JP2824079B2 - 磁場エンハンス型プラズマエッチ反応器 - Google Patents
磁場エンハンス型プラズマエッチ反応器Info
- Publication number
- JP2824079B2 JP2824079B2 JP1104374A JP10437489A JP2824079B2 JP 2824079 B2 JP2824079 B2 JP 2824079B2 JP 1104374 A JP1104374 A JP 1104374A JP 10437489 A JP10437489 A JP 10437489A JP 2824079 B2 JP2824079 B2 JP 2824079B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- gas
- magnetic field
- pedestal
- reactor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32477—Vessel characterised by the means for protecting vessels or internal parts, e.g. coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32623—Mechanical discharge control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32743—Means for moving the material to be treated for introducing the material into processing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32788—Means for moving the material to be treated for extracting the material from the process chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
- H01J37/32853—Hygiene
- H01J37/32862—In situ cleaning of vessels and/or internal parts
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Public Health (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Treatments For Attaching Organic Compounds To Fibrous Goods (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、プラズマエッチング及び反応性イオンエッ
チング（RIE）両モードでのプラズマエッチングに適し
た磁場エンハンス（向上）型プラズマエッチ反応器と、
半導体、導体及び誘導物質をエッチングするための関連
処理に関する。
チング（RIE）両モードでのプラズマエッチングに適し
た磁場エンハンス（向上）型プラズマエッチ反応器と、
半導体、導体及び誘導物質をエッチングするための関連
処理に関する。
（従来の技術） ここ数年、一層高いデバイス密度と一層小さい最小の
形状サイズを求める傾向によって、IC製造技術は湿式化
学エッチングから、乾式つまりプラズマエッチング技術
へと移行してきた。
形状サイズを求める傾向によって、IC製造技術は湿式化
学エッチングから、乾式つまりプラズマエッチング技術
へと移行してきた。
この技術分野には、少なくとも３種類のプラズマエッ
チング装置（システム）が含まれる。第１図は平行平板
プラズマ型の、複数ウェハ用化学エッチング装置10を示
し、装置10は密閉された反応室11を備え、室内を部分的
に排気するための真空ポンプへの接続部12と、弁制御式
の導管機構14を介して室内へ反応性ガスを導くためのガ
ス供給源13が付設されている。また装置10は、RF（ラジ
オ周波数）エネルギーを陰極構造体17に供給し、アース
陽極18を用いてエネルギー源17も備えている。複数のウ
ェハ19が、陰極17と共に平行平板を構成するように延び
たアース電極18上に配置される。真空ポンプへの接続
は、陰極18と陰極17の間の領域に反応性ガスを引き入
れ、陰極17に供給されたRFエネルギーで形成された反応
性ガスのプラズマをそこに閉じ込めるように構成されて
いる。
チング装置（システム）が含まれる。第１図は平行平板
プラズマ型の、複数ウェハ用化学エッチング装置10を示
し、装置10は密閉された反応室11を備え、室内を部分的
に排気するための真空ポンプへの接続部12と、弁制御式
の導管機構14を介して室内へ反応性ガスを導くためのガ
ス供給源13が付設されている。また装置10は、RF（ラジ
オ周波数）エネルギーを陰極構造体17に供給し、アース
陽極18を用いてエネルギー源17も備えている。複数のウ
ェハ19が、陰極17と共に平行平板を構成するように延び
たアース電極18上に配置される。真空ポンプへの接続
は、陰極18と陰極17の間の領域に反応性ガスを引き入
れ、陰極17に供給されたRFエネルギーで形成された反応
性ガスのプラズマをそこに閉じ込めるように構成されて
いる。
第２図は平行平板反応性イオンエッチングモードの、
プラズマエッチング装置20を示し、この装置20も実質上
密閉された反応室21を備え、室内を部分的に排気するた
めの真空ポンプへの接続部22と、弁制御式の導管機構24
を介して室内へ反応性ガスを導くためのガス供給源23
と、RFエネルギーを陰極構造体17に供給するRF電力供給
源26と、アース陽極18とが付設されている。第１図のプ
ラズマ装置10と異なり、この反応性イオンエッチング装
置20では、陽極26からシールドされ分離された陰極17上
に複数のウェハ19が配置される。
プラズマエッチング装置20を示し、この装置20も実質上
密閉された反応室21を備え、室内を部分的に排気するた
めの真空ポンプへの接続部22と、弁制御式の導管機構24
を介して室内へ反応性ガスを導くためのガス供給源23
と、RFエネルギーを陰極構造体17に供給するRF電力供給
源26と、アース陽極18とが付設されている。第１図のプ
ラズマ装置10と異なり、この反応性イオンエッチング装
置20では、陽極26からシールドされ分離された陰極17上
に複数のウェハ19が配置される。
第３図は別のRIEモードエッチング装置30を概略的に
示し、これは前記の両反応器10及び20と同様、米国カル
フォルニア州サンタクララ所在のApplied Materials In
c.から市販されている。装置30は円筒状の反応室31、RF
電源36に接続された六角形の陰極37、及び真空ポンプに
接続された排気ポート32を備えている。反応室31の周囲
壁とベース板38が、装置のアース陽極を形成する。ガス
供給源33がポート34を介して室31に、つまり導管35を介
して室頂部のガス配分リング41に連通されている。
示し、これは前記の両反応器10及び20と同様、米国カル
フォルニア州サンタクララ所在のApplied Materials In
c.から市販されている。装置30は円筒状の反応室31、RF
電源36に接続された六角形の陰極37、及び真空ポンプに
接続された排気ポート32を備えている。反応室31の周囲
壁とベース板38が、装置のアース陽極を形成する。ガス
供給源33がポート34を介して室31に、つまり導管35を介
して室頂部のガス配分リング41に連通されている。
平行平板プラズマ装置10は、100ミリトルから数トル
の圧力範囲で動作する比較的高圧の装置であり、従って
かなり大きい流量の反応ガスが装置内に導入される。こ
れに対し、反応性イオンエッチング装置20と30は１から
100ミリトルの範囲の低圧で動作し、従ってかなり低い
ガス流量を用いる。反応性イオンエッチング装置20と30
では、陰極の近くで活性化されたイオン種が、陰極及び
その上に配置されたウェハに対して直角な、高い固有の
指向性を有する。かなり大きい電力レベルでの高周波RF
エネルギーを用いることによって、比較的低い濃度の活
性種にも拘らず、ウェハ表面上の露出物質領域をボンバ
ードするイオンの運動量が活性種とエッチングすべき物
質との間の化学的反応を強めているので、両装置20と30
でのエッチ速度（レート）は高められる。また、指向性
の高い機械的なイオンボンバードのエッチ成分が等方性
の化学的成分より優り、装置のエッチング特性に高い異
方性を与える。20などのRIEモード装置は、VLSIやULSI
回路の溝及びトレンチなどの非常に小さい形状をエッチ
ングするのに適している。
の圧力範囲で動作する比較的高圧の装置であり、従って
かなり大きい流量の反応ガスが装置内に導入される。こ
れに対し、反応性イオンエッチング装置20と30は１から
100ミリトルの範囲の低圧で動作し、従ってかなり低い
ガス流量を用いる。反応性イオンエッチング装置20と30
では、陰極の近くで活性化されたイオン種が、陰極及び
その上に配置されたウェハに対して直角な、高い固有の
指向性を有する。かなり大きい電力レベルでの高周波RF
エネルギーを用いることによって、比較的低い濃度の活
性種にも拘らず、ウェハ表面上の露出物質領域をボンバ
ードするイオンの運動量が活性種とエッチングすべき物
質との間の化学的反応を強めているので、両装置20と30
でのエッチ速度（レート）は高められる。また、指向性
の高い機械的なイオンボンバードのエッチ成分が等方性
の化学的成分より優り、装置のエッチング特性に高い異
方性を与える。20などのRIEモード装置は、VLSIやULSI
回路の溝及びトレンチなどの非常に小さい形状をエッチ
ングするのに適している。
次に、商業的に有効なRIEモードエッチング反応器の
設計と選択において重要な因子と必要条件を示す。第１
に、デバイス製造の許容可能な歩留まりを与えるため、
RIEモード反応器は指向性、選択性、一様性、スループ
ット、低い粒子レベルなど幾つかの処理条件を満たさな
ければならない。第２に、例えばそのままでの自己クリ
ーニング（自浄）能力を具備することによって、RIEモ
ードエッチ反応器はほとんどまたは全く保守を必要とし
ないのが望ましい。その他の望ましい特徴には、工場と
反応器のオートメ化、小型の反応器サイズ、及び低い製
造コストが含まれる。
設計と選択において重要な因子と必要条件を示す。第１
に、デバイス製造の許容可能な歩留まりを与えるため、
RIEモード反応器は指向性、選択性、一様性、スループ
ット、低い粒子レベルなど幾つかの処理条件を満たさな
ければならない。第２に、例えばそのままでの自己クリ
ーニング（自浄）能力を具備することによって、RIEモ
ードエッチ反応器はほとんどまたは全く保守を必要とし
ないのが望ましい。その他の望ましい特徴には、工場と
反応器のオートメ化、小型の反応器サイズ、及び低い製
造コストが含まれる。
他の因子が等しい場合、前記後者の因子グループがバ
ッチ型装置よりも単一ウェハ型装置の使用を有利として
いる。さらに、単一ウェハ型装置の方がプロセス開発に
とって都合よく（各プロセスの実行毎に高価なウェハを
１枚だけ使用）、バッチ内におけるウェハ相互間での一
様性の問題も生じない。
ッチ型装置よりも単一ウェハ型装置の使用を有利として
いる。さらに、単一ウェハ型装置の方がプロセス開発に
とって都合よく（各プロセスの実行毎に高価なウェハを
１枚だけ使用）、バッチ内におけるウェハ相互間での一
様性の問題も生じない。
しかし、単一ウェハ型RIE装置はエッチ速度とスルー
プットを高めるため、一般にプラズマモード及びRIEモ
ードどちらにおいても高圧（＞200mT）で動作しなけれ
ばならない。ところが、高圧での動作は指向性と選択性
を減少させ、VLSI ULSIデバイス製造の厳しい条件を満
たすのが困難になる。従って通例そうであるように、他
の条件が等しくなくなり、商業的に実施可能な高いスル
ープットと許容可能な指向性及び選択性の特性を得るた
めに、第２及び３図に示したエッチャー20と30を含め、
ほとんどのRIEモードエッチャーは低圧のバッチ型反応
器である。
プットを高めるため、一般にプラズマモード及びRIEモ
ードどちらにおいても高圧（＞200mT）で動作しなけれ
ばならない。ところが、高圧での動作は指向性と選択性
を減少させ、VLSI ULSIデバイス製造の厳しい条件を満
たすのが困難になる。従って通例そうであるように、他
の条件が等しくなくなり、商業的に実施可能な高いスル
ープットと許容可能な指向性及び選択性の特性を得るた
めに、第２及び３図に示したエッチャー20と30を含め、
ほとんどのRIEモードエッチャーは低圧のバッチ型反応
器である。
第４図を参照すると、上記した現状技術の例外である
単一ウェハ型RIEモードエッチ反応器40が示してある。
磁場エンハンス型のRIEモードプラズマエッチング装置4
0は、発明者Dan Maydan等の名前で1987年５月26日に発
行され、同じく本出願人に譲渡された係属中の米国特許
第4,668,338号、名称「マグネトロンエンハンス型プラ
ズマエッチング法」に記載されている。装置40は、発明
者Foster等の名前で1987年５月26日に発行され、同じく
本出願人に譲渡された係属中の米国特許第4,668,365
号、名称「マグネトロンエンハンス型プラズマ補助化学
的蒸着装置及び方法」に開示されている磁場エンハンス
型CVD蒸着システムの変形である。両特許第4,668,338号
と第4,668,365号は、参照によってここに含まれるもの
とする。RIEモードエッチ反応器40は、比較的低圧の使
用にも拘らず比較的高いエッチ速度を与えるのに磁場エ
ンハンス型のエッチングを用いているため、指向性と選
択性を犠牲とせず高いスループットを与えることがで
き、その逆も可能である。また、RIEモードエッチ反応
器40は、磁場エンハンス型RIE装置内におけるプラズマ
と磁場との相互作用から生じる固有なエッチングの非一
様性も減少させる。
単一ウェハ型RIEモードエッチ反応器40が示してある。
磁場エンハンス型のRIEモードプラズマエッチング装置4
0は、発明者Dan Maydan等の名前で1987年５月26日に発
行され、同じく本出願人に譲渡された係属中の米国特許
第4,668,338号、名称「マグネトロンエンハンス型プラ
ズマエッチング法」に記載されている。装置40は、発明
者Foster等の名前で1987年５月26日に発行され、同じく
本出願人に譲渡された係属中の米国特許第4,668,365
号、名称「マグネトロンエンハンス型プラズマ補助化学
的蒸着装置及び方法」に開示されている磁場エンハンス
型CVD蒸着システムの変形である。両特許第4,668,338号
と第4,668,365号は、参照によってここに含まれるもの
とする。RIEモードエッチ反応器40は、比較的低圧の使
用にも拘らず比較的高いエッチ速度を与えるのに磁場エ
ンハンス型のエッチングを用いているため、指向性と選
択性を犠牲とせず高いスループットを与えることがで
き、その逆も可能である。また、RIEモードエッチ反応
器40は、磁場エンハンス型RIE装置内におけるプラズマ
と磁場との相互作用から生じる固有なエッチングの非一
様性も減少させる。
装置40は、円筒状のステンレス鋼製真空室43を備えて
いる。フランジ付の陰極組体42が、室43内で絶縁ポスト
（図示せず）上に取り付けられている。一般に、陰極42
は多角形で、アルミニウムなどの導電性且つ非磁性の材
料で形成された非磁性の反射端部44Aを有する。外側端
部44Bは、Maycore（登録商標）などの絶縁材料で形成さ
れる。プラズマ動作用の電力は、一般に13.6MHzの系
で、RF電力源と負荷整合網を含み、陰極42に接続された
RF電源系46から供給される。反応ガスは、ガス貯蔵タン
ク／リザーバ49−49で構成されたガス供給系48から、１
つ以上の入口管またはリングマニホルド47によって室43
の内部に導かれる。
いる。フランジ付の陰極組体42が、室43内で絶縁ポスト
（図示せず）上に取り付けられている。一般に、陰極42
は多角形で、アルミニウムなどの導電性且つ非磁性の材
料で形成された非磁性の反射端部44Aを有する。外側端
部44Bは、Maycore（登録商標）などの絶縁材料で形成さ
れる。プラズマ動作用の電力は、一般に13.6MHzの系
で、RF電力源と負荷整合網を含み、陰極42に接続された
RF電源系46から供給される。反応ガスは、ガス貯蔵タン
ク／リザーバ49−49で構成されたガス供給系48から、１
つ以上の入口管またはリングマニホルド47によって室43
の内部に導かれる。
半導体ウェハ55は陰極の側面に、ポストまたはクリッ
プなどの手段51によって保持される。矢印52で示してあ
るように、反応ガスはウェハ基板の表面を横切って流
れ、１つ以上の排出出口53から、真空弁Roots製送風機
を介して機械的ポンプ（図示せず）に放出される。
プなどの手段51によって保持される。矢印52で示してあ
るように、反応ガスはウェハ基板の表面を横切って流
れ、１つ以上の排出出口53から、真空弁Roots製送風機
を介して機械的ポンプ（図示せず）に放出される。
一般に銅コイルで形成される電磁石54と56が、室43の
頂部と底部近くで、その周囲に配置されている。電磁石
は、コイル電流を反転することによって可逆の北及び南
極を形成する。
頂部と底部近くで、その周囲に配置されている。電磁石
は、コイル電流を反転することによって可逆の北及び南
極を形成する。
さらに第４図を参照すると、反応器装置40のRIEモー
ドプラズマエッチング動作時、選ばれたエッチングガス
または混合物がガス供給源から入口管52−52を介し、排
気ポンプ系によって真空にされた反応室43内に導かれ
る。第５図に示すように、電源46からのRF電力が印加さ
れると、半導体ウェハ55の近傍で反応ガスの放電つまり
電子、イオン及び解離された種のプラズマ57が形成され
る。また、電場Ｅがプラズマシールドつまり暗部空間を
横切り、静電位のエッチングプラズマから電極中央部の
表面58に向かって形成される。この電場がシース（空間
電荷層）を横切って電極表面から電子を加速すると共
に、同じくシースを横切って静のイオンを電極及びウェ
ハ55へと加速し、RIEモードプラズマエッチングの特徴
をなす指向性のイオンボンバードによるエッチ成分を与
える。
ドプラズマエッチング動作時、選ばれたエッチングガス
または混合物がガス供給源から入口管52−52を介し、排
気ポンプ系によって真空にされた反応室43内に導かれ
る。第５図に示すように、電源46からのRF電力が印加さ
れると、半導体ウェハ55の近傍で反応ガスの放電つまり
電子、イオン及び解離された種のプラズマ57が形成され
る。また、電場Ｅがプラズマシールドつまり暗部空間を
横切り、静電位のエッチングプラズマから電極中央部の
表面58に向かって形成される。この電場がシース（空間
電荷層）を横切って電極表面から電子を加速すると共
に、同じくシースを横切って静のイオンを電極及びウェ
ハ55へと加速し、RIEモードプラズマエッチングの特徴
をなす指向性のイオンボンバードによるエッチ成分を与
える。
可逆の磁場Ｂ（第５図）が、ウェハ基板55と平行で且
つ電場Ｅと直角に室43内に印加され、エッチプロセスの
特性を制御する。電子はこの磁場線によって閉じ込めら
れ、電子が陰極表面58から陽極43へと容易に移動するの
を防ぐ。また、電場と磁場両方がExBのドリフト速度を
電子に与えるため、電子は陰極表面に沿って点から点へ
とドリフト移動しようとする。この結果電子は、電極と
ウェハ基板に沿って正味のドリフト速度を持つバンド内
に集中される。反射端部44Aとの協働によって、ExBのド
リフト速度が電子をプラズマ内に閉じ込めようとする。
つ電場Ｅと直角に室43内に印加され、エッチプロセスの
特性を制御する。電子はこの磁場線によって閉じ込めら
れ、電子が陰極表面58から陽極43へと容易に移動するの
を防ぐ。また、電場と磁場両方がExBのドリフト速度を
電子に与えるため、電子は陰極表面に沿って点から点へ
とドリフト移動しようとする。この結果電子は、電極と
ウェハ基板に沿って正味のドリフト速度を持つバンド内
に集中される。反射端部44Aとの協働によって、ExBのド
リフト速度が電子をプラズマ内に閉じ込めようとする。
前記したように、磁場エンハンス型RIE装置内におけ
るプラズマと磁場との相互作用に伴う、固有な非一様性
という問題が存在する。プラズマ密度はExBの方向に沿
って下流側ほど高くなり、より高いエッチ速度を与え
る。例示として、第４図のエッチャー40の陰極42の部分
拡大断面図である第５図を参照すれば、エッチ速度は磁
場の正側に対応したウェハの端部つまり片側58で大きく
なる。２つの円筒状コイル54と56を流れる電流を反転さ
せると、ウェハを横切る磁場の方向がＢ′へと反転され
る。これによってプラズマの流れも反転されるため、エ
ッチ速度が高くなる側もウェハの反対側59へと切り換わ
る。つまり、磁場を反転させることにより、固有なエッ
チングの非一様性は、エッチ速度及び全体のエッチング
量が静磁場の方向に沿ってウェハ全体にわたって平均化
されるという点で、部分的に補償される。
るプラズマと磁場との相互作用に伴う、固有な非一様性
という問題が存在する。プラズマ密度はExBの方向に沿
って下流側ほど高くなり、より高いエッチ速度を与え
る。例示として、第４図のエッチャー40の陰極42の部分
拡大断面図である第５図を参照すれば、エッチ速度は磁
場の正側に対応したウェハの端部つまり片側58で大きく
なる。２つの円筒状コイル54と56を流れる電流を反転さ
せると、ウェハを横切る磁場の方向がＢ′へと反転され
る。これによってプラズマの流れも反転されるため、エ
ッチ速度が高くなる側もウェハの反対側59へと切り換わ
る。つまり、磁場を反転させることにより、固有なエッ
チングの非一様性は、エッチ速度及び全体のエッチング
量が静磁場の方向に沿ってウェハ全体にわたって平均化
されるという点で、部分的に補償される。
その他の磁場補強型RIEエッチャーは、上記と異なる
技法を用いてエッチングの非一様性を最小限化しようと
試みている。例えば、一つの手法では、ウェハの下側に
永久磁石を取り付けて磁場を発生させ、これらの磁石を
機械的に移動して磁場の偏りを“消そう”としている。
しかし、この手法は非一様性を実際上解消できず、潜在
的に機械的動作の問題を有し、調整可能な磁場強度を与
えられない。知られている第２の手法でも、永久磁石を
用いて磁場を発生させ、また非一様性を最小限化するた
め非常に低い圧力を用いている。
技法を用いてエッチングの非一様性を最小限化しようと
試みている。例えば、一つの手法では、ウェハの下側に
永久磁石を取り付けて磁場を発生させ、これらの磁石を
機械的に移動して磁場の偏りを“消そう”としている。
しかし、この手法は非一様性を実際上解消できず、潜在
的に機械的動作の問題を有し、調整可能な磁場強度を与
えられない。知られている第２の手法でも、永久磁石を
用いて磁場を発生させ、また非一様性を最小限化するた
め非常に低い圧力を用いている。
当該技術の現況を要約すれば、現在のところ、前述し
た10、20及び30などのバッチ型反応器が、商業的なほと
んどのプラズマエッチング及びRIEモードプラズマエッ
チング反応器で使われている。バッチ型反応器は比較的
多数のウェハを一度に処理し、従って比較的高いスルー
プットを与える。一方、単一ウェハ型反応器は前述した
ように、オートメ化、小型、低製造コスト、及びバッチ
内におけるウェハ間での一様性の問題がないなど幾つか
の利点を有し、この点が単一ウェハ型反応器を、特に直
径６インチ及び８インチのウェハなど大きくて高価なウ
ェハのエッチングに有利なものとしている。しかし、残
念ながらこれまで、エッチ速度、スループット、指向性
／選択性、及びウェハ内での一様性と相互に関連した問
題が、単一ウェハ型エッチの潜在的な利点の充分な利用
を妨げてきた。
た10、20及び30などのバッチ型反応器が、商業的なほと
んどのプラズマエッチング及びRIEモードプラズマエッ
チング反応器で使われている。バッチ型反応器は比較的
多数のウェハを一度に処理し、従って比較的高いスルー
プットを与える。一方、単一ウェハ型反応器は前述した
ように、オートメ化、小型、低製造コスト、及びバッチ
内におけるウェハ間での一様性の問題がないなど幾つか
の利点を有し、この点が単一ウェハ型反応器を、特に直
径６インチ及び８インチのウェハなど大きくて高価なウ
ェハのエッチングに有利なものとしている。しかし、残
念ながらこれまで、エッチ速度、スループット、指向性
／選択性、及びウェハ内での一様性と相互に関連した問
題が、単一ウェハ型エッチの潜在的な利点の充分な利用
を妨げてきた。
（発明が解決しようとする課題） 本発明の一つの目的は、高いエッチ速度と高いエッチ
一様性を与えると共に、他の処理条件をも満たす単一ウ
ェハ型エッチ反応器を提供することにある。
一様性を与えると共に、他の処理条件をも満たす単一ウ
ェハ型エッチ反応器を提供することにある。
本発明の別の目的は、そのままでの自己クリーニング
能力を具備したエッチ反応器を提供することにある。
能力を具備したエッチ反応器を提供することにある。
また別の目的は、オートメ化された内部でのウェハ取
扱能力を具備し、外部のウェハ交換ロボットと容易にイ
ンタフェース可能な反応器を提供することにある。
扱能力を具備し、外部のウェハ交換ロボットと容易にイ
ンタフェース可能な反応器を提供することにある。
上記の目的は例示であって、これらに限られるもので
ない。その他の目的は、以下の開示から明かとなろう。
ない。その他の目的は、以下の開示から明かとなろう。
（課題を解決するための手段） 上記の目的は、一特徴において、ウェハを処理するた
めの真空室を内部に画成したハウジングを有するエッチ
反応器において：ウェハを電極表面と平行に、弓状に支
持する凸状表面を持つ電極組体：電極表面に近接して位
置され、反応ガスを前記室内に供給するガスマニホルド
を含むガス配分系；室にRFエネルギーを与え、反応ガス
から電極とガスマニホルドとの間に反応性エッチングガ
スプラズマを発生する手段；及び電極のウェハ支持表面
と平行に電気制御式のDC（直流）磁場を形成する手段
で、電極上に位置したウェハへ一様なエッチングを与え
るように前記磁場の大きさ及び向きを選択的に変化させ
る手段；を有するエッチ反応器において達成される。
めの真空室を内部に画成したハウジングを有するエッチ
反応器において：ウェハを電極表面と平行に、弓状に支
持する凸状表面を持つ電極組体：電極表面に近接して位
置され、反応ガスを前記室内に供給するガスマニホルド
を含むガス配分系；室にRFエネルギーを与え、反応ガス
から電極とガスマニホルドとの間に反応性エッチングガ
スプラズマを発生する手段；及び電極のウェハ支持表面
と平行に電気制御式のDC（直流）磁場を形成する手段
で、電極上に位置したウェハへ一様なエッチングを与え
るように前記磁場の大きさ及び向きを選択的に変化させ
る手段；を有するエッチ反応器において達成される。
磁場は、室の対向両側面にそれぞれ配設され、ウェハ
を横切って別々の磁場を与える２対以上の電磁石と、個
々の電磁石への電流を制御し、合成磁場ベクトルの大き
さと角度の向きを独立に制御するコンピュータ手段によ
って与えられるのが好ましい。特に、上記対構成の電磁
石によって与えられる磁場の大きさ及び／又は方向は、
瞬間的に変更可能である。電場はウェハを中心に、毎分
数サイクルの遅い速度でステップ動され、渦電流損のな
い高圧での一様なエッチングを与えることができる。
を横切って別々の磁場を与える２対以上の電磁石と、個
々の電磁石への電流を制御し、合成磁場ベクトルの大き
さと角度の向きを独立に制御するコンピュータ手段によ
って与えられるのが好ましい。特に、上記対構成の電磁
石によって与えられる磁場の大きさ及び／又は方向は、
瞬間的に変更可能である。電場はウェハを中心に、毎分
数サイクルの遅い速度でステップ動され、渦電流損のな
い高圧での一様なエッチングを与えることができる。
別の特徴においては、ガスが室内圧よりも高い圧力で
ウェハと電極との間に与えられ、ウェハから、好ましく
は液体冷却される電極への一様な熱伝導性を高める。ウ
ェハを電極に対して弾性クランプするクランプ手段が設
けられる。例えば石英などの素材からなる保護被覆また
はカバーを、クランプリング及びガスマニホルド上に設
けることもできる。電極のウェハ支持表面は、ドーム状
つまり凸状曲面を有する。この結果、ウェハが電極にク
ランプされたとき、ウェハは電極のドーム状表面に合わ
せて湾曲され、電極の表面と密接な平行関係となる。こ
の弓状ウェハ及び電極間のコントロールされた平行で、
密接な離間が、ウェハと電極との間に熱伝達ガスを与え
るときに維持されている。これによって、ウェハの表面
全体から電極への一様な熱伝達が可能となり、従ってエ
ッチ速度などの一様な処理特性がウェハ全体にわたって
得られる。このガスエンハンスされた液体による電極冷
却が、輪郭（プロファイル）制御を容易にし且つブラッ
クシリコンなどの現象を回避すべく比較的低い温度にウ
ェハを維持しながら、エッチ速度とプラズマ制御を高め
るために、非常に高い電力密度の使用を可能とする。
ウェハと電極との間に与えられ、ウェハから、好ましく
は液体冷却される電極への一様な熱伝導性を高める。ウ
ェハを電極に対して弾性クランプするクランプ手段が設
けられる。例えば石英などの素材からなる保護被覆また
はカバーを、クランプリング及びガスマニホルド上に設
けることもできる。電極のウェハ支持表面は、ドーム状
つまり凸状曲面を有する。この結果、ウェハが電極にク
ランプされたとき、ウェハは電極のドーム状表面に合わ
せて湾曲され、電極の表面と密接な平行関係となる。こ
の弓状ウェハ及び電極間のコントロールされた平行で、
密接な離間が、ウェハと電極との間に熱伝達ガスを与え
るときに維持されている。これによって、ウェハの表面
全体から電極への一様な熱伝達が可能となり、従ってエ
ッチ速度などの一様な処理特性がウェハ全体にわたって
得られる。このガスエンハンスされた液体による電極冷
却が、輪郭（プロファイル）制御を容易にし且つブラッ
クシリコンなどの現象を回避すべく比較的低い温度にウ
ェハを維持しながら、エッチ速度とプラズマ制御を高め
るために、非常に高い電力密度の使用を可能とする。
電極組体の孔をそれぞれ貫いて延びた一群の可動ピン
を有するウェハ交換手段が、ウェハを電極組体上に位置
決めし、またそこから取り出すのに使われる。
を有するウェハ交換手段が、ウェハを電極組体上に位置
決めし、またそこから取り出すのに使われる。
また反応器は、破壊を起こさずに、低圧の電極熱伝達
冷却ガスをRF電力供給下の電極組体へと導くためのフィ
ードスルー装置を有する。該フィードスルー装置は、冷
却ガスを受け入れるガス入口と、該ガス入口から離間
し、電極に接続されたガス出口とを持つハウジングを有
する。該ハウジングはさらに、ガスの通路を横断して延
びた一対をなす、内側の、接近して離間している、穴付
きプレートを有し、該プレートのうちガス流の出口側に
ある一方が前記受け台と共通に電気接続され、他方のプ
レートが装置のアースに接続される。
冷却ガスをRF電力供給下の電極組体へと導くためのフィ
ードスルー装置を有する。該フィードスルー装置は、冷
却ガスを受け入れるガス入口と、該ガス入口から離間
し、電極に接続されたガス出口とを持つハウジングを有
する。該ハウジングはさらに、ガスの通路を横断して延
びた一対をなす、内側の、接近して離間している、穴付
きプレートを有し、該プレートのうちガス流の出口側に
ある一方が前記受け台と共通に電気接続され、他方のプ
レートが装置のアースに接続される。
別の特徴として、電気抵抗加熱装置などの加熱手段が
ハウジングに取り付けられ、室の内壁に制御された加熱
を与え、壁への付着物の形成を防ぐ。
ハウジングに取り付けられ、室の内壁に制御された加熱
を与え、壁への付着物の形成を防ぐ。
電気制御式の多方向磁場、陰極と反応器壁の温度制
御、及び石英被覆などの保護素材の使用を含む上記各特
徴の組合せが、前述した設計目的を満たすのを可能とす
る。指向性、選択性及び一様性など各種の競合する処理
条件は、低メインテナンスで、そのままで自己クリーニ
ング（自浄）可能な単一ウェハ装置における、高圧を含
む広い圧力範囲によって満たされる。特に、電気制御式
の多方向磁場と特別な保護素材の使用とが、動作中にお
ける高い指向性、高い選択性及び高い一様性を与える。
すなわち、電気制御式の多方向磁場は、高圧を含む約0.
001から0.300トルの非常に広い圧力範囲にわたる一様な
エッチングを与えることによって、一様性を犠牲とせず
に高速のエッチングを可能とする。この広い圧力範囲が
そのままでの自己クリーニングも可能とする。さらに、
温度制御される室壁表面と電気制御式の多方向磁場と
が、浄化作用とそのままでのクリーニングを容易として
いる。また、電気制御式の多方向磁場はエッチ速度を独
立に高め、高圧動作の能力と組み合わされて、単一ウェ
ハエッチャーでの実用的なスループット（処理量）を与
える。
御、及び石英被覆などの保護素材の使用を含む上記各特
徴の組合せが、前述した設計目的を満たすのを可能とす
る。指向性、選択性及び一様性など各種の競合する処理
条件は、低メインテナンスで、そのままで自己クリーニ
ング（自浄）可能な単一ウェハ装置における、高圧を含
む広い圧力範囲によって満たされる。特に、電気制御式
の多方向磁場と特別な保護素材の使用とが、動作中にお
ける高い指向性、高い選択性及び高い一様性を与える。
すなわち、電気制御式の多方向磁場は、高圧を含む約0.
001から0.300トルの非常に広い圧力範囲にわたる一様な
エッチングを与えることによって、一様性を犠牲とせず
に高速のエッチングを可能とする。この広い圧力範囲が
そのままでの自己クリーニングも可能とする。さらに、
温度制御される室壁表面と電気制御式の多方向磁場と
が、浄化作用とそのままでのクリーニングを容易として
いる。また、電気制御式の多方向磁場はエッチ速度を独
立に高め、高圧動作の能力と組み合わされて、単一ウェ
ハエッチャーでの実用的なスループット（処理量）を与
える。
以下、本発明の上記及びその他の特徴と利点は、添付
の図面を参照して説明される。
の図面を参照して説明される。
（実施例） マグネトロンエッチ反応器60の概要 第６及び７図はそれぞれ、本発明の単一ウェハ、磁場
エンハンス型プラズマエッチ反応器60の好ましい実施例
の等角図と、反応器60を通る垂直断面図を示す。ここで
の説明は主にRIEモードプラズマエッチングに関して行
うが、反応器の能力はもちろんプラズマモードエッチン
グにも拡張し得る。
エンハンス型プラズマエッチ反応器60の好ましい実施例
の等角図と、反応器60を通る垂直断面図を示す。ここで
の説明は主にRIEモードプラズマエッチングに関して行
うが、反応器の能力はもちろんプラズマモードエッチン
グにも拡張し得る。
第６及び７図を参照すると、本発明のエッチ反応器装
置60は、一般にアルミニウムなどの非磁性材料からなる
ハウジング62を備え、ハウジング62は（水平断面に沿っ
て見て）八角形の外壁64を有する。円形の内壁66がエッ
チ室68を画成する。後で詳述するように、反応器装置60
は、独特のガス及び液体冷却式受け台／陰極組体70と、
ウェハ交換装置74（第８−10図）も備えている。
置60は、一般にアルミニウムなどの非磁性材料からなる
ハウジング62を備え、ハウジング62は（水平断面に沿っ
て見て）八角形の外壁64を有する。円形の内壁66がエッ
チ室68を画成する。後で詳述するように、反応器装置60
は、独特のガス及び液体冷却式受け台／陰極組体70と、
ウェハ交換装置74（第８−10図）も備えている。
ウェハ交換装置74は垂直方向に移動可能なウェハ昇降
フィンガ79を備え、フィンガ79がウェハ75を、室内に挿
入された外部から手動で保持または操作されるブレード
76、あるいは好ましくは外部から装填／ロックされるロ
ボットブレード76からピックアップし、処理のためウェ
ハを陰極72上に移した後、処理されたウェハを室外へ取
り出すためロボットブレードに戻す。
フィンガ79を備え、フィンガ79がウェハ75を、室内に挿
入された外部から手動で保持または操作されるブレード
76、あるいは好ましくは外部から装填／ロックされるロ
ボットブレード76からピックアップし、処理のためウェ
ハを陰極72上に移した後、処理されたウェハを室外へ取
り出すためロボットブレードに戻す。
さらにウェハ交換装置74は、ウェハ昇降フィンガ79と
一体にウェハクランプリング78を具備する。後で詳述す
るように、ウェハ交換装置74の設計及び付設のウェハ昇
降／クランプ構造体の組み込みが、室内における一軸式
ロボット装置の使用を可能としている。また、室内ロボ
ットの動作により、室外ロボットは室内ロボットとの交
換用の所定の移送位置へウェハを置くだけでよい。
一体にウェハクランプリング78を具備する。後で詳述す
るように、ウェハ交換装置74の設計及び付設のウェハ昇
降／クランプ構造体の組み込みが、室内における一軸式
ロボット装置の使用を可能としている。また、室内ロボ
ットの動作により、室外ロボットは室内ロボットとの交
換用の所定の移送位置へウェハを置くだけでよい。
室外ロボットへの要求単純化で、複数の反応器の処理
を行う多室装填／ロック系でロボットを用いる場合で
も、比較的簡単なロボットとすることができる。このよ
うなＲ−θ移動を用いたロボットは、Dan Maydan,Sasso
n Somekh,David N.K.Wang,David Cheng,Masato Toshim
a,lsaac Harai及びPeter Hoppeの名前で同時に出願さ
れ、本出願人に譲渡された係属中の米国特許出願通し第
944,803号、（特開昭63−252439号に対応）名称「複数
室統合型処理システム」に開示されている。尚、同時出
願は参照によって全体がここに含まれるものとする（ま
た“参照の多室システム”と呼ぶ）。
を行う多室装填／ロック系でロボットを用いる場合で
も、比較的簡単なロボットとすることができる。このよ
うなＲ−θ移動を用いたロボットは、Dan Maydan,Sasso
n Somekh,David N.K.Wang,David Cheng,Masato Toshim
a,lsaac Harai及びPeter Hoppeの名前で同時に出願さ
れ、本出願人に譲渡された係属中の米国特許出願通し第
944,803号、（特開昭63−252439号に対応）名称「複数
室統合型処理システム」に開示されている。尚、同時出
願は参照によって全体がここに含まれるものとする（ま
た“参照の多室システム”と呼ぶ）。
処理ガスは、１つ以上のガス貯蔵リザーバ／タンクか
らなるガス供給系81から、ガスマニホルド80によって室
68の内部に供給される。ガス供給系81は供給管路82を介
してマニホルド80及び室68と連通し、供給管路82は入口
接続具84によってマニホルド80へと連結されている。ガ
ス供給系81は、室68に供給される各種のエッチガス、キ
ャリヤガスなどの流量を制御する自動的な流量制御装置
またはその他適当な制御装置を備えている。
らなるガス供給系81から、ガスマニホルド80によって室
68の内部に供給される。ガス供給系81は供給管路82を介
してマニホルド80及び室68と連通し、供給管路82は入口
接続具84によってマニホルド80へと連結されている。ガ
ス供給系81は、室68に供給される各種のエッチガス、キ
ャリヤガスなどの流量を制御する自動的な流量制御装置
またはその他適当な制御装置を備えている。
室内は真空とされ、使用後のガスとそれに巻き込まれ
た生成物は、通常の真空ポンプ系93に接続された排気ポ
ート92と連通する環状の排気室90から排出される。排出
流は室68内から、円筒状の陰極組体70の上部周囲に取り
付けられた水平の環状プレート96の穴94を通って流出す
る。穴あきプレート96は、プラズマが環状の排気室90内
へと進入するのを防ぐ。この排気構成が、反応ガスによ
るウェハの一様な被覆とエッチングを容易にしている。
排気系の制御は、圧力制御装置とDCモータを介して動作
し送風機の速度を制御するマノメータセンサ（図示せ
ず）など容量型の通常の系、あるいはその他通常の制御
系によって行える。
た生成物は、通常の真空ポンプ系93に接続された排気ポ
ート92と連通する環状の排気室90から排出される。排出
流は室68内から、円筒状の陰極組体70の上部周囲に取り
付けられた水平の環状プレート96の穴94を通って流出す
る。穴あきプレート96は、プラズマが環状の排気室90内
へと進入するのを防ぐ。この排気構成が、反応ガスによ
るウェハの一様な被覆とエッチングを容易にしている。
排気系の制御は、圧力制御装置とDCモータを介して動作
し送風機の速度を制御するマノメータセンサ（図示せ
ず）など容量型の通常の系、あるいはその他通常の制御
系によって行える。
第７図中の各矢印102、104、106、108で示されている
ように、入口84に導かれたガス（矢印100）はマニホル
ド80へと向い（矢印102）、次いでマニホルド80から下
方へ向かい（矢印104）、RF電力の印加中に室内の処理
領域110にエッチング用ガスプラズマを形成し、その後
ウェハ75上を通って流れ、ウェハ上を放射方向外側へ横
切って環状の排気室90へと入り（矢印106）、そこから
排気ポート92へと流出する（矢印108）。
ように、入口84に導かれたガス（矢印100）はマニホル
ド80へと向い（矢印102）、次いでマニホルド80から下
方へ向かい（矢印104）、RF電力の印加中に室内の処理
領域110にエッチング用ガスプラズマを形成し、その後
ウェハ75上を通って流れ、ウェハ上を放射方向外側へ横
切って環状の排気室90へと入り（矢印106）、そこから
排気ポート92へと流出する（矢印108）。
上記のRF電力は、RF電源系112から反応器装置60へと
供給され、プラズマ発生動作を行う、すなわち処理領域
110内の流入ガスからエッチング用ガスプラズマを形成
する。この系112はRF電源と負荷整合網を備え、受け台7
2に接続されており、室壁がアースされている。つま
り、受け台が電力供給される陰極をなしている。RF電力
は一般に高周波、好ましくは約13.6MHzで供給される。
但し、反応寄贈値60は、例えば数KHzなどの低い周波数
でも動作可能である。
供給され、プラズマ発生動作を行う、すなわち処理領域
110内の流入ガスからエッチング用ガスプラズマを形成
する。この系112はRF電源と負荷整合網を備え、受け台7
2に接続されており、室壁がアースされている。つま
り、受け台が電力供給される陰極をなしている。RF電力
は一般に高周波、好ましくは約13.6MHzで供給される。
但し、反応寄贈値60は、例えば数KHzなどの低い周波数
でも動作可能である。
電力供給される受け台陰極の使用は、RF電力とプラズ
マをウェハの表面領域上に集中させると共に、電力密度
をウェハ上では増大させながら他では減少させるという
利点を有する。この結果、エッチングがウェハ上でだけ
生じ、室の他の部分の腐食を減少させ、従ってウェハの
汚染の可能性を減らすことが保証される。一般的に、約
2.5〜3.5watts/cm2の電力密度が使える。以下論じるよ
うに、このような高い電力密度は冷却を必要とする。こ
のためRF電力供給陰極72は、ガスエンハンスされたウェ
ハ−陰極間の熱伝導性と液体による陰極冷却とを組み合
わせるように構成されるのが好ましい。しかし、ヘリウ
ムなど冷却ガスの低圧下における電力供給受け台72への
印加は通例、冷却ガスの分解を引き起こす。そこで本反
応器は、イオン化を生じずにガスを高圧電極に供給する
独特のガスフィードスルー114（第７図）を備えてい
る。
マをウェハの表面領域上に集中させると共に、電力密度
をウェハ上では増大させながら他では減少させるという
利点を有する。この結果、エッチングがウェハ上でだけ
生じ、室の他の部分の腐食を減少させ、従ってウェハの
汚染の可能性を減らすことが保証される。一般的に、約
2.5〜3.5watts/cm2の電力密度が使える。以下論じるよ
うに、このような高い電力密度は冷却を必要とする。こ
のためRF電力供給陰極72は、ガスエンハンスされたウェ
ハ−陰極間の熱伝導性と液体による陰極冷却とを組み合
わせるように構成されるのが好ましい。しかし、ヘリウ
ムなど冷却ガスの低圧下における電力供給受け台72への
印加は通例、冷却ガスの分解を引き起こす。そこで本反
応器は、イオン化を生じずにガスを高圧電極に供給する
独特のガスフィードスルー114（第７図）を備えてい
る。
また反応器60は、前記第４図に開示された磁場発生装
置の改良も含んでいる。第６図を参照すると、本磁場発
生装置は４つの電磁石116、118、120及び122など多数の
対電磁石を使用し、これらの電磁石は一般に八角形状ハ
ウジングの１つ置きの壁上に各々一つづつ、全体として
矩形配列で取り付けられた銅製コイルからなる。２つの
コイル対が協働して疑似静電型の多方向磁場を生じ、こ
の磁場がウェハを中心にステップ動または回転可能で、
高及び低圧におけるエッチングの一様性を与える。ま
た、エッチ速度を選択でき、イオンボンバードを減少で
きるように、磁場の大きさは可変である。
置の改良も含んでいる。第６図を参照すると、本磁場発
生装置は４つの電磁石116、118、120及び122など多数の
対電磁石を使用し、これらの電磁石は一般に八角形状ハ
ウジングの１つ置きの壁上に各々一つづつ、全体として
矩形配列で取り付けられた銅製コイルからなる。２つの
コイル対が協働して疑似静電型の多方向磁場を生じ、こ
の磁場がウェハを中心にステップ動または回転可能で、
高及び低圧におけるエッチングの一様性を与える。ま
た、エッチ速度を選択でき、イオンボンバードを減少で
きるように、磁場の大きさは可変である。
電気制御式の多方向磁場発生器 第12図は、本発明で使われる疑似静電型の多方向磁場
を発生及び制御する系の概略図である。
を発生及び制御する系の概略図である。
第６図に加え主に第12図に参照すると、２つのコイル
対116、118及び120、122が相互に直交する磁場ベクトル
ByとBxをそれぞれ形成し、これらの磁場ベクトルは受け
台／陰極72及びウェハ75とほぼ平行である。第12図に示
した一例では、コンピュータ112が制御信号を、ライン1
03、105、107及び109を介して通常の電源系115、117、1
19及び121に印加し、導体123、125、127及び129を経て
電磁石116、118、120及び122にそれぞれ供給される電流
の大きさと方向を制御する。対応した電流が、各コイル
対によって発生される磁場の方向と大きさを決める。
対116、118及び120、122が相互に直交する磁場ベクトル
ByとBxをそれぞれ形成し、これらの磁場ベクトルは受け
台／陰極72及びウェハ75とほぼ平行である。第12図に示
した一例では、コンピュータ112が制御信号を、ライン1
03、105、107及び109を介して通常の電源系115、117、1
19及び121に印加し、導体123、125、127及び129を経て
電磁石116、118、120及び122にそれぞれ供給される電流
の大きさと方向を制御する。対応した電流が、各コイル
対によって発生される磁場の方向と大きさを決める。
コイル対116、118及び120、122によってそれぞれ発生
される直交磁場ベクトルByとBxは、次式で定義される： Bx＝Bcosθ （１） By＝Bsinθ （２） 磁場Ｂの所望値つまり必要値とその角度方向θが与え
られれば、コンピュータ113は独立に上式（１）と
（２）を解き、磁場の所望強度と向きを与える対応した
磁場ベクトルBxとByを得、次いでこれらの磁場ByとBxを
与えるのに必要な電流の各コイル116〜122への印加を制
御することができる。
される直交磁場ベクトルByとBxは、次式で定義される： Bx＝Bcosθ （１） By＝Bsinθ （２） 磁場Ｂの所望値つまり必要値とその角度方向θが与え
られれば、コンピュータ113は独立に上式（１）と
（２）を解き、磁場の所望強度と向きを与える対応した
磁場ベクトルBxとByを得、次いでこれらの磁場ByとBxを
与えるのに必要な電流の各コイル116〜122への印加を制
御することができる。
さらに、上記DC磁場の角度方向と大きさは、コイルの
電流を変えることによって、所望に応じ速くまたはゆっ
くりと独立に変更可能である。磁場が各角度位置に留ま
る時間及び角度ステップ動の方向は、磁場の強度と共に
変更できる。何故なら、これらのパラメータは単に電磁
石に印加される電流変化の関数であり、コンピュータ11
3によって容易に制御できるからである。つまり磁場
は、選定された向きと時間増分を用いて、ウェハの周囲
でステップ動可能である。所望なら、合成磁場Ｂの大き
さは、処理または反応器の構成が必要とするのに応じて
変化可能であり、あるいは一定の磁場強度を用いること
もできる。要するに、電流制御式の本系は、速くまたは
ゆっくり移動するか、一定か、もしくは角速度が一定ま
たは変化される強度可変の多様な磁場を与える。さら
に、磁場の向きは逐次ステップ動または変化させなくと
もよく、ある一定の向き（または磁場）から別のものへ
と瞬間的に切り換えてもよい。
電流を変えることによって、所望に応じ速くまたはゆっ
くりと独立に変更可能である。磁場が各角度位置に留ま
る時間及び角度ステップ動の方向は、磁場の強度と共に
変更できる。何故なら、これらのパラメータは単に電磁
石に印加される電流変化の関数であり、コンピュータ11
3によって容易に制御できるからである。つまり磁場
は、選定された向きと時間増分を用いて、ウェハの周囲
でステップ動可能である。所望なら、合成磁場Ｂの大き
さは、処理または反応器の構成が必要とするのに応じて
変化可能であり、あるいは一定の磁場強度を用いること
もできる。要するに、電流制御式の本系は、速くまたは
ゆっくり移動するか、一定か、もしくは角速度が一定ま
たは変化される強度可変の多様な磁場を与える。さら
に、磁場の向きは逐次ステップ動または変化させなくと
もよく、ある一定の向き（または磁場）から別のものへ
と瞬間的に切り換えてもよい。
DC磁場の方向と大きさを独立に制御できるこの多様性
が、一般に60Hzの標準速度など一定の比較的高い周波数
で回転される、既存の市販されている回転磁場と異なっ
ている。さらに、例えば２〜５秒／回転（12〜30サイク
ル／分）またはそれより低い速度でゆっくり“回転す
る”能力が、高周波の使用にともなってアルミニウムま
たはその他の金属製室内に生じる渦電流損の問題を解消
する。
が、一般に60Hzの標準速度など一定の比較的高い周波数
で回転される、既存の市販されている回転磁場と異なっ
ている。さらに、例えば２〜５秒／回転（12〜30サイク
ル／分）またはそれより低い速度でゆっくり“回転す
る”能力が、高周波の使用にともなってアルミニウムま
たはその他の金属製室内に生じる渦電流損の問題を解消
する。
第４図に示した従来の反応器40は、静磁場を一軸に沿
って反転させている。これに対し本反応器60では、電磁
コイルへの電流を逐次変化させるという簡単な手段によ
って、例えば好ましくは２〜５秒／回転の遅い速度で磁
場を有効に回転させる。これにより、磁場がウェハを中
心として遅い速度でステップ動され、ウェハを一方向に
横切ってでなく、ウェハの全周360°にわたってエッチ
ングの一様性を高める。この結果、反応器60は、低圧RI
Eエッチャーによるものさえも越える指向性、選択性及
び一様性で、広い範囲の低から高までの圧力にわたって
使える。
って反転させている。これに対し本反応器60では、電磁
コイルへの電流を逐次変化させるという簡単な手段によ
って、例えば好ましくは２〜５秒／回転の遅い速度で磁
場を有効に回転させる。これにより、磁場がウェハを中
心として遅い速度でステップ動され、ウェハを一方向に
横切ってでなく、ウェハの全周360°にわたってエッチ
ングの一様性を高める。この結果、反応器60は、低圧RI
Eエッチャーによるものさえも越える指向性、選択性及
び一様性で、広い範囲の低から高までの圧力にわたって
使える。
例えば２〜30サイクル／分の好ましい低速磁場回転の
一応用は、以下で参照する臭化水素／ヨウ化水素のエッ
チ処理で説明されている。すなわち、臭素化物及びヨウ
素物による化学エッチ作用と組み合わされた磁場の使用
がエッチを制御し、ウェハの損傷を減少させる。磁場を
強めればエッチ速度が上昇するため、磁場を強める一
方、RF電力及びその結果生じる−Vdcを減少することに
よって、ある一定のエッチ速度が得られる。これによ
り、ウェハへのイオンボンバード及びデバイスの損傷が
減少する。以下で参照する臭素／ヨウ素シリコンエッチ
処理で使われる臭素とヨウ素のエッチングガス組成物
は、シリコン素材がエッチングされるにつれトレンチの
側壁上に無機性の側壁付着物を形成するように注意深く
調整され、側壁の輪郭（プロファイル）を制御する。磁
場を強めると、このエッチ輪郭制御の効果が高まる。
一応用は、以下で参照する臭化水素／ヨウ化水素のエッ
チ処理で説明されている。すなわち、臭素化物及びヨウ
素物による化学エッチ作用と組み合わされた磁場の使用
がエッチを制御し、ウェハの損傷を減少させる。磁場を
強めればエッチ速度が上昇するため、磁場を強める一
方、RF電力及びその結果生じる−Vdcを減少することに
よって、ある一定のエッチ速度が得られる。これによ
り、ウェハへのイオンボンバード及びデバイスの損傷が
減少する。以下で参照する臭素／ヨウ素シリコンエッチ
処理で使われる臭素とヨウ素のエッチングガス組成物
は、シリコン素材がエッチングされるにつれトレンチの
側壁上に無機性の側壁付着物を形成するように注意深く
調整され、側壁の輪郭（プロファイル）を制御する。磁
場を強めると、このエッチ輪郭制御の効果が高まる。
一般に、磁場の強度が強まるにつれ、保護の側壁付着
物が厚くなり（酸素源が存在する場合）、トレンチの輪
郭により大きいテーパとより少ない湾曲（bowing）を与
える。磁場を容易に変えられるので、深さの増加につれ
て輪郭を変更させる能力も与えられる。例えば、非常に
狭く深いトレンチでは、その後の誘電物によるトレンチ
充填を容易にするため、トレンチの入口を広くするのが
望ましいことがある。磁場の調整によって与えられるテ
ーパ制御は、まさにこのような漏斗状で、広い入口の、
全体として狭いトレンチの形成を可能とする。
物が厚くなり（酸素源が存在する場合）、トレンチの輪
郭により大きいテーパとより少ない湾曲（bowing）を与
える。磁場を容易に変えられるので、深さの増加につれ
て輪郭を変更させる能力も与えられる。例えば、非常に
狭く深いトレンチでは、その後の誘電物によるトレンチ
充填を容易にするため、トレンチの入口を広くするのが
望ましいことがある。磁場の調整によって与えられるテ
ーパ制御は、まさにこのような漏斗状で、広い入口の、
全体として狭いトレンチの形成を可能とする。
前記の第12図は、反応器60用の全体的なコンピュータ
制御系も概略図に示している。現時点で、コントローラ
113は68010型プロセッサを用いている。電磁石116〜122
への電流の印加を制御するほか、コンピュータ113は供
給源81からのガス流、電源112からのRF電力の印加、そ
れぞれの供給源169と175から陰極への冷却ガスと水との
流入、真空系93、シャフト機構140用空圧シリンダの制
御弁、スリット弁162用空圧シリンダの制御弁、及び水
加熱源183も制御する。
制御系も概略図に示している。現時点で、コントローラ
113は68010型プロセッサを用いている。電磁石116〜122
への電流の印加を制御するほか、コンピュータ113は供
給源81からのガス流、電源112からのRF電力の印加、そ
れぞれの供給源169と175から陰極への冷却ガスと水との
流入、真空系93、シャフト機構140用空圧シリンダの制
御弁、スリット弁162用空圧シリンダの制御弁、及び水
加熱源183も制御する。
受け台組体70 第６図と主に第７図を参照すれば、受け台組体70は、
ハウジング62の内側に取り付けられたほぼ円筒状の壁構
造体124と、ハウジング62の底部に取り付けられそこか
ら下方に延びた円筒状のボトムハウジング126とを有す
る。環状の排気プレート96がハウジング124の周囲で、
ボス127と128上に取り付けられている。電力が供給され
る受け台／陰極72はほぼ円筒状のベース部材128上に取
り付けられ、ベース部材128はアースされるハウジング
に、相互に係合する絶縁体部材130〜134によって取り付
けられている。
ハウジング62の内側に取り付けられたほぼ円筒状の壁構
造体124と、ハウジング62の底部に取り付けられそこか
ら下方に延びた円筒状のボトムハウジング126とを有す
る。環状の排気プレート96がハウジング124の周囲で、
ボス127と128上に取り付けられている。電力が供給され
る受け台／陰極72はほぼ円筒状のベース部材128上に取
り付けられ、ベース部材128はアースされるハウジング
に、相互に係合する絶縁体部材130〜134によって取り付
けられている。
一体状のウェハ交換組体74は、円形状に配置された複
数の、垂直方向に延びたウェハ指示ピン／フィンガ79〜
79（４つが図示されている）を備える。各フィンガ79
は、受け台72とベース部材128とに形成された穴を通っ
て延びている。ウェハ支持フィンガ79〜79とウェハクラ
ンプリング78は共に支持アーム手段に取り付けられ、支
持アーム手段はシャフト昇降機構140と円筒状のリング
部材139に取り付けられた水平方向に延びるアーム137〜
137からなる。アーム137〜137は以下述べるように、シ
ャフト昇降機構140へ垂直変位自在に取り付けられてい
る。
数の、垂直方向に延びたウェハ指示ピン／フィンガ79〜
79（４つが図示されている）を備える。各フィンガ79
は、受け台72とベース部材128とに形成された穴を通っ
て延びている。ウェハ支持フィンガ79〜79とウェハクラ
ンプリング78は共に支持アーム手段に取り付けられ、支
持アーム手段はシャフト昇降機構140と円筒状のリング
部材139に取り付けられた水平方向に延びるアーム137〜
137からなる。アーム137〜137は以下述べるように、シ
ャフト昇降機構140へ垂直変位自在に取り付けられてい
る。
上記したように、垂直方向を向いたウェハ支持ピン79
〜79は、アーム組体の各アーム137〜137に取り付けら
れ、受け台72の上方ウェハ支持面の穴を通って延びてい
る。ウェハクランプリング78もアーム組体に、すなわち
そのリング139に取り付けられている。リング139は、ハ
ウジング124とベース部材128の間に形成されたチャネル
141内を垂直方向に移動可能である。以下第８〜11図に
関連して詳しく述べるように、ウェハ支持ピン79とこれ
らのピンから垂直方向に離れたウェハクランプリング78
の使用、及び垂直方向に移動可能な共通のアーム組体へ
のそれらのジョイント取付が、一軸だけの移動を用いた
外部ロボットブレード76による簡単なウェハ交換を与え
る。
〜79は、アーム組体の各アーム137〜137に取り付けら
れ、受け台72の上方ウェハ支持面の穴を通って延びてい
る。ウェハクランプリング78もアーム組体に、すなわち
そのリング139に取り付けられている。リング139は、ハ
ウジング124とベース部材128の間に形成されたチャネル
141内を垂直方向に移動可能である。以下第８〜11図に
関連して詳しく述べるように、ウェハ支持ピン79とこれ
らのピンから垂直方向に離れたウェハクランプリング78
の使用、及び垂直方向に移動可能な共通のアーム組体へ
のそれらのジョイント取付が、一軸だけの移動を用いた
外部ロボットブレード76による簡単なウェハ交換を与え
る。
シャフト昇降組体140は、ボルト146によって相互に接
合されたスリーブ142と円筒状のバネ保持体144を有し、
ベース150に形成された孔内に軸受148によってスライド
自在に装着されている。ベース150は段付の円筒形状
で、その段つまり肩でベース部材128の底部に接合され
ている。
合されたスリーブ142と円筒状のバネ保持体144を有し、
ベース150に形成された孔内に軸受148によってスライド
自在に装着されている。ベース150は段付の円筒形状
で、その段つまり肩でベース部材128の底部に接合され
ている。
シャフト昇降機構140の横方向移動は、シャフト140の
アイレット153を貫いて延びた一対の垂直ガイドピン151
（１つだけ図示）によって抑制、すなわち防止されてい
る。調整可能なストッパナット155がピン151の下方ネジ
切り部に取り付けられ、シャフト昇降機構140及び付設
のクランプリング78とピン79の上方移動（最上位置）を
制限する。
アイレット153を貫いて延びた一対の垂直ガイドピン151
（１つだけ図示）によって抑制、すなわち防止されてい
る。調整可能なストッパナット155がピン151の下方ネジ
切り部に取り付けられ、シャフト昇降機構140及び付設
のクランプリング78とピン79の上方移動（最上位置）を
制限する。
バネ152がベース150の底部とシャフトのバネ保持体14
4との間に固定され、シャフト140、クランプリング78及
びピン79を通常時の下方位置へと下側に付勢している。
第７図に示したようにこのバネ付勢位置では、各ピン79
〜79が受け台72のそれぞれの穴内に後退しており、クラ
ンプリング78が受け台72の外周に弾性係合している。ウ
ェハ75が受け台72上に位置する場合、クランプリング78
はウェハの外周を受け台の上面154に対してしっかり且
つ弾性的にクランプする（第８図）。シャフト140、ク
ランプリング78及びピン79〜79の垂直上方移動は、空圧
シリンダ158の垂直ロッド156によって行われ、空圧シリ
ンダ158は一般にハウジング126の取り付けられ、コンピ
ュータ113（第12図）の制御下で動作する。ロッド156の
上方移動がシャフト140をバネ151の付勢作用に抗して上
方に移動させ、クランプリング78を受け台72/ウェハ75
から離すと共に、受け台を貫いて各ピン79〜79を上方に
伸長させウェハをピックアップする。
4との間に固定され、シャフト140、クランプリング78及
びピン79を通常時の下方位置へと下側に付勢している。
第７図に示したようにこのバネ付勢位置では、各ピン79
〜79が受け台72のそれぞれの穴内に後退しており、クラ
ンプリング78が受け台72の外周に弾性係合している。ウ
ェハ75が受け台72上に位置する場合、クランプリング78
はウェハの外周を受け台の上面154に対してしっかり且
つ弾性的にクランプする（第８図）。シャフト140、ク
ランプリング78及びピン79〜79の垂直上方移動は、空圧
シリンダ158の垂直ロッド156によって行われ、空圧シリ
ンダ158は一般にハウジング126の取り付けられ、コンピ
ュータ113（第12図）の制御下で動作する。ロッド156の
上方移動がシャフト140をバネ151の付勢作用に抗して上
方に移動させ、クランプリング78を受け台72/ウェハ75
から離すと共に、受け台を貫いて各ピン79〜79を上方に
伸長させウェハをピックアップする。
ウェハ交換装置74の動作 第８〜10図が、ウェハ交換装置74の独特な一体状のク
ランプ78/フィンガ79の動作を示している。これによっ
て得られる単純な、一軸方向のロボット移動が以下述べ
るように、個々のウェハ75を外部ブレード76（第６図も
参照）から受け台／陰極72へ、及びその逆方向に移送せ
しめ、受け台上のウェハをクランプしてしっかり位置決
めすると共に、ウェハの冷却を容易とする。
ランプ78/フィンガ79の動作を示している。これによっ
て得られる単純な、一軸方向のロボット移動が以下述べ
るように、個々のウェハ75を外部ブレード76（第６図も
参照）から受け台／陰極72へ、及びその逆方向に移送せ
しめ、受け台上のウェハをクランプしてしっかり位置決
めすると共に、ウェハの冷却を容易とする。
第６、７及び８図を参照すると、反応器のハウジング
壁66は閉鎖可能な、細長形状の開口つまりスロット160
を有し、これが外部ブレード76の室内及び室外への移動
を許容する。室に対してウェハを装填／取出するのにブ
レード76が使われない場合、スロット160は旋回自在に
取り付けられた弁またはドア162によって閉じられ室を
密閉する。ドア162は、空圧シリンダ系153（第12図）に
よって開閉される。クランプ支持リング139は、その上
部の対向両側面に形成され、ブレード76とウェハ75の挿
入を可能とする一対の凹部164〜164を有する。反応室60
とカセットなどの外部貯蔵装置との間でウェハを移送す
るのに必要なのは、単純な双方向の、一軸ロボット型ブ
レード76だけである。適切なロボットブレードとドア
は、前述の参照多室システムに記載されている。
壁66は閉鎖可能な、細長形状の開口つまりスロット160
を有し、これが外部ブレード76の室内及び室外への移動
を許容する。室に対してウェハを装填／取出するのにブ
レード76が使われない場合、スロット160は旋回自在に
取り付けられた弁またはドア162によって閉じられ室を
密閉する。ドア162は、空圧シリンダ系153（第12図）に
よって開閉される。クランプ支持リング139は、その上
部の対向両側面に形成され、ブレード76とウェハ75の挿
入を可能とする一対の凹部164〜164を有する。反応室60
とカセットなどの外部貯蔵装置との間でウェハを移送す
るのに必要なのは、単純な双方向の、一軸ロボット型ブ
レード76だけである。適切なロボットブレードとドア
は、前述の参照多室システムに記載されている。
まず、クランプ及びフィンガ取付アーム組体が第８図
に、及び第６図に想像線で示したわずかに上昇した位置
に位置決めされ、クランプリングの凹部164、ハウジン
グのスロット160及びブレード76が水平方向に一致され
る。これによって、ブレード76は前方凹部164を通じて
挿入可能となる。尚、ピン79の頂部とクランプリング78
の間の間隔が、凹部164と水平方向に一致されることに
も留意のこと。つまり、ブレード76は各ピン79とクラン
プリング78の間も通過可能である。スロット160と凹部1
64がこのように一致された状態で、ブレード76（その上
に支持された処理すべきウェハ75も含む）がスロット16
0と凹部164を介して、室68及びプラズマエッチング領域
110内及び受け台72上へと挿入される。
に、及び第６図に想像線で示したわずかに上昇した位置
に位置決めされ、クランプリングの凹部164、ハウジン
グのスロット160及びブレード76が水平方向に一致され
る。これによって、ブレード76は前方凹部164を通じて
挿入可能となる。尚、ピン79の頂部とクランプリング78
の間の間隔が、凹部164と水平方向に一致されることに
も留意のこと。つまり、ブレード76は各ピン79とクラン
プリング78の間も通過可能である。スロット160と凹部1
64がこのように一致された状態で、ブレード76（その上
に支持された処理すべきウェハ75も含む）がスロット16
0と凹部164を介して、室68及びプラズマエッチング領域
110内及び受け台72上へと挿入される。
次に第８図に示すように、ロッド156（第７図）が伸
長され、シャフト昇降機構140と各ウェハ支持ピン79〜7
9を上昇させ、ウェハ75をブレード76から持ち上げる。
長され、シャフト昇降機構140と各ウェハ支持ピン79〜7
9を上昇させ、ウェハ75をブレード76から持ち上げる。
ブレード76を後退させた後、ドア162が閉じられる。
次いで、第10図を参照すると、シリンダ158（第７図）
がロッド156を後退し、バネ152がシャフト140を下降／
後退させると共に、クランプリング78がウェハ75をリン
グ78と受け台72の間に弾性クランプする。
次いで、第10図を参照すると、シリンダ158（第７図）
がロッド156を後退し、バネ152がシャフト140を下降／
後退させると共に、クランプリング78がウェハ75をリン
グ78と受け台72の間に弾性クランプする。
処理後、シリンダ158がシャフト昇降機構140を上昇さ
せ、ウェハ75をブレード76の上方へと持ち上げる結果、
ブレードは室内のウェハ下方へと挿入可能となる。次い
で、シャフト40がわずかに下降され、各ピン79〜79とク
ランプリング78を第８図に示した位置に位置決めする。
この時点で、処理後のウェハ75を支持しているブレード
76が室から後退される。その後、新たなウェハをブレー
ド76上に置き、同じく第８図に示したように、室内の各
ピン79−79とクランプリング78の間へ挿入することによ
って、別のウェハ交換サイクルが開始される。
せ、ウェハ75をブレード76の上方へと持ち上げる結果、
ブレードは室内のウェハ下方へと挿入可能となる。次い
で、シャフト40がわずかに下降され、各ピン79〜79とク
ランプリング78を第８図に示した位置に位置決めする。
この時点で、処理後のウェハ75を支持しているブレード
76が室から後退される。その後、新たなウェハをブレー
ド76上に置き、同じく第８図に示したように、室内の各
ピン79−79とクランプリング78の間へ挿入することによ
って、別のウェハ交換サイクルが開始される。
前記したように、ウェハ交換装置74が直角の点及び外
周接点だけを用いて、ウェハをブレードへ及びそこから
移送し、クランプすると共に、受け台からウェハを取り
除く。ウェハをピックアップ及び載置するのに必要な通
常なスライド及び／又はロール摩擦接点は、使われな
い。従って自明なように、処理室68内で粒子を発生する
傾向が減少される。
周接点だけを用いて、ウェハをブレードへ及びそこから
移送し、クランプすると共に、受け台からウェハを取り
除く。ウェハをピックアップ及び載置するのに必要な通
常なスライド及び／又はロール摩擦接点は、使われな
い。従って自明なように、処理室68内で粒子を発生する
傾向が減少される。
また、単軸ロボット用の支持及び並進装置は室68の下
方に配置され、周囲を取り囲む受け台組体70によって室
から隔絶されている。シャフト組体140の上端とベース1
50の間にベロー166が取り付けられ、シャフト140とウェ
ハ95及び処理室68との間に追加のバリヤを与えている。
ベロー166の内部はオリフィス168によって、ハウジング
126内の大気圧環境に通気されている。これによって、
シャフト室167の大気圧環境内におけるベローの上下時
に、シャフトの軸の沿ったベローの膨張及び収縮を容易
となる。
方に配置され、周囲を取り囲む受け台組体70によって室
から隔絶されている。シャフト組体140の上端とベース1
50の間にベロー166が取り付けられ、シャフト140とウェ
ハ95及び処理室68との間に追加のバリヤを与えている。
ベロー166の内部はオリフィス168によって、ハウジング
126内の大気圧環境に通気されている。これによって、
シャフト室167の大気圧環境内におけるベローの上下時
に、シャフトの軸の沿ったベローの膨張及び収縮を容易
となる。
ウェハ冷却装置 主に第７図を参照すれば、前述したように、陰極／受
け台組体70は液体とガスの組合せ、すなわちガスエンハ
ンスされたウェハ−陰極間での熱伝導性と、液体による
陰極冷却とによって冷却される。一般に冷水である液体
は、コンピュータ113で制御される弁及びポンプ系169
（第12図）によって、ベース部材128の下方環状チャネ
ル172と一対の上方円形チャネル174〜174とに連通した
入口170に与えられる。すなわち、冷却水は入口170内へ
と流入し、下方チャネル172と上方チャネル174〜174を
通過して出口（図示せず）に至る。冷却ガス流入通路17
6を迂回するため、孔対174〜174が広い一つのチャネル
の代わりに使われている。
け台組体70は液体とガスの組合せ、すなわちガスエンハ
ンスされたウェハ−陰極間での熱伝導性と、液体による
陰極冷却とによって冷却される。一般に冷水である液体
は、コンピュータ113で制御される弁及びポンプ系169
（第12図）によって、ベース部材128の下方環状チャネ
ル172と一対の上方円形チャネル174〜174とに連通した
入口170に与えられる。すなわち、冷却水は入口170内へ
と流入し、下方チャネル172と上方チャネル174〜174を
通過して出口（図示せず）に至る。冷却ガス流入通路17
6を迂回するため、孔対174〜174が広い一つのチャネル
の代わりに使われている。
冷却ガスは、クランプされた状態のウェハ75から水冷
の受け台72へと向かう熱伝達を高めるために使われる。
このため熱伝導性のガスが、通常のコンピュータ113制
御式の弁装置175によって、電力駆動下の受け台による
低圧ガスのイオン化を防ぐ後述のガスフィードスルー11
4を介し、流入通路176に与えられる。第６図も参照すれ
ば、通路176は、受け台72表面の放射状の溝180と交差す
るオリフィス178に続いている。
の受け台72へと向かう熱伝達を高めるために使われる。
このため熱伝導性のガスが、通常のコンピュータ113制
御式の弁装置175によって、電力駆動下の受け台による
低圧ガスのイオン化を防ぐ後述のガスフィードスルー11
4を介し、流入通路176に与えられる。第６図も参照すれ
ば、通路176は、受け台72表面の放射状の溝180と交差す
るオリフィス178に続いている。
前述したように、陰極組体70は、ウェハを陰極に対し
てたわませようとする冷却ガスの固有な傾向を補償する
ドーム状の上面を持つ。第13図は受け台72、ウェハクラ
ンプリング78及びクランプされたウェハ75の概略垂直断
面図で、受け台72上面の湾曲つまりドーム形状を誇張し
て示している。クランプリング78はウェハ75をその上面
から受け台72に対して直接クランプしてもよいし、ある
いは好ましくはウェハの上面をクランプする多数の放射
状フィンガ78Fを備えることもできる。受け台72の外周
をその全体凸形状の一部として傾斜させ、またクランプ
リング78またはフィンガ78Fの下面をこれと対応して傾
斜させてもよい。あるいは、クランプ／フィンガと受け
台の外周とを水平の向きにすることもできる。
てたわませようとする冷却ガスの固有な傾向を補償する
ドーム状の上面を持つ。第13図は受け台72、ウェハクラ
ンプリング78及びクランプされたウェハ75の概略垂直断
面図で、受け台72上面の湾曲つまりドーム形状を誇張し
て示している。クランプリング78はウェハ75をその上面
から受け台72に対して直接クランプしてもよいし、ある
いは好ましくはウェハの上面をクランプする多数の放射
状フィンガ78Fを備えることもできる。受け台72の外周
をその全体凸形状の一部として傾斜させ、またクランプ
リング78またはフィンガ78Fの下面をこれと対応して傾
斜させてもよい。あるいは、クランプ／フィンガと受け
台の外周とを水平の向きにすることもできる。
このプレストレスが加えられた凸状つまり弓状にウェ
ハを形状付けることによって、ウェハは受け台72の表面
と平行になる、すなわち受け台とウェハの間で大きい接
触距離が得られる。この平行関係は、受け台とウェハの
間に冷却ガスが１−10トルなど比較的高い圧力で加えら
れる場合にも維持される。尚本発明者等は、４−８イン
チのウェハ直径（及び同じく約４−８インチの受け台直
径）の場合、受け台の中心が４−８ミルの距離ｄだけ弓
状に突き出た湾曲で、冷却ガスが加えられたときに維持
される平行な弓形状へと、ウェハがプレストレスされる
ことを見いだした。すなわち、凸状の受け台表面72Bが
通常のフラット電極72Fに対して、４−８ミルの距離だ
け弓状に突出されればよい。この曲率は小さいけれど
も、一様なウェハの冷却と一様なウェハの処理を達成す
る上で重要な因子である。
ハを形状付けることによって、ウェハは受け台72の表面
と平行になる、すなわち受け台とウェハの間で大きい接
触距離が得られる。この平行関係は、受け台とウェハの
間に冷却ガスが１−10トルなど比較的高い圧力で加えら
れる場合にも維持される。尚本発明者等は、４−８イン
チのウェハ直径（及び同じく約４−８インチの受け台直
径）の場合、受け台の中心が４−８ミルの距離ｄだけ弓
状に突き出た湾曲で、冷却ガスが加えられたときに維持
される平行な弓形状へと、ウェハがプレストレスされる
ことを見いだした。すなわち、凸状の受け台表面72Bが
通常のフラット電極72Fに対して、４−８ミルの距離だ
け弓状に突出されればよい。この曲率は小さいけれど
も、一様なウェハの冷却と一様なウェハの処理を達成す
る上で重要な因子である。
動作時には、ウェハ75がリング78によって陰極72に対
しクランプされた状態で、低圧で優れた熱伝導体である
ヘリウムまたはその他適切なガスが、フィードスルー11
4と入口176を介してウェハと受け台との界面の放射状の
各溝180−180へと与えられ、室内圧よりはるかに高い一
般に約１トルから10トルのほぼ静的なガス圧を形成す
る。反応器60のプラズマ動作中、この界面でのガスの一
様性が、予め弓状にたわめられたウェハ75から平行な水
冷却の受け台72へと熱を伝達することによって、液体冷
却の陰極組体72によるウェハの一様な冷却を可能とす
る。
しクランプされた状態で、低圧で優れた熱伝導体である
ヘリウムまたはその他適切なガスが、フィードスルー11
4と入口176を介してウェハと受け台との界面の放射状の
各溝180−180へと与えられ、室内圧よりはるかに高い一
般に約１トルから10トルのほぼ静的なガス圧を形成す
る。反応器60のプラズマ動作中、この界面でのガスの一
様性が、予め弓状にたわめられたウェハ75から平行な水
冷却の受け台72へと熱を伝達することによって、液体冷
却の陰極組体72によるウェハの一様な冷却を可能とす
る。
高電力密度でRF駆動され、且つガス及び液体で冷却さ
れる陰極組体70の重要さは、Jerry Y.Wong,David N.K.W
ang,Mei Chang,Alfred Mak及びDan Maydanの名前で同時
に出願され、同じく本出願人に譲渡された係属中の米国
特許出願通し第944,491号（特開昭63−278339号に対
応）、名称「シリコンとケイ化物用の臭素及びヨウ素エ
ッチ処理」（臭素／ヨウ素エッチ処理とも呼ぶ）に示さ
れており、同特許出願は参照によって全体がここに含ま
れるものとする。参照の臭素／ヨウ素エッチ処理の実施
時には、ウェハ支持陰極組体70が約20−30℃の水によっ
て冷却される。同時に、ヘリウムなどのガスがほぼ約４
トルの実質上静止圧で、ウェハと水冷却の陰極72との間
に加えられる。これによって、高い効率の一様な熱伝導
性がウェハ75と冷却陰極72との間に与えられ、プレスト
レスされた弓状ウェハの表面を約60℃またはそれより低
い一様な温度に維持する。この冷却が必要なのは、約2.
5−3.5watt/cm2という高電力密度は通常のRIEエッチャ
ーで使われている電力密度より、ほぼ１桁高い大きさだ
からである。またこの冷却が、参照の臭素／ヨウ素エッ
チ処理あるいはシリコンまたはそれ以外の物質をエッチ
するその他の処理の使用中における、トレンチの湾曲輪
郭及びブラックシリコンの除去を助ける。ブラックシリ
コンの現象は、約70℃程度の低い温度で生じることが
る。
れる陰極組体70の重要さは、Jerry Y.Wong,David N.K.W
ang,Mei Chang,Alfred Mak及びDan Maydanの名前で同時
に出願され、同じく本出願人に譲渡された係属中の米国
特許出願通し第944,491号（特開昭63−278339号に対
応）、名称「シリコンとケイ化物用の臭素及びヨウ素エ
ッチ処理」（臭素／ヨウ素エッチ処理とも呼ぶ）に示さ
れており、同特許出願は参照によって全体がここに含ま
れるものとする。参照の臭素／ヨウ素エッチ処理の実施
時には、ウェハ支持陰極組体70が約20−30℃の水によっ
て冷却される。同時に、ヘリウムなどのガスがほぼ約４
トルの実質上静止圧で、ウェハと水冷却の陰極72との間
に加えられる。これによって、高い効率の一様な熱伝導
性がウェハ75と冷却陰極72との間に与えられ、プレスト
レスされた弓状ウェハの表面を約60℃またはそれより低
い一様な温度に維持する。この冷却が必要なのは、約2.
5−3.5watt/cm2という高電力密度は通常のRIEエッチャ
ーで使われている電力密度より、ほぼ１桁高い大きさだ
からである。またこの冷却が、参照の臭素／ヨウ素エッ
チ処理あるいはシリコンまたはそれ以外の物質をエッチ
するその他の処理の使用中における、トレンチの湾曲輪
郭及びブラックシリコンの除去を助ける。ブラックシリ
コンの現象は、約70℃程度の低い温度で生じることが
る。
室表面の温度制御 第７図を参照すると、一般に円筒状の電気抵抗ヒータ
またはその他の適切な加熱装置161が、蓋67及び室68に
対応したハウジングの側壁66−66の上部、特にハウジン
グ内側と室上部の壁面671と661を加熱する目的で、反応
器60の蓋67に取り付けられている。また第12図を参照す
れば、制御ライン185を介しコンピュータ113によって制
御される電源183から、電力がヒータ181に供給される。
電磁石116−122も、補足的に側壁66−66を加熱してい
る。
またはその他の適切な加熱装置161が、蓋67及び室68に
対応したハウジングの側壁66−66の上部、特にハウジン
グ内側と室上部の壁面671と661を加熱する目的で、反応
器60の蓋67に取り付けられている。また第12図を参照す
れば、制御ライン185を介しコンピュータ113によって制
御される電源183から、電力がヒータ181に供給される。
電磁石116−122も、補足的に側壁66−66を加熱してい
る。
反応器の動作中における凝結を防げために、ヒータ18
1は必要に応じて選択的に作動され、ガスボクッス80の
内表面と共に、前記壁面671と661を加熱するのが好まし
い。例えば、参照の臭素／ヨウ素シリコンエッチ処理で
使用される臭素とヨウ素のエッチングガス組生物によっ
て形成される輪郭制御のための無機性側壁付着物は、Si
Oz，SiBrx，SiBrxFy，SiOBrxFyといったケイ素、酸素、
臭素、またはフッ素などの成分の様々な化合物を含むこ
とがある。一連のエッチの間、コンピュータ113によっ
て制御されるヒータ181が壁面671と661を70℃より高い
温度に加熱し、上記無機性付着物の望ましくない凝結を
防止する。
1は必要に応じて選択的に作動され、ガスボクッス80の
内表面と共に、前記壁面671と661を加熱するのが好まし
い。例えば、参照の臭素／ヨウ素シリコンエッチ処理で
使用される臭素とヨウ素のエッチングガス組生物によっ
て形成される輪郭制御のための無機性側壁付着物は、Si
Oz，SiBrx，SiBrxFy，SiOBrxFyといったケイ素、酸素、
臭素、またはフッ素などの成分の様々な化合物を含むこ
とがある。一連のエッチの間、コンピュータ113によっ
て制御されるヒータ181が壁面671と661を70℃より高い
温度に加熱し、上記無機性付着物の望ましくない凝結を
防止する。
石英での封入化 一般に、ケランプ78は、動きを容易にし、且つ傷付けな
いようにウェハの外周を弾力クランプするために、Arde
lやLexanのような軽量で弾力性のある素材で形成されて
いる。またガスボックス80と室の残部は、アルミニウム
などの非磁気性素材で形成されている。本発明者等は、
クランプリング78上に約1/8インチ厚の石英被覆または
層81を施し、またこれと対面するガスボックス80上にも
約1/8インチ厚の同様の石英被覆または層83を施すこと
により、反応器60の動作中におけるシリコンウェハ75の
汚染を防げることを見いだした。石英はシリコンと類似
しているため、シリコンを汚染しない。また石英の被覆
81と83は、ブラックシリコンを除去するのにも役立って
いる。何故なら、その絶縁素材が正しく選択されない
と、得られた被覆との処理反応によって、露出したシリ
コンにミクロマスキング効果を生じ、ひいてはブラック
シリコンを生成する結果になるからである。さらに、反
応器60の動作中に石英から酸素が発生する。この発生し
た酸素は、シリコンなどをエッチングするの使われる酸
化物マスクに寄与し、またマスクのエッチング抵抗力
（選択性）を強める。しかも、石英から発生する酸素は
エッチ速度を高める。つまり酸素自体が、湾曲（bowin
g）を小さくしたり、エッチ輪郭を制御するために、参
照の臭素／ヨウ素エッチ処理で述べられているようなエ
ッチングガス組成物に含まれる添加物である。
いようにウェハの外周を弾力クランプするために、Arde
lやLexanのような軽量で弾力性のある素材で形成されて
いる。またガスボックス80と室の残部は、アルミニウム
などの非磁気性素材で形成されている。本発明者等は、
クランプリング78上に約1/8インチ厚の石英被覆または
層81を施し、またこれと対面するガスボックス80上にも
約1/8インチ厚の同様の石英被覆または層83を施すこと
により、反応器60の動作中におけるシリコンウェハ75の
汚染を防げることを見いだした。石英はシリコンと類似
しているため、シリコンを汚染しない。また石英の被覆
81と83は、ブラックシリコンを除去するのにも役立って
いる。何故なら、その絶縁素材が正しく選択されない
と、得られた被覆との処理反応によって、露出したシリ
コンにミクロマスキング効果を生じ、ひいてはブラック
シリコンを生成する結果になるからである。さらに、反
応器60の動作中に石英から酸素が発生する。この発生し
た酸素は、シリコンなどをエッチングするの使われる酸
化物マスクに寄与し、またマスクのエッチング抵抗力
（選択性）を強める。しかも、石英から発生する酸素は
エッチ速度を高める。つまり酸素自体が、湾曲（bowin
g）を小さくしたり、エッチ輪郭を制御するために、参
照の臭素／ヨウ素エッチ処理で述べられているようなエ
ッチングガス組成物に含まれる添加物である。
電気破壊防止用ガスフィードスルー 第12図は、ガスフィードスルー装置114の拡大垂直断
面図であり、この装置はガスの破壊つまりイオン化を起
こさずに、RF電力供給下の受け台72へ冷却ガスを供給す
るのに使われる。このフィードスルー装置は、一対の電
極部182と184によって形成された密閉円筒体を備え、両
電極部はほぼ平行で、間隔が接近しており、穴の開い
た、対面する内壁（プレート）186と188を有する。冷却
ガスは、一端の蓋191の入口190を通ってフィードスルー
装置内に流入し、プレート186の穴198を通り抜け、両プ
レート間の小さな隙間ｄさらにプレート188の穴199を通
過し、他端の蓋193の出口192を通って流出する。入口19
0は冷却ガス供給源（図示せず）と接続される一方、出
口192は配管194（第７図）によって受け台内通路176に
接続されている。
面図であり、この装置はガスの破壊つまりイオン化を起
こさずに、RF電力供給下の受け台72へ冷却ガスを供給す
るのに使われる。このフィードスルー装置は、一対の電
極部182と184によって形成された密閉円筒体を備え、両
電極部はほぼ平行で、間隔が接近しており、穴の開い
た、対面する内壁（プレート）186と188を有する。冷却
ガスは、一端の蓋191の入口190を通ってフィードスルー
装置内に流入し、プレート186の穴198を通り抜け、両プ
レート間の小さな隙間ｄさらにプレート188の穴199を通
過し、他端の蓋193の出口192を通って流出する。入口19
0は冷却ガス供給源（図示せず）と接続される一方、出
口192は配管194（第７図）によって受け台内通路176に
接続されている。
環状の絶縁スペーサ195が、物理的且つ電気的に２つ
の電極182と184を分離している。こうして得られた円筒
状の組体は、ネジ195−195によって一体に接合され、Ｏ
リング196−196で密閉される。入口側電極182がアース
されるのに対し、出口側電極184は、RF電力が供給され
る受け台と共通に接続されている。穴198と199の間隔と
大きさ及び隙間ｄの大きさは、上記２つの隣接したプレ
ートを横切る低圧と高電位にもかかわらず、高いガスの
伝導性を与えると共に、ガスのイオン化を防ぐように選
定される。例えば、４トルのガス圧の場合には、１−40
ミルの隙間ｄと直径10−40ミルの穴でガスのイオン化を
防げる。スペーサ195の高さを変更することによって隙
間ｄが調節され、様々な異なるガスや圧力の使用を許容
する。実際上このガスフィードスルー装置は、ガスがわ
ずかな圧力ｘ距離の積に敏感であるにもかかわらず、低
圧の冷却ガスを受け台の電位にまでもたらすためのコン
パクトなフィドスルーである。
の電極182と184を分離している。こうして得られた円筒
状の組体は、ネジ195−195によって一体に接合され、Ｏ
リング196−196で密閉される。入口側電極182がアース
されるのに対し、出口側電極184は、RF電力が供給され
る受け台と共通に接続されている。穴198と199の間隔と
大きさ及び隙間ｄの大きさは、上記２つの隣接したプレ
ートを横切る低圧と高電位にもかかわらず、高いガスの
伝導性を与えると共に、ガスのイオン化を防ぐように選
定される。例えば、４トルのガス圧の場合には、１−40
ミルの隙間ｄと直径10−40ミルの穴でガスのイオン化を
防げる。スペーサ195の高さを変更することによって隙
間ｄが調節され、様々な異なるガスや圧力の使用を許容
する。実際上このガスフィードスルー装置は、ガスがわ
ずかな圧力ｘ距離の積に敏感であるにもかかわらず、低
圧の冷却ガスを受け台の電位にまでもたらすためのコン
パクトなフィドスルーである。
浄化作用；自己クリーニング 加熱要素181による制御された反応器壁の加熱を含む
幾つかの設計上の特徴が、本エッチ反応装置60の優れた
浄化作用を生み出している。これは、エッチ輪郭の制御
などのために付着物を形成するガス組成物を意図的に使
用している、参照の臭素／ヨウ素エッチ処理などの処理
を使用する場合にも得られる。平均として、本発明者等
は、自己クリーニングサイクルの間に約100回ほど反応
器を稼動した。
幾つかの設計上の特徴が、本エッチ反応装置60の優れた
浄化作用を生み出している。これは、エッチ輪郭の制御
などのために付着物を形成するガス組成物を意図的に使
用している、参照の臭素／ヨウ素エッチ処理などの処理
を使用する場合にも得られる。平均として、本発明者等
は、自己クリーニングサイクルの間に約100回ほど反応
器を稼動した。
反応器60の自浄能力により、クリーニング間の稼動時
間が長くなる他、クリーニング自体も一層手間のかから
ないものとなる。周知のように、エッチ室の各表面を自
動クリーニングすることは、ウェハをエッチングするよ
りも困難とされている。何故なら、室の大きな容積と大
きな表面積を覆うまで、エッチングガスプラズマを広げ
るのは難しいからである。
間が長くなる他、クリーニング自体も一層手間のかから
ないものとなる。周知のように、エッチ室の各表面を自
動クリーニングすることは、ウェハをエッチングするよ
りも困難とされている。何故なら、室の大きな容積と大
きな表面積を覆うまで、エッチングガスプラズマを広げ
るのは難しいからである。
エッチ反応器60では、二組の電磁石対116−118、120
−122によって形成される磁場が、高圧動作と同様に、
自動クリーニング用のエッチ速度を高めている。反応器
は、0.001トルから0.300トルまでの圧力範囲で稼動する
よう設計されており、従って低圧といっても比較的高圧
条件のエッチング同様、高圧条件での自己クリーニング
にも適合する能力を持っている。回転可能な磁場と、そ
れに組み合わされた磁場強度の独立した制御が、室内の
至るところへと浄化プラズマを広げると共に、必要に応
じ室の特定領域に対するエッチ速度を上昇可能とするこ
とで、室の全表面を効率よくクリーニングする。
−122によって形成される磁場が、高圧動作と同様に、
自動クリーニング用のエッチ速度を高めている。反応器
は、0.001トルから0.300トルまでの圧力範囲で稼動する
よう設計されており、従って低圧といっても比較的高圧
条件のエッチング同様、高圧条件での自己クリーニング
にも適合する能力を持っている。回転可能な磁場と、そ
れに組み合わされた磁場強度の独立した制御が、室内の
至るところへと浄化プラズマを広げると共に、必要に応
じ室の特定領域に対するエッチ速度を上昇可能とするこ
とで、室の全表面を効率よくクリーニングする。
さらに、電力が供給される陰極の使用、及び陰極組体
70と陽極ガスボックス80との間の接近した間隔が、閉じ
込められた濃密なプラズマを与える。約13リッターほど
の比較的小さいサイズの室と、全構成部分の円対称性
も、自己クリーニング能力に寄与している。また、室内
の露出している表面は全てアルミニウムか石英で、これ
らはどちらも自動クリーニングに影響されず、適してい
る。
70と陽極ガスボックス80との間の接近した間隔が、閉じ
込められた濃密なプラズマを与える。約13リッターほど
の比較的小さいサイズの室と、全構成部分の円対称性
も、自己クリーニング能力に寄与している。また、室内
の露出している表面は全てアルミニウムか石英で、これ
らはどちらも自動クリーニングに影響されず、適してい
る。
好ましくは、フッ素化されたガス組成物がそのままで
の自己クリーニングに使われる。NF3及びSF6など、非炭
素でフッ素を含むガス組成物が、エッチ生成物の高い揮
発性、汚染を生じない等の理由で望ましい。しかし、C2
F6、CF4やその他フッ素を含むフレオンなど、それ以外
も使用可能である。現時点で好ましい自己クリーニング
処理では、60sccmの流量で室68内に供給されるNF3ガ
ス、毎分30サイクルで回転される０−45ガウスの磁場強
度、450WのRF順方向電力、及び100mTの室圧という条件
を含むフッ素化反応ガスでの化学作用が使われている。
これらのパラメータは室の内部表面に均一のエッチを与
え、10回稼動した後（１回の稼動毎に10ミクロンのシリ
コンが除去されている）、約10分以内で反応器60を効率
よく、完全にクリーニングする。これに対し、従来のプ
ラズマエッチ反応器は一般に約５回の稼動でクリーニン
グされており、しかも湿式エッチ液でのクリーニングの
ため分解を必要とする。そのままでの自己クリーニング
能力と、固有の浄化作用と、クリーニングサイクル間の
長い時間とが組合されて、クリーニングに要する装置の
停止時間を短縮し、スループット（処理量）を高めてい
る。
の自己クリーニングに使われる。NF3及びSF6など、非炭
素でフッ素を含むガス組成物が、エッチ生成物の高い揮
発性、汚染を生じない等の理由で望ましい。しかし、C2
F6、CF4やその他フッ素を含むフレオンなど、それ以外
も使用可能である。現時点で好ましい自己クリーニング
処理では、60sccmの流量で室68内に供給されるNF3ガ
ス、毎分30サイクルで回転される０−45ガウスの磁場強
度、450WのRF順方向電力、及び100mTの室圧という条件
を含むフッ素化反応ガスでの化学作用が使われている。
これらのパラメータは室の内部表面に均一のエッチを与
え、10回稼動した後（１回の稼動毎に10ミクロンのシリ
コンが除去されている）、約10分以内で反応器60を効率
よく、完全にクリーニングする。これに対し、従来のプ
ラズマエッチ反応器は一般に約５回の稼動でクリーニン
グされており、しかも湿式エッチ液でのクリーニングの
ため分解を必要とする。そのままでの自己クリーニング
能力と、固有の浄化作用と、クリーニングサイクル間の
長い時間とが組合されて、クリーニングに要する装置の
停止時間を短縮し、スループット（処理量）を高めてい
る。
本発明のエッチ反応器とその使用方法に関する好まし
い実施例及び代替実施例の上記記述に基づき、当業者で
あればここに例示した発明の範囲内において、容易に変
更をなし得るであろう。
い実施例及び代替実施例の上記記述に基づき、当業者で
あればここに例示した発明の範囲内において、容易に変
更をなし得るであろう。
第１図乃至３図は当該分野で使われている３種類のプラ
ズマエッチング装置の概略図：第４図は本発明の磁場エ
ンハンス型RIEモードプラズマエッチ装置の先駆であ
る、磁場エンハンス型RIEモードプラズマエッチ装置の
一部を概略的に示した斜視図；第５図は第４図に示した
室のウェハ保持電極を通る一部を概略的に示した垂直断
面図で、磁場Ｂの反転を示す；第６図は本発明の磁場エ
ンハンス型プラズマ反応器の好ましい実施例の、一部を
破断した等角図；第７図は第６図の７−７線に沿った、
一部を概略的に示した垂直断面図；第８図乃至10図はウ
ェハを反応器の受け台上へ位置決めし且つそこから取り
出すウェハ交換装置の動作を逐次示す概略図；第11図は
第７図に示したガスフィードスルー系の拡大垂直断面
図；第12図は本発明で使われる電気制御、疑似静電型の
多方向DC磁場を発生及び制御する系と、本反応器の動作
全体を制御するのに適したコンピュータシステムとの概
略図；及び第13A図乃至13C図は凸状つまりドーム形状の
ウェハ支持受け台に対するウェハのクランプ装着を概略
的に示す側断面図。 60……反応器、62……ハウジング、68……室、70……受
け台／陰極組体、72……受け台（陰極）、72B……受け
台表面、74……ウェハ交換手段、75……ウェハ、76……
ブレード、78……クランプリング手段、79……フィンガ
（ピン）、80……ガスマニホルド、81,83……耐エッチ
被覆、112……RFエネルギー印加手段（電源）、114……
フィードスルー装置、115,117,119,121……電流印加手
段（電源）、116,118,120,122……磁場発生手段（電磁
石）、169,175……冷却ガス／液体供給手段、140……ウ
ェハ交換手段移動手段（シャフト昇降機構）、164……
ハウジング開口（スロット）、181……加熱手段、186,1
88……穴付きプレート、190,192……フィードスルー装
置の入口／出口。
ズマエッチング装置の概略図：第４図は本発明の磁場エ
ンハンス型RIEモードプラズマエッチ装置の先駆であ
る、磁場エンハンス型RIEモードプラズマエッチ装置の
一部を概略的に示した斜視図；第５図は第４図に示した
室のウェハ保持電極を通る一部を概略的に示した垂直断
面図で、磁場Ｂの反転を示す；第６図は本発明の磁場エ
ンハンス型プラズマ反応器の好ましい実施例の、一部を
破断した等角図；第７図は第６図の７−７線に沿った、
一部を概略的に示した垂直断面図；第８図乃至10図はウ
ェハを反応器の受け台上へ位置決めし且つそこから取り
出すウェハ交換装置の動作を逐次示す概略図；第11図は
第７図に示したガスフィードスルー系の拡大垂直断面
図；第12図は本発明で使われる電気制御、疑似静電型の
多方向DC磁場を発生及び制御する系と、本反応器の動作
全体を制御するのに適したコンピュータシステムとの概
略図；及び第13A図乃至13C図は凸状つまりドーム形状の
ウェハ支持受け台に対するウェハのクランプ装着を概略
的に示す側断面図。 60……反応器、62……ハウジング、68……室、70……受
け台／陰極組体、72……受け台（陰極）、72B……受け
台表面、74……ウェハ交換手段、75……ウェハ、76……
ブレード、78……クランプリング手段、79……フィンガ
（ピン）、80……ガスマニホルド、81,83……耐エッチ
被覆、112……RFエネルギー印加手段（電源）、114……
フィードスルー装置、115,117,119,121……電流印加手
段（電源）、116,118,120,122……磁場発生手段（電磁
石）、169,175……冷却ガス／液体供給手段、140……ウ
ェハ交換手段移動手段（シャフト昇降機構）、164……
ハウジング開口（スロット）、181……加熱手段、186,1
88……穴付きプレート、190,192……フィードスルー装
置の入口／出口。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダン メイダン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94022 ロス アルトス ヒルズ ミュ ーアリエッタレーン 1200 (72)発明者 サッソン ソメク アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94065 ロス アルトス ヒルズ ムー ディー ロード 25625 (72)発明者 ケニス アール スタルダー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94062 レッドウッド シティー キン グ ストリート 515 (72)発明者 ダナ エル アンドリュース アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94043 マウンテン ヴィュー ベトロ アベニュー 2541 (72)発明者 メイ チャン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95014 クーパーティノ イースト エ ステイツ ドライヴ 863 (72)発明者 ジョン エム ホワイト アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94541 ヘイワード コロニー ヴィュ ー プレイス 2811 (72)発明者 ジェリー ユーアン クイ ウォン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94539 フリーモント クーガロー 44994 (72)発明者 ウラディミール ジェイ ゼイトリン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95051 サンタ クララ ミュア アベ ニュー 146 (72)発明者 デイヴィッド ニン クー ワン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95014 クーパーティノ サンタ テレ サ ドライヴ 10931 (56)参考文献 特開 昭60−102742（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−205270（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−45761（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−100732（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−213427（ＪＰ，Ａ) 実開 昭60−130633（ＪＰ，Ｕ)
Claims (8)
- 【請求項１】高速でかつ圧力から実質的に独立なエッチ
ング均一性で真空室内に配置されたウェハをエッチング
するように構成された該真空室を内部に規定するハウジ
ングを有する真空処理反応器であって、 前記ウェハを支持する受け台； 反応ガスを前記真空室内に供給するガスマニホルド； ウェハエッチングプラズマを発生するために前記ウェハ
支持受け台と前記ガスマニホルドの間にRFエネルギーを
印加するRF手段； 前記ウェハ表面とほぼ並行なDC磁場を形成する電流制御
式磁場発生手段、 前記電流制御式磁場発生手段は、前記ハウジングの周縁
に配置され、前記ウェハ表面に並行な磁場を形成する少
なくとも第１及び第２の対の電磁石を備え；前記磁石に
選択した電流を印加する手段は、前記DC磁場の大きさ及
び方向を独立して制御するための各磁石に対する電源を
含み； 前記磁場の強度及び方法を独立して制御するために磁石
の前記電源に電流を選択的に印加するコンピュータ手段
とを備え、 前記コンピュータは、前記電源のそれぞれに制御信号を
独立して印加することを特徴とする真空処理反応器。 - 【請求項２】前記ガスマニホルド及びクランプリング上
に、石英などエッチを通さない素材の被覆を更に有する
請求項１に記載の真空処理反応器。 - 【請求項３】前記ウェハを前記受け台にクランプするた
めに該受け台とほぼ並行に内側へ延伸しているフィンガ
を有しているクランプリング手段を更に備えていること
を特徴とする請求項１に記載の真空処理反応器。 - 【請求項４】前記受け台にRFエネルギーを印加する手段
を更に備えていることを特徴とする請求項３に記載の真
空処理反応器。 - 【請求項５】前記受け台内で冷却流体を循環させる手段
を更に備えていることを特徴とする請求項１に記載の真
空処理反応器。 - 【請求項６】反応器の外側に配置され、内部反応器表面
への付着を防ぐために該内部反応器表面を所定の温度に
加熱する手段を更に有する請求項５に記載の真空処理反
応器。 - 【請求項７】内部に真空室を規定するハウジングを有
し、高速でかつ圧力から実質的に独立なエッチング均一
性で該真空室内に配置されたウェハをエッチングする真
空処理反応器であって、 凸状表面を有し当該表面と並行な弓状に曲げられた形で
ウェハを支持する受け台と、イオン化を起こさずに電力
供給下の受け台へ低圧の冷却ガスを結合するためのフィ
ールドスルー装置； 反応ガスを前記真空室に供給するガスマニホルド； ウェハエッチングプラズマを発生するために前記ウェハ
支持受け台と前記ガスマニホルドの間にRFエネルギーを
印加するRF手段； 前記ウェハ表面とほぼ並行なDC磁場を形成する電流制御
式磁場発生手段； 前記磁場の強度及び方向を独立して制御するために前記
磁場発生手段に電流を選択的に印加する手段； 前記ウェハと前記受け台の間に一様な熱伝導を与えるべ
く該受け台の表面と該ウェハの間に圧力をかけてガスを
印加する手段を備え、 前記フィールドスルー装置は、冷却ガスを受け入れるガ
ス入口及び前記受け台に接続された離間したガス出口を
持つハウジングを有し、当該ハウジングが更にガスの通
路を横断して広がっている一対の、近接して離間した穴
付き内部プレートを有し、当該プレートのうちガス流の
出口側にある一方が前記受け台と共通に電気接続され、
他方のプレートが装置のアースに接続されることを特徴
とする真空処理反応器。 - 【請求項８】内部に真空室を規定するハウジングを有
し、高速でかつ圧力から実質的に独立なエッチング均一
性で該真空室に配置されたウェハをエッチングする真空
処理反応器であって、 凸状表面を有し当該表面と並行な弓状に曲げられた形で
ウェハを支持する受け台； 反応ガスを前記真空室に供給するガスマニホルド； ウェハエッチングプラズマを発生するために前記ウェハ
支持受け台と前記ガスマニホルドの間にRFエネルギーを
印加する手段； 前記ウェハ表面とほぼ並行なDC磁場を形成する電流制御
式磁場発生手段； 前記磁場の強度及び方向を独立して制御するために前記
磁場発生手段に電流を選択的に印加する手段； 前記受け台内で冷却流体を循環させる手段； イオン化を起こさずに電力供給下の受け台へ低圧の冷却
ガスを結合するためのフィールドスルー装置； 前記ウェハと前記受け台の間に一様な熱伝導を与えるべ
く該受け台の表面と該ウェハの間に圧力をかけてガスを
印加する手段を備え、 前記DC磁場形成手段は、前記ハウジングの周縁に配置さ
れ、前記ウェハ表面に並行な磁場を形成する少なくとも
第１及び第２の対の電磁石を有し、前記電流印加手段
が、一様なエッチングプラズマを与えるべく前記ウェハ
の周囲で前記DC磁場をステップ状へ変更するために前記
電磁石へ選択された電流を印加する手段を有し、前記フ
ィールドスルー装置は、冷却ガスを受け入れるガス入口
及び前記受け台に接続された離間したガス出口を持つハ
ウジングを有し、当該ハウジングが更にガスの通路を横
断して広がっている一対の、近接して離間した穴付きプ
レートを有し、当該プレートのうちガス流の出口側にあ
る一方が前記受け台と共通に電気接続され、他方のプレ
ートが装置のアースに接続されることを特徴とする真空
処理反応器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US185215 | 1988-04-25 | ||
| US07/185,215 US4842683A (en) | 1986-12-19 | 1988-04-25 | Magnetic field-enhanced plasma etch reactor |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10195244A Division JPH11111700A (ja) | 1988-04-25 | 1998-07-10 | 磁場エンハンス型プラズマエッチ反応器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0215623A JPH0215623A (ja) | 1990-01-19 |
| JP2824079B2 true JP2824079B2 (ja) | 1998-11-11 |
Family
ID=22680079
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1104374A Expired - Fee Related JP2824079B2 (ja) | 1988-04-25 | 1989-04-24 | 磁場エンハンス型プラズマエッチ反応器 |
| JP10195244A Pending JPH11111700A (ja) | 1988-04-25 | 1998-07-10 | 磁場エンハンス型プラズマエッチ反応器 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10195244A Pending JPH11111700A (ja) | 1988-04-25 | 1998-07-10 | 磁場エンハンス型プラズマエッチ反応器 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4842683A (ja) |
| EP (1) | EP0339580B1 (ja) |
| JP (2) | JP2824079B2 (ja) |
| AT (1) | ATE118923T1 (ja) |
| DE (1) | DE68921234T2 (ja) |
Families Citing this family (249)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5484011A (en) * | 1986-12-19 | 1996-01-16 | Applied Materials, Inc. | Method of heating and cooling a wafer during semiconductor processing |
| US5228501A (en) * | 1986-12-19 | 1993-07-20 | Applied Materials, Inc. | Physical vapor deposition clamping mechanism and heater/cooler |
| US5316616A (en) * | 1988-02-09 | 1994-05-31 | Fujitsu Limited | Dry etching with hydrogen bromide or bromine |
| US4983253A (en) * | 1988-05-27 | 1991-01-08 | University Of Houston-University Park | Magnetically enhanced RIE process and apparatus |
| US4997520A (en) * | 1988-06-10 | 1991-03-05 | Texas Instruments Incorporated | Method for etching tungsten |
| DD281613A5 (de) * | 1988-08-12 | 1990-08-15 | Elektromat Veb | Verfahren zur reinigung von reaktoren zur gasphasenbearbeitung von werkstuecken |
| JPH02268427A (ja) * | 1989-04-11 | 1990-11-02 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US5312778A (en) * | 1989-10-03 | 1994-05-17 | Applied Materials, Inc. | Method for plasma processing using magnetically enhanced plasma chemical vapor deposition |
| US4948462A (en) * | 1989-10-20 | 1990-08-14 | Applied Materials, Inc. | Tungsten etch process with high selectivity to photoresist |
| US5021121A (en) * | 1990-02-16 | 1991-06-04 | Applied Materials, Inc. | Process for RIE etching silicon dioxide |
| DE4010672A1 (de) * | 1990-04-03 | 1991-10-10 | Leybold Ag | Verfahren und vorrichtung zur behandlung von werkstuecken durch reaktives ionenaetzen |
| US5673750A (en) * | 1990-05-19 | 1997-10-07 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing method and apparatus |
| US5045166A (en) * | 1990-05-21 | 1991-09-03 | Mcnc | Magnetron method and apparatus for producing high density ionic gas discharge |
| US5096536A (en) * | 1990-06-12 | 1992-03-17 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus useful in the plasma etching of semiconductor materials |
| KR0165898B1 (ko) * | 1990-07-02 | 1999-02-01 | 미다 가쓰시게 | 진공처리방법 및 장치 |
| KR0155566B1 (ko) * | 1990-07-20 | 1998-11-16 | 이노우에 아끼라 | 플라즈마 처리장치 |
| US5707486A (en) * | 1990-07-31 | 1998-01-13 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor using UHF/VHF and RF triode source, and process |
| US5089442A (en) * | 1990-09-20 | 1992-02-18 | At&T Bell Laboratories | Silicon dioxide deposition method using a magnetic field and both sputter deposition and plasma-enhanced cvd |
| EP0478283B1 (en) * | 1990-09-26 | 1996-12-27 | Hitachi, Ltd. | Microwave plasma processing method and apparatus |
| JPH04196528A (ja) * | 1990-11-28 | 1992-07-16 | Toshiba Corp | マグネトロンエッチング装置 |
| US5304248A (en) * | 1990-12-05 | 1994-04-19 | Applied Materials, Inc. | Passive shield for CVD wafer processing which provides frontside edge exclusion and prevents backside depositions |
| US5160407A (en) * | 1991-01-02 | 1992-11-03 | Applied Materials, Inc. | Low pressure anisotropic etch process for tantalum silicide or titanium silicide layer formed over polysilicon layer deposited on silicon oxide layer on semiconductor wafer |
| US5338398A (en) * | 1991-03-28 | 1994-08-16 | Applied Materials, Inc. | Tungsten silicide etch process selective to photoresist and oxide |
| US6008133A (en) * | 1991-04-04 | 1999-12-28 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for dry etching |
| KR100237687B1 (ko) * | 1991-04-04 | 2000-01-15 | 가나이 쓰도무 | 드라이에칭 방법 |
| US5474650A (en) * | 1991-04-04 | 1995-12-12 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for dry etching |
| JP3323530B2 (ja) * | 1991-04-04 | 2002-09-09 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3044824B2 (ja) * | 1991-04-27 | 2000-05-22 | ソニー株式会社 | ドライエッチング装置及びドライエッチング方法 |
| US5199483A (en) * | 1991-05-15 | 1993-04-06 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cooling wafers |
| US6036877A (en) | 1991-06-27 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
| US6077384A (en) * | 1994-08-11 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode |
| US6090303A (en) * | 1991-06-27 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Process for etching oxides in an electromagnetically coupled planar plasma apparatus |
| US6514376B1 (en) | 1991-06-27 | 2003-02-04 | Applied Materials Inc. | Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| US6488807B1 (en) | 1991-06-27 | 2002-12-03 | Applied Materials, Inc. | Magnetic confinement in a plasma reactor having an RF bias electrode |
| US5477975A (en) * | 1993-10-15 | 1995-12-26 | Applied Materials Inc | Plasma etch apparatus with heated scavenging surfaces |
| US6238588B1 (en) | 1991-06-27 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | High pressure high non-reactive diluent gas content high plasma ion density plasma oxide etch process |
| US6165311A (en) | 1991-06-27 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| US6024826A (en) * | 1996-05-13 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
| US6074512A (en) | 1991-06-27 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners |
| US6063233A (en) * | 1991-06-27 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| US5308417A (en) * | 1991-09-12 | 1994-05-03 | Applied Materials, Inc. | Uniformity for magnetically enhanced plasma chambers |
| DE69218720T2 (de) * | 1991-10-17 | 1997-07-17 | Applied Materials Inc | Plasmareaktor |
| JPH05166757A (ja) * | 1991-12-13 | 1993-07-02 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の温調装置 |
| US5242538A (en) * | 1992-01-29 | 1993-09-07 | Applied Materials, Inc. | Reactive ion etch process including hydrogen radicals |
| JPH05226295A (ja) * | 1992-01-31 | 1993-09-03 | Sharp Corp | Ｔｆｔ―ｌｃｄのドライエッチング装置 |
| DE69324849T2 (de) * | 1992-04-16 | 1999-09-23 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | Verfahren und Vorrichtung zur Plasma-unterstützten chemischen Dampfphasen-Abscheidung |
| US6258497B1 (en) | 1992-07-29 | 2001-07-10 | International Business Machines Corporation | Precise endpoint detection for etching processes |
| US5348497A (en) * | 1992-08-14 | 1994-09-20 | Applied Materials, Inc. | High voltage vaccum feed-through electrical connector |
| EP0595307A3 (en) * | 1992-10-27 | 1994-06-15 | Applied Materials Inc | Clamp ring and processing chamber comprising said clamp ring |
| US5328722A (en) * | 1992-11-06 | 1994-07-12 | Applied Materials, Inc. | Metal chemical vapor deposition process using a shadow ring |
| US5292554A (en) * | 1992-11-12 | 1994-03-08 | Applied Materials, Inc. | Deposition apparatus using a perforated pumping plate |
| US5352294A (en) * | 1993-01-28 | 1994-10-04 | White John M | Alignment of a shadow frame and large flat substrates on a support |
| KR960006958B1 (ko) * | 1993-02-06 | 1996-05-25 | 현대전자산업주식회사 | 이시알 장비 |
| US5542559A (en) * | 1993-02-16 | 1996-08-06 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Plasma treatment apparatus |
| US5366002A (en) * | 1993-05-05 | 1994-11-22 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method to ensure heat transfer to and from an entire substrate during semiconductor processing |
| US6123864A (en) * | 1993-06-02 | 2000-09-26 | Applied Materials, Inc. | Etch chamber |
| DE634699T1 (de) * | 1993-07-16 | 1996-02-15 | Semiconductor Systems Inc | Gruppiertes fotolithografisches System. |
| US5766824A (en) * | 1993-07-16 | 1998-06-16 | Semiconductor Systems, Inc. | Method and apparatus for curing photoresist |
| EP0634783B1 (en) * | 1993-07-16 | 1997-08-06 | Semiconductor Systems, Inc. | Thermal process module for substrate coat/develop system |
| US5865896A (en) | 1993-08-27 | 1999-02-02 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD reactor with combined inductive and capacitive coupling |
| US5614055A (en) * | 1993-08-27 | 1997-03-25 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD and etching reactor |
| US5336363A (en) * | 1993-09-24 | 1994-08-09 | Applied Materials, Inc. | Low temperature dry etch of copper |
| US5449432A (en) * | 1993-10-25 | 1995-09-12 | Applied Materials, Inc. | Method of treating a workpiece with a plasma and processing reactor having plasma igniter and inductive coupler for semiconductor fabrication |
| KR100333237B1 (ko) * | 1993-10-29 | 2002-09-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마에칭챔버내에서오염물질을감소시키는장치및방법 |
| JP3172758B2 (ja) * | 1993-11-20 | 2001-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマエッチング方法 |
| US5885469B1 (en) * | 1996-11-05 | 2000-08-08 | Applied Materials Inc | Topographical structure of an electrostatic chuck and method of fabricating same |
| EP0680072B1 (en) | 1994-04-28 | 2003-10-08 | Applied Materials, Inc. | A method of operating a high density plasma CVD reactor with combined inductive and capacitive coupling |
| US5540800A (en) * | 1994-06-23 | 1996-07-30 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled high density plasma reactor for plasma assisted materials processing |
| US5753133A (en) * | 1994-07-11 | 1998-05-19 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Method and apparatus for etching film layers on large substrates |
| US5895549A (en) * | 1994-07-11 | 1999-04-20 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Method and apparatus for etching film layers on large substrates |
| US5540824A (en) * | 1994-07-18 | 1996-07-30 | Applied Materials | Plasma reactor with multi-section RF coil and isolated conducting lid |
| US5730801A (en) | 1994-08-23 | 1998-03-24 | Applied Materials, Inc. | Compartnetalized substrate processing chamber |
| US5777289A (en) | 1995-02-15 | 1998-07-07 | Applied Materials, Inc. | RF plasma reactor with hybrid conductor and multi-radius dome ceiling |
| US5753044A (en) * | 1995-02-15 | 1998-05-19 | Applied Materials, Inc. | RF plasma reactor with hybrid conductor and multi-radius dome ceiling |
| EP0706209A3 (en) * | 1994-10-06 | 1996-12-27 | Applied Materials Inc | Thin film resistance measurement |
| ATE181637T1 (de) | 1994-10-31 | 1999-07-15 | Applied Materials Inc | Plasmareaktoren zur halbleiterscheibenbehandlung |
| US6270617B1 (en) | 1995-02-15 | 2001-08-07 | Applied Materials, Inc. | RF plasma reactor with hybrid conductor and multi-radius dome ceiling |
| US5688357A (en) * | 1995-02-15 | 1997-11-18 | Applied Materials, Inc. | Automatic frequency tuning of an RF power source of an inductively coupled plasma reactor |
| US5671116A (en) * | 1995-03-10 | 1997-09-23 | Lam Research Corporation | Multilayered electrostatic chuck and method of manufacture thereof |
| US5674321A (en) * | 1995-04-28 | 1997-10-07 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for producing plasma uniformity in a magnetic field-enhanced plasma reactor |
| JP3220619B2 (ja) * | 1995-05-24 | 2001-10-22 | 松下電器産業株式会社 | ガス伝熱プラズマ処理装置 |
| US6140612A (en) | 1995-06-07 | 2000-10-31 | Lam Research Corporation | Controlling the temperature of a wafer by varying the pressure of gas between the underside of the wafer and the chuck |
| US5968379A (en) * | 1995-07-14 | 1999-10-19 | Applied Materials, Inc. | High temperature ceramic heater assembly with RF capability and related methods |
| US5938943A (en) | 1995-07-28 | 1999-08-17 | Applied Materials, Inc. | Near Substrate reactant Homogenization apparatus |
| TW279240B (en) | 1995-08-30 | 1996-06-21 | Applied Materials Inc | Parallel-plate icp source/rf bias electrode head |
| JP2737720B2 (ja) * | 1995-10-12 | 1998-04-08 | 日本電気株式会社 | 薄膜形成方法及び装置 |
| US5835333A (en) * | 1995-10-30 | 1998-11-10 | Lam Research Corporation | Negative offset bipolar electrostatic chucks |
| JPH09219346A (ja) | 1995-12-05 | 1997-08-19 | Applied Materials Inc | ウエハ処理における粒子汚染の低減 |
| US5801386A (en) * | 1995-12-11 | 1998-09-01 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for measuring plasma characteristics within a semiconductor wafer processing system and a method of fabricating and using same |
| US5647953A (en) * | 1995-12-22 | 1997-07-15 | Lam Research Corporation | Plasma cleaning method for removing residues in a plasma process chamber |
| US5669977A (en) * | 1995-12-22 | 1997-09-23 | Lam Research Corporation | Shape memory alloy lift pins for semiconductor processing equipment |
| US6054013A (en) | 1996-02-02 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density |
| US6036878A (en) * | 1996-02-02 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Low density high frequency process for a parallel-plate electrode plasma reactor having an inductive antenna |
| US5796066A (en) * | 1996-03-29 | 1998-08-18 | Lam Research Corporation | Cable actuated drive assembly for vacuum chamber |
| US5812361A (en) * | 1996-03-29 | 1998-09-22 | Lam Research Corporation | Dynamic feedback electrostatic wafer chuck |
| US6048798A (en) * | 1996-06-05 | 2000-04-11 | Lam Research Corporation | Apparatus for reducing process drift in inductive coupled plasma etching such as oxide layer |
| US5775808A (en) * | 1996-06-19 | 1998-07-07 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for real-time, in situ measurement of temperature and a method of fabricating and using same |
| US6626185B2 (en) | 1996-06-28 | 2003-09-30 | Lam Research Corporation | Method of depositing a silicon containing layer on a semiconductor substrate |
| US6033478A (en) * | 1996-11-05 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | Wafer support with improved temperature control |
| US6189482B1 (en) | 1997-02-12 | 2001-02-20 | Applied Materials, Inc. | High temperature, high flow rate chemical vapor deposition apparatus and related methods |
| US5893643A (en) * | 1997-03-25 | 1999-04-13 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for measuring pedestal temperature in a semiconductor wafer processing system |
| US5910011A (en) * | 1997-05-12 | 1999-06-08 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for monitoring processes using multiple parameters of a semiconductor wafer processing system |
| GB9711273D0 (en) | 1997-06-03 | 1997-07-30 | Trikon Equip Ltd | Electrostatic chucks |
| AT411304B (de) * | 1997-06-18 | 2003-11-25 | Sez Ag | Träger für scheibenförmige gegenstände, insbesondere silizium-wafer |
| US6504126B2 (en) | 1997-06-30 | 2003-01-07 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with coil antenna of concentrically spiral conductors with ends in common regions |
| US6110395A (en) * | 1997-08-26 | 2000-08-29 | Trikon Technologies, Inc. | Method and structure for controlling plasma uniformity |
| US6132632A (en) * | 1997-09-11 | 2000-10-17 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for achieving etch rate uniformity in a reactive ion etcher |
| US6132551A (en) * | 1997-09-20 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Inductive RF plasma reactor with overhead coil and conductive laminated RF window beneath the overhead coil |
| US6129807A (en) * | 1997-10-06 | 2000-10-10 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for monitoring processing of a substrate |
| US6071573A (en) * | 1997-12-30 | 2000-06-06 | Lam Research Corporation | Process for precoating plasma CVD reactors |
| US6015476A (en) * | 1998-02-05 | 2000-01-18 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor magnet with independently controllable parallel axial current-carrying elements |
| US6142164A (en) * | 1998-03-09 | 2000-11-07 | Ultra Clean Technology Systems & Service, Inc. | Method and apparatus for removing leaking gas in an integrated gas panel system |
| US6085688A (en) * | 1998-03-27 | 2000-07-11 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for improving processing and reducing charge damage in an inductively coupled plasma reactor |
| US6390019B1 (en) | 1998-06-11 | 2002-05-21 | Applied Materials, Inc. | Chamber having improved process monitoring window |
| EP1125314A1 (en) | 1998-07-10 | 2001-08-22 | Applied Materials, Inc. | Improved endpoint detection for substrate fabrication processes |
| US6335293B1 (en) | 1998-07-13 | 2002-01-01 | Mattson Technology, Inc. | Systems and methods for two-sided etch of a semiconductor substrate |
| US6242347B1 (en) | 1998-09-30 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a process chamber |
| US6217272B1 (en) | 1998-10-01 | 2001-04-17 | Applied Science And Technology, Inc. | In-line sputter deposition system |
| US6328858B1 (en) | 1998-10-01 | 2001-12-11 | Nexx Systems Packaging, Llc | Multi-layer sputter deposition apparatus |
| US6180926B1 (en) | 1998-10-19 | 2001-01-30 | Applied Materials, Inc. | Heat exchanger apparatus for a semiconductor wafer support and method of fabricating same |
| US6589437B1 (en) | 1999-03-05 | 2003-07-08 | Applied Materials, Inc. | Active species control with time-modulated plasma |
| US6372634B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-04-16 | Cypress Semiconductor Corp. | Plasma etch chemistry and method of improving etch control |
| US6485603B1 (en) * | 1999-07-01 | 2002-11-26 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for conserving energy within a process chamber |
| US6402974B1 (en) | 1999-07-27 | 2002-06-11 | Applied Materials, Inc. | Method for etching polysilicon to have a smooth surface |
| JP2001057359A (ja) * | 1999-08-17 | 2001-02-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
| US6322716B1 (en) | 1999-08-30 | 2001-11-27 | Cypress Semiconductor Corp. | Method for conditioning a plasma etch chamber |
| US6165276A (en) * | 1999-09-17 | 2000-12-26 | United Microelectronics Corp. | Apparatus for preventing plasma etching of a wafer clamp in semiconductor fabrication processes |
| US6318384B1 (en) * | 1999-09-24 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Self cleaning method of forming deep trenches in silicon substrates |
| JP2001107272A (ja) * | 1999-10-08 | 2001-04-17 | Hitachi Ltd | 試料の処理方法および処理装置並びに磁気ヘッドの製作方法 |
| TW514996B (en) * | 1999-12-10 | 2002-12-21 | Tokyo Electron Ltd | Processing apparatus with a chamber having therein a high-corrosion-resistant sprayed film |
| US6350697B1 (en) | 1999-12-22 | 2002-02-26 | Lam Research Corporation | Method of cleaning and conditioning plasma reaction chamber |
| US6500357B1 (en) | 1999-12-28 | 2002-12-31 | Applied Materials Inc. | System level in-situ integrated dielectric etch process particularly useful for copper dual damascene |
| US6949203B2 (en) * | 1999-12-28 | 2005-09-27 | Applied Materials, Inc. | System level in-situ integrated dielectric etch process particularly useful for copper dual damascene |
| JP3996771B2 (ja) * | 2000-01-12 | 2007-10-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置及び真空処理方法 |
| US6537011B1 (en) * | 2000-03-10 | 2003-03-25 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for transferring and supporting a substrate |
| US8048806B2 (en) | 2000-03-17 | 2011-11-01 | Applied Materials, Inc. | Methods to avoid unstable plasma states during a process transition |
| US8617351B2 (en) * | 2002-07-09 | 2013-12-31 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with minimal D.C. coils for cusp, solenoid and mirror fields for plasma uniformity and device damage reduction |
| US6401652B1 (en) | 2000-05-04 | 2002-06-11 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor inductive coil antenna with flat surface facing the plasma |
| JP2002035572A (ja) * | 2000-05-18 | 2002-02-05 | Ulvac Japan Ltd | 真空処理装置と多室型真空処理装置 |
| US6414648B1 (en) | 2000-07-06 | 2002-07-02 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna |
| US6685798B1 (en) * | 2000-07-06 | 2004-02-03 | Applied Materials, Inc | Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna |
| US6409933B1 (en) | 2000-07-06 | 2002-06-25 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna |
| US6694915B1 (en) | 2000-07-06 | 2004-02-24 | Applied Materials, Inc | Plasma reactor having a symmetrical parallel conductor coil antenna |
| US6462481B1 (en) | 2000-07-06 | 2002-10-08 | Applied Materials Inc. | Plasma reactor having a symmetric parallel conductor coil antenna |
| NL1015690C2 (nl) * | 2000-07-12 | 2002-01-15 | Otb Group Bv | Sluis voor vacu³mkamer. |
| US6682288B2 (en) | 2000-07-27 | 2004-01-27 | Nexx Systems Packaging, Llc | Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine |
| US6821912B2 (en) | 2000-07-27 | 2004-11-23 | Nexx Systems Packaging, Llc | Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine |
| US6530733B2 (en) | 2000-07-27 | 2003-03-11 | Nexx Systems Packaging, Llc | Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine |
| US6736668B1 (en) | 2000-09-15 | 2004-05-18 | Arnold V. Kholodenko | High temperature electrical connector |
| US6694284B1 (en) | 2000-09-20 | 2004-02-17 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining at least four properties of a specimen |
| US7196782B2 (en) | 2000-09-20 | 2007-03-27 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a thin film characteristic and an electrical property of a specimen |
| US7106425B1 (en) | 2000-09-20 | 2006-09-12 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a presence of defects and a thin film characteristic of a specimen |
| US6891627B1 (en) | 2000-09-20 | 2005-05-10 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension and overlay of a specimen |
| US6782337B2 (en) | 2000-09-20 | 2004-08-24 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension an a presence of defects on a specimen |
| US6673637B2 (en) | 2000-09-20 | 2004-01-06 | Kla-Tencor Technologies | Methods and systems for determining a presence of macro defects and overlay of a specimen |
| US7130029B2 (en) | 2000-09-20 | 2006-10-31 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining an adhesion characteristic and a thickness of a specimen |
| US6812045B1 (en) | 2000-09-20 | 2004-11-02 | Kla-Tencor, Inc. | Methods and systems for determining a characteristic of a specimen prior to, during, or subsequent to ion implantation |
| US6919957B2 (en) | 2000-09-20 | 2005-07-19 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a critical dimension, a presence of defects, and a thin film characteristic of a specimen |
| US7349090B2 (en) * | 2000-09-20 | 2008-03-25 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for determining a property of a specimen prior to, during, or subsequent to lithography |
| JP4120561B2 (ja) * | 2000-10-03 | 2008-07-16 | 松下電器産業株式会社 | プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置 |
| US6439244B1 (en) * | 2000-10-13 | 2002-08-27 | Promos Technologies, Inc. | Pedestal design for a sputter clean chamber to improve aluminum gap filling ability |
| US6716302B2 (en) | 2000-11-01 | 2004-04-06 | Applied Materials Inc. | Dielectric etch chamber with expanded process window |
| US6878206B2 (en) * | 2001-07-16 | 2005-04-12 | Applied Materials, Inc. | Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques |
| US6673199B1 (en) | 2001-03-07 | 2004-01-06 | Applied Materials, Inc. | Shaping a plasma with a magnetic field to control etch rate uniformity |
| US20020126437A1 (en) * | 2001-03-12 | 2002-09-12 | Winbond Electronics Corporation | Electrostatic chuck system and method for maintaining the same |
| JP2002280365A (ja) * | 2001-03-19 | 2002-09-27 | Applied Materials Inc | 静電チャックのクリーニング方法 |
| US6403322B1 (en) | 2001-03-27 | 2002-06-11 | Lam Research Corporation | Acoustic detection of dechucking and apparatus therefor |
| US6770214B2 (en) | 2001-03-30 | 2004-08-03 | Lam Research Corporation | Method of reducing aluminum fluoride deposits in plasma etch reactor |
| US6528427B2 (en) | 2001-03-30 | 2003-03-04 | Lam Research Corporation | Methods for reducing contamination of semiconductor substrates |
| WO2002086185A1 (en) | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Applied Process Technologies | Penning discharge plasma source |
| US7023128B2 (en) * | 2001-04-20 | 2006-04-04 | Applied Process Technologies, Inc. | Dipole ion source |
| US7294283B2 (en) * | 2001-04-20 | 2007-11-13 | Applied Process Technologies, Inc. | Penning discharge plasma source |
| US7374636B2 (en) * | 2001-07-06 | 2008-05-20 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for providing uniform plasma in a magnetic field enhanced plasma reactor |
| JP4009087B2 (ja) * | 2001-07-06 | 2007-11-14 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 半導体製造装置における磁気発生装置、半導体製造装置および磁場強度制御方法 |
| TWI234417B (en) | 2001-07-10 | 2005-06-11 | Tokyo Electron Ltd | Plasma procesor and plasma processing method |
| JP2003060012A (ja) * | 2001-08-08 | 2003-02-28 | Asm Japan Kk | 半導体処理用反応チャンバ |
| US7033514B2 (en) * | 2001-08-27 | 2006-04-25 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for micromachining using a magnetic field and plasma etching |
| US6805770B1 (en) | 2001-08-30 | 2004-10-19 | Oster Magnetics, Inc. | Technique for improving uniformity of magnetic fields that rotate or oscillate about an axis |
| AU2002341591A1 (en) * | 2001-09-14 | 2003-04-01 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus with coil magnet system |
| KR100501339B1 (ko) * | 2001-11-02 | 2005-07-18 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 장치 |
| TW508648B (en) * | 2001-12-11 | 2002-11-01 | United Microelectronics Corp | Method of reducing the chamber particle level |
| US20030106646A1 (en) * | 2001-12-11 | 2003-06-12 | Applied Materials, Inc. | Plasma chamber insert ring |
| US20030192646A1 (en) * | 2002-04-12 | 2003-10-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing chamber having magnetic assembly and method |
| JP3773189B2 (ja) * | 2002-04-24 | 2006-05-10 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 窓型プローブ、プラズマ監視装置、及び、プラズマ処理装置 |
| JP4236873B2 (ja) * | 2002-06-21 | 2009-03-11 | 東京エレクトロン株式会社 | マグネトロンプラズマ処理装置 |
| TWI283899B (en) * | 2002-07-09 | 2007-07-11 | Applied Materials Inc | Capacitively coupled plasma reactor with magnetic plasma control |
| US7166200B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate in a plasma processing system |
| US7137353B2 (en) * | 2002-09-30 | 2006-11-21 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved deposition shield in a plasma processing system |
