JPH0428244A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH0428244A JPH0428244A JP2133202A JP13320290A JPH0428244A JP H0428244 A JPH0428244 A JP H0428244A JP 2133202 A JP2133202 A JP 2133202A JP 13320290 A JP13320290 A JP 13320290A JP H0428244 A JPH0428244 A JP H0428244A
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- tape
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 abstract description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 34
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 231100000989 no adverse effect Toxicity 0.000 description 2
- 206010011732 Cyst Diseases 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 208000031513 cyst Diseases 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置に関し、特にＴＡＢ （ＴａｐｅＡ
ｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ ）用テープを用い
た半導体装置の構造に関する。
ｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ ）用テープを用い
た半導体装置の構造に関する。
（従来の技術］
従来、ＴＡＢ用テープを用いた半導体装置の構造として
、第２図に示すものがある。同図において、ＴＡＢ用テ
ープは、ポリイミド等のベーステープ１に接着剤層２で
銅等の金属配線層３を接着し、この金属配線層３の」二
面を保護用レジスト５で覆っている。また、金属配線層
３の一部はインナーリード４としてベーステープ１に設
けた素子搭載用の窓内に突出させている。また、半導体
素子７には表面にバンプ電極８が形成され、このハンプ
電極８を前記インナーリード４に接続しており、その上
でこれらをエポキシ樹脂等の樹脂９で封止している。
、第２図に示すものがある。同図において、ＴＡＢ用テ
ープは、ポリイミド等のベーステープ１に接着剤層２で
銅等の金属配線層３を接着し、この金属配線層３の」二
面を保護用レジスト５で覆っている。また、金属配線層
３の一部はインナーリード４としてベーステープ１に設
けた素子搭載用の窓内に突出させている。また、半導体
素子７には表面にバンプ電極８が形成され、このハンプ
電極８を前記インナーリード４に接続しており、その上
でこれらをエポキシ樹脂等の樹脂９で封止している。
なお、樹脂１：１止後の１” Ａ Ｉ３製品はリール状
に巻き取られた状態で特性選別工程で選別され、その後
個片に切断されて基板に実装される。
に巻き取られた状態で特性選別工程で選別され、その後
個片に切断されて基板に実装される。
このような従来のＴＡＢ用テープを用いた半導体装置の
構造では、保護用レジスト層５がＴ Ａ Ｂ用テープの
ベーステープ１の片面にのみ存在しているため、封止樹
脂９を加熱硬化させた後、常温まで冷却した際に、ベー
ステープ１．接着剤層２゜金属配線層３と保護用レジス
ト５との間の熱膨張係数の違いから、ＴＡＢ用テープの
長手方向に沿って−Ｌ側に凹となるような反り変形が生
じてしまうことかある。
構造では、保護用レジスト層５がＴ Ａ Ｂ用テープの
ベーステープ１の片面にのみ存在しているため、封止樹
脂９を加熱硬化させた後、常温まで冷却した際に、ベー
ステープ１．接着剤層２゜金属配線層３と保護用レジス
ト５との間の熱膨張係数の違いから、ＴＡＢ用テープの
長手方向に沿って−Ｌ側に凹となるような反り変形が生
じてしまうことかある。
この反り変形は、後の特性選別工程において特性測定装
置側とＴＡＢ製品側との測定時の位置合わせ精度に非常
に悪い影響を与えるという問題がある。
置側とＴＡＢ製品側との測定時の位置合わせ精度に非常
に悪い影響を与えるという問題がある。
また、選別後、基板に実装する際においても、基板とＴ
ＡＢ製品の接続部の位置合わせ精度に悪影響を及ぼすと
いう問題がある。
ＡＢ製品の接続部の位置合わせ精度に悪影響を及ぼすと
いう問題がある。
本発明の目的は、ＴＡＢ製品における反り変形を防止し
た半導体装置を提供することにある。
た半導体装置を提供することにある。
本発明の半導体装置は、片面に保護用レジスト層で被覆
された金属配線層を形成してなるベーステープの反対面
に、該保護用レジスト層と同材質の補正レジスト層を形
成している。
された金属配線層を形成してなるベーステープの反対面
に、該保護用レジスト層と同材質の補正レジスト層を形
成している。
本発明によれば、ベーステープの両面に同材質のレジス
ト層が存在するため、熱履歴を受けた際のベーステープ
における反り変形が防止される。
ト層が存在するため、熱履歴を受けた際のベーステープ
における反り変形が防止される。
次に、本発明を図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。ＴＡＢ用テ
ープは、ベーステープ１の上に接着剤層２を介して所要
パターンのシート状に形成された金属配線層３を接着さ
せている。この金属配線層３の一部は、インナリード４
としてベーステープ１の素子搭載部に設けた窓内に突出
されている。
ープは、ベーステープ１の上に接着剤層２を介して所要
パターンのシート状に形成された金属配線層３を接着さ
せている。この金属配線層３の一部は、インナリード４
としてベーステープ１の素子搭載部に設けた窓内に突出
されている。
また、ＴＡＢ製品の組立工程１選別工程、あるいは実装
工程中に塵等の付着によって金属配線層３がショートし
たり、人的起因もしくは機械的起因によるストレスによ
って破損されることのないように金属配線層３の上側に
保護用レジスト層５を形成している。
工程中に塵等の付着によって金属配線層３がショートし
たり、人的起因もしくは機械的起因によるストレスによ
って破損されることのないように金属配線層３の上側に
保護用レジスト層５を形成している。
さらに、この例では、ベーステープ１の下面にも、前記
保護用レジスト層５と同材質の補正レジスト層６を形成
している。
保護用レジスト層５と同材質の補正レジスト層６を形成
している。
そして、前記表面にバンプ電極８を有する半導体素子７
をベーステープ１の窓内に配置し、バンプ電極８をイン
ナーリード４に接続する。また、前記インナーリード４
および半導体素子７を含む領域に封止樹脂９を充填し、
これらを樹脂封止して半導体装置を完成している。
をベーステープ１の窓内に配置し、バンプ電極８をイン
ナーリード４に接続する。また、前記インナーリード４
および半導体素子７を含む領域に封止樹脂９を充填し、
これらを樹脂封止して半導体装置を完成している。
この構成の半導体装置によれば、ＴＡＢ用テープのベー
ステープ１の下側面に、上側面に塗布した保護用レジス
ト層５と同材質の補正レジスト層６を塗布しているため
、保護用レジスト層５とベーステープ１．接着剤層２．
金属配線層３との間の熱膨張係数の違いによる反り変形
を補正レジスト層６の熱膨張変形によって低減すること
ができる。したがって、後の、特性選別工程において特
性測定装置側とＴＡＢ製品側との測定時の位置合わせ精
度に悪影響を与えることはなく、また、選別後、基板に
実装する際においても、基板とＴＡＢ製品の接続部の位
置合わせ精度に悪影響を与えることがない。
ステープ１の下側面に、上側面に塗布した保護用レジス
ト層５と同材質の補正レジスト層６を塗布しているため
、保護用レジスト層５とベーステープ１．接着剤層２．
金属配線層３との間の熱膨張係数の違いによる反り変形
を補正レジスト層６の熱膨張変形によって低減すること
ができる。したがって、後の、特性選別工程において特
性測定装置側とＴＡＢ製品側との測定時の位置合わせ精
度に悪影響を与えることはなく、また、選別後、基板に
実装する際においても、基板とＴＡＢ製品の接続部の位
置合わせ精度に悪影響を与えることがない。
なお、補正レジスト層６を塗布する面積と厚さを保護用
レジスト層５と同等にすれば、レジスト塗布用マスクは
共用することができる。また、ベーステープ１と接着剤
層２と金属配線層３間の熱膨張係数の違いにより発生ず
る反り変形も考慮に入れて、補正レジスト層６の面積、
厚みを加減してもよい。
レジスト層５と同等にすれば、レジスト塗布用マスクは
共用することができる。また、ベーステープ１と接着剤
層２と金属配線層３間の熱膨張係数の違いにより発生ず
る反り変形も考慮に入れて、補正レジスト層６の面積、
厚みを加減してもよい。
ここで、補正レジ１１〜層６を保護用レジスト層５と同
面積、同厚さに設けたＴＡＢ用テープについて実験を行
った結果は、次表の通りであり、著しい効果が得られる
ことが確認された。
面積、同厚さに設けたＴＡＢ用テープについて実験を行
った結果は、次表の通りであり、著しい効果が得られる
ことが確認された。
なお、ベーステープ素材はポリイミドで、厚さ７５μｍ
、３５ｍｍ幅のものを１８５ｍｍ長に切断した。
、３５ｍｍ幅のものを１８５ｍｍ長に切断した。
以」二説明したように本発明は、片面に保護用しシスト
層で被覆された金属配線層を形成しているベーステープ
の反対面に、保護用レジスト層と同材質の補正レンスＩ
〜層を形成しているので、ベーステープの両面に存在さ
れる同材質のレジスト層によって、熱履歴を受＆Ｊた際
のベーステープにおける反り変形が防止され、ＴＡＢ用
テープを用いた半導体装置の信転性を向上させることが
できる効果がある。
層で被覆された金属配線層を形成しているベーステープ
の反対面に、保護用レジスト層と同材質の補正レンスＩ
〜層を形成しているので、ベーステープの両面に存在さ
れる同材質のレジスト層によって、熱履歴を受＆Ｊた際
のベーステープにおける反り変形が防止され、ＴＡＢ用
テープを用いた半導体装置の信転性を向上させることが
できる効果がある。
第１図は本発明の半導体装置の一実施例の断面図、第２
図は従来の半導体装置の断面図である。 １・・・ベーステープ、２・・・接着剤層、３・・・金
属配線層、４・・・インナーリード、５・・・保護レジ
スト層、６・・・補正レジスト層、７・・・半導体素子
、８・・・バンブ電極、９・・・封止樹脂。
図は従来の半導体装置の断面図である。 １・・・ベーステープ、２・・・接着剤層、３・・・金
属配線層、４・・・インナーリード、５・・・保護レジ
スト層、６・・・補正レジスト層、７・・・半導体素子
、８・・・バンブ電極、９・・・封止樹脂。
Claims (1)
- １、ベーステープの片面に保護用レジスト層で被覆され
た金属配線層を形成し、この金属配線層に半導体素子を
接続してなるＴＡＢ構造の半導体装置において、前記保
護用レジスト層と同材質の補正レジスト層を前記ベース
テープの反対面に形成したことを特徴とする半導体装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133202A JP2833152B2 (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2133202A JP2833152B2 (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0428244A true JPH0428244A (ja) | 1992-01-30 |
| JP2833152B2 JP2833152B2 (ja) | 1998-12-09 |
Family
ID=15099120
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2133202A Expired - Lifetime JP2833152B2 (ja) | 1990-05-23 | 1990-05-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2833152B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100491412B1 (ko) * | 2001-08-20 | 2005-05-25 | 미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤 | 전자부품 장착용 적층필름 및 전자부품 장착용 필름캐리어 테이프 |
| KR20060057840A (ko) * | 2004-11-24 | 2006-05-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 테이프 칩 캐리어와 이를 이용한 반도체 패키지 |
-
1990
- 1990-05-23 JP JP2133202A patent/JP2833152B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100491412B1 (ko) * | 2001-08-20 | 2005-05-25 | 미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤 | 전자부품 장착용 적층필름 및 전자부품 장착용 필름캐리어 테이프 |
| KR20060057840A (ko) * | 2004-11-24 | 2006-05-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 테이프 칩 캐리어와 이를 이용한 반도체 패키지 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2833152B2 (ja) | 1998-12-09 |
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