JPH03116765A - リードフレーム - Google Patents
リードフレームInfo
- Publication number
- JPH03116765A JPH03116765A JP25324589A JP25324589A JPH03116765A JP H03116765 A JPH03116765 A JP H03116765A JP 25324589 A JP25324589 A JP 25324589A JP 25324589 A JP25324589 A JP 25324589A JP H03116765 A JPH03116765 A JP H03116765A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- joined
- metal
- metal substrates
- adhesive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 50
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 27
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 claims description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 abstract description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 9
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- CLDVQCMGOSGNIW-UHFFFAOYSA-N nickel tin Chemical compound [Ni].[Sn] CLDVQCMGOSGNIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
し、特に1例えば高速、高放熱性のLSIやIC等に用
いられる樹脂モールドタイプのリードフレームに関する
ものである。
ッケージを行う方法として、 リードフレ−ムに半導体
チップを組み付けたものを、樹脂モールドによりパッケ
ージする方法とセラミックによりパッケージする方法と
が従来から行われている。
れていて低価格で大量生産が可能である反面、放熱特性
が劣るので高放熱性のチップには適していない、一方、
セラミックパッケージは、LSIやICの特性を良好に
することができる反面、コストが高いので大量生産には
適していない。
求されてきており、このような要望に応えるために、半
導体パッケージのより一層の小型化及び同一サイズ内で
の多ビン化が行われてきており、そのための加工技術も
開発されている。ところで、多ビン化の要求に応えよう
とすると、インナリード間の間隔をできるだけ小さくす
る必要があるばかりでなく、インナリードの線を細くか
つ長くしなければならない、しかし、インナリードを細
くかつ長くすると、樹脂モールド時や運搬等のインナリ
ード取扱時にインナリードが曲がってインナリードどう
しが互いに接触し、信頼性が低下してしまう。このため
、第3図に示すように従来は多数のインナリード01に
テープ02を接着してこれらインナリードを固定するこ
とによりその強度を上げるようにしているが、そのテー
ピング作業のための余計な労力が必要となっている。
ね備えると共に、インナリードの強度を向上した安価な
樹脂モールドパッケージが特開昭63−246851号
公報により提案されている。
ーム単体に、金属板からなる基盤を重ねて両面に接着剤
を有するポリイミドフィルムにより接合した多層構造の
リードフレームであり、放熱性の高いLSIや高速タイ
プのIC等に最適なものとなっている。
始め、現在開発されている多層リードフレームは、単一
の金属素材をリードフレーム単体に接合して形成されて
いるものであり、接着剤や両面に接着剤を有する樹脂フ
ィルム、 リードフレーム素材及び金属基盤のそれぞれ
の熱的挙動が異なるので、接着力が製造工程中に劣化し
たり、リードフレームに反りが発生したりするという問
題が考えられる。
る応力や樹脂の絶対量の不足などに左右さね 信頼性が
低下するという問題も考えられる。
、その目的は、信頼性を向上することができるリードフ
レームを提供することである。
いリードフレームを提供することである。
が形成されているリードフレーム単体に。
ードフレームであって、前記複数の金属基盤を、異なる
材質から形成していることを特徴としている。
レーム単体に、複数の金属基盤を接合することにより形
成されているリードフレームであって、前記複数の金属
基盤を、異なる板厚に設定していることを特徴としてい
る。
レーム単体に、複数の金属基盤を接合することにより形
成されているリードフレームであって、前記複数の金属
基盤に、異なる表面処理を施していることを特徴として
いる。
レーム単体に、複数の金属基盤を接合することにより形
成されているリードフレームであって、前記複数の金属
基盤であって異なる材質。
により、リードフレームを形成していることを特徴とし
ている。
記リードフレーム単体と前記金属基盤とを。
脂フィルムによって接合していることを特徴としている
。
及び表面処理の異なった2枚以上の金属基盤を組み合わ
せてリードフレームを形成しているので、熱的挙動が安
定なものとすることができる。これにより、 リードフ
レームの信頼性が大幅に向上するようになる。
ムまたは両面に接着剤を有する樹脂フィルムにより接合
することにより、高速、高放熱性の多層リードフレーム
が形成されるようになる。
であり、第2図は第1図における■−■線に沿う断面図
である。
、 リードフレーム単体2と、このリードフレーム単体
2に接着剤フィルムまたは両面に接着剤を有する樹脂フ
ィルム3を介して接合された2枚以上の金属基盤4.5
とから多層構造に構成されている。リードフレーム単体
2は多数のリード2a、2a、 ・・・及びグイパッ
ド2bを備えており、従来と同様にエツチングまたはス
タンピング等により形成される。そして、従来と同様に
リードフレーム単体2はその必要な箇所に、ワイヤボン
ディングを可能にするための金や銀等のメツキが施され
ている。
フィルム3は、 リードフレーム単体2のボンディング
エリアの下面に及び金属基盤4.5を固定するために必
要な箇所等の必要最小限度の複数の所定箇所a、 a
、 ・・・にそれぞれ介設されている。その場合、接
着剤フィルムまたは樹脂フィルム3は、互いに隣合うも
のどうしが適宜の間隙を置いて設けられている。接着剤
フィルムは例えば熱硬化性の樹脂をフィルム状に形成し
たものである。また樹脂フィルムは例えばポリイミドフ
ィルムをベースにしてその両面に熱硬化性樹脂からなる
接着剤が接着された両面テープ状に形成されている。
り、リードフレーム1の外周付近に接合されている。ま
た金属基盤5は熱伝導性の優れた鋼材から形成されてお
り、グイパッド2b付近に接合されている。このように
構成することにより。
と共に、金属基盤5が、グイバッド2b上に組み付けら
れる図示しないチップからの熱を効率よく放散するよう
になる。したがって、リードフレーム1の変形や反りを
軽減することができるようになる。
4,5が共に鋼材から形成されている。
下面に接合された金属基盤5は板厚1mmに設定されて
おり、熱の放散性を良好にしている。また、リードフレ
ーム1の外周付近のリード部に接合されている金属基盤
4は板厚0.15n+mに設定されており、この金属基
盤4は電極用として設けられる。そして、熱放散用の金
属基盤5の底面はモールド樹脂の下面と一致させて樹脂
封止を行うことにより、更に一層熱放散性に優れたパッ
ケージを製造することができるようになる。
グイパッドのないリードフレームにおいて、そのセンタ
一部には金属基盤5が接合されており、この金属基盤5
は42材に5μm程度の銅めっきが施されたものであり
、電極用として用いられる。また、リードフレーム1の
周辺には金属基盤4が接合されており、この金属基盤4
は樹脂との密着性が優れたパラジウムあるいは金、また
は錫−ニッケルの合金メツキを施した42材から構成さ
れている。これにより水分の浸入に対して強い信頼性の
高いパッケージが得られるようにする。
どうしの接合及び金属基盤4,5とリードフレーム単体
2との接合に、絶縁性の接着剤フィルムまたは両面に接
着剤を有する樹脂フィルムを用いることにより、高速、
高放熱性のICやLSIを製造することができるように
なる。
、種々の設計変更が可能である。
造とされているが、本発明は金属基盤4゜5の下面に前
述と同じように接着剤フィルムまたは樹脂フィルム3を
介設して更に他の金属基盤を接合する等により、他の多
層構造に形成することもできる。
を有する樹脂フィルム3を複数箇所に分割して介設する
ようにしているが、接着剤フィルムや両面に接着剤を有
する樹脂フィルム3を金属基盤4.5及びリードフレー
ム単体2に連続的に設けることもできる。
びカシメのいずれかによって互いに接合することもでき
る。
び異なる表面処理の3者を適宜組み合わせることにより
、 リードフレームを形成することもできる。
基盤の材質、板厚及び表面処理の異なった2枚以上の金
属基盤を組み合わせてリードフレームを形成しているの
で、熱的挙動が安定なものとすることができる。これに
より、 リードフレームの信頼性が大幅に向上するよう
になる。
ムまたは両面に接着剤を有する樹脂フィルムにより接合
することにより、高速、高放熱性の多層リードフレーム
が形成されるようになる。
図における■−■線に沿う断面図、第3図は従来のリー
ドフレームの平面図である。 1・・・リードフレーム、 2・・・リードフレーム単
体3・・・接着剤フィルムまたは両面に接着剤を有する
樹脂フィルム、4.5・・・金属基盤
Claims (6)
- (1)複数のリードが形成されているリードフレーム単
体に、複数の金属基盤を接合することにより形成されて
いるリードフレームであって、前記複数の金属基盤は、
異なる材質から形成されていることを特徴とするリード
フレーム。 - (2)複数のリードが形成されているリードフレーム単
体に、複数の金属基盤を接合することにより形成されて
いるリードフレームであって、前記複数の金属基盤は、
異なる板厚に設定されていることを特徴とするリードフ
レーム。 - (3)複数のリードが形成されているリードフレーム単
体に、複数の金属基盤を接合することにより形成されて
いるリードフレームであって、前記複数の金属基盤は、
異なる表面処理が施されていることを特徴とするリード
フレーム。 - (4)更に前記複数の金属基盤は、異なる板厚に設定さ
れていることを特徴とする請求項1記載のリードフレー
ム。 - (5)更に前記複数の金属基盤は、異なる表面処理が施
されていることを特徴とする請求項1、2及び4のいず
れか1記載のリードフレーム。 - (6)前記複数の金属基盤どうし、及び前記リードフレ
ーム単体と前記金属基盤とは、絶縁性の接着剤フィルム
または両面に接着剤を有する樹脂フィルムによって接合
されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれ
か1記載のリードフレーム。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1253245A JP2790675B2 (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | リードフレーム |
KR1019900015528A KR100192871B1 (ko) | 1989-09-28 | 1990-09-28 | 리드프레임 및 그 제조방법 |
US08/372,901 US5448105A (en) | 1989-09-28 | 1995-01-17 | Semiconductor device having a leadframe and metal substrate |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1253245A JP2790675B2 (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | リードフレーム |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03116765A true JPH03116765A (ja) | 1991-05-17 |
JP2790675B2 JP2790675B2 (ja) | 1998-08-27 |
Family
ID=17248582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1253245A Expired - Lifetime JP2790675B2 (ja) | 1989-09-28 | 1989-09-28 | リードフレーム |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2790675B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0661411A (ja) * | 1992-08-04 | 1994-03-04 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
US6838751B2 (en) * | 2002-03-06 | 2005-01-04 | Freescale Semiconductor Inc. | Multi-row leadframe |
-
1989
- 1989-09-28 JP JP1253245A patent/JP2790675B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0661411A (ja) * | 1992-08-04 | 1994-03-04 | Nec Kyushu Ltd | 半導体装置用リードフレーム |
US6838751B2 (en) * | 2002-03-06 | 2005-01-04 | Freescale Semiconductor Inc. | Multi-row leadframe |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2790675B2 (ja) | 1998-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5652461A (en) | Semiconductor device with a convex heat sink | |
US5793108A (en) | Semiconductor integrated circuit having a plurality of semiconductor chips | |
US7652357B2 (en) | Quad flat no-lead (QFN) packages | |
US20050205973A1 (en) | Board-on-chip packages | |
WO2007148782A1 (ja) | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法、半導体装置用基材および積層型樹脂封止型半導体装置 | |
US20220157700A1 (en) | Two sided bondable lead frame | |
JP2002217514A (ja) | マルチチップ半導体装置 | |
JP2501953B2 (ja) | 半導体装置 | |
US5448105A (en) | Semiconductor device having a leadframe and metal substrate | |
JPH03116765A (ja) | リードフレーム | |
JPH03125440A (ja) | 電子部品 | |
EP0723293B1 (en) | Semiconductor device with a heat sink and method of producing the heat sink | |
JPS61150253A (ja) | 半導体リ−ドフレ−ム | |
JP5217291B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置とその製造方法、半導体装置用基材、および積層型樹脂封止型半導体装置 | |
JPS63190363A (ja) | パワ−パツケ−ジ | |
JPH02343A (ja) | 電子部品搭載用基板 | |
JPH065769A (ja) | 積層構造のフィルム基材およびこれを用いた電子回路素子搭載用リードフレーム | |
JPH05326814A (ja) | 電子回路素子搭載用リードフレーム | |
JPH06252330A (ja) | 配線基板用リードフレーム | |
KR0152576B1 (ko) | 센터 패드를 갖는 적층칩 패키지 | |
JPH04192450A (ja) | 複合リードフレーム | |
JP2552158Y2 (ja) | リードフレーム | |
JPH02275655A (ja) | 混成集積回路 | |
JP2911920B2 (ja) | リードフレーム及びその製造方法 | |
JPH0468542A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080612 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090612 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100612 Year of fee payment: 12 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100612 Year of fee payment: 12 |