 1978-06-15

Family

ID=9141779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2533400A Expired DE2533400C3 (de) 1974-07-26 1975-07-25 Verfahren zur Herstellung von Dichlorsilan und Phenyltrichlorsilan

Country Status (10)

Country Link
US (1) US3980686A (de)
JP (1) JPS5134117A (de)
BE (1) BE831767A (de)
BR (1) BR7504705A (de)
CA (1) CA1061795A (de)
DE (1) DE2533400C3 (de)
FR (1) FR2279755A1 (de)
GB (1) GB1492314A (de)
IT (1) IT1040067B (de)
SU (1) SU677665A3 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2728196C3 (de) * 1977-06-23 1980-01-31 Wacker-Chemie Gmbh, 8000 Muenchen Verfahren zur Umwandlung von Organosilanen
US4889838A (en) * 1983-12-22 1989-12-26 Union Carbide Corporation And Plastics Company Inc. Redistribution of organohalosilanes utilizing heat treated crystalline alumina catalysts
DE3712098A1 (de) * 1987-04-10 1988-10-20 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur herstellung von disproportionierungsprodukten von dichlormethylsilan in gegenwart eines katalysators
FR2749848B1 (fr) * 1996-06-12 1998-08-21 Rhone Poulenc Chimie Procede ameliore d'obtention d'organosilanes mettant en oeuvre une reaction de redistribution
FR2761360B1 (fr) * 1997-03-27 1999-05-21 Rhodia Chimie Sa Procede ameliore d'obtention d'organosilanes mettant en oeuvre une reaction de redistribution

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2887500A (en) * 1955-07-13 1959-05-19 Gen Electric Redistribution of organosilanes
US2900225A (en) * 1956-06-25 1959-08-18 Siemens Ag Process for the production of sih2cl2
US3044845A (en) * 1958-09-30 1962-07-17 Union Carbide Corp Process for producing dichlorosilane
FR2036410A5 (de) * 1969-03-13 1970-12-24 Rhone Poulenc Sa

Also Published As

Publication number Publication date
SU677665A3 (ru) 1979-07-30
FR2279755A1 (fr) 1976-02-20
FR2279755B1 (de) 1977-03-18
DE2533400B2 (de) 1977-10-27
BR7504705A (pt) 1976-07-06
JPS5319577B2 (de) 1978-06-21
IT1040067B (it) 1979-12-20
BE831767A (fr) 1976-01-26
GB1492314A (en) 1977-11-16
DE2533400A1 (de) 1976-02-05
US3980686A (en) 1976-09-14
JPS5134117A (en) 1976-03-23
CA1061795A (fr) 1979-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE68919530T2 (de) Verfahren und Zwischenprodukte für die Herstellung von Bis(aminoalkyl)polydiorganosiloxanen.
DE19520737C2 (de) Verfahren zur Herstellung von Alkylhydrogenchlorsilanen
DE824048C (de) Verfahren zur Herstellung von Alkylhalogensilanen
DE3314734A1 (de) Verfahren zum umwandeln der polysilane in hochsiedenden resten
DE2950402A1 (de) Verfahren zur umwandlung niedrigsiedender anteile aus der alkylchlorsilan-synthese
DE2533400C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Dichlorsilan und Phenyltrichlorsilan
DE3606262A1 (de) Silylcarbamate und verfahren zu ihrer herstellung
DE2351258A1 (de) Verfahren zum umlagern von alkylsilanen und alkylhydrogensilanen
DE1127898B (de) Verfahren zur Herstellung von ª‰-Cyanaethylphenyldichlorsilan
EP0519181A1 (de) Verfahren zur Herstellung von 3-Chlorpropylsilanen
EP0021238B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Silicium enthaltenden Derivaten des Acetamids
DE69130433T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Cyclopentyl-trichlorosilan
DE2550187C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Dichlorsilan durch Disproportionierung von Trichlorsilan in Gegenwart von N-substituiertem Pyrrolidon
EP0806427A2 (de) Verfahren zur Herstellung von vinylierten Silicium-organischen Verbindungen
DE2550076C3 (de) Verfahren zur Herstellung von Dichlorsilan durch Dismutation von Trichlorsilan in Gegenwart von Tetraalkylharnstoff
DE69220179T2 (de) Verfahren zur Herstellung von Tertiär-Kohlenwasserstoff-Silylverbindungen
EP0401684B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Organosiloxanen
DE2132335A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Umverteilungsprodukten (Disproportionierungsprodukten)von Halogensilanverbindungen
EP4069705B1 (de) Verfahren zur herstellung von trimethylchlorsilan
DE3208829C2 (de)
DE2032664C3 (de) Verfahren zur Alkylierung von Organosiliciumchloriden
EP0250823B1 (de) Verfahren zur Herstellung von Organooxyhalogensilanen
DE845198C (de) Verfahren zur Herstellung von Phenyldichlorsilan
DE2012683B2 (de) Verfahren zur reinigung von gemischen von organochlorsilanen
DE2141881A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Chlor silanen aus Disiloxanen

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee