JP2833152B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JP2833152B2 JP2833152B2 JP2133202A JP13320290A JP2833152B2 JP 2833152 B2 JP2833152 B2 JP 2833152B2 JP 2133202 A JP2133202 A JP 2133202A JP 13320290 A JP13320290 A JP 13320290A JP 2833152 B2 JP2833152 B2 JP 2833152B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist layer
- semiconductor device
- tape
- base tape
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体装置に関し、特にTAB（Tape Automate
d Bonding）用テープを用いた半導体装置の構造に関す
る。
d Bonding）用テープを用いた半導体装置の構造に関す
る。
従来、TAB用テープを用いた半導体装置の構造とし
て、第２図に示すものがある。同図において、TAB用テ
ープは、ポリイミド等のベーステープ１に接着剤層２で
銅等の金属配線層３を接着し、この金属配線層３の上面
を保護用レジスト５で覆っている。また、金属配線層３
の一部はインナーリード４としてベーステープ１に設け
た素子搭載用の窓内に突出させている。また、半導体素
子７には表面にバンプ電極８が形成され、このバンプ電
極８を前記インナーリード４に接続しており、その上で
これらのエポキシ樹脂等の樹脂９で封止している。
て、第２図に示すものがある。同図において、TAB用テ
ープは、ポリイミド等のベーステープ１に接着剤層２で
銅等の金属配線層３を接着し、この金属配線層３の上面
を保護用レジスト５で覆っている。また、金属配線層３
の一部はインナーリード４としてベーステープ１に設け
た素子搭載用の窓内に突出させている。また、半導体素
子７には表面にバンプ電極８が形成され、このバンプ電
極８を前記インナーリード４に接続しており、その上で
これらのエポキシ樹脂等の樹脂９で封止している。
なお、樹脂封止後のTAB製品はリール状に巻き取られ
た状態で特性選別工程で選別され、その後個片に切断さ
れて基板に実装される。
た状態で特性選別工程で選別され、その後個片に切断さ
れて基板に実装される。
このような従来のTAB用テープを用いた半導体装置の
構造では、保護用レジスト層５がTAB用テープのベース
テープ１の片面にのみ存在しているため、封止樹脂９を
加熱硬化させた後、常温まで冷却した際に、ベーステー
プ1,接着剤層2,金属配線層３と保護用レジスト５との間
の熱膨張係数の違いから、TAB用テープの長手方向に沿
って上側に凹となるような反り変形が生じてしまうこと
がある。
構造では、保護用レジスト層５がTAB用テープのベース
テープ１の片面にのみ存在しているため、封止樹脂９を
加熱硬化させた後、常温まで冷却した際に、ベーステー
プ1,接着剤層2,金属配線層３と保護用レジスト５との間
の熱膨張係数の違いから、TAB用テープの長手方向に沿
って上側に凹となるような反り変形が生じてしまうこと
がある。
この反り変形は、後の特性選別工程において特性測定
装置側とTAB製品側との測定時の位置合わせ精度に非常
に悪い影響を与えるという問題がある。
装置側とTAB製品側との測定時の位置合わせ精度に非常
に悪い影響を与えるという問題がある。
また、選別後、基板に実装する際においても、基板と
TAB製品の接続部の位置合わせ精度に悪影響を及ぼすと
いう問題がある。
TAB製品の接続部の位置合わせ精度に悪影響を及ぼすと
いう問題がある。
本発明の目的は、TAB製品における反り変形を防止し
た半導体装置を提供することにある。
た半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、片面に保護用レジスト層で被
覆された金属配線層を形成してなるベーステープの反対
面に、該保護用レジスト層と同材質、同面積の補正レジ
スト層を形成している。
覆された金属配線層を形成してなるベーステープの反対
面に、該保護用レジスト層と同材質、同面積の補正レジ
スト層を形成している。
本発明によれば、ベーステープの両面に同材質、同面
積のレジスト層が存在するため、熱履歴を受けた際のベ
ーステープにおける反り変形が防止される。
積のレジスト層が存在するため、熱履歴を受けた際のベ
ーステープにおける反り変形が防止される。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。TAB用テ
ープは、ベーステープ１の上に接着剤層２を介して所要
パターンのシート状に形成された金属配線層３を接着さ
せている。この金属配線層３の一部は、インナリード４
としてベーステープ１の素子搭載部に設けた窓内に突出
されている。また、TAB製品の組立工程，選別工程，あ
るいは実装工程中に塵等の付着によって金属配線層３が
ショートしたり、人的起因もしくは機械的起因によるス
トレスによって破損されることのないように金属配線層
３の上側に保護用レジスト層５を形成している。
ープは、ベーステープ１の上に接着剤層２を介して所要
パターンのシート状に形成された金属配線層３を接着さ
せている。この金属配線層３の一部は、インナリード４
としてベーステープ１の素子搭載部に設けた窓内に突出
されている。また、TAB製品の組立工程，選別工程，あ
るいは実装工程中に塵等の付着によって金属配線層３が
ショートしたり、人的起因もしくは機械的起因によるス
トレスによって破損されることのないように金属配線層
３の上側に保護用レジスト層５を形成している。
さらに、この例では、ベーステープ１の下面にも、前
記保護用レジスト層５と同材質の補正レジスト層６を形
成している。
記保護用レジスト層５と同材質の補正レジスト層６を形
成している。
そして、前記表面にバンプ電極８を有する半導体素子
７をベーステープ１の窓内に配置し、バンプ電極８をイ
ンナーリード４に接続する。また、前記インナーリード
４および半導体素子７を含む領域に封止樹脂９を充填
し、これらを樹脂封止して半導体装置を完成している。
７をベーステープ１の窓内に配置し、バンプ電極８をイ
ンナーリード４に接続する。また、前記インナーリード
４および半導体素子７を含む領域に封止樹脂９を充填
し、これらを樹脂封止して半導体装置を完成している。
この構成の半導体装置によれば、TAB用テープのベー
ステープ１の下側面に、上側面に塗布した保護用レジス
ト層５と同材質の補正レジスト層６を塗布しているた
め、保護用レジスト層５とベーステープ1,接着剤層2,金
属配線層３との間の熱膨張係数の違いによる反り変形を
補正レジスト層６の熱膨張変形によって低減することが
できる。したがって、後の、特性選別工程において特性
測定装置側とTAB製品側との測定時の位置合わせ精度に
悪影響を与えることはなく、また、選別後、基板に実装
する際においても、基板とTAB製品の接続部の位置合わ
せ精度に悪影響を与えることがない。
ステープ１の下側面に、上側面に塗布した保護用レジス
ト層５と同材質の補正レジスト層６を塗布しているた
め、保護用レジスト層５とベーステープ1,接着剤層2,金
属配線層３との間の熱膨張係数の違いによる反り変形を
補正レジスト層６の熱膨張変形によって低減することが
できる。したがって、後の、特性選別工程において特性
測定装置側とTAB製品側との測定時の位置合わせ精度に
悪影響を与えることはなく、また、選別後、基板に実装
する際においても、基板とTAB製品の接続部の位置合わ
せ精度に悪影響を与えることがない。
なお、補正レジスト層６を塗布する面積と厚さを保護
用レジスト層５と同等にすれば、レジスト塗布用マスク
は共用することができる。また、ベーステープ１と接着
剤層２と金属配線層３間の熱膨張係数の違いにより発生
する反り変形も考慮に入れて、補正レジスト層６の厚み
を加減してもよい。
用レジスト層５と同等にすれば、レジスト塗布用マスク
は共用することができる。また、ベーステープ１と接着
剤層２と金属配線層３間の熱膨張係数の違いにより発生
する反り変形も考慮に入れて、補正レジスト層６の厚み
を加減してもよい。
ここで、補正レジスト層６を保護用レジスト層５と同
面積，同厚さに設けたTAB用テープについて実験を行っ
た結果は、次表の通りであり、著しい効果が得られるこ
とが確認された。
面積，同厚さに設けたTAB用テープについて実験を行っ
た結果は、次表の通りであり、著しい効果が得られるこ
とが確認された。
なお、ベーステープ素材はポリイミドで、厚さ75μm,
35mm幅のものを185mm長に切断した。
35mm幅のものを185mm長に切断した。
以上説明したように本発明は、片面に保護用レジスト
層で被覆された金属配線層を形成しているベーステープ
の反対面に、保護用レジスト層と同材質、同面積の補正
レジスト層を形成しているので、ベーステープの両面に
存在される同材質のレジスト層によって、熱履歴を受け
た際のベーステープにおける反り変形が防止され、TAB
用テープを用いた半導体装置の信頼性を向上させること
ができる効果がある。
層で被覆された金属配線層を形成しているベーステープ
の反対面に、保護用レジスト層と同材質、同面積の補正
レジスト層を形成しているので、ベーステープの両面に
存在される同材質のレジスト層によって、熱履歴を受け
た際のベーステープにおける反り変形が防止され、TAB
用テープを用いた半導体装置の信頼性を向上させること
ができる効果がある。
第１図は本発明の半導体装置の一実施例の断面図、第２
図は従来の半導体装置の断面図である。 １…ベーステープ、２…接着剤層、３…金属配線層、４
…インナーリード、５…保護レジスト層、６…補正レジ
スト層、７…半導体素子、８…バンプ電極、９…封止樹
脂。
図は従来の半導体装置の断面図である。 １…ベーステープ、２…接着剤層、３…金属配線層、４
…インナーリード、５…保護レジスト層、６…補正レジ
スト層、７…半導体素子、８…バンプ電極、９…封止樹
脂。
Claims (1)
- 【請求項１】ベーステープの片面に保護用レジスト層で
被覆された金属配線層を形成し、この金属配線層に半導
体素子を接続してなるTAB構造の半導体装置において、
前記保護用レジスト層と同材質の補正レジスト層を前記
ベーステープの反対面に前記保護用レジスト層と同面積
に形成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133202A JP2833152B2 (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133202A JP2833152B2 (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0428244A JPH0428244A (ja) | 1992-01-30 |
| JP2833152B2 true JP2833152B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=15099120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2133202A Expired - Lifetime JP2833152B2 (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2833152B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003059979A (ja) * | 2001-08-20 | 2003-02-28 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 電子部品実装用積層フィルム及び電子部品実装用フィルムキャリアテープ |
| KR20060057840A (ko) * | 2004-11-24 | 2006-05-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 테이프 칩 캐리어와 이를 이용한 반도체 패키지 |
-
1990
- 1990-05-23 JP JP2133202A patent/JP2833152B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0428244A (ja) | 1992-01-30 |
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