| US7204912B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-04-17 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved bellows shield in a plasma processing system |
| US7166166B2 (en) * | 2002-09-30 | 2007-01-23 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
| US6798519B2 (en) * | 2002-09-30 | 2004-09-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved optical window deposition shield in a plasma processing system |
| US7147749B2 (en) | 2002-09-30 | 2006-12-12 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system |
| US6837966B2 (en) * | 2002-09-30 | 2005-01-04 | Tokyo Electron Limeted | Method and apparatus for an improved baffle plate in a plasma processing system |
| TWI264043B (en) * | 2002-10-01 | 2006-10-11 | Tokyo Electron Ltd | Method and system for analyzing data from a plasma process |
| DE10247051A1 (de) * | 2002-10-09 | 2004-04-22 | Polymer Latex Gmbh & Co Kg | Latex und Verfahren zu seiner Herstellung |
| US7458335B1 (en) | 2002-10-10 | 2008-12-02 | Applied Materials, Inc. | Uniform magnetically enhanced reactive ion etching using nested electromagnetic coils |
| US7097716B2 (en) * | 2002-10-17 | 2006-08-29 | Applied Materials, Inc. | Method for performing fluorocarbon chamber cleaning to eliminate fluorine memory effect |
| KR100772740B1 (ko) | 2002-11-28 | 2007-11-01 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 플라즈마 처리 용기 내부재 |
| US7059269B2 (en) * | 2003-02-13 | 2006-06-13 | Steris, Inc. | Pulsed electric field system for decontamination of biological agents on a dielectric sheet material |
| US7422654B2 (en) * | 2003-02-14 | 2008-09-09 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for shaping a magnetic field in a magnetic field-enhanced plasma reactor |
| WO2004095532A2 (en) * | 2003-03-31 | 2004-11-04 | Tokyo Electron Limited | A barrier layer for a processing element and a method of forming the same |
| US7560376B2 (en) | 2003-03-31 | 2009-07-14 | Tokyo Electron Limited | Method for adjoining adjacent coatings on a processing element |
| US7100954B2 (en) * | 2003-07-11 | 2006-09-05 | Nexx Systems, Inc. | Ultra-thin wafer handling system |
| US6829056B1 (en) | 2003-08-21 | 2004-12-07 | Michael Barnes | Monitoring dimensions of features at different locations in the processing of substrates |
| WO2005028697A1 (en) * | 2003-09-12 | 2005-03-31 | Applied Process Technologies, Inc. | Magnetic mirror plasma source and method using same |
| US7128806B2 (en) | 2003-10-21 | 2006-10-31 | Applied Materials, Inc. | Mask etch processing apparatus |
| US7294224B2 (en) * | 2003-12-01 | 2007-11-13 | Applied Materials, Inc. | Magnet assembly for plasma containment |
| US20050133158A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-06-23 | Applied Materials, Inc. | Mask handler apparatus |
| US20050133166A1 (en) * | 2003-12-19 | 2005-06-23 | Applied Materials, Inc. | Tuned potential pedestal for mask etch processing apparatus |
| JP2005177935A (ja) * | 2003-12-19 | 2005-07-07 | Tdk Corp | ナノホール穿孔装置及びナノホール穿孔方法 |
| US8033245B2 (en) * | 2004-02-12 | 2011-10-11 | Applied Materials, Inc. | Substrate support bushing |
| WO2005092025A2 (en) * | 2004-03-22 | 2005-10-06 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for measuring a characteristic of a substrate or preparing a substrate for analysis |
| US7179663B2 (en) * | 2004-04-16 | 2007-02-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CDA controller and method for stabilizing dome temperature |
| US7552521B2 (en) | 2004-12-08 | 2009-06-30 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for improved baffle plate |
| US7601242B2 (en) | 2005-01-11 | 2009-10-13 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing system and baffle assembly for use in plasma processing system |
| JP5531284B2 (ja) * | 2005-02-22 | 2014-06-25 | エスピーティーエス テクノロジーズ リミテッド | 副チャンバアセンブリを備えるエッチング用チャンバ |
| US7148073B1 (en) | 2005-03-15 | 2006-12-12 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Methods and systems for preparing a copper containing substrate for analysis |
| KR100897176B1 (ko) * | 2005-07-20 | 2009-05-14 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유도 결합형 플라즈마 처리 장치 |
| US7394067B1 (en) | 2005-07-20 | 2008-07-01 | Kla-Tencor Technologies Corp. | Systems and methods for reducing alteration of a specimen during analysis for charged particle based and other measurement systems |
| US7741577B2 (en) * | 2006-03-28 | 2010-06-22 | Battelle Energy Alliance, Llc | Modular hybrid plasma reactor and related systems and methods |
| US20070243713A1 (en) * | 2006-04-12 | 2007-10-18 | Lam Research Corporation | Apparatus and method for generating activated hydrogen for plasma stripping |
| US7837826B2 (en) * | 2006-07-18 | 2010-11-23 | Lam Research Corporation | Hybrid RF capacitively and inductively coupled plasma source using multifrequency RF powers and methods of use thereof |
| US8634052B2 (en) * | 2006-12-13 | 2014-01-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method involving a ring to cover a gap between a substrate and a substrate table |
| US20080188011A1 (en) * | 2007-01-26 | 2008-08-07 | Silicon Genesis Corporation | Apparatus and method of temperature conrol during cleaving processes of thick film materials |
| JP5347294B2 (ja) * | 2007-09-12 | 2013-11-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
| US8198567B2 (en) | 2008-01-15 | 2012-06-12 | Applied Materials, Inc. | High temperature vacuum chuck assembly |
| US8536481B2 (en) * | 2008-01-28 | 2013-09-17 | Battelle Energy Alliance, Llc | Electrode assemblies, plasma apparatuses and systems including electrode assemblies, and methods for generating plasma |
| US20110209989A1 (en) * | 2010-02-26 | 2011-09-01 | Youming Li | Physical vapor deposition with insulated clamp |
| US8597462B2 (en) | 2010-05-21 | 2013-12-03 | Lam Research Corporation | Movable chamber liner plasma confinement screen combination for plasma processing apparatuses |
| JP5787284B2 (ja) | 2010-06-30 | 2015-09-30 | 国立大学法人名古屋大学 | 反応種供給装置および表面等処理装置 |
| KR101141577B1 (ko) * | 2010-07-07 | 2012-06-08 | (주)세미머티리얼즈 | 태양전지의 플라즈마 텍스처링 장치 및 방법 |
| US8773020B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-07-08 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for forming a magnetic field and methods of use thereof |
| US9269546B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with electron beam plasma source having a uniform magnetic field |
| JP6009171B2 (ja) * | 2012-02-14 | 2016-10-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| US9583364B2 (en) * | 2012-12-31 | 2017-02-28 | Sunedison Semiconductor Limited (Uen201334164H) | Processes and apparatus for preparing heterostructures with reduced strain by radial compression |
| US10460968B2 (en) | 2013-12-02 | 2019-10-29 | Applied Materials, Inc. | Electrostatic chuck with variable pixelated magnetic field |
| JP6424049B2 (ja) * | 2014-09-12 | 2018-11-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理装置 |
| DE102014014070A1 (de) * | 2014-09-29 | 2016-03-31 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Vorrichtung zum geregelten Wärmeübergang auf und von einem Bauteil |
| US10095114B2 (en) | 2014-11-14 | 2018-10-09 | Applied Materials, Inc. | Process chamber for field guided exposure and method for implementing the process chamber |
| CN105992448B (zh) * | 2015-02-02 | 2019-04-23 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 等离子体产生装置和具有其的半导体设备 |
| CN105225989B (zh) * | 2015-10-13 | 2018-12-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 等离子刻蚀机 |
| US9691513B1 (en) * | 2016-06-17 | 2017-06-27 | Globalfoundries Inc. | Pedestal alignment tool for an orienter pedestal of an ion implant device |
| TWI728197B (zh) | 2016-10-24 | 2021-05-21 | 美商克萊譚克公司 | 整合至一計量及/或檢測工具中之製程模組 |
| US11802340B2 (en) * | 2016-12-12 | 2023-10-31 | Applied Materials, Inc. | UHV in-situ cryo-cool chamber |
| AU2018412622A1 (en) | 2018-03-29 | 2019-10-17 | Nippon Steel Corporation | Austenitic wear-resistant steel plate |
| BR112020014123A2 (pt) | 2018-03-29 | 2020-12-01 | Nippon Steel Corporation | chapa de aço austenítica resistente ao desgaste |
| WO2020149903A1 (en) | 2019-01-18 | 2020-07-23 | Applied Materials, Inc. | A film structure for electric field guided photoresist patterning process |
| US11429026B2 (en) | 2020-03-20 | 2022-08-30 | Applied Materials, Inc. | Lithography process window enhancement for photoresist patterning |
| US11915915B2 (en) | 2021-05-28 | 2024-02-27 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for generating magnetic fields during semiconductor processing |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3566960A (en) * | 1969-08-18 | 1971-03-02 | Robley V Stuart | Cooling apparatus for vacuum chamber |
| JPS559058B2 (ja) * | 1974-04-26 | 1980-03-07 | ||
| US4282924A (en) * | 1979-03-16 | 1981-08-11 | Varian Associates, Inc. | Apparatus for mechanically clamping semiconductor wafer against pliable thermally conductive surface |
| US4680061A (en) * | 1979-12-21 | 1987-07-14 | Varian Associates, Inc. | Method of thermal treatment of a wafer in an evacuated environment |
| JPS57100732A (en) * | 1980-12-16 | 1982-06-23 | Nec Corp | Dry etching device |
| US4508161A (en) * | 1982-05-25 | 1985-04-02 | Varian Associates, Inc. | Method for gas-assisted, solid-to-solid thermal transfer with a semiconductor wafer |
| JPS58213427A (ja) * | 1982-06-04 | 1983-12-12 | Hitachi Ltd | プラズマエツチング装置 |
| US4542298A (en) * | 1983-06-09 | 1985-09-17 | Varian Associates, Inc. | Methods and apparatus for gas-assisted thermal transfer with a semiconductor wafer |
| JPS6098628A (ja) * | 1983-11-02 | 1985-06-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空中における搬送装置 |
| JPH0693446B2 (ja) * | 1983-11-09 | 1994-11-16 | 株式会社日立製作所 | 処理装置 |
| JPS60130633U (ja) * | 1984-02-10 | 1985-09-02 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置 |
| US4603466A (en) * | 1984-02-17 | 1986-08-05 | Gca Corporation | Wafer chuck |
| DE3580953D1 (de) * | 1984-08-31 | 1991-01-31 | Anelva Corp | Entladungsvorrichtung. |
| JPH0666300B2 (ja) * | 1985-03-18 | 1994-08-24 | 株式会社日立製作所 | ドライエッチング装置 |
| US4624728A (en) * | 1985-06-11 | 1986-11-25 | Tegal Corporation | Pin lift plasma processing |
| JPS62205270A (ja) * | 1986-03-05 | 1987-09-09 | Hitachi Ltd | マグネトロン電極 |
| US4724621A (en) * | 1986-04-17 | 1988-02-16 | Varian Associates, Inc. | Wafer processing chuck using slanted clamping pins |
| US4764076A (en) * | 1986-04-17 | 1988-08-16 | Varian Associates, Inc. | Valve incorporating wafer handling arm |
| KR970003885B1 (ko) * | 1987-12-25 | 1997-03-22 | 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 | 에칭 방법 및 그 장치 |
-
1988
- 1988-04-25 US US07/185,215 patent/US4842683A/en not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-04-24 JP JP1104374A patent/JP2824079B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-25 EP EP89107484A patent/EP0339580B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1989-04-25 AT AT89107484T patent/ATE118923T1/de not_active IP Right Cessation
- 1989-04-25 DE DE68921234T patent/DE68921234T2/de not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-07-10 JP JP10195244A patent/JPH11111700A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE68921234D1 (de) | 1995-03-30 |
| EP0339580B1 (en) | 1995-02-22 |
| JPH11111700A (ja) | 1999-04-23 |
| DE68921234T2 (de) | 1995-06-22 |
| ATE118923T1 (de) | 1995-03-15 |
| EP0339580A3 (en) | 1990-11-22 |
| JPH0215623A (ja) | 1990-01-19 |
| US4842683A (en) | 1989-06-27 |
| EP0339580A2 (en) | 1989-11-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2824079B2 (ja) | 磁場エンハンス型プラズマエッチ反応器 | |
| US5215619A (en) | Magnetic field-enhanced plasma etch reactor | |
| EP0566220B1 (en) | Magnetic field enhanced plasma etch reactor | |
| US4668338A (en) | Magnetron-enhanced plasma etching process | |
| US5079481A (en) | Plasma-assisted processing magneton with magnetic field adjustment | |
| US7662723B2 (en) | Methods and apparatus for in-situ substrate processing | |
| KR100349064B1 (ko) | 플라즈마처리장치 | |
| US5082542A (en) | Distributed-array magnetron-plasma processing module and method | |
| KR100504614B1 (ko) | 반도체 처리를 위한 가스 분산장치 | |
| CN101048856B (zh) | 用于等离子室内的氧化钇绝缘体环 | |
| KR100274306B1 (ko) | 에칭방법 | |
| US5507874A (en) | Method of cleaning of an electrostatic chuck in plasma reactors | |
| US7754997B2 (en) | Apparatus and method to confine plasma and reduce flow resistance in a plasma | |
| US6257168B1 (en) | Elevated stationary uniformity ring design | |
| US7338576B2 (en) | Plasma processing device | |
| JPH0696768B2 (ja) | 平坦な基体上に膜を付着させるためのプラズマ反応炉 | |
| JPH0892748A (ja) | 誘導結合モードと静電結合モードとを併用する高密度プラズマｃｖｄリアクタ | |
| JPH05166757A (ja) | 被処理体の温調装置 | |
| KR20130111518A (ko) | 강화된 이온화 및 무선 주파수 전력 커플링을 갖는 낮은 비저항의 텅스텐 물리 기상 증착 | |
| JPH09129612A (ja) | エッチングガス及びエッチング方法 | |
| KR19990013651A (ko) | 이씨알 플라즈마 발생기 및 이씨알 플라즈마 발생기를 사용하는이씨알 시스템 | |
| US20130008604A1 (en) | Method and apparatus for enhancing flow uniformity in a process chamber | |
| CN112136202B (zh) | 用于在等离子体增强化学气相沉积腔室中抑制寄生等离子体的设备 | |
| US5518547A (en) | Method and apparatus for reducing particulates in a plasma tool through steady state flows | |
| JP4566373B2 (ja) | 酸化膜エッチング方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |