JPH0892748A - 誘導結合モードと静電結合モードとを併用する高密度プラズマｃｖｄリアクタ - Google Patents
誘導結合モードと静電結合モードとを併用する高密度プラズマｃｖｄリアクタInfo
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- JPH0892748A JPH0892748A JP7106138A JP10613895A JPH0892748A JP H0892748 A JPH0892748 A JP H0892748A JP 7106138 A JP7106138 A JP 7106138A JP 10613895 A JP10613895 A JP 10613895A JP H0892748 A JPH0892748 A JP H0892748A
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- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
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- H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01J37/32082—Radio frequency generated discharge
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 プラズマリアクタの内部を均一に浄化する。
【構成】 真空チャンバ内に主として静電結合プラズマ
を発生させるために、ガス注入口からチャンバにエッチ
ングガスを導入しながらチャンバ内を真空とし、コイル
アンテナにＲＦエネルギーを必ずしも印加していない間
にチャンバ内のシーリング電極にＲＦエネルギーを印加
することによりプラズマリアクタを浄化する方法として
具体化される。本発明の別の態様においては、リアクタ
を誘導結合モードで操作しようとするときには常に、シ
ーリング電極を接地させながら、リアクタのコイルアン
テナ２６にＰＦ電力を印加し、リアクタを静電結合モー
ドで操作しようとするときには常に、シーリング電極に
ＲＦ電力を印加し、リアクタを浄化しようとするときに
は常に、真空チェンバにエッチングガスを導入しなが
ら、シーリング電極とアンテナ２６とにＲＦ電力を印加
する。
を発生させるために、ガス注入口からチャンバにエッチ
ングガスを導入しながらチャンバ内を真空とし、コイル
アンテナにＲＦエネルギーを必ずしも印加していない間
にチャンバ内のシーリング電極にＲＦエネルギーを印加
することによりプラズマリアクタを浄化する方法として
具体化される。本発明の別の態様においては、リアクタ
を誘導結合モードで操作しようとするときには常に、シ
ーリング電極を接地させながら、リアクタのコイルアン
テナ２６にＰＦ電力を印加し、リアクタを静電結合モー
ドで操作しようとするときには常に、シーリング電極に
ＲＦ電力を印加し、リアクタを浄化しようとするときに
は常に、真空チェンバにエッチングガスを導入しなが
ら、シーリング電極とアンテナ２６とにＲＦ電力を印加
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、個別に、或いは、チャ
ンバ浄化操作のために組み合わせて選択可能な誘導結合
モードと静電結合モードとに対応した高密度プラズマＣ
ＶＤリアクタの操作方法に関する。
ンバ浄化操作のために組み合わせて選択可能な誘導結合
モードと静電結合モードとに対応した高密度プラズマＣ
ＶＤリアクタの操作方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】化学的気相成長（ＣＶＤ）、エッチン
グ、リアクティブイオンエッチング等の、半導体の加工
に使用されるプラズマリアクタは、典型的には、誘導結
合か静電結合を用いてプラズマを発生、維持する。静電
結合プラズマの高イオンエネルギー特性が、例えば、二
酸化珪素等の薄膜の除去に適しているので、エッチング
リアクタでは、典型的には、静電結合を採用している。
この高イオンエネルギーは、静電結合プラズマを発生さ
せるのに必要とされる高電界から発生する。例えば、コ
リンズ（Ｃｏｌｌｉｎｓ）等によって出願され、１９９
３年７月２８日に公開された、「プラズマエッチング加
工（Ｐｌａｓｍａ Ｅｔｃｈ Ｐｒｏｃｅｓｓ）」と題
する欧州特許出願公開第０５５２４９１号の開示によれ
ば、静電結合リアクターは並列電極を有し、ペデスタル
を備える。
グ、リアクティブイオンエッチング等の、半導体の加工
に使用されるプラズマリアクタは、典型的には、誘導結
合か静電結合を用いてプラズマを発生、維持する。静電
結合プラズマの高イオンエネルギー特性が、例えば、二
酸化珪素等の薄膜の除去に適しているので、エッチング
リアクタでは、典型的には、静電結合を採用している。
この高イオンエネルギーは、静電結合プラズマを発生さ
せるのに必要とされる高電界から発生する。例えば、コ
リンズ（Ｃｏｌｌｉｎｓ）等によって出願され、１９９
３年７月２８日に公開された、「プラズマエッチング加
工（Ｐｌａｓｍａ Ｅｔｃｈ Ｐｒｏｃｅｓｓ）」と題
する欧州特許出願公開第０５５２４９１号の開示によれ
ば、静電結合リアクターは並列電極を有し、ペデスタル
を備える。
【０００３】しかし、静電結合プラズマのプラズマ密度
は、低圧で化学的気相成長（ＣＶＤ）とその場でのスパ
ッタリングとを同時に達成するには充分ではない。従っ
て、フェアベーン（Ｆａｉｒｂａｉｒｎ）とノワック
（Ｎｏｗａｋ）とにより１９９３年８月２７日に出願さ
れた、「高密度プラズマＣＶＤとエッチングリアクター
（Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｐｌａｓｍａ ＣＶＤ
ａｎｄ ＥｔｃｈｉｎｇＲｅａｃｔｏｒ）」と題する米
国特許出願第０８／１１３，７７６号に開示されている
タイプのＣＶＤプラズマリアクターは、誘導結合を採用
してプラズマを発生、維持している。フェアベーンとノ
ワックとの上記出願に係わる発明では、ドーム形チャン
バのシーリング内のドーム形螺旋コイルにより、プラズ
マへの静電結合を低チャンバ圧（１００ミリトール未
満）で達成しており、このドーム形状が、半導体ウェー
ハ全体に渡ってより一層均一なイオン密度分布を提供す
るもとになっている。かかる静電結合プラズマは、高イ
オン密度を特徴とし、それ故、高加工（例えば、成長）
速度での低圧ＣＶＤプラズマ加工に適している。
は、低圧で化学的気相成長（ＣＶＤ）とその場でのスパ
ッタリングとを同時に達成するには充分ではない。従っ
て、フェアベーン（Ｆａｉｒｂａｉｒｎ）とノワック
（Ｎｏｗａｋ）とにより１９９３年８月２７日に出願さ
れた、「高密度プラズマＣＶＤとエッチングリアクター
（Ｈｉｇｈ Ｄｅｎｓｉｔｙ Ｐｌａｓｍａ ＣＶＤ
ａｎｄ ＥｔｃｈｉｎｇＲｅａｃｔｏｒ）」と題する米
国特許出願第０８／１１３，７７６号に開示されている
タイプのＣＶＤプラズマリアクターは、誘導結合を採用
してプラズマを発生、維持している。フェアベーンとノ
ワックとの上記出願に係わる発明では、ドーム形チャン
バのシーリング内のドーム形螺旋コイルにより、プラズ
マへの静電結合を低チャンバ圧（１００ミリトール未
満）で達成しており、このドーム形状が、半導体ウェー
ハ全体に渡ってより一層均一なイオン密度分布を提供す
るもとになっている。かかる静電結合プラズマは、高イ
オン密度を特徴とし、それ故、高加工（例えば、成長）
速度での低圧ＣＶＤプラズマ加工に適している。
【０００４】静電結合プラズマと誘導結合プラズマとの
主要な差異は次の通りである。誘導結合プラズマは最高
２桁高いプラズマ密度を有し、それによって高加工速度
をもたらしている。静電結合プラズマは、高い電極シー
ト電圧、高いセルフバイアス及び高いプラズマインピー
ダンスを有し、それ故に高スパッタ速度とウェーハへの
大きな損傷の危険性とをもたらす。誘導結合プラズマは
低いイオンエネルギー分布を示し、ウェーハへの損傷の
危険性は低い。
主要な差異は次の通りである。誘導結合プラズマは最高
２桁高いプラズマ密度を有し、それによって高加工速度
をもたらしている。静電結合プラズマは、高い電極シー
ト電圧、高いセルフバイアス及び高いプラズマインピー
ダンスを有し、それ故に高スパッタ速度とウェーハへの
大きな損傷の危険性とをもたらす。誘導結合プラズマは
低いイオンエネルギー分布を示し、ウェーハへの損傷の
危険性は低い。
【０００５】全てのプラズマリアクタ、特にプラズマＣ
ＶＤリアクタ、の一要件は、それらを定期的に浄化し
て、付着物と残さとを除去しなければならないことであ
る。例えば、ＣＶＤリアクタで、半導体ウェーハ上への
二酸化珪素の堆積の間に、二酸化珪素は反応チャンバの
他部分と同様にチャンバ壁とシーリングとにも付着し
て、チャンバの特性を変え、微粒子汚染を高める。それ
故、反応チャンバは、定期的に浄化して、かかる付着物
と残さとを全て除去する必要がある。二酸化珪素質付着
物の除去は、ＮＦ3 （例えば）のようなフッ素含有エッ
チングガスをチャンバへ導入し、プラズマを発生させて
チャンバ浄化操作を行わせることにより達成されてい
る。
ＶＤリアクタ、の一要件は、それらを定期的に浄化し
て、付着物と残さとを除去しなければならないことであ
る。例えば、ＣＶＤリアクタで、半導体ウェーハ上への
二酸化珪素の堆積の間に、二酸化珪素は反応チャンバの
他部分と同様にチャンバ壁とシーリングとにも付着し
て、チャンバの特性を変え、微粒子汚染を高める。それ
故、反応チャンバは、定期的に浄化して、かかる付着物
と残さとを全て除去する必要がある。二酸化珪素質付着
物の除去は、ＮＦ3 （例えば）のようなフッ素含有エッ
チングガスをチャンバへ導入し、プラズマを発生させて
チャンバ浄化操作を行わせることにより達成されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】誘導結合プラズマリア
クタの一つの限界は、その大容積、低操作圧、チャンバ
壁面のバイアス不足のために、チャンバ浄化操作を行う
のに多くの時間を要することである。二酸化珪素のよう
な特定な残さは、低いイオンエネルギで比較的遅いエッ
チ速度持つのが典型的であり、それ故、誘導結合プラズ
マによって除去するのが困難なことがある。
クタの一つの限界は、その大容積、低操作圧、チャンバ
壁面のバイアス不足のために、チャンバ浄化操作を行う
のに多くの時間を要することである。二酸化珪素のよう
な特定な残さは、低いイオンエネルギで比較的遅いエッ
チ速度持つのが典型的であり、それ故、誘導結合プラズ
マによって除去するのが困難なことがある。
【０００７】かかるチャンバ浄化操作に伴う１つの問題
は、反応チャンバの様々な面が、チャンバ内での位置の
違い、材質の相違とにより同一速度で浄化（エッチン
グ）されないことである。プラズマ密度とイオンエネル
ギーとは、チャンバ内の全ての位置で同一であることは
ないので、浄化（エッチング）速度の相違は象徴的なも
のである。更に、ウェーハ加工（例えば、ＣＶＤ加工）
の間に、付着物がチャンバの特定の面に他より厚く堆積
し、付着物或いは残さの厚さがチャンバ内部で不均一と
なる。例えば、コリンズ等の前記欧州特許出願のエッチ
ングリアクタにおいて、エッチング加工の残さは、プラ
ズマ密度の不均一のために、シーリングの中央において
シーリングの端よりはるかに厚い。
は、反応チャンバの様々な面が、チャンバ内での位置の
違い、材質の相違とにより同一速度で浄化（エッチン
グ）されないことである。プラズマ密度とイオンエネル
ギーとは、チャンバ内の全ての位置で同一であることは
ないので、浄化（エッチング）速度の相違は象徴的なも
のである。更に、ウェーハ加工（例えば、ＣＶＤ加工）
の間に、付着物がチャンバの特定の面に他より厚く堆積
し、付着物或いは残さの厚さがチャンバ内部で不均一と
なる。例えば、コリンズ等の前記欧州特許出願のエッチ
ングリアクタにおいて、エッチング加工の残さは、プラ
ズマ密度の不均一のために、シーリングの中央において
シーリングの端よりはるかに厚い。
【０００８】その結果、ある金属面では他より早く残さ
或いは付着物が完全に除去され、この浄化金属面は、残
留汚染物が他の未だ不浄な面から除去されている最中に
エッチングされる。例えば、コリンズ等の欧州出願に係
わる平形シーリング電極の場合には、このシーリング電
極の端は、その中央部分が未だ厚い残留皮膜を有してい
る間に素早く浄化される。電極端部のむき出しの金属面
は、ＲＦエネルギーを、未だ不浄な中央部分から分路さ
せ、これにより、中央部分のそれ以上の浄化を妨げる。
ＮＦ3 等のフッ化物ガスをチャンバ浄化に用いると、金
属面が浄化操作中にエッチングガスと反応して様々なフ
ッ化アルミニウムを形成し、これが、未だ不浄の面を含
め、チャンバの様々な面に他の残さ或いは付着物と共に
再付着する。かかるフッ化アルミニウム類は、非常にゆ
っくりとエッチングされるか、或いは、エッチングを実
質上受け入れず（特に、誘導結合プラズマにおいて）、
かくて、その下の先行付着物（例えば、二酸化珪素）を
遮蔽することになる。浄化操作中のフッ化アルミニウム
類のこの付着のために、残さ（例えば、二酸化珪素）の
除去が妨げられ、チャンバ浄化操作時間を延長しても反
応チャンバを完全には浄化不能となる。
或いは付着物が完全に除去され、この浄化金属面は、残
留汚染物が他の未だ不浄な面から除去されている最中に
エッチングされる。例えば、コリンズ等の欧州出願に係
わる平形シーリング電極の場合には、このシーリング電
極の端は、その中央部分が未だ厚い残留皮膜を有してい
る間に素早く浄化される。電極端部のむき出しの金属面
は、ＲＦエネルギーを、未だ不浄な中央部分から分路さ
せ、これにより、中央部分のそれ以上の浄化を妨げる。
ＮＦ3 等のフッ化物ガスをチャンバ浄化に用いると、金
属面が浄化操作中にエッチングガスと反応して様々なフ
ッ化アルミニウムを形成し、これが、未だ不浄の面を含
め、チャンバの様々な面に他の残さ或いは付着物と共に
再付着する。かかるフッ化アルミニウム類は、非常にゆ
っくりとエッチングされるか、或いは、エッチングを実
質上受け入れず（特に、誘導結合プラズマにおいて）、
かくて、その下の先行付着物（例えば、二酸化珪素）を
遮蔽することになる。浄化操作中のフッ化アルミニウム
類のこの付着のために、残さ（例えば、二酸化珪素）の
除去が妨げられ、チャンバ浄化操作時間を延長しても反
応チャンバを完全には浄化不能となる。
【０００９】これに関連した問題点は、チャンバ浄化操
作中にチャンバのある誘電体面（例えば、石英面）が急
速に消耗し、これは誘電結合プラズマで顕著であり、従
って、多大な費用をかけて頻繁に交換する必要があり、
重大な欠点となっている。
作中にチャンバのある誘電体面（例えば、石英面）が急
速に消耗し、これは誘電結合プラズマで顕著であり、従
って、多大な費用をかけて頻繁に交換する必要があり、
重大な欠点となっている。
【００１０】
【課題を解決するための手段および作用】本発明は、真
空チャンバ；この真空チャンバの底部近くのウェーハ保
持用ペデスタル；ガス注入口と真空ポンプ；チャンバの
頂部の、一般的に平円盤形の導電性シーリング電極；シ
ーリング電極と、真空チャンバの周囲に一般的に一致し
た基部とに隣接した螺旋コイルアンテナ；及び、コイル
アンテナ、シーリング電極、ウェーハペデスタルの各々
を、（ａ）各ＲＦ電源、（ｂ）グランド、或いは、
（ｃ）フロート電位（即ち、未接続）の各々に個別に接
続するためのスイッチを備えるプラズマリアクタの操作
方法であり、ウェーハ保持用ペデスタルから全てのウェ
ーハを除去し、ガス注入口からチャンバ内にエッチング
ガスを導入しながら真空ポンプでチャンバ内を真空と
し、次いで、真空チャンバ内に主として静電結合プラズ
マを発生させるために、当初はコイルへのＲＦエネルギ
ー供給を控えながらシーリング電極にＲＦエネルギーを
加えるようにスイッチ操作するチャンバ浄化操作を含む
方法として具体化される。
空チャンバ；この真空チャンバの底部近くのウェーハ保
持用ペデスタル；ガス注入口と真空ポンプ；チャンバの
頂部の、一般的に平円盤形の導電性シーリング電極；シ
ーリング電極と、真空チャンバの周囲に一般的に一致し
た基部とに隣接した螺旋コイルアンテナ；及び、コイル
アンテナ、シーリング電極、ウェーハペデスタルの各々
を、（ａ）各ＲＦ電源、（ｂ）グランド、或いは、
（ｃ）フロート電位（即ち、未接続）の各々に個別に接
続するためのスイッチを備えるプラズマリアクタの操作
方法であり、ウェーハ保持用ペデスタルから全てのウェ
ーハを除去し、ガス注入口からチャンバ内にエッチング
ガスを導入しながら真空ポンプでチャンバ内を真空と
し、次いで、真空チャンバ内に主として静電結合プラズ
マを発生させるために、当初はコイルへのＲＦエネルギ
ー供給を控えながらシーリング電極にＲＦエネルギーを
加えるようにスイッチ操作するチャンバ浄化操作を含む
方法として具体化される。
【００１１】本発明は又、真空チャンバ；この真空チャ
ンバの底部近くのウェーハ保持用ペデスタル；ガス注入
口と真空ポンプ；チャンバの頂部の、一般的に平円盤形
の導電性シーリング電極；シーリング電極と、真空チャ
ンバの周囲に一般的に一致した基部とに隣接した螺旋コ
イル；及び、コイルアンテナ、シーリング電極、ウェー
ハペデスタルの各々を、（ａ）各ＲＦ電源、（ｂ）グラ
ンド、或いは、（ｃ）フロート電位の各々に個別に接続
するためのスイッチを備えるプラズマリアクタの操作方
法であり、リアクタを誘導結合モードで操作しようとす
るときには常に、シーリング電極を接地させながら、コ
イルアンテナにＰＦ電力を印加するためにスイッチを操
作し、一方、リアクタを静電結合モードで操作しようと
するときには常に、シーリング電極にＲＦ電力を印加す
るためにスイッチを操作し、又、リアクタを浄化しよう
とするときには常に、真空チェンバにエッチングガスを
導入しながら、シーリング電極とコイルアンテナとにＲ
Ｆ電力を印加することを含む方法としても具体化され
る。
ンバの底部近くのウェーハ保持用ペデスタル；ガス注入
口と真空ポンプ；チャンバの頂部の、一般的に平円盤形
の導電性シーリング電極；シーリング電極と、真空チャ
ンバの周囲に一般的に一致した基部とに隣接した螺旋コ
イル；及び、コイルアンテナ、シーリング電極、ウェー
ハペデスタルの各々を、（ａ）各ＲＦ電源、（ｂ）グラ
ンド、或いは、（ｃ）フロート電位の各々に個別に接続
するためのスイッチを備えるプラズマリアクタの操作方
法であり、リアクタを誘導結合モードで操作しようとす
るときには常に、シーリング電極を接地させながら、コ
イルアンテナにＰＦ電力を印加するためにスイッチを操
作し、一方、リアクタを静電結合モードで操作しようと
するときには常に、シーリング電極にＲＦ電力を印加す
るためにスイッチを操作し、又、リアクタを浄化しよう
とするときには常に、真空チェンバにエッチングガスを
導入しながら、シーリング電極とコイルアンテナとにＲ
Ｆ電力を印加することを含む方法としても具体化され
る。
【００１２】本発明は更に、真空チャンバ；この真空チ
ャンバの底部近くのウェーハ保持用ペデスタル；ガス注
入口と真空ポンプ；チャンバの頂部の、一般的に平円盤
形の導電性シーリング電極；シーリング電極と、真空チ
ャンバの周囲に一般的に一致した基部とに隣接した螺旋
コイル；及び、コイルアンテナ、シーリング電極、ウェ
ーハペデスタルの各々を、（ａ）各ＲＦ電源、（ｂ）グ
ランド、或いは、（ｃ）フロート電位の各々に個別に接
続するためのスイッチを備える化学的気相成長リアクタ
の操作方法であり、シーリング電極を接地させながらコ
イルアンテナにＲＦ電力を印加するようにスイッチ操作
することによりチャンバ内に誘導結合プラズマを維持し
ながらチャンバ内に成長前駆体ガスを導入することによ
ってペデスタル内のウエーハ上での化学的気相成長を行
い、又、シーリング電極にＲＦ電力を印加するためにス
イッチ操作することによりチャンバ内に静電結合プラズ
マを維持しながらチャンバ内に前駆体浄化ガスを導入す
ることによってリアクタを浄化することを含む方法とし
ても具体化される。
ャンバの底部近くのウェーハ保持用ペデスタル；ガス注
入口と真空ポンプ；チャンバの頂部の、一般的に平円盤
形の導電性シーリング電極；シーリング電極と、真空チ
ャンバの周囲に一般的に一致した基部とに隣接した螺旋
コイル；及び、コイルアンテナ、シーリング電極、ウェ
ーハペデスタルの各々を、（ａ）各ＲＦ電源、（ｂ）グ
ランド、或いは、（ｃ）フロート電位の各々に個別に接
続するためのスイッチを備える化学的気相成長リアクタ
の操作方法であり、シーリング電極を接地させながらコ
イルアンテナにＲＦ電力を印加するようにスイッチ操作
することによりチャンバ内に誘導結合プラズマを維持し
ながらチャンバ内に成長前駆体ガスを導入することによ
ってペデスタル内のウエーハ上での化学的気相成長を行
い、又、シーリング電極にＲＦ電力を印加するためにス
イッチ操作することによりチャンバ内に静電結合プラズ
マを維持しながらチャンバ内に前駆体浄化ガスを導入す
ることによってリアクタを浄化することを含む方法とし
ても具体化される。
【００１３】
【実施例】概観 一態様において、本発明は、そのシーリングの中央部内
の平面電極を囲むシーリング側部内のドーム形螺旋コイ
ルアンテナを有するプラズマリアクタチャンバを用い
る。コイルアンテナと、シーリング電極と、チャンバ底
部のウェーハペデスタルとにＲＦエネルギーを別々に結
合させるための手段が提供され、これにより、シーリン
グ電極とコイルアンテナとウェーハペデスタルとのうち
のいずれか一つまたは組合せがＲＦエネルギーを受け取
り、接地され、或いは未接続（フロート）とすることが
可能とされている。このコイルアンテナは、必要とされ
るプラズマのタイプに依存して誘導結合或いは静電結
合、或いは両者を提供し、シーリング電極は静電結合を
提供し、又、同時に通電されたときには、シーリング電
極とコイルアンテナとは一体となって、反応チャンバ内
のプラズマに静電結合と誘導結合との組合せを提供す
る。ＣＶＤ加工中は、コイルアンテナはＲＦエネルギを
受け取って静電結合プラズマを提供し、この間、シーリ
ング電極は接地され、ＲＦバイアスがウェーハペデスタ
ルに印加される。チャンバ浄化操作中は、ＲＦエネルギ
がシーリング電極に印加されて静電結合プラズマを発生
し、この間、ウェーハペデスタルは電気的にフロートが
可能となり（ウェーハペデスタルと関連ハードウェアと
への損傷を避けるためである）、コイルアンテナは接地
されるかフロート可能とされる。静電結合プラズマが一
旦点火されると、ＲＦエネルギがコイルアンテナに印加
されてプラズマを高プラズマ密度に維持することが可能
となり、従って追加の化学種と熱とを提供して二酸化珪
素及びそれと同様の化合物の除去が可能となる。
の平面電極を囲むシーリング側部内のドーム形螺旋コイ
ルアンテナを有するプラズマリアクタチャンバを用い
る。コイルアンテナと、シーリング電極と、チャンバ底
部のウェーハペデスタルとにＲＦエネルギーを別々に結
合させるための手段が提供され、これにより、シーリン
グ電極とコイルアンテナとウェーハペデスタルとのうち
のいずれか一つまたは組合せがＲＦエネルギーを受け取
り、接地され、或いは未接続（フロート）とすることが
可能とされている。このコイルアンテナは、必要とされ
るプラズマのタイプに依存して誘導結合或いは静電結
合、或いは両者を提供し、シーリング電極は静電結合を
提供し、又、同時に通電されたときには、シーリング電
極とコイルアンテナとは一体となって、反応チャンバ内
のプラズマに静電結合と誘導結合との組合せを提供す
る。ＣＶＤ加工中は、コイルアンテナはＲＦエネルギを
受け取って静電結合プラズマを提供し、この間、シーリ
ング電極は接地され、ＲＦバイアスがウェーハペデスタ
ルに印加される。チャンバ浄化操作中は、ＲＦエネルギ
がシーリング電極に印加されて静電結合プラズマを発生
し、この間、ウェーハペデスタルは電気的にフロートが
可能となり（ウェーハペデスタルと関連ハードウェアと
への損傷を避けるためである）、コイルアンテナは接地
されるかフロート可能とされる。静電結合プラズマが一
旦点火されると、ＲＦエネルギがコイルアンテナに印加
されてプラズマを高プラズマ密度に維持することが可能
となり、従って追加の化学種と熱とを提供して二酸化珪
素及びそれと同様の化合物の除去が可能となる。
【００１４】別態様では、非生産用（ダミー）ウェーハ
をペデスタル上に保持させながらＲＦ電力をウェーハペ
デスタルに印加して静電結合プラズマを発生させて、チ
ャンバを浄化する。この態様では、頂部電極は接地され
ているか、それにＲＦ電力が印加されていることが好ま
しい。この方法は、誘導結合プラズマを使用しても適用
可能である。シーリング電極は、約２６０〜２７０℃の
温度に迄加熱してチャンバ浄化速度を高めることが好ま
しい。
をペデスタル上に保持させながらＲＦ電力をウェーハペ
デスタルに印加して静電結合プラズマを発生させて、チ
ャンバを浄化する。この態様では、頂部電極は接地され
ているか、それにＲＦ電力が印加されていることが好ま
しい。この方法は、誘導結合プラズマを使用しても適用
可能である。シーリング電極は、約２６０〜２７０℃の
温度に迄加熱してチャンバ浄化速度を高めることが好ま
しい。
【００１５】静電プラズマは、（ｉ）シーリング電極の
みへのＲＦ電力の印加、（ｉｉ）シーリング電極とコイ
ルとへの電力の同時印加、及び、（ｉｉｉ）シーリング
電極とコイルとウェーハペデスタルとへのＲＦ電力の同
時印加、により点火可能である。これら３つの異なるモ
ードの各々が独自の利点を提供する。電力をシーリング
電極に印加すると、接地面とシーリング面との浄化が速
くなる。電力をシーリング電極とコイルとに印加する
と、金属面を高速浄化しながら誘電体面の浄化か促進さ
れるが、これは、フッ素解離の増加と高プラズマ温度と
によるものである。シーリング電極とコイルとウェーハ
ペデスタルとに同時にＲＦ電力を印加すると、プラズマ
への別途の接地路を提供することにより金属性のチャン
バ壁面のスパッタリングが減少する。即ち、上記の３つ
のモード（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）のうちの１つ
の選択は、チャンバ内の付着酸化物残さの分布に依存し
て可能となる。「ダミー」ウェーハを、チャンバ浄化操
作中、ウェーハペデスタル上に載置することにより、ペ
デスタル面をエッチングから保護することが可能であ
る。これは、上記（ｉｉｉ）のモードで操作するときに
特に好ましい。
みへのＲＦ電力の印加、（ｉｉ）シーリング電極とコイ
ルとへの電力の同時印加、及び、（ｉｉｉ）シーリング
電極とコイルとウェーハペデスタルとへのＲＦ電力の同
時印加、により点火可能である。これら３つの異なるモ
ードの各々が独自の利点を提供する。電力をシーリング
電極に印加すると、接地面とシーリング面との浄化が速
くなる。電力をシーリング電極とコイルとに印加する
と、金属面を高速浄化しながら誘電体面の浄化か促進さ
れるが、これは、フッ素解離の増加と高プラズマ温度と
によるものである。シーリング電極とコイルとウェーハ
ペデスタルとに同時にＲＦ電力を印加すると、プラズマ
への別途の接地路を提供することにより金属性のチャン
バ壁面のスパッタリングが減少する。即ち、上記の３つ
のモード（ｉ）、（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）のうちの１つ
の選択は、チャンバ内の付着酸化物残さの分布に依存し
て可能となる。「ダミー」ウェーハを、チャンバ浄化操
作中、ウェーハペデスタル上に載置することにより、ペ
デスタル面をエッチングから保護することが可能であ
る。これは、上記（ｉｉｉ）のモードで操作するときに
特に好ましい。
【００１６】誘導結合プラズマ又は静電結合プラズマに
点火するためには、シーリング電極を接地することは必
ずしも必要ではない。
点火するためには、シーリング電極を接地することは必
ずしも必要ではない。
【００１７】誘導結合プラズマに対しては、一定の圧力
レベル（典型的には３０〜３００ミリトールであり、印
加されるＲＦ電力レベルに依存する）を維持しながらＲ
Ｆ電力をコイルに印加してプラズマに点火する。プラズ
マが一旦点火すれば、圧力を３０ミリトール未満に下げ
てもプラズマは維持できる。
レベル（典型的には３０〜３００ミリトールであり、印
加されるＲＦ電力レベルに依存する）を維持しながらＲ
Ｆ電力をコイルに印加してプラズマに点火する。プラズ
マが一旦点火すれば、圧力を３０ミリトール未満に下げ
てもプラズマは維持できる。
【００１８】リアクタ構造の説明 図１を参照すると、好ましい態様のプラズマリアクタ
は、真空チャンバ１０；真空ポンプ１２；及び、ガス注
入ノズル１４を支持するメタルハウジング１８内のガス
供給環形マニホールド１６に接続されたガス注入ノズル
１４；を備える。チャンバ１０は、平円盤２４を囲む部
分的にドーム形状の即ち半球状の環部２２からなるシー
リング２０を有する。このドーム形環部２２は石英やセ
ラミック等の絶縁体である。このドーム形環部２２が、
その一端がコンデンサを経てスイッチ３０によりグラン
ドに接続可能であり、他端がスイッチ３４によりＲＦ源
３２に接続可能である螺旋コイルＲＦアンテナ２６を支
えている。螺旋コイルＲＦアンテナ２６の、長さを含む
構造の詳細は、フェアベーンとノワックとの前記米国特
許出願に開示されており、その開示内容は、参照によ
り、本明細書に含められているものとする。例えば、Ｒ
Ｆ源３２は、ＲＦ発生装置と通常のＲＦ適合ネットワー
ク（図示されていない）とを備える。シーリング２４
は、スイッチ３８によりＲｆ源３６かグランドに接続可
能の導体である。チャンバ１０の底部は、ドープポリシ
リコン又はアルミニウムとすることが可能な着脱式電導
性の底環部即ちライナー４０と、半導体ウェーハ４５を
保持するためのウェーハペデスタル４４とを備える。ウ
エーハ４５の上面と共面の誘電体環部４４ａで、ペデス
タル４４上のウェーハ４５を囲むことが好ましい。ウエ
ーハペデステル４４には、静電チャク、冷却液流路、そ
して、本発明にとっては必須ではない他の通常の側面を
備えることができる。導電性環状リング４０は、シーリ
ング電極２４とほぼ同一の面積を有するチャンバ１０の
内部に面する凸レンズ状に湾曲した内面４０ａを有す
る。この特徴により静電放電が促進され、チャンバ底部
の接地面がプラズマに暴露される。その結果、ＲＦ源が
シーリング電極２４に印加され、環状リング４０が接地
されるときには、両者はほぼ同一速度でエッチングされ
ることになり、これは重大な利点である。この着脱式環
状リングであるライナー４０は、定期的な保守とチャン
バ底部浄化とに有益である。
は、真空チャンバ１０；真空ポンプ１２；及び、ガス注
入ノズル１４を支持するメタルハウジング１８内のガス
供給環形マニホールド１６に接続されたガス注入ノズル
１４；を備える。チャンバ１０は、平円盤２４を囲む部
分的にドーム形状の即ち半球状の環部２２からなるシー
リング２０を有する。このドーム形環部２２は石英やセ
ラミック等の絶縁体である。このドーム形環部２２が、
その一端がコンデンサを経てスイッチ３０によりグラン
ドに接続可能であり、他端がスイッチ３４によりＲＦ源
３２に接続可能である螺旋コイルＲＦアンテナ２６を支
えている。螺旋コイルＲＦアンテナ２６の、長さを含む
構造の詳細は、フェアベーンとノワックとの前記米国特
許出願に開示されており、その開示内容は、参照によ
り、本明細書に含められているものとする。例えば、Ｒ
Ｆ源３２は、ＲＦ発生装置と通常のＲＦ適合ネットワー
ク（図示されていない）とを備える。シーリング２４
は、スイッチ３８によりＲｆ源３６かグランドに接続可
能の導体である。チャンバ１０の底部は、ドープポリシ
リコン又はアルミニウムとすることが可能な着脱式電導
性の底環部即ちライナー４０と、半導体ウェーハ４５を
保持するためのウェーハペデスタル４４とを備える。ウ
エーハ４５の上面と共面の誘電体環部４４ａで、ペデス
タル４４上のウェーハ４５を囲むことが好ましい。ウエ
ーハペデステル４４には、静電チャク、冷却液流路、そ
して、本発明にとっては必須ではない他の通常の側面を
備えることができる。導電性環状リング４０は、シーリ
ング電極２４とほぼ同一の面積を有するチャンバ１０の
内部に面する凸レンズ状に湾曲した内面４０ａを有す
る。この特徴により静電放電が促進され、チャンバ底部
の接地面がプラズマに暴露される。その結果、ＲＦ源が
シーリング電極２４に印加され、環状リング４０が接地
されるときには、両者はほぼ同一速度でエッチングされ
ることになり、これは重大な利点である。この着脱式環
状リングであるライナー４０は、定期的な保守とチャン
バ底部浄化とに有益である。
【００１９】前記通り、平形シーリング電極（例えば、
コリン等の前記欧州特許出願に示されているタイプ）
は、汚染物（例えば、二酸化珪素）を不均一に堆積する
傾向がある。平形シーリングをしたエッチングリアクタ
の場合、付着物は主として、より低温のバイアスされて
いない面、即ち、シーリング電極の外側端、に多く付着
する傾向があるポリマーから主として構成される。平形
シーリングをしたエッチングリアクタの場合、付着酸化
物の大部分は、シーリング電極の中央に、ウェーハと向
かい合った状態で位置する。これは、ウェーハペデスタ
ルのＲＦバイアスによって誘発される成長加工のための
スパッタ成分に起因する。従って、ＣＶＤリアクタで
は、プラズマ放電モードの如何に拘わらず、チャンバ浄
化中はまずシーリング電極の外側部分が浄化される。こ
の問題を解消するためには、本発明のリアクタ（図１）
のシーリング電極を側壁の直径より小さいサイズ（ウェ
ーハペデスタルより若干大きいことが好ましい）とし
て、シーリング電極部分が他部位より厚い残さを蓄積
し、従ってエッチング即ち過剰浄化を必要とする傾向を
なくす。
コリン等の前記欧州特許出願に示されているタイプ）
は、汚染物（例えば、二酸化珪素）を不均一に堆積する
傾向がある。平形シーリングをしたエッチングリアクタ
の場合、付着物は主として、より低温のバイアスされて
いない面、即ち、シーリング電極の外側端、に多く付着
する傾向があるポリマーから主として構成される。平形
シーリングをしたエッチングリアクタの場合、付着酸化
物の大部分は、シーリング電極の中央に、ウェーハと向
かい合った状態で位置する。これは、ウェーハペデスタ
ルのＲＦバイアスによって誘発される成長加工のための
スパッタ成分に起因する。従って、ＣＶＤリアクタで
は、プラズマ放電モードの如何に拘わらず、チャンバ浄
化中はまずシーリング電極の外側部分が浄化される。こ
の問題を解消するためには、本発明のリアクタ（図１）
のシーリング電極を側壁の直径より小さいサイズ（ウェ
ーハペデスタルより若干大きいことが好ましい）とし
て、シーリング電極部分が他部位より厚い残さを蓄積
し、従ってエッチング即ち過剰浄化を必要とする傾向を
なくす。
【００２０】これに関連した利点は、底部のアルミニウ
ムライナー４０と石英製ドーム形環部２２との穏やかに
湾曲した凹面により、チャンバ浄化操作中の浄化を困難
とするチャンバ内部の鋭い角部がないことである。
ムライナー４０と石英製ドーム形環部２２との穏やかに
湾曲した凹面により、チャンバ浄化操作中の浄化を困難
とするチャンバ内部の鋭い角部がないことである。
【００２１】チャンバ１０の材質を選択して、チャンバ
浄化操作中のフッ化アルミニウム類の形成に寄与する金
属面を最小化ないし除去することが好ましい。特定する
と、シーリング電極２４と底部の環状リング４０とは共
にシリコン、例えば、約０．２オーム／ｃｍ未満の抵抗
になる迄ドープされたポリシリコン、とすることができ
る。ポリシリコンの利点は、チャンバの浄化（エッチン
グ）操作中にそこから除去されるシリコンが揮発性であ
り、チャンバ１０から容易にポンプ送りされる点であ
る。チャンバ浄化操作中にフッ化アルミニウム類が形成
される可能性を更に下げるためには、ガス噴射ノズル１
４は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等のセラミ
ック材とする。更に、石英、ポリシリコン、シリコン又
はセラミック製の円形支持体４６で金属体１８を被覆す
る。更に、この金属体１８を接地して、チャンバ浄化操
作中のアーク発生の可能性を減らす。従って、この好ま
しい態様においては、チャンバ内部にむき出しとされた
金属面は実質上存在しない。チャンバ浄化操作中は、ウ
ェーハペデスタル４４はいずれの電位にも未接続とする
（即ち、電気的にフロートさせる）ことが好ましく、こ
れにより、チャンバ浄化操作中にそのエッチング（即
ち、それからのフッ化アルミニウム類の形成）はほとん
ど発生しなくなる。
浄化操作中のフッ化アルミニウム類の形成に寄与する金
属面を最小化ないし除去することが好ましい。特定する
と、シーリング電極２４と底部の環状リング４０とは共
にシリコン、例えば、約０．２オーム／ｃｍ未満の抵抗
になる迄ドープされたポリシリコン、とすることができ
る。ポリシリコンの利点は、チャンバの浄化（エッチン
グ）操作中にそこから除去されるシリコンが揮発性であ
り、チャンバ１０から容易にポンプ送りされる点であ
る。チャンバ浄化操作中にフッ化アルミニウム類が形成
される可能性を更に下げるためには、ガス噴射ノズル１
４は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等のセラミ
ック材とする。更に、石英、ポリシリコン、シリコン又
はセラミック製の円形支持体４６で金属体１８を被覆す
る。更に、この金属体１８を接地して、チャンバ浄化操
作中のアーク発生の可能性を減らす。従って、この好ま
しい態様においては、チャンバ内部にむき出しとされた
金属面は実質上存在しない。チャンバ浄化操作中は、ウ
ェーハペデスタル４４はいずれの電位にも未接続とする
（即ち、電気的にフロートさせる）ことが好ましく、こ
れにより、チャンバ浄化操作中にそのエッチング（即
ち、それからのフッ化アルミニウム類の形成）はほとん
ど発生しなくなる。
【００２２】ウェーハペデスタル４４は、スイッチ５２
によって、グランドかＲＦ源５０に接続可能であり、
又、電気的に絶縁可能である。
によって、グランドかＲＦ源５０に接続可能であり、
又、電気的に絶縁可能である。
【００２３】図１のリアクタの一利点は、シーリング電
極２４によりチャンバ１０内に高圧静電結合プラズマが
発生すると同時に或いはその後にコイルアンテナ２６に
通電できることである。この時点でコイルアンテナ２６
に通電する利点は、それが静電結合プラズマを維持する
のに効率的な手段となり、又、石英製環部２２から残さ
をエッチング除去可能とするために、石英製環部２２近
くのプラズマに一定量の誘導及び／又は静電結合力を提
供することである。この結合モードにより、環部２２の
石英材が、純粋な低圧誘導結合プラズマモードによるよ
りも遅い速度でエッチングされることとなり、これは重
要な利点である。更に、コイルアンテナ２６により提供
される誘電結合により、チャンバ１０内に別の熱が発生
する。高温は、チャンバ１０内のシーリング電極２４そ
の他の部位からの二酸化珪素の除去を大いに促進する。
図１に示される通り、シーリング電極２４を覆う蓋５６
がその内部を通る冷却ジャケット５８を有するので、シ
ーリング自体は熱源ではなくヒートシンクの役目を果た
す点に留意されたい。しかし、シーリング電極の浄化速
度は、抵抗加熱装置６０のような外部熱源を使用してシ
ーリング電極の温度を、例えば、２６０〜２７０℃に上
昇させることにより加速可能である。
極２４によりチャンバ１０内に高圧静電結合プラズマが
発生すると同時に或いはその後にコイルアンテナ２６に
通電できることである。この時点でコイルアンテナ２６
に通電する利点は、それが静電結合プラズマを維持する
のに効率的な手段となり、又、石英製環部２２から残さ
をエッチング除去可能とするために、石英製環部２２近
くのプラズマに一定量の誘導及び／又は静電結合力を提
供することである。この結合モードにより、環部２２の
石英材が、純粋な低圧誘導結合プラズマモードによるよ
りも遅い速度でエッチングされることとなり、これは重
要な利点である。更に、コイルアンテナ２６により提供
される誘電結合により、チャンバ１０内に別の熱が発生
する。高温は、チャンバ１０内のシーリング電極２４そ
の他の部位からの二酸化珪素の除去を大いに促進する。
図１に示される通り、シーリング電極２４を覆う蓋５６
がその内部を通る冷却ジャケット５８を有するので、シ
ーリング自体は熱源ではなくヒートシンクの役目を果た
す点に留意されたい。しかし、シーリング電極の浄化速
度は、抵抗加熱装置６０のような外部熱源を使用してシ
ーリング電極の温度を、例えば、２６０〜２７０℃に上
昇させることにより加速可能である。
【００２４】図１のリアクタの一つの好ましい具体例で
は、石英製環部２２の内面２２ａの曲率半径Ｒ1 は３２
５ｃｍ（１３インチ）、底部リング４０の内面の曲率半
径は２５０ｃｍ（９．５〜１０インチ）、シーリング電
極２４の直径Ｄは２２５ｃｍ（９インチ）、ウェーハペ
デスタル４４の直径は２００ｃｍ（８インチ) 、シーリ
ング電極の、ペデスタル２４からの高さは１１２ｃｍ
（４．５インチ）であった。しかし、本発明はいかなる
特定の設計形状に限定されるものではない。
は、石英製環部２２の内面２２ａの曲率半径Ｒ1 は３２
５ｃｍ（１３インチ）、底部リング４０の内面の曲率半
径は２５０ｃｍ（９．５〜１０インチ）、シーリング電
極２４の直径Ｄは２２５ｃｍ（９インチ）、ウェーハペ
デスタル４４の直径は２００ｃｍ（８インチ) 、シーリ
ング電極の、ペデスタル２４からの高さは１１２ｃｍ
（４．５インチ）であった。しかし、本発明はいかなる
特定の設計形状に限定されるものではない。
【００２５】リアクタの操作方法 本発明は、別の態様において、図１の多モード結合プラ
ズマリアクタの特定の使用方法により具体化される。基
本的に図１のプラズマリアクタは、加圧方式と、化学
と、印加されるＲＦ電力レベルとに依存して、３つの可
能性あるプラズマ結合モードである（１）主に誘導結合
プラズマ、（２）主に静電結合プラズマ、（３）誘導結
合と静電結合との両者の同時混成、に対応している。
ズマリアクタの特定の使用方法により具体化される。基
本的に図１のプラズマリアクタは、加圧方式と、化学
と、印加されるＲＦ電力レベルとに依存して、３つの可
能性あるプラズマ結合モードである（１）主に誘導結合
プラズマ、（２）主に静電結合プラズマ、（３）誘導結
合と静電結合との両者の同時混成、に対応している。
【００２６】例えば、ペデスタル４４上に保持されたウ
ェーハ４５上に二酸化珪素の化学的気相成長を達成する
ためには、リアクタを上記第一モードで操作して静電結
合プラズマを提供する。シラン等のシリコン先駆物質
を、シラン用の注入ノズル１４を使用して、酸素含有ガ
スと共にチャンバ１０に導入する。ポンプ弁１２ａを配
置して、１００ミリトール以下のチャンバ圧を維持す
る。３００ｋＨｚ〜１４ＭＨｚ（好ましくは２．０ＭＨ
ｚ）の１０００〜５０００ワットのＲＦエネルギをＲＦ
源３２からコイルアンテナ２６に印加している間は、シ
ーリング電極２４は接地される。コリン等の前記出願及
び、フェアベーンとノワックとの前記出願に開示されて
いる技術により、ウェーハスペデストルは接地させても
フロートさせてもよく、又、ＲＦ源５０からのＲＦバイ
アスをペデスタル４４に印加して、ペデスタル４４上に
保持された半導体ウェーハに適当なプラズマシース電圧
を発生させることが可能である。場合によっては、誘導
結合プラズマの発生にシーリング電極の接地は必要でな
いことがある。
ェーハ４５上に二酸化珪素の化学的気相成長を達成する
ためには、リアクタを上記第一モードで操作して静電結
合プラズマを提供する。シラン等のシリコン先駆物質
を、シラン用の注入ノズル１４を使用して、酸素含有ガ
スと共にチャンバ１０に導入する。ポンプ弁１２ａを配
置して、１００ミリトール以下のチャンバ圧を維持す
る。３００ｋＨｚ〜１４ＭＨｚ（好ましくは２．０ＭＨ
ｚ）の１０００〜５０００ワットのＲＦエネルギをＲＦ
源３２からコイルアンテナ２６に印加している間は、シ
ーリング電極２４は接地される。コリン等の前記出願及
び、フェアベーンとノワックとの前記出願に開示されて
いる技術により、ウェーハスペデストルは接地させても
フロートさせてもよく、又、ＲＦ源５０からのＲＦバイ
アスをペデスタル４４に印加して、ペデスタル４４上に
保持された半導体ウェーハに適当なプラズマシース電圧
を発生させることが可能である。場合によっては、誘導
結合プラズマの発生にシーリング電極の接地は必要でな
いことがある。
【００２７】２０ｃｍ（８インチ）直径のウェーハを保
持可能の容積（例えば、２５〜３０リットル）のチャン
バに対してチャンバ浄化操作を行うためには、チャンバ
圧を０．５〜５トールに設定し、この間に０．５〜３リ
ットール／分のフッ素含有ガス（例えば、ＮＦ3 、ＣＦ
4 、Ｃ2 Ｆ6 等）と酸素とをチャンバ１０にポンプ送り
する。ウェーハペデスタルをスイッチ５２により切断
し、電気的にフロートさせ、コイルアンテナをスイッチ
３０、３４によりまず切断或いは接地させ、この間、３
００ｋＨｚ〜１４ＭＨｚ（好ましくは１．８ＭＨｚ）の
１０００〜５０００ワットのＲＦエネルギをＲＦ源３６
により、スイッチ３８を通じてシーリング電極に印加す
る。プラズマに一旦点火すると、次の３つの目的のため
にコイルアンテナ２６をＲＦ源３２に接続できる。
（１）コイルアンテナ２６により提供される小成分の静
電結合により、既に発生している静電結合プラズマを効
率よく維持する。（２）石英製環部２２にコイルアンテ
ナ２６に近接させて、環部２２からの残さ或いは付着物
のエッチング或いは掃去を可能にする。（３）コイルア
ンテナ２６の誘導結合によりチャンバ１０に熱を発生さ
せ、これにより、シーリング電極２４等のチャンバ内面
と、ペデスタル周囲の石英材とからの二酸化珪素残さの
除去を容易にする。
持可能の容積（例えば、２５〜３０リットル）のチャン
バに対してチャンバ浄化操作を行うためには、チャンバ
圧を０．５〜５トールに設定し、この間に０．５〜３リ
ットール／分のフッ素含有ガス（例えば、ＮＦ3 、ＣＦ
4 、Ｃ2 Ｆ6 等）と酸素とをチャンバ１０にポンプ送り
する。ウェーハペデスタルをスイッチ５２により切断
し、電気的にフロートさせ、コイルアンテナをスイッチ
３０、３４によりまず切断或いは接地させ、この間、３
００ｋＨｚ〜１４ＭＨｚ（好ましくは１．８ＭＨｚ）の
１０００〜５０００ワットのＲＦエネルギをＲＦ源３６
により、スイッチ３８を通じてシーリング電極に印加す
る。プラズマに一旦点火すると、次の３つの目的のため
にコイルアンテナ２６をＲＦ源３２に接続できる。
（１）コイルアンテナ２６により提供される小成分の静
電結合により、既に発生している静電結合プラズマを効
率よく維持する。（２）石英製環部２２にコイルアンテ
ナ２６に近接させて、環部２２からの残さ或いは付着物
のエッチング或いは掃去を可能にする。（３）コイルア
ンテナ２６の誘導結合によりチャンバ１０に熱を発生さ
せ、これにより、シーリング電極２４等のチャンバ内面
と、ペデスタル周囲の石英材とからの二酸化珪素残さの
除去を容易にする。
【００２８】静電結合のみでスパッタリング或いはエッ
チング操作を行うためには、リアクタを前段落記載通り
に、但し、コイルアンテナは終始切断したままか接地し
たままで操作する。静電結合モードの方がはるかに速い
エッチ速度を提供するが、これは、同モードが約５０ボ
ルトのプラズマシース電圧を特徴とするからであり、一
方、誘導結合モードは、わずか５ボルト前後のプラズマ
シース電圧によって特徴づけられる。
チング操作を行うためには、リアクタを前段落記載通り
に、但し、コイルアンテナは終始切断したままか接地し
たままで操作する。静電結合モードの方がはるかに速い
エッチ速度を提供するが、これは、同モードが約５０ボ
ルトのプラズマシース電圧を特徴とするからであり、一
方、誘導結合モードは、わずか５ボルト前後のプラズマ
シース電圧によって特徴づけられる。
【００２９】以上に述べたチャンバ清浄操作後に、吸着
されたフッ素原子をチャンバ内部から除去する必要があ
る。この目的のために、チャンバ浄化操作との関連で記
載した方法と同一の方法で、但し、ＮＦ3 ガスを水素ガ
ス（或いはシラン等の水素含有ガス）に代えて、水素含
有プラズマをチャンバ１０内に発生させる。
されたフッ素原子をチャンバ内部から除去する必要があ
る。この目的のために、チャンバ浄化操作との関連で記
載した方法と同一の方法で、但し、ＮＦ3 ガスを水素ガ
ス（或いはシラン等の水素含有ガス）に代えて、水素含
有プラズマをチャンバ１０内に発生させる。
【００３０】静電放電モードは、浄化すべき面の近くの
シートの電圧降下が大きいので、チャンバ浄化に一層好
ましい。このため、前記面に衝突するイオンが高エネル
ギーとなり、Ｓ−Ｏ結合の破壊が容易になる。しかし、
リアクタはいずれの方式でも、静電結合であれ誘導結合
であれ浄化可能である。リアクタの異なる領域での浄化
速度の一致は、適当な浄化方式の選択により達成可能で
ある。事実、誘導モードプラズマ浄化工程とそれに続く
静電モードプラズマ清浄工程とからなる２段階浄化法を
使用できる。別法として、これら２工程の順序を逆転で
きる。
シートの電圧降下が大きいので、チャンバ浄化に一層好
ましい。このため、前記面に衝突するイオンが高エネル
ギーとなり、Ｓ−Ｏ結合の破壊が容易になる。しかし、
リアクタはいずれの方式でも、静電結合であれ誘導結合
であれ浄化可能である。リアクタの異なる領域での浄化
速度の一致は、適当な浄化方式の選択により達成可能で
ある。事実、誘導モードプラズマ浄化工程とそれに続く
静電モードプラズマ清浄工程とからなる２段階浄化法を
使用できる。別法として、これら２工程の順序を逆転で
きる。
【００３１】静電浄化モードでは、圧力を比較的高く
（０．５トールより高い）してチャンバ壁の過剰スパッ
タリングを防止する必要がある。低圧方式では、プラズ
マ結合は主として誘導モードであり、最小の壁面バイア
スが生ずる。しかし、この誘導放電モードでは一般に、
プラズマ温度が一層高くなる。静電結合プラズマは、電
極浄化に非常に有効である。静電放電では直接にはバイ
アスされないチャンバの石英製ドームその他の領域の浄
化を容易にするのは、一般的には静電モードの結合プラ
ズマの誘導による強化である。
（０．５トールより高い）してチャンバ壁の過剰スパッ
タリングを防止する必要がある。低圧方式では、プラズ
マ結合は主として誘導モードであり、最小の壁面バイア
スが生ずる。しかし、この誘導放電モードでは一般に、
プラズマ温度が一層高くなる。静電結合プラズマは、電
極浄化に非常に有効である。静電放電では直接にはバイ
アスされないチャンバの石英製ドームその他の領域の浄
化を容易にするのは、一般的には静電モードの結合プラ
ズマの誘導による強化である。
【００３２】ウェーハペデスタルは、バイアスも接地も
フロートも可能である。ペデスタルを残さから浄化し、
或いは、逆に、それを過剰浄化と損傷とから保護するた
めには、ペデスタル電位をそのようにコントロールでき
ることが有益である。
フロートも可能である。ペデスタルを残さから浄化し、
或いは、逆に、それを過剰浄化と損傷とから保護するた
めには、ペデスタル電位をそのようにコントロールでき
ることが有益である。
【００３３】以上に述べたチャンバ浄化法の重要な利点
は、所定リアクタ温度では、前記浄化方法が、フェアベ
ーンとノワックとの前記出願に記載のタイプの誘導結合
高密度プラズマリアクタ用の浄化方法よりも５〜１０倍
高速であることである。
は、所定リアクタ温度では、前記浄化方法が、フェアベ
ーンとノワックとの前記出願に記載のタイプの誘導結合
高密度プラズマリアクタ用の浄化方法よりも５〜１０倍
高速であることである。
【００３４】シーリング電極２４とコイルアンテナ２６
とに別々の個々のＲＦ源を提供する好ましい態様を参照
しながら本発明を記載したが、コイルアンテナとシーリ
ング電極とは、両者が同時にＲＦエネルギーを受け取る
ようにするときには常に、共通のＲＦ源に一緒に接続で
きる。
とに別々の個々のＲＦ源を提供する好ましい態様を参照
しながら本発明を記載したが、コイルアンテナとシーリ
ング電極とは、両者が同時にＲＦエネルギーを受け取る
ようにするときには常に、共通のＲＦ源に一緒に接続で
きる。
【００３５】図１のリアクタの他の使用方法も有用であ
る。シーリング電極２４とコイルアンテナ２６とに印加
されたＲＦ電力の比を調整することにより、図１のリア
クタは１０ミリトール未満から１５トール迄という広い
圧力域で操作でき、低圧方式は主として誘導結合プラズ
マに好ましく、高圧方式は主として、静電結合プラズマ
に好ましい。
る。シーリング電極２４とコイルアンテナ２６とに印加
されたＲＦ電力の比を調整することにより、図１のリア
クタは１０ミリトール未満から１５トール迄という広い
圧力域で操作でき、低圧方式は主として誘導結合プラズ
マに好ましく、高圧方式は主として、静電結合プラズマ
に好ましい。
【００３６】本発明を、好ましい態様を特に参照しなが
ら詳細に記載したが、その変形、改良が本発明の真の精
神と範囲を逸脱することなく可能であることは理解され
よう。
ら詳細に記載したが、その変形、改良が本発明の真の精
神と範囲を逸脱することなく可能であることは理解され
よう。
【００３７】
【発明の効果】本発明のＣＶＤリアクタの操作方法は、
以上のように構成されるので、反応チャンバの様々な面
が、チャンバ内での位置の違い、材質の相違があっても
同一速度で浄化される。従って、チャンバ浄化操作中に
チャンバのある誘電体面が急速に消耗し、頻繁に交換す
る必要性も解消される。
以上のように構成されるので、反応チャンバの様々な面
が、チャンバ内での位置の違い、材質の相違があっても
同一速度で浄化される。従って、チャンバ浄化操作中に
チャンバのある誘電体面が急速に消耗し、頻繁に交換す
る必要性も解消される。
【図１】本発明のプラズマリアクタの概略断面立面図で
ある。
ある。
１０…真空チャンバ、１２…真空ポンプ、１２ａ…ポン
プ弁、１４…ガス注入ノズル、１６…ガス供給環形マニ
ホールド、１８…メタルハウジング、２０…シーリン
グ、２２…環部、２２ａ…環部内面、２４…平円盤、２
６…コイルアンテナ、３０、３４、３８、５２…スイッ
チ、３２…ＲＦ源、３６、５０…バイアス、ＲＦ発生装
置、４０…環状リング、４０ａ…湾曲内面、４４…ウエ
ーハペデステル、４４ａ…誘電体環部、４５…ウエー
ハ、４６…円形支持体、５６…蓋、５８…冷却ジャケッ
ト、６０…抵抗加熱装置。
プ弁、１４…ガス注入ノズル、１６…ガス供給環形マニ
ホールド、１８…メタルハウジング、２０…シーリン
グ、２２…環部、２２ａ…環部内面、２４…平円盤、２
６…コイルアンテナ、３０、３４、３８、５２…スイッ
チ、３２…ＲＦ源、３６、５０…バイアス、ＲＦ発生装
置、４０…環状リング、４０ａ…湾曲内面、４４…ウエ
ーハペデステル、４４ａ…誘電体環部、４５…ウエー
ハ、４６…円形支持体、５６…蓋、５８…冷却ジャケッ
ト、６０…抵抗加熱装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/3065 Ｈ０５Ｈ 1/46 Ａ 9216−2Ｇ (72)発明者 フレッド シー． レデカー アメリカ合衆国， カリフォルニア州 94539， フレモント， スー ドライヴ 1801 (72)発明者 ロムアルド ノワック アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95014， キュパティノ， ディーン コ ート 22146 (72)発明者 シジアン リー アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95129， サン ノゼ， ドニングトン ドライヴ 1202 (72)発明者 ティモゼイ ディアー アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95014， キュパティノ， メドウ プレ イス 10397ビー (72)発明者 デレック アール． ウイッティ アメリカ合衆国， カリフォルニア州 95129， サン ノゼ， リオ ヴィスタ アヴェニュー 5081
Claims (23)
- 【請求項１】 真空チャンバ；前記真空チャンバの底部
近くの、ウェーハを支持可能なウェーハ保持用ペデスタ
ル；ガス注入口と真空ポンプ；前記チャンバの頂部の、
一般的に平形の導電性シーリング電極；前記シーリング
電極と前記ウェーハ保持用ペデスタルとの間の空間の周
囲に隣接して配置されたコイルアンテナ；及び、前記コ
イルアンテナ、前記シーリング電極、前記ウェーハペデ
スタルの各々を、（ａ）各ＲＦ電源、（ｂ）グランド、
（ｃ）フロート電位のうちの少なくとも１つに個々に接
続するためのスイッチを備えるプラズマリアクタの操作
方法において、 前記ガス注入口から前記チャンバ内にエッチングガスを
導入しながら前記真空ポンプで前記チャンバ内を真空を
形成する工程；前記シーリング電極にＲＦエネルギーを
印加するために前記スイッチを操作する工程；を含む方
法。 - 【請求項２】 前記真空チャンバ内で主として静電結合
プラズマに点火するために、前記ウェーハペデスタルへ
のＲＦエネルギーの印加を少なくとも当初は抑制しなが
ら前記操作工程を行う、請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 前記プラズマを発生後にＲＦエネルギー
を前記コイルアンテナに印加することを更に含む、請求
項１記載の方法。 - 【請求項４】 前記抑制工程が、前記ウェーハペデスタ
ルの電位をフロートとすることを可能とするために前記
ウェーハペデスタルを電気的に絶縁することを含む、請
求項２記載の方法。 - 【請求項５】 前記真空が約０．５〜１０トールの範囲
内にある、請求項１記載の方法。 - 【請求項６】 前記ＲＦエネルギーが、約３００ｋＨｚ
〜１４ＭＨｚの周波数で約１０００〜３０００ワットの
範囲内の電力レベルを特徴とする、請求項１記載の方
法。 - 【請求項７】 前記エッチングガスが、フッ化窒素類、
フッ化珪素類、フッ化炭素類からなるエッチングガス群
から選択され、前記チェンバへの前記エッチングガスの
流速が約０．５〜３リットル／分の範囲内にある、請求
項１記載の方法。 - 【請求項８】 前記コイルアンテナに印加されるＲＦエ
ネルギーが、約１０００〜５０００ワットの電力レベル
と約３００ｋＨｚ〜１４ＭＨｚの周波数であることを特
徴とする、請求項３記載の方法。 - 【請求項９】 水素プラズマを発生させ、それにより前
記チャンバからフッ素残さを除去するために、前記チャ
ンバから前記エッチングガスを除去する工程と、前記チ
ャンバに水素含有ガスを導入する工程とを更に含む、請
求項１記載の方法。 - 【請求項１０】 前記チャンバから前記エッチングガス
を除去し、前記ウェーハペデスタル上に加工対象のウェ
ーハを置く工程；前記真空を選択された加工真空レベル
に変えながら前記真空チェンバに少なくとも１種の選択
された加工ガス(processing gas)を導入する工程；前記
シーリング電極を接地するために前記スイッチを開き、
誘導結合プラズマを発生させるために前記コイルアンテ
ナにＲＦエネルギーを印加し、前記ウェーハペデスタル
をバイアスする工程；を含むウェーハ加工操作を前記チ
ャンバ浄化操作の完了時に行うことを更に含む、請求項
１記載の方法。 - 【請求項１１】 前記ウェーハ加工操作が、化学的気相
成長工程を含み、前記選択加工ガスが前記ウェーハ上に
付着すべき物質の前駆体ガス(a precursor gas) であ
る、請求項１０記載の方法。 - 【請求項１２】 前記選択加工真空レベルが、約１００
ミリトール以下である、請求項１１記載の方法。 - 【請求項１３】 前記コイルアンテナに印加される前記
ＲＦエネルギーが、約１０００〜５０００ワットの電力
レベルと約３００ｋＨｚ〜１４ＭＨｚの周波数であるこ
とを特徴とする、請求項１１記載の方法。 - 【請求項１４】 前記チャンバから前記エッチングガス
を除去し、前記ウェーハペデスタル上に加工対象のウェ
ーハを置く工程；前記真空を選択された加工真空レベル
に変えながら前記真空チェンバに少なくとも１種の選択
された加工ガスを導入する工程；前記コイルアンテナを
接地するために前記スイッチを開き、静電結合プラズマ
を発生させるために前記シーリング電極にＲＦエネルギ
ーを印加し、前記ウェーハペデスタルをバイアスする工
程；を含むウェーハ加工操作を前記チャンバ浄化操作の
完了時に行うことを更に含む、請求項１記載の方法。 - 【請求項１５】 前記選択加工真空レベルが約０．５〜
１０トールの範囲内にある、請求項１４記載の方法。 - 【請求項１６】 前記シーリング電極に印加される前記
ＲＦエネルギーが約１０００〜３０００ワットの電力レ
ベルと約３００ｋＨｚ〜１４ＭＨｚの周波数であること
を特徴とする、請求項１４記載の方法。 - 【請求項１７】 真空チャンバ；前記真空チャンバの底
部近くのウェーハ保持用ペデスタル；ガス注入口と真空
ポンプ；前記チャンバの頂部の、一般的に平円盤形の導
電性シーリング電極；前記シーリング電極と前記ウェー
ハ保持用ペデスタルとの間の空間の周囲を巻くコイルア
ンテナ；及び、前記コイルアンテナ、前記シーリング電
極、前記ウェーハペデスタルの各々を、（ａ）各ＲＦ電
源、（ｂ）グランド、（ｃ）フロート電位のうちの少な
くとも１つに個々に接続するためのスイッチを備えるプ
ラズマリアクタの操作方法において、前記リアクタを誘
導結合モードで操作しようとするときには常に、前記シ
ーリング電極を接地させながら、前記コイルアンテナに
ＰＦ電力を印加するためにスイッチを操作する工程；前
記リアクタを静電結合モードで操作しようとするときに
は常に、前記シーリング電極にＲＦ電力を印加するよう
に前記スイッチを操作する工程；前記リアクタを浄化し
ようとするときには常に、前記真空チェンバにエッチン
グガスを導入しながら、前記シーリング電極と前記コイ
ルアンテナとにＲＦ電力を印加する工程：を含む方法。 - 【請求項１８】 前記浄化工程中の前記ペデステルをエ
ッチングから保護するために前記ウェーハ保持用ペデス
テルの電位をフロートとすることを可能とすることを更
に含む、請求項１７記載の方法。 - 【請求項１９】 前記ペデステル近くの付着物の除去を
促進する傾向のある電位を前記ウェーハ保持用ペデステ
ルに印加することを更に含む、請求項１７記載の方法。 - 【請求項２０】 真空チャンバ；前記真空チャンバの底
部近くのウェーハ保持用ペデスタル；ガス注入口と真空
ポンプ；前記チャンバの頂部の、一般的に平板形の導電
性シーリング電極；前記シーリング電極と前記ウェーハ
保持用ペデスタルとの間の空間の周囲に配置されたコイ
ルアンテナ；及び、前記コイルアンテナ、前記シーリン
グ電極、前記ウェーハペデスタルの各々を、（ａ）各Ｒ
Ｆ電源、（ｂ）グランド、（ｃ）フロート電位のうちの
少なくとも１つに個々に接続するためのスイッチを備え
るプラズマ化学的気相成長リアクタの操作方法におい
て、 前記シーリング電極を接地させながら、前記コイルアン
テナにＲＦ電力を印加するために前記スイッチを操作す
ることにより、前記チャンバ内に誘導結合プラズマを維
持しながら前記チャンバ内に成長前駆体ガスを導入する
ことによって前記ペデスタル内のウエーハ上での化学的
気相成長を行い；前記シーリング電極にＲＦ電力を印加
するために前記スイッチを操作することにより前記チャ
ンバ内に静電結合プラズマを維持しながら前記チャンバ
内に前駆体浄化ガスを導入することによって前記リアク
タを浄化する；ことを含む方法。 - 【請求項２１】 前記浄化工程が、前記コイルアンテナ
にＲＦ電力を印加することを更に含む、請求項２０記載
の方法。 - 【請求項２２】 前記浄化工程中の前記ペデステルをエ
ッチングから保護するために前記ウェーハ保持用ペデス
テルの電位をフロートとすることを可能とすることを更
に含む、請求項２０記載の方法。 - 【請求項２３】 前記ペデステル近くの付着物の除去を
促進する傾向のある電位を前記ウェーハ保持用ペデステ
ルに印加することを更に含む、請求項２０記載の方法。
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|---|---|
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|---|---|---|---|
| JP10613895A Expired - Fee Related JP3792267B2 (ja) | 1994-04-28 | 1995-04-28 | 誘導結合モードと静電結合モードとを併用する高密度プラズマｃｖｄリアクタの操作方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| AT (1) | ATE251798T1 (ja) |
| DE (1) | DE69531880T2 (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10116826A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-05-06 | Applied Materials Inc | 誘導結合型ｈｄｐ−ｃｖｄリアクター |
| JPH11167037A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-06-22 | Samsung Electron Co Ltd | 誘導結合プラズマ装置を利用する光導波路素子製造方法 |
| US6196155B1 (en) | 1998-04-15 | 2001-03-06 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and method of cleaning the apparatus |
| SG94816A1 (en) * | 2000-05-12 | 2003-03-18 | Applied Materials Inc | Conditioned chamber for improving chemical vapor deposition |
| JP2005026687A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Ips Ltd | 薄膜蒸着方法 |
| KR100704591B1 (ko) * | 2000-03-21 | 2007-04-09 | 주성엔지니어링(주) | Ｃｖｄ 장치 및 그 내부 세정방법 |
| JP2008171967A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体加熱装置 |
| JP2009164613A (ja) * | 1997-02-19 | 2009-07-23 | Applied Materials Inc | Ｈｄｐ−ｃｖｄｐｓｇ膜の形成方法および装置 |
| WO2010001880A1 (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-07 | 株式会社ユーテック | プラズマｃｖｄ装置、ｄｌｃ膜及び薄膜の製造方法 |
| KR20120117872A (ko) * | 2010-01-15 | 2012-10-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 스위쳐블 중성빔 소스 |
| JP2016157685A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-09-01 | エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド | プラズマ生成装置 |
| JP2022520210A (ja) * | 2019-02-07 | 2022-03-29 | マトソン テクノロジー インコーポレイテッド | プラズマ処理装置における角度付けられたインジェクタを備えたガス供給器 |
Families Citing this family (192)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6514376B1 (en) | 1991-06-27 | 2003-02-04 | Applied Materials Inc. | Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| US6063233A (en) * | 1991-06-27 | 2000-05-16 | Applied Materials, Inc. | Thermal control apparatus for inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| US6036877A (en) * | 1991-06-27 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
| US5477975A (en) * | 1993-10-15 | 1995-12-26 | Applied Materials Inc | Plasma etch apparatus with heated scavenging surfaces |
| US6488807B1 (en) | 1991-06-27 | 2002-12-03 | Applied Materials, Inc. | Magnetic confinement in a plasma reactor having an RF bias electrode |
| US6090303A (en) * | 1991-06-27 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Process for etching oxides in an electromagnetically coupled planar plasma apparatus |
| US6077384A (en) * | 1994-08-11 | 2000-06-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode |
| US6165311A (en) | 1991-06-27 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna |
| US6024826A (en) * | 1996-05-13 | 2000-02-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material |
| US6074512A (en) | 1991-06-27 | 2000-06-13 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled RF plasma reactor having an overhead solenoidal antenna and modular confinement magnet liners |
| US6238588B1 (en) | 1991-06-27 | 2001-05-29 | Applied Materials, Inc. | High pressure high non-reactive diluent gas content high plasma ion density plasma oxide etch process |
| US5710486A (en) * | 1995-05-08 | 1998-01-20 | Applied Materials, Inc. | Inductively and multi-capacitively coupled plasma reactor |
| TW279240B (en) | 1995-08-30 | 1996-06-21 | Applied Materials Inc | Parallel-plate icp source/rf bias electrode head |
| EP0777258A3 (en) * | 1995-11-29 | 1997-09-17 | Applied Materials Inc | Self-cleaning plasma processing reactor |
| US5817534A (en) * | 1995-12-04 | 1998-10-06 | Applied Materials, Inc. | RF plasma reactor with cleaning electrode for cleaning during processing of semiconductor wafers |
| US6036878A (en) * | 1996-02-02 | 2000-03-14 | Applied Materials, Inc. | Low density high frequency process for a parallel-plate electrode plasma reactor having an inductive antenna |
| US6054013A (en) * | 1996-02-02 | 2000-04-25 | Applied Materials, Inc. | Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density |
| US6200412B1 (en) * | 1996-02-16 | 2001-03-13 | Novellus Systems, Inc. | Chemical vapor deposition system including dedicated cleaning gas injection |
| US6440221B2 (en) | 1996-05-13 | 2002-08-27 | Applied Materials, Inc. | Process chamber having improved temperature control |
| US5811356A (en) * | 1996-08-19 | 1998-09-22 | Applied Materials, Inc. | Reduction in mobile ion and metal contamination by varying season time and bias RF power during chamber cleaning |
| US6308654B1 (en) | 1996-10-18 | 2001-10-30 | Applied Materials, Inc. | Inductively coupled parallel-plate plasma reactor with a conical dome |
| US5961793A (en) * | 1996-10-31 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Method of reducing generation of particulate matter in a sputtering chamber |
| TW403959B (en) * | 1996-11-27 | 2000-09-01 | Hitachi Ltd | Plasma treatment device |
| US6035868A (en) * | 1997-03-31 | 2000-03-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for control of deposit build-up on an inner surface of a plasma processing chamber |
| TW386250B (en) * | 1997-04-04 | 2000-04-01 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for reducing the first wafer effect |
| GB9711273D0 (en) * | 1997-06-03 | 1997-07-30 | Trikon Equip Ltd | Electrostatic chucks |
| US6176978B1 (en) | 1997-08-18 | 2001-01-23 | Applied Materials, Inc. | Pasting layer formation method for high density plasma deposition chambers |
| US6132551A (en) * | 1997-09-20 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Inductive RF plasma reactor with overhead coil and conductive laminated RF window beneath the overhead coil |
| US6165375A (en) * | 1997-09-23 | 2000-12-26 | Cypress Semiconductor Corporation | Plasma etching method |
| US6028285A (en) * | 1997-11-19 | 2000-02-22 | Board Of Regents, The University Of Texas System | High density plasma source for semiconductor processing |
| US6090705A (en) * | 1998-01-20 | 2000-07-18 | Tokyo Electron Limited | Method of eliminating edge effect in chemical vapor deposition of a metal |
| US6129808A (en) * | 1998-03-31 | 2000-10-10 | Lam Research Corporation | Low contamination high density plasma etch chambers and methods for making the same |
| US6235213B1 (en) | 1998-05-18 | 2001-05-22 | Micron Technology, Inc. | Etching methods, methods of removing portions of material, and methods of forming silicon nitride spacers |
| US6277759B1 (en) * | 1998-08-27 | 2001-08-21 | Micron Technology, Inc. | Plasma etching methods |
| US6589437B1 (en) | 1999-03-05 | 2003-07-08 | Applied Materials, Inc. | Active species control with time-modulated plasma |
| US6518190B1 (en) * | 1999-12-23 | 2003-02-11 | Applied Materials Inc. | Plasma reactor with dry clean apparatus and method |
| EP1274876A2 (en) * | 2000-04-03 | 2003-01-15 | Applied Materials, Inc. | Cleaning of a plasma processing system silicon roof |
| US6401652B1 (en) | 2000-05-04 | 2002-06-11 | Applied Materials, Inc. | Plasma reactor inductive coil antenna with flat surface facing the plasma |
| SG89396A1 (en) * | 2000-05-12 | 2002-06-18 | Applied Materials Inc | Gas reactions to eliminate contaminates in a cvd chamber |
| AU2001259557A1 (en) * | 2000-05-12 | 2001-11-26 | Tokyo Electron Limited | Method of adjusting the thickness of an electrode in a plasma processing system |
| US7011039B1 (en) | 2000-07-07 | 2006-03-14 | Applied Materials, Inc. | Multi-purpose processing chamber with removable chamber liner |
| KR100391063B1 (ko) * | 2000-11-06 | 2003-07-16 | 주식회사 플라즈마트 | 유도결합으로 보강된 축전결합형 플라즈마 발생장치 및플라즈마 발생방법 |
| US20020170678A1 (en) * | 2001-05-18 | 2002-11-21 | Toshio Hayashi | Plasma processing apparatus |
| JP3729103B2 (ja) * | 2001-08-28 | 2005-12-21 | 株式会社村田製作所 | 圧電装置、ラダー型フィルタ及び圧電装置の製造方法 |
| US6589611B1 (en) * | 2002-08-22 | 2003-07-08 | Micron Technology, Inc. | Deposition and chamber treatment methods |
| KR100457844B1 (ko) * | 2002-08-27 | 2004-11-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 식각 방법 |
| US6992011B2 (en) * | 2003-01-15 | 2006-01-31 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for removing material from chamber and wafer surfaces by high temperature hydrogen-containing plasma |
| CN100463112C (zh) * | 2003-05-30 | 2009-02-18 | 周星工程股份有限公司 | 一种用于半导体装置的设备 |
| US7102562B2 (en) * | 2004-03-22 | 2006-09-05 | Motorola, Inc. | Radio frequency anechoic chamber with improved test stand |
| US20050205211A1 (en) * | 2004-03-22 | 2005-09-22 | Vikram Singh | Plasma immersion ion implantion apparatus and method |
| US7182880B2 (en) * | 2004-03-30 | 2007-02-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Process for reducing particle formation during etching |
| KR100611665B1 (ko) | 2004-11-23 | 2006-08-10 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유도결합 플라즈마 화학기상증착 장치 |
| EP1689216A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-09 | Vlaamse Instelling Voor Technologisch Onderzoek (Vito) | Atmospheric-pressure plasma jet |
| US8187416B2 (en) * | 2005-05-20 | 2012-05-29 | Applied Materials, Inc. | Interior antenna for substrate processing chamber |
| US8664124B2 (en) | 2005-10-31 | 2014-03-04 | Novellus Systems, Inc. | Method for etching organic hardmasks |
| US8110493B1 (en) | 2005-12-23 | 2012-02-07 | Novellus Systems, Inc. | Pulsed PECVD method for modulating hydrogen content in hard mask |
| US8012306B2 (en) * | 2006-02-15 | 2011-09-06 | Lam Research Corporation | Plasma processing reactor with multiple capacitive and inductive power sources |
| US8911590B2 (en) * | 2006-02-27 | 2014-12-16 | Lam Research Corporation | Integrated capacitive and inductive power sources for a plasma etching chamber |
| KR100720988B1 (ko) * | 2006-03-10 | 2007-05-28 | 위순임 | 매설된 유도 안테나를 구비하는 플라즈마 처리 챔버 |
| US8226769B2 (en) | 2006-04-27 | 2012-07-24 | Applied Materials, Inc. | Substrate support with electrostatic chuck having dual temperature zones |
| US7981810B1 (en) | 2006-06-08 | 2011-07-19 | Novellus Systems, Inc. | Methods of depositing highly selective transparent ashable hardmask films |
| US9275887B2 (en) | 2006-07-20 | 2016-03-01 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing with rapid temperature gradient control |
| US20080083701A1 (en) * | 2006-10-04 | 2008-04-10 | Mks Instruments, Inc. | Oxygen conditioning of plasma vessels |
| US7915166B1 (en) | 2007-02-22 | 2011-03-29 | Novellus Systems, Inc. | Diffusion barrier and etch stop films |
| US7605008B2 (en) * | 2007-04-02 | 2009-10-20 | Applied Materials, Inc. | Plasma ignition and complete faraday shielding of capacitive coupling for an inductively-coupled plasma |
| US8435379B2 (en) | 2007-05-08 | 2013-05-07 | Applied Materials, Inc. | Substrate cleaning chamber and cleaning and conditioning methods |
| KR101418438B1 (ko) * | 2007-07-10 | 2014-07-14 | 삼성전자주식회사 | 플라즈마 발생장치 |
| US8962101B2 (en) | 2007-08-31 | 2015-02-24 | Novellus Systems, Inc. | Methods and apparatus for plasma-based deposition |
| US7820556B2 (en) * | 2008-06-04 | 2010-10-26 | Novellus Systems, Inc. | Method for purifying acetylene gas for use in semiconductor processes |
| US8435608B1 (en) | 2008-06-27 | 2013-05-07 | Novellus Systems, Inc. | Methods of depositing smooth and conformal ashable hard mask films |
| US20100098875A1 (en) * | 2008-10-17 | 2010-04-22 | Andreas Fischer | Pre-coating and wafer-less auto-cleaning system and method |
| CN102197714A (zh) * | 2008-10-21 | 2011-09-21 | 应用材料股份有限公司 | 清洁腔室及工艺所用的等离子体源 |
| US7955990B2 (en) * | 2008-12-12 | 2011-06-07 | Novellus Systems, Inc. | Method for improved thickness repeatability of PECVD deposited carbon films |
| US8563414B1 (en) | 2010-04-23 | 2013-10-22 | Novellus Systems, Inc. | Methods for forming conductive carbon films by PECVD |
| US9324576B2 (en) | 2010-05-27 | 2016-04-26 | Applied Materials, Inc. | Selective etch for silicon films |
| US10283321B2 (en) | 2011-01-18 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma |
| US9064815B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-06-23 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of metal and metal-oxide films |
| US8999856B2 (en) | 2011-03-14 | 2015-04-07 | Applied Materials, Inc. | Methods for etch of sin films |
| US20130112669A1 (en) * | 2011-11-08 | 2013-05-09 | Takashi Uemura | Heat treatment apparatus |
| SG195494A1 (en) | 2012-05-18 | 2013-12-30 | Novellus Systems Inc | Carbon deposition-etch-ash gap fill process |
| US9267739B2 (en) | 2012-07-18 | 2016-02-23 | Applied Materials, Inc. | Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities |
| US9373517B2 (en) * | 2012-08-02 | 2016-06-21 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control |
| US9023734B2 (en) | 2012-09-18 | 2015-05-05 | Applied Materials, Inc. | Radical-component oxide etch |
| US9132436B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Chemical control features in wafer process equipment |
| US9088085B2 (en) | 2012-09-21 | 2015-07-21 | Novellus Systems, Inc. | High temperature electrode connections |
| US9362133B2 (en) | 2012-12-14 | 2016-06-07 | Lam Research Corporation | Method for forming a mask by etching conformal film on patterned ashable hardmask |
| US8921234B2 (en) | 2012-12-21 | 2014-12-30 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride etching |
| US10256079B2 (en) | 2013-02-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations |
| US9304396B2 (en) | 2013-02-25 | 2016-04-05 | Lam Research Corporation | PECVD films for EUV lithography |
| US9362130B2 (en) | 2013-03-01 | 2016-06-07 | Applied Materials, Inc. | Enhanced etching processes using remote plasma sources |
| US9040422B2 (en) | 2013-03-05 | 2015-05-26 | Applied Materials, Inc. | Selective titanium nitride removal |
| US20140271097A1 (en) | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc. | Processing systems and methods for halide scavenging |
| RU2529633C1 (ru) * | 2013-03-27 | 2014-09-27 | Общество с ограниченной ответственностью "ЭСТО-Вакуум" | Устройство для плазмохимического травления |
| US9570263B2 (en) * | 2013-06-11 | 2017-02-14 | Supergrid Institute Sas | Vacuum switching assembly |
| US9773648B2 (en) | 2013-08-30 | 2017-09-26 | Applied Materials, Inc. | Dual discharge modes operation for remote plasma |
| US9589799B2 (en) | 2013-09-30 | 2017-03-07 | Lam Research Corporation | High selectivity and low stress carbon hardmask by pulsed low frequency RF power |
| US9320387B2 (en) | 2013-09-30 | 2016-04-26 | Lam Research Corporation | Sulfur doped carbon hard masks |
| US9576809B2 (en) | 2013-11-04 | 2017-02-21 | Applied Materials, Inc. | Etch suppression with germanium |
| US9520303B2 (en) | 2013-11-12 | 2016-12-13 | Applied Materials, Inc. | Aluminum selective etch |
| US9245762B2 (en) | 2013-12-02 | 2016-01-26 | Applied Materials, Inc. | Procedure for etch rate consistency |
| US9499898B2 (en) | 2014-03-03 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Layered thin film heater and method of fabrication |
| US9299537B2 (en) | 2014-03-20 | 2016-03-29 | Applied Materials, Inc. | Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves |
| US9903020B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-02-27 | Applied Materials, Inc. | Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components |
| US9309598B2 (en) | 2014-05-28 | 2016-04-12 | Applied Materials, Inc. | Oxide and metal removal |
| KR101649947B1 (ko) * | 2014-07-08 | 2016-08-23 | 피에스케이 주식회사 | 이중 플라즈마 소스를 이용한 플라즈마 생성 장치 및 그를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US9425058B2 (en) | 2014-07-24 | 2016-08-23 | Applied Materials, Inc. | Simplified litho-etch-litho-etch process |
| US9496167B2 (en) | 2014-07-31 | 2016-11-15 | Applied Materials, Inc. | Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean |
| US9659753B2 (en) | 2014-08-07 | 2017-05-23 | Applied Materials, Inc. | Grooved insulator to reduce leakage current |
| US9553102B2 (en) | 2014-08-19 | 2017-01-24 | Applied Materials, Inc. | Tungsten separation |
| US9355862B2 (en) | 2014-09-24 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Fluorine-based hardmask removal |
| US9613822B2 (en) | 2014-09-25 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity enhancement |
| US9966240B2 (en) | 2014-10-14 | 2018-05-08 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment |
| US9355922B2 (en) | 2014-10-14 | 2016-05-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment |
| US11637002B2 (en) | 2014-11-26 | 2023-04-25 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to enhance process uniformity |
| US10573496B2 (en) | 2014-12-09 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Direct outlet toroidal plasma source |
| US10224210B2 (en) | 2014-12-09 | 2019-03-05 | Applied Materials, Inc. | Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source |
| US9502258B2 (en) | 2014-12-23 | 2016-11-22 | Applied Materials, Inc. | Anisotropic gap etch |
| US11257693B2 (en) | 2015-01-09 | 2022-02-22 | Applied Materials, Inc. | Methods and systems to improve pedestal temperature control |
| US9449846B2 (en) | 2015-01-28 | 2016-09-20 | Applied Materials, Inc. | Vertical gate separation |
| US20160225652A1 (en) | 2015-02-03 | 2016-08-04 | Applied Materials, Inc. | Low temperature chuck for plasma processing systems |
| US9728437B2 (en) | 2015-02-03 | 2017-08-08 | Applied Materials, Inc. | High temperature chuck for plasma processing systems |
| US9881805B2 (en) | 2015-03-02 | 2018-01-30 | Applied Materials, Inc. | Silicon selective removal |
| US9691645B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-06-27 | Applied Materials, Inc. | Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9741593B2 (en) | 2015-08-06 | 2017-08-22 | Applied Materials, Inc. | Thermal management systems and methods for wafer processing systems |
| US9349605B1 (en) | 2015-08-07 | 2016-05-24 | Applied Materials, Inc. | Oxide etch selectivity systems and methods |
| US10504700B2 (en) | 2015-08-27 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection |
| US10504754B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-10 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US10522371B2 (en) | 2016-05-19 | 2019-12-31 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection |
| US9865484B1 (en) | 2016-06-29 | 2018-01-09 | Applied Materials, Inc. | Selective etch using material modification and RF pulsing |
| US10629473B2 (en) | 2016-09-09 | 2020-04-21 | Applied Materials, Inc. | Footing removal for nitride spacer |
| US10062575B2 (en) | 2016-09-09 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Poly directional etch by oxidation |
| US10062585B2 (en) | 2016-10-04 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Oxygen compatible plasma source |
| US9721789B1 (en) | 2016-10-04 | 2017-08-01 | Applied Materials, Inc. | Saving ion-damaged spacers |
| US10546729B2 (en) | 2016-10-04 | 2020-01-28 | Applied Materials, Inc. | Dual-channel showerhead with improved profile |
| US9934942B1 (en) | 2016-10-04 | 2018-04-03 | Applied Materials, Inc. | Chamber with flow-through source |
| US10062579B2 (en) | 2016-10-07 | 2018-08-28 | Applied Materials, Inc. | Selective SiN lateral recess |
| US9947549B1 (en) | 2016-10-10 | 2018-04-17 | Applied Materials, Inc. | Cobalt-containing material removal |
| US10163696B2 (en) | 2016-11-11 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Selective cobalt removal for bottom up gapfill |
| US9768034B1 (en) | 2016-11-11 | 2017-09-19 | Applied Materials, Inc. | Removal methods for high aspect ratio structures |
| US10242908B2 (en) | 2016-11-14 | 2019-03-26 | Applied Materials, Inc. | Airgap formation with damage-free copper |
| US10026621B2 (en) | 2016-11-14 | 2018-07-17 | Applied Materials, Inc. | SiN spacer profile patterning |
| US10566206B2 (en) | 2016-12-27 | 2020-02-18 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for anisotropic material breakthrough |
| US10403507B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-09-03 | Applied Materials, Inc. | Shaped etch profile with oxidation |
| US10431429B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-10-01 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity |
| US10043684B1 (en) | 2017-02-06 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting atomic thermal etching systems and methods |
| US10319739B2 (en) | 2017-02-08 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Accommodating imperfectly aligned memory holes |
| US10943834B2 (en) | 2017-03-13 | 2021-03-09 | Applied Materials, Inc. | Replacement contact process |
| US10319649B2 (en) | 2017-04-11 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring |
| WO2018204500A1 (en) * | 2017-05-02 | 2018-11-08 | Tokyo Electron Limited | Manufacturing methods to reduce surface particle impurities after a plasma process |
| US11276590B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone semiconductor substrate supports |
| US11276559B2 (en) | 2017-05-17 | 2022-03-15 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow |
| US10049891B1 (en) | 2017-05-31 | 2018-08-14 | Applied Materials, Inc. | Selective in situ cobalt residue removal |
| US10497579B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Water-free etching methods |
| US10920320B2 (en) | 2017-06-16 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors |
| US10541246B2 (en) | 2017-06-26 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling |
| US10727080B2 (en) | 2017-07-07 | 2020-07-28 | Applied Materials, Inc. | Tantalum-containing material removal |
| US10541184B2 (en) | 2017-07-11 | 2020-01-21 | Applied Materials, Inc. | Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching |
| US10354889B2 (en) | 2017-07-17 | 2019-07-16 | Applied Materials, Inc. | Non-halogen etching of silicon-containing materials |
| US10170336B1 (en) | 2017-08-04 | 2019-01-01 | Applied Materials, Inc. | Methods for anisotropic control of selective silicon removal |
| US10043674B1 (en) | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10297458B2 (en) | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| US10128086B1 (en) | 2017-10-24 | 2018-11-13 | Applied Materials, Inc. | Silicon pretreatment for nitride removal |
| US10283324B1 (en) | 2017-10-24 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Oxygen treatment for nitride etching |
| US10256112B1 (en) | 2017-12-08 | 2019-04-09 | Applied Materials, Inc. | Selective tungsten removal |
| US10903054B2 (en) | 2017-12-19 | 2021-01-26 | Applied Materials, Inc. | Multi-zone gas distribution systems and methods |
| US11328909B2 (en) | 2017-12-22 | 2022-05-10 | Applied Materials, Inc. | Chamber conditioning and removal processes |
| US10854426B2 (en) | 2018-01-08 | 2020-12-01 | Applied Materials, Inc. | Metal recess for semiconductor structures |
| US10679870B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-06-09 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus |
| US10964512B2 (en) | 2018-02-15 | 2021-03-30 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods |
| TWI716818B (zh) | 2018-02-28 | 2021-01-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 形成氣隙的系統及方法 |
| US10593560B2 (en) | 2018-03-01 | 2020-03-17 | Applied Materials, Inc. | Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment |
| US10319600B1 (en) | 2018-03-12 | 2019-06-11 | Applied Materials, Inc. | Thermal silicon etch |
| US10497573B2 (en) | 2018-03-13 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Selective atomic layer etching of semiconductor materials |
| US10573527B2 (en) | 2018-04-06 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Gas-phase selective etching systems and methods |
| US10490406B2 (en) | 2018-04-10 | 2019-11-26 | Appled Materials, Inc. | Systems and methods for material breakthrough |
| US10699879B2 (en) | 2018-04-17 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Two piece electrode assembly with gap for plasma control |
| US10886137B2 (en) | 2018-04-30 | 2021-01-05 | Applied Materials, Inc. | Selective nitride removal |
| TWI697261B (zh) * | 2018-05-22 | 2020-06-21 | 呈睿國際股份有限公司 | 感應耦合電漿蝕刻系統及其切換式匹配裝置 |
| US10872778B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-12-22 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods utilizing solid-phase etchants |
| US10755941B2 (en) | 2018-07-06 | 2020-08-25 | Applied Materials, Inc. | Self-limiting selective etching systems and methods |
| US10672642B2 (en) | 2018-07-24 | 2020-06-02 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for pedestal configuration |
| US10892198B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-01-12 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for improved performance in semiconductor processing |
| US11049755B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Applied Materials, Inc. | Semiconductor substrate supports with embedded RF shield |
| US11062887B2 (en) | 2018-09-17 | 2021-07-13 | Applied Materials, Inc. | High temperature RF heater pedestals |
| US11417534B2 (en) | 2018-09-21 | 2022-08-16 | Applied Materials, Inc. | Selective material removal |
| US11682560B2 (en) | 2018-10-11 | 2023-06-20 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for hafnium-containing film removal |
| US11121002B2 (en) | 2018-10-24 | 2021-09-14 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for etching metals and metal derivatives |
| US11437242B2 (en) | 2018-11-27 | 2022-09-06 | Applied Materials, Inc. | Selective removal of silicon-containing materials |
| US11721527B2 (en) | 2019-01-07 | 2023-08-08 | Applied Materials, Inc. | Processing chamber mixing systems |
| US10920319B2 (en) | 2019-01-11 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Ceramic showerheads with conductive electrodes |
| TW202113121A (zh) | 2019-05-29 | 2021-04-01 | 美商蘭姆研究公司 | 藉由高功率脈衝低頻率射頻產生的高選擇性、低應力、且低氫之類鑽石碳硬遮罩 |
| US11499223B2 (en) * | 2020-12-10 | 2022-11-15 | Applied Materials, Inc. | Continuous liner for use in a processing chamber |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4795880A (en) * | 1986-09-11 | 1989-01-03 | Hayes James A | Low pressure chemical vapor deposition furnace plasma clean apparatus |
| KR900007687B1 (ko) | 1986-10-17 | 1990-10-18 | 가부시기가이샤 히다찌세이사꾸쇼 | 플라즈마처리방법 및 장치 |
| GB8629634D0 (en) | 1986-12-11 | 1987-01-21 | Dobson C D | Reactive ion & sputter etching |
| US4842683A (en) | 1986-12-19 | 1989-06-27 | Applied Materials, Inc. | Magnetic field-enhanced plasma etch reactor |
| US4872947A (en) | 1986-12-19 | 1989-10-10 | Applied Materials, Inc. | CVD of silicon oxide using TEOS decomposition and in-situ planarization process |
| DE3738352A1 (de) | 1987-11-11 | 1989-05-24 | Technics Plasma Gmbh | Filamentloses magnetron-ionenstrahlsystem |
| DE68924413T2 (de) | 1989-01-25 | 1996-05-02 | Ibm | Radiofrequenzinduktion/Mehrpolplasma-Bearbeitungsvorrichtung. |
| GB8905075D0 (en) | 1989-03-06 | 1989-04-19 | Nordiko Ltd | Electrode assembly and apparatus |
| US5149931A (en) * | 1989-04-11 | 1992-09-22 | Mitsubishi Denki K.K. | Power source for electric discharge machining |
| US5122251A (en) | 1989-06-13 | 1992-06-16 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
| US4990229A (en) * | 1989-06-13 | 1991-02-05 | Plasma & Materials Technologies, Inc. | High density plasma deposition and etching apparatus |
| US4948458A (en) | 1989-08-14 | 1990-08-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for producing magnetically-coupled planar plasma |
| WO1991010341A1 (en) * | 1990-01-04 | 1991-07-11 | Savas Stephen E | A low frequency inductive rf plasma reactor |
| WO1992020833A1 (en) | 1991-05-17 | 1992-11-26 | Lam Research Corporation | A PROCESS FOR DEPOSITING A SIOx FILM HAVING REDUCED INTRINSIC STRESS AND/OR REDUCED HYDROGEN CONTENT |
| KR100255703B1 (ko) * | 1991-06-27 | 2000-05-01 | 조셉 제이. 스위니 | 전자기 rf연결부를 사용하는 플라즈마 처리기 및 방법 |
| US5234529A (en) | 1991-10-10 | 1993-08-10 | Johnson Wayne L | Plasma generating apparatus employing capacitive shielding and process for using such apparatus |
| EP0552491B1 (en) * | 1992-01-24 | 1998-07-15 | Applied Materials, Inc. | Plasma etch process and plasma processing reactor |
| US5280154A (en) | 1992-01-30 | 1994-01-18 | International Business Machines Corporation | Radio frequency induction plasma processing system utilizing a uniform field coil |
| US5241245A (en) * | 1992-05-06 | 1993-08-31 | International Business Machines Corporation | Optimized helical resonator for plasma processing |
| US5226967A (en) | 1992-05-14 | 1993-07-13 | Lam Research Corporation | Plasma apparatus including dielectric window for inducing a uniform electric field in a plasma chamber |
| US5277751A (en) | 1992-06-18 | 1994-01-11 | Ogle John S | Method and apparatus for producing low pressure planar plasma using a coil with its axis parallel to the surface of a coupling window |
| US5286297A (en) | 1992-06-24 | 1994-02-15 | Texas Instruments Incorporated | Multi-electrode plasma processing apparatus |
| US5346578A (en) | 1992-11-04 | 1994-09-13 | Novellus Systems, Inc. | Induction plasma source |
| US5614055A (en) * | 1993-08-27 | 1997-03-25 | Applied Materials, Inc. | High density plasma CVD and etching reactor |
-
1995
- 1995-04-26 EP EP95302801A patent/EP0680072B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-04-26 AT AT95302801T patent/ATE251798T1/de not_active IP Right Cessation
- 1995-04-26 DE DE69531880T patent/DE69531880T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1995-04-28 KR KR1019950010291A patent/KR100240534B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1995-04-28 JP JP10613895A patent/JP3792267B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-11-18 US US08/751,899 patent/US6465051B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008091938A (ja) * | 1996-07-15 | 2008-04-17 | Applied Materials Inc | プロセスキット、ウェハ処理装置及びプロセスキットの加熱方法 |
| JPH10116826A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-05-06 | Applied Materials Inc | 誘導結合型ｈｄｐ−ｃｖｄリアクター |
| JP2009164613A (ja) * | 1997-02-19 | 2009-07-23 | Applied Materials Inc | Ｈｄｐ−ｃｖｄｐｓｇ膜の形成方法および装置 |
| JPH11167037A (ja) * | 1997-10-02 | 1999-06-22 | Samsung Electron Co Ltd | 誘導結合プラズマ装置を利用する光導波路素子製造方法 |
| US6196155B1 (en) | 1998-04-15 | 2001-03-06 | Hitachi, Ltd. | Plasma processing apparatus and method of cleaning the apparatus |
| KR100704591B1 (ko) * | 2000-03-21 | 2007-04-09 | 주성엔지니어링(주) | Ｃｖｄ 장치 및 그 내부 세정방법 |
| SG94816A1 (en) * | 2000-05-12 | 2003-03-18 | Applied Materials Inc | Conditioned chamber for improving chemical vapor deposition |
| JP2005026687A (ja) * | 2003-07-01 | 2005-01-27 | Ips Ltd | 薄膜蒸着方法 |
| JP2008171967A (ja) * | 2007-01-11 | 2008-07-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体加熱装置 |
| WO2010001880A1 (ja) * | 2008-07-01 | 2010-01-07 | 株式会社ユーテック | プラズマｃｖｄ装置、ｄｌｃ膜及び薄膜の製造方法 |
| KR20120117872A (ko) * | 2010-01-15 | 2012-10-24 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 스위쳐블 중성빔 소스 |
| JP2016157685A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-09-01 | エスピーティーエス テクノロジーズ リミティド | プラズマ生成装置 |
| JP2022520210A (ja) * | 2019-02-07 | 2022-03-29 | マトソン テクノロジー インコーポレイテッド | プラズマ処理装置における角度付けられたインジェクタを備えたガス供給器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6465051B1 (en) | 2002-10-15 |
| ATE251798T1 (de) | 2003-10-15 |
| EP0680072B1 (en) | 2003-10-08 |
| KR950034551A (ko) | 1995-12-28 |
| EP0680072A3 (en) | 1998-12-09 |
| JP3792267B2 (ja) | 2006-07-05 |
| DE69531880T2 (de) | 2004-09-09 |
| KR100240534B1 (ko) | 2000-01-15 |
| EP0680072A2 (en) | 1995-11-02 |
| DE69531880D1 (de) | 2003-11-13 |
